WO2021095612A1 - 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減することを課題とする。　本開示の一側面に係る監視装置は、基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置である。この監視装置は、ノズルと保持部に保持された基板の表面とを撮像可能な撮像部と、第１処理及び第２処理を含む基板処理装置による基板の処理の実行中に、撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、第１処理の実行中の監視用動画データに比較して第２処理の実行中の監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、基板の処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える。

Description

監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体

　本開示は、監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体に関する。

　特許文献１には、基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、液ノズルの吐出口部分を撮像する撮像部と、制御部とを備える基板処理装置が開示されている。この制御部は、撮像部に撮像させて得られた撮像画像に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する。

特開２０１５－１５３９０３号公報

　本開示は、撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用な監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体を提供する。

　本開示の一側面に係る監視装置は、基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置である。この監視装置は、ノズルと保持部に保持された基板の表面とを撮像可能な撮像部と、第１処理及び第２処理を含む基板処理装置による基板の処理の実行中に、撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、第１処理の実行中の監視用動画データに比較して第２処理の実行中の監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、基板の処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える。

　本開示によれば、撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用な監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体が提供される。

図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの一例を示す模式図である。 図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、制御装置の機能上の構成の一例を示すブロック図である。 図５は、処理スケジュールの一例を示すテーブルである。 図６は、監視用動画データの生成の一例を説明するための模式図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、解像度の違いを説明するための模式図である。 図８は、基板処理と監視用動画データの生成条件との対応付けの一例を示すテーブルである。 図９は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図１０は、液処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１１は、監視手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、記録手順の一例を示すフローチャートである。 図１３は、第２実施形態での監視用動画データの生成の一例を説明するための模式図である。

　以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

［基板処理システム］
　まず、図１及び図２を参照して基板処理システム１（基板処理装置）の概略構成を説明する。基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に露光用のエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。また、塗布・現像装置２は、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
　図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２（基板処理装置）は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。

　キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

　処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液として、レジストを下層膜の上に塗布する。例えば、液処理ユニットＵ１は、ウェハＷの表面に処理液を供給した後に、当該ウェハＷを回転させることで表面上に処理液の被膜を形成する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。これにより、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成される。

　処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。液処理ユニットＵ１は、現像液を洗い流すためにウェハＷの表面にリンス処理を施す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。現像処理に伴う熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（PEB：Post　Exposure　Bake）、現像処理後の加熱処理（PB：Post　Bake）等が挙げられる。

　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

　処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

（液処理ユニット）
　続いて、図３を参照して、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１の一例について説明する。図３に示されるように、液処理ユニットＵ１は、回転保持部３０と、処理液供給部４０とを有する。

　回転保持部３０は、ウェハＷを保持して回転させる。回転保持部３０は、例えば保持部３２と、回転駆動部３４とを有する。保持部３２は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部３４は、例えば電動モータ等の動力源を含むアクチュエータであり、鉛直な軸線Ａｘまわりに保持部３２を回転させる。これにより、保持部３２上のウェハＷが回転する。保持部３２は、ウェハＷの中心が軸線Ａｘに略一致するようにウェハＷを保持してもよい。

　処理液供給部４０は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、レジスト膜Ｒを形成するための溶液（レジスト）である。処理液供給部４０は、ノズル４２と、供給源４６と、開閉バルブ４８と、ノズル移動機構４４とを有する。ノズル４２は、保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａに処理液を吐出する。例えば、ノズル４２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。供給源４６は、処理液をノズル４２に供給する。開閉バルブ４８は、ノズル４２と供給源４６との間の供給路に設けられる。

　ノズル移動機構４４は、ウェハＷの上方の吐出位置と、当該吐出位置から離れた退避位置との間でノズル４２を移動させる。吐出位置は、例えばウェハＷの回転中心の鉛直上方である（軸線Ａｘ上に位置する）。待機位置は、例えば、ウェハＷの周縁よりも外側に位置し、吐出位置よりも上方に設定される。この場合、ノズル移動機構４４は、ノズル４２をウェハＷの表面Ｗａに沿って移動させる水平駆動部と、ノズル４２をウェハＷの表面Ｗａに垂直に移動させる昇降駆動部とを含む。

（制御装置）
　制御装置１００は、塗布・現像装置２を部分的又は全体的に制御することで、ウェハＷの処理を塗布・現像装置２に実行させる。液処理ユニットＵ１において行われるウェハＷの処理（液処理）には、ウェハＷを待機位置と吐出位置との間でノズル４２を移動させる処理、吐出位置のノズル４２から処理液を吐出させる処理、及び処理液が供給された後に表面Ｗａ上に処理液の被膜を形成する処理等が含まれる。なお、以下では、液処理ユニットＵ１において行われる液処理に含まれる各種処理を「単位処理」と称する。制御装置１００は、図４に示されるように、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、処理情報記憶部１２０と、ノズル配置制御部１２４と、供給制御部１２６と、被膜形成制御部１２８とを有する。

　処理情報記憶部１２０は、ウェハＷの処理に関する処理情報を記憶する。処理情報には、塗布・現像装置２によるウェハＷの処理スケジュール、及び各単位処理での処理条件が含まれてもよい。ウェハＷの処理スケジュールには、液処理ユニットＵ１における液処理のスケジュールが含まれる。例えば、ウェハＷの処理スケジュールでは、図５に示されるように、液処理が含む複数の単位処理の実行順序と、各単位処理の実行時間とが定められている。図５においては、上から下への並び順が実行順序を示している。各単位処理での処理条件には、例えば、ノズル４２の移動速度、処理液の吐出量、及びウェハＷの回転速度等が定められている。

　ノズル配置制御部１２４は、処理情報記憶部１２０が記憶する処理スケジュールに従って、待機位置にあるノズル４２を吐出位置まで移動させる単位処理（以下、「ノズル配置処理」という。）を行う。例えばノズル配置制御部１２４は、ノズル移動機構４４の水平駆動部により水平に移動させた後に、ノズル移動機構４４の昇降駆動部により下方に移動させることでノズル４２を吐出位置に配置する。また、ノズル配置制御部１２４は、処理情報記憶部１２０が記憶する処理スケジュールに従って、吐出位置にあるノズル４２を待機位置まで移動させる単位処理（以下、「ノズル退避処理」という。）を行う。例えばノズル配置制御部１２４は、吐出位置にあるノズル４２を、ノズル移動機構４４の昇降駆動部により上昇させた後に、ノズル移動機構４４の水平駆動部により水平に移動させることでノズル４２を待機位置に配置する。ノズル配置処理及びノズル退避処理において、ノズル配置制御部１２４は、処理条件に従った移動速度にてノズル４２を水平方向及び上下方向に移動させる。

