TWI500107B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI500107B
TWI500107B TW102125989A TW102125989A TWI500107B TW I500107 B TWI500107 B TW I500107B TW 102125989 A TW102125989 A TW 102125989A TW 102125989 A TW102125989 A TW 102125989A TW I500107 B TWI500107 B TW I500107B
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桑原丈二
田口隆志
柏山真人
岩崎宏平
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斯克林集團公司
斯克林半導體科技股份有限公司
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行特定處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等之各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
此等基板處理裝置中，一般，係對於一片基板連續進行複數個不同處理。日本特開2008-60302號公報中記載之基板處理裝置包含分度器區塊、反射防止膜用處理區塊、光阻膜用處理區塊、顯像處理區塊、光阻保護膜用處理區塊、光阻保護膜去除區塊、洗淨/乾燥處理區塊及介面區塊。以與介面區塊鄰接之方式，配置與基板處理裝置另外之外部裝置即曝光裝置。
在上述基板處理裝置中，自分度器區塊搬入之基板，在反射防止膜用處理區塊、光阻膜用處理區塊及光阻保護膜用處理區塊中進行反射防止膜之形成、光阻膜之形成、及光阻保護膜之形成後，經由介面區塊向曝光裝置搬運。在曝光裝置中使基板上之光阻膜曝光為特定圖案後，基板經由介面區塊向光阻保護膜去除區塊搬運。將在光阻保護膜去除區塊中已去除光阻保護膜之基板向顯像處理區塊搬運。在顯 像處理區塊中藉由對基板上之光阻膜進行顯像處理而形成具有特定圖案之光阻膜後，將基板向分度器區塊搬運。
曝光處理前形成於基板周緣部之膜，有因基板搬運時之機械接觸而剝離並成為顆粒之情形。因此，在日本特開2008-60302號公報中，於反射防止膜、光阻膜、及光阻保護膜之各者形成後之基板周緣部噴出去除液。藉此，去除基板周緣部之膜。
近年來，要求曝光圖案之細微化，且亦要求使自1片晶圓獲得之晶片之數量增加。因此，要求儘可能地縮小形成於基板周緣部之膜之去除範圍。該情形，有必要精度良好地去除形成於基板周緣部之膜。
在日本特開2008-60302號公報中，為了精度良好地去除形成於基板周緣部之膜，而例如在用以在基板上形成膜之複數個塗布單元之各者中設置2個引導臂。在各塗布單元中，在自外部搬入之基板載置於旋轉夾盤上之狀態下，2個引導臂向旋轉夾盤上之軸心移動。藉由在旋轉夾盤上利用2個引導臂夾持基板，而在旋轉夾盤上修正基板之位置。
在該狀態下，基板利用旋轉夾盤吸附保持。其後，對於利用旋轉夾盤所保持之基板供給塗布液，在基板上形成膜。接著，向基板之周緣部自針狀噴嘴供給去除液。藉此，去除形成於基板周緣部之膜。
如上所述，若在各塗布單元中設置用以修正基板位置之構成(在上述之例中為引導臂)，則各塗布單元之構成複雜化。又，增加零件件數並且增加各塗布單元之製造成本。再者，如上所述，若每次在旋轉夾盤上載置基板，使2個引導臂移動而修正基板之位置，則基板處理之總處理量降低。
本發明之目的在於提供一種可藉簡單之構成一面抑制成本之增加一面不會使基板處理之總處理量降低地提高基板之處理精度之基板 處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明之一樣態之基板處理裝置係對基板進行處理者，且包含：處理單元，其具有支持基板之支持部，且構成為對由支持部所支持之基板進行處理；搬運裝置，其具有以保持基板之方式構成之第1保持部，且以藉由使第1保持部移動而搬運基板之方式構成；記憶部，其記憶以搬運裝置之第1保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式用以控制搬運裝置之控制資訊；控制部，其基於由記憶部所記憶之控制資訊而控制搬運裝置；複數個檢測器，其等在第1保持部將基板載置於支持部上之前，以分別檢測利用第1保持部所移動之基板之外周部之複數個部分之方式設置；且控制部係構成為在第1保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上利用第1保持部所要載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊，且基於經修正之控制資訊而控制搬運裝置。
該基板處理裝置中，於記憶部中記憶用以以搬運裝置之第1保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式控制搬運裝置之控制資訊。控制部基於記憶部所記憶之控制資訊控制搬運裝置。藉此，搬運利用搬運裝置之第1保持部所保持之基板。
在利用第1保持部將基板載置於支持部上之前，分別檢測利用第1保持部所移動之基板之外周部之複數個部分。又，在利用第1保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上利用第1保持部所載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊。基於修正之控制資訊控制搬運裝置，將由第1保持部所保持之基板載置於處理單元之支持部之特定位置。其後，對由支持構件所支持之基板進行處理。藉此，即使由第1保持部所保持之基板之位置自正規之位置偏移之情形，不另外設置用以修正基板相對 於第1保持部之位置偏移之機構或用以修正基板相對於支持部之位置偏移之機構時，亦可將基板正確地載置於支持部上之特定位置。因此，可一面抑制成本之增加一面使基板之處理精度提高。又，由於檢測出利用第1保持部所移動之基板之外周部之複數個部分，故無須因檢測到基板之位置偏移而使基板之移動停止。因此，基板處理之總處理量不會降低。
該等結果，可藉簡單之構成一面抑制成本之增加一面不使基板處理之總處理量降低地提高基板之處理精度。
(2)第1保持部亦可具有吸附基板之一面之吸附保持機構。
在吸附基板之一面之狀態下基板由第1保持部所保持之情形，為了修正基板相對於第1保持部之位置偏移，必須解除利用吸附保持機構對基板之吸附。
根據本發明之構成，由於不須修正基板相對於第1保持部之位置偏移即可修正基板相對於支持部之位置偏移，故無須解除基板之吸附。因此，基板處理之總處理量不會降低。
又，由於基板在由吸附保持機構吸附之狀態下移動，故在利用複數個檢測器檢測基板之外周部之複數個部分後基板相對於第1保持部之位置不會產生變化。因此，由於基板正確地載置於支持部上之特定位置，故可提高基板之處理精度。
(3)複數個檢測器之各者亦可構成為，對利用第1保持部之基板之移動路徑出射光且將來自移動路徑之反射光或透射光作為反饋光而接收，並輸出表示有無接收反饋光之信號作為檢測結果。
該情形，利用第1保持部移動之基板之外周部之複數個部分以非接觸而容易且正確地檢測出。
(4)控制部亦可基於複數個檢測器之輸出信號而檢測利用複數個檢測器分別檢測出基板之外周部之複數個部分之時點，且基於檢測出 之各個時點，以在支持部上由第1保持部所要載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊。
該情形時，基於利用複數個檢測器檢測基板之外周部之複數個部分之各個時點，以在支持部上由第1保持部所載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊。藉此，不須進行圖像處理等之複雜處理即可以短時間修正控制資訊。
(5)複數個檢測器亦可包含3個以上之檢測器，該等檢測器以分別檢測利用第1保持部移動之基板之外周部之3個以上之部分之方式設置。
該情形，於基板直徑為未知時，亦可檢測出基板之位置偏移。又，在基板直徑為已知時，無論基板之外周部之缺口位置在何處均可檢測出基板之位置偏移。
(6)支持部可包含一面以水平姿勢保持基板一面使其旋轉之旋轉保持裝置，處理單元可進而包含對保持於旋轉保持裝置之基板上之膜進行處理之膜處理裝置。
該情形，由於在旋轉保持裝置之特定位置上正確地載置基板，故可對藉膜處理裝置保持於旋轉保持裝置之基板上之膜精度良好地進行處理。
(7)膜處理裝置亦可包含以去除由旋轉保持裝置所保持之基板上之膜之周緣部之方式構成之膜去除機構。
該情形時，由於在旋轉保持裝置之特定位置上正確地載置基板，故可利用膜去除機構精度良好地去除基板上之膜之周緣部之一定寬度之區域。
(8)膜處理裝置亦可包含以對由旋轉保持裝置所保持之基板上之膜之周緣部照射曝光光之方式構成之光照射機構。
該情形時，由於在旋轉保持裝置之特定位置上正確地載置基 板，故可利用光照射機構對基板上之膜之周緣部之一定寬度之區域精度良好地照射曝光光。
(9)處理單元可進而包含對基板進行溫度處理之溫度處理裝置，支持部亦可包含將基板支持在溫度處理裝置之上表面上之支持構件。
該情形時，由於在支持構件之特定位置上正確地載置基板，故可利用溫度處理裝置相對於基板精度良好地進行溫度處理。
(10)搬運裝置亦可進而包含以保持基板之方式構成之第2保持部，且以藉由使第2保持部移動而搬運基板之方式構成，記憶部係記憶以搬運裝置之第2保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式用以控制搬運裝置之控制資訊，複數個檢測器亦可以在第2保持部將基板載置於支持部上之前，分別檢測出藉由第2保持部所移動之基板之外周部之複數個部分之方式設置，控制部亦可以在第2保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上由第2保持部所要載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊，並基於經修正之控制資訊控制搬運裝置。
該情形時，於記憶部中記憶用以以搬運裝置之第2保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式控制搬運裝置之控制資訊。控制部基於記憶部所記憶之控制資訊控制搬運裝置。藉此，搬運利用搬運裝置之第2保持部所保持之基板。
在利用第2保持部將基板載置於支持部上之前，分別檢測出利用第2保持部所移動之基板之外周部之複數個部分。又，在利用第2保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上利用第2保持部所載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊。基於修正之控制資訊而控制搬運裝置，由第2保持部所保持之基板載置於處理單元之支持部之特定位置。其後，對由支持構件所支持之基板進行處理。藉此，即使由第2保持部所保持 之基板之位置自正規之位置偏移之情形，不須另外設置用以修正基板相對於第2保持部之位置偏移之機構或用以修正基板相對於支持部之位置偏移之機構即可將基板正確地載置於支持部上之特定位置。
如上所述，藉由利用第1保持部及第2保持部搬運基板，可一面使基板處理之總處理量提高一面提高基板之處理精度。
(11)本發明之另一樣態之基板處理方法使用基板處理裝置對基板進行處理者，基板處理裝置包含：處理單元，其具有支持基板之支持部，且構成為對由支持部所支持之基板進行處理；搬運裝置，其具有以保持基板之方式構成之保持部，且以藉由使保持部移動而搬運基板之方式構成；基板處理方法係包含下述步驟：記憶以搬運裝置之保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式用以控制搬運裝置之控制資訊；在保持部將基板載置於支持部上之前，利用複數個檢測器分別檢測出利用保持部移動之基板之外周部之複數個部分；在保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上由保持部所載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊；基於經修正之控制資訊，以搬運裝置之保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式控制搬運裝置；及在基板被載置於處理單元之支持部之特定位置後，利用處理單元對基板進行處理。
