KR20230112047A - 기판 반송 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체 - Google Patents

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wafer
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마츠타로 미야모토
류이치 코스게
마스미 니시지마
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에바라코포레이숀
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Abstract

[과제] 광에 의한 부식이 기판의 표면에 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 반송 방법이 제공된다.
[해결 수단] 기판 반송 방법은, 기판을 수용 유닛에 반입하고, 수용 유닛에 반송된 기판에 의해 광 센서(302)로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 기판이 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 기판을 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 광 센서(302)로부터의 광의 조사를 정지한다.

Description

기판 반송 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체{SUBSTRATE CONVEYANCE METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은, 기판 반송 방법과, 기판 처리 장치와, 기판 처리 장치의 구성 요건을 동작시키기 위한 프로그램을 기록한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 이러한 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼는 다양한 모듈에 반송되어 각 모듈에서 처리된다.
기판 처리 장치는, 그 반송 스테이지상에 웨이퍼가 존재하고 있는지 여부를 검출하는 광 센서를 구비하고 있다. 웨이퍼를 각 모듈에 반송할 때, 웨이퍼는 그 존재가 광 센서에 의해 검출된 후에 다음 모듈로 반송된다.
[특허 문헌 1] 일본 공개특허 2010-050436호 공보
최근, 반도체 디바이스의 고집적화·고밀도화에 따라 회로의 배선이 점점 더 미세화되고 다층 배선의 층수도 증가하고 있다. 따라서, 광 센서가 발한 광이 웨이퍼에 조사되면, 웨이퍼의 표면(보다 구체적으로는, 디바이스면)에 형성된 금속이 광의 영향을 받게 되어 금속이 부식된다. 바꾸어 말하면, 웨이퍼의 표면에는 광에 의한 부식(photo-corrosion)이 발생한다.
따라서 본 발명은, 광에 의한 부식이 기판(예를 들면, 웨이퍼)의 표면에 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 반송 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 태양에서는, 기판을 상기 기판의 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치에 있어서의 기판 반송 방법이 제공된다.
일 태양에서는, 상기 기판의 반송 방향에서, 상기 수용 유닛의 전단(前段)측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈에서 상기 기판을 습식 처리하고, 상기 광 센서에 의해, 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사한다.
일 태양에서는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치(載置) 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하고, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 기판이 상기 수용 유닛에 반송되기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하여 상기 수용 유닛에 상기 기판이 존재하지 않는 것을 확인한 후, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 기판의 수용 유닛과, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 유무를 검출하는 광 센서와, 상기 광 센서의 투광 동작을 제어하는 제어 장치를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 제어 장치는, 상기 기판을 상기 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 상기 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 반송 방향에서, 상기 수용 유닛의 전단측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈을 구비하고 있으며, 상기 광 센서는 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사한다.
일 태양에서는, 상기 제어 장치는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 제어 장치는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 제어 장치는, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하고, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 제어 장치는, 상기 기판이 상기 수용 유닛에 반송되기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하여 상기 수용 유닛에 상기 기판이 존재하지 않는 것을 확인한 후, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지한다.
일 태양에서는, 상기 광 센서는, 광을 발하는 투광부와, 상기 투광부가 발한 광을 받는 수광부를 구비하고 있으며, 상기 투광부는 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 이면측에 배치되어 있고, 상기 수광부는 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 표면측에 배치되어 있다.
일 태양에서는, 상기 투광부 및 상기 수광부는 상기 기판의 반송 방향에 대해 수직으로 배치되어 있다.
일 태양에서는, 상기 투광부 및 상기 수광부는, 상기 기판의 반송 방향에 대해 경사지게 배치되어 있다.
일 태양에서는, 기판을 상기 기판의 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와, 상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
일 태양에서는, 상기 기판의 반송 방향에서, 상기 수용 유닛의 전단측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈에서 상기 기판을 습식 처리하는 단계와, 상기 광 센서에 의해, 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램이 기록된다.
일 태양에서는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램이 기록된다.
일 태양에서는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램이 기록된다.
일 태양에서는, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하는 단계와, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와, 상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램이 기록된다.
기판 반송 방법은, 기판을 수수(授受) 스테이션에 반입하고, 광 센서로부터의 광을 조사하고, 기판을 수수 스테이션으로부터 반출하기 전에 광의 조사를 정지한다. 따라서, 광 센서로부터의 광이 웨이퍼(W)에 계속 조사되는 문제는 발생하지 않는다. 결과적으로, 광에 의한 부식이 기판의 표면에 발생하는 것을 방지할 수 있다.
[도 1] 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 도시한 평면도이다.
[도 2] 도 2의 (a)는 세정부를 도시한 평면도이며, 도 2의 (b)는 세정부를 도시한 측면도이다.
[도 3] 웨이퍼의 반송 경로에 배치된 수수 스테이션을 도시한 도면이다.
[도 4] 투광부 및 수광부의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다.
[도 5] 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 수수 스테이션에 반입되는 웨이퍼를 도시한 도면이다.
[도 6] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다.
[도 7] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 일 실시 형태를 도시한 도면이다.
[도 8] 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)은, 수수 스테이션으로부터 반출되는 웨이퍼를 도시한 도면이다.
[도 9] 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다.
[도 10] 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하기 전에, 웨이퍼의 존재 확인이 행해지는 모습을 도시한 도면이다.
[도 11] 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하기 전의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다.
[도 12] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다.
[도 13] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다.
[도 14] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다.
[도 15] 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명에 관한 기판 처리 장치의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 동일 또는 상당하는 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고 중복된 설명을 생략한다.
도 1은, 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 도시한 평면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는, 대략 직사각형의 하우징(1)을 구비하고 있다. 하우징(1)의 내부는, 격벽(1a),(1b)에 의해 로딩/언로딩부(2)와 연마부(3)와 세정부(4)로 구획되어 있다.