　供給制御部１２６は、処理情報記憶部１２０が記憶する処理スケジュールに従って、回転保持部３０によりウェハＷを回転させながら、処理液供給部４０によりウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する単位処理（以下、「供給処理」という。）を実行する。例えば供給制御部１２６は、回転保持部３０によりウェハＷを回転させつつ、開閉バルブ４８を閉状態から開状態に切り替えることで処理液の吐出を開始させる。供給制御部１２６は、吐出開始から所定時間が経過した後に、開閉バルブ４８を開状態から閉状態に切り替えることで、ノズル４２からの処理液の吐出を停止させる。供給処理において、供給制御部１２６は、処理条件に従った回転数にて回転保持部３０によりウェハＷを回転させ、処理条件に従った吐出量（単位時間あたりの吐出量）にてノズル４２から処理液を吐出させる。

　被膜形成制御部１２８は、処理情報記憶部１２０が記憶する処理スケジュールに従って、ウェハＷの表面Ｗａ上に供給された処理液の被膜を乾燥させる単位処理（以下、「乾燥処理」という。）を実行する。例えば、被膜形成制御部１２８は、乾燥させる処理の少なくとも一部において、予め定められた回転速度でウェハＷが回転する状態を所定期間、回転保持部３０により継続させる。乾燥処理において、被膜形成制御部１２８は、処理条件に従った回転速度にて回転保持部３０によりウェハＷを回転させる。

（監視装置）
　液処理ユニットＵ１は、液処理の状態を監視するための撮像装置１１０（撮像部）を更に有する。制御装置１００は、ウェハＷの処理を塗布・現像装置２に実行させることに加えて、撮像装置１１０により得られた動画データに基づいて、ウェハＷの処理を監視する（複数の単位処理を個別に監視する）。すなわち、基板処理システム１は、制御装置１００と撮像装置１１０とを有する監視装置２０を備える。ウェハＷの処理の監視の例として、ウェハＷの単位処理に異常が発生していないかどうかの監視、及びウェハＷの単位処理がどの程度進行しているのかの監視等が挙げられる。

　撮像装置１１０は、ノズル４２と保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａとを撮像可能に構成されている。撮像装置１１０は、ノズル４２とウェハＷの表面Ｗａとを含む撮像領域ＰＲを撮像するカメラを有する。カメラは、撮像領域ＰＲを撮像することで動画データ（以下、「撮像動画データＭＶ０」という。）を生成する。一例として、撮像装置１１０のカメラは、画像サイズが「ＨＤサイズ」であり、フレーム数（フレームレート）が６０ｆｐｓである撮像動画データＭＶ０を生成する。ＨＤサイズの画像では、横方向の画素数が１２８０であり、縦方向の画素数が７２０である。以下、画素数を含めた画像サイズを「ＨＤサイズ（横１２８０画素×縦７２０画素）」のように表記する。

　撮像装置１１０のカメラは、例えば、上記撮像領域ＰＲの撮像が可能となるように、液処理ユニットＵ１の筐体内の上方に設けられる。ウェハＷの処理の少なくとも一部の期間において、撮像装置１１０による撮像領域ＰＲは、吐出位置に位置するノズル４２と、待機位置に位置するノズル４２と、吐出位置及び待機位置を移動する間のノズル４２と、ウェハＷの表面Ｗａの全面とが含まれるように設定されてもよい。あるいは、ウェハＷの処理の実行中において、撮像装置１１０による撮像領域ＰＲは、上記３つの状態のノズル４２と、ウェハＷの表面Ｗａの全面とが含まれる領域に固定されてもよい。撮像装置１１０は、生成した撮像動画データＭＶ０を制御装置１００に出力する。

　制御装置１００は、機能モジュールとして、例えば、データ取得部１３２と、データバッファ部１３４と、監視用データ生成部１３６と、監視条件変更部１３８と、参照条件記憶部１４０と、監視条件生成部１４２と、監視条件記憶部１４８と、処理判定部１５０と、保存データ記録部１５２と、保存条件変更部１５４とを更に有する。

　データ取得部１３２は、撮像領域ＰＲの撮像動画データＭＶ０を撮像装置１１０に取得させる。データ取得部１３２は、予め定められた解像度及びフレーム数（単位時間あたりのフレームの数）の撮像動画データＭＶ０を撮像装置１１０に取得させてもよい。解像度は、画像の精細さを表す尺度であり、単位長さ（単位面積）あたりに含まれる情報量の大小を示す。すなわち、解像度に応じて、１画素あたりに含まれる撮像領域ＰＲ（又は画角）の大きさが異なる。解像度が高い場合には１画素あたりの撮像領域ＰＲの大きさが小さくなり、解像度が低い場合には１画素あたりの撮像領域ＰＲの大きさが大きくなる。

　撮像領域ＰＲがウェハＷの処理の実行中において、一定の範囲に固定される場合、解像度は、撮像領域ＰＲ内の単位面積あたりの画素数に応じて定まる。以下、ウェハＷの処理の実行中において撮像領域ＰＲが一定範囲に固定される場合を例示する。また、撮像動画データＭＶ０の撮像領域ＰＲの単位面積あたりの画素数を「画素数ｎ０」とし、撮像動画データＭＶ０のフレーム数を「フレーム数ｆ０」として説明する。なお、撮像領域ＰＲを一定範囲に固定した場合に、解像度は動画データの画像サイズによって表すことができる。例えば、ＨＤサイズ（横１２８０画素×縦７２０画素）、ＶＧＡサイズ（横６４０画素×縦４８０画素）、及びＱＶＧＡサイズ（横３２０画素×縦２４０画素）では、この順で画像サイズが大きく、解像度が高くなる。なお、これらの画像サイズを用いる場合に、監視、記録、又は表示等の目的に応じて、一部の領域の切り出し又は黒帯付加等の処理を行うことによって、画像サイズのアスペクト比の共通化が行われてもよい。

　データバッファ部１３４は、データ取得部１３２が取得した撮像動画データＭＶ０を一時的に記憶する。例えば、データバッファ部１３４は、予め定められた容量分の撮像動画データＭＶ０を記憶する。一例として、データバッファ部１３４が記憶することができる容量は、数枚のウェハＷに対する処理（液処理ユニットＵ１における液処理）での撮像動画データＭＶ０が記憶できる程度に設定される。データバッファ部１３４は、容量が設定値を越えないように、撮像動画データＭＶ０のうちの古いデータを削除していくことで新しい撮像動画データＭＶ０を記憶してもよい。