該基板處理方法中，係記憶用以以搬運裝置之保持部將基板載置於處理單元之支持部之特定位置之方式控制搬運裝置之控制資訊。藉由基於所記憶之控制資訊控制搬運裝置，而搬運由搬運裝置之保持部所保持之基板。
在利用保持部將基板載置於支持部上之前，分別檢測出利用保持部所移動之基板之外周部之複數個部分。又，在利用保持部將基板載置於支持部上之前，基於複數個檢測器之輸出信號，以在支持部上 由保持部所載置之基板之位置與特定位置之偏移抵消之方式修正控制資訊。基於修正之控制資訊控制搬運裝置，而將由保持部所保持之基板載置於處理單元之支持部之特定位置。其後，對由支持構件所支持之基板進行處理。藉此，即使由保持部所保持之基板之位置自正規之位置偏移之情形，不另外設置用以修正基板相對於保持部之位置偏移之機構或用以修正基板相對於支持部之位置偏移之機構亦可將基板正確地載置於支持部上之特定位置。因此，可一面抑制成本之增加一面提高基板之處理精度。又，由於檢測出利用保持部移動之基板之外周部之複數個部分，故無須因檢測到基板之位置偏移而使基板之移動停止。因此，基板處理之總處理量不會降低。
該等結果，可藉簡單之構成一面抑制成本之增加一面不使基板處理之總處理量降低地提高基板之處理精度。
11‧‧‧分度器區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21‧‧‧塗布處理室
22‧‧‧塗布處理室
23‧‧‧塗布處理室
24‧‧‧塗布處理室
25‧‧‧旋轉夾盤
27‧‧‧杯
28a‧‧‧噴嘴
28b‧‧‧噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬運機構
31‧‧‧顯像處理室
32‧‧‧塗布處理室
33‧‧‧顯像處理室
34‧‧‧塗布處理室
35‧‧‧旋轉夾盤
37‧‧‧杯
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
50‧‧‧流體盒部
60‧‧‧流體盒部
90‧‧‧操作部
98‧‧‧旋轉夾盤
99‧‧‧光出射器
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬運部
113‧‧‧載體
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬運機構
116‧‧‧把手
117‧‧‧開口部
121‧‧‧塗布處理部
122‧‧‧搬運部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬運室
126‧‧‧下段搬運室
127‧‧‧搬運機構
128‧‧‧搬運機構
129‧‧‧塗布處理單元
131‧‧‧塗布顯像處理部
132‧‧‧搬運部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬運室
136‧‧‧下段搬運室
137‧‧‧搬運機構
138‧‧‧搬運機構
139‧‧‧顯像處理單元
141‧‧‧搬運機構
142‧‧‧搬運機構
145‧‧‧襯墊
146‧‧‧搬運機構
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬運部
301‧‧‧上段熱處理部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
311‧‧‧導軌
311e‧‧‧z方向編碼器
311m‧‧‧z方向驅動馬達
312‧‧‧導軌
313‧‧‧導軌
313e‧‧‧x方向編碼器
313m‧‧‧x方向驅動馬達
314‧‧‧移動構件
314e‧‧‧θ方向編碼器
314m‧‧‧θ方向驅動馬達
315‧‧‧旋轉構件
316‧‧‧感測器裝置
316a‧‧‧出射部保持殼體
316b‧‧‧受光部保持殼體
316D‧‧‧檢測器
316r‧‧‧受光部
316t‧‧‧出射部
317‧‧‧支持構件
318‧‧‧支持構件
319‧‧‧支持構件
800‧‧‧電腦主機
1000‧‧‧基板處理系統
cp‧‧‧正規位置
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
FBP‧‧‧進退基準位置
H1‧‧‧把手
H2‧‧‧把手
H3‧‧‧把手
H4‧‧‧把手
H5‧‧‧把手
H6‧‧‧把手
H7‧‧‧把手
H8‧‧‧把手
H9‧‧‧把手
Ha‧‧‧引導部
Hb‧‧‧臂部
m‧‧‧支持構件
p1‧‧‧第1位置
p2‧‧‧第2位置
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
PN‧‧‧主面板
pp1‧‧‧第1中心位置
pp2‧‧‧第2中心位置
pr‧‧‧突出部
SD1‧‧‧洗淨乾燥處理單元
SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
sm‧‧‧吸附部
sp‧‧‧支持板
tc1‧‧‧搬運用控制部
tc2‧‧‧搬運用控制部
tc3‧‧‧搬運用控制部
tc4‧‧‧搬運用控制部
tm‧‧‧記憶體
W‧‧‧基板
wc‧‧‧基板之中心
xe1‧‧‧上把手編碼器
xe2‧‧‧下把手編碼器
xm1‧‧‧上把手進退用驅動馬達
xm2‧‧‧下把手進退用驅動馬達
圖1係本發明之一實施形態之基板處理系統之模式性俯視圖。
圖2係主要顯示圖1之塗布處理部、塗布顯像處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理系統之一側視圖。
圖3係主要顯示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理系統之另一側視圖。
圖4係主要顯示圖1之塗布處理部、搬運部及熱處理部之側視圖。
圖5係主要顯示圖1之搬運部之側視圖。
圖6係顯示搬運機構之立體圖。
圖7(a)係顯示圖6之把手及旋轉構件之搬運機構之俯視圖，圖7(b)係自平行於x方向之軸上之特定位置觀察圖6之把手、移動構件、旋轉構件及感測器裝置之情形之側視圖，圖7(c)係自平行於y方向之軸上之特定位置觀察圖6之把手、移動構件、旋轉構件及感測器裝置之情 形之側視圖。
圖8(a)~(c)係用以說明圖6之搬運機構之動作之概要圖。
圖9係顯示洗淨乾燥處理區塊之內部構成之圖。
圖10(a)~(h)係用以說明利用圖6及圖7之感測器裝置之基板之外周部之複數個部分的檢測方法之圖。
圖11係主要顯示搬運機構之各構成要素與圖5之搬運用控制部之關係之方塊圖。
圖12(a)~(e)係顯示用以利用1個感測器裝置檢測保持於2個把手之2片基板之外周部的搬運機構之一控制例之圖。
圖13(a)~(c)係顯示用以利用1個感測器裝置檢測保持於2個把手之2片基板之外周部的搬運機構之一控制例之圖。
以下，就本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法使用圖式進行說明。另，在以下說明中，所謂基板，指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等。
(1)基板處理系統之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理系統之模式性俯視圖。
在圖1及圖2以後之特定圖中，為明確位置關係附加顯示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭符號。X方向及Y方向在水平面內相互正交，Z方向相當於鉛直方向。另，在各方向中將箭頭符號朝向之方向作為+方向，將其相反之方向作為-方向。
如圖1所示般，基板處理系統1000包含基板處理裝置100及電腦主機800。
基板處理裝置100包含分度器區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。由洗淨乾燥處 理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成介面區塊14。以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式配置曝光裝置15。曝光裝置15中，係利用液浸法對基板W進行曝光處理。
如圖1所示，分度器區塊11包含複數個載體載置部111及搬運部112。各載體載置部111中，載置有多段收納複數片基板W之載體113。
搬運部112中，設置有控制部114及搬運機構115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要素。又，控制部114利用有線通訊或無線通訊連接於電腦主機800。在控制部114與電腦主機800之間進行各種資料之發送接收。
搬運機構115具有用以保持基板W之把手116。搬運機構115，一面利用把手116保持基板W一面搬運該基板W。又，如後述之圖5所示，搬運部112中，形成有用以在載體113與搬運機構115之間傳送基板W之開口部117。
於搬運部112之側面，設置有主面板PN。主面板PN連接於控制部114。使用者可藉主面板PN確認基板處理裝置100之基板W之處理狀況等。
於主面板PN附近，設置有包含例如鍵盤之操作部90(參照後述之圖11)。使用者可藉由操作操作部90進行基板處理裝置100之動作設定等。
第1處理區塊12包含塗布處理部121、搬運部122及熱處理部123。塗布處理部121及熱處理部123以隔著搬運部122而對向之方式設置。搬運部122與分度器區塊11之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS1及後述之基板載置部PASS2~PASS4(參照圖5)。搬運部122中，設置有搬運基板W之搬運機構127及後述之搬運機構128(參照圖5)。
第2處理區塊13包含塗布顯像處理部131、搬運部132及熱處理部133。塗布顯像處理部131及熱處理部133以隔著搬運部132而對向之方式設置。搬運部132與搬運部122之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS5及後述之基板載置部PASS6~PASS8(參照圖5)。搬運部132中，設置有搬運基板W之搬運機構137及後述之搬運機構138(參照圖5)。在第2處理區塊13內，熱處理部133與介面區塊14之間設置有襯墊145。
洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬運部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬運部163而對向之方式設置。搬運部163中，設置有搬運機構141、142。
搬運部163與搬運部132之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖5)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2可收納複數片基板W地構成。
又，在搬運機構141、142之間，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，設置基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖5)。載置兼冷卻部P-CP包含冷卻基板W之支持板(例如，冷卻板)及設置於支持板上用以支持後述之基板W之背面之複數個支持構件。在載置兼冷卻部P-CP中，基板W冷卻至適合曝光處理之溫度。
搬入搬出區塊14B中，設置有搬運機構146。搬運機構146進行基板W對於曝光裝置15之搬入及搬出。曝光裝置15中，設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗布處理部及顯像處理部之構成
圖2係主要顯示圖1之塗布處理部121、塗布顯像處理部131及洗淨乾燥處理部161之基板處理系統1000之一側視圖。
