TWI558469B - 基板周緣部之塗布膜除去方法、基板處理裝置及記憶媒體 - Google Patents

基板周緣部之塗布膜除去方法、基板處理裝置及記憶媒體 Download PDF

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Description

基板周緣部之塗布膜除去方法、基板處理裝置及記憶媒體
本發明係關於在被形成於圓形基板的表面的塗布膜，除去不要的周緣部的技術。
於製造半導體裝置的晶片的步驟，進行在圓形的基板亦即晶圓的表面形成塗布膜的處理。作為前述塗布膜例如有光阻膜。前述光阻膜的形成處理，藉由具備例如複數的光阻膜形成模組，與把基板搬送至各光阻膜形成模組的1個或複數個搬送機構的基板處理裝置來進行。於光阻膜形成模組，前述光阻例如藉由旋轉塗布法塗布於晶圓的表面全體。
被形成於晶圓的周緣部的光阻膜，在前述搬送機構搬送晶圓時，因為與該搬送機構接觸而有成為微粒的發生源之虞。在此，於前述光阻膜形成模組，晶圓周緣部的光阻膜作為不要的部分而環狀地被除去。亦即，於晶 圓如此般被除去的不要部分的內側被設定為半導體裝置的形成區域。前述不要部分的除去，如專利文獻1所記載的藉由使用於前述旋轉塗布法的旋轉夾盤保持晶圓的背面中央部，使晶圓繞該晶圓的正交軸旋轉。藉由對此旋轉中的晶圓的周緣部供給前述光阻膜的溶劑而進行。
然而，前述晶片的尺寸逐漸變小，市場上要求著儘可能由1枚晶圓生產較多的晶片而提高該晶片的生產性。附著在前述半導體裝置的形成區域的光阻膜被除掉的話，由此光阻膜被除去的地方所生產的半導體裝置會成為不良品，所以為了因應前述需求而被要求著正確地除去前述不要部分。具體而言，要求著前述不要部分被除去的光阻膜的中心要一致於晶圓的中心，因此，追求著以藉由前述搬送機構將前述旋轉夾盤的旋轉中心，與晶圓中心無偏移的方式把晶圓遞送至該旋轉夾盤。進而，也要求著在晶圓的周緣部，正確的對準前述溶劑吐出的位置。
由以上所述的背景，到目前為止進行過如下所述的作業。裝置的使用者於前述基板處理裝置，先記憶把哪個晶圓以哪個光阻膜形成模組進行了處理。然後，把針對光阻膜進行了前述不要部分的除去的晶圓往基板處理裝置的外部搬出，使用顯微鏡等測定器測定光阻膜的除去寬幅(切掉寬幅)。根據此測定結果，針對處理了該晶圓的光阻膜形成模組進行前述溶劑的吐出位置的補正，同時針對把晶圓搬送至該光阻膜形成模組的旋轉夾盤的搬送機構，進行往該旋轉夾盤的遞送位置的補正。又，各補正量 的計算，可由使用者手動計算，或是使用特定的計算工具來進行。
補正後，使用者重新記憶已把哪個晶圓以哪個光阻膜形成模組進行了處理，對於以已經進行了補正的光阻膜形成模組所處理的晶圓，再度根據測定器進行測定，確認補正是否適切。
但是，於這樣的手法，要花時間把晶圓搬出到裝置的外部。例如在與基板處理裝置的設置場所不同的建築物設置測定器，可能除了搬送要花時間以外，還會產生等待測定器空下來到進行測定為止的等待時間。如此般在測定上花時間，導致前述補正作業被延誤，會有不良的晶圓被量產出來的疑慮。進而，如前所述使用者要把各晶圓，與處理該晶圓的光阻膜形成模組賦予對應而記憶會對使用者造成大的負擔，隨著場合不同可能還需要備忘記錄，又變得更花時間。
前述專利文獻1，雖記載著檢測出基板的外緣而根據此來控制溶劑的吐出位置，但是在此手法無法補正藉由搬送體來對晶圓的旋轉夾盤之遞送位置的偏移，要達成儘可能地擴展裝置形成區域的目的仍是不充分。此外在專利文獻2記載著使用檢查裝置進行檢查，但是針對前述問題並無記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-110712號公報
[專利文獻2]日本特開2011-174757號公報
本發明係有鑑於這種情形而完成的發明，其目的在於提供把圓形的基板表面的周緣部之塗布膜的不要部分環狀地除去時，可以容易地進行供進行前述不要部分的除去用的裝置的調整之技術。
本發明之基板周緣部之塗布膜除去方法，特徵為包含：藉由搬送體把圓形的基板的背面側遞送至保持部而保持的步驟；接著使前述保持部繞基板的正交軸旋轉，同時對被形成於基板的表面的塗布膜的周緣部由溶劑噴嘴供給溶劑，以預先設定的寬幅尺寸來環狀地除去塗布膜的塗布膜除去步驟；接著，搬送該基板至攝影前述基板的表面全體供檢查前述塗布膜的狀態之檢查模組的步驟；其後，以前述檢查模組攝影前述基板的表面，根據該影像資料檢測出塗布膜的除去區域的步驟；以及根據此步驟的檢測結果，補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板遞送位置的步驟。
本發明之其他的基板周緣部之塗布膜除去方法，特徵為包含：藉由搬送體把圓形的基板的背面側遞送至保持部而保持的步驟；接著使前述保持部繞基板的正交軸旋轉，同時對被形成於基板的表面的塗布膜的周緣部由溶劑噴嘴供給溶劑，以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去塗布膜的塗布膜除去步驟；接著，搬送該基板至攝影前述基板的表面全體供檢查前述塗布膜的狀態之檢查模組的步驟；其後，以前述檢查模組攝影前述基板的表面，根據該影像資料檢測出塗布膜的除去區域的步驟；以及根據此步驟的檢測結果，補正藉由前述溶劑噴嘴對後續的基板之溶劑吐出位置的步驟。
本發明之基板處理裝置，特徵為具備：具有保持塗布膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正交該基板的軸旋轉的背面側保持部、及對前述旋轉的基板的周緣部吐出前述溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去前述塗布膜之用的溶劑供給噴嘴的塗布膜周緣部除去模組；藉由驅動機構往前述塗布膜周緣部除去模組搬送前述基板，把該基板遞送至前述背面側保持部的搬送體；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資 料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板的遞送位置的方式使前述驅動機構動作之用的搬送體操作部。
本發明之基板處理裝置，特徵為具備：塗布膜周緣部除去模組，其係備有保持塗布膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正交該基板的軸旋轉的背面側保持部、及對前述旋轉的基板的周緣部吐出溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸來環狀地除去前述塗布膜用的溶劑供給噴嘴、以及使前述溶劑的吐出位置在基板的周端側與內側之間移動之用的移動機構；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述移動機構之溶劑的吐出位置的方式使前述移動機構動作之用的移動機構操作部。
一種記憶媒體，係記憶著使用於包含把圓形的基板的周緣的塗布膜以預先設定的寬幅尺寸除去的塗布膜周緣部除去模組，與把前述基板搬送至該塗布膜周緣部除去模組的搬送體之基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體；其特徵係：前述電腦程式，係供實施前述基板處理方法者。
本發明，取得除去塗布膜的不要部分的基板的影像資料，由該影像資料檢測出塗布膜的除去寬幅，對於後續的基板，以防止對該基板除去前述不要部分的塗布膜發生偏心的方式，根據前述各除去寬幅而挪動由基板的搬送體往背面保持部遞送基板之用的遞送位置。
此外，在其他發明由影像資料檢測出塗布膜的除去寬幅，對後續的基板，以前述除去寬幅成為設定值的方式挪動溶劑的供給位置。如此般藉由根據影像資料進行裝置的調整，可以消除為了以裝置外部的檢查機器檢查而把基板往裝置的外部搬送的必要，所以裝置的調整變得容易。此外，於這些發明，影像資料係以供檢查塗布膜的狀態之用的檢查模組來取得，所以沒有必要在裝置上設置影像資料取得用的專用的模組，可以防止裝置的構成的複雜化或大型化。
COT‧‧‧光阻膜形成模組
E‧‧‧單位區塊
F‧‧‧搬送臂
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧塗布、顯影裝置
2‧‧‧保持體
30‧‧‧檢查模組
32‧‧‧方向調整用模組
50‧‧‧光阻膜
51‧‧‧旋轉夾盤
56‧‧‧移動部
57‧‧‧周緣部溶劑供給噴嘴
59‧‧‧溶劑吐出位置
6‧‧‧控制部
圖1係包含光阻膜形成模組的塗布、顯影裝置的橫剖平面圖。
圖2係前述塗布、顯影裝置的立體圖。
圖3係前述塗布、顯影裝置的縱剖側面圖。
圖4係前述塗布、顯影裝置的單位區塊之立體圖。
圖5係設於前述單位區塊的方向調整模組的概略側面圖。
圖6係前述光阻膜形成模組的立體圖。
圖7係前述光阻膜形成模組的縱剖側面圖。
圖8係前述單位區塊的搬送臂的平面圖。
圖9係顯示前述光阻膜形成模組的動作之說明圖。
圖10係顯示前述光阻膜形成模組的動作之說明圖。
圖11係顯示前述光阻膜形成模組的動作之說明圖。
圖12係顯示前述光阻膜形成模組的動作之說明圖。
圖13係被形成前述光阻膜的晶圓W的平面圖。
圖14係前述單位區塊的搬送臂的平面圖。
圖15係顯示晶圓與光阻膜的關係之說明圖。
圖16係晶圓的影像資料之說明圖。
圖17係顯示前述影像資料與測定群的關係之說明圖。
圖18係顯示晶圓與光阻膜的關係之說明圖。
圖19係顯示晶圓與光阻膜的關係之說明圖。
圖20係顯示晶圓與光阻膜的關係之說明圖。
