JP2002093786A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JP2002093786A JP2002093786A JP2000283011A JP2000283011A JP2002093786A JP 2002093786 A JP2002093786 A JP 2002093786A JP 2000283011 A JP2000283011 A JP 2000283011A JP 2000283011 A JP2000283011 A JP 2000283011A JP 2002093786 A JP2002093786 A JP 2002093786A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程の真空処理装置において、円
形基板（ウエハ）の中心と電極等の中心を一致させ真空
処理することが重要である。本発明は、円形基板間の半
径の寸法ばらつきが大きい場合や、半径のばらつきに影
響されることなく精度良く基板の中心を検出し電極の中
心と一致することを目的とする。 【解決手段】 円形基板を回転可能なステージ上に載置
し、ステージを回転させ測定手段により円形基板外周上
の点Ａ，点Ｂ，点Ｃの３点の座標を求め、線分ＡＢの垂
直二等分線ＹＡＢと線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求
め、垂直二等分線ＹＡＢと垂直二等分線ＹＢＣの交点Ｏ
ｗを求め、円形基板外周上の点Ｄの座標を求め、線分Ｃ
Ｄの垂直二等分線ＹＣＤを求め、交点Ｏｗと垂直二等分
線ＹＣＤの距離が許容値以内であれば交点Ｏｗを前記円
形基板の中心とする。
形基板（ウエハ）の中心と電極等の中心を一致させ真空
処理することが重要である。本発明は、円形基板間の半
径の寸法ばらつきが大きい場合や、半径のばらつきに影
響されることなく精度良く基板の中心を検出し電極の中
心と一致することを目的とする。 【解決手段】 円形基板を回転可能なステージ上に載置
し、ステージを回転させ測定手段により円形基板外周上
の点Ａ，点Ｂ，点Ｃの３点の座標を求め、線分ＡＢの垂
直二等分線ＹＡＢと線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求
め、垂直二等分線ＹＡＢと垂直二等分線ＹＢＣの交点Ｏ
ｗを求め、円形基板外周上の点Ｄの座標を求め、線分Ｃ
Ｄの垂直二等分線ＹＣＤを求め、交点Ｏｗと垂直二等分
線ＹＣＤの距離が許容値以内であれば交点Ｏｗを前記円
形基板の中心とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、円形基板のプラズ
マ処理方法に関するものであり、より詳細には半導体の
製造に用いるウエハのプラズマ処理方法に関するもので
ある。
マ処理方法に関するものであり、より詳細には半導体の
製造に用いるウエハのプラズマ処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体製造工程の真空処理（プ
ラズマ処理）装置において、円形基板（ウエハ）の加工
や膜付けを均一にするために、円形基板（ウエハ）の中
心と電極等の中心を一致させ真空（プラズマ）処理する
ことが重要であった。
ラズマ処理）装置において、円形基板（ウエハ）の加工
や膜付けを均一にするために、円形基板（ウエハ）の中
心と電極等の中心を一致させ真空（プラズマ）処理する
ことが重要であった。
【０００３】ここで従来の円形基板半径の値を一定値と
して円形基板の中心を検出する方法の概略図を図４に、
フローチャートを図５に示す。図４において、円周上に
ノッチ（切欠き）４がある円形基板（ウエハ）１をステ
ージ２上に置く（ステップＳ１）。円形基板１の上下に
配置したラインセンサー３により円形基板１の外周上の
点Ｓの位置を測定する（ステップＳ２）。次に、円形基
板１を置いた状態でステージ２を回転中心Ｏを中心に角
度θＳＴ回転させる（ステップＳ３）。ラインセンサー
３により円形基板１の外周上の点Ｔの位置を測定する
（ステップＳ４）。測定された点Ｓ，点Ｔの位置と、角
度θＳＴから点Ｓ，Ｔの座標を求める。求められた座標
に基づき、点Ｓを中心とする円形基板の設計値である半
径Ｒｗの円弧と、点Ｔを中心とする半径Ｒｗの円弧との
交点Ｏｘを求める（ステップＳ５）。さらにステージ２
を回転中心Ｏを中心に角度θＴＵ回転させる（ステップ
Ｓ６）。ラインセンサー３により円形基板１の外周上の
点Ｕの位置を測定する（ステップＳ７）。測定された点
Ｕの位置と、角度θＴＵから点Ｕの座標を求める。求め
られた座標に基づき、点Ｕと点Ｏｘの距離Ｖを求める
（ステップＳ８）。距離Ｖと円形基板１の設計値である
半径Ｒｗの差が許容値以下かを判断する（ステップＳ
９）。許容値以下なら点Ｏｘを円形基板１の中心とす
る。許容値より上（ノッチ４が点Ｓ，Ｔ，Ｕのいずれか
に重なった場合など）ならステージ２を回転させる（ス