로딩/언로딩부(2), 연마부(3), 및 세정부(4)는, 각각 독립적으로 조립되어 독립적으로 배기된다. 기판 처리 장치는, 기판 처리 동작을 제어하는 제어 장치(5)를 구비하고 있다. 로딩/언로딩부(2)는, 다수의 웨이퍼(기판)를 비축하는(stock) 웨이퍼 카세트가 재치되는 2개 이상(본 실시 형태에서는, 4개)의 프런트 로딩부(20)를 구비하고 있다.
프런트 로딩부(20)는, 하우징(1)에 인접하여 배치되어 있고 기판 처리 장치의 폭방향(길이 방향과 수직인 방향)을 따라 배열되어 있다. 프런트 로딩부(20)에는, 오픈 카세트, SMIF(Standard Manufacturing Interface) 팟(pod), 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 탑재할 수 있다. SMIF, FOUP는, 내부에 웨이퍼 카세트를 수납하고 격벽으로 덮음으로써 외부 공간과는 독립된 환경을 유지할 수 있는 밀폐 용기이다.
로딩/언로딩부(2)에는, 프런트 로딩부(20)의 배열 방향을 따라 주행 기구(21)가 부설되어 있고, 이 주행 기구(21)상에 웨이퍼 카세트의 배열 방향을 따라 이동 가능한 2대의 반송 로봇(로더)(22)이 설치되어 있다. 반송 로봇(22)은 주행 기구(21)상을 이동함으로써 프런트 로딩부(20)에 탑재된 웨이퍼 카세트에 액세스할 수 있다.
연마부(3)는, 웨이퍼의 연마(평탄화)가 행해지는 영역으로서, 제1 연마 모듈(3A), 제2 연마 모듈(3B), 제3 연마 모듈(3C), 및 제4 연마 모듈(3D)을 구비하고 있다. 제1 연마 모듈(3A), 제2 연마 모듈(3B), 제3 연마 모듈(3C), 및 제4 연마 모듈(3D)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치의 길이 방향을 따라 배열되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 연마 모듈(3A)은, 연마면을 가진 연마 패드(10)가 부착된 연마 테이블(30A)과, 웨이퍼를 보유지지하고 또한 웨이퍼를 연마 테이블(30A)상의 연마 패드(10)에 압압하면서 연마하기 위한 톱 링(31A)과, 연마 패드(10)에 연마액이나 드레싱액(예를 들면, 순수(純水))을 공급하기 위한 연마액 공급 노즐(32A)과, 연마 패드(10)의 연마면을 드레싱하기 위한 드레서(33A)와, 액체(예를 들면 순수)와 기체(예를 들면 질소 가스)의 혼합 유체 또는 액체(예를 들면 순수)를 미스트(mist) 상으로 하여 연마면에 분사하는 분무기(34A)를 구비하고 있다.
마찬가지로 제2 연마 모듈(3B)은, 연마 패드(10)가 부착된 연마 테이블(30B)과, 톱 링(31B)과, 연마액 공급 노즐(32B)과, 드레서(33B)와, 분무기(34B)를 구비하고 있다. 제3 연마 모듈(3C)은, 연마 패드(10)가 부착된 연마 테이블(30C)과, 톱 링(31C)과, 연마액 공급 노즐(32C)과, 드레서(33C)와, 분무기(34C)를 구비하고 있다. 제4 연마 모듈(3D)은, 연마 패드(10)가 부착된 연마 테이블(30D)과, 톱 링(31D)과, 연마액 공급 노즐(32D)과, 드레서(33D)와, 분무기(34D)를 구비하고 있다.
웨이퍼를 반송하기 위한 반송 기구에 대해 설명하기로 한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는, 제1 연마 모듈(3A) 및 제2 연마 모듈(3B)에 인접하여 배치된 제1 리니어 트랜스포터(6)를 구비하고 있다. 제1 리니어 트랜스포터(6)는, 연마 모듈(3A),(3B)의 배열 방향을 따르는 4개의 반송 위치(제1 반송 위치(TP1), 제2 반송 위치(TP2), 제3 반송 위치(TP3), 제4 반송 위치(TP4)) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 기구이다.
기판 처리 장치는, 제3 연마 모듈(3C) 및 제4 연마 모듈(3D)에 인접하여 배치된 제2 리니어 트랜스포터(7)를 구비하고 있다. 제2 리니어 트랜스포터(7)는, 연마 모듈(3C),(3D)의 배열 방향을 따르는 3개의 반송 위치(제5 반송 위치(TP5), 제6 반송 위치(TP6), 제7 반송 위치(TP7)) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 기구이다.
웨이퍼는, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 의해 연마 모듈(3A),(3B)에 반송된다. 제1 연마 모듈(3A)의 톱 링(31A)은 그 스윙 동작에 의해 연마 위치와 제2 반송 위치(TP2) 사이를 이동한다. 따라서, 톱 링(31A)으로의 웨이퍼의 수수는 제2 반송 위치(TP2)에서 행해진다.
마찬가지로 제2 연마 모듈(3B)의 톱 링(31B)은 연마 위치와 제3 반송 위치(TP3) 사이를 이동하고, 톱 링(31B)으로의 웨이퍼의 수수는 제3 반송 위치(TP3)에서 행해진다. 제3 연마 모듈(3C)의 톱 링(31C)은 연마 위치와 제6 반송 위치(TP6)의 사이를 이동하고, 톱 링(31C)으로의 웨이퍼의 수수는 제6 반송 위치(TP6)에서 행해진다. 제4 연마 모듈(3D)의 톱 링(31D)은 연마 위치와 제7 반송 위치(TP7)의 사이를 이동하고, 톱 링(31D)으로의 웨이퍼의 수수는 제7 반송 위치(TP7)에서 행해진다.