圖21係顯示算出的參數之一例之圖表。
圖22係設於前述塗布、顯影裝置的控制部的構成圖。
圖23係顯示進行遞送位置及溶劑處理位置的補正的步驟之流程圖。
圖24係顯示前述遞送位置被變更的模樣之說明圖。
圖25係顯示前述溶劑處理位置被變更的模樣之說明圖。
圖26係顯示顯示畫面之一例之說明圖。
圖27係顯示參數的補正之曲線圖。
圖28係光阻膜形成模組的概略側面圖。
(第1實施型態)
針對本發明的基板處理裝置的一實施型態之塗布、顯影裝置1，分別參照其平面圖(圖1)、立體圖(圖2)、概略縱剖側面圖(圖3)進行說明。塗佈、顯影裝置1，係把載體區塊D1、處理區塊D2、界面區塊D3連接為直線狀而構成的。在以下的說明，把區塊D1~D3的排列方向作為Y方向，與此Y方向正交的水平方向為X方向。於界面區塊D3，被連接著曝光裝置D4。
於載體區塊D1，收容了由複數枚晶圓W所構成的批次(lot)的載體C被搬送。晶圓W為圓形的基板，於其周緣被形成顯示該晶圓W的方向之用的缺口亦即凹口(notch)N。載體區塊D1，具備前述載體C的載置台11、開閉部12、透過開閉部12由載體C搬送晶圓W之用的移載機構13。
處理區塊D2，係由下起依序被層積對晶圓W進行液體處理的第1~第6單位區塊E1~E6而構成的。為 了說明上的方便，亦把在晶圓W形成下層側的防反射膜之處理稱為「BCT」、在晶圓W形成光阻膜的處理稱為「COT」、在曝光後的晶圓W形成光阻圖案之用的處理稱為「DEV」。
在此例，如圖2所示由下方起BCT層、COT層、DEV層各層積2層。於相同的單位區塊相互平行地進行晶圓W的搬送及處理。在此，以互為同樣構成的COT層E3、E4為代表參照圖1同時進行說明。此外，也參照COT層E3、E4的立體圖亦即圖4進行說明。在由載體區塊D1朝向界面區塊D3的搬送區域R的左右之一側有棚單元U被配置於前後方向，於另一側分別在Y方向上排列設有液體處理模組之光阻膜形成模組COT、保護膜形成模組ITC。
前述光阻膜形成模組COT，被構成為被組入塗布膜周緣部除去模組的模組，對晶圓W供給光阻形成光阻膜，除去該晶圓W的周緣部之光阻膜的前述不要部分。對於光阻膜形成模組COT稍後再詳細說明。此外，在以下說明為了相互區別COT層E3、E4之光阻膜形成模組，把單位區塊E3的光阻膜形成模組標示為COT3，把把單位區塊E4的光阻膜形成模組標示為COT4。保護膜形成模組ITC，係供對光阻膜上供給特定的處理液，形成保護該光阻膜的保護膜之用的模組。
於前述搬送區域R，設有晶圓W的搬送機構亦即搬送臂F。單位區塊E3的搬送臂為F3，單位區塊E4 的搬送臂為F4。搬送臂F3、F4具備晶圓W的保持體(搬送體)2、2，基台21、升降台22、框23以及筐體24。各保持體2，以相互上下重疊的方式設於基台21上，相互獨立而水平地進退於基板21上。保持體2，藉由包圍晶圓W的側周同時支撐晶圓W的背面而保持晶圓W。此外，保持體2具備未圖示的晶圓W的抽吸口，防止晶圓W在保持體2上的位置偏移。以下，亦有把各保持體2區別為上側保持體、下側保持體的場合。
基台21設於前述升降台22上，繞鉛直軸旋轉。升降台22係以包圍於上下延伸的框23的方式設置。框23被連接於前述棚單元U的下方的筐體24，使搬送區域R移動於Y方向。
於基台21設有使保持體2進退的驅動機構，於升降台22設有使基台21旋轉的驅動機構。於框23設有使升降台22升降的驅動機構，於筐體24設有使框23移動的驅動機構。各驅動機構，藉由馬達、帶輪及被捲掛於這些馬達及帶輪的皮帶所構成。藉由各皮帶使各馬達的旋轉運動變換為直線運動，使框23、升降台22、保持體2移動。此外，藉由前述帶輪的旋轉，使基台21旋轉。各馬達具備編碼器，因應於特定的基準位置起算之該馬達的旋轉量的脈衝數的訊號被輸出至塗布、顯影裝置1的控制部6。亦即，因應於保持體2、基台21、升降台22、框23之分別的位置的數值之脈衝，由各馬達的編碼器輸出。控制部6，為了使搬送臂F3、F4在模組間進行晶圓 W的遞送，以各馬達的脈衝值成為特定值的方式輸出控制訊號。此控制部6，是供控制塗布、顯影裝置1的動作之用的電腦，詳見後述。
回到COT層E3、E4的說明，棚單元U，具備加熱模組31、與晶圓W的方向調整用模組32。加熱模組31具備加熱處理晶圓W的熱板。
於圖5顯示方向調整用模組32的概略側面。圖中33為載物台，於其表面載置晶圓W使繞鉛直軸旋轉。34為投光部，投光至旋轉的晶圓W的周緣部。35為受光部，接受由投光部34投光之光。於受光部35根據光被供給的區域的變化，控制部6檢測出凹口N。檢測出後，藉由載物台33以凹口N朝向特定方向的狀態下搬送臂F3、F4由載物台33接受晶圓W。又，此方向調整用模組32，實際上是具備了曝光晶圓W的周緣之用的光源部之周緣曝光模組，使曝光的周緣部在顯影時除去。在此例，藉由光阻膜形成模組COT進行周緣部的除去，不進行前述周緣曝光所以前述光源部的圖示被省略。
其他的單位區塊E1、E2、E5及E6，除了供給至晶圓W的藥液不同以及替代方向調整用模組32而設置了加熱模組31以外，與單位區塊E3、E4為相同的構成。單位區塊E1、E2，替代光阻膜形成模組COT3、COT4而具備防反射膜形成模組，單位區塊E5、E6具備顯影模組。在圖3各單位區塊E1~E6的搬送臂顯示為F1~F6。
在處理區塊D2之載體區塊D1側，設有橫跨各單位區塊E1~E6上下延伸的塔架T1，以及對塔架T1進行晶圓W的遞送之用的可自由升降的遞送機構亦即遞送臂14。塔架T1，藉由相互層積的複數模組所構成，設於單位區塊E1~E6的各高度的模組，可以在與該單位模組E1~E6的各搬送臂F1~F6之間遞送晶圓W。作為這些模組，實際上包含設於各單位區塊的高度位置的遞送模組TRS、進行晶圓W的溫度調整的溫度調整模組CPL、暫時保管複數枚晶圓W的緩衝模組、以及使晶圓W的表面進行疏水化處理的疏水化處理模組等。為了使說明簡單化，針對前述疏水化處理模組、溫度調整模組、前述緩衝模組之圖示被省略。
此外，於塔架T1設有檢查模組(影像取得模組)30，以光阻膜形成模組COT形成光阻膜的晶圓W被搬入。此檢查模組30，具備載置晶圓W的載物台，以及攝影被載置於前述載物台的晶圓W的表面的攝影機；藉由攝影機攝影的晶圓W表面的影像資料被送訊至控制部6。控制部6，如後所述根據此影像資料檢測出光阻膜的切除寬幅，同時根據此影像資料進行光阻膜的表面狀態是否良好的判定。所謂表面狀態是否良好，是指例如微粒數目是否在規定數目以下，除了晶圓W的周緣部是否有未被形成光阻膜的處所。
界面區塊D3，具備橫跨單位區塊E1~E6上下延伸的塔架T2、T3、T4，設有對塔架T2與塔架T3進行 晶圓W的遞送之用的自由升降的遞送機構亦即界面臂15，與對塔架T2與塔架T4進行晶圓W的遞送之用的自由升降的遞送機構之界面臂16，以及在塔架T2與曝光裝置D4之間進行晶圓W的遞送之用的界面臂17。塔架T2，係由遞送模組TRS、容納曝光處理前的複數枚晶圓W使其滯留的緩衝模組、容納曝光處理後的複數枚晶圓的緩衝模組、以及進行晶圓W的溫度調整的溫度調整模組等相互層積而構成，但是在此，前述遞送模組TRS以外的圖示被省略。又，塔架T3、T4也分別被設有模組，在此處省略說明。
以下說明此塗布、顯影裝置1及曝光裝置D4所構成的系統的晶圓W之搬送路徑。晶圓W依照各批次由載體C搬出。總之，係以一個批次的晶圓W全部被搬出後，接著其他批次的晶圓W由載體C搬出的方式設定的。此外，由載體C搬出之前，各晶圓W的搬送路徑已預先被設定好，如前所述被搬送到雙重化的單位區塊之中，預先被設定的單位區塊。此外，同種的模組有複數個的場合，晶圓W被搬送到其中預先被設定的模組。
晶圓W，由載體C藉由移載機構13，被搬送到處理區塊D2之塔架T1的遞送模組TRS0。晶圓W由此遞送模組TRS0被分配而搬送到單位區塊E1、E2。
例如在把晶圓W地送到單位區塊E1的場合，對於塔架T1的遞送模組TRS之中，對對應於單位區塊E1的遞送模組TRS1(可以藉由搬送臂F1進行晶圓W的遞送之 遞送模組)，由前述TRS0遞送晶圓W。此外，在把晶圓W地送到單位區塊E2的場合，對於塔架T1的遞送模組TRS之中，對對應於單位區塊E2的遞送模組TRS2，由前述TRS0遞送晶圓W。這些晶圓W的遞送係藉由遞送臂14進行的。
如此被分發的晶圓W，依照TRS1(TRS2)→防反射膜形成模組→加熱模組31→TRS1(TRS2)的順序被搬送，接著藉由遞送臂14分發到對應於單位區塊E3的遞送模組TRS3，與對應於單位區塊E4的遞送模組TRS4。
如此般被分發至TRS3、TRS4的晶圓W，依照TRS3(TRS4)→方向調整用模組32→光阻膜形成模組COT3(COT4)→加熱模組31→檢查模組30→保護膜形成模組ITC→加熱模組31→塔架T2的遞送模組TRS的順序被般送，透過塔架T3往曝光裝置D4搬入。曝光後的晶圓W，被搬送於塔架T2、T4間，分別被搬送至對應於單位區塊E5、E6的塔架T2的遞送模組TRS5、TRS6。之後，被搬送至加熱模組31→顯影模組→加熱模組31→塔架T1的遞送模組TRS之後，透過移載機構13回到載體C。
接著，說明光阻膜形成模組COT3、COT4。這些光阻膜形成模組COT3、COT4，互為同樣的構成，在此作為代表針對光阻膜形成模組COT3，同時也參照圖6的立體圖進行說明。光阻膜形成模組COT3，具備2個處理部41、多數之光阻供給噴嘴42(為了方便在圖6僅圖 示1根，在圖1僅顯示2根)、以及溶劑供給噴嘴43。這些噴嘴42、43於處理部41被共用，藉由移動部45移動基台44上，可以使其位於各處理部41的晶圓W上。在圖6針對處理部41，僅顯示一方之處理部41。以下，為了簡化說明，處理部41係作為一個構件進行說明。