　監視用データ生成部１３６は、ウェハＷの処理の実行中に、撮像装置１１０による撮像動画データＭＶ０に基づいて監視用動画データを生成する。監視用データ生成部１３６は、例えば、データバッファ部１３４が一時的に記憶する撮像動画データＭＶ０に所定の処理を施すことで、監視用動画データを生成する。監視用データ生成部１３６は、ウェハＷの処理の実行中の少なくとも一部の期間において、撮像動画データＭＶ０を圧縮することで監視用動画データを生成してもよい。つまり、監視用動画データは、撮像動画データＭＶ０が圧縮されたデータであってもよい。監視用データ生成部１３６は、少なくとも解像度又はフレーム数を削減することで撮像動画データＭＶ０を圧縮する。例えば、監視用データ生成部１３６は、撮像動画データＭＶ０のフレーム数を変更せずに解像度を下げてもよく、解像度を変更せずにフレーム数を削減してもよく、フレーム数と解像度とを削減してもよい。一例として、監視用データ生成部１３６は、ＨＤサイズの撮像動画データＭＶ０をＶＧＡサイズ又はＱＶＧＡサイズの動画データに変更（圧縮）することで、解像度を下げてもよい。

　監視条件変更部１３８は、ウェハＷの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する。監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更した（設定した）生成条件に従って監視用動画データを生成する。監視条件変更部１３８は、ウェハＷの処理に含まれるいずれかの単位処理（以下、「第１処理」という。）と他の単位処理（以下、「第２処理」という。）とで生成条件が互いに異なるように、第１処理での生成条件と第２処理での生成条件とを設定する。例えば、監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の監視用動画データ（以下、「第１動画データＭＶ１」という。）に比較して第２処理の実行中の監視用動画データ（以下、「第２動画データＭＶ２」という。）の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。

　例えば、監視条件変更部１３８は、第１動画データＭＶ１に比較して第２動画データＭＶ２の解像度が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に撮像動画データＭＶ０からの単位面積あたりの画素数の削減率を変更する。この場合、監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更した単位面積あたりの画素数の削減率に従って撮像動画データＭＶ０から画素数を削減することで、監視用動画データを生成する。一例として、監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の単位面積あたりの画素数の削減率がｎ１／ｎ０となるように生成条件を変更し、第２処理の実行中の単位面積あたりの画素数の削減率がｎ２／ｎ０となるように生成条件を変更する。ｎ１，ｎ２はそれぞれｎ０以下の正の整数であり、ｎ１とｎ２とは互いに異なる値である。画像サイズの変更で説明すると、ＨＤサイズをＶＧＡサイズに変更する場合、横画素比では削減率が１／２となる。ＨＤサイズをＱＶＧＡサイズに変更する場合、横画素比では削減率が１／４となる。なお、画素数を削減する際に、間引く方法、及び平均値を算出する方法等のいずれの方法で画素数が削減されてもよく、画素数の削減を行う画像処理アルゴリズムとして、従来用いられている任意の手法が利用されてもよい。

　監視条件変更部１３８は、第１動画データＭＶ１に比較して第２動画データＭＶ２のフレーム数が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に撮像動画データＭＶ０からのフレーム数の削減率を変更してもよい。この場合、監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更したフレーム数の削減率に従って撮像動画データＭＶ０からフレーム数を削減することで、監視用動画データを生成する。一例として、監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中のフレーム数の削減率がｆ１／ｆ０となるように生成条件を変更し、第２処理の実行中のフレーム数の削減率がｆ２／ｆ０となるように生成条件を変更する。ｆ１，ｆ２はそれぞれｆ０以下の正の整数であり、ｆ１とｆ２とは互いに異なる値である。監視条件変更部１３８が単位面積あたりの画素数とフレーム数とを上述のように変更する場合、監視用データ生成部１３６は、画素数ｎ１・フレーム数ｆ１の第１動画データを生成し、画素数ｎ２・フレーム数ｆ２の第２動画データを生成する。なお、フレーム数を削減する際に、間引く方法、及び平均値を算出する方法等のいずれの方法でフレーム数が削減されてもよく、フレーム数の削減を行う処理アルゴリズムとして、従来用いられている任意の手法が利用されてもよい。

　監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の第１動画データＭＶ１に比較して第２処理の実行中の第２動画データＭＶ２の全画素での撮像領域の大きさも異なるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。例えば、監視条件変更部１３８は、撮像動画データＭＶ０のうち、監視用データ生成部１３６が監視用動画データに含める領域（以下、「対象領域ＩＲ」という。）を変更する。監視条件変更部１３８は、第１動画データＭＶ１での対象領域ＩＲが第２動画データＭＶ２での対象領域ＩＲと異なるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。以下では、いくつかの処理内容を例示して、生成条件の変更例について説明する。

　第１処理がノズル４２の配置処理であり、第２処理が処理液の供給処理である場合、監視条件変更部１３８は、第２処理の実行中の第２動画データＭＶ２の解像度が、第１処理の実行中の第１動画データＭＶ１の解像度よりも高くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。なお、この場合に生成される第２動画データＭＶ２のフレーム数は、第１動画データＭＶ１のフレーム数と同じであってもよく、第１動画データＭＶ１のフレーム数よりも多くてもよい。監視条件変更部１３８は、第２動画データＭＶ２での対象領域ＩＲが、第１動画データＭＶ１での対象領域ＩＲよりも狭くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。

　一例として、図６に示されるように、監視条件変更部１３８は、ノズル配置処理での第１動画データＭＶ１の対象領域ＩＲを、撮像動画データＭＶ０での撮像領域ＰＲと一致させる。すなわち、第１動画データＭＶ１の全画素での撮像領域の大きさを、撮像領域ＰＲ全域とする。一例として、撮像動画データＭＶ０の画像サイズはＨＤサイズであり、第１動画データＭＶ１の画像サイズはＶＧＡサイズである。この場合、第１動画データＭＶ１の生成条件の一つとして、横画素数を基準に解像度の削減率が１／２に設定され、又は縦画素数を基準に解像度の削減率が２／３に設定されてもよく、アスペクト比の共通化が行われてもよい。監視条件変更部１３８は、供給処理での第２動画データＭＶ２の対象領域ＩＲとしてノズル４２及びその周辺を含む一部を撮像領域ＰＲから選択する。すなわち、第２動画データＭＶ２の全画素での撮像領域の大きさを、撮像領域ＰＲより狭くする。