제1 반송 위치(TP1)에는, 반송 로봇(22)으로부터 웨이퍼를 받기 위한 리프터(11)가 배치되어 있다. 웨이퍼는, 리프터(11)를 개재하여 반송 로봇(22)으로부터 제1 리니어 트랜스포터(6)로 인도된다.
기판 처리 장치는, 격벽(1a)에 설치된 셔터(미도시)를 구비하고 있다. 셔터는, 리프터(11)와 반송 로봇(22) 사이에 배치되어 있다. 웨이퍼의 반송시에는, 셔터가 열려 웨이퍼가 반송 로봇(22)으로부터 리프터(11)로 인도된다. 제1 리니어 트랜스포터(6)와 제2 리니어 트랜스포터(7)와 세정부(4) 사이에는 스윙 트랜스포터(12)가 배치되어 있다.
스윙 트랜스포터(12)는, 제4 반송 위치(TP4)와 제5 반송 위치(TP5) 사이를 이동할 수 있는 핸드를 가지고 있다. 제1 리니어 트랜스포터(6)으로부터 제2 리니어 트랜스포터(7)로의 웨이퍼의 수수는, 스윙 트랜스포터(12)에 의해 행해진다. 웨이퍼는, 제2 리니어 트랜스포터(7)에 의해 제3 연마 모듈(3C) 및/또는 제4 연마 모듈(3D)에 반송된다. 연마부(3)에서 연마된 웨이퍼는 스윙 트랜스포터(12)에 의해 임시 받침대(180)를 경유하여 세정부(4)에 반송된다. 즉, 스윙 트랜스포터(12)는, 제4 반송 위치(TP4) 혹은 제5 반송 위치(TP5)에 위치하는 웨이퍼를 보유지지하여 웨이퍼의 표리를 반전시킨 후, 임시 받침대(180)에 반송한다. 이로써, 웨이퍼는 그 디바이스면이 위를 향한 상태로 임시 받침대(180)에 재치된다.
도 2의 (a)는 세정부를 도시한 평면도이며, 도 2의 (b)는 세정부를 도시한 측면도이다. 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 세정부(4)는, 제1 세정실(190)과, 제1 반송실(191)과, 제2 세정실(192)과, 제2 반송실(193)과, 건조실(194)로 구획되어 있다. 제1 세정실(190) 내에는, 세로 방향을 따라 배열된 상측 1차 세정 모듈(201A) 및 하측 1차 세정 모듈(201B)이 배치되어 있다.
상측 1차 세정 모듈(201A)은 하측 1차 세정 모듈(201B)의 상방에 배치되어 있다. 마찬가지로 제2 세정실(192) 내에는, 세로 방향을 따라 배열된 상측 2차 세정 모듈(202A) 및 하측 2차 세정 모듈(202B)이 배치되어 있다. 상측 2차 세정 모듈(202A)은 하측 2차 세정 모듈(202B)의 상방에 배치되어 있다. 1차 및 2차 세정 모듈(201A), (201B), (202A), (202B)은 세정액을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 세정기이다.
상측 2차 세정 모듈(202A)과 하측 2차 세정 모듈(202B) 사이에는, 웨이퍼의 임시 받침대(203)가 설치되어 있다. 건조실(194) 내에는, 세로 방향을 따라 배열된 상측 건조 모듈(205A) 및 하측 건조 모듈(205B)이 배치되어 있다. 상측 건조 모듈(205A) 및 하측 건조 모듈(205B)은 서로 격리되어 있다.
상측 건조 모듈(205A) 및 하측 건조 모듈(205B)의 상부에는, 청정한 공기를 건조 모듈(205A), (205B) 내로 각각 공급하는 필터 팬 장치(207), (207)가 설치되어 있다.
제1 반송실(191)에는, 상하 이동 가능한 제1 반송 로봇(209)이 배치되고, 제2 반송실(193)에는, 상하 이동 가능한 제2 반송 로봇(210)이 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(209) 및 제2 반송 로봇(210)은 세로 방향으로 연장되는 지지축(211), (212)에 각각 이동 가능하게 지지되어 있다.
제1 반송 로봇(209) 및 제2 반송 로봇(210)은, 지지축(211), (212)을 따라 상하로 이동 가능하다. 제1 반송 로봇(209)은, 도 2의 (a)의 점선으로 도시한 바와 같이, 임시 받침대(180)에 액세스 가능한 위치에 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(209)이 임시 받침대(180)에 액세스할 경우에는, 격벽(1b)에 설치되어 있는 셔터(미도시)가 열리도록 되어 있다.
제1 반송 로봇(209)은, 임시 받침대(180), 상측 1차 세정 모듈(201A), 하측 1차 세정 모듈(201B), 임시 받침대(203), 상측 2차 세정 모듈(202A), 및 하측 2차 세정 모듈(202B) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 동작한다.
제2 반송 로봇(210)은, 상측 2차 세정 모듈(202A), 하측 2차 세정 모듈(202B), 임시 받침대(203), 상측 건조 모듈(205A), 하측 건조 모듈(205B) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 동작한다.
도 1에 도시한 반송 로봇(22)은, 상측 건조 모듈(205A) 또는 하측 건조 모듈(205B)로부터 웨이퍼를 꺼내고 그 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로 되돌린다. 반송 로봇(22)이 건조 모듈(205A), (205B)에 액세스할 경우에는, 격벽(1a)에 설치되어 있는 셔터(미도시)가 열린다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼는 로딩/언로딩부(2), 연마부(3), 및 세정부(4)의 순서대로 반송된다. 웨이퍼를 각 모듈에 반송할 때, 웨이퍼는 그 존재가 광 센서에 의해 검출된 후에 다음 모듈로 반송된다. 본 실시 형태에서는, 연마부(3)의 연마 모듈(3A) 내지 (3D), 세정부(4)의 세정 모듈(201A), (201B), (202A), (202B) 등의 모듈에 웨이퍼를 반송할 때, 제1 반송 위치(TP1) 내지 제7 반송 위치(TP7)에서, 웨이퍼는 그 존재가 검출된다.
