TWI720945B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明於位置偏移檢測動作時，搬送機構之手移動至基板支持部之真目標位置。藉由搬送機構之手接收由基板支持部支持於預先設定之基準位置之基板。藉由位置檢測部對由手而接收之基板與手之位置關係進行檢測。基於檢測出之位置關係取得基板支持部之基準位置與真目標位置之偏移量。於所取得之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時輸出警報。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。於此種基板處理裝置中，複數個基板藉由搬送裝置依序搬送至處理部之特定之基板支持部。處理部對搬送至基板支持部之基板進行熱處理或成膜處理等特定之處理(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1之基板處理裝置中，於軌道上積層之複數個熱處理部係以可於常規位置與退避位置之間移動之方式設置。複數個熱處理部於搬送裝置之維護時移動至退避位置，於基板處理時移動至常規位置。
[專利文獻1]日本專利特開2004-15019號公報
如專利文獻1般，藉由以可移動之方式構成處理部，維護變得容易。然而，存在若於維護後處理部返回至常規位置則發生稍許位置偏移之情況。藉此，於處理部內之基板支持部發生位置偏移。又，當於 維護時處理部內之基板支持部自處理部卸除之後，基板支持部再次安裝於處理部。於該情形時，亦存在發生基板支持部相對於處理部之位置偏移之情況。若於發生了基板支持部之位置偏移之狀態下進行基板處理，則有基板處理之精度降低之可能性。
本發明之目的在於提供一種可防止於發生了基板支持部之位置偏移之狀態下進行基板處理之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)依照本發明之一態樣之基板處理裝置係對基板進行處理者，且具備：基板支持部，其具有預先設定之基準位置，且構成為可支持基板；搬送裝置，其具有以保持基板之方式構成之保持部，藉由使保持部移動而搬送基板；位置檢測部，其對藉由保持部而保持之基板與保持部之位置關係進行檢測；及控制部，其於基板處理時，為了向基板支持部之基準位置交付基板或自基準位置接收基板，而以使保持部移動至目標位置之方式控制搬送裝置；控制部於位置偏移檢測動作時，以使保持部移動至基板支持部之目標位置而接收由基板支持部支持之基板之方式，控制搬送裝置，並且基於藉由位置檢測部而檢測出之位置關係取得基準位置與目標位置之偏移量，於所取得之偏移量大於預先設定之第1臨限值之情形時輸出警報。
於該基板處理裝置中，於基板處理時，搬送裝置之保持部移動至目標位置。藉此，可以基板支持於基準位置之方式藉由保持部將基板交付給基板支持部，或可接收支持於基準位置之基板。此處，由於維護時之基板支持部之卸除及安裝或零件之經年劣化等，存在於基板支持部發生位置偏移之情形。
根據本發明之構成，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部移動至基板支持部之目標位置。藉此，藉由保持部接收由基板支持部支持於基準位置之基板。對藉由保持部而接收之基板與保持部之位 置關係進行檢測。基於檢測出之位置關係取得基板支持部之基準位置與目標位置之偏移量。於所取得之偏移量大於預先設定之第1臨限值之情形時輸出警報。藉此，通知作業人員於基板支持部發生了位置偏移。其結果，防止在於基板支持部發生了位置偏移之狀態下進行基板處理。
(2)基板支持部亦可係構成為以水平姿勢保持基板且可繞基準位置旋轉，控制部於位置偏移檢測動作時，以使保持部移動至目標位置而向基板支持部交付基板之方式，控制搬送裝置，以由基板支持部支持之基板旋轉第1角度之方式，控制基板支持部，以使保持部移動至目標位置而接收由基板支持部支持之基板之方式，控制搬送裝置，基於將基板交付給基板支持部之前之保持部與基板之位置關係及自基板支持部接收基板之後之保持部與基板之位置關係，取得基準位置。
於該情形時，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部向基板支持部交付基板並接收旋轉後之基板，藉此取得基準位置。藉此，可以簡單之動作取得基準位置。
(3)控制部亦可於與搬送裝置相關之教導動作時，以使保持部移動至基板支持部之初始位置而向基板支持部交付基板之方式，控制搬送裝置，以由基板支持部支持之基板旋轉第2角度之方式，控制基板支持部，以使保持部移動至初始位置而接收由基板支持部支持之基板之方式，控制搬送裝置，基於將基板交付給基板支持部之前之保持部與基板之位置關係及自基板支持部接收基板之後之保持部與基板之位置關係，取得初始位置與基準位置之偏移量作為修正資訊，基於所取得之修正資訊，以初始位置與基準位置一致之方式修正初始位置，並取得所修正之初始位置作為目標位置。
於該情形時，於與搬送裝置相關之教導動作時，搬送裝置之保持部向基板支持部交付基板並接收旋轉後之基板，藉此初始位置修正 為目標位置。藉此可以簡單之動作取得目標位置。
(4)基板處理裝置亦可進而具備處理單元，該處理單元包含基板支持部，於基板處理時對藉由基板支持部而旋轉之基板進行處理。
於該情形時，於基板之中心與基板支持部之基準位置一致之狀態下，對藉由基板支持部而旋轉之基板進行處理。藉此，可提高基板之處理之精度。
(5)控制部亦可於位置偏移檢測動作時，以使保持部移動至目標位置並接收支持於基板支持部之基準位置之基板之方式，控制搬送裝置，且基於藉由位置檢測部檢測出之位置關係取得基準位置。
於該情形時，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部於基板支持部接收支持於基板支持部之基準位置之基板，藉此取得基準位置。藉此，可以簡單之動作取得基準位置。
(6)控制部亦可於與搬送裝置相關之教導動作時，以使保持部移動至基板支持部之初始位置並接收支持於基板支持部之基準位置之基板之方式，控制搬送裝置，基於藉由位置檢測部而檢測出之位置關係取得初始位置與基準位置之偏移量作為修正資訊，基於所取得之修正資訊以初始位置與基準位置一致之方式修正初始位置，取得已修正之初始位置作為目標位置。
於該情形時，於與搬送裝置相關之教導動作時，搬送裝置之保持部接收支持於基板支持部之基準位置之基板，藉此初始位置修正為目標位置。藉此，可以簡單之動作取得目標位置。
(7)基板支持部亦可包含將基板引導至基準位置之引導機構，且於教導動作時，藉由引導機構，基板被引導至基板支持部之基準位置。
於該情形時，基板藉由引導機構被引導至水平基準位置。藉此，於教導動作時，作業人員無需將基板定位於基準位置之作業。因 此，進一步減輕作業人員之負擔。又，於基板處理時，基板亦藉由引導機構正確地定位於基板支持部之基準位置。
(8)基板處理裝置亦可進而具備處理單元，該處理單元包含基板支持部，且於基板處理時對支持於基板支持部之基板進行處理，目標位置設定於處理單元內，控制部以使保持部移動至處理單元內之目標位置而於處理單元內接收支持於基準位置之基板之方式，控制搬送裝置。
於該情形時，基板於處理單元內，支持於基準位置。藉此，於基板之中心與基準位置一致之狀態下，對由基板支持部支持之基板進行處理。藉此，可提高基板之處理之精度。
(9)搬送裝置之保持部具有保持基板之下表面之保持面，基板處理裝置進而具備對保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測之保持檢測部，控制部於位置偏移檢測動作時，以使保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升之方式，控制搬送裝置，取得保持部於保持檢測部之檢測時間點之高度，並基於所取得之高度，取得保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量，於所取得之偏移量大於第2臨限值之情形時輸出警報。
根據該構成，於保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。藉此，通知作業人員是於基板支持部發生了位置偏移，還是保持部之保持面磨耗。其結果，防止在於基板支持部發生了位置偏移之狀態下進行基板處理、及於保持部之保持面磨耗之狀態下進行基板之搬送。
(10)依照本發明之另一態之基板處理裝置係對基板進行處理者，且具備：基板支持部，其構成為可支持基板；搬送裝置，其包含具有保持基板之下表面之保持面之保持部，藉由使保持部移動而搬送基 板；保持檢測部，其對保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測；及控制部，其於基板處理時，為了向基板支持部交付基板或自基板支持部接收基板，而以使保持部移動之方式控制搬送裝置；控制部於位置偏移檢測動作時，以使保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升之方式，控制搬送裝置，取得保持部於保持檢測部之檢測時間點之高度，基於所取得之高度取得保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量，於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
於該基板處理裝置中，於基板處理時，搬送裝置之保持部於移動至目標高度之後，上升。藉此，可以基板支持於基準高度之方式藉由保持部將基板交付給基板支持部，或可接收支持於基準高度之基板。此處，由於維護時之基板支持部之卸除及安裝或零件之經年劣化等，存在於保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離發生偏移之情形。
根據本發明之構成，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升。藉此，對保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測。取得保持部於基板之檢測時間點之高度。基於所取得之高度取得保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量。於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
藉此，通知作業人員是於基板支持部發生了位置偏移，還是保持部之保持面磨耗。其結果，防止在於基板支持部發生了位置偏移之狀態下進行基板處理、及於保持部之保持面磨耗之狀態下進行基板之搬送。
(11)控制部亦可於與搬送裝置相關之教導動作時，以使保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方上升之方式，控制搬送 裝置，並基於保持部於保持檢測部之檢測時間點之高度取得目標高度。