如圖2所示，塗布處理部121中，分層設置有塗布處理室21、22、23、24。各塗布處理室21~24中，設置有塗布處理單元129。塗布 顯像處理部131中，分層設置有顯像處理室31、33及塗布處理室32、34。各顯像處理室31、33中，設置有顯像處理單元139，各塗布處理室32、34中，設置有塗布處理單元129。
各塗布處理單元129包含保持基板W之旋轉夾盤25及以覆蓋旋轉夾盤25之周圍之方式設置之杯27。在本實施形態中，旋轉夾盤25及杯27，2個2個地設置於各塗布處理單元129。旋轉夾盤25由未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)旋轉驅動。
又，如圖1所示，各塗布處理單元129包含噴出處理液之複數個噴嘴28a、28b及搬運該等噴嘴28a、28b之噴嘴搬運機構29。
在塗布處理單元129中，複數個噴嘴28a、28b中之任一噴嘴利用噴嘴搬運機構29移動至基板W之上方。接著，藉由自該噴嘴噴出處理液，而對基板W上供給處理液。另，自複數個噴嘴28a、28b中之任一噴嘴對基板W供給處理液時，利用未圖示之驅動裝置使旋轉夾盤25旋轉。藉此，使基板W旋轉。
在本實施形態中，在塗布處理室22、24之塗布處理單元129中，反射防止膜用之處理液自噴嘴28a供給至基板W。其後，可溶解反射防止膜之去除液自噴嘴28b供給至基板W之周緣部之一定寬度之區域。藉此，將塗布於基板W之周緣部之反射防止膜用之處理液去除。
在塗布處理室21、23之塗布處理單元129中，光阻膜用之處理液自噴嘴28a供給至基板W。其後，可溶解光阻膜之去除液自噴嘴28b供給至基板W之周緣部。藉此，將塗布於基板W之周緣部之光阻膜用之處理液去除。
在塗布處理室32、34之塗布處理單元129中，光阻保護膜用之處理液自噴嘴28a供給至基板W。其後，可溶解光阻保護膜之去除液自噴嘴28b供給至基板W之周緣部之一定寬度之區域。藉此，將塗布於基板W之周緣部之光阻保護膜用之處理液去除。
此處，在本實施形態中，所謂基板之主表面指塗布有上述之反射防止膜用之處理液、光阻膜用之處理液及光阻保護膜用之處理液之基板W之一面，所謂基板W之背面指主表面之相反側之基板W之另一面。
如上所述，在本例中，在基板W之主表面上塗布反射防止膜或光阻膜之處理液後，去除塗布於基板W之周緣部之反射防止膜或光阻膜之處理液。不限於此，亦可在基板W之主表面上塗布反射防止膜或光阻膜之處理液後，以熱處理部123(圖1)對基板W進行熱處理。其後，亦可去除塗布於基板W之周緣部之反射防止膜或光阻膜之處理液。
如圖2所示，顯像處理單元139，與塗布處理單元129同樣，包含旋轉夾盤35及杯37。又，如圖1所示，顯像處理單元139包含噴出顯像液之2個狹縫噴嘴38及使該狹縫噴嘴38於X方向移動之移動機構39。
在顯像處理單元139中，首先，一狹縫噴嘴38一面在X方向移動一面對各基板W供給顯像液。其後，另一狹縫噴嘴38一面移動一面對各基板W供給顯像液。另，在自狹縫噴嘴38對基板W供給顯像液時，利用未圖示之驅動裝置使旋轉夾盤35旋轉。藉此，使基板W旋轉。
在本實施形態中，藉由在顯像處理單元139中對基板W供給顯像液，而去除基板W上之光阻保護膜，並且進行基板W之顯像處理。又，在本實施形態中，自2個狹縫噴嘴38噴出相互不同之顯像液。藉此，可對各基板W供給2種類之顯像液。
在圖2之例中，塗布處理單元129具有2個旋轉夾盤25及2個杯27，顯像處理單元139具有3個旋轉夾盤35及3個杯37。不限於此，旋轉夾盤25、35及杯27、37之數量亦可任意變更。
洗淨乾燥處理部161中，設置有複數個(本例中為4個)洗淨乾燥處理單元SD1。洗淨乾燥處理單元SD1包含未圖示之旋轉夾盤及洗淨液供給機構。在洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之 洗淨及乾燥處理。
在洗淨乾燥處理單元SD1中，可使用刷子等進行基板W之背面、及基板W之端部(斜面部)之拋光處理。此處，所謂基板W之背面指形成有電路圖案等之各種圖案之基板W之面的相反側之面。
如圖1及圖2所示，在塗布處理部121中以與塗布顯像處理部131鄰接之方式設置有流體盒部50。相同地，在塗布顯像處理部131中以與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之方式設置流體盒部60。在流體盒部50及流體盒部60內，收納與向塗布處理單元129及顯像處理單元139供給藥液及自塗布處理單元129及顯像處理單元139排液及排氣等相關之導管、接頭、閥、流量計、調節器、泵、溫度調節器等之流體關聯機器。
(3)熱處理部之構成
圖3係主要顯示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之基板處理系統1000之另一側視圖。
如圖3所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302中，設置複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。於各熱處理單元PHP、各密著強化處理單元PAHP及各冷卻單元CP中，分別設置用以對基板W進行溫度處理之支持板sp(圖1)。於支持板sp(圖1)之上表面，設置用以支持基板W之背面之複數個支持構件m(圖1)。
在熱處理單元PHP中，在支持板sp上進行基板W之加熱處理及冷卻處理。在密著強化處理單元PAHP中，在支持板sp上進行用以提高基板W與反射防止膜之密著性之密著強化處理。具體而言，在密著強化處理單元PAHP中，在基板W上塗布HMDS(六甲基二矽氮烷)等之密著強化劑，且對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中，在支持板sp 上進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中，設置冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。
邊緣曝光部EEW包含以水平姿勢吸附保持並旋轉基板W之旋轉夾盤98及使保持於旋轉夾盤98上之基板W之外周緣部曝光之光出射器99。在邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上之光阻膜之周緣部之一定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。
藉由對基板W進行邊緣曝光處理，在隨後之顯像處理時，去除基板W之周緣部上之光阻膜。藉此，防止在顯像處理後，在基板W之周緣部與其他之部分接觸之情形下，基板W之周緣部上之光阻膜剝離而成為顆粒。
洗淨乾燥處理部162中，設置有複數個(本例中為5個)洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2包含未圖示之旋轉夾盤及洗淨液供給機構。在洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之洗淨及乾燥處理。
(4)搬運部之構成
(4-1)概略構成
圖4係主要顯示圖1之塗布處理部121、搬運部122及熱處理部123之側視圖。圖5係主要顯示圖1之搬運部122、132、163之側視圖。
如圖4及圖5所示，搬運部122具有上段搬運室125及下段搬運室126。搬運部132具有上段搬運室135及下段搬運室136。
上段搬運室125中設置有搬運機構127，下段搬運室126中設置有搬運機構128。又，上段搬運室135中設置有搬運機構137，下段搬運室136中設置有搬運機構138。
如圖4所示，塗布處理室21、22與上段熱處理部301以隔著上段 搬運室125而對向之方式設置。塗布處理室23、24與下段熱處理部302以隔著下段搬運室126而對向之方式設置。相同地，顯像處理室31及塗布處理室32(圖2)與上段熱處理部303(圖3)以隔著上段搬運室135(圖5)而對向之方式設置。顯像處理室33及塗布處理室34(圖2)與下段熱處理部304(圖3)以隔著下段搬運室136(圖5)而對向之方式設置。
如圖5所示，在搬運部112與上段搬運室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，在搬運部112與下段搬運室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。在上段搬運室125與上段搬運室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，在下段搬運室126與下段搬運室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。
在上段搬運室135與搬運部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，在下段搬運室136與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。在搬運部163中以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用搬運機構137及搬運機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利用搬運機構138及搬運機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用搬運機構141、142(圖1)及搬運機構146進行基板W之搬入及搬出。
在圖5之例中，雖僅設置有1個基板載置部PASS9，但亦可上下設置複數個基板載置部PASS9。該情形時，亦可使用複數個基板載置部PASS9作為用以暫時載置基板W之緩衝部。
在基板載置部PASS1及基板載置部PASS3中，載置有自分度器區塊11向第1處理區塊12搬運之基板W。在基板載置部PASS2及基板載置部PASS4中，載置有自第1處理區塊12向分度器區塊11搬運之基板W。
在基板載置部PASS5及基板載置部PASS7中，載置有自第1處理 區塊12向第2處理區塊13搬運之基板W。在基板載置部PASS6及基板載置部PASS8中，載置有自第2處理區塊13向第1處理區塊12搬運之基板W。
在載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2中，載置有自第2處理區塊13向洗淨乾燥處理區塊14A搬運之基板W。在載置兼冷卻部P-CP中，載置有自洗淨乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬運之基板W。在基板載置部PASS9中，載置有自搬入搬出區塊14B向洗淨乾燥處理區塊14A搬運之基板W。
在上段搬運室125內於搬運機構127之上方設置有搬運用控制部tc1。搬運用控制部tc1控制設置於搬運部122之搬運機構127及搬運機構128之動作。
在上段搬運室135內於搬運機構137之上方設置有搬運用控制部tc2。搬運用控制部tc2控制設置於搬運部132之搬運機構137及搬運機構138之動作。
在洗淨乾燥處理區塊14A之搬運部163內之上部設置有搬運用控制部tc3。搬運用控制部tc3控制設置於搬運部163之搬運機構141及搬運機構142之動作。
在搬入搬出區塊14B內之上部設置有搬運用控制部tc4。搬運用控制部tc4控制設置於搬入搬出區塊14B之搬運機構146之動作。
搬運用控制部tc1~tc4之各者內建記憶體tm。在記憶體tm中，記憶有後述之座標資訊作為控制資訊。搬運用控制部tc1~tc4之各者，基於記憶於記憶體tm之座標資訊控制1個或複數個搬運機構之動作。
(4-2)搬運機構之構成
接著，就搬運機構127進行說明。圖6係顯示搬運機構127之立體圖。如圖5及圖6所示，搬運機構127具備長條狀之導軌311、312。如圖5所示，導軌311以在上段搬運室125內於上下方向延伸之方式固定 於搬運部112側。導軌312以在上段搬運室125內於上下方向延伸之方式固定於上段搬運室135側。在搬運機構127中，z方向定義為平行於導軌311、312延伸之方向(上下方向)。
如圖5及圖6所示，在導軌311與導軌312之間，設置有長條狀之導軌313。導軌313以可沿著平行於z方向之軸移動地安裝於導軌311、312。導軌311中內建有用以使導軌313移動之z方向驅動馬達311m(參照後述之圖11)及z方向編碼器311e(參照後述之圖11)。z方向驅動馬達311m動作時，z方向編碼器311e輸出顯示z方向驅動馬達311m之動作狀態(例如，旋轉角度)之信號。所輸出之信號供至搬運用控制部tc1。