　なお、監視条件変更部１３８は、対象領域ＩＲをノズル周辺に絞っても、単位面積あたりの画素数ｎ２は変更しない。例えば、第２動画データＭＶ２の画像は、画像サイズがＨＤサイズである撮像動画データＭＶ０から対象領域ＩＲを切り出した画像（対象領域ＩＲ以外の領域が含まれないよう切り出された画像）に相当する。第２動画データＭＶ２の全画素に含まれる撮像領域ＰＲの大きさは、第１動画データＭＶ１の全画素に含まれる撮像領域ＰＲの大きさと異なっている。具体的には、第２動画データＭＶ２の対象領域ＩＲは、第１動画データＭＶ１の対象領域ＩＲよりも小さい。これにより、第２動画データＭＶ２が高い解像度を有していても、第２動画データＭＶ２のデータサイズの増大は抑制される。

　第１処理が乾燥処理であり、第２処理が処理液の供給処理である場合も同様に、監視条件変更部１３８は、第２動画データＭＶ２の解像度が、第１動画データＭＶ１の解像度よりも高くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。なお、この場合に生成される第２動画データＭＶ２のフレーム数は、第１動画データＭＶ１のフレーム数と同じであってもよく、第１動画データＭＶ１のフレーム数よりも多くてもよい。監視条件変更部１３８は、第２動画データＭＶ２での対象領域ＩＲが、第１動画データＭＶ１での対象領域ＩＲよりも狭くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。一例として、監視条件変更部１３８は、乾燥処理での第１動画データＭＶ１の対象領域ＩＲを、撮像動画データＭＶ０での撮像領域ＰＲと一致させる。監視条件変更部１３８は、供給処理での第２動画データＭＶ２の対象領域ＩＲとしてノズル４２及びその周辺を含む一部を撮像領域ＰＲから選択する。

　参照条件記憶部１４０は、ウェハＷの処理の内容と監視用動画データの生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する。参照条件記憶部１４０は、例えば、ウェハＷの各単位処理の内容と、各単位処理の内容に応じた生成条件を対応付けたテーブル情報を記憶する。一例として、参照条件記憶部１４０は、図８に示されるように、ウェハＷの単位処理の内容と、解像度（単位面積あたりの画素数）、フレーム数、及び対象領域ＩＲとを対応付けたテーブル情報を記憶する。

　監視条件生成部１４２は、ウェハＷの処理スケジュールと上記対応情報とに基づいて、監視用動画データの生成条件を変更する条件変更スケジュールを生成する。例えば、監視条件生成部１４２は、処理情報記憶部１２０を参照することでウェハＷの処理スケジュールを取得する。そして、監視条件生成部１４２は、参照条件記憶部１４０が記憶する処理内容と生成条件とを対応付けたテーブル情報を参照することで、処理スケジュールに含まれる単位処理ごとに生成条件を定める条件変更スケジュールを生成する。

　監視条件記憶部１４８は、塗布・現像装置２によるウェハＷの処理スケジュールに従って撮像用動画データの生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する。例えば、監視条件記憶部１４８は、監視条件生成部１４２が生成した条件変更スケジュールを記憶する。監視条件変更部１３８は、条件変更スケジュールに基づいて、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更した生成条件に従って、撮像動画データＭＶ０に所定の処理を施すことで、監視用動画データを生成する。

　一例として、条件変更スケジュールに基づき監視条件変更部１３８が生成条件の解像度を解像度ｎ１に変更した場合、監視用データ生成部１３６は、ＨＤサイズの撮像動画データＭＶ０からＶＧＡサイズの監視用動画データを生成する。条件変更スケジュールに基づき監視条件変更部１３８が生成条件の解像度を解像度ｎ２に変更した場合、監視用データ生成部１３６は、ＨＤサイズの監視用動画データを生成する。あるいは、生成条件が解像度ｎ１に変更された場合に監視用データ生成部１３６がＱＶＧＡサイズの監視用動画データを生成してもよく、生成条件が解像度ｎ２に変更された場合に監視用データ生成部１３６がＶＧＡサイズの動画データを生成してもよい。別の例として、生成条件のフレーム数がフレーム数ｆ１に変更された場合、監視用データ生成部１３６は、６０ｆｐｓの撮像動画データＭＶ０から３０ｆｐｓの監視用動画データを生成してもよく、生成条件のフレーム数がフレーム数ｆ２に変更された場合、監視用データ生成部１３６は、６０ｆｐｓの監視用動画データを生成してもよい。あるいは、生成条件がフレーム数ｆ１に変更された場合、監視用データ生成部１３６は、６０ｆｐｓの撮像動画データから１５ｆｐｓの監視用動画データを生成してもよく、生成条件がフレーム数ｆ２に変更された場合、監視用データ生成部１３６は、３０ｆｐｓの監視用動画データを生成してもよい。

　処理判定部１５０は、監視用データ生成部１３６が生成した監視用動画データに基づいて、ウェハＷの単位処理の状態を判定する。例えば、処理判定部１５０（異常判定部）は、監視用動画データに基づいて、ウェハＷの単位処理の異常を判定する。処理判定部１５０は、単位処理の内容に応じた監視用動画データにおいて、画像処理を行うことで当該処理での異常の有無を判定してもよい。一例として、処理判定部１５０は、予め準備された正常時の監視用動画データ（以下、「基準動画データ」という。）と、監視用データ生成部１３６が生成した監視用動画データとの差異に基づいて、ウェハＷの単位処理の異常を判定してもよい。なお、基準動画データは、時系列に沿って監視用動画データの各フレームと比較可能であれば、動画及び静止画のいずれの形式で準備されていてもよい。

　また、処理判定部１５０は、監視用動画データの入力に応じて異常の有無を出力する学習モデルに、監視用データ生成部１３６が生成した監視用動画データを入力することで、単位処理の異常の有無を判定してもよい。学習モデルは、監視用動画データと、異常の有無の判定結果とを対応付けて蓄積した教師データに基づく機械学習（例えばディープラーニング）により予め生成される。このような学習モデルに基づけば、画像のみからは人間による目視でも異常の有無を識別できないような場合であっても、異常の有無を識別し得ることが期待される。例えば、ウェハＷの表面Ｗａ上の凹凸パターンによる乱反射等の外乱の影響により画像のみからは異常の有無を識別できない場合であっても、異常の有無を識別できる可能性がある。