於該情形時，於與搬送裝置相關之教導動作時，搬送裝置之保持部自下方對藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下表面進行檢測，藉此取得目標高度。因此，可以簡單之動作取得目標高度。
(12)保持部亦可包含吸附基板之下表面之吸附部，吸附部具有保持面，保持檢測部係構成為基於是否藉由吸附部吸附有基板，對保持面保持基板之下表面之情況進行檢測。
於該情形時，可以簡單之構成對保持部保持基板之下表面之情況進行檢測。又，保持部可確實地保持基板。
(13)依照本發明之進而另一態樣之基板處理方法係對基板進行處理者，且包含如下步驟：於基板處理時，為了向基板支持部之預先設定之基準位置交付基板或自基準位置接收基板，而使搬送裝置之保持部移動至目標位置；於位置偏移檢測動作時，使搬送裝置之保持部移動至基板支持部之目標位置，並接收由基板支持部支持於基準位置之基板；對藉由保持部而接收之基板與保持部之位置關係進行檢測；基於檢測出之位置關係，取得基板支持部之基準位置與目標位置之偏移量；及於所取得之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時輸出警報。
根據該基板處理方法，於基板處理時，搬送裝置之保持部移動至目標位置。藉此，可以基板支持於基準位置之方式藉由保持部將基板交付給基板支持部，或可接收支持於基準位置之基板。此處，由於維護時之基板支持部之卸除及安裝或零件之經年劣化等，存在於基板支持部發生位置偏移之情形。
根據本發明之方法，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部移動至基板支持部之目標位置。藉此，藉由保持部接收由基板支持部支持於基準位置之基板。對藉由保持部而接收之基板與保持部之位 置關係進行檢測。基於檢測出之位置關係取得基板支持部之基準位置與目標位置之偏移量。於所取得之偏移量大於預先設定之第1臨限值之情形時輸出警報。藉此，通知作業人員於基板支持部發生了位置偏移。其結果，防止在於基板支持部發生了位置偏移之狀態下進行基板處理。
(14)依照本發明之進而另一態樣之基板處理方法係對基板進行處理者，且包含如下步驟：於基板處理時，為了向基板支持部交付基板或自基板支持部接收基板而使搬送裝置之保持部移動；於位置偏移檢測動作時，使搬送裝置之保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升；對保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測；取得保持部於基板之檢測時間點之高度；基於所取得之高度，取得保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量；及於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
根據該基板處理方法，於基板處理時，搬送裝置之保持部於移動至目標高度之後，上升。藉此，可以基板支持於基準高度之方式藉由保持部將基板交付給基板支持部，或可接收支持於基準高度之基板。此處，由於維護時之基板支持部之卸除及安裝或零件之經年劣化等，存在於保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離發生偏移之情形。
根據本發明之方法，於位置偏移檢測動作時，搬送裝置之保持部自藉由基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升。藉此，對保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測。取得保持部於基板之檢測時間點之高度。基於所取得之高度取得保持部位於目標高度時之保持面與基準高度之間之距離之偏移量。於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
藉此，通知作業人員是於基板支持部發生了位置偏移，還是保 持部之保持面磨耗。其結果，防止在於基板支持部發生了位置偏移之狀態下進行基板處理、及於保持部之保持面磨耗之狀態下進行基板之搬送。
根據本發明，可防止於發生了基板支持部之位置偏移之狀態下進行基板處理。
11:裝載區塊
12:第1處理區塊
13:第2處理區塊
14:介面區塊
14A:清洗乾燥處理區塊
14B:搬入搬出區塊
15:曝光裝置
15a:基板搬入部
15b:基板搬出部
21:塗佈處理室
22:塗佈處理室
23:塗佈處理室
24:塗佈處理室
25:旋轉夾頭
27:護罩
28:處理液噴嘴
29:噴嘴搬送機構
31:顯影處理室
32:顯影處理室
33:顯影處理室
34:顯影處理室
35:旋轉夾頭
37:護罩
38:顯影噴嘴
39:移動機構
50:流體盒部
60:流體盒部
98:旋轉夾頭
99:光出射器
100:基板處理裝置
111:載具載置部
112:搬送部
113:載具
114:控制部
115:搬送機構
116:手
121:塗佈處理部
122:搬送部
123:熱處理部
125:上段搬送室
126:下段搬送室
127:搬送機構
128:搬送機構
129:塗佈處理單元
131:顯影處理部
132:搬送部
133:熱處理部
135:上段搬送室
136:下段搬送室
137:搬送機構
138:搬送機構
139:顯影處理單元
141:搬送機構
142:搬送機構
146:搬送機構
161:清洗乾燥處理部
162:清洗乾燥處理部
163:搬送部
301:上段熱處理部
302:下段熱處理部
303:上段熱處理部
304:下段熱處理部
311:導軌
312:導軌
313:導軌
314:移動構件
315:旋轉構件
316:感測裝置
316a:投光部保持外殼
316b:受光部保持外殼
316D:檢測器
316r:受光部
316t:投光部
410:冷卻部
411:基板載置板
412:支持銷
420:加熱部
421:基板載置板
422:支持銷
423:導引構件
430:搬送機構
431:導軌
432:導軌
433:導軌
434:搬送臂
435:切口(狹縫)
436:導引構件
500:控制部
510:CPU
520:記憶體
CP:冷卻單元
EEW:邊緣曝光部
FBP:進退基準位置
H1:手
H2:手
Ha:導引部
Hb:臂部
PAHP:密接強化處理單元
PASS1:基板載置部
PASS2:基板載置部
PASS3:基板載置部
PASS4:基板載置部
PASS5:基板載置部
PASS6:基板載置部
PASS7:基板載置部
PASS8:基板載置部
PASS9:基板載置部
P-BF1:載置兼緩衝部
P-BF2:載置兼緩衝部
P-CP:載置兼冷卻部
PHP:熱處理單元
PN:主板
pr:突出部
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
S11:步驟
S12:步驟
S13:步驟
S14:步驟
S15:步驟
S16:步驟
S17:步驟
SD1:清洗乾燥處理單元
SD2:清洗乾燥處理單元
sm:吸附部
ss:吸附面
W:基板
WS:基板支持部
X:方向
(X1，Y1):座標
(x1，y1):基板之中心之座標
(X2，Y2):座標
(X3，Y3):座標
(X4，Y4):座標
(Xb，Yb):假目標位置座標
(Xb3，Yb3):假目標位置座標
(Xb4，Yb4):假目標位置座標
(Xr，Yr):正規位置座標
(Xrb，Yrb):真目標位置座標
(Xw，Yw):基準位置座標
(Xwh，Ywh):檢測位置座標
Y:方向
Z:方向
Z1:距離
Z2:距離
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。
圖2係主要表示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。
圖3係主要表示圖1之熱處理部及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。
圖4係主要表示圖1之搬送部之側視圖。
圖5係表示搬送機構之立體圖。
圖6(a)~(c)係表示搬送機構之俯視圖、側視圖及剖面圖。
圖7係表示搬送機構之控制系統之構成之方塊圖。
圖8(a)~(d)係用以說明垂直方向之教導動作之圖。
圖9(a)~(c)係用以說明水平方向之教導動作之圖。
圖10(a)~(h)係用以對藉由圖5及圖6(a)~(c)之感測裝置而實施之基板之外周部之複數個部分之檢測方法進行說明之圖。
圖11係熱處理單元之立體圖。
圖12係圖11之熱處理單元之俯視圖。
圖13係圖11之熱處理單元之側視圖。
圖14(a)~(e)係用以對基板支持部設置於熱處理單元之情形時之基準位置進行說明之圖。
圖15(a)~(d)係用以對旋轉夾頭為基板支持部之情形時之水平方 向之教導動作進行說明之圖。
圖16(a)~(d)係用以對基板支持部設置於旋轉夾頭之情形時之水平方向之位置偏移檢測動作進行說明之圖。
圖17(a)~(d)係用以對基板支持部設置於熱處理單元之情形時之水平方向之位置偏移檢測動作進行說明之圖。
圖18(a)~(d)係用以對垂直方向之位置偏移檢測動作進行說明之圖。
圖19係表示藉由控制部而實施之位置偏移檢測處理之一例之流程圖。
圖20係表示藉由控制部而實施之位置偏移檢測處理之另一例之流程圖。
圖21(a)~(e)係表示用以藉由1個感測裝置檢測保持於2個手之2片基板之外周部之搬送機構之一控制例之圖。
圖22(a)~(c)係表示用以藉由1個感測裝置檢測保持於2個手之2片基板之外周部之搬送機構之一控制例之圖。
圖23(a)~(c)係用以對其他實施形態中之另一個手之修正資訊之取得順序進行說明之圖。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。
(1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。
於圖1及圖2以後之特定之圖中，為了明確位置關係而標註有表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平 面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B，構成介面區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置有曝光裝置15。於曝光裝置15中，藉由浸液法對基板W進行曝光處理。
如圖1所示，裝載區塊11包含複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111，載置有將複數個基板W分成多段而收納之載具113。
於搬送部112，設置有控制部114及搬送機構115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成元件。搬送機構115具有用以保持基板W之手116。搬送機構115一面藉由手116保持基板W一面搬送該基板W。