處理部41，具備吸附保持晶圓W的背面的基板保持部亦即旋轉夾盤51、包圍旋轉夾盤51的周圍同時上側開口的杯52。圖7為杯52的縱剖側面圖。圖中53為將杯52內排氣的排氣口，54為廢液口。55為升降栓，為了在旋轉夾盤51與搬送臂F3之間遞送晶圓W設有3根。在圖中僅顯示其中的2根。
圖6中56為移動部。於移動部56，設有周緣部溶劑供給噴嘴57。於前述基台44，設有使移動部56移動的驅動機構。此驅動機構，與設在搬送臂F的驅動機構同樣藉由馬達、帶輪及皮帶構成。藉由移動部56，周緣部溶劑供給噴嘴53沿著前述Y方向水平移動，可以使溶劑的吐出位置在晶圓W的周端部與中心部側之間移動。前述移動部56的馬達，也與搬送臂F的馬達同樣，輸出因應由基準位置起算的旋轉量的脈衝數之訊號。控制部6，以此脈衝數成為特定值的方式輸出控制訊號，使周緣部溶劑供給噴嘴57位於特定的位置。將藉由此周緣部溶劑供給噴嘴57吐出溶劑的位置記為溶劑處理位置，且將於晶圓W的周緣把由該噴嘴57吐出溶劑的位置記載為溶劑吐出位置。
使用圖8~圖12，說明由搬送臂F3往光阻膜形成模組COT3遞送晶圓W，與光阻膜形成模組COT3之晶圓W的處理。首先，搬送臂F3的保持體2由方向調整用模組32的載物台33接收晶圓W，搬送臂F3使搬送區域R移動於Y方向。藉此，前述保持體2移動於旋轉夾盤51的正面同時基台21旋轉，如圖8中以實線顯示的保持體2以朝向該旋轉夾盤51的方式位在旋轉夾盤51的正面。接著，保持體2於X方向上前進至基台21上，如圖8中虛線所示使晶圓W往旋轉夾盤51上的遞送位置搬送。其後，藉由上升的升降栓55支撐晶圓W，藉由保持體2的後退、升降栓55的下降而使晶圓W被遞送至旋轉夾盤51。
藉由旋轉夾盤51使晶圓W旋轉，由溶劑供給噴嘴43往晶圓W的中心部吐出稀釋劑，藉由離心力擴展到該晶圓W的周緣部。進行所謂的旋轉塗布。接著，光阻由光阻供給噴嘴42往晶圓W的中心部供給，藉由旋轉塗布使光阻膜50形成於晶圓W全體(圖9)。其後，周緣部溶劑供給噴嘴57由杯52外側的等待位置往杯52內的溶劑處理位置移動(圖10)，往旋轉的晶圓W的周緣部吐出溶劑。前述溶劑藉由晶圓W的離心力由溶劑吐出位置往晶圓W的周端擴展，晶圓W的周緣部的不要部分，環狀地被除去(圖11)。停止前述溶劑的供給與晶圓W的旋轉，處理結束時(圖12)，晶圓W藉由搬送臂F3由光阻膜形成模組COT搬出。
在此，晶圓W對旋轉夾盤51的遞送位置，較佳為如圖8所示使旋轉夾盤51的旋轉中心P1與晶圓W的中心P2互相一致的位置。如此使旋轉中心P1與晶圓W的中心P2一致的話，如圖13所示被除去不要部分的光阻膜50的中心P3，變成一致於晶圓W的中心P2。但是，由於搬送臂F3的經年劣化，會發生各驅動機構的皮帶鬆弛或者皮帶的跳齒等問題。發生這些問題時，與保持體2位在圖8的遞送位置時同樣地使保持體2移動至來自各編碼器的脈衝被輸出的位置的話，例如圖14所示會有前述旋轉中心P1與晶圓W的中心P2變得不一致的場合。總之，晶圓W對旋轉夾盤51的遞送位置會偏移。那樣的話，如圖15所示，前述光阻膜50的中心P3會對晶圓W的中心P2偏心。
塗布、顯影裝置1係以檢測出這類的偏心，讓後續的晶圓W不發生該偏心而進行成膜的方式被構成。針對此手法使用前述圖15概略說明。說明時，把晶圓W在前述遞送位置被遞送至旋轉夾盤51時之沿著前述X方向、Y方向的晶圓W的直徑分別記載為晶圓W的X軸、Y軸。
根據由檢查模組30得到的影像資料，於前述X軸的兩端，分別檢測出晶圓W的周端與光阻膜50的周端之距離亦即切除寬幅(光阻膜的除去寬幅)J1、J2。此外，根據前述影像資料，於前述Y軸的兩端，分別檢測出晶圓W的周端與光阻膜50的周端之距離亦即切除寬幅K1、 K2。接著，算出△X=(J1-J2)/2、△Y=(K1-K2)。分別於X方向、Y方向使前述搬送臂F3的遞送位置僅偏移算出的△X、△Y。例如，前述K1為0.6mm、K2為0.4mm的話，使得往前述旋轉夾盤51的遞送位置偏離預先設定的位置僅△Y=(0.6[mm]-0.4[mm])/2=0.1mm之量。
為了容易理解，使補正量△X、△Y的單位為mm來進行說明，保持體2的遞送位置，如前所述自作為編碼器的脈衝值藉由控制部6來設定，所以實際上補正量△X、△Y是以脈衝值來表示的。更具體地說，使保持體2位於前述遞送位置時，為了使保持體2移動於X方向而使設於基台21的馬達的脈衝值(X方向之脈衝值)為3000脈衝，為了使保持體2移動於Y方向而使設於筐體24的馬達的脈衝值(Y方向之脈衝值)為2000脈衝的方式記憶於控制部6。
於檢查模組30，針對在這樣的遞送位置被遞送而處理的晶圓W，取得影像資料，如前所述檢測出切除寬幅後的結果，△X相當於-30脈衝，△Y相當於10脈衝。控制部6，針對遞送位置，以僅偏移此△X、△Y的方式進行補正，使遞送位置的X方向的脈衝值為3000-(-30)=3030，Y方向的脈衝值為2000-10=1990而予以記憶。接著，以使後續的晶圓W輸出此脈衝值的方式往新設定的遞送位置搬送，防止晶圓W的中心P2對旋轉夾盤51的旋轉中心P1成為偏心。
補充說明，藉由方向調整用模組32使晶圓W 朝向特定的方向。被保持於搬送臂F3時，或者光阻膜形成後被搬入加熱模組31時晶圓W的方向不變。此外，晶圓W被遞送至旋轉夾盤51後，如前所述，結束在模組的處理直到旋轉夾盤51的旋轉停止為止晶圓W的旋轉量，藉由控制部6控制為特定之值。總之，可以使晶圓W對光阻膜形成模組COT3及檢查模組30以特定的方向進行搬送。亦即，在光阻膜形成模組COT3之處理後，可以在檢查模組30以特定的方向搬送晶圓W，於該檢查模組30可以取得特定方向的晶圓W的影像資料。藉此，如前所述可以算出補正量△X及補正量△Y。
於搬送臂F4，與搬送臂F3同樣進行遞送位置的調整。此外，針對周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置也與搬送臂F3、F4約略同樣地進行補正。亦即，於溶劑吐出時，以使驅動前述噴嘴57的馬達的編碼器成為預先設定的脈衝值的方式移動噴嘴57。控制部6，根據前述影像資料算出切除寬幅J1、J2、K1、K2的平均，求出算出值與預先設定的切除寬幅的目標值之差分，以僅對應於此差分的量補正前述溶劑處理位置。接著，藉由溶劑處理位置被補正，如圖15所示使對晶圓W之溶劑的吐出位置59被變更，切除寬幅成為目標值。前述溶劑吐出位置59，為噴嘴57的吐出口的投影區域。
到目前為止為了使說明更為容易，於晶圓W的影像資料測定切除寬幅的處所以4個的場合進行了說明，實際上例如於晶圓W的圓周方向，測定相互離開的 24個處所的區域之切除寬幅。圖16顯示晶圓W的影像資料之一例，顯示以虛線包圍圖中測定區域。此測定區域，於晶圓W的周緣部，係由中心部側朝向外周的長方形的區域。於影像資料，光阻膜50與該光阻膜被除去的區域之邊界，晶圓W的內側與外側的邊界分別的影像的灰階會改變，控制部6根據此灰階的變化而檢測出光阻膜50的切除寬幅。擴大圖中顯示為1A的測定區域，以箭頭顯示切除寬幅。
針對各測定區域也參照圖17同時進行說明。例如24個測定區域之中的4個，以重疊於晶圓W的前述X軸與Y軸的方式設定。此4個測定區域為群組A，沿著圓周方向反時針分別為測定區域1A、2A、3A、4A。使用於前述圖15說明的切除寬幅J1、J2、K1、K2，為這些測定區域4A、2A、3A、1A之分別的切除寬幅。其他的測定區域，把X軸及Y軸設定於晶圓W的中心P2周圍僅傾斜特定量的傾斜軸G及傾斜軸H上。圖中α為此傾斜軸G、H之對X軸、Y軸的角度。此傾斜角α為相同的測定區域彼此，屬於相同的群組。在圖17於各個群組顯示測定區域，屬於相同群組的測定區域以灰階顯示。
把傾斜角α=15°的群組稱為群組B，其各測定區域係以由前述測定區域1A、2A、3A、4A起分別偏移15°的1B、2B、3B、4B來顯示。同樣地，傾斜角α=30°的群組為群組C，其各測定區域分別以1C、2C、3C、4C來表示。傾斜角α=45°的群組為群組D，其各測定區域分 別以1D、2D、3D、4D來表示。傾斜角α=60°的群組為群組E，其各測定區域分別以1E、2E、3E、4E來表示。傾斜角α=75°的群組為群組F，其各測定區域分別以1F、2F、3F、4F來表示。
亦即，以群組A的測定區域1A為基準的話，其他各測定區域由晶圓W的中心來看被設定於往反時針方向分別偏移15°的位置。以下，為了說明上的方便，針對各測定區域的切除寬幅，會在記號L之後賦予由該測定區域1A偏移的角度的數值。例如於群組A，測定區域1A、2A、3A、4A的切除寬幅表示為L0、L90、L180、L270。例如群組D的測定區域1D、2D、3D、4D的切除寬幅依照此規則的話，分別表示為L45、L135、L225、L315。
由前述6個群組A~F，分別算出光阻膜的中心P3對晶圓W之中心P2的X方向的偏心Xc(=△X)、前述中心P3對前述中心P2的Y方向的偏心Yc、連結中心P2與中心P3的線段所表示的偏心量Z、平均切除寬幅E、最大誤差D。以下參照圖18同時說明這些測定項目。前述平均切除寬幅E，係相同群組內的4個測定區域的切除寬幅的平均值。前述偏心Xc，相當於前述搬送臂F的X方向的補正量△X。前述偏心Yc，相當於前述搬送臂F的Y方向的補正量△Y。最大誤差D，係加成平均切除寬幅E與偏心量Z雙方之後的誤差。
這些偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、平均切除 寬幅E、最大誤差D之各項被設定容許範圍，偏離容許範圍的場合，測定的晶圓W由控制部6認定為不良晶圓W。此外，針對最大誤差D補充說明如下。最大誤差D很大的話，即使平均切除寬幅E、偏心量Z落在前述容許範圍內，也有光阻膜被除去的區域重疊到裝置的形成區域的疑慮。在此，如此般算出最大誤差D，同時針對此最大誤差設定容許範圍。