　処理判定部１５０は、ノズル４２の配置処理での異常の有無を判定する。ノズル４２の配置処理での異常判定の対象としては、例えば、移動中のノズル４２において液垂れが生じていないか、及び移動中のノズル４２からの液滴の落下が発生していないかどうか等の判定が挙げられる。ノズル４２の配置処理の判定では、高い画質は不要となるが、監視すべき領域が比較的広くなる。なお、本明細書において「画質」とは、少なくとも動画データの解像度又はフレーム数に相関する動画の細かさ（精緻さ）を意味する。高画質とは、動画データの解像度が高い（１画素あたりの撮像領域が小さい）ことを意味してもよく、動画データのフレーム数が多いことを意味してもよく、動画データの解像度が高く、さらにフレーム数が多いことを意味してもよい。

　処理判定部１５０は、供給処理での異常の有無を判定する。処理液の供給処理での異常判定の対象としては、ノズル４２から吐出された処理液の液跳ねが発生していないか、吐出中のノズル４２内の処理液に泡が生じていないか、吐出終了直後のノズル４２からの液滴の落下が生じていないかどうか、及びノズル４２の配置位置が適切かどうか等の判定が挙げられる。処理液の供給処理における判定には、比較的高い画質が必要となるが、監視すべき領域は比較的狭くてもよい。図７（ａ）は、第１動画データＭＶ１が低画質である場合のノズル４２の一部の画像を模式的に示しており、図７（ｂ）は、第２動画データＭＶ２が高画質である場合のノズル４２の一部の画像を模式的に示している。図７（ｂ）に示す画像では、図７（ａ）に示す画像に比較して、１画素あたりに含まれるノズル４２の一部の大きさが小さくなり、全体としてノズル４２の輪郭形状が細かくなる。このため、高画質の動画データを利用することで、処理内容についてより詳細な画像解析が可能となる。

　処理判定部１５０は、乾燥処理での異常の有無を判定する。乾燥処理の異常判定の対象としては、例えば、被膜の広がり具合が適切かどうか、及び被膜の乾燥の進行が適切かどうか等の判定が挙げられる。乾燥処理の判定には、高い画質が不要となるが、監視すべき領域は比較的広くなる。

　保存データ記録部１５２は、撮像動画データに基づいて保存用動画データを記録する。例えば、保存データ記録部１５２は、データバッファ部１３４が記憶する撮像動画データＭＶ０に所定の処理を施して保存用動画データを生成し、生成した保存用動画データを外部のデータ記憶部１９０に出力する。制御装置１００がデータ記憶部１９０を有していてもよい。保存データ記録部１５２は、予め設定された基準保存条件に従って保存用動画データを生成してもよい。基準保存条件には、撮像動画データからの圧縮率が定められている。一例として、この圧縮率は、少なくとも解像度（単位面積あたりの画素数）又はフレーム数によって定まる。

　保存条件変更部１５４は、処理判定部１５０による判定結果がウェハＷの単位処理が異常であることを示す場合に、保存用動画データの保存条件を、保存用動画データを記録する際に変更する。保存条件変更部１５４は、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも１つを、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。例えば、保存条件変更部１５４は、処理判定部１５０からウェハＷの単位処理が異常であることを示す信号（以下、「異常信号」という。）を受けると、信号を受けた際の単位処理が実行される期間の保存用動画データの保存条件を変更する。具体的には、保存条件変更部１５４は、基準保存条件から異常時の保存条件に変更する。異常時の保存条件は予め定められており、例えば、異常時の保存条件で定められる解像度及びフレーム数の少なくとも一方の値が、基準保存条件の対応する値に比較して大きくなるように、異常時の保存条件が定められている。保存データ記録部１５２は、処理判定部１５０が異常信号を出力しない場合には、基準保存条件に従って保存用動画データを生成する。一方、処理判定部１５０が異常信号を出力した場合には、保存条件変更部１５４により変更された（設定された）異常時の保存条件に従って保存用動画データを生成する。これにより、異常が生じた際には、高画質の保存用動画データが記録される。

　一例として、基準保存条件では解像度が解像度ｎ１に設定され、異常時の保存条件では解像度が解像度ｎ２に変更されてもよい。保存条件が解像度ｎ１に設定されている場合、保存データ記録部１５２は、ＨＤサイズの撮像動画データＭＶ０から、ＶＧＡサイズの保存用動画データを生成してもよい。保存条件が解像度ｎ２に変更されている場合、保存データ記録部１５２は、ＨＤサイズの保存用動画データを生成してもよい。あるいは、保存条件が解像度ｎ１である場合、保存データ記録部１５２は、ＨＤサイズの撮像動画データＭＶ０から、ＱＶＧＡサイズの保存用動画データを生成し、保存条件が解像度ｎ２である場合、保存データ記録部１５２は、ＶＧＡサイズの保存用動画データを生成してもよい。

　別の例として、基準保存条件ではフレーム数がフレーム数ｆ１に設定され、異常時の保存条件ではフレーム数がフレーム数ｆ２に変更されてもよい。保存条件がフレーム数ｆ１に設定されている場合、保存データ記録部１５２は、フレーム数が６０ｆｐｓの撮像動画データＭＶ０から、フレーム数が３０ｆｐｓの保存用動画データを生成してもよい。保存条件がフレーム数ｆ２に設定されている場合、保存データ記録部１５２は、フレーム数が撮像動画データＭＶ０と同じフレーム数の６０ｆｐｓの保存用動画データを生成してもよい。あるいは、保存条件がフレーム数ｆ１に設定されている場合、保存データ記録部１５２は、フレーム数が６０ｆｐｓの撮像動画データＭＶ０から、フレーム数が１５ｆｐｓの保存用動画データを生成してもよく、保存条件がフレーム数ｆ２に設定されている場合、保存データ記録部１５２は、フレーム数が３０ｆｐｓの保存用動画データを生成してもよい。

　保存用動画データの保存条件に、データの圧縮形式（圧縮符号化アルゴリズム）が含まれていてもよい。例えば、異常時等に相対的に高い画質の保存用動画データを保存したい場合に、保存データ記録部１５２は、可逆の符号化アルゴリズム（可逆の圧縮方式、例えば、ＨｕｆｆＹＵＶ等）により保存用動画データを生成してもよい。異常がない通常時等に相対的に低い画質の保存用動画データを保存したい場合、保存データ記録部１５２は、非可逆の符号化アルゴリズム（非可逆の圧縮方式、例えば、Ｈ２６４等）により保存用動画データを生成してもよい。なお、保存データ記録部１５２は、異常時等に、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち２つ以上を、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。