於搬送部112之側面，設置有主板PN。主板PN連接於控制部114。使用者可藉由主板PN確認基板W於基板處理裝置100中之處理狀況等。於主板PN之附近，設置有包含例如鍵盤之未圖示之操作部。使用者可藉由操作操作部而進行基板處理裝置100之動作設定等。
第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。熱處理部123係以可移動之方式設置。於基板處理時，熱處理部123係以隔著搬送部122與塗佈處理部121對向之方式配置。將此時之熱處理部123之位置稱為常規位置。另一方面，於基板處理裝置100之維護時，熱處理部123配置於與常規位置隔開之位置。將此時之熱處理部123之位置稱為維護位置。藉此，可確保作業空間。於以下之基板處理裝置100之說明中，熱處理部123配置於常規位置。
於搬送部122與裝載區塊11之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS1及下述基板載置部PASS2~PASS4(參照圖4)。於搬送部122，設置 有搬送基板W之搬送機構127及下述搬送機構128(參照圖4)。
第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。熱處理部133係以可移動之方式設置。於基板處理時，熱處理部133係以隔著搬送部132與顯影處理部131對向之方式配置。將此時之熱處理部133之位置稱為常規位置。另一方面，於基板處理裝置100之維護時，熱處理部133配置於與常規位置隔開之位置。將此時之熱處理部133之位置稱為維護位置。於以下之基板處理裝置100之說明中，熱處理部133配置於常規位置。
於搬送部132與搬送部122之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS5及下述基板載置部PASS6~PASS8(參照圖4)。於搬送部132，設置有搬送基板W之搬送機構137及下述搬送機構138(參照圖4)。
清洗乾燥處理區塊14A包含清洗乾燥處理部161、162及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162係以隔著搬送部163而對向之方式設置。於搬送部163，設置有搬送機構141、142。
於搬送部163與搬送部132之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1及下述載置兼緩衝部P-BF2(參照圖4)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係以可收容複數個基板W之方式構成。
又，於搬送機構141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式，設置有基板載置部PASS9及下述載置兼冷卻部P-CP(參照圖4)。於載置兼冷卻部P-CP，基板W被冷卻至適於曝光處理之溫度。
於搬入搬出區塊14B，設置有搬送機構146。搬送機構146進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗佈處理部及顯影處理部之構成
圖2係主要表示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及清洗乾燥處理部161之基板處理裝置100之模式性側視圖。
如圖2所示，於塗佈處理部121，分階層地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於顯影處理部131，分階層地設置有顯影處理室31、32、33、34。於塗佈處理室21~24各者，設置有塗佈處理單元129。於顯影處理室31~34各者，設置有顯影處理單元139。
各塗佈處理單元129具備保持基板W之旋轉夾頭25及以覆蓋旋轉夾頭25之周圍之方式設置之護罩27。於本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置有2組旋轉夾頭25及護罩27。旋轉夾頭25可裝卸地設置於未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)。於基板處理時，旋轉夾頭25藉由驅動裝置而旋轉驅動。另一方面，於維護時，旋轉夾頭25自驅動裝置卸除。又，如圖1所示，各塗佈處理單元129具備噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及使該等處理液噴嘴28移動之噴嘴搬送機構29。
於塗佈處理單元129，旋轉夾頭25藉由未圖示之驅動裝置而旋轉，並且複數個處理液噴嘴28中任一個處理液噴嘴28藉由噴嘴搬送機構29移動至基板W之上方，處理液自該處理液噴嘴28噴出。藉此，於基板W上塗佈處理液。又，自未圖示之邊緣清洗噴嘴，向基板W之周緣部噴出清洗液。藉此，去除附著於基板W之周緣部之處理液。
於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129，抗反射膜用之處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129，抗蝕劑膜用之處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。
顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地，具備旋轉夾頭35及護罩37。又，如圖1所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38於X方向上移動之移動機構39。
於顯影處理單元139，旋轉夾頭35藉由未圖示之驅動裝置而旋轉，並且一個顯影噴嘴38一面於X方向上移動一面向各基板W供給顯影液，其後，另一個顯影噴嘴38一面移動一面向各基板W供給顯影液。於該情形時，藉由向基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處 理。又，於本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，可向各基板W供給2種顯影液。
於清洗乾燥處理部161，設置有複數個(於本例中為4個)清洗乾燥處理單元SD1。於清洗乾燥處理單元SD1，進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。
如圖1及圖2所示，於塗佈處理部121，以鄰接於顯影處理部131之方式設置有流體盒部50。同樣地，於顯影處理部131，以鄰接於清洗乾燥處理區塊14A之方式設置有流體盒部60。於流體盒部50及流體盒部60內，收納有與藥液向塗佈處理單元129及顯影處理單元139之供給以及來自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之廢液及排氣等有關之流體相關設備。流體相關設備包含導管、接頭、閥門、流量計、調節器、泵及溫度調節器等。
(3)熱處理部之構成
圖3係主要表示圖1之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖3所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
於熱處理單元PHP，進行基板W之加熱處理。於密接強化處理單元PAHP，進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP，向基板W塗佈HMDS(hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP，進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304，設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。
邊緣曝光部EEW具備：旋轉夾頭98，其以水平姿勢吸附保持基板W並使其旋轉；及光出射器99，其將保持於旋轉夾頭98上之基板W之外周緣部曝光。旋轉夾頭98可裝卸地設置於未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)。於基板處理時，旋轉夾頭98藉由驅動裝置而旋轉驅動。另一方面，於維護時，旋轉夾頭98自驅動裝置卸除。
於邊緣曝光部EEW，對形成於基板W上之抗蝕劑膜之周緣部之一定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。於上段熱處理部303及下段熱處理部304，以與清洗乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之熱處理單元PHP係以可自清洗乾燥處理區塊14A搬入基板W之方式構成。
於清洗乾燥處理部162，設置有複數個(於本例中為5個)清洗乾燥處理單元SD2。於清洗乾燥處理單元SD2，進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。
(4)搬送部之構成
圖4係主要表示圖1之搬送部122、132、163之側視圖。如圖4所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送機構127，於下段搬送室126設置有搬送機構128。又，於上段搬送室135設置有搬送機構137，於下段搬送室136設置有搬送機構138。
如圖4所示，於搬送部112與上段搬送室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P- BF2。於搬送部163，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬送機構127係以可於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)之間搬送基板W之方式構成。搬送機構128係構成為可於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)之間搬送基板W。
搬送機構137係構成為可於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31、32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)之間搬送基板W。搬送機構138係構成為可於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33、34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)之間搬送基板W。