在搬運機構127中，x方向定義為平行於導軌313延伸之方向(水平方向)。又，y方向定義為與x方向正交且與z方向正交之方向。
移動構件314以可沿著平行於x方向之軸移動地安裝於導軌313。導軌313中內建有用以使移動構件314移動之x方向驅動馬達313m(參照後述之圖11)及x方向編碼器313e(參照後述之圖11)。x方向驅動馬達313m動作時，x方向編碼器313e輸出顯示x方向驅動馬達313m之動作狀態(例如，旋轉角度)之信號。所輸出之信號供至搬運用控制部tc1。
在移動構件314之上表面上，以可繞著平行於z方向之軸旋轉地設置長條狀之旋轉構件315。將旋轉構件315相對於移動構件314之旋轉方向稱為θ方向。移動構件314中內建有用以使旋轉構件315移動之θ方向驅動馬達314m(參照後述之圖11)及θ方向編碼器314e(參照後述之圖11)。θ方向驅動馬達314m動作時，θ方向編碼器314e輸出顯示θ方向驅動馬達314m之動作狀態(例如，旋轉角度)之信號。輸出之信號供至搬運用控制部tc1。
旋轉構件315中，安裝有感測器裝置316。感測器裝置316包含出射部保持殼體316a及受光部保持殼體316b。
出射部保持殼體316a配置於旋轉構件315之上表面，受光部保持 殼體316b利用倒L字型之支持構件317支持於以距旋轉構件315之上表面隔開一定距離之上方之位置。於旋轉構件315上，安裝有把手H1、H2。
圖7(a)係顯示圖6之把手H1及旋轉構件315之搬運機構127之俯視圖。圖7(a)中，省略圖6之受光部保持殼體316b及支持構件317之圖示。圖7(b)係自平行於x方向之軸上之特定位置觀察圖6之把手H1、H2、移動構件314、旋轉構件315及感測器裝置316時之側視圖。圖7(c)係自平行於y方向之軸上之特定位置觀察圖6之把手H1、H2、移動構件314、旋轉構件315及感測器裝置316時之側視圖。
如圖7(a)所示，把手H1包含引導部Ha及臂部Hb。引導部Ha具有大致C字形狀，臂部Hb具有長方形狀。在引導部Ha之內周部，對於沿著引導部Ha之內周部形成之圓之中心以等角度間隔，以朝向引導部Ha之內側之方式形成有複數個(本例中為3個)突出部pr。於各突出部pr之前端部，設置有吸附部sm。吸附部sm連接於未圖示之吸氣系統。
在把手H1上，將基板W載置於3個突出部pr之3個吸附部sm上。在該狀態下，控制連接於3個吸附部sm之吸氣系統，位於3個吸附部sm上之基板W之3部位之部分分別由3個吸附部sm吸附。另，把手H1亦可具有4個吸附部sm。該情形，位於4個吸附部sm上之基板W之4部位之部分分別由4個吸附部sm吸附。
如上述，在本實施形態中，使用吸附保持基板W之背面之把手H1作為保持部。把手H2具有與把手H1相同之構成。在圖7(a)~(c)中，由把手H1、H2所保持之基板W以二點鏈線表示。
在各把手H1、H2上，預先決定所保持基板W之中心應該位於之正規位置(以下，稱為正規位置)。把手H1之正規位置，例如為沿著引導部Ha之內周部形成之圓之中心位置。把手H1之正規位置亦可為複數個吸附部sm之中心位置。
在旋轉構件315之內部，以沿著旋轉構件315之長度方向之方式設置有未圖示之2個導軌。把手H1之臂部Hb之後端部利用支持構件318安裝於旋轉構件315之一導軌。把手H2之臂部Hb之後端部利用支持構件319安裝於旋轉構件315之另一導軌。如此，把手H1、H2分別沿著旋轉構件315之長度方向可進退地設置。
在本例中，把手H2位於出射部保持殼體316a之上方。把手H1位於把手H2之上方。受光部保持殼體316b位於把手H1之上方。
又，在旋轉構件315中，內建有用以使把手H1進退之上把手進退用驅動馬達xm1(參照後述之圖11)及上把手編碼器xe1(參照後述之圖11)。上把手進退用驅動馬達xm1動作時，上把手編碼器xe1輸出顯示上把手進退用驅動馬達xm1之動作狀態(例如，旋轉角度)之信號。將輸出之信號供至搬運用控制部tc1。
再者，在旋轉構件315中，內建有用以使把手H2進退之下把手進退用驅動馬達xm2(參照後述之圖11)及下把手編碼器xe2(參照後述之圖11)。下把手進退用驅動馬達xm2動作時，下把手編碼器xe2輸出顯示下把手進退用驅動馬達xm2之動作狀態(例如，旋轉角度)之信號。將輸出之信號供至搬運用控制部tc1。
在旋轉構件315中，沿著旋轉構件315之長度方向，亦即把手H1、H2之進退方向定義x'方向，y'方向定義為與把手H1、H2之進退方向正交之方向。
以下，將x'、y'座標上於把手H1、H2之進退方向上把手H1、H2可後退之極限位置稱為進退基準位置。在圖7(a)~(c)之例中，把手H1、H2分別位於進退基準位置。又，在以下說明中，將距任意之位置位於圖6之箭頭符號x'所朝向之方向之位置稱為相對於任意位置之前方位置。
旋轉構件315之上表面之大致中央部中設置有出射部保持殼體 316a。在出射部保持殼體316a內，保持有複數個(本例中為4個)出射部316t。以與出射部保持殼體316a對向之方式，於旋轉構件315之上方位置上設置有受光部保持殼體316b。在受光部保持殼體316b內，以分別與由出射部保持殼體316a所保持之複數個出射部316t對向之方式保持有複數個(本例中為4個)受光部316r。由相互對向之出射部316t及受光部316r構成檢測器316D。如圖7(c)所示，在本例中，感測器裝置316包含4個檢測器316D。
4個檢測器316D，在水平面內，配置於位於進退基準位置之把手H1之引導部Ha之內側之區域。在本例中，4個檢測器316D於於引導部Ha之內周部以平行之圓弧ar空出一定之間隔配置。
自4個出射部316t向上方分別出射光。4個受光部316r接收自分別對向之4個出射部316t出射之光作為反饋光而輸出光接收信號。自受光部316r輸出之光接收信號供至搬運用控制部tc1。
4個出射部316t較好在把手H1之進退方向上，比位於進退基準位置之把手H1之複數個吸附部sm中至少1個吸附部sm配置於更前方。該情形，利用搬運機構127搬運基板W時，利用4個出射部316t分別確實地檢測由把手H1所保持之基板W之外周部之4個部分。
(4-3)搬運機構之動作概要
在以下說明中，將利用把手H1、H2接收基板W時假定基板W之中心所配置之位置之xyz座標稱為接收座標。又，將利用把手H1、H2載置基板W時基板W之中心應配置之位置之xyz座標稱為載置座標。在圖5之搬運用控制部tc1之記憶體tm中，接收座標及載置座標係作為座標資訊預先記憶。座標資訊係例如由使用者進行之教學作業而記憶於記憶體tm。
搬運用控制部tc1基於記憶於記憶體tm之座標資訊而控制搬運機構127之動作。藉此，在相互隔開之複數個位置間搬運基板W。
就搬運機構127之動作概要進行說明。圖8係用以說明圖6之搬運機構127之動作概要之圖。圖8(a)中，顯示利用搬運機構127將基板W自第1位置p1搬向第2位置p2時之一例。在圖8(a)及後述之圖8(b)、(c)中，基板W位於第1位置p1時之基板W之中心位置表示為第1中心位置pp1，基板W位於第2位置p2時之基板W之中心位置表示為第2中心位置pp2。
在初始狀態下，第1中心位置pp1之座標作為接收座標預先記憶於搬運用控制部tc1之記憶體tm，第2中心位置pp2之座標作為載置座標預先記憶於搬運用控制部tc1之記憶體tm。
如圖8(a)之上段所示，假定基板W正確地配置於第1位置p1之情形。首先，搬運用控制部tc1基於記憶於記憶體tm之接收座標而控制搬運機構127。藉此，把手H1向第1位置p1移動。
其後，如圖8(a)之中段所示，基板W由把手H1接收。如本例般，在基板W正確地配置於第1位置p1之情形下，由把手H1所保持之基板W之中心wc位於正規位置cp。
其後，搬運用控制部tc1基於記憶於記憶體tm之載置座標而控制搬運機構127。藉此，保持基板W之把手H1向第2位置p2移動，如圖8(a)之下段所示，基板W正確地載置於第2位置p2。該情形，基板W之中心wc之位置與第2中心位置pp2一致。
圖8(b)中，顯示利用搬運機構127將基板W自第1位置p1搬向第2位置p2之情形之另一例。如圖8(b)之上段所示，本例中，假定基板W配置於自第1位置p1偏移之位置之情形。首先，搬運用控制部tc1基於記憶於記憶體tm之接收座標而控制搬運機構127。藉此，把手H1向第1位置p1移動。
在基板W自第1位置p1偏移之情形下，如圖8(b)之中段所示，在基板W之中心wc之位置自把手H1之正規位置cp偏移之狀態下，基板W 由把手H1接收。
其後，搬運用控制部tc1基於記憶於記憶體tm之載置座標而控制搬運機構127。藉此，保持基板W之把手H1向第2位置p2移動。於把手H1，基板W之中心wc之位置自正規位置cp偏移。該情形，如圖8(b)之下段所示，基板W載置於自第2位置p2偏移之位置，基板W之中心wc之位置自第2中心位置pp2偏移。在該狀態下，若在第2位置p2對基板W進行處理，則基板W之處理精度降低。因此，搬運用控制部tc1如以下所示般控制搬運機構127。
在本實施形態中，在利用把手H1接收基板W後至載置基板W前之期間，在圖6及圖7之旋轉構件315上把手H1自較感測器裝置316更前方之位置後退至進退基準位置。藉此分別檢測保持於把手H1之基板W之外周部之複數個部分。關於保持於把手H1之基板W之外周部之檢測方法之詳情將於後述。
搬運用控制部tc1，如圖8(c)之上段所示，基於基板W之外周部之複數個部分之檢測結果，檢測基板W之中心位置相對於把手H1之正規位置cp之偏移。接著，搬運用控制部tc1基於所檢測出之偏移，以在第2位置p2上利用把手H1所載置之基板W之中心wc之位置與第2中心位置pp2之偏移抵消之方式修正載置座標，基於修正之載置座標而控制搬運機構127。藉此，把手H1向第2位置p2移動，如圖8(c)所示，基板W正確地載置於第2位置p2。該情形，基板W之中心wc之位置與第2中心位置pp2一致。
如此，在本實施形態中，即使在基板W之中心自把手H1之正規位置cp偏移之狀態下由把手H1接收基板W之情形，基板W亦正確地載置於搬運目的地之應載置位置。
在上述之例中，雖針對利用把手H1搬運基板W之搬運動作進行說明，但利用把手H2搬運基板W之搬運動作，亦與利用把手H1搬運 基板W之搬運動作相同地進行。
如圖1、圖5及後述之圖9所示，搬運機構128、137、138具有與搬運機構127相同之構成及動作。藉此，圖5之搬運用控制部tc1以與搬運機構127相同地控制搬運機構128。又，圖5之搬運用控制部tc2以與搬運機構127相同地控制搬運機構137、138。
又，如圖1、圖5及後述之圖9所示，搬運機構141、142、146，除了移動構件314不安裝於導軌313而係安裝於可上下移動且可在水平方向移動地構成之升降裝置之方面以外，具有與搬運機構127相同之構成及動作。在搬運機構141、142、146中，升降裝置中內建有z方向驅動馬達311m(參照後述之圖11)、z方向編碼器311e(參照後述之圖11)、x方向驅動馬達313m(參照後述之圖11)及x方向編碼器313e(參照後述之圖11)。圖5之搬運用控制部tc3以與搬運機構127相同地控制搬運機構141、142。圖5之搬運用控制部tc4以與搬運機構127相同地控制搬運機構146。
(5)洗淨乾燥處理區塊之構成
圖9係顯示洗淨乾燥處理區塊14A之內部構成之圖。另，圖9係自圖1之曝光裝置15側觀察洗淨乾燥處理區塊14A之圖。
如圖9所示，搬運機構141具有用以保持基板W之把手H3、H4，搬運機構142具有用以保持基板W之把手H5、H6。
在搬運機構141之+Y側分層設置洗淨乾燥處理單元SD1，在搬運機構142之-Y側分層設置洗淨乾燥處理單元SD2。在搬運機構141、142之間，在-X側，上下設置載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，上段熱處理部303及下段熱處理部304之熱處理單元PHP係構成為可自洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W。
(6)基板處理裝置之各構成要素之動作
以下，就本實施形態之基板處理裝置100之各構成要素之動作進 行說明。
(6-1)分度器區塊11之動作