在求出偏心Xc、偏心Yc的過程，分別算出偏心t、偏心u、偏心角θ。偏心t是沿著X軸的傾斜軸亦即前述G軸之光阻膜的中心P3對晶圓W的中心P2的偏心。偏心u是沿著Y軸的傾斜軸亦即前述H軸之光阻膜的中心P3對晶圓W的中心P2的偏心。偏心角θ，是連接光阻膜50的中心P3與晶圓W的中心P2的線段與X軸的夾角。
作為一例，參照圖19同時說明群組D之平均切除寬幅E、偏心Xc、Yc、Z、最大誤差D之算出方法。為了與其他群組的平均切除寬幅E、偏心Xc、Yc、偏心量Z、最大誤差D有所區別，把由此群組D算出的平均切除寬幅表示為Ed、偏心表示為Xcd、Ycd、Zd、最大誤差表示為Dd。
平均切除寬幅Ed為4個切除寬幅的平均值，以下列式1算出。
Ed=(L45+L135+L225+L315)/4‧‧‧式1
此外，預先設定的值之不要部分被除去的狀 態的光阻膜的半徑為r，同樣地預先設立的值亦即晶圓W的半徑為R的話，下列式2、式3成立。
L135+r‧cosθ-t=R‧‧‧式2
L270+r‧cosθ+t=R‧‧‧式3
由式2、式3求出下列式4。
t=(L135-L315)/2‧‧‧式4
此外，與算出前述偏心t的場合同樣考量的話，藉由下列式5算出偏心u。
u=(L225-L45)/2‧‧‧式5
前述偏心量Zd、偏心角θd以下列式6、式7算出。
Zd=(t2+u2)1/2‧‧‧式6
偏心角θd=tan-1(t/u)-45°‧‧‧式7
根據此偏心量Zd、偏心角θd藉由下列之式8、式9算出偏心Xcd、Ycd。
Xcd=Zd‧cosθd‧‧‧式8
Ycd=Zd‧sinθd‧‧‧式9
進而，使用如此算出的平均切除寬幅Ed、偏心量Zd及預先設定的值之切除寬幅的目標值，藉由下列式10算出最大誤差Dd。
最大誤差Dd=|切除寬幅的目標值-平均切除寬幅Ed|+偏心量Zd…式10
針對群組D以外的其他群組也同樣由在4個 測定區域檢測出的切除寬幅來算出平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z。總之，替代L45、L135、L225、L315而使用在各群組測定的切除寬幅進行根據前述各個式1~式10的演算。此外，於式7在群組D，因為傾斜軸G、H對X軸、Y軸傾斜45°，所以由藉由tan-1(t/u)算出的角度減算45°而算出偏心角，但是這樣減算的角度是各群組的傾斜軸G、H對X軸、Y軸的傾斜度，所以因應於此傾斜軸的傾斜度於各群組使用的值有所不同。在群組B、C、E、F分別被減算15°、30°、60°、75°。
以下參照圖20同時說明群組A的平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D之算出。為了與其他群組之計算值有所區別，在以下的說明，前述平均切除寬幅為Ea、前記偏心為Xca、Yca、前記偏心量為Za、偏心角為θa、最大誤差為Da。於前述式1，替代前述L45、L135、L225、L315而使用L0、L90、L180、L270，所以演算(L0+L90+L180+L270)/4。針對前述之式2~式5，也使用這些L0、L90、L180、L270，所以採t=(L90-L270)/2、u=(L180-L0)/2進行演算。偏心量Za由偏心t，u與群組D的Zd同樣地算出。此外，在此群組A，傾斜軸G、H分別一致於X軸、Y軸。亦即，X、Y軸與傾斜軸G、H軸的夾角為0°，所以式7係以偏心角θa=tan-1(t/u)-0°來演算。接著，由式8及式9，演算出Xca=Za‧cosθa、Yca=Za‧sinθa。此外，由式10與群組D同樣地算出最大誤差 Da。又，在此群組A如前所述X、Y軸與傾斜軸G、H軸一致，所以由式4、式5所演算的偏心t，u分別為偏心Xca、Yca。
於群組A~F，各平均切除寬幅為Ea~Ef、各偏心Xc為Xca~Xcf、各偏心Yc為Yca~Ycf、各偏心量Z為Za~Zf、各偏心角θ為θa~θf、最大誤差D為Da~Df的話，針對這些各項目算出平均值。總之，針對平均切除寬幅，演算(Ea+Eb+Ec+Ed+Ee+Ef)/6，此演算值為最終測定的平均切除寬幅。同樣地，針對偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D也分別算出由各群組所檢測出的值的平均值，各平均值為最終測定的偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D。針對偏心Xc、偏心Yc，算出前述遞送位置的X方向、Y方向的補正量。根據平均切除寬幅算出周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置的補正量。
於圖21之表，整理顯示由1枚晶圓W的影像資料所得到的各測定項目。如前所述於各個群組算出平均切除寬幅、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ及最大誤差D，在各群組之間算出相同測定項目彼此之值的平均值。這些算出的測定值，於各個晶圓W被記憶於控制部6。如表中所示，在此例中平均切除寬幅、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z及最大誤差D的單位為mm，偏心角θ的單位為度(degree)。
接著，參照圖22同時說明控制部6。申請專 利範圍的搬送體操作部、移動機構操作部及資料處理部包含於該控制部。控制部6，具備備有程式61的程式收容部62、及執行各種演算的CPU63。圖中60為這些程式收容部62、CPU63被連接的匯流排。前述程式61，由控制部6對塗布、顯影裝置1之各部分送出控制訊號，以可控制晶圓W的搬送同時可在各模組進行晶圓W的處理的方式被組入步驟群組。例如藉著對已說明的各馬達送出控制訊號使搬送臂F的保持體2移動於模組間，可以對包含前述光阻膜形成模組COT的各模組往晶圓W的遞送位置移動。同樣地，光阻膜形成模組COT57也可以根據前述控制訊號移動於等待位置與溶劑處理位置之間。此外，前述光阻膜的表面狀態的良否判定也藉由程式61來進行。程式收容部62，例如由磁碟片、光碟片、硬碟、MO(光磁碟)記憶卡等記憶媒體所構成，程式61在被收容於這樣的記憶媒體的狀態被安裝於控制部6。
控制部6具備第1記憶部64。於此第1記憶部64，如前所述針對由各群組算出的偏心Xc、偏心Yc、切除寬幅E，分別記憶著進行補正的範圍、不須補正的範圍、不要補正的範圍(容許範圍)。這些資料，用於前述搬送臂F的遞送位置及前述光阻膜形成模組COT的周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置是否進行補正的判定，以及判定是否使前述搬送臂F及前述模組COT設為不能使用的判定。此外，圖示雖然省略，但針對偏心量Z、最大誤差D的容許範圍、不能補正的範圍也被記憶於 此第1記憶部64。
控制部6具備第2記憶部65。於此第2記憶部65被記憶著藉由控制部6賦予的批次及晶圓W的ID。此外，於此第2記憶部65，於各個晶圓W，被哪個光阻膜形成模組COT處理過，藉由哪個搬送臂被搬送到前述光阻膜形成模組COT，以上側保持體2、下側保持體2之中的哪一個搬送到前述光阻膜形成模組COT等資料相互被賦予對應而被記憶。進而，於該第2記憶部65，針對在圖21說明的平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D之各測定項目的值係對各個晶圓W被記憶著。針對已說明的光阻膜的表面狀態的良否的判定，也是各個晶圓W分別被記憶。
此外，於控制部6設有第3記憶部66。於此第3記憶部66，被記憶著例如塗布、顯影裝置1之電源投入後的搬送臂F3、F4的遞送位置的補正次數，以及各光阻膜形成模組COT的周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置的補正次數。各補正可以反覆進行，但針對其次數設有上限值，該上限值也被記憶於此第3記憶部66。
進而，於控制部6設有第4記憶部67。於此第4記憶部67針對搬送臂F3、F4，記憶著往光阻膜形成模組COT之遞送位置的資料。此資料如先前所述，為X方向的位置資料，Y方向的位置資料，前述X方向的位置資料係在搬送臂F的各保持體2而被記憶著。這些資料，如前所述以編碼器的脈衝值的形式被記憶著，根據前述的 偏心Xc、偏心Yc被補正。此外，針對各光阻膜形成模組COT的周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置的資料也以編碼器的脈衝值的形式被記憶。此資料藉由前述的平均切除寬幅E來補正。又，為了圖示及說明上的方便把記憶部分為4個，但這些是由共通的記憶體來構成亦可。
此外，控制部6具備警報輸出部68。此警報輸出部68，在初先包含於前述不能補正的範圍的測定項目，或如稍後敘述般達到上限值為止，既使進行搬送臂F的遞送位置或溶劑處理位置的補正也不能使切除寬幅E、偏心Xc或偏心Yc進入容許範圍的場合輸出警報。作為警報輸出，係藉由在畫面進行特定的顯示，或輸出特定聲音而進行。
於控制部6設有由顯示器構成的顯示部69。於此顯示部69，顯示被記憶於第2記憶部65的資料。具體而言，針對各晶圓W，表面檢查結果的良否、進行了處理的光阻膜形成模組COT、搬送至該模組COT的搬送臂及保持部、由影像資料所得到的各測定項目之值被相互賦予對應而顯示。