於搬送部122、132，設置有分別控制搬送機構127、128、137、138之複數個控制部500。複數個控制部500之一部分或全部亦可藉由圖1之控制部114而實現。
(5)基板處理裝置之動作
一面參照圖1~圖4一面對基板處理裝置100之動作進行說明。於裝載區塊11之載具載置部111(圖1)，載置收容有未處理之基板W之載具113。搬送機構115自載具113向基板載置部PASS1、PASS3(圖4)搬送未處理之基板W。又，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之處理結束之基板W搬送至載具113。
於第1處理區塊12，搬送機構127(圖4)將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室22(圖2)。其次，搬送機構127將藉由塗佈處理室22形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室21(圖2)。繼而，搬送機構 127將藉由塗佈處理室21形成有抗蝕劑膜之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。
於該情形時，當於密接強化處理單元PAHP，對基板W進行過密接強化處理之後，於冷卻單元CP，使基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室22，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。繼而，當於熱處理單元PHP，進行過基板W之熱處理之後，於冷卻單元CP，使基板W冷卻至適於抗蝕劑膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室21，藉由塗佈處理單元129(圖2)，於基板W上形成抗蝕劑膜。其後，於熱處理單元PHP，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
又，搬送機構127將載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖4)。
搬送機構128(圖4)將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室24。繼而，搬送機構128將藉由塗佈處理室24形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室23。繼而，搬送機構128將藉由塗佈處理室23形成有抗蝕劑膜之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖4)。
又，搬送機構128(圖4)將載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖4)。基板W於塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)中之處理內容與基板W於上述塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)中之處理內容相同。
於第2處理區塊13，搬送機構137(圖4)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕劑膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。於該情形時，於邊緣曝光部EEW，對基板W進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P- BF1。
又，搬送機構137(圖4)自鄰接於清洗乾燥處理區塊14A之熱處理單元PHP(圖3)將曝光處理後且熱處理後之基板W取出。搬送機構137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室31、32(圖2)中任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖4)。
於該情形時，當於冷卻單元CP，使基板W冷卻至適於顯影處理之溫度之後，於顯影處理室31、32中任一者，藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖4)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕劑膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。
又，搬送機構138(圖4)自鄰接於介面區塊14之熱處理單元PHP(圖3)將曝光處理後且熱處理後之基板W取出。搬送機構138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室33、34(圖2)中任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖4)。基板W於顯影處理室33、34及下段熱處理部304中之處理內容與基板W於上述顯影處理室31、32及上段熱處理部303中之處理內容相同。
於清洗乾燥處理區塊14A，搬送機構141(圖1)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)之基板W搬送至清洗乾燥處理部161之清洗乾燥處理單元SD1(圖2)。繼而，搬送機構141將基板W自清洗乾燥處理單元SD1搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖4)。於該情形時，當於清洗乾燥處理單元SD1，進行過基板W之清洗及乾燥處理之後，於載置兼冷卻部P-CP，使基板W冷卻至適於曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後之基板W搬送至清洗乾燥處理部162之清洗乾燥處理單元SD2(圖3)。 又，搬送機構142將清洗及乾燥處理後之基板W自清洗乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖3)或下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖3)。於該熱處理單元PHP，進行曝光後烘烤(PEB)處理。
於介面區塊14，搬送機構146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又，搬送機構146(圖1)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)將曝光處理後之基板W取出，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖4)。
再者，於曝光裝置15無法承收基板W之情形時，曝光處理前之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖2)無法承收曝光處理後之基板W之情形時，曝光處理後之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
於本實施形態中，可並行進行基板W於設置於上段之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上段熱處理部301、303中之處理、以及基板W於設置於下段之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下段熱處理部302、304中之處理。藉此，可於不增加佔據面積之條件下，提高處理量。
(6)搬送機構之構成
其次，對搬送機構127進行說明。圖5係表示搬送機構127之立體圖。搬送機構128、137、138具有與搬送機構127相同之構成。如圖4及圖5所示，搬送機構127具備長條狀之導軌311、312。如圖4所示，導軌311於上段搬送室125內以於上下方向上延伸之方式固定於搬送部112側。導軌312於上段搬送室125內以於上下方向上延伸之方式固定於上段搬送室135側。
如圖4及圖5所示，於導軌311與導軌312之間，設置有長條狀之導 軌313。導軌313係可上下活動地安裝於導軌311、312。於導軌313安裝有移動構件314。移動構件314係以可於導軌313之長度方向上移動之方式設置。
於移動構件314之上表面，以可旋轉之方式設置有長條狀之旋轉構件315。於旋轉構件315，安裝有用以保持基板W之手H1及手H2。於本例中，手H1位於手H2之上方。手H1、H2係以可於旋轉構件315之長度方向上移動之方式設置。
藉由如上所述之構成，搬送機構127可於上段搬送室125內於X方向及Z方向上移動。又，可使用手H1、H2相對於塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖4)及上段熱處理部301(圖3)進行基板W之交接。
又，於旋轉構件315，安裝有感測裝置316。感測裝置316包含投光部保持外殼316a及受光部保持外殼316b。投光部保持外殼316a配置於旋轉構件315之上表面，受光部保持外殼316b配置於投光部保持外殼316a之上方。
圖6(a)、(b)、(c)分別是表示搬送機構127之俯視圖、側視圖及剖面圖。如圖6(a)所示，手H1包含導引部Ha及臂部Hb。導引部Ha具有大致C字形狀，臂部Hb具有長方形狀。於導引部Ha之內周部，相對於沿導引部Ha之內周部而形成之圓之中心等角度間隔地，以朝嚮導引部Ha之內側之方式形成有複數個(於本例中為3個)突出部pr。於各突出部pr之前端部，設置有吸附部sm。吸附部sm連接於未圖示之吸氣系統。
於手H1中，於3個突出部pr之3個吸附部sm上載置基板W。於圖6(a)~(c)中，藉由手H1而保持之基板W係用二點鏈線表示。於該狀態下，控制連接於3個吸附部sm之吸氣系統，位於3個吸附部sm上之基板W之3部位分別藉由3個吸附部sm而吸附。再者，手H1亦可具有4個 吸附部sm。於該情形時，位於4個吸附部sm上之基板W之4部位分別藉由4個吸附部sm而吸附。
表示複數個吸附部sm是否正吸附基板W之吸附信號自手H1提供給圖4之控制部500。於複數個吸附部sm正吸附基板W之情形時吸附信號成為導通狀態，於任一吸附部sm均未吸附基板W之情形時，吸附信號成為斷開狀態。
手H2具有與手H1相同之構成。於各手H1、H2中，預先確定被保持之基板W之中心所應處於之正規之位置(以下，稱為正規位置)。手H1中之正規位置例如為沿導引部Ha之內周部而形成之圓之中心位置。手H1中之正規位置亦可為複數個吸附部sm之中心位置。
以下，將於手H1、H2之進退方向上手H1、H2可後退之極限位置稱為進退基準位置。於圖6(a)~(c)之例中，手H1、H2分別位於進退基準位置。