以下，主要使用圖1及圖5說明分度器區塊11之動作。在本實施形態之基板處理裝置100中，首先，在分度器區塊11之載體載置部111中，載置有收納未處理基板W之載體113。搬運機構115自該載體113取出1片基板W，將該基板W搬運至基板載置部PASS1。其後，搬運機構115自載體113取出另1片未處理基板W，將該基板W搬運至基板載置部PASS3(圖5)。
另，在基板載置部PASS2(圖5)中載置有處理完之基板W之情形下，搬運機構115將未處理基板W搬運至基板載置部PASS1後，自基板載置部PASS2取出該處理完之基板W。接著，搬運機構115將該處理完之基板W搬運至載體113。相同地，在基板載置部PASS4中載置有處理完之基板W之情形下，搬運機構115將未處理之基板W搬運至基板載置部PASS3後，自基板載置部PASS4取出該處理完之基板W。接著，搬運機構115將該處理完基板W向載體113搬運且收納於載體113。
(6-2)第1處理區塊12之動作
以下，主要使用圖1~圖3及圖5就第1處理區塊12之動作進行說明。另，在以下中，為了簡便，省略搬運機構127、128之X方向及Z方向之移動之說明。
利用搬運機構115(圖5)而載置於基板載置部PASS1(圖5)之基板W，利用搬運機構127(圖5)之把手H1取出。又，搬運機構127將保持於把手H2之基板W載置於基板載置部PASS2。另，自把手H2載置於基板載置部PASS2之基板W為顯像處理後之基板W。
接著，搬運機構127利用把手H2自上段熱處理部301(圖3)之特定之密著強化處理單元PAHP(圖3)取出密著強化處理後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H1之未處理之基板W搬入該密著強化處理 單元PAHP。
接著，搬運機構127利用把手H1自上段熱處理部301(圖3)之特定之冷卻單元CP取出冷卻處理後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H2之密著強化處理後之基板W搬入該冷卻單元CP。在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於反射防止膜形成之溫度。
接著，搬運機構127利用把手H2自塗布處理室22(圖2)之旋轉夾盤25(圖2)上取出反射防止膜形成後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H1之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾盤25上。在塗布處理室22中，利用塗布處理單元129(圖2)，在基板W上形成反射防止膜。
接著，搬運機構127利用把手H1自上段熱處理部301(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H2之反射防止膜形成後之基板W搬入該熱處理單元PHP。在熱處理單元PHP中，連續進行基板W之加熱處理及冷卻處理。
接著，搬運機構127利用把手H2自上段熱處理部301(圖4)之特定之冷卻單元CP(圖3)取出冷卻處理後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H1之熱處理後之基板W搬入該冷卻單元CP。在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於光阻膜形成處理之溫度。
接著，搬運機構127利用把手H1自塗布處理室21(圖2)之旋轉夾盤25(圖2)取出光阻膜形成後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H2之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾盤25上。在塗布處理室22中，利用塗布處理單元129(圖2)，在基板W上形成光阻膜。
接著，搬運機構127利用把手H2自上段熱處理部301(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬運機構127將保持於把手H1之光阻膜形成後之基板W搬入該熱處理單元PHP。
接著，搬運機構127將保持於把手H2之熱處理後之基板W載置於基板載置部PASS5(圖5)。又，搬運機構127利用把手H2自基板載置部 PASS6(圖5)取出顯像處理後之基板W。其後，搬運機構127將自基板載置部PASS6取出之顯像處理後之基板W搬運至基板載置部PASS2(圖5)。
藉由搬運機構127重複上述處理，在第1處理區塊12內對複數片基板W連續進行特定之處理。
搬運機構128藉由與搬運機構127相同之動作，進行基板W對於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(圖5)、塗布處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖4)之搬入及搬出。
本實施形態中，可在上方之處理部(塗布處理室21、22及上段熱處理部301)及下方之處理部(塗布處理室23、24及下段熱處理部302)中同時處理複數片基板W之處理。藉此，不用加速利用搬運機構127、128搬運基板W之搬運速度即可提高第1處理區塊12之總處理量。
另，在上述之例中，雖在塗布處理室22之反射防止膜之形成處理前在冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理，但若可適當正確地形成反射防止膜，則在反射防止膜之形成處理前亦可不進行冷卻單元CP中之基板W之冷卻處理。
(6-3)第2處理區塊13之動作
以下，主要使用圖1~圖3及圖5就第2處理區塊13之動作進行說明。另，在以下中，為了簡便，省略搬運機構137、138之X方向及Z方向之移動之說明。
利用搬運機構127載置於基板載置部PASS5(圖5)之基板W，利用搬運機構137(圖5)之把手H1取出。又，搬運機構137將保持於把手H2之基板W載置於基板載置部PASS6。另，自把手H2載置於基板載置部PASS6之基板W為顯像處理後之基板W。
接著，搬運機構137利用把手H2自塗布處理室32(圖2)之旋轉夾盤25(圖2)取出光阻保護膜形成後之基板W。又，搬運機構137將保持於 把手H1之光阻膜形成後之基板W載置於該旋轉夾盤25上。在塗布處理室32中，利用塗布處理單元129(圖2)，在基板W上形成光阻保護膜。
接著，搬運機構137利用把手H1自上段熱處理部303(圖3)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬運機構137將保持於把手H2之光阻保護膜形成後之基板W搬入該熱處理單元PHP。
接著，搬運機構137利用把手H2自邊緣曝光部EEW(圖3)取出邊緣曝光處理後之基板W。又，搬運機構137將保持於把手H1之熱處理後之基板W搬入邊緣曝光部EEW。在邊緣曝光部EEW中，進行基板W之邊緣曝光處理。
搬運機構137將保持於把手H2之邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1(圖5)，且利用該把手H2自與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之上段熱處理部303(圖3)之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。另，自與洗淨乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP取出之基板W為已於曝光裝置15中完成曝光處理之基板W。
接著，搬運機構137利用把手H1自上段熱處理部303(圖3)之特定之冷卻單元CP(圖3)取出冷卻處理後之基板W。又，搬運機構137將保持於把手H2之曝光處理後之基板W搬入該冷卻單元CP。在冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於顯像處理之溫度。
接著，搬運機構137利用把手H2自顯像處理室31(圖2)之旋轉夾盤35(圖2)取出顯像處理後之基板W。又，搬運機構137將保持於把手H1之冷卻處理後之基板W載置於該旋轉夾盤35上。在顯像處理室31中，利用顯像處理單元139進行光阻保護膜之去除處理及顯像處理。
接著，搬運機構137利用把手H1自上段熱處理部303(圖4)之特定之熱處理單元PHP取出熱處理後之基板W。又，搬運機構137將保持於把手H2之顯像處理後之基板W搬入熱處理單元PHP。其後，搬運機構137將自熱處理單元PHP取出之基板W載置於基板載置部PASS6(圖 5)。
藉由搬運機構137重複上述之處理，在第2處理區塊13內對複數片基板W連續進行特定之處理。
搬運機構138藉由與搬運機構137相同之動作，進行基板W對於基板載置部PASS7、PASS8、P-BF2(圖5)、顯像處理室33(圖2)、塗布處理室34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)之搬入及搬出。
在本實施形態中，可在上方之處理部(顯像處理室31、塗布處理室32及上段熱處理部303)及下方之處理部(顯像處理室33、塗布處理室34及下段熱處理部304)中同時處理複數片基板W之處理。藉此，不用加速利用搬運機構137、138搬運基板W之搬運速度即可提高第2處理區塊13之總處理量。
(6-4)洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作
以下，主要使用圖5及圖9就洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作進行說明。
在洗淨乾燥處理區塊14A中，搬運機構141(圖9)將利用搬運機構137(圖5)載置於載置兼緩衝部P-BF1之邊緣曝光後之基板W利用把手H3取出。
接著，搬運機構141利用把手H4自洗淨乾燥處理部161(圖9)之特定之洗淨乾燥處理單元SD1取出洗淨及乾燥處理後之基板W。又，搬運機構141將保持於把手H3之邊緣曝光後之基板W搬入該洗淨乾燥處理單元SD1。
接著，搬運機構141將保持於把手H4之洗淨及乾燥處理後之基板W載置於載置兼冷卻部P-CP(圖5)。在載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適於曝光載置15(圖1)之曝光處理之溫度。
接著，搬運機構141將利用搬運機構138(圖5)載置於載置兼緩衝部P-BF2之邊緣曝光後之基板W利用把手H3取出。接著，搬運機構 141利用把手H4自洗淨乾燥處理部161(圖9)之特定之洗淨乾燥處理單元SD1取出洗淨及乾燥處理後之基板W。又，搬運機構141將保持於把手H3之邊緣曝光後之基板W搬入該洗淨乾燥處理單元SD1。接著，搬運機構141將保持於把手H4之洗淨及乾燥處理後之基板W載置於載置兼冷卻部P-CP(圖5)。
如此，搬運機構141自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2交替取出邊緣曝光後之基板W，且將該基板W經由洗淨乾燥處理部161搬運至載置兼冷卻部P-CP。
搬運機構142(圖9)利用把手H5取出載置於基板載置部PASS9(圖5)之曝光處理後之基板W。接著，搬運機構142利用把手H6自洗淨乾燥處理部162(圖9)之特定之洗淨乾燥處理單元SD2取出洗淨及乾燥處理後之基板W。又，搬運機構142將保持於把手H5之曝光處理後之基板W搬入該洗淨乾燥處理單元SD2。
接著，搬運機構142將保持於把手H6之洗淨及乾燥處理後之基板W搬運至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖9)。在該熱處理單元PHP中，進行曝光後烘烤(PEB)處理。
接著，搬運機構142(圖9)利用把手H5取出載置於基板載置部PASS9(圖5)之曝光處理後之基板W。接著，搬運機構142利用把手H6自洗淨乾燥處理部162(圖9)之特定之洗淨乾燥處理單元SD2取出洗淨及乾燥處理後之基板W。又，搬運機構142將保持於把手H5之曝光處理後之基板W搬入該洗淨乾燥處理單元SD2。