광 센서는 웨이퍼(W)에 접촉하지 않고 웨이퍼(W)의 존재를 검출할 수 있다. 그러나 광 센서가 발한 광이 장시간 웨이퍼(W)에 조사되면, 웨이퍼(W)의 표면(보다 구체적으로는, 디바이스면)에는 광에 의한 부식이 발생한다. 그래서 기판 처리 장치는, 광에 의한 부식이 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 것을 방지하는 구성을 가지고 있다.
도 3은, 웨이퍼의 반송 경로에 배치된 수수 스테이션을 도시한 도면이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 배치된 수수 스테이션(301)을 구비하고 있다. 웨이퍼(W)의 반송 경로는, 1매의 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩부(2), 연마부(3), 및 세정부(4)에 반송될 때의, 웨이퍼(W)의 이동 경로에 상당한다. 수수 스테이션(301)은, 웨이퍼(W)를 각 모듈에 수수할 때의 반송 위치(예를 들면, 각 반송 위치(TP2), (TP3), (TP6), (TP7), 각 임시 받침대(180), (203)가 배치된 공간)에 상당한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치는, 수수 스테이션(301)에 반송된 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 광 센서(302)와, 웨이퍼(W)를 재치하기 위한 재치 스테이지(300)를 구비하고 있다. 재치 스테이지(300)는, 예를 들면, 각 임시 받침대(180), (203)에 상당한다.
광 센서(302)는, 광을 발하는 투광부(302a)와, 투광부(302a)가 발한 광을 받는 수광부(302b)를 구비하고 있다. 투광부(302a)는, 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)의 이면측에 위치하도록 재치 스테이지(300)의 상단(즉, 웨이퍼(W)의 재치면)보다 하방에 배치되어 있다. 수광부(302b)는, 재치 스테이지(300) 상에 재치된 웨이퍼(W)의 표면측에 위치하도록, 재치 스테이지(300)의 상단보다 상방에 배치되어 있다. 도 3에 도시한 실시 형태에서는, 투광부(302a) 및 수광부(302b)는 웨이퍼(W)의 반송 방향(즉, 수평 방향)에 대해 수직으로 배치되어 있다.
도 4는, 투광부 및 수광부의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 투광부(302a) 및 수광부(302b)는 웨이퍼(W)의 반송 방향(즉, 수평 방향)에 대해 경사지게 배치되어 있다. 도 4에 도시한 실시 형태에서도, 투광부(302a)는 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)의 하방에 배치되어 있고, 수광부(302b)는 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)는, 그 상면(즉, 디바이스면)이 상방을 향한 상태로 재치 스테이지(300)상에 재치된다. 따라서, 투광부(302a)가 발한 광은 웨이퍼(W)의 이면에 조사된다. 웨이퍼(W)의 이면에 투광함으로써 광은 웨이퍼(W)의 디바이스면에는 직접 조사되지 않기 때문에, 웨이퍼(W)의 디바이스면에 대한 광의 영향을 줄일 수 있다. 결과적으로, 광에 의한 부식이 웨이퍼의 디바이스면에 발생하는 것을 억제할 수 있다.
투광부(302a)가 발한 광의 광량(강도)은 그 거리에 따라 감쇠된다. 도 4에 도시한 실시 형태에서는, 경사지게 조사된 광은, 그 광량(강도)이 감쇠된 상태로 웨이퍼(W)의 이면에 조사된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 디바이스면에 대한 광의 영향을 더욱 경감시킬 수 있어 결과적으로, 광에 의한 부식이 웨이퍼의 디바이스면에 발생하는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또한 광을 경사지게 조사함으로써 광이 웨이퍼(W)의 이면에 조사되는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면에 대한 광의 국소적인 조사를 방지할 수 있다. 결과적으로, 광에 의한 부식이 웨이퍼의 디바이스면에 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 광 센서(302)는 제어 장치(5)에 전기적으로 접속되어 있다. 제어 장치(5)는, 광 센서(302)(보다 구체적으로는, 투광부(302a))의 투광 동작(즉, 광의 조사의 개시 및 정지)를 제어하도록 구성되어 있다.
투광부(302a)가 발한 광을 수광부(302b)가 받으면, 수광부(302b)는, 제어 장치(5)에 대해 검출 신호를 보내도록 구성되어 있다. 제어 장치(5)가 수광부(302b)로부터의 검출 신호를 받으면, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 존재하지 않는다고 결정한다. 투광부(302a)가 발한 광이 웨이퍼(W)에 의해 차단되면, 수광부(302b)는 투광부(302a)가 발한 광을 검출하지 않고, 제어 장치(5)에 대한 검출 신호의 송신은 정지된다. 제어 장치(5)는, 검출 신호의 송신의 정지에 기초하여 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 재치된 것으로 결정한다.
제어 장치(5)는, 프로그램을 저장한 기억 장치(5a)와, 프로그램에 따라 연산을 실행하는 처리 장치(5b)를 구비하고 있다. 컴퓨터로 구성된 제어 장치(5)는, 기억 장치(5a)에 전기적으로 저장된 프로그램에 따라 동작한다. 프로그램은 광 센서(302)의 투광 동작을 처리 장치(5b)에 실행시킨다.
투광 동작을 처리 장치(5b)에 실행시키기 위한 프로그램은, 비일시적인 유형물인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기억되어 기록 매체를 개재하여 제어 장치(5)에 제공된다. 또는 프로그램은 인터넷 또는 근거리 통신망 등의 통신 네트워크를 개재하여 통신 장치(미도시)로부터 제어 장치(5)에 입력되어도 좋다. 기록 매체는, 투광 동작을 처리 장치(5b)에 실행시키기 위한 프로그램뿐 아니라, 광에 의한 부식이 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 것을 방지하기 위한 프로그램(후술함)도 기록하고 있다.