於旋轉構件315之上表面之大致中央部設置有投光部保持外殼316a。於投光部保持外殼316a內，保持有複數個(於本例中為4個)投光部316t。以與投光部保持外殼316a對向之方式，於旋轉構件315之上方之位置設置有受光部保持外殼316b。於受光部保持外殼316b內，以與藉由投光部保持外殼316a而保持之複數個投光部316t分別對向之方式保持有複數個(於本例中為4個)受光部316r。藉由相互對向之投光部316t及受光部316r構成檢測器316D。如圖6(c)所示，於本例中，感測裝置316具備4個檢測器316D。
4個檢測器316D於水平面內，配置於位於進退基準位置之手H1之導引部Ha之內側之區域。於本例中，4個檢測器316D係於同心之圓弧ar上隔開一定之間隔而配置於導引部Ha之內周部。
光分別自4個投光部316t朝向上方出射。4個受光部316r接收自分別對向之4個投光部316t出射之光作為反饋光，藉此輸出受光信號。 自各受光部316r輸出之受光信號提供給控制部500。
4個投光部316t較佳為配置於在手H1之進退方向上較位於進退基準位置之手H1之複數個吸附部sm中至少1個吸附部sm靠前方。於該情形時，當藉由搬送機構127搬送基板W時，藉由手H1而保持之基板W之外周部之4個部分藉由4個投光部316t分別確實地得到檢測。
圖7係表示搬送機構127之控制系統之構成之方塊圖。其他搬送機構128、137、138之控制系統之構成與圖7之搬送機構127之控制系統之構成相同。
如圖7所示，控制部500包含CPU(中央運算處理裝置)510及記憶體520。於記憶體520，記憶有下述假目標位置座標，並且記憶有下述修正資訊。CPU510基於自搬送機構127之感測裝置316提供之受光信號進行各種運算，並將其結果記憶於記憶體520。又，基於記憶於記憶體520之資訊，控制搬送機構127之動作。
(7)與搬送機構相關之教導動作
對搬送機構127、128、137、138之手H1、H2移動至基板支持部時之與搬送機構相關之教導動作進行說明。於基板處理裝置100之設置時，進行以下之教導動作。此處，基板支持部設置於例如冷卻單元CP、熱處理單元PHP及密接強化處理單元PAHP各者。又，基板支持部設置於例如塗佈處理單元129、顯影處理單元139及邊緣曝光部EEW各者。
作為教導動作，有垂直方向之教導動作及水平方向之教導動作。於以下之說明中，對搬送機構127之教導動作進行說明。其他搬送機構128、137、138之教導動作亦與搬送機構127之教導動作相同。
將由基板支持部支持之基板W之高度稱為基準高度。將為了搬送機構127之手H1將基板W交付給基板支持部、或自基板支持部接收基板W，手H1移動至基板支持部之下方時之手H1之高度稱為目標高 度。藉由垂直方向之教導動作而決定目標高度。
又，將藉由基板支持部應支持基板W之位置稱為基準位置。將於水平方向之教導動作之前藉由搬送機構127之手H1交付給基板支持部之基板W之位置稱為假目標位置。藉由水平方向之教導動作取得表示基準位置與假目標位置之偏移之修正資訊。基於修正資訊，以假目標位置與基準位置一致之方式修正假目標位置。將修正後之假目標位置稱為真目標位置。
於基板支持部為冷卻單元CP、熱處理單元PHP或密接強化處理單元PAHP之情形時，以基板W之中心與基準位置一致之方式，藉由基板支持部之引導機構自動地引導基板W。另一方面，於基板支持部為旋轉夾頭25、35、98之情形時，基板W之中心未必與基準位置一致。
於以下之說明中，分別用X座標、Y座標及Z座標表示X方向、Y方向及Z方向之位置。
圖8係用以說明垂直方向之教導動作之圖。圖8(a)~(d)表示基板支持部WS及搬送機構127之手H1之大致中央部之縱剖視圖。於圖8(a)~(d)之例中，決定搬送機構127之手H1移動至基板支持部WS之下方之情形時之目標高度。
首先，如圖8(a)所示，基板W藉由基板支持部WS而支持於基準高度。其次，如圖8(b)所示，控制部500使手H1自進退基準位置於水平方向上移動至基板支持部WS之下方之位置。於該時間點，於手H1之複數個吸附部sm未吸附基板W。因此，吸附信號為斷開狀態。搬送機構127具有編碼器。控制部500基於搬送機構127之編碼器之輸出信號恆常檢測手H1之位置。
繼而，控制部500使手H1向上方移動。於該情形時，如圖8(c)所示，於手H1向上方移動有特定之距離之時間點，複數個吸附部sm吸附基板W。藉此，吸附信號成為導通狀態。控制部500將吸附信號成 為導通狀態之時間點之手H1之Z座標決定為基準高度之Z座標。又，控制部500將基準高度之Z座標加上垂直方向之特定之偏置量所得之座標決定為目標高度之Z座標。
以下，將基準高度之Z座標稱為基準高度座標，將目標高度之Z座標稱為目標高度座標。目標高度座標及自目標高度座標至基準高度座標之偏置量記憶於控制部500之記憶體520。其後，如圖8(d)所示，控制部500於使手H1移動至基板支持部WS之上方之後，使其於水平方向上移動至進退基準位置。
圖9係用以說明水平方向之教導動作之圖。圖9(a)~(c)表示基板支持部WS及搬送機構127之手H1之俯視圖。於圖9(a)~(c)之例中，使用搬送機構127之手H1取得關於基板支持部WS之修正資訊。
首先，如圖9(a)所示，於基板支持部WS支持有基板W。此處，基板W係以其中心與基準位置正確地一致之狀態得到支持。另一方面，於水平方向之教導動作之前，控制部500未識別基板支持部WS之基準位置。因此，假目標位置未必與基準位置一致。
以下，將基準位置之座標稱為基準位置座標，將假目標位置之座標稱為假目標位置座標。又，將於手H1上之正規位置之座標稱為正規位置座標。基準位置座標為(Xw，Yw)，假目標位置座標為(Xb，Yb)，正規位置座標為(Xr，Yr)。假目標位置座標記憶於控制部500之記憶體520。於圖9(a)之例中，基準位置座標(Xw，Yw)與假目標位置座標(Xb，Yb)不一致。
於圖9(a)之狀態下，控制部500使未圖示之複數個頂起銷自基板支持部WS之下方向上方上升，藉此使基板W上升至基板支持部WS之上方。其次，以手H1之正規位置與假目標位置一致之方式使手H1自進退基準位置於水平方向上移動。於該時間點，手H1位於基板支持部WS之上方且基板W之下方。
繼而，控制部500使未圖示之複數個頂起銷下降，藉此使基板W下降。藉此，如圖9(b)所示，基板W吸附於手H1之複數個吸附部sm。於該情形時，基板W以其中心自正規位置偏移之狀態藉由手H1而保持。
其後，如圖9(c)所示，控制部500使手H1於水平方向上移動至進退基準位置。此處，於圖5及圖6之旋轉構件315上，手H1自較感測裝置316靠前方之位置後退至進退基準位置，藉此分別檢測保持於手H1之基板W之外周部之複數個部分。關於保持於手H1之基板W之外周部之檢測方法之詳情將於下文敍述。
控制部500基於基板W之外周部之複數個部分之檢測結果，檢測基板W之中心於手H1中之位置(以下，稱為檢測位置)。以下，將檢測位置之座標稱為檢測位置座標。檢測位置座標為(Xwh，Ywh)。其次，基於下述式(1)、(2)，計算出基準位置座標相對於X方向及Y方向上之假目標位置座標之偏移(△X，△Y)作為修正資訊。
△X=Xr-Xwh (1)
△Y=Yr-Ywh (2)
繼而，控制部500基於下述式(3)、(4)，計算出真目標位置之座標(以下，稱為真目標位置座標)。真目標位置座標為(Xrb，Yrb)。真目標位置座標(Xrb，Yrb)記憶於控制部500之記憶體520。
Xrb=Xb-△X (3)
Yrb=Yb-△Y (4)
藉此，真目標位置座標(Xrb，Yrb)與基準位置座標(Xw，Yw)一致。
於基板W之處理時，控制部500以手H1移動至真目標位置之方式控制搬送機構127。其結果，以基板W之中心與基板支持部WS之基準位置一致之方式，基板W藉由手H1被交付給基板支持部WS。又，以 基板W保持於手H1之正規位置之方式藉由手H1自基板支持部WS接收基板W。
於上述例中，對搬送機構127之使用手H1之教導動作進行了說明，使用手H2之教導動作亦與使用手H1之教導動作相同。又，搬送機構128、137、138具有與搬送機構127相同之構成及動作。因此，使用搬送機構128、137、138之教導動作亦與使用搬送機構127之教導動作相同。
(8)基板之外周部之檢測方法
圖10係用以對藉由圖5及圖6之感測裝置316而實施之基板W之外周部之複數個部分之檢測方法進行說明之圖。於圖10(a)、(c)、(e)、(g)中，手H1朝向進退基準位置後退之情形時之手H1、旋轉構件315及複數個檢測器316D之狀態之變化係以俯視圖表示。於圖10(b)、(d)、(f)、(h)中，分別表示圖10(a)、(c)、(e)、(g)之Q-Q線上之模式性剖視圖。再者，省略關於手H2之說明。
首先，於藉由手H1接收基板W之時序，手H1位於較4個檢測器316D靠前方。於該情形時，手H1不位於4個投光部316t與4個受光部316r之間。因此，4個受光部316r接收來自分別對向之4個投光部316t之光。藉此，向控制部500提供受光信號。
其次，手H1後退。於該情形時，如圖10(a)、(b)所示，手H1進入至4個投光部316t與4個受光部316r之間之空間。此時，自4個投光部316t出射之光被手H1遮蔽，故而4個受光部316r不接收來自分別對向之4個投光部316t之光。因此，不向控制部500提供受光信號。
其次，如圖10(c)、(d)所示，手H1通過4個投光部316t與4個受光部316r之間之空間。於手H1通過各投光部316t和與該投光部316t對向之受光部316r之間之空間之時序，各受光部316r接收來自對向之投光部316t之光。藉此，向控制部500提供受光信號。
其次，如圖10(e)、(f)所示，藉由手H1而保持之基板W進入至4個投光部316t與4個受光部316r之間之空間。於藉由手H1而保持之基板W之外周部進入至各投光部316t和與該投光部316t對向之受光部316r之間之空間之時序，自各投光部316t出射之光被基板W之外周部遮蔽。於該情形時，各受光部316r不接收來自對向之投光部316t之光。因此，不向控制部500提供受光信號。
其次，如圖10(g)、(h)所示，手H1於進退基準位置停止。此時，藉由手H1而保持之基板W位於4個投光部316t與4個受光部316r之間之空間。於該情形時，4個受光部316r不接收來自分別對向之4個投光部316t之光。因此，不向控制部500提供受光信號。
如上所述，於藉由手H1接收基板W之後直至手H1移動至進退基準位置為止之間，自4個檢測器316D之4個受光部316r分別斷續地向控制部500提供受光信號。
控制部500基於因基板W之外周部而不自4個受光部316r各者提供受光信號之時序(圖10(e)、(f)之時序)，對基板W之外周部之4個部分進行檢測。此處，於控制部500之記憶體520，預先記憶有正規資料。正規資料係表示於基板W之中心位於手H1之正規位置之狀態下，手H1自感測裝置316之前方之位置移動至進退基準位置時所獲得之基板W之外周部之4個部分之檢測結果之資料。