接著，搬運機構142將保持於把手H6之洗淨及乾燥處理後之基板W搬運至下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖9)。在該熱處理單元PHP中，進行PEB處理。
如此，搬運機構142將載置於基板載置部PASS9之曝光處理後之基板W經由洗淨乾燥處理部162交替搬運至上段熱處理部303及下段熱 處理部304。
在搬入搬出區塊14B中，搬運機構146(圖5)利用把手H7取出載置於載置兼冷卻部P-CP之基板W，搬運至曝光載置15之基板搬入部15a。又，搬運機構146利用把手H8自曝光裝置15之基板搬出部15b取出曝光處理後之基板W，搬運至基板載置部PASS9。
另，在曝光裝置15無法接收基板W之情形，利用搬運機構141(圖7)將洗淨及乾燥處理後之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，第2處理區塊13之顯像處理單元139(圖2)無法接收曝光處理後之基板W之情形，利用搬運機構137、138(圖5)，將PEB處理後之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，因第1及第2處理區塊12、13之異常等使基板W未正常搬運至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之情形，可在基板W之搬運正常之前，暫時停止利用搬運機構141自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2搬運基板W。
(7)基板之外周部之檢測方法及載置座標之修正方法
在以下說明中，將圖1之複數個支持構件m、圖2之複數個旋轉夾盤25、35、圖3之旋轉夾盤98、圖2之洗淨乾燥處理單元SD1之旋轉夾盤、圖3之洗淨乾燥處理單元SD2之旋轉夾盤及圖5之載置兼冷卻部P-CP之支持構件總稱為支持部。
如上述，在基板W之搬運時，在利用例如把手H1接收基板W後保持於把手H1之基板W載置於支持部上之前之期間，把手H1在旋轉構件315上自較感測器裝置316更前方之位置後退至進退基準位置。在把手H1移動至進退基準位置之期間，利用圖6及圖7之感測器裝置316檢測利用把手H1移動之基板W之外周部之複數個部分。
圖10係用以說明利用圖6及圖7之感測器裝置316檢測基板W之外周部之複數個部分之檢測方法之圖。在圖10(a)、(c)、(e)、(g)中，把 手H1向進退基準位置後退時之把手H1、旋轉構件315及複數個檢測器316D之狀態之變化以俯視圖顯示。在圖10(b)、(d)、(f)、(h)中，分別顯示圖10(a)、(c)、(e)、(g)之Q-Q線之模式性剖面圖。另，省略把手H2之說明。
首先，在利用把手H1接收基板W之時點，把手H1位於較4個檢測器316D更前方。該情形時，把手H1並未位於4個出射部316t與4個受光部316r之間。因此，4個受光部316r接收來自分別對向之4個出射部316t之光。藉此，將光接收信號供至搬運用控制部tc1。
接著，把手H1後退。該情形時，如圖10(a)、(b)所示，把手H1進入到4個出射部316t與4個受光部316r間之空間。此時，由於自4個出射部316t出射之光被把手H1遮擋，故4個受光部316r未接收到來自分別對向之4個出射部316t之光。因此，未對搬運用控制部tc1供給光接收信號。
接著，如圖10(c)、(d)所示，把手H1通過4個出射部316t與4個受光部316r間之空間。在把手H1通過各出射部316t及與該出射部316t對向之受光部316r之間之空間之時點，各受光部316r接收來自對向之出射部316t之光。藉此，將光接收信號供至搬運用控制部tc1。
接著，如圖10(e)、(f)所示，由把手H1所保持之基板W進入到4個出射部316t與4個受光部316r之間之空間。在由把手H1所保持之基板W之外周部進入到各出射部316t及與該出射部316t對向之受光部316r之間之空間之時點，自各出射部316t出射之光被基板W之外周部遮擋。該情形時，各受光部316r未接收來自對向之出射部316t之光。因此，未對搬運用控制部tc1供給光接收信號。
接著，如圖10(g)、(h)所示，把手H1停止於進退基準位置。此時，由把手H1所保持之基板W位於4個出射部316t與4個受光部316r之間之空間。該情形時，4個受光部316r未接收來自分別對向之4個出射 部316t之光。因此，未對搬運用控制部tc1供給光接收信號。
如上述，在利用把手H1接收基板W後，把手H1在移動至進退基準位置前之期間，於搬運用控制部tc1斷續地供給分別來自4個檢測器316D之4個受光部316r之光接收信號。
搬運用控制部tc1在未被供給因基板W之外周部所致之來自4個受光部316r之各者之光接收信號之時點(圖10(e)、(f)之時點)，取得自上把手編碼器xe1(參照後述之圖11)輸出之信號。藉此，搬運用控制部tc1將上把手進退用驅動馬達xm1之動作狀態(例如，旋轉角度)作為基板W之外周部之4個部分之檢測結果而記憶於記憶體tm。
此處，在搬運用控制部tc1之記憶體tm中，預先記憶有在基板W之中心wc(圖8)處於把手H1之正規位置cp(圖8)之狀態下，藉由使保持基板W之把手H1自感測器裝置316之前方之位置移動至進退基準位置而獲得之基板W之外周部之4個部分之檢測結果作為正規資料。
感測器裝置316相對於旋轉構件315固定。因此，感測器裝置316之複數個檢測器316D之x'y'座標上之位置不變化。因此，搬運用控制部tc1，基於基板W之外周部之4個部分之檢測結果與正規資料之4個部分之檢測結果之差值，算出顯示例如把手H1位於進退基準位置時之基板W之外周部之4個部分之位置之x'y'座標。基於算出之4個部分之位置之x'y'座標，算出把手H1位於進退基準位置時之基板W中心wc之位置之x'y'座標。
把手H1之基板W中心wc之位置的x'y'座標，可基於基板W之外周部之3個部分之x'y'座標算出。在本例中，獲得基板W之外周部之4個部分之x'y'座標。藉此，例如4個部分中之1個部分為基板W之定位用之缺口(定向面或凹口)部分時，亦可基於除了缺口部分之x'y'座標以外之3個部分之x'y'座標算出基板W中心wc之位置之x'y'座標。在基板W之外徑為已知時，可基於基板W之外周部之2個部分之x'y'座標算出 基板W中心wc之位置之x'y'座標。該情形時，感測器裝置316亦可由2個或3個檢測器316D構成。
搬運用控制部tc1算出把手H1位於進退基準位置時之基板W中心wc之位置之x'y'座標後，基於所算出之x'y'座標之值檢測把手H1位於進退基準位置時之基板W中心wc之位置相對於正規位置cp之偏移。接著，搬運用控制部tc1基於所檢測之偏移以在搬運目的地之支持部中利用把手H1所載置之基板W中心wc之位置與支持部上之特定位置之偏移抵消之方式修正載置座標。
(8)搬運機構與搬運用控制部之關係
圖11係顯示搬運機構127之各構成要素與圖5之搬運用控制部tc1之關係之方塊圖。
如圖11所示，操作部90、主面板PN、z方向驅動馬達311m、z方向編碼器311e、x方向驅動馬達313m、x方向編碼器313e、θ方向驅動馬達314m、θ方向編碼器314e、上把手進退用驅動馬達xm1、上把手編碼器xe1、下把手進退用驅動馬達xm2及下把手編碼器xe2、及複數個檢測器316D連接於搬運用控制部tc1。
搬運用控制部tc1中內建有記憶體tm。記憶體tm中，記憶有上述正規資料及座標資訊(接收座標及載置座標)。
利用搬運用控制部tc1，控制主面板PN、z方向驅動馬達311m、x方向驅動馬達313m、θ方向驅動馬達314m、上把手進退用驅動馬達xm1、下把手進退用驅動馬達xm2及各檢測器316D之出射部316t之動作。
又，自z方向編碼器311e、x方向編碼器313e、θ方向編碼器314e、上把手編碼器xe1、下把手編碼器xe2及各檢測器316D之受光部316r對搬運用控制部tc1供與各種信號。再者，由使用者將操作部90之操作資訊供至搬運用控制部tc1。例如，藉由使用者操作操作部90， 亦可將正規資料及座標資訊記憶於搬運用控制部tc1之記憶體tm。
圖5之搬運機構128之各構成要素與圖5之搬運用控制部tc1之關係、圖5之搬運機構137、138之各構成要素與圖5之搬運用控制部tc2之關係、圖1之搬運機構141、142之各構成要素與圖5之搬運用控制部tc3之關係、及圖5之搬運機構146之各構成要素與圖5之搬運用控制部tc4之關係，分別與圖11所示之搬運機構127之各構成要素與搬運用控制部tc1之關係相同。
(9)搬運機構之一控制例
在搬運機構127中，利用感測器裝置316，檢測由把手H1保持之基板W之外周部。又，利用感測器裝置316，檢測由把手H2保持之基板W之外周部。
圖12及圖13係顯示用以利用1個感測器裝置316檢測保持於2個把手H1、H2之2片基板W之外周部之搬運機構127之一控制例之圖。在圖12(a)~(e)及圖13(a)~(c)中，把手H1、H2及1個感測器316D之位置關係以縱剖面圖顯示。
在初始狀態下，於把手H1、H2均未保持基板W。又，把手H1、H2位於進退基準位置FBP。該情形時，受光部316r接收自出射部316t出射且通過把手H1、H2之引導部Ha(參照圖7(a)、(b))之內側之光。
如圖12(a)所示，首先下側之把手H2自進退基準位置FBP向檢測器316D之前方前進，接收配置於特定位置之基板W。此時，受光部316r接收自出射部316t出射之光。
接著，保持基板W之把手H2向進退基準位置FBP後退。該情形時，如圖12(b)所示，在把手H2移動至進退基準位置FBP前之期間，受光部316r接收自出射部316t出射且通過基板W之外周部與把手H2之間之光。其後，若把手H2到達進退基準位置FBP，則由把手H2保持之基板W位於出射部316t與受光部316r之間。藉此，如圖12(c)所示， 受光部316r未接收來自對應之出射部316t之光。
如上所述般把手H2移動。藉此，基於自受光部316r輸出之光接收信號而檢測由把手H2保持之基板W之外周部之複數個部分。
接著，如圖12(d)所示，上側之把手H1自進退基準位置FBP向檢測器316D之前方前進，接收配置於特定位置之基板W。此時，自出射部316t出射之光，被由把手H2所保持之基板W遮擋。因此，受光部316r未接收到自出射部316t出射之光。
接著，如圖12(e)所示，保持基板W之把手H1向進退基準位置FBP後退，且保持基板W之把手H2自進退基準位置FBP前進。其後，如圖13(a)所示，把手H2移動至較出射部316t及受光部316r更前方。如此，在把手H1移動至進退基準位置FBP前之期間，受光部316r接收自出射部316t出射且通過基板W之外周部與把手H2之間之光。
若把手H1移動至進退基準位置FBP，則由把手H1保持之基板W位於出射部316t與受光部316r之間。藉此，如圖13(b)所示，受光部316r未接收來自對應之出射部316t之光。
如上所述般把手H1、H2移動。藉此，基於自受光部316r輸出之光接收信號，檢測由把手H1保持之基板W之外周部之複數個部分。
其後，如圖13(c)所示，由前進之把手H2所保持之基板W載置於支持部上後，把手H2後退至進退基準位置FBP。
如上所述，在本實施形態中，藉由把手H1、H2相互反方向進退動作，可利用1個感測器裝置316檢測由2個把手H1、H2所保持之2片基板W之外周部之複數個部分。
(10)實施形態之效果
(10-1)在本實施形態之基板處理裝置100中，複數個搬運用控制部tc1~tc4之各者之記憶體tm中，預先記憶有用以在複數個位置之間搬運基板W之座標資訊。又，在各記憶體tm中預先記憶有基板W之中心 wc位於把手之正規位置cp時之基板W之外周部之4個部分的檢測結果作為正規資料。
在由各搬運用控制部控制之搬運機構中，在利用把手將基板W載置於支持部上之前，分別檢測利用把手所移動之基板W之外周部之複數個部分。
各搬運用控制部基於基板W之外周部之複數個部分之檢測結果、載置座標及正規資料，以在搬運目的地之支持部中由把手所載置之基板W之位置與支持部上之特定位置之偏移抵消之方式修正載置座標。各搬運用控制部基於所修正之載置座標控制搬運機構。
藉此，即使由把手所保持之基板W之位置自正規位置偏移時，亦不用另外設置用以修正基板相對於把手之位置偏移之機構或用以修正基板相對於支持部之位置偏移之機構即可將由把手所保持之基板W正確地載置於支持部上之特定位置。