テップＳ１１）。そして再びステップＳ２に戻り上記検
出を許容値以下になるまで繰返す。
して円形基板の中心を検出する方法の概略図を図４に、
フローチャートを図５に示す。図４において、円周上に
ノッチ（切欠き）４がある円形基板（ウエハ）１をステ
ージ２上に置く（ステップＳ１）。円形基板１の上下に
配置したラインセンサー３により円形基板１の外周上の
点Ｓの位置を測定する（ステップＳ２）。次に、円形基
板１を置いた状態でステージ２を回転中心Ｏを中心に角
度θＳＴ回転させる（ステップＳ３）。ラインセンサー
３により円形基板１の外周上の点Ｔの位置を測定する
（ステップＳ４）。測定された点Ｓ，点Ｔの位置と、角
度θＳＴから点Ｓ，Ｔの座標を求める。求められた座標
に基づき、点Ｓを中心とする円形基板の設計値である半
径Ｒｗの円弧と、点Ｔを中心とする半径Ｒｗの円弧との
交点Ｏｘを求める（ステップＳ５）。さらにステージ２
を回転中心Ｏを中心に角度θＴＵ回転させる（ステップ
Ｓ６）。ラインセンサー３により円形基板１の外周上の
点Ｕの位置を測定する（ステップＳ７）。測定された点
Ｕの位置と、角度θＴＵから点Ｕの座標を求める。求め
られた座標に基づき、点Ｕと点Ｏｘの距離Ｖを求める
（ステップＳ８）。距離Ｖと円形基板１の設計値である
半径Ｒｗの差が許容値以下かを判断する（ステップＳ
９）。許容値以下なら点Ｏｘを円形基板１の中心とす
る。許容値より上（ノッチ４が点Ｓ，Ｔ，Ｕのいずれか
に重なった場合など）ならステージ２を回転させる（ス
テップＳ１１）。そして再びステップＳ２に戻り上記検
出を許容値以下になるまで繰返す。
【０００４】この方法で求めた円形基板の中心と真空処
理装置の電極の中心を一致させ円形基板にプラズマ処理
を行っていた。
理装置の電極の中心を一致させ円形基板にプラズマ処理
を行っていた。
【０００５】この方法では、使用する円周上の点の数が
最小で点Ａ，Ｂ，Ｃの３点であるという利点があるが、
基板の半径を設計値Ｒｗの一定値で規定しているため、
円形基板の基板間での半径のばらつきが大きい場合に
は、中心を正確に求めるのが困難になる。また近年、基
板は大口径化する傾向にあり、円形基板半径の寸法誤差
が大きくなるため、よりいっそう円形基板の中心を正確
に検出するのが困難になる。
最小で点Ａ，Ｂ，Ｃの３点であるという利点があるが、
基板の半径を設計値Ｒｗの一定値で規定しているため、
円形基板の基板間での半径のばらつきが大きい場合に
は、中心を正確に求めるのが困難になる。また近年、基
板は大口径化する傾向にあり、円形基板半径の寸法誤差
が大きくなるため、よりいっそう円形基板の中心を正確
に検出するのが困難になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体の製造工程での
真空処理（プラズマ処理）時に全ての円形基板を均一に
真空処理するためには、円形基板の中心とプラズマを発
生させる電極等の中心を正確に位置合わせする必要があ
る。しかしながら、従来の方法では円形基板の基板間で
の半径のばらつきが大きい場合に、中心を正確に求める
のが困難であるため、円形基板を均一に真空処理するこ
とが出来なかった。
真空処理（プラズマ処理）時に全ての円形基板を均一に
真空処理するためには、円形基板の中心とプラズマを発
生させる電極等の中心を正確に位置合わせする必要があ
る。しかしながら、従来の方法では円形基板の基板間で
の半径のばらつきが大きい場合に、中心を正確に求める
のが困難であるため、円形基板を均一に真空処理するこ
とが出来なかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、半導体ウエハである円周上に切欠き（ノッ
チ）の有る円形基板を回転可能なステージ上に載置し、
ステージを回転させ測定手段により円形基板外周上の点
Ａ，点Ｂ，点Ｃの３点の座標を求め、線分ＡＢの垂直二
等分線ＹＡＢと線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求め、
垂直二等分線ＹＡＢと垂直二等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを
求め、交点Ｏｗを円形基板の中心とすることを特徴とす
る。
に本発明は、半導体ウエハである円周上に切欠き（ノッ
チ）の有る円形基板を回転可能なステージ上に載置し、
ステージを回転させ測定手段により円形基板外周上の点
Ａ，点Ｂ，点Ｃの３点の座標を求め、線分ＡＢの垂直二
等分線ＹＡＢと線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求め、
垂直二等分線ＹＡＢと垂直二等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを
求め、交点Ｏｗを円形基板の中心とすることを特徴とす
る。
【０００８】また、上記方法の後さらに、円形基板外周
上の点Ｄの座標を求め、線分ＣＤの垂直二等分線ＹＣＤ
を求め、交点Ｏｗと垂直二等分線ＹＣＤの距離が許容値