도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 수수 스테이션에 반입되는 웨이퍼를 도시한 도면이다. 도 6은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다. 도 7은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 일 실시 형태를 도시한 도면이다.
이하에 도시한 실시 형태에서는, 연마부(3)에서 연마 처리된 웨이퍼(W)를 세정부(4)에 반송하는 예에 대해 설명하기로 한다. 따라서, 수수 스테이션(301) 내에 배치된 재치 스테이지(300)는 임시 받침대(180)(도 1 참조)에 상당한다. 수수 스테이션(301)의 임시 받침대(180)에는, 스윙 트랜스포터(12) 및 제1 반송 로봇(209)(도 1 참조)이 액세스 가능하다.
제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)에 반입하고 광 센서(302)를 조작함으로써 광 센서(302)로부터의 광을 조사하고, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출하기 전에, 광 센서(302)를 조작함으로써 광 센서(302)로부터의 광의 조사를 정지하도록 구성되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 5의 (a) 및 도 6의 단계 S101에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시하고(투광 ON), 웨이퍼(W)의 반입 동작을 개시한다. 일 실시 형태에서는, 제어 장치(5)는, 앞의 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)으로부터 반출된 후, 다음 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)에 반입될 때까지 투광부(302a)로부터 광을 계속 조사해도 좋다. 이러한 구성에 의해, 다음 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)에 반입되기 전에 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시하기 위한 트리거를 결정할 필요는 없다.
일 실시 형태에서는, 제어 장치(5)는, 앞의 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)으로부터 반출된 후, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지하고(투광 OFF), 다음 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)에 반입될 때, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시해도 좋다(투광 ON). 제어 장치(5)는, 예를 들면, 스윙 트랜스포터(12)가 웨이퍼(W)의 반입 동작을 개시한 타이밍(보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)를 보유지지한 스윙 트랜스포터(12)가 수수 스테이션(301)으로 방향 전환된 타이밍)에 광의 조사를 개시해도 좋다. 이러한 구성에 의해, 광 센서(302)로부터의 광은 단속적으로 조사되기 때문에 광 센서(302)의 장기 수명화를 실현할 수 있다.
도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 스윙 트랜스포터(12)에 의해 수수 스테이션(301) 내에 반입되면, 투광부(302a)로부터 조사된 광은 웨이퍼(W)에 의해 차단된다. 도 7에 도시한 실시 형태에서는, 제어 장치(5)는, 광 센서(302)로부터 조사된 광이 수수 스테이션(301)에 반입된 웨이퍼(W)에 의해 차단된 후, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 재치되었을 때, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다. 바꾸어 말하면, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 반입 동작의 완료시에 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다. 이러한 구성에 의해 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 확실히 재치된 것을 결정할 수 있다.
재치 스테이지(300)가 웨이퍼(W)를 보유지지하는 척(chuck)을 가지고 있는 경우에는, 제어 장치(5)는, 재치 스테이지(300)의 척의 폐지(閉止)를 트리거로 하여 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다. 재치 스테이지(300)에 척이 없는 경우에는, 제어 장치(5)는, 스윙 트랜스포터(12)가 웨이퍼(W)의 반입 동작 완료를 나타내는 신호를 발했을 때, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다. 예를 들면, 상기 신호는, 스윙 트랜스포터(12)가 최하강 위치까지 하강했을 때에 발한다.
제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 반입 동작이 완료되고(도 6의 단계 S102 참조), 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한 후, 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광부(302b)의 수광이 차단되었는지 여부를 판단하고(도 6의 단계 S103 참조), 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단된 경우(도 6의 단계 S103의 「YES」참조), 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지함과 동시에(도 5의 (c) 및 도 6의 단계 S104 참조), 웨이퍼(W)의 존재 확인을 종료한다(도 7 참조).
본 실시 형태에서는, 소정 시간은, 0.3초 이하이지만, 광 센서(302)의 분해 능력에 따라 소정 시간을 설정해도 좋다. 광 센서(302)가 비교적 높은 분해 능력을 가지고 있는 경우, 소정 시간은 20 밀리초(ms) 이하여도 좋다.
종래에는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)에 반입하기 전부터 수수 스테이션(301)으로부터 반출할 때까지의 동안에 광 센서(302)로부터의 광은 항상 계속 조사되고 있기 때문에, 웨이퍼(W)가 수수 스테이션(301)에 체재하고 있는 동안, 웨이퍼(W)의 외표면에는 광이 계속 조사된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외표면 및 내부에 광에 의한 부식이 발생할 가능성이 크다.
본 실시 형태에 의하면, 제어 장치(5)는, 웨이퍼를 수수 스테이션(301)에 반입하여 광 센서(302)로부터의 광의 조사를 개시하고, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출하기 전에 광 센서(302)로부터의 광의 조사를 정지하도록 구성되어 있다. 따라서, 광 센서(302)로부터의 광이 웨이퍼(W)에 계속 조사되는 문제는 발생하지 않는다. 결과적으로, 제어 장치(5)는, 광에 의한 부식이 웨이퍼(W)의 표면 및 내부에 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단되지 않은 경우(도 6의 단계 S103의 「NO」참조), 제어 장치(5)는, 광 센서(302)나 스윙 트랜스포터(12) 등의 장치나 웨이퍼(W)에 이상이 발생되었다고 결정하고 이상 알람을 발한다(도 6의 단계 S105 참조). 그 후, 제어 장치(5)는 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(도 6의 단계 S106 참조).
도 6의 단계 S103에서, 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 계속 차단되고 있는지를 판정하도록 해도 좋다. 그에 따라 물 등 환경에 의한 외란에 의해 매우 단시간에 광이 차단된 경우의 오검지를 방지하거나 스윙 트랜스포터(12)의 핸드상에서 웨이퍼(W)가 갈라져 있는 것을 검출할 수 있다.