　保存データ記録部１５２は、処理判定部１５０による判定結果が単位処理が異常であることを示す場合に、当該異常と判定されたウェハＷの単位処理の内容を示す処理情報も記録してもよい。例えば、保存データ記録部１５２は、処理判定部１５０から記録対象の単位処理に関する処理情報を取得し、当該処理情報を保存用動画データとともに外部のデータ記憶部１９０に出力する（記録する）。処理情報としては、例えば、処理対象のウェハＷの個体情報、異常発生時の単位処理の内容、単位処理実行中の処理条件、及び各種センサからの測定情報等が挙げられる。

　制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図９に示される回路２００を有する。回路２００は、一つ又は複数のプロセッサ２０２と、メモリ２０４と、ストレージ２０６と、入出力ポート２０８と、タイマ２１２とを有する。ストレージ２０６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の監視手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ２０４は、ストレージ２０６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ２０２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ２０２は、メモリ２０４と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート２０８は、プロセッサ２０２からの指令に従って、撮像装置１１０、回転保持部３０、及び処理液供給部４０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ２１２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

　制御装置１００が複数の制御用コンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別の制御用コンピュータによって実現されていてもよい。制御装置１００は、塗布・現像装置２によるウェハＷの単位処理を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータと、ウェハＷの処理の監視、及び保存用動画データの記録を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータとで構成されてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上の制御用コンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数の制御用コンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、後述する監視手順を連携して実行してもよい。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）により構成されていてもよい。

［基板処理手順］
　続いて、基板処理方法の一例として、基板処理システム１において実行される基板処理手順を説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を含む基板処理を実行するように基板処理システム１を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜Ｒを形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。液処理ユニットＵ１において行われる液処理手順の一例については後述する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷのレジスト膜Ｒ上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１に収容されたウェハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。そして、露光装置３において、ウェハＷに形成されたレジスト膜Ｒに露光処理が施される。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、当該ウェハＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御装置１００は、現像処理に伴う熱処理、及び現像処理を実行するように制御を行う。以上により塗布・現像処理が終了する。

（液処理手順）
　続いて、図１０を参照して、液処理手順の一例について説明する。図１０は、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１において実行される液処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置１００は、ノズル４２が待機位置に配置され、ウェハＷが回転保持部３０（保持部３２）に載置された状態で、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、ノズル配置制御部１２４が、待機位置から吐出位置までノズル移動機構４４によりノズル４２を移動させるノズル配置処理を実行する。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ０２，Ｓ０３，Ｓ０４を実行する。ステップＳ０２では、例えば、供給制御部１２６が、処理液の吐出を開始させる。具体的には、供給制御部１２６は、回転保持部３０によりウェハＷを回転させつつ、開閉バルブ４８を閉状態から開状態に切り替えることで処理液の吐出を開始させる。ステップＳ０３では、供給制御部１２６が、ウェハＷの回転及び処理液の吐出を回転保持部３０及び処理液供給部４０にそれぞれ継続させたまま、供給処理の開始から供給処理の処理時間の経過を待機する。処理時間の経過後のステップＳ０４では、例えば、供給制御部１２６が、開閉バルブ４８を開状態から閉状態に切り替えることで処理液の吐出を停止させる。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ０５，Ｓ０６，Ｓ０７を実行する。ステップＳ０５では、例えば、被膜形成制御部１２８が、処理液の被膜形成のためのウェハＷの回転を開始させる。被膜形成制御部１２８は、ステップＳ０４の吐出停止時点の回転速度から、被膜形成のための回転速度となるように回転保持部３０によりウェハＷの回転を調節してもよい。ステップＳ０６では、例えば、被膜形成制御部１２８が、被膜形成のためのウェハＷの回転開始から乾燥処理の処理時間の経過を待機する。乾燥処理の処理時間経過後のステップＳ０７では、例えば、被膜形成制御部１２８がウェハＷの回転を回転保持部３０により停止させる。なお、ステップＳ０５～Ｓ０７が実行される期間の少なくとも一部と重複したタイミングにおいて、制御装置１００（ノズル配置制御部１２４）は、ノズル退避処理を実行してもよい。以上により１枚のウェハＷに対する液処理手順が終了する。

［監視手順］
　図１１は、制御装置１００による監視手順（監視方法）の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、液処理手順の実行と略同一のタイミングで（並行して）、ウェハＷの処理の監視処理を実行する。制御装置１００は、ウェハＷが液処理ユニットＵ１に搬入され、撮像装置１１０による撮像領域ＰＲの撮像を継続させている状態で、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、例えば、監視条件生成部１４２が、処理情報記憶部１２０が記憶する処理スケジュールと、参照条件記憶部１４０が記憶する対応情報とを参照することで、ウェハＷの処理における条件変更スケジュールを生成する。条件変更スケジュールは、例えば、複数の単位処理にそれぞれ対応する複数の単位期間の順序と、各単位期間での生成条件とを含む。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ２２，Ｓ２３を実行する。ステップＳ２２では、例えば、制御装置１００が、最初の単位期間の開始タイミングとなるまで待機する。ステップＳ２３では、例えば、監視条件変更部１３８が、条件変更スケジュールに基づいて、単位処理の内容に応じて監視用動画データの生成条件を設定する。一例として、監視条件変更部１３８は、単位処理がノズル配置処理である場合、生成条件に含まれる単位面積あたりの画素数を画素数ｎ１に設定し（例えば、画像サイズをＶＧＡサイズに設定し）、フレーム数をフレーム数ｆ１（例えば、３０ｆｐｓ）に設定し、監視用動画データの対象領域ＩＲを撮像領域ＰＲの全域に設定する。これにより、監視用データ生成部１３６は、ノズル配置処理の実行中に監視条件変更部１３８が変更した生成条件に従って、ノズル配置処理の実行中の監視用動画データを生成する。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ２４，Ｓ２５を実行する。ステップＳ２４では、例えば、監視用データ生成部１３６が、監視用動画データを生成する周期となるまで待機する。一例として、当該単位処理の生成条件においてフレーム数の削減率が１／２に設定されている場合、撮像動画データＭＶ０（例えば、画像サイズがＨＤサイズであり、フレーム数が６０ｆｐｓである撮像動画データ）が２フレームずつ得られるタイミングが生成周期となる。ステップＳ２５では、監視用データ生成部１３６が、監視条件変更部１３８が変更した生成条件に定める解像度（単位面積あたりの画素数）に従って、撮像動画データＭＶ０から解像度を圧縮することで、１フレームの監視用動画データ（画像データ）を生成する。このようなフレーム数の削減又は解像度の圧縮が行われる結果、監視用動画データ（例えば、画像サイズがＶＧＡサイズであり、フレーム数が３０ｆｐｓである動画データ）が生成される。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、例えば、処理判定部１５０が、単位処理の実行中の監視用動画データ（ステップＳ２５で生成した１フレームの監視用動画データ）に基づいて、単位処理において異常が生じていないかどうかを判定する。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、例えば、制御装置１００が、単位処理の終了時刻に達しているかどうかを判断する。単位処理の終了時刻に達していない場合、制御装置１００は、ステップＳ２４～Ｓ２７の処理を繰り返す。これにより、監視用動画データの生成周期ごと（監視用動画データの１フレームごと）に、単位処理の異常有無の判定が行われる。