接著，針對進行搬送臂F3、F4的遞送位置及溶劑處理位置的補正之程序，參照圖23之流程圖來說明。此外，於此流程的說明中，首先被搬入塗布、顯影裝置1的晶圓W為W1，後續的晶圓W為W2。以晶圓W1與W2互以相同的搬送路徑搬送，使用相同的保持體2被搬送至光阻膜形成模組COT的方式被設定。
如前所述被搬送至塗布、顯影裝置1，被形成防反射膜的晶圓W1被搬入單位區塊E3(E4)的方向調整用的模組31，以凹口N朝向特定方向的方式調整其方向(步驟S1)。保持晶圓W1的搬送臂F3(F4)的保持體2，根據被記憶於控制部6的遞送位置的資料，移動到光阻膜形成模組COT3(COT4)的旋轉夾盤51上的前述遞送位置，如圖8所示晶圓W1被遞送到旋轉夾盤51。晶圓W1的遞送對象之光阻膜形成模組COT3、COT4之哪一個，遞送了的搬送臂為F3、F4之哪一個，以上側還是下側的保持體2遞送至塗布模組COT3都被記憶於控制部6。
如在圖9所說明的，於晶圓W的表面全體進行光阻膜的形成。接著，根據被記憶於控制部6的溶劑處理位置的資料，使溶劑吐出噴嘴51移動至該溶劑處理位置，溶劑被吐出至晶圓W1的周緣部，如圖10~圖12所說明地進行光阻膜的不要部分的除去(步驟S2)。
在加熱模組31進行處理後，前述晶圓W1被搬送至檢查模組30，藉由攝影機攝影，藉此得到的影像資料被送訊至控制部6(步驟S3)。由此影像資料進行光阻膜的表面是否良好的判定，其判定結果被記憶於控制部6。進而，由前述影像資料，針對已說明的各群組A~F，算出平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D。接著，針對這些切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D，算出6 個群組A~F間的平均值，這些計算值被記憶於控制部6(步驟S4)。針對這一連串的流程，以下在只有稱平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、偏心角θ、最大誤差D的場合，是指群組A~F間的平均值。
針對算出的平均切除寬幅E、偏心Xc、偏心Yc、偏心量Z、最大誤差D之各檢查項目，判定該值是否被設定於預先被設定的不可補正的範圍(步驟S5)。於步驟S5，被判定哪個項目都不被包含於不可補正的範圍的場合，針對偏心Xc、偏心Yc及平均切除寬幅E，判定這些參數是否被包含於進行補正的範圍(步驟S6)。在步驟S6被判定為任一參數都不備包含於進行補正的範圍的場合，各檢查項目都收在不要補正的範圍，所以搬送臂F的遞送位置及周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置都不被補正，而後續的晶圓W2與晶圓W1同樣地被遞送到光阻膜形成模組COT，進行光阻膜的不要部分的除去(步驟S7)。
在前述步驟S6，被判定偏心Xc、偏心Yc、平均切除寬幅E之任一包含於進行補正的範圍的場合，根據被記憶於控制部6的資料，進行此晶圓W1的光阻膜的表面狀態是否良好的判定(步驟S8)。在此步驟S8光阻膜的表面狀態被判定為不良的場合，執行前述步驟S7，前述遞送位置及前述溶劑處理位置不被補正，而進行後續的晶圓W2之往光阻膜形成模組COT的遞送及光阻膜的不要部分的除去。如此，根據表面狀態被判定為異常的晶 圓W不執行補正的原因，是因為於該晶圓W上光阻膜有可能未被正常地形成。
於步驟S8，光阻膜的表面狀態被判定為良好的場合，偏心Xc、偏心Yc之任一包含於進行補正的範圍的話，搬送晶圓W1的搬送臂F的遞送位置的補正次數，被判定是否達到上限值。此外，切除寬幅E包含在進行補正的範圍的話，針對處理了晶圓W1的光阻膜形成模組COT，溶劑處理位置的補正次數，被判定是否達到上限值(步驟S9)。
於步驟S9，針對前述遞送位置的補正次數被判定為未達上限值的場合，進行該遞送位置的補正。偏心Xc、偏心Yc之中，針對在進行補正的範圍內的參數，算出把這些偏心之值變換為編碼器的脈衝值的補正量△X、△Y。由此Xc、Yc往△X、△Y之變換式係預先被記憶於控制部6。接著，藉由如此算出的△X、△Y，如使用圖15所說明的，被記憶於第4記憶部67的遞送位置的資料被補正。總之，藉由補正量△Y，補正搬送臂F3、F4之中，把晶圓W1遞送至光阻膜形成模組COT的搬送臂F的Y方向的遞送位置的資料。藉由補正量△X，補正前述搬送臂F的2個保持體2之中，保持晶圓W1的保持體2的X方向的遞送位置的資料。以如此進行補正，同時前述搬送臂F的補正次數往上加1的方式更新資料。
此外，於步驟S9，溶劑處理位置的補正次數被判定為未達到上限值的場合，演算前述測定的平均切除 寬幅E與切除寬幅的目標值的差分(μm)，算出將此差分值變換為編碼器的脈衝值的補正量△E。此變換式及前述目標值係預先被記憶於控制部6。接著，藉由如此算出的補正量△E，補正處理晶圓W1的光阻膜形成模組COT的溶劑吐出位置的資料。此補正，與搬送臂F的遞送位置的補正同樣地進行，例如溶劑吐出位置的資料的脈衝值被記憶為A的話，A-△E被記憶為補正後的溶劑吐出位置的資料。以如此進行補正，同時前述模組COT的溶劑處理位置的補正次數往上加1的方式更新資料(步驟S10)。
圖24係顯示前述遞送位置被補正的模樣。如圖的上段所示，晶圓W1以使晶圓W1的中心P2對旋轉夾盤51的旋轉中心P1偏心的方式藉由搬送臂F3(F4)的保持體2往晶圓W的遞送位置(圖中以虛線表示)搬送。接著，如前所述執行流程，補正遞送位置的資料。在此，偏心Xc、Yc都是進行補正的範圍，遞送位置的資料對X方向與對Y方向都被補正。
然後，保持了後續的晶圓W2的搬送臂F3(F4)的保持體2，依照記憶的資料移動至遞送位置。此資料會被補正，所以如圖中下段所示晶圓W2的中心P2與旋轉夾盤51的旋轉中心P1相互一致。此遞送後，與晶圓W1同樣在光阻膜形成模組COT被處理，如圖13所示地形成的光阻膜的中心P3與晶圓W的中心P2一致。
圖25係顯示溶劑處理位置被補正的模樣。在此例中如圖中上段所示，晶圓W1之處理時，周緣部溶劑 供給噴嘴57的溶劑吐出位置59位於晶圓W之比較內方側，該晶圓W1的檢查結果，假設切除寬幅E比目標值還要小。接著，如前所述執行流程，溶劑處理位置的資料被補正，晶圓W2被搬入，光阻膜形成之後，依照被補正的處理位置的資料移動周緣部溶劑供給噴嘴57。圖中下段，顯示藉由該周緣部溶劑供給噴嘴57處理的晶圓W2。周緣部溶劑供給噴嘴57，位於比晶圓W1之處理時更靠晶圓W的外方側，溶劑吐出位置59也位在靠近晶圓W的外側。藉此使光阻膜50的切除寬幅成為目標值。
如此般在光阻膜形成模組COT結束處理的晶圓W2與晶圓W1同樣被搬送通過檢查模組51等各模組。在圖24、圖25之例，針對遞送位置及溶劑處理位置進行補正的結果，於晶圓W2之處理時各測定項目收在不須補正的範圍，所以不進行補正，但針對晶圓W2也依照晶圓W1的流程進行處理，所以隨著由此晶圓W2解析影像資料的結果，執行步驟S6、S8、S9、S10，再度進行資料的補正。總之，只要不超過設定於第3記憶部66的補正的反覆次數的上限值，直到各參數收斂至不要補正的範圍為止，反覆進行前述遞送位置及溶劑處理位置的補正。
回到圖23的流程的說明。於步驟S9，判定為搬送臂F的遞送位置的補正次數達到上限值的場合，使該搬送臂F設為不可使用。以把搬送臂F3設為不可使用的場合為例詳細說明的話，當前述判定進行時停止往成為單位區塊F3的搬入口的遞送模組之TRS3的遞送。接著， 搬送臂F3，把已經被搬入單位區塊E3的晶圓W以先前說明的路徑來搬送，由單位區塊E3搬出這些晶圓W時，停止其動作。如此般不立刻停止搬送臂F3的動作，是為了防止因前述停止而使未被正常處理的晶圓W增加。接著，針對以被搬送至單位區塊E3的方式設定的晶圓W，以被搬送至單位區塊E4而接受處理的方式變更搬送路徑。使搬送臂F4設為不可使用的場合也同樣，停止往遞送模組TRS4之晶圓W的搬送，進行由單位區塊E4之晶圓W的搬出以及往單位區塊E3的後續晶圓W的搬送路徑的切換。
此外，於光阻膜形成模組COT3(COT4)判定前述溶劑吐出噴嘴51的處理位置的補正次數超過設定次數的話，使該光阻膜形成模組COT3(COT4)成為不可使用，停止往該模組COT之晶圓W的搬送。在此實施型態於1個單位區塊只有1個光阻膜形成模組COT，所以與把搬送臂F設為不可使用的場合同樣，停止往包含該光阻膜形成模組COT的單位區塊之晶圓W的搬送。
接著，如此般搬送臂或光阻膜形成模組COT設為不可使用的話，以顯示搬送臂F3、F4、光阻膜形成模組COT3、COT4之哪一個成為不可使用的方式輸出警報，對塗布、顯影裝置1的使用者催促該搬送臂或模組之修理(步驟S11)。
於步驟S5算出的設定項目之中，被判定為有包含於不可補正的範圍的項目的場合，也進行前述步驟 S11。總之，搬送晶圓W1的搬送臂F及光阻膜形成模組COT設為使用不可，而催促這些的修理之警報被輸出。
然而，於1個單位區塊E可以使用的光阻膜形成模組COT有複數個，在1個光阻膜形成模組COT成為不可使用時其他的光阻膜形成模組COT仍為可以使用的話，以搬送到變成不可使用的光阻膜形成模組COT的方式設定的後續的晶圓W，被設定為搬送到前述可以使用的光阻膜形成模組COT。總之，不中止往前述單位區塊E之搬送，繼續進行該單位區塊E之晶圓W的處理。