其後，在基板W正確地載置於支持部上之特定位置之狀態下，對基板W進行各種處理。藉此，提高基板W之處理精度。又，在本實施形態中，由於檢測利用把手移動之基板W之外周部之複數個部分，故無須因檢測出基板W之位置偏移而使基板W之移動停止。因此，基板處理之總處理量不會降低。
該等之結果，可藉簡單之構成一面抑制成本之增加一面不會使基板處理之總處理量下降地提高基板W之處理精度。
(10-2)在本實施形態中，各搬運機構之把手係藉由以複數個吸附部sm吸附基板W之背面而保持基板W。
在吸附基板W之背面之狀態下基板W由把手所保持時，為了修正基板W相對於把手之位置偏移，需要解除利用吸附部sm對基板W之吸附。
在本實施形態之基板處理裝置100中，由於不用修正基板W相對 於把手之位置偏移就可修正基板W相對於支持部之位置偏移，故無須解除基板W之吸附。因此，基板處理之總處理量不會降低。
又，由於基板W在利用把手之複數個吸附部sm吸附之狀態下移動，故在利用複數個檢測器316D檢測基板W之外周部之複數個部分後，基板W相對於把手之位置不會變化。因此，由於基板W正確載置於支持部上之特定位置，故可更提高基板W之處理精度。
(10-3)複數個檢測器316D之各者於利用把手移動基板W之移動路徑出射光且將自移動路徑之反射光或透射光作為反饋光與以接收，藉此輸出光接收信號。藉此，利用把手移動之基板W之外周部之複數個部分可非接觸而容易且正確地被檢測。
(10-4)在本實施形態中，各搬運用控制部基於來自複數個檢測器316D之光接收信號分別檢測基板W之外周部之複數個部分。各搬運用控制部，基於自旋轉構件315內之上把手編碼器xe1或下把手編碼器xe2檢測基板W之外周部之各部分之時點輸出之信號，修正載置座標。藉此，使支持部上由把手載置之基板W之位置與支持部上之特定位置之偏移抵消。如此，不用進行圖像處理等之複雜之處理即可迅速地修正載置座標。
(10-5)在本實施形態中，由複數個搬運用控制部tc1~tc4控制之複數個搬運機構之各者具有2個把手。在各搬運機構中，藉由利用一把手保持基板W而檢測保持於一把手之基板W之外周部之複數個部分，修正關於由一把手保持之基板W之載置資訊。又，藉由利用另一把手保持基板W而檢測保持於另一把手之基板W之外周部之複數個部分，修正關於由另一把手保持之基板W之載置資訊。
如此，藉由在每個搬運機構中以2個把手搬運基板W，可一面使基板處理之總處理量進一步提高一面使基板W之處理精度提高。
(10-6)在各檢測器316D中藉由使基板W之外周部之4個部分通過 出射部316t與受光部316r之間而檢測基板W之外周部之4個部分。在本實施形態中，各搬運用控制部在由4個檢測器316D檢測基板W之外周部之4個部分時，亦可不將把手退回至進退基準位置FBP，而將基板W向支持部搬運之方式控制搬運機構。
該情形時，如上述，4個檢測器316D較好為在引導部Ha(圖7(a))之內周部以平行之圓弧ar(圖7(a))空出一定之間隔配置。在基板W之中心wc之位置未自把手之正規位置cp大幅偏移之情形下，可在大致相同之時點利用4個檢測器316D檢測基板W之外周部之4個部分。藉此，可縮短用以檢測基板W之外周部之複數個部分之時間。又，由於未必需要將把手退回至進退基準位置FBP，故基板W之移動路徑變短，從而縮短基板W之搬運時間。
(11)其他實施形態
(11-1)在上述實施形態中，各搬運機構之把手藉由以複數個吸附部sm吸附基板W之背面而保持基板W。不限於此，各搬運機構之把手，可具有藉由抵接於基板W之外周端部而保持基板W之外周端部之機構，代替吸附基板W之背面之機構。
在保持基板W之外周端部之把手中，因與基板W之外周端部之抵接部分磨損，而有基板W在自正規位置cp偏移之狀態下由把手保持之可能性。該情形時，有基板W載置於自應該載置之位置偏移之位置之可能性。如此之情形，藉由檢測保持於把手之基板W之外周端部之複數個位置，亦可正確地將基板W載置於支持部上之特定位置。
(11-2)在上述實施形態中，各搬運機構可具有3個以上之把手。該情形時，可一面使基板處理之總處理量進一步提高一面使基板W之處理精度提高。
(11-3)在上述實施形態中，複數個檢測器316D之複數個出射部316t，以自基板W之下方之位置向基板W之上方之方式出射光。不限 於此，複數個檢測器316D之複數個出射部316t亦可以自基板W之上方之位置向基板W之上方之方式出射光。
(11-4)在上述實施形態中，複數個檢測器316D之複數個受光部316r係配置為將自複數個出射部316t出射並通過基板W之移動路徑之透射光作為反饋光而接收。不限於此，複數個受光部316r亦可配置為將自複數個出射部316t出射並自基板W之移動路徑反射之光作為反饋光而接收。
(11-5)在上述實施形態中，由把手所保持之基板W之外周部之複數個部分利用光學式之感測器裝置316進行檢測。不限於此，由把手所保持之基板W之外周部之複數個部分亦可利用超音波感測器等之其他感測器裝置進行檢測。
又，可代替感測器裝置316而使用以沿著基板W之外周部之至少一部分之方式形成之投受光型之線性感測器。該情形時，利用線性感測器檢測基板W之外周部之至少一部分，並基於檢測結果檢測基板W之位置偏移。
(11-6)在上述實施形態中，在塗布處理室32、34中，雖利用塗布處理單元129在基板W上形成光阻保護膜，但在塗布處理室21、23中，形成具有耐水性之光阻膜之情形時，在塗布處理室32、34中，亦可不形成光阻保護膜。
另，未在基板W上形成光阻保護膜之情形時，亦可不設置塗布處理室32、34，又，在塗布處理室32、34中，亦可進行光阻膜之形成或顯像處理等之其他處理。
(11-7)在上述實施形態中，雖使用藉由液浸法進行基板W之曝光處理之曝光裝置15作為基板處理裝置100之外部裝置，但並不限於此，不使用液體而進行基板W之曝光處理之曝光裝置亦可作為基板處理裝置100之外部裝置使用。
(12)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應
以下，雖就技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
在上述實施形態中，係基板W為基板之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，支持構件m、旋轉夾盤25、35、98、洗淨乾燥處理單元SD1、SD2之旋轉夾盤及載置兼冷卻部P-CP之支持構件為支持部之例。
又，熱處理單元PHP、密著強化處理單元PAHP、冷卻單元CP、塗布處理單元129、顯像處理單元139、邊緣曝光部EEW、洗淨乾燥處理單元SD1、SD2及載置兼冷卻部P-CP為處理單元之例，把手H1、H3、H5、H7分別為第1保持部之例，搬運機構127、128、137、138、141、142、146為搬運裝置之例，座標資訊為控制資訊之例。
再者，搬運用控制部tc1~tc4之記憶體tm為記憶部之例，搬運用控制部tc1~tc4為控制部之例，複數個檢測器316D為複數個檢測器之例，吸附部sm為吸附保持機構之例。
又，旋轉夾盤25、35、98及洗淨乾燥處理單元SD1、SD2之旋轉夾盤為旋轉保持裝置之例，噴嘴28a、28b、狹縫噴嘴38、光出射器99及洗淨乾燥處理單元SD1、SD2之洗淨液供給機構為膜處理裝置之例，噴嘴28b為膜去除機構之例，光出射器99為光照射機構之例，熱處理單元PHP、密著強化處理單元PAHP及冷卻單元CP之支持板sp及載置兼冷卻部P-CP之支持板為溫度處理裝置之例，支持構件m及載置兼冷卻部P-CP之支持構件為支持構件之例，把手H2、H4、H6、H8分別為第2保持部之例。
作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中記載之構成或功能之其他各種要素。
cp‧‧‧正規位置
H1‧‧‧把手
p1‧‧‧第1位置
p2‧‧‧第2位置
pp1‧‧‧第1中心位置
pp2‧‧‧第2中心位置
W‧‧‧基板
wc‧‧‧基板之中心

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包含：處理單元，其具有支持基板之支持部，且以對由上述支持部所支持之基板進行處理之方式構成；搬運裝置，其具有以保持基板之方式構成之第1保持部，且以藉由使上述第1保持部移動而搬運基板之方式構成；記憶部，其記憶以上述搬運裝置之上述第1保持部將基板載置於上述處理單元之上述支持部之特定位置之方式用以控制上述搬運裝置之控制資訊；控制部，其基於由上述記憶部所記憶之控制資訊而控制上述搬運裝置；及複數個檢測器，其等在上述第1保持部將基板載置於上述支持部上之前，以分別檢測由上述第1保持部所移動之基板之外周部之複數個部分之方式設置；且上述控制部係構成為在上述第1保持部將基板載置於上述支持部上之前，基於上述複數個檢測器之輸出信號，以在上述支持部上由上述第1保持部所要載置之基板之位置與上述特定位置之偏移抵消之方式修正上述控制資訊，且基於經修正之控制資訊而控制上述搬運裝置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1保持部具有吸附基板之一面之吸附保持機構。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個檢測器之各者係構成為對利用上述第1保持部之基板之移動路徑出射光且將來自移動路徑之反射光或透射光作為反饋光而接收，輸出表示有無接收上述反饋光之信號作為上述檢測結果。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述控制部係基於上述複數個檢測器之輸出信號而檢測利用上述複數個檢測器分別檢測出基板之外周部之複數個部分之時點，且基於檢測出之各個時點，以在上述支持部上由上述第1保持部所要載置之基板之位置與上述特定位置之偏移抵消之方式修正上述控制資訊。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個檢測器包含3個以上之檢測器，該等檢測器以分別檢測利用上述第1保持部所移動之基板之外周部之3個以上之部分之方式設置。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述支持部包含一面以水平姿勢保持基板一面使其旋轉之旋轉保持裝置；上述處理單元進而包含對保持於上述旋轉保持裝置之基板上之膜進行處理之膜處理裝置。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述膜處理裝置包含以去除利用上述旋轉保持裝置所保持之基板上之膜之周緣部之方式構成之膜去除機構。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述膜處理裝置包含以對利用上述旋轉保持裝置所保持之基板上之膜之周緣部照射曝光光之方式構成之光照射機構。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述處理單元進而包含對基板進行溫度處理之溫度處理裝置；上述支持部包含將基板支持在上述溫度處理裝置之上表面上之支持構件。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述搬運裝置進而包含以保持基板之方式構成之第2保持部， 且以藉由使上述第2保持部移動而搬運基板之方式構成；上述記憶部記憶以上述搬運裝置之上述第2保持部將基板載置於上述處理單元之上述支持部之特定位置之方式用以控制上述搬運裝置之控制資訊；上述複數個檢測器係以在上述第2保持部將基板載置於上述支持部上之前，分別檢測利用上述第2保持部所移動之基板之外周部之複數個部分之方式設置；且上述控制部係構成為在上述第2保持部將基板載置於上述支持部上之前，基於上述複數個檢測器之輸出信號，以在上述持部上利用上述第2保持部所要載置之基板之位置與上述特定位置之偏移抵消之方式修正上述控制資訊，基於經修正之控制資訊控制上述搬運裝置。