도 8의 (a) 및 도 8의 (b)은, 수수 스테이션으로부터 반출되는 웨이퍼를 도시한 도면이다. 도 9는, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다. 도 7 및 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출할 경우에는, 제어 장치(5)는 수수 스테이션(301)에 설치된 셔터(305)를 열어 웨이퍼(W)의 반출 동작을 개시한다.
제어 장치(5)는 셔터(305)를 연 후, 제1 반송 로봇(209)를 재치 스테이지(300)상의 웨이퍼(W)에 액세스시킨다. 웨이퍼(W)는, 제1 반송 로봇(209)에 보유지지된 상태로 수수 스테이션(301)으로부터 반출되고, 제어 장치(5)는 셔터(305)를 닫음과 아울러 웨이퍼(W)의 반출 동작을 완료한다(도 8의 (b) 및 도 9의 단계 S201 참조).
도 7 및 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는, 셔터(305)의 폐지(閉止)를 트리거로 하여 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시하고, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다(도 9의 단계 S202 참조). 도 9의 단계 S203에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 존재 확인의 개시로부터 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단되는지 여부를 판단한다. 이 경우에도, 소정 시간은 광 센서(302)의 분해 능력에 따라 매우 단시간에 결정된다(예를 들면, 0.3초 이하, 20 밀리초 이하).
수광이 소정 시간 차단되지 않는 경우(도 9의 단계 S203의 「NO」참조), 제어 장치(5)는, 재치 스테이지(300)상에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는다고 결정하고, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 종료함과 아울러 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(도 9의 단계 S204 참조). 이 동작에 의해, 제어 장치(5)는 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)에 있는 것으로 오인식되는 것을 방지할 수 있다.
수광이 차단된 경우(도 9의 단계 S203의 「YES」참조), 예를 들면, 제1 반송 로봇(209)이 웨이퍼(W)를 빼내지 않은 경우, 제어 장치(5)는, 재치 스테이지(300)상에 웨이퍼(W)가 존재하고 있다고 결정하고, 이상 알람을 발한다(도 9의 단계 S205 참조). 그 후, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(도 9의 단계 S206 참조).
도 10은, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하기 전에 웨이퍼의 존재 확인이 행해지는 모습을 도시한 도면이다. 도 11은, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하기 전의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다. 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출할 때, 웨이퍼(W)의 존재롤 확인해도 좋다.
보다 구체적으로는, 제어 장치(5)는, 셔터(305)의 개방을 트리거로 하여 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시하고(도 10 및 도 11의 단계 S301 참조), 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다. 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 존재 확인의 개시로부터 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광부(302b)의 수광이 차단되는지 여부를 판단한다(도 11의 단계 S302 참조). 수광이 차단되는 경우에는(도 11의 단계 S302의 「YES」참조), 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 재치되어 있다고 결정하고 웨이퍼(W)의 존재 확인을 종료한다. 이 때, 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 종료한다(도 11의 단계 S303 참조). 그 후, 제어 장치(5)는 도 9의 단계 S201 내지 단계 S203와 마찬가지의 동작을 실시한다.
소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단되지 않은 경우(도 11의 단계 S302의 「NO」참조), 제어 장치(5)는, 광 센서(302) 등의 장치나 웨이퍼(W)에 이상이 발생되었다고 결정하고 이상 알람을 발한다(도 11의 단계 S304 참조). 그 후, 제어 장치(5)는 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 종료한다(도 11의 단계 S305 참조).
도 10에 도시한 실시 형태에서는, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출하기 전에, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 존재하고 있는지 여부를 확인한다. 제어 장치(5)는, 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)의 존재를 결정한 후, 웨이퍼(W)는 제1 반송 로봇(209)에 의해 수수 스테이션(301)으로부터 반출된다. 이러한 구성에 의해, 제1 반송 로봇(209)에 의한 웨이퍼(W)의 반출시에, 재치 스테이지(300)상에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 사태를 피할 수 있다.
도 12은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다. 도 13은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다.
도 12의 단계 S401 및 도 13에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 개시하고, 웨이퍼(W)의 반입 동작을 개시한다. 그 후, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)에 의한 광의 차단을 검출한 후, 그것을 트리거로 하여 소정 시간이 경과한 후, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(도 13 참조).
제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터 광을 조사한 상태에서(단계 S401 참조), 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시하고, 수광부(302b)의 수광이 차단되었는지 여부를 판단한다(도 12의 단계 S402 참조).
스윙 트랜스포터(12)가 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)에 반입하면, 웨이퍼(W)의 엣지에 의해 광이 차단되어 수광부(302b)의 수광이 차단된다(단계 S402의 「YES 참조」). 수광부(302b)의 수광이 차단된 것을 검출한 후(즉, 단계 S402의 「YES」후), 제어 장치(5)는, 소정 시간이 경과했는지 여부를 판단한다(단계 S403 참조). 이 판단은, 소정 시간이 경과할 때까지 계속된다(단계 S403의 「NO」참조). 소정 시간이 경과한 경우(단계 S403의 「YES」참조), 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(단계 S404 참조).
스윙 트랜스포터(12)의 핸드가 재치 스테이지(300)를 향해 뻗어 있음에도 불구하고, 수광부(302b)의 수광이 차단되지 않은 경우(단계 S402의 「NO」참조), 제어 장치(5)는, 이상 알람을 발하고(단계 S405 참조), 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(단계 S406 참조). 소정 시간이 경과하기 전에, 수광부(302b)가 다시 수광한 경우에는, 제어 장치(5)는 이상 알람을 발해도 좋고, 다시 단계 S402로 돌아와도 좋다.
도 13에서는, 웨이퍼의 존재 확인의 개시와 수광 차단의 개시가 동일한 타이밍으로 되어 있지만, 웨이퍼의 존재 확인을, 실제로 웨이퍼에 의해 수광이 차단되기 직전부터 실시해도 좋다.