根據這樣的塗布、顯影裝置1，根據藉由供檢查光阻膜的表面狀態之用的檢查模組30取得的影像資料，檢測出晶圓W的圓周方向之複數區域的切除寬幅，根據該切除寬幅，算出供補正搬送臂F之往光阻膜形成模組COT的遞送位置以及光阻膜形成模組COT的周緣部溶劑供給噴嘴57的溶劑處理位置之用的測定項目。接著，藉由如此算出的資料，進行前述遞送位置及溶劑處理位置的補正。亦即，不再有把藉由光阻膜形成模組COT處理的晶圓W搬出到裝置1的外部的必要。此外，裝置1的使用者，不必把晶圓W、處理了該晶圓W的光阻膜形成模組COT、往光阻膜形成模組COT搬送前述晶圓W的搬送臂F、晶圓W的切除寬幅的測定結果等賦予對應而記憶，或者記錄備忘針對這些對應的資訊。因而，可以減輕使用者的負擔，防止使用者的記憶錯誤或手誤，導致補正被錯誤地進行等人為的疏失。
此外，在此第1實施型態，由前述影像資料檢測出切除寬幅的話，控制部6自動根據該切除寬幅進行前述遞送位置及溶劑處理位置的補正。因而，可以迅速地進行前述補正，防止隨著算出的各參數之檢查結果變得不適切的晶圓W枚數增多，可以更為抑制使用者的負擔。
進而，取得前述影像資料的檢查模組30，也是供進行光阻膜的表面狀態的檢測之用的模組，從所得到的影像資料平行地進行前述各參數的算出以及光阻膜的表面狀態是否良好的判定。所以，如此般取得補正資料時，沒有設置專用模組的比要，可以抑制塗布、顯影裝置1內的模組設置數目，可以防止裝置的大型化。此外，如前所述之補正資料的算出，不針對被判定為前述表面狀態有異常的晶圓W來進行，所以可以防止不適切的補正資料被算出，因此可以抑制進行不良處理的晶圓W的枚數。
根據檢查模組30的影像資料的取得不限於針對所有的晶圓W來進行，例如亦可僅針對批次前頭的晶圓W進行。此外，於此第1實施型態，前述遞送位置及處理位置的補正，不限於在補正值的算出後立刻進行。例如，即使先針對被搬入裝置1的批次A藉由檢查算出補正值，批次A的處理中也不進行補正。接著在批次A處理後，而在接著被搬入裝置1的批次B被搬送到光阻膜形成模組COT之前進行補正。如此進行於同一個批次內使各晶圓W的處理狀態成為一致亦可。
(第2實施型態)
不限於如前所述控制部6自動進行前述遞送位置及溶劑處理位置的補正。在此第2實施型態，與第1實施型態同樣根據影像資料演算各測定項目。各測定項目被顯示於顯示部69。顯示部69藉由觸控面板等構成，依照算出的測定項目進行補正與否可以由使用者來決定。此外，使用者由此顯示部69，可以變更算出的各測定項目之值進行補正。於此實施型態該顯示部69，構成申請專利範圍之搬送體操作部及移動機構操作部。
圖26顯示顯示部69的畫面顯示之一例。圖中的上段往中段、中段往下段，藉由使用者的指示來切換畫面顯示。以下說明圖中上段之表。在表中批次的ID，與針對該批次開始處理的時刻、包含於批次的晶圓W的枚數被相互賦予對應而顯示。使用者針對各批次藉由選擇被分配的選擇編號，選擇針對前述的測定項目進行顯示的批次。又，於相同批次進行同種處理，所以此畫面也可以說是供顯示進行了特定處理的晶圓W的資料之用的畫面。
以下說明圖26中的中段之表。在此畫面72包含於以上段之表選擇的批次的晶圓W的資料，是針對各該晶圓W被顯示。此畫面顯示係根據被容納於前述第2記憶部65的資料來進行。作為被顯示的資料，是晶圓W的ID、光阻膜的表面狀態是否良好、以哪個光阻膜形成模組COT進行了處理、以哪個搬送臂搬送到前述模組 COT、使用上下哪一個保持體2進行了搬送之類的資料。
進而，針對切除寬幅的目標值、各群組A~F所算出的平均切除寬幅E、偏心量Z、偏心Xc、偏心Yc也被顯示。這些平均切除寬幅E、偏心量Z、偏心Xc、偏心Yc，為已說明的各群組A~F的平均值。
此外，說明表中的上側測定值、下側測定值、左側測定值及右側測定值。各群組A~F間的傾斜軸G之一端側(圖17中的右側)的切除寬幅的平均值為右側測定值，傾斜軸G之另一端側(圖17中的左側)的切除寬幅的平均值為左側測定值。各群組A~F間的傾斜軸H的切除寬幅之一端側(圖17中的上側)的數值的平均值為上側測定值，傾斜軸H之另一端側(圖17中的下側)的切除寬幅的平均值為下側測定值。又，在此針對群組A係為X軸=傾斜軸G、Y軸=傾斜軸H。使用者，可以由根據各晶圓W設置的點選欄位，指定供進行前述各補正之用而使用該資料的晶圓W。
以下說明圖26中的下段之畫面。在此畫面，顯示針對在前述中段畫面指定的晶圓W間之上側測定值、下側測定值、右側測定值、左側測定值分別的平均值。指定的晶圓W為1個的場合，替代前述平均值而顯示該選擇的晶圓W的各測定值。
此外，在此畫面，被顯示搬送了指定的晶圓W的搬送臂F及於其保持體2之現在被設定的遞送位置的資料、針對處理了指定的晶圓W的光阻膜形成模組COT的周緣 部溶劑供給噴嘴57，現在被設定的溶劑處理位置的資料。這些顯示係根據前述第4記憶部67的資料來進行。
此外，補正後的X方向的遞送位置、補正後之Y方向的遞送位置也被顯示。此補正後之X方向的遞送位置，係藉由指定的晶圓W間的偏心Xc的平均值，與現在被設定的X方向的遞送位置來演算的。同樣地補正後之Y方向的遞送位置，係藉由選擇的晶圓W間的偏心Yc的平均值，與現在被設定的Y方向的遞送位置來演算的。
進而針對補正後的溶劑處理位置也被顯示。此補正後的處理位置，係藉由指定的晶圓W間的平均切除寬幅的平均值，與現在設定的溶劑處理位置來演算。
於此下段的畫面，顯示補正執行按鈕、取消按鈕以及再計算按鈕。藉由觸碰補正執行按鈕，遞送位置以及處理位置變更至在此畫面被設定的值。總之，第4記憶部67的資料被改寫，以後根據被補正的資料，與第1實施型態同樣地進行搬送臂F及周緣部溶劑供給噴嘴57的移動。按下取消按鈕的話不執行補正，此畫面被關閉。
針對被顯示於此下段側的上側測定值、下側測定值、右側測定值、左側測定值，可以由使用者來變更其值。變更後，藉由按壓再計算按鈕，根據這些變更值針對補正後的遞送位置及溶劑處理位置進行再計算，其計算值被顯示於畫面。此外，使用者也可以直接改寫而變更補正後的遞送位置及溶劑處理位置之值。變更後，藉由按下補正執行按鈕，第4記憶部67的資料被改寫為在此畫面 變更的遞送位置及溶劑處理位置。雖未顯示在圖26下段側的畫面，但對於切除寬幅的目標值亦可由該畫面變更，依照變更的值進行再計算。
以上區別第1及第2實施型態進行了說明，但組合這些實施型態成為1個裝置來構成亦可，例如使用者可以自由選擇依照第1實施型態進行補正或者依照第2實施型態進行補正的方式被構成亦可。
此外，為了使晶圓W的方向在往旋轉夾盤51遞送時，以及往檢查模組30搬入時確實地賦予對應，在前述遞送之前使用方向調整用模組32調整晶圓W的方向，但不以如此般地調整晶圓W的方向為限。可以由檢查模組30的影像資料，進行凹口N的檢測。接著，由光阻膜形成模組COT直到檢查模組51為止之加熱模組31及搬送臂F的保持體2上不使晶圓W旋轉，如前所述於光阻膜形成模組COT針對晶圓W的旋轉量可以由控制部6檢測出，所以由凹口N的位置直到遞送至旋轉夾盤51時之晶圓W的凹口N的位置為可知。亦即，可以檢測出晶圓W之前述X軸及Y軸，所以可進行前述X方向、Y方向的補正。
此外，根據前述切除寬幅之各參數的算出方法，只不過為一例而已。例如從影像資料如圖的上側之曲線圖所示檢測出切除寬幅。曲線圖的橫軸顯示群組A~F之各測定區域。具體而言，測定區域1A為0度，針對其他測定區域在晶圓W的中心P2周圍以由此測定區域1A 偏移的角度來表示。縱軸把切除寬幅(單位μm)以50μm的刻度來表示。
如此般切除寬幅的資料構成的曲線使用例如最小平方法，如下側之曲線所示以描繪正弦曲線的方式來近似。總之，各切除寬幅的資料以位在此正弦曲線上的方式進行補正。使用如此補正之後的切除寬幅，算出已說明之各參數亦可。此外，如此般進行往正弦曲線的近似的場合，該正弦曲線的振幅對應於偏心量Z。此外，針對所得到的正弦曲線，對特定正弦曲線的相位偏移對應於偏心角θ。由此偏心量Z、偏心角θ來算出前述的偏心Xc、偏心Yc亦可。
在此例係進行遞送位置的補正以及處理位置的補正雙方，但僅進行任何一方亦可。如前所述藉由測定複數處所可以提高測定精度，但進行遞送位置的補正時測定區域為4個亦可。此外，僅進行處理位置的補正時，測定區域為1個亦可。此外，藉由其他模組進行光阻塗布，把前述光阻膜形成模組COT作為僅進行前述光阻膜的不要部分的除去之用的模組來構成亦可。
此外，於前述各實施型態雖省略說明，但周緣部溶劑供給噴嘴57，在溶劑的吐出開始後往旋轉的晶圓W的外側移動，藉由晶圓W上之溶劑的吐出位置往外側移動而進行光阻膜的除去。但是，不進行噴嘴的移動，僅藉由晶圓W旋轉導致的離心力使溶劑進行到晶圓W的周端亦可。此外，只要溶劑的吐出位置之晶圓W的內側的位置 被補正即可，所以噴嘴57的移動方向亦可由外側往內側移動。
此外，周緣部溶劑供給噴嘴57，只要可以使溶劑吐出位置在晶圓W的內方側與外方側之間變更即可。因而，例如，如圖28所示在互異的吐出位置設置吐出溶劑的複數之周緣部溶劑供給噴嘴57，進行前述處理位置的補正時，以控制各噴嘴57的閥V的開閉來進行亦可。其他亦可變更噴嘴57的傾斜度。在各實施型態作為塗布膜舉光阻膜為例，但本發明不限於光阻膜的除去，例如也可以適用於防反射膜的除去。此外，根據檢查模組30之影像資料的取得，只要針對晶圓W的周緣部的塗布膜被除去者來進行既可。亦即，進行顯影處理，把在光阻膜形成圖案的晶圓W搬送到檢查模組30，取得影像資料亦可。亦即，作為晶圓W的表面狀態，也可以由使用在供判定圖案的尺寸之合適與否之用的影像資料，來檢測出前述切除寬幅。
U‧‧‧棚單元
W‧‧‧晶圓
COT3、COT4‧‧‧光阻膜形成模組
C‧‧‧載體
D1‧‧‧載體區塊
D2‧‧‧處理區塊
D3‧‧‧界面區塊
D4‧‧‧曝光裝置
E3、E4‧‧‧COT層
F3、F4‧‧‧搬送臂
ITC‧‧‧保護膜形成模組
R‧‧‧搬送區域
T1、T2、T3‧‧‧塔架