　単位処理の終了時刻に達した場合、制御装置１００は、ステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、例えば、制御装置１００が、全ての単位処理での監視処理が終了しているかどうかを判断する。全ての単位処理での監視処理が終了していない場合、制御装置１００は、ステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、監視条件変更部１３８が、条件変更スケジュールに基づいて、供給処理の実行中における監視用動画データの生成条件を変更する。例えば、ノズル配置処理の終了後において供給処理の監視が行われる場合、監視条件変更部１３８は、供給制御部１２６が供給処理を実行中に、単位面積あたりの画素数を画素数ｎ１から画素数ｎ２に変更し、フレーム数をフレー数ｆ２からフレーム数ｆ１に変更し、監視用動画データの対象領域ＩＲを撮像領域ＰＲの全域からノズル４２の周辺領域に変更する。そして、ステップＳ２４～Ｓ２７が繰り返されることで、監視用データ生成部１３６は、供給処理の実行中に監視条件変更部１３８が変更した生成条件に従って、供給処理の実行中の監視用動画データ（例えば、画像サイズがＨＤサイズであり、フレーム数が６０ｆｐｓである動画データ）を生成する。

　また、供給処理の終了後において乾燥処理が行われる場合、ステップＳ２９では、監視条件変更部１３８が、被膜形成制御部１２８が乾燥処理を実行中に、単位面積あたりの画素数を画素数ｎ２から画素数ｎ１に変更し、フレーム数をフレー数ｆ２からフレーム数ｆ１に変更し、監視用動画データの対象領域ＩＲをノズル４２の周辺領域から撮像領域ＰＲの全域に変更する。そして、ステップＳ２４～Ｓ２７が繰り返されることで、監視用データ生成部１３６は、乾燥処理の実行中に監視条件変更部１３８が変更した生成条件に従って、乾燥処理の実行中の監視用動画データ（例えば、画像サイズがＶＧＡサイズであり、フレーム数が３０ｆｐｓである動画データ）を生成する。

　一方、ステップＳ２８において、全ての単位処理における監視処理が終了していると判断された場合、１枚のウェハＷにおける単位処理の監視手順が終了する。

［記録手順］
　図１２は、保存用動画データの記録手順（保存手順）を示すフローチャートである。制御装置１００は、液処理手順及び監視手順の実行に合わせて、ウェハＷの処理に対する記録処理を実行する。一例として、制御装置１００は、ノズル配置処理、供給処理、及び乾燥処理の各単位処理の終了直後において当該単位処理での保存用動画データを記録する。まず、制御装置１００は、撮像装置１１０による撮像領域ＰＲの撮像を継続させている状態で、ステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、例えば、制御装置１００が、記録対象となる単位処理が終了するまで待機する。

　記録対象の単位処理が終了すると、制御装置１００は、ステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、例えば、処理判定部１５０が、記録対象の単位処理において、処理の異常が判定されていないかどうかを判断する。

　ステップＳ４２において、記録対象の単位処理に異常がなかったと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ４３，Ｓ４４を実行する。ステップＳ４３では、例えば、保存条件変更部１５４が、保存用動画データの保存条件を基準保存条件に維持する（例えば、画像サイズをＶＧＡサイズに維持し、フレーム数を３０ｆｐｓに維持する）。ステップＳ４４では、例えば、保存データ記録部１５２が基準保存条件に従って、データバッファ部１３４に一時的に記憶されている撮像動画データＭＶ０から、記録対象の単位処理における保存用動画データを生成する。保存データ記録部１５２は、例えば、生成した保存用動画データを制御装置１００の外部のデータ記憶部１９０に出力する。

　一方、ステップＳ４２において、記録対象の単位処理に異常があったと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ４５，Ｓ４６，Ｓ４７を実行する。ステップＳ４５では、例えば、保存条件変更部１５４が、保存用動画データの保存条件を基準保存条件から異常時の保存条件に変更する（例えば、画像サイズをＨＤサイズに変更し、フレーム数を６０ｆｐｓに変更する）。ステップＳ４６では、例えば、保存データ記録部１５２が異常時の保存条件に従って、データバッファ部１３４に一時的に記憶されている撮像動画データＭＶ０から、記録対象の単位処理における保存用動画データを生成する。保存データ記録部１５２は、例えば、生成した保存用動画データを制御装置１００の外部のデータ記憶部１９０に出力する。ステップＳ４７では、例えば、保存データ記録部１５２が、処理判定部１５０から記録対象の単位処理に関する処理情報を取得し、当該処理情報を保存用動画データとともに外部の記憶部に出力する（記録する）。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ４８を実行する。ステップＳ４８では、例えば、保存条件変更部１５４が、保存用動画データの保存条件を異常時の保存条件から基準保存条件に変更する。これにより、次の記録対象である単位処理において、異常が生じていなければ基準保存条件に従って、保存用録画データが記録される。

　次に（ステップＳ４４又はステップＳ４８の終了後に）、制御装置１００は、ステップＳ４９を実行する。ステップＳ４９では、例えば、制御装置１００が、全ての単位処理での記録処理が終了しているかどうかを判断する。全ての単位処理における記録処理が終了していない場合、制御装置１００は、次の単位処理での記録処理が実行されるように、ステップＳ４１～Ｓ４９の処理を繰り返す。一方、ステップＳ４９において、全ての単位処理における記録処理が終了していると判断された場合、１枚のウェハＷでの記録手順が終了する。