感測裝置316相對於旋轉構件315而固定。因此，感測裝置316之複數個檢測器316D之座標上之位置不變。因此，控制部500基於基板W之外周部之4個部分之檢測結果與正規資料之4個部分之檢測結果之差量，計算出表示手H1位於進退基準位置時之基板W之外周部之4個部分之位置之座標。基於計算出之4個部分之位置之座標，計算出手H1位於進退基準位置時之基板W之中心之位置之座標。
基板W之中心於手H1中之位置之座標可基於基板W之外周部之3 個部分之座標而算出。於本例中，獲得基板W之外周部之4個部分之座標。藉此，即便於例如4個部分中1個部分為基板W之定位用之切口(參考面或凹口)部分之情形時，亦可基於將切口部分之座標去除之3個部分之座標計算出基板W之中心之位置之座標。於基板W之外徑已知之情形時，可基於基板W之外周部之2個部分之座標計算出基板W之中心之位置之座標。於該情形時，感測裝置316亦可由2個或3個檢測器316D構成。
(9)基板支持部之基準位置
如上所述，於教導動作中，當基板支持部WS為冷卻單元CP、熱處理單元PHP或密接強化處理單元PAHP之情形時，基板W以其中心與基板支持部WS之基準位置正確地一致之狀態得到支持。以下，對基板支持部WS之基準位置進行說明。
圖11係熱處理單元PHP之立體圖。圖12係圖11之熱處理單元PHP之俯視圖。圖13係圖11之熱處理單元PHP之側視圖。如圖11及圖12所示，熱處理單元PHP包含冷卻部410、加熱部420及搬送機構430。冷卻部410及加熱部420係以排列之方式配置。搬送機構430係以可於冷卻部410與加熱部420之間搬送基板W之方式配置。
冷卻部410包含基板載置板411及可升降之複數個(於本例中為3個)支持銷412。基板載置板411例如為冷卻板。於基板載置板411，形成有複數個(於本例中為3個)支持銷插入孔。下述搬送機構430之搬送臂434可藉由與基板載置板411之上表面接觸，使藉由搬送臂434而保持之基板W與搬送臂434一併冷卻。
複數個支持銷412係以可藉由於上下方向上移動而分別插入至基板載置板411之複數個支持銷插入孔之方式配置。於基板W向冷卻部410搬入時及自冷卻部410搬出時，複數個支持銷412之上端部分別通過複數個支持銷插入孔而於基板載置板411之上方之位置與較基板載 置板411之上表面靠下方之位置之間移動。
加熱部420包含基板載置板421、可升降之複數個(於本例中為3個)支持銷422及複數個(於本例中為6個)導引構件423。基板載置板421例如為對基板W進行加熱處理之加熱板。於基板載置板421，形成有複數個(於本例中為3個)支持銷插入孔。複數個支持銷422具有與複數個支持銷412相同之構成。
複數個導引構件423係沿基板載置板421之緣大致等間隔地設置。於本例中，6個導引構件423大致間隔60°而設置。如圖13所示，各導引構件423具有圓錐台形狀。當於藉由複數個導引構件423而包圍之區域配置有基板W之情形時，沿導引構件423之傾斜之側面向下方導引基板W。藉此，基板載置板421之中心與基板W之中心一致。
搬送機構430具備以於上下方向上延伸之方式設置之2根長條狀之導軌431、432。導軌431、432係以隔著冷卻部410及加熱部420而對向之方式配置。於導軌431與導軌432之間，設置有長條狀之導軌433。導軌433可上下活動地安裝於導軌431、432。於導軌433安裝有搬送臂434。搬送臂434係以可於導軌433之長度方向上移動之方式設置。
如圖12所示，於搬送臂434，以不與冷卻部410之複數個支持銷412及加熱部420之複數個支持銷422發生干涉之方式設置有切口(狹縫)435。又，於搬送臂434，設置有複數個導引構件436。複數個導引構件436具有與複數個導引構件423相同之構成。於基板處理時，搬送臂434於冷卻部410與加熱部420之間搬送基板W。於本例中，搬送臂434為基板支持部WS，複數個導引構件436為引導機構。
圖14係用以對基板支持部WS設置於熱處理單元PHP之情形時之基準位置進行說明之圖。以下，對熱處理單元PHP之搬送臂434為基板支持部WS之情形時之基準位置進行說明。於冷卻單元CP及密接強 化處理單元PAHP之基準位置與於熱處理單元PHP之基準位置相同。
於教導動作時，首先，如圖14(a)所示，冷卻部410之複數個支持銷412上升。其次，如圖14(b)所示，搬送機構127藉由手H1保持基板W，並將其搬送至已上升之複數個支持銷412之上端。藉此，基板W於其中心位於假目標位置之狀態下，藉由複數個支持銷412得到支持。
其後，如圖14(c)所示，複數個支持銷412下降。此處，於假目標位置與基準位置不一致之情形時，如圖14(c)中箭頭所示，沿搬送臂434上之複數個導引構件436之傾斜之側面，向下方引導基板W。藉此，搬送臂434之中心與基板W之中心一致。
其次，如圖14(d)所示，複數個支持銷412上升。繼而，如圖14(e)所示，搬送機構127藉由手H1自複數個支持銷412接收基板W。於圖14(d)中，藉由複數個支持銷412而支持之基板W之中心之位置成為基準位置。即，藉由複數個導引構件436而引導之基板W之中心之位置成為基準位置。
(10)旋轉夾頭之教導動作
於旋轉夾頭25、35、98為基板支持部WS之情形時，當旋轉夾頭25、35、98之旋轉中心之位置已知之情形時，將旋轉中心之位置作為基準位置亦可進行水平方向之教導動作。另一方面，當旋轉夾頭25、35、98之旋轉中心之位置未知之情形時，按照以下順序亦可進行水平方向之教導動作。
圖15係用以對旋轉夾頭25、35、98為基板支持部WS之情形時之水平方向之教導動作進行說明之圖。圖15(a)~(d)表示搬送機構127及旋轉夾頭25之模式性俯視圖。於圖15之例中，基板支持部WS係旋轉夾頭25。於旋轉夾頭35、98之教導動作與於旋轉夾頭25之教導動作相同。
首先，如圖15(a)所示，搬送機構127藉由手H1將基板W保持於正規位置。此處，計算出基板W之中心之座標。計算出之基板W之中心之座標為(X1，Y1)。其次，如圖15(b)所示，搬送機構127將基板W搬送至旋轉夾頭25。旋轉夾頭25以基板W之中心與假目標位置一致之方式保持基板W。繼而，如圖15(c)所示，旋轉夾頭25使基板W旋轉特定之角度。基板W藉由旋轉夾頭25而旋轉之旋轉角度較佳為180°。
其後，如圖15(d)所示，搬送機構127自旋轉夾頭25接收基板W。此處，計算出基板W之中心之座標。計算出之基板W之中心之座標為(X2，Y2)。其次，基於計算出之座標(X1，Y1)及座標(X2，Y2)，計算出基準位置座標相對於假目標位置座標之偏移(△X，△Y)。此處，於圖15(b)、(c)之處理中，當基板W之旋轉角度為180°之情形時，基準位置座標相對於假目標位置座標之偏移(△X，△Y)係藉由下述式(5)、(6)而賦予。
△X=(X1+X2)/2 (5)
△Y=(Y1+Y2)/2 (6)
繼而，計算出真目標位置座標(Xrb，Yrb)。X方向上之真目標位置Xrb係藉由下述式(7)而賦予。此處，於X1<X2之情形時適用正號，於X1>X2之情形時適用負號。又，Y方向上之真目標位置Yrb係藉由下述式(8)而賦予。此處，於Y1<Y2之情形時適用正號，於Y1>Y2之情形時適用負號。計算出之真目標位置座標(Xrb，Yrb)作為修正資訊記憶於控制部500之記憶體520。
Xrb=Xb±△X (7)
Yrb=Yb±△Y (8)
於上述例中，對搬送機構127之使用手H1之教導動作進行了說明，但使用手H2之教導動作亦與使用手H1之動作相同。又，使用搬送機構128、137、138之教導動作亦與使用搬送機構127之教導動作相 同。
(11)位置偏移檢測動作
(a)水平方向之位置偏移檢測動作
於進行過教導動作之後且進行過基板處理裝置100之維護之後，進行基板支持部WS之位置偏移檢測動作。位置偏移檢測動作包含水平方向之位置偏移檢測動作與垂直方向之位置偏移檢測動作。
圖16係用以對基板支持部WS設置於旋轉夾頭之情形時之水平方向之位置偏移檢測動作進行說明之圖。圖16(a)~(d)表示搬送機構127及旋轉夾頭25之模式性俯視圖。於圖16之例中，基板支持部WS為旋轉夾頭25。於旋轉夾頭35、98之位置偏移檢測動作與旋轉夾頭25之位置偏移檢測動作相同。
於基板處理時，基於記憶於記憶體520之修正資訊手H1移動至真目標位置，藉此藉由手H1向基板支持部WS交付基板W，或自基板支持部WS接收基板W。藉此，可以基板W支持於基準位置之方式藉由手H1將基板W交付給基板支持部WS，或可以接收支持於基準位置之基板W之方式使手H1移動至基板支持部WS。
於進行過基板處理裝置100之維護之後，於維護時卸除之旋轉夾頭25安裝於未圖示之驅動裝置。此處，圖如16(a)所示，旋轉夾頭25有於其基準位置偏移之狀態下安裝於驅動裝置之可能性。於圖16(a)中，被卸除之前之旋轉夾頭25係用一點鏈線表示。
於該情形時，如圖16(b)所示，即便使將基板W保持於正規位置之手H1移動至真目標位置，亦無法以基板W支持於基準位置之方式將基板W交付給旋轉夾頭25。同樣地，即便使手H1移動至真目標位置，亦無法於手H1之正規位接收支持於旋轉夾頭25之基準位置之基板W。
因此，於位置偏移檢測動作時，如圖16(c)所示，旋轉夾頭25使所支持之基板W旋轉特定之角度。基板W藉由旋轉夾頭25而旋轉之旋 轉角度較佳為180°。其後，如圖16(d)所示，手H1使其正規位置移動至真目標位置，自旋轉夾頭25接收基板W。此處，計算出基板W之中心之座標。計算出之基板W之中心之座標為(x1，y1)。
自正規位置之座標(X1，Y1)與計算出之座標(x1，y1)之中點至正規位置之座標(X1，Y1)之距離等於自基準位置座標(Xw，Yw)至真目標位置座標(Xrb，Yrb)之距離。此處，於正規位置之座標(X1，Y1)與計算出之座標(x1，y1)之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時，輸出警報。藉此，通知作業人員於旋轉夾頭25發生了位置偏移。
警報之輸出即可為例如聲音，亦可為藉由蜂鳴器等之警報音之產生，亦可為藉由指示燈等之警報顯示。或者警報之輸出亦可為文字或圖形於畫面上之顯示。
圖17係用以對基板支持部WS設置於熱處理單元PHP之情形時之水平方向之位置偏移檢測動作進行說明之圖。圖17(a)~(d)表示搬送機構127及熱處理單元PHP之一部分之模式性俯視圖。於冷卻單元CP及密接強化處理單元PAHP之位置偏移檢測動作與於熱處理單元PHP之位置偏移檢測動作相同。
於進行過基板處理裝置100之維護之後，熱處理部123、133(參照圖3)自維護位置移動至常規位置。此處，有熱處理部123、133移動至自常規位置偏移之位置之可能性。於圖17(a)中，熱處理部位於常規位置之情形時之熱處理單元PHP係用一點鏈線表示。
於該情形時，如圖17(b)所示，即便使將基板W保持於正規位置之手H1移動至真目標位置，亦無法以基板W支持於基準位置之方式將基板W交付給熱處理單元PHP。同樣地，即便使手H1移動至真目標位置，亦無法於手H1之正規位置接收支持於熱處理單元PHP之基準位置之基板W。