2‧‧‧保持體
6‧‧‧控制部
11‧‧‧載置台
12‧‧‧開閉部
13‧‧‧移載機構
14‧‧‧遞送臂
15、16、17‧‧‧界面臂
21‧‧‧基台
31‧‧‧加熱模組
32‧‧‧方向調整用模組
41‧‧‧處理部
42‧‧‧光阻供給噴嘴
43‧‧‧溶劑供給噴嘴
45‧‧‧移動部
51‧‧‧旋轉夾盤
52‧‧‧杯
56‧‧‧移動部
57‧‧‧周緣部溶劑供給噴嘴

Claims (12)

  1. 一種塗布膜除去方法，其特徵為包含：藉由搬送體把圓形的基板的背面側遞送至保持部而保持的步驟、接著使前述保持部繞基板的正交軸旋轉，同時對被形成於基板的表面的塗布膜的周緣部由溶劑噴嘴供給溶劑，以預先設定的寬幅尺寸來環狀地除去塗布膜的塗布膜除去步驟；接著，搬送該基板至攝影前述基板的表面全體供檢查前述塗布膜的狀態之檢查模組的步驟；其後，根據藉由前述檢查模組取得的影像資料檢測出塗布膜的除去區域的步驟；以及根據此步驟的檢測結果，補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板遞送位置的步驟；包含對前述保持部之後續的基板的遞送位置的補正或者對後續的基板之溶劑供給位置的補正，根據前述除去區域的檢測結果而反覆進行，此反覆次數超過設定值時，中止由前述搬送體往背面側之該保持部遞送的步驟。
  2. 一種塗布膜除去方法，其特徵為包含：藉由搬送體把圓形的基板的背面側遞送至保持部而保持的步驟、接著使前述保持部繞基板的正交軸旋轉，同時對被形成於基板的表面的塗布膜的周緣部由溶劑噴嘴供給溶劑，以預先設定的寬幅尺寸來環狀地除去塗布膜的塗布膜除去步驟；接著，搬送該基板至攝影前述基板的表面全體供檢查 前述塗布膜的狀態之檢查模組的步驟；其後，根據藉由前述檢查模組取得的影像資料檢測出塗布膜的除去區域的步驟；以及根據此步驟的檢測結果，補正藉由前述溶劑噴嘴對後續的基板之溶劑吐出位置的步驟；包含對前述保持部之後續的基板的遞送位置的補正或者對後續的基板之溶劑供給位置的補正，根據前述除去區域的檢測結果而反覆進行，此反覆次數超過設定值時，中止由前述搬送體往背面側之該保持部遞送的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之塗布膜除去方法，其中包含根據前述塗布膜的除去區域的檢測結果，補正藉由前述溶劑噴嘴對後續的基板的溶劑供給位置的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之塗布膜除去方法，其中包含根據前述除去區域的檢測結果，決定把前述後續的基板由前述搬送體遞送至背面側之前述保持部，或是中止由前述搬送體往背面側之該保持部遞送的步驟。
  5. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之塗布膜除去方法，其中包含根據前述影像資料進行前述基板的塗布膜的狀態是否良好的判定的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之塗布膜除去方法，其中根據塗布膜的狀態被判定為不良的基板的影像資料，不進行對前述保持部之後續的基板的遞送位置的補正或溶劑的吐出位置的補正。
  7. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：具有保持塗布 膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正交該基板的軸旋轉的背面側保持部，及對前述旋轉的基板的周緣部供給溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去前述塗布膜之用的溶劑供給噴嘴的塗布膜周緣部除去模組；藉由驅動機構往前述塗布膜周緣部除去模組搬送前述基板，把該基板遞送至前述背面側保持部的搬送體；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板的遞送位置的方式使前述驅動機構動作之用的搬送體操作部：設置構成前述資料處理部及前述搬送體操作部的控制部、前述控制部，對前述驅動機構送出控制訊號，控制其動作，且輸出前述控制訊號來進行：由前述搬送體把基板遞送至背面側保持部的步驟；根據由前述基板檢測出的前述塗布膜的除去區域，把後續的基板遞送至被補正的遞送位置之步驟；前述控制部，輸出控制訊號執行根據前述塗布膜的除去寬幅的除去區域反覆進行藉著前述搬送體對前述保持部 之後續的基板的遞送位置的補正或者藉著前述溶劑噴嘴對後續的基板之溶劑供給位置的補正，此反覆次數超過設定值時，中止由前述搬送體往該背面側保持部遞送的步驟。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：具有保持塗布膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正交該基板的軸旋轉的背面側保持部，及對前述旋轉的基板的周緣部供給溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去前述塗布膜之用的溶劑供給噴嘴的塗布膜周緣部除去模組；藉由驅動機構往前述塗布膜周緣部除去模組搬送前述基板，把該基板遞送至前述背面側保持部的搬送體；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板的遞送位置的方式使前述驅動機構動作之用的搬送體操作部；設置構成前述資料處理部及前述搬送體操作部的控制部、前述控制部，對前述驅動機構送出控制訊號，控制其動作，且輸出前述控制訊號來進行：由前述搬送體把基板遞送至背面側保持部的步驟； 根據由前述基板檢測出的前述塗布膜的除去區域，把後續的基板遞送至被補正的遞送位置之步驟。 前述控制部，輸出控制訊號執行根據被檢測出的除去區域，決定把前述後續的基板由前述搬送體遞送至前述背面側保持部，或是停止由前述搬送體往該背面側保持部遞送的步驟；前述塗布膜周緣部除去模組，包含第1塗布膜周緣部除去模組及第2塗布膜周緣部除去模組，同時前述搬送體，包含由上游側的模組分別往第1塗布膜周緣部除去模組、第2塗布膜周緣部除去模組各個搬送基板的第1搬送體、第2搬送體；根據前述第1搬送體、第2搬送體之基板的搬送係相互平行地進行，被搬送至上游側模組的基板，是否預先被搬送至第1塗布膜周緣部除去模組、第2塗布膜周緣部除去模組之中的某一個是預先被設定好的，前述控制部，在停止了藉由前述第1搬送體及第2搬送體之中的某一方的搬送體往塗布膜周緣部除去模組的搬送時，把以被搬送至第1塗布膜周緣部除去模組及第2塗布膜周緣部除去模組的方式設定的基板，藉由另一方的搬送體，由前述上游側模組往該另一方搬送體的遞送目標的塗布膜周緣部除去模組搬送的方式輸出控制訊號。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：具有保持塗布膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正 交該基板的軸旋轉的背面側保持部，及對前述旋轉的基板的周緣部供給溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去前述塗布膜之用的溶劑供給噴嘴的塗布膜周緣部除去模組；藉由驅動機構往前述塗布膜周緣部除去模組搬送前述基板，把該基板遞送至前述背面側保持部的搬送體；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述搬送體對前述保持部的後續的基板的遞送位置的方式使前述驅動機構動作之用的搬送體操作部；前述資料處理部，根據前述影像資料進行前述基板的塗布膜的狀態是否良好的判定；根據塗布膜的狀態被判定為不良的基板的影像資料，不進行由前述第1遞送位置變更為第2遞送位置或者由第1吐出位置變更為第2吐出位置的方式構成前述搬送體操作部或前述移動機構操作部。
  10. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：塗布膜周緣部除去模組，其係備有保持塗布膜被形成於表面的圓形基板的背面，同時使前述基板繞正交該基板的軸旋轉的背面側保持部、及對前述旋轉的基板的周緣部供給溶劑，供以預先設定的寬幅尺寸環狀地除去前述塗布膜之用的溶劑供 給噴嘴、以及使前述溶劑的供給位置在基板的周端側與內側之間移動之用的移動機構；攝影前述塗布膜被除去的基板的表面全體，為了檢查前述塗布膜的狀態而取得影像資料的檢查模組；根據前述影像資料檢測出塗布膜的除去區域之用的資料處理部；以及根據前述除去區域，以補正藉由前述移動機構之溶劑的供給位置的方式使前述移動機構動作之用的移動機構操作部；前述資料處理部，根據前述影像資料進行前述基板的塗布膜的狀態是否良好的判定；根據塗布膜的狀態被判定為不良的基板的影像資料，不進行由前述第1遞送位置變更為第2遞送位置或者由第1吐出位置變更為第2吐出位置的方式構成前述搬送體操作部或前述移動機構操作部。
  11. 如申請專利範圍第7~9項之基板處理裝置，其中前述塗布膜周緣部除去模組，具備使前述溶劑的供給位置在基板的周端側與內側之間移動之用的移動機構；前述控制部，對前述移動機構送出控制訊號，控制其動作，且輸出前述控制訊號來進行：對基板供給溶劑的步驟；根據由前述基板檢測出的前述塗布膜的除去區域，把溶劑供給至被補正的位置之步驟。