以内であれば交点Ｏｗを前記円形基板の中心とすること
を特徴とする。
上の点Ｄの座標を求め、線分ＣＤの垂直二等分線ＹＣＤ
を求め、交点Ｏｗと垂直二等分線ＹＣＤの距離が許容値
以内であれば交点Ｏｗを前記円形基板の中心とすること
を特徴とする。
【０００９】本発明によれば、円形基板間の半径の寸法
ばらつきが大きい場合や、基板の大口径化に伴い半径の
寸法誤差が大きくなった場合にも、半径のばらつきに影
響されることなく精度良く基板の中心を検出することが
でき、円形基板（ウエハ）の加工や膜付けを均一にする
ことが可能になる。
ばらつきが大きい場合や、基板の大口径化に伴い半径の
寸法誤差が大きくなった場合にも、半径のばらつきに影
響されることなく精度良く基板の中心を検出することが
でき、円形基板（ウエハ）の加工や膜付けを均一にする
ことが可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１〜図３に本発明の実施の形態
を示す。
を示す。
【００１１】図１は本発明の円形基板の中心を検出する
方法の概略図であり、図２はその方法の動作を示すフロ
ーチャートであり、図３はプラズマ処理装置の概略断面
図である。図１において、円周上にノッチ（切欠き）４
がある円形基板（ウエハ）１をステージ２上に置く（ス
テップＳ１）。円形基板１の上下に配置したラインセン
サー（測定手段）３により円形基板１の外周上の点Ａの
位置を測定する（ステップＳ２）。次に、円形基板１を
置いた状態でステージ２を回転中心Ｏを中心に角度θＡ
Ｂ回転させる（ステップＳ３）。ラインセンサー３によ
り円形基板１の外周上の点Ｂの位置を測定する（ステッ
プＳ４）。同様に、ステージ２を回転中心Ｏを中心に角
度θＢＣ回転させる（ステップＳ５）。そしてラインセ
ンサー３により円形基板１の外周上の点Ｃの位置を測定
する（ステップＳ６）。測定された点Ａ，Ｂ，Ｃの位置
と、角度θＡＢ，θＢＣから点Ａ，Ｂ，Ｃの座標を求め
る（ステップＳ７）。求められた座標に基づき、線分Ａ
Ｂの垂直二等分線ＹＡＢを求める（ステップＳ８）。同
様に、線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求める（ステッ
プＳ９）。こうして求めた垂直二等分線ＹＡＢと垂直二
等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを求める（ステップＳ１０）。
同様に、円形基板１を置いた状態でステージ２を回転中
心Ｏを中心に角度θＣＤ回転させる。（ステップＳ１
１）ラインセンサー３により円形基板１の外周上の点Ｄ
の位置を測定する（ステップＳ１２）。こうして測定さ
れた点Ｄの位置と、角度θＣＤから点Ｄの座標を求める
（ステップＳ１３）。求めた点Ｄと前に求めた点Ｃのそ
れぞれ座標に基づき、線分ＣＤの垂直二等分線ＹＣＤを
求める（ステップＳ１４）。交点Ｏｗと線分ＣＤの垂直
二等分線ＹＣＤとの距離Ｈを求める（ステップＳ１
５）。ここで距離Ｈが許容値以下なら交点Ｏｗを円形基
板１の中心とする（ステップＳ１６）。また距離Ｈが許
容値より上（ノッチ４が点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれかに
重なった場合など）ならステージ２を回転させる（ステ
ップＳ１７）。そして再びステップＳ２に戻り上記検出
を許容値以下になるまで繰返す。
方法の概略図であり、図２はその方法の動作を示すフロ
ーチャートであり、図３はプラズマ処理装置の概略断面
図である。図１において、円周上にノッチ（切欠き）４
がある円形基板（ウエハ）１をステージ２上に置く（ス
テップＳ１）。円形基板１の上下に配置したラインセン
サー（測定手段）３により円形基板１の外周上の点Ａの
位置を測定する（ステップＳ２）。次に、円形基板１を
置いた状態でステージ２を回転中心Ｏを中心に角度θＡ
Ｂ回転させる（ステップＳ３）。ラインセンサー３によ
り円形基板１の外周上の点Ｂの位置を測定する（ステッ
プＳ４）。同様に、ステージ２を回転中心Ｏを中心に角
度θＢＣ回転させる（ステップＳ５）。そしてラインセ
ンサー３により円形基板１の外周上の点Ｃの位置を測定
する（ステップＳ６）。測定された点Ａ，Ｂ，Ｃの位置
と、角度θＡＢ，θＢＣから点Ａ，Ｂ，Ｃの座標を求め
る（ステップＳ７）。求められた座標に基づき、線分Ａ
Ｂの垂直二等分線ＹＡＢを求める（ステップＳ８）。同
様に、線分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求める（ステッ
プＳ９）。こうして求めた垂直二等分線ＹＡＢと垂直二
等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを求める（ステップＳ１０）。
同様に、円形基板１を置いた状態でステージ２を回転中
心Ｏを中心に角度θＣＤ回転させる。（ステップＳ１
１）ラインセンサー３により円形基板１の外周上の点Ｄ