이러한 구성에 의해, 광 센서(302)로부터 광이 웨이퍼(W)에 조사되는 시간을 더욱 단축할 수 있기 때문에, 제어 장치(5)는, 광에 의한 부식이 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
도 10에 도시한 실시 형태는 도 13에 도시한 실시 형태에도 적용 가능하다. 보다 구체적으로는, 도 13에 도시한 실시 형태에서도, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출하기 전에, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 존재하고 있는지 여부를 확인해도 좋다.
도 14은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입할 때의 제어 장치에 의한 광 센서의 투광 동작의 제어 흐름을 도시한 도면이다. 도 15은, 웨이퍼를 수수 스테이션에 반입하고, 웨이퍼를 수수 스테이션으로부터 반출하는 제어 장치의 동작의 다른 실시 형태를 도시한 도면이다.
도 14의 단계 S501, S502 및 도 15에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)는, 스윙 트랜스포터(12)가 웨이퍼(W)의 반입 동작을 개시한 타이밍에 광의 조사를 개시함과 아울러 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다.
제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한 후, 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광부(302b)의 수광이 차단되었는지 여부를 판단하고(도 14의 단계 S503 참조), 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단된 경우(도 14의 단계 S503의 YES), 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지함과 동시에(도 14의 단계 S504 참조), 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 존재하지 않는다는 것을 확인한다(도 15 참조).
소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단된 경우(도 14의 단계 S503의 「YES」참조), 제어 장치(5)는, 재치 스테이지(300)상에 앞의 웨이퍼(W)가 존재하고 있다고 결정하고, 이상 알람을 발한다(도 14의 단계 S505 참조). 그 후, 제어 장치(5)는 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 종료한다(도 14의 단계 S506 참조).
도 14의 단계 S504 후, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 반입 동작이 완료된 타이밍에(도 14의 단계 S507 참조), 바꾸어 말하면, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 재치되었을 때, 광 센서(302)로부터의 광의 조사를 개시한다(도 14의 단계 S508 참조). 제어 장치(5)는, 광 센서(302)로부터 조사된 광이 재치 스테이지(300)상에 재치된 웨이퍼(W)에 의해 차단되었을 때, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한다(도 15 참조). 이러한 구성에 의해, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 확실히 재치된 것으로 결정하고, 또한 광 센서(302)로부터의 광이 웨이퍼(W)에 조사되는 시간을 더욱 단축할 수 있다.
제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)의 존재 확인을 개시한 후, 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광부(302b)의 수광이 차단되었는지 여부를 판단하고(도 14의 단계 S509 참조), 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단된 경우(도 14의 단계 S509의 YES), 제어 장치(5)는, 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지함과 동시에(도 14의 단계 S510 참조), 웨이퍼(W)의 존재 확인을 종료한다(도 15 참조).
소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 수광이 차단되지 않은 경우(도 14의 단계 S509의 「NO」참조), 제어 장치(5)는 이상 알람을 발하고(도 14의 단계 S511 참조), 투광부(302a)로부터의 광의 조사를 정지한다(도 14의 단계 S512 참조).
그 후, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출할 때의 동작 플로우(도 9 참조)와 동일한 동작 플로우를 실시하여 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출한다.
도 10에 도시한 실시 형태는 도 15에 도시한 실시 형태에도 적용 가능하다. 보다 구체적으로는, 도 15에 도시한 실시 형태에서도, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)를 수수 스테이션(301)으로부터 반출하기 전에, 웨이퍼(W)가 재치 스테이지(300)상에 존재하고 있는지 여부를 확인해도 좋다. 도 5 내지 도 10에 도시한 실시 형태의 경우, 웨이퍼(W)의 존재 확인에 있어서, 제어 장치(5)는, 웨이퍼(W)에 의해 수광부(302b)의 수광이 차단되면 웨이퍼(W)는 존재하고, 차단되지 않으면 웨이퍼(W)는 존재하지 않는다는 결정을 한다.
상술한 실시 형태에서는, 수수 스테이션(301)을 개재하여, 웨이퍼(W)를 연마부(3)에서 세정부(4)로 반송할 때의, 제어 장치(5)에 의한 광 센서(302)의 투광 동작의 제어에 대해 설명하였으나, 광 센서(302)의 투광 동작의 제어는 상술한 실시 형태로 한정되지는 않는다.
일 실시 형태에서는, 제어 장치(5)에 의한 광 센서(302)의 투광 동작의 제어는, 웨이퍼(W)를 로딩/언로딩부(2)에서 연마부(3)로 반송할 때에 행해져도 좋다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 존재 유무는, 각 반송 위치(TP1) 내지 반송 위치(TP7)에서의 리니어 트랜스포터상에서 확인된다.
일 실시 형태에서는, 광 센서(302)의 투광 동작의 제어는, 웨이퍼(W)를 제1 세정실(190)(세정 모듈(201A), (201B)) 또는 제2 세정실(192)(세정 모듈(202A), (202B)) 또는 건조실(194)(건조 모듈(205A), (205B))에 반송할 때에 행해져도 좋다.
상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)를 각 모듈에 주고 받을 때의 반송 위치에 상당하는 수수 스테이션(301)에서의 광 센서(302)의 투광 동작의 제어에 대해 설명하였으나, 광 센서(302)의 투광 동작의 제어는, 리프터(11), 제1 반송 위치(TP1) 내지 제4 반송 위치(TP4)에서의 제1 리니어 트랜스포터(6)상에서 행해져도 좋다.