  12. 一種記憶媒體，係記憶著使用於包含把圓形的基板的周緣的塗布膜以預先設定的寬幅尺寸除去的塗布膜周緣部除去模組，與把前述基板搬送至該塗布膜周緣部除去模組的搬送體之基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體；其特徵為：前述電腦程式，供實施申請專利範圍第1至6項之任一項之基板處理方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804630B (zh) * 2018-06-06 2023-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 塗布膜形成裝置及塗布膜形成裝置之調整方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6423672B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6322840B2 (ja) * 2014-12-10 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 レジスト膜除去方法、レジスト膜除去装置及び記憶媒体
JP6475071B2 (ja) * 2015-04-24 2019-02-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6541491B2 (ja) * 2015-07-29 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 流下判定方法、流下判定装置および吐出装置
JP6880364B2 (ja) * 2015-08-18 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6475123B2 (ja) * 2015-09-01 2019-02-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101757815B1 (ko) * 2015-09-25 2017-07-14 세메스 주식회사 기판 중심 검출 방법, 기판 반송 방법, 반송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
JP2017092306A (ja) * 2015-11-12 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
JP6611652B2 (ja) 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP6696306B2 (ja) 2016-06-03 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
JP7074688B2 (ja) * 2016-07-01 2022-05-24 カーボン，インコーポレイテッド 液体を節約する特徴を有する多層薄膜をスピンコーティングする方法及びシステム
JP6754247B2 (ja) 2016-08-25 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁部処理装置および周縁部処理方法
JP6815799B2 (ja) 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2019021747A (ja) * 2017-07-14 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板位置調整方法、記憶媒体及び基板処理システム
JP2019096669A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
KR102162187B1 (ko) 2018-08-31 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102211781B1 (ko) * 2018-11-23 2021-02-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 편심 검사 장치 및 방법
TW202040639A (zh) * 2019-02-28 2020-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP7473407B2 (ja) 2020-06-15 2024-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP7028285B2 (ja) * 2020-07-13 2022-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20240096875A (ko) * 2020-09-08 2024-06-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 주연 처리 장치 및 주연 처리 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110712A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
US20030017665A1 (en) * 2001-07-23 2003-01-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
TW200611753A (en) * 2004-06-17 2006-04-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Apparatus for removing coating from edge of substrate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4518678A (en) * 1983-12-16 1985-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Selective removal of coating material on a coated substrate
JP3549141B2 (ja) * 1997-04-21 2004-08-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板保持装置
JP3922062B2 (ja) * 2002-03-22 2007-05-30 ソニー株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP4502199B2 (ja) * 2004-10-21 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
JP4793927B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP2007240562A (ja) * 2006-03-03 2007-09-20 Fujifilm Corp 光再生方法及び光再生装置
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008218898A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2011174757A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び欠陥検査装置
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110712A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
US20030017665A1 (en) * 2001-07-23 2003-01-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
TW200611753A (en) * 2004-06-17 2006-04-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Apparatus for removing coating from edge of substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804630B (zh) * 2018-06-06 2023-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 塗布膜形成裝置及塗布膜形成裝置之調整方法

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Publication number Publication date
JP2014091105A (ja) 2014-05-19
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