の位置を測定する（ステップＳ１２）。こうして測定さ
れた点Ｄの位置と、角度θＣＤから点Ｄの座標を求める
（ステップＳ１３）。求めた点Ｄと前に求めた点Ｃのそ
れぞれ座標に基づき、線分ＣＤの垂直二等分線ＹＣＤを
求める（ステップＳ１４）。交点Ｏｗと線分ＣＤの垂直
二等分線ＹＣＤとの距離Ｈを求める（ステップＳ１
５）。ここで距離Ｈが許容値以下なら交点Ｏｗを円形基
板１の中心とする（ステップＳ１６）。また距離Ｈが許
容値より上（ノッチ４が点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのいずれかに
重なった場合など）ならステージ２を回転させる（ステ
ップＳ１７）。そして再びステップＳ２に戻り上記検出
を許容値以下になるまで繰返す。
【００１２】図３に示すように、上記方法で求めた円形
基板１の中心と、真空（プラズマ）処理装置の下部電極
３２の中心を一致させ、真空容器３１内にガス供給口よ
り反応ガスを供給し、高周波電源３３から上部電極３５
と下部電極３２に高周波電力を供給しプラズマを発生さ
せ円形基板にエッチング（プラズマ）処理を行う。
基板１の中心と、真空（プラズマ）処理装置の下部電極
３２の中心を一致させ、真空容器３１内にガス供給口よ
り反応ガスを供給し、高周波電源３３から上部電極３５
と下部電極３２に高周波電力を供給しプラズマを発生さ
せ円形基板にエッチング（プラズマ）処理を行う。
【００１３】なお、円形基板の真円度の誤差が少ない場
合は、ステップ９で求めた垂直二等分線ＹＡＢと垂直二
等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを円形基板の中心とする事がで
きる。
合は、ステップ９で求めた垂直二等分線ＹＡＢと垂直二
等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを円形基板の中心とする事がで
きる。
【００１４】なお、本実施例の角度θＡＢ，θＢＣ，角
度θＣＤは、ノッチ４よりも十分大きくかつ３６０度の
約数でないほうが点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ各点とノッチ４の重
なる確率が低くなり、ステップＳ１４で距離Ｈが許容値
以下になりやすくより早く円形基板の中心を求めること
が可能になる。
度θＣＤは、ノッチ４よりも十分大きくかつ３６０度の
約数でないほうが点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ各点とノッチ４の重
なる確率が低くなり、ステップＳ１４で距離Ｈが許容値
以下になりやすくより早く円形基板の中心を求めること
が可能になる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、円形基板
間の半径の寸法ばらつきが大きい場合や、基板の大口径
化に伴い半径の寸法誤差が大きくなった場合にも、半径
のばらつきに影響されることなく精度良く基板の中心を
検出することができ、半導体の製造工程で全ての円形基
板を均一に真空処理（プラズマ処理）することが可能に
なる。
間の半径の寸法ばらつきが大きい場合や、基板の大口径
化に伴い半径の寸法誤差が大きくなった場合にも、半径
のばらつきに影響されることなく精度良く基板の中心を
検出することができ、半導体の製造工程で全ての円形基
板を均一に真空処理（プラズマ処理）することが可能に
なる。
【図１】本発明の実施の形態の円形基板中心の検出方法
を示す概略図
を示す概略図
【図２】本発明の実施の形態の円形基板中心の検出方法
を示すフローチャート
を示すフローチャート
【図３】本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の概略
断面図
断面図
【図４】従来の円形基板中心の検出方法を示す概略図
【図５】従来の円形基板中心の検出方法を示すフローチ
ャート
ャート
１ 円形基板 ２ ステージ ３ ラインセンサー（検出手段） ４ ノッチ（切欠き）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸泉 厚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 FA03 GA05 JA02 JA03 JA04 KA16 5F004 AA01 BC06 BC08 CA05 5F045 AA08 BB02 DP28 EB11 EM10
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内に配設された電極に高周波電
力を印加しプラズマを発生させ被処理物をプラズマ処理
するプラズマ処理方法において、 円形基板を回転可能なステージ上に載置する工程と、測
定手段により前記円形基板外周上の点Ａの位置を測定す
る工程と、前記ステージの回転中心を中心として前記ス
テージと前記測定手段を相対的に角度θＡＢ回転する工
程と、前記測定手段により前記円形基板外周上の点Ｂの