因此，於位置偏移檢測動作時，如圖17(c)所示，準備支持於熱 處理單元PHP之基準位置之基板W。其後，如圖17(d)所示，手H1使其正規位置移動至真目標位置，自熱處理單元PHP接收基板W。此處，計算出基板W之中心之座標。計算出之基板W之中心之座標為(x1，y1)。
自正規位置之座標(X1，Y1)至計算出之座標(x1，y1)之距離等於自基準位置座標(Xw，Yw)至真目標位置座標(Xrb，Yrb)之距離。此處，於正規位置之座標(X1，Y1)與計算出之座標(x1，y1)之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時，輸出警報。藉此，通知作業人員於熱處理單元PHP發生了位置偏移。
(b)垂直方向之位置偏移檢測動作
圖18係用以說明垂直方向之位置偏移檢測動作之圖。圖18(a)~(d)表示搬送機構127及基板支持部WS之模式性剖視圖。
基於記憶於記憶體520之目標高度座標，手H1移動至目標高度，藉此向基板支持部WS交付基板W，或自基板支持部WS接收基板W。藉此，可以基板W支持於基準高度之方式藉由手H1將基板W交付給基板支持部WS，或可以接收支持於基準高度之基板W之方式使手H1移動至基板支持部WS。於圖18(a)之例中，位於目標高度之手H1之吸附部sm之吸附面ss與藉由基板支持部WS支持於基準高度之基板W之下表面之距離為Z1。
然而，吸附部sm因重複吸附基板W，而逐漸磨耗。因此，於長期使用吸附部sm之情形時，如圖18(b)所示，吸附部sm之高度方向之尺寸減小。於圖18(b)之例中，位於目標高度之手H1之吸附部sm之吸附面ss與藉由基板支持部WS支持於基準高度之基板W之下表面之距離為Z2。距離Z2大於距離Z1。
因此，即便如圖18(c)所示，使手H1向上方移動距離Z1，亦無法接收藉由基板支持部WS支持於基準高度之基板W。同樣地，即便使 手H1向下方移動距離Z1，亦無法以基板W支持於基準高度之方式將基板W交付給基板支持部WS。再者，距離Z1係記憶於圖7之記憶體520之偏置量。
又，於進行過基板處理裝置100之維護之後，與水平方向同樣地，有於垂直方向上發生基板支持部WS之位置偏移之可能性。於該情形時亦存在如下情況：即便使手H1向下方移動距離Z1，亦無法以基板W支持於基準高度之方式將基板W交付給基板支持部WS。
因此，於位置偏移檢測動作時，如圖18(d)所示，手H1自目標高度向上方移動，直至吸附部sm吸附支持於基準高度之基板W為止。於圖18(d)之例中，於手H1向上方移動距離Z2時吸附部sm吸附基板W。
於手H1之移動距離與距離Z1之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時，輸出警報。藉此，通知作業人員吸附部sm磨耗、或於基板支持部WS發生了位置偏移。
(c)位置偏移檢測處理
圖19係表示藉由控制部500而實施之位置偏移檢測處理之一例之流程圖。圖19之位置偏移檢測處理係於例如剛完成基板處理裝置100之維護之後執行。於圖19之例中，執行使用搬送機構127之手H1之位置偏移檢測處理。
控制部500基於記憶於記憶體520之目標高度座標及修正資訊，使手H1移動至目標高度且真目標位置(步驟S1)。於該情形時，手H1之正規位置與基板支持部WS之基準位置一致。於該狀態下，控制部500使手H1向上方移動，藉此藉由手H1保持支持於基板支持部WS之基板W(步驟S2)。
此處，控制部500計算出直至手H1保持基板W為止之手H1向上方之移動距離及基板W之檢測位置座標(步驟S3)。其次，控制部500對計算出之移動距離及檢測位置座標是否正常進行判定(步驟S4)。此 處，於手H1之移動距離與記憶於記憶體520之偏置量之偏移量為一臨限值以下且正規位置座標與檢測位置座標之偏移量為另一臨限值以下之情形時，判定移動距離及檢測位置座標正常。
當於步驟S4中，移動距離及檢測位置座標正常之情形時，控制部500結束位置偏移檢測處理。另一方面，當於步驟S4中，Z座標或檢測位置座標不正常之情形時，控制部500輸出警報(步驟S7)。其後，控制部500結束位置偏移檢測處理。
藉此，使用者於維護中，可認識到：是於基準位置偏移之狀態下旋轉夾頭25、35、98安裝於驅動裝置，還是熱處理部123、133配置於自常規位置偏移之位置。或者，使用者可認識到：由於手H1之長期間之使用，吸附部sm磨耗。
圖20係表示藉由控制部500而實施之位置偏移檢測處理之另一例之流程圖。圖20之位置偏移檢測處理例如與基板處理並行執行。圖20之步驟S11~S14之處理與圖19之步驟S1~S4之處理分別相同。
當於步驟S14中，移動距離及檢測位置座標正常之情形時，控制部500將藉由手H1而保持之基板W搬送至下個搬送目的地(步驟S15)。其後，控制部500對是否已指示結束基板處理進行判定(步驟S16)。當於步驟S16中，未指示結束基板處理之情形時，控制部500返回至步驟S11之處理。當於步驟S16中，指示結束基板處理之情形時，控制部500結束位置偏移檢測處理。
另一方面，當於步驟S14中，Z座標或檢測位置座標不正常之情形時，控制部500輸出警報(步驟S17)。其後，控制部500結束位置偏移檢測處理。
藉此，使用者可認識到：於基板處理中，於旋轉夾頭25、35、98或熱處理部123、133發生了位置偏移等異常。或者，使用者可認識到：於基板處理中，吸附部sm磨耗。
(12)搬送機構之一控制例
於搬送機構127中，藉由感測裝置316，檢測藉由手H1而保持之基板W之外周部。又，藉由感測裝置316，檢測藉由手H2而保持之基板W之外周部。
圖21及圖22係表示用以藉由1個感測裝置316檢測保持於2個手H1、H2之2片基板W之外周部之搬送機構127之一控制例之圖。於圖21(a)~(e)及圖22(a)~(c)中，手H1、H2及一檢測器316D之位置關係係藉由縱剖視圖而表示。
於初始狀態下，於手H1、H2均未保持基板W。又，手H1、H2處於進退基準位置FBP。於該情形時，受光部316r接收自投光部316t出射且通過手H1、H2之導引部Ha(參照圖6(a)、(b))之內側之光。
如圖21(a)所示，首先下側之手H2自進退基準位置FBP向檢測器316D之前方前進，接收配置於特定之位置之基板W。此時，受光部316r接收自投光部316t出射之光。
其次，保持基板W之手H2朝向進退基準位置FBP後退。於該情形時，如圖21(b)所示，於直至手H2移動至進退基準位置FBP為止之間，受光部316r接收自投光部316t出射且通過基板W之外周部與手H2之間之光。其後，若手H2到達進退基準位置FBP，則藉由手H2而保持之基板W位於投光部316t與受光部316r之間。藉此，如圖21(c)所示，受光部316r不接收來自對應之投光部316t之光。
手H2以上述方式移動。藉此，基於自受光部316r輸出之受光信號，檢測藉由手H2而保持之基板W之外周部之複數個部分。
繼而，如圖21(d)所示，上側之手H1自進退基準位置FBP向檢測器316D之前方前進，接收配置於特定之位置之基板W。此時，自投光部316t出射之光被藉由手H2而保持之基板W遮擋。因此，受光部316r不接收自投光部316t出射之光。
其次，如圖21(e)所示，保持基板W之手H1朝向進退基準位置FBP後退，並且保持基板W之手H2自進退基準位置FBP前進。其後，如圖22(a)所示，手H2移動至較投光部316t及受光部316r靠前方。從而，於直至手H1移動至進退基準位置FBP為止之間，受光部316r接收自投光部316t出射且通過基板W之外周部與手H2之間之光。
若手H1移動至進退基準位置FBP，則藉由手H1而保持之基板W位於投光部316t與受光部316r之間。藉此，如圖22(b)所示，受光部316r不接收來自對應之投光部316t之光。
手H1、H2以上述方式移動。藉此，基於自受光部316r輸出之受光信號，檢測藉由手H1而保持之基板W之外周部之複數個部分。
其後，如圖22(c)所示，於藉由前進之手H2而保持之基板W載置於任一基板支持部WS上之後，手H2後退至進退基準位置FBP。
如上所述，於本實施形態中，藉由手H1、H2相互於相反方向上進退動作，可藉由1個感測裝置316檢測藉由2個手H1、H2而保持之2片基板W之外周部之複數個部分。
(13)效果
於本實施形態中，於位置偏移檢測動作時，搬送機構127之手H1移動至基板支持部WS之真目標位置。藉此，藉由手H1接收藉由基板支持部WS而支持於基準位置之基板W。藉由手H1而接收之基板W與手H1之位置關係係藉由感測裝置316而檢測。基於檢測出之位置關係取得基板支持部WS之基準位置與真目標位置之偏移量。於所取得之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時輸出警報。
又，於位置偏移檢測動作時，搬送機構127之手H1自藉由基板支持部WS支持於基準高度之基板W之下方之目標高度上升。藉此，檢測出手H1之吸附部sm之吸附面ss吸附基板W之下表面。取得手H1於基板W之檢測時間點之高度。基於所取得之高度取得手H1位於目標高 度時之吸附面ss與基準高度之間之距離之偏移量。於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
根據該構成，當於基板處理裝置100之維護等之後，於基板支持部WS發生了位置偏移之情形時，輸出警報。又，於因吸附部sm之吸附面ss之磨耗導致吸附部sm之厚度不斷減小之情形時，輸出警報。藉此，通知作業人員於基板支持部WS發生了位置偏移，或吸附部sm之吸附面ss磨耗。其結果，防止在於基板支持部WS發生了位置偏移之狀態下進行基板處理、及於吸附部sm之吸附面ss磨耗之進行基板W之搬送。
(14)其他實施形態
(a)於上述實施形態中，關於各手H1、H2之修正資訊係藉由上述方法而獨立地取得，但並不限定於此。亦可為關於其中一個手之修正資訊係藉由上述方法而取得，關於另一個手之修正資訊係基於關於其中一個手之修正資訊而取得。
圖23係用以對其他實施形態中之另一個手之修正資訊之取得順序進行說明之圖。圖23(a)~(c)表示搬送機構127及基板支持部WS之模式性俯視圖。手H1、H2係以於垂直方向上重合之方式設置，但於圖23之例中，為了易於理解，是於水平方向上排列手H1、H2之方式進行圖示。於圖23之例中，認為基於關於手H1之修正資訊，取得關於手H2之修正資訊。
首先，如圖23(a)所示，搬送機構127藉由手H1將基板W保持於正規位置。此處，計算出基板W之中心於手H1中之座標。計算出之基板W之中心於手H1中之座標為(X3，Y3)。其次，如圖23(b)所示，手H1將基板W搬送至基板支持部WS。基板支持部WS以基板W之中心與假目標位置一致之狀態保持基板W。此處，將與手H1建立有對應之於基板支持部WS之假目標位置座標設為(Xb3，Yb3)。