광 센서(302)의 투광 동작의 제어는, 제5 반송 위치(TP5) 내지 제7 반송 위치(TP7)에서의 제2 리니어 트랜스포터(7)상에서 행해져도 좋고, 임시 받침대(180), 임시 받침대(203), 세정부(4)의 각 모듈(1차 세정 모듈(201), 2차 세정 모듈(202), 건조 모듈(205))에서 행해져도 좋다. 이와 같이, 광 센서(302)의 투광 동작의 제어는 반드시 수수 스테이션(301)에서 행해질 필요는 없고, 각 모듈에서 행해져도 좋다. 광 센서(302)의 투광 동작을 제어하는 수수 스테이션(301) 및 각 모듈은, 총칭하여 수용 유닛으로 불린다.
광에 의한 부식은, 특히 웨이퍼(W)가 젖어 있는 경우에 발생하기 쉽다. 따라서, 광 센서(302)의 투광 동작의 제어에 의한 효과는, 웨이퍼(W)가 습식 처리된 후의 공정에서 특히 발휘된다. 웨이퍼(W)를 습식 처리하는 습식 처리 모듈로서 연마 모듈(3A) 내지 (3D) 및 세정 모듈(201A), (201B), (202A), (202B)을 들 수 있다.
습식 처리 모듈은, 웨이퍼(W)의 반송 방향에서 수수 스테이션(301)의 전단측에 배치되어 있고, 광 센서(302)는, 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 웨이퍼(W)에 대해 광을 조사하도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 기판 처리 장치는 광에 의한 부식이 웨이퍼(W)의 표면에 발생하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는 당업자라면 당연하게 달성할 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서 본 발명은 기재된 실시 형태로 한정되지 않으며, 특허 청구 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해야 할 것이다.
1 하우징
1a, 1b 격벽
2 로딩/언로딩부
3 연마부
3A, 3B, 3C, 3D 연마 모듈
4 세정부
5 제어 장치
6 제1 리니어 트랜스포터
7 제2 리니어 트랜스포터
10 연마 헤드
11 리프터
12 스윙 트랜스포터
20 프런트 로딩부
21 주행 기구
22 반송 로봇
30A, 30B, 30C, 30D 연마 테이블
31A, 31B, 31C, 31D 톱 링
32A, 32B, 32C, 32D 연마액 공급 노즐
33A, 33B, 33C, 33D 드레서
34A, 34B, 34C, 34D 분무기
TP1, TP2, TP3, TP4, TP5, TP6, TP7 반송 위치
190 제1 세정실
191 제1 반송실
192 제2 세정실
193 제2 반송실
194 건조실
201A 상측 1차 세정 모듈
201B 하측 1차 세정 모듈
202A 상측 2차 세정 모듈
202B 하측 2차 세정 모듈
203 임시 받침대
205A 상측 건조 모듈
205B 하측 건조 모듈
207 필터 팬 장치
209 제1 반송 로봇
210 제2 반송 로봇
211, 212 지지축
300 재치 스테이지
301 수수 스테이션
302 광 센서
302a 투광부
302b 수광부
305…셔터

Claims (20)

  1. 기판을, 상기 기판의 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치에 있어서의 기판 반송 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 반송 방향에서, 상기 수용 유닛의 전단(前段)측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈에서 상기 기판을 습식 처리하고,
    상기 광 센서에 의해, 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사하는, 기판 반송 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치(載置) 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 반송 방법.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 반송 방법.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하고,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 상기 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 반송 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 기판이 상기 수용 유닛에 반송되기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하여 상기 수용 유닛에 상기 기판이 존재하지 않는 것을 확인한 후, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 반송 방법.
  7. 기판의 수용 유닛과,
    상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 유무를 검출하는 광 센서와,
    상기 광 센서의 투광 동작을 제어하는 제어 장치를 구비하고,
    상기 제어 장치는,
    상기 기판을 상기 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 상기 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 반송 방향에서 상기 수용 유닛의 전단측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈을 구비하고 있으며,
    상기 광 센서는, 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 제어 장치는,
    상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 제어 장치는,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하고,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 상기 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하고,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 기판이 상기 수용 유닛에 반송되기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하여 상기 수용 유닛에 상기 기판이 존재하지 않는 것을 확인한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는, 기판 처리 장치.
  13. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 광 센서는,
    광을 발하는 투광부와,
    상기 투광부가 발한 광을 받는 수광부를 구비하고 있으며,
    상기 투광부는, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 이면측에 배치되어 있고,
    상기 수광부는, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판의 표면측에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 투광부 및 상기 수광부는 상기 기판의 반송 방향에 대해 수직으로 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 투광부 및 상기 수광부는 상기 기판의 반송 방향에 대해 경사지게 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 기판을, 상기 기판의 수용 유닛에 반입하고, 상기 수용 유닛에 반송된 상기 기판에 의해 광 센서로부터 조사된 광이 차단된 것을 검출하여 상기 기판이 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와,
    상기 기판을 상기 수용 유닛으로부터 반출하기 전에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 기판의 반송 방향에서, 상기 수용 유닛의 전단측에 배치된, 상기 기판을 습식 처리하는 습식 처리 모듈에서 상기 기판을 습식 처리하는 단계와,
    상기 광 센서에 의해, 상기 습식 처리 모듈에서 습식 처리된 상기 기판에 대해 광을 조사하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체.
  18. 청구항 16 또는 17에 있어서,
    상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단된 후, 상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체.
  19. 청구항 16 또는 17에 있어서,
    상기 광 센서로부터 조사된 광이 상기 수용 유닛에 반입된 상기 기판에 의해 차단되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체.
  20. 청구항 16 또는 17에 있어서,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 재치 스테이지상에 재치되었을 때, 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 개시하는 단계와,
    상기 기판이 상기 수용 유닛의 상기 재치 스테이지상에 재치되고 나서 미리 결정된 소정 시간이 경과할 때까지의 동안에 상기 기판이 상기 수용 유닛에 존재하는 것을 확인하는 단계와,
    상기 소정 시간이 경과한 후에 상기 광 센서로부터의 광의 조사를 정지하는 단계를 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체.
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