位置を測定する工程と、前記ステージの回転中心を中心
として前記ステージと前記測定手段を相対的に角度θＢ
Ｃ回転する工程と、前記測定手段により前記円形基板外
周上の点Ｃの位置を測定する工程と、測定された点Ａ，
点Ｂ，点Ｃの位置と角度θＡＢ，角度θＢＣから点Ａ，
点Ｂ，点Ｃの座標を求める工程と、求めた座標に基づい
て点Ａと点Ｂを結ぶ線分ＡＢの垂直二等分線ＹＡＢを求
める工程と、求めた座標に基づいて点Ｂと点Ｃを結ぶ線
分ＢＣの垂直二等分線ＹＢＣを求める工程と、垂直二等
分線ＹＡＢと垂直二等分線ＹＢＣの交点Ｏｗを求める工
程と、交点Ｏｗを前記円形基板の中心とする工程と、前
記円形基板の中心Ｏｗと前記電極の中心を一致させプラ
ズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 前記点Ｃの位置を測定する工程の後、前
記ステージの回転中心を中心として前記ステージと前記
測定手段を相対的に角度θＣＤ回転する工程と、前記測
定手段により前記円形基板外周上の点Ｄの位置を測定す
る工程と、測定された点Ｄの位置と角度θＣＤから点Ｄ
の座標を求める工程と、求めた点Ｄの座標に基いて前記
点Ｃと点Ｄを結ぶ線分ＣＤの垂直二等分線ＹＣＤを求め
る工程と、前記交点Ｏｗと垂直二等分線ＹＣＤの距離が
許容値以内であれば交点Ｏｗを前記円形基板の中心とす
る工程と、前記円形基板の中心Ｏｗと前記電極の中心を
一致させプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１
記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000283011A JP2002093786A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000283011A JP2002093786A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093786A true JP2002093786A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18767431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000283011A Pending JP2002093786A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002093786A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023948B1 (ko) | 2008-09-01 | 2011-03-22 | 주식회사 싸이맥스 | 웨이퍼의 중심 검출 장치 및 그 방법 |
| CN106558514A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 细美事有限公司 | 衬底中心检测方法、衬底运送方法、运送单元及包括运送单元的衬底处理装置 |
| CN107066638A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-08-18 | 欧姆龙株式会社 | 位置检测装置、位置检测方法、信息处理程序及记录介质 |
-
2000
- 2000-09-19 JP JP2000283011A patent/JP2002093786A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101023948B1 (ko) | 2008-09-01 | 2011-03-22 | 주식회사 싸이맥스 | 웨이퍼의 중심 검출 장치 및 그 방법 |
| CN106558514A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 细美事有限公司 | 衬底中心检测方法、衬底运送方法、运送单元及包括运送单元的衬底处理装置 |
| US10388550B2 (en) | 2015-09-25 | 2019-08-20 | Semes Co., Ltd. | Method for detecting the center of substrate, method for transporting a substrate, transporting unit and apparatus for treating a substrate including the unit |
| CN107066638A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-08-18 | 欧姆龙株式会社 | 位置检测装置、位置检测方法、信息处理程序及记录介质 |
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