其後，如圖23(c)所示，手H2將基板W自基板支持部WS取出。此處，將與手H2建立有對應之於基板支持部WS之假目標位置座標設為(Xb4，Yb4)。與手H1建立有對應之假目標位置和與手H2建立有對應之假目標位置不同，故而於圖23(c)中，手H2將基板W保持於與正規位置不同之位置。此處，計算出基板W之中心於手H2中之座標。計算出之基板W之中心於手H2中之座標為(X4，Y4)。
控制部500計算出基板W之中心於手H1中之座標(X3，Y3)與基板W之中心於手H2中之座標(X4，Y4)之偏移。又，控制部500基於計算出之偏移與關於手H1之修正資訊，計算出關於手H2之修正資訊。關於手H2之修正資訊記憶於控制部500之記憶體520。
藉由相同之順序，控制部500基於手H1、H2之基準高度之偏移及關於手H1之目標高度，決定關於手H2之目標高度。所決定之目標高度座標記憶於控制部500之記憶體520。
(b)於上述實施形態中，當基板支持部WS設置於熱處理單元PHP之情形時，藉由搬送機構430之複數個導引構件436而引導之基板W之中心之位置成為基準位置，但並不限定於此。當於熱處理單元PHP未設置搬送機構430之情形時，藉由加熱部420之複數個導引構件423而引導之基板W之中心之位置亦可成為基準位置。
(c)於上述實施形態中，於圖15之教導動作時基板W藉由旋轉夾頭25旋轉180°，但並不限定於此。亦可為於圖15之教導動作時基板W藉由旋轉夾頭25旋轉任意之角度。於該情形時，藉由幾何學運算，基於基板W之旋轉前之中心之位置與基板W之旋轉後之中心之位置，計算出基準位置座標相對於假目標位置座標之偏移。
同樣地，於圖16之位置偏移檢測動作時基板W藉由旋轉夾頭25旋轉180°，但並不限定於此。亦可為於圖16之位置偏移檢測動作時基板W藉由旋轉夾頭25旋轉任意之角度。
(15)技術方案之各構成元件與實施形態之各元件之對應關係
以下，對技術方案之各構成元件與實施形態之各元件之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
於上述實施形態中，基板W為基板之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，基板支持部WS為基板支持部之例，手H1為保持部之例。搬送機構127、128、137、138為搬送裝置之例，感測裝置316為位置檢測部之例，控制部500為控制部及保持檢測部之例。
塗佈處理單元129、顯影處理單元139、邊緣曝光部EEW、冷卻單元CP、熱處理單元PHP或密接強化處理單元PAHP為處理單元之例。導引構件423、436為引導機構之例，吸附面ss為保持面之例，吸附部sm為吸附部之例。
亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種元件，作為技術方案之各構成元件。
[產業上之可利用性]
本發明可有效地用於各種基板之處理。
25‧‧‧旋轉夾頭
127‧‧‧搬送機構
H1‧‧‧手
W‧‧‧基板
(X1，Y1)‧‧‧座標
(Xrb，Yrb)‧‧‧真目標位置座標
(Xw，Yw)‧‧‧基準位置座標

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且具備：基板支持部，其具有預先設定之基準位置，且構成為可支持基板；搬送裝置，其具有以保持基板之方式構成之保持部，藉由使上述保持部移動而搬送基板；位置檢測部，其對藉由上述保持部而保持之基板與上述保持部之位置關係進行檢測；及控制部，其於基板處理時，為了向上述基板支持部之上述基準位置交付基板或自上述基準位置接收基板，而以使上述保持部移動至目標位置之方式控制上述搬送裝置；上述控制部於位置偏移檢測動作時，以使上述保持部移動至上述基板支持部之上述目標位置而接收由上述基板支持部支持之基板之方式，控制上述搬送裝置，並且基於藉由上述位置檢測部檢測出之位置關係取得上述基準位置與上述目標位置之偏移量，於所取得之偏移量大於預先設定之第1臨限值之情形時輸出警報。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板支持部係構成為以水平姿勢保持基板且可繞上述基準位置旋轉，上述控制部於上述位置偏移檢測動作時，以使上述保持部移動至上述目標位置而向上述基板支持部交付基板之方式，控制上述搬送裝置，以使由上述基板支持部支持之基板旋轉第1角度之方式，控制上述基板支持部，以使上述保持部移動至上述目標位置而接收由上述基板支持部支持之基板之方式，控制上述搬送裝置，基於將基板交付給上述基板支持部之前之上述保持 部與基板之位置關係及自上述基板支持部接收基板之後之上述保持部與基板之位置關係，取得上述基準位置。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述控制部於與上述搬送裝置相關之教導動作時，以使上述保持部移動至上述基板支持部之初始位置而向上述基板支持部交付基板之方式，控制上述搬送裝置，以使由上述基板支持部支持之基板旋轉第2角度之方式，控制上述基板支持部，以使上述保持部移動至上述初始位置而接收由上述基板支持部支持之基板之方式，控制上述搬送裝置，基於將基板交付給上述基板支持部之前之上述保持部與基板之位置關係及自上述基板支持部接收基板之後之上述保持部與基板之位置關係，取得上述初始位置與上述基準位置之偏移量作為修正資訊，基於上述所取得之修正資訊，以上述初始位置與上述基準位置一致之方式修正上述初始位置，並取得所修正之初始位置作為上述目標位置。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其進而具備處理單元，該處理單元包含上述基板支持部，於上述基板處理時對藉由上述基板支持部而旋轉之基板進行處理。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述控制部於上述位置偏移檢測動作時，以使上述保持部移動至上述目標位置並接收支持於上述基板支持部之上述基準位置之基板之方式，控制上述搬送裝置，且基於藉由上述位置檢測部檢測出之位置關係取得上述基準位置。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述控制部於與上述搬送裝置相關之教導動作時，以使上述保持部移動至上述基板支持部之初始位置並接收支持於上述基板支持部之上述基準位置之基板之方式，控制上述搬送裝置，基於藉由上述位置檢測部檢測出 之位置關係取得上述初始位置與上述基準位置之偏移量作為修正資訊，基於上述所取得之修正資訊以上述初始位置與上述基準位置一致之方式修正上述初始位置，取得已修正之初始位置作為上述目標位置。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述基板支持部包含將基板引導至上述基準位置之引導機構，且於上述教導動作時，藉由上述引導機構，基板被引導至上述基板支持部之上述基準位置。
  8. 如請求項5至7中任一項之基板處理裝置，其進而具備處理單元，該處理單元包含上述基板支持部，且於上述基板處理時對支持於上述基板支持部之基板進行處理，上述目標位置設定於上述處理單元內，上述控制部以使上述保持部移動至上述處理單元內之上述目標位置而於上述處理單元內接收支持於上述基準位置之基板之方式，控制上述搬送裝置。
  9. 如請求項1至3及5至7中任一項之基板處理裝置，其中上述搬送裝置之上述保持部具有保持基板之下表面之保持面，上述基板處理裝置進而具備對上述保持部之上述保持面保持基板之下表面之情況進行檢測之保持檢測部，上述控制部於上述位置偏移檢測動作時，以使上述保持部自藉由上述基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升之方式，控制上述搬送裝置，取得上述保持部於上述保持檢測部之檢測時間點之高度，並基於所取得之高度，取得上述保持部位於上述目標高度時之上述保持面與上述基準高度之間之距離之偏移量，於所取得之偏移量大於第2臨限值之情形時輸出警報。
  10. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且具備：基板支持部，其構成為可支持基板；搬送裝置，其包含具有保持基板之下表面之保持面之保持部，藉由使上述保持部移動而搬送基板；保持檢測部，其對上述保持部之上述保持面保持基板之下表面之情況進行檢測；及控制部，其於基板處理時，為了向上述基板支持部交付基板或自上述基板支持部接收基板，而以使上述保持部移動之方式控制上述搬送裝置；上述控制部於位置偏移檢測動作時，以使上述保持部自藉由上述基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升之方式，控制上述搬送裝置，取得上述保持部於上述保持檢測部之檢測時間點之高度，基於所取得之高度取得上述保持部位於上述目標高度時之上述保持面與上述基準高度之間之距離之偏移量，於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中上述控制部於與上述搬送裝置相關之教導動作時，以使上述保持部自藉由上述基板支持部支持於上述基準高度之基板之下方上升之方式，控制上述搬送裝置，並基於上述保持部於上述保持檢測部之檢測時間點之高度取得上述目標高度。
  12. 如請求項10或11之基板處理裝置，其中上述保持部包含吸附基板之下表面之吸附部，上述吸附部具有上述保持面，上述保持檢測部係構成為基於是否藉由上述吸附部吸附有基板，對上述保持面保持基板之下表面之情況進行檢測。
  13. 一種基板處理方法，其係對基板進行處理者，且包含如下步驟： 於基板處理時，為了向基板支持部之預先設定之基準位置交付基板或自上述基準位置接收基板，而使搬送裝置之保持部移動至目標位置；於位置偏移檢測動作時，使上述搬送裝置之上述保持部移動至上述基板支持部之上述目標位置，並接收由上述基板支持部支持於上述基準位置之基板；對藉由上述保持部而接收之基板與上述保持部之位置關係進行檢測；基於檢測出之上述位置關係，取得上述基板支持部之上述基準位置與上述目標位置之偏移量；及於所取得之偏移量大於預先設定之臨限值之情形時輸出警報。
  14. 一種基板處理方法，其係對基板進行處理者，且包含如下步驟：於基板處理時，為了向基板支持部交付基板或自上述基板支持部接收基板而使搬送裝置之保持部移動；於位置偏移檢測動作時，使上述搬送裝置之上述保持部自藉由上述基板支持部支持於基準高度之基板之下方之目標高度上升；對上述保持部之保持面保持基板之下表面之情況進行檢測；取得上述保持部於基板之檢測時間點之高度；基於所取得之高度，取得上述保持部位於上述目標高度時之上述保持面與上述基準高度之間之距離之偏移量；及於所取得之偏移量大於臨限值之情形時輸出警報。
TW104125275A 2014-09-17 2015-08-04 基板處理裝置及基板處理方法 TWI720945B (zh)

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