  11. 一種基板處理方法，其係使用基板處理裝置對基板進行處理者，上述基板處理裝置包含：處理單元，其具有支持基板之支持部，且構成為對由上述支持部所支持之基板進行處理；及搬運裝置，其具有以保持基板之方式構成之保持部，且以藉由使上述保持部移動而搬運基板之方式構成；且上述基板處理方法包含下述步驟：記憶以上述搬運裝置之上述保持部將基板載置於上述處理單元之上述支持部之特定位置之方式用以控制上述搬運裝置之控制資訊；在上述保持部將基板載置於上述支持部上之前，利用複數個檢測器分別檢測由上述保持部所移動之基板之外周部之複數個部分； 在上述保持部將基板載置於上述支持部上之前，基於上述複數個檢測器之輸出信號，以在上述支持部上利用上述保持部所載置之基板之位置與上述特定位置之偏移抵消之方式修正上述控制資訊；基於經修正之控制資訊，以上述搬運裝置之上述保持部將基板載置於上述處理單元之上述支持部之特定位置之方式控制上述搬運裝置；及在基板被載置於上述處理單元之上述支持部之特定位置後，利用上述處理單元對基板進行處理。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6121832B2 (ja) * 2013-07-29 2017-04-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理システム
JP6285275B2 (ja) * 2014-04-30 2018-02-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6316082B2 (ja) * 2014-04-30 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6422695B2 (ja) 2014-07-18 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6339909B2 (ja) 2014-09-17 2018-06-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10755960B2 (en) * 2014-11-04 2020-08-25 Brooks Automation, Inc. Wafer aligner
JP6425639B2 (ja) * 2015-04-08 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US9640418B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs
US11183401B2 (en) 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
JP6666164B2 (ja) 2016-02-17 2020-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101817209B1 (ko) 2016-06-24 2018-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6298109B2 (ja) * 2016-07-08 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 基板処理装置及びアライメント方法
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
JP6842934B2 (ja) 2017-01-27 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、検出位置較正方法および基板処理装置
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
JP7021877B2 (ja) * 2017-08-08 2022-02-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、位置合わせ装置および位置合わせ方法
JP7187147B2 (ja) * 2017-12-12 2022-12-12 東京エレクトロン株式会社 搬送装置のティーチング方法及び基板処理システム
KR102108311B1 (ko) * 2018-04-18 2020-05-11 세메스 주식회사 반송 유닛 및 반송 방법
JP7178223B2 (ja) * 2018-09-21 2022-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7303648B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置における対象物の搬送方法
US20220154342A1 (en) * 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7382164B2 (ja) 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6719629B2 (ja) * 2019-07-31 2020-07-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及び搬送方法
US11295975B2 (en) * 2019-09-13 2022-04-05 Brooks Automation Us, Llc Method and apparatus for substrate alignment
JP7429579B2 (ja) * 2020-03-27 2024-02-08 株式会社ダイヘン アライナ装置および板状ワークの位置ずれ補正方法
CN114156198A (zh) * 2020-09-07 2022-03-08 株式会社斯库林集团 位置判定装置、衬底搬送装置、位置判定方法及衬底搬送方法
JP2022060712A (ja) * 2020-10-05 2022-04-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置
US11942345B2 (en) * 2022-07-15 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Automated substrate placement to chamber center

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW451384B (en) * 1999-04-07 2001-08-21 Kokusai Electric Co Ltd Manufacturing method of semiconductor and device for manufacturing semiconductor
TW200901279A (en) * 2007-03-13 2009-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI335020B (en) * 2006-03-14 2010-12-21 Sanyo Electric Co Pll controlling circuit of cpmpact disc device and program for controlling compact disc device
US20110063588A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Kashiyama Masahito Substrate processing apparatus, substrate processing system and inspection/periphery exposure apparatus
US20120045852A1 (en) * 2009-02-23 2012-02-23 Applied Materials, Inc. Autotuned screen printing process

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4559718A (en) * 1983-08-02 1985-12-24 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
JPH11195686A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Hitachi Techno Eng Co Ltd ウエハ搬送装置
JP2002043394A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 位置ずれ検出装置及び処理システム
JP2005101080A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2008053643A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 Hirata Corp 基板移載ロボット
JP2008060302A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
KR100862702B1 (ko) * 2006-11-03 2008-10-10 세메스 주식회사 기판 정렬 감지장치
JP4697192B2 (ja) * 2007-06-12 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 位置ずれ検出装置及びこれを用いた処理システム
JP2009064807A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Tokyo Electron Ltd 基板位置ずれ検出システム
JP2009071008A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
DE102008037419A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Position eines scheibenförmigen Objekts
JP2011242534A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Hitachi Plant Technologies Ltd 基板搬送装置と基板の傾き補正
JP5490741B2 (ja) 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW451384B (en) * 1999-04-07 2001-08-21 Kokusai Electric Co Ltd Manufacturing method of semiconductor and device for manufacturing semiconductor
TWI335020B (en) * 2006-03-14 2010-12-21 Sanyo Electric Co Pll controlling circuit of cpmpact disc device and program for controlling compact disc device
TW200901279A (en) * 2007-03-13 2009-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US20120045852A1 (en) * 2009-02-23 2012-02-23 Applied Materials, Inc. Autotuned screen printing process
US20110063588A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Kashiyama Masahito Substrate processing apparatus, substrate processing system and inspection/periphery exposure apparatus

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