［第１実施形態の効果］
　以上説明した第１実施形態に係る監視装置２０は、ウェハＷを保持する保持部３２と、ノズル４２から処理液を吐出することで保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する処理液供給部４０とを備える塗布・現像装置２の監視装置である。監視装置２０は、ノズル４２と保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａとを撮像可能な撮像装置１１０と、第１処理及び第２処理を含む塗布・現像装置２によるウェハＷの処理の実行中に、撮像装置１１０による撮像動画データＭＶ０に基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部１３６と、第１処理の実行中の監視用動画データ（第１動画データＭＶ１）に比較して第２処理の実行中の監視用動画データ（第２動画データＭＶ２）の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部１３８とを備える。

　以上説明した塗布・現像装置２の監視手順は、ノズル４２と保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａとを撮像装置１１０により撮像することと、第１処理及び第２処理を含む塗布・現像装置２によるウェハＷの処理の実行中に、撮像装置１１０による撮像動画データＭＶ０に基づいて監視用動画データを生成することと、第１処理の実行中の第１動画データＭＶ１に比較して第２処理の実行中の第２動画データＭＶ２の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更することとを含む。

　液処理ユニットＵ１におけるウェハＷの単位処理の状態を判定（確認）するために、画像処理を用いてコンピュータにより自動的に監視することが考えられる。液処理ユニットＵ１では、種々のウェハＷの単位処理が行われる。一部の単位処理の状態の監視（確認）には、高画質の動画データが必要となる場合がある。このため、ウェハＷの単位処理の内容に応じて、最適な位置に複数のカメラを設定し、単位処理の内容にそれぞれ適した画質の複数の動画データを取得することで、各種のウェハＷの単位処理の状態を判定することが考えられる。しかしながら、この場合、カメラの台数が多くなり撮像装置の構成が複雑化してしまう。一方、種々のウェハＷの単位処理の実行状態が含まれるように１台のカメラで撮像して、撮像装置の構成を簡素化することが考えられる。しかしながら、この場合、最適位置に複数のカメラを設置する場合に比べて撮像範囲が広くなる。更に高画質が必要な処理に合わせて、高画質の動画データを取得して、種々のウェハＷの単位処理について、その動画データを用いてそれぞれ画像処理を行うと、コンピュータの処理負荷が大きくなる。

　これに対して、以上の監視装置２０及び監視手順では、第１処理の実行中の第１動画データＭＶ１に比較して第２処理の実行中の第２動画データＭＶ２の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に監視用動画データの生成条件が変更される。このため、高画質が必要な処理では、高画質の監視用動画データを生成し、低画質でも十分な処理では、低画質の監視用動画データを生成することができる。つまり、監視用動画データの画質を処理内容に応じて変更することができる。従って、以上の監視装置２０及び監視手順は、撮像動画に基づいてウェハＷの処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用である。

　監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の監視用動画データに比較して第２処理の実行中の監視用動画データの全画素での撮像領域ＰＲの大きさも異なるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、高画質が必要な処理の実行中の監視用動画データにおいて、全画素での撮像領域ＰＲの大きさを小さくすることができる。従って、撮像動画に基づいてウェハＷの処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに更に有用である。

　監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の監視用動画データに比較して第２処理の実行中の監視用動画データの解像度が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に撮像動画データからの単位面積あたりの画素数の削減率を変更してもよい。監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更した上記削減率に従って撮像動画データＭＶ０から画素数を削減することで、監視用動画データを生成してもよい。この場合、単位面積あたりの画素数の削減率が第１処理と第２処理との間で異なることで、処理内容に適した画質の監視用データが容易に得られる。

　第１処理は、ノズル４２を移動させる処理であってもよく、第２処理は、ノズル４２からウェハＷの表面Ｗａへ処理液を吐出する処理であってもよい。監視条件変更部１３８は、第２処理の実行中の監視用動画データの解像度が、第１処理の実行中の監視用動画データの解像度よりも高くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。ノズル配置処理の監視では低画質な動画データで十分な場合があり、供給処理の監視では高画質の動画データが必要な場合がある。上記構成では、ノズル配置処理と供給処理とにおいて、処理内容に適した監視用動画データを得ることができる。また、供給処理の監視用動画データにおいて、全画素に含まれる撮像領域ＰＲの大きさを小さくすることで、解像度が高くてもデータ量を小さくすることができる。この場合、ウェハＷの処理の適切な監視と、コンピュータの処理負荷の低減との両立を図ることが可能となる。

　第１処理は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液の被膜を形成する処理であってもよく、第２処理は、ノズル４２からウェハＷの表面Ｗａへ処理液を吐出する処理であってもよい。監視条件変更部１３８は、第２処理の実行中の監視用動画データの解像度が、第１処理の実行中の監視用動画データの解像度よりも高くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。被膜形成の処理の監視にでは低画質な動画データで十分な場合があり、供給処理の監視では高画質の動画データが必要な場合がある。上記構成では、乾燥処理と供給処理とにおいて、処理内容に適した監視用動画データを得ることができる。

　以上に説明した監視装置２０は、塗布・現像装置２によるウェハＷの処理スケジュールに従って生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する監視条件記憶部１４８を更に備えてもよい。監視条件変更部１３８は、条件変更スケジュールに基づいて、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、生成条件を変更する際に、監視条件記憶部１４８内の条件スケジュールを参照すればよいので、生成条件の変更に要する処理負荷を低減することができる。

　以上に説明した監視装置２０は、監視用動画データに基づいて、ウェハＷの処理の異常を判定する処理判定部１５０と、撮像動画データＭＶ０に基づいて、保存用動画データを記録する保存データ記録部１５２と、処理判定部１５０の判定結果が異常を示す場合に、保存用動画データの保存条件を、保存用動画データを記録する際に変更する保存条件変更部１５４とを更に備えてもよい。この構成では、判定結果が異常を示す場合に、それに適した画質の動画データを保存できる。例えば、保存用動画データのうちの異常が生じた単位処理の期間を、異常が生じていない他の期間と比べて高画質にすることで、保存用動画データを利用した異常の分析と、記録容量の増加抑制との両立に有用である。

　保存条件変更部１５４は、処理判定部１５０の判定結果が異常を示す場合に、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも１つを、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。この場合、保存用動画データのうちの異常が生じた期間を、異常が生じていない他の期間と比べて高画質で記録することができる。従って、保存用動画データを利用した異常の分析と、記録容量の増加抑制との両立に有用である。

　保存データ記録部１５２は、処理判定部１５０の判定結果が異常を示す場合に、当該異常と判定されたウェハＷの処理の内容を示す処理情報も記録してもよい。この場合、保存用動画データを利用して異常を分析する際に、異常が生じた処理を実行したときの処理内容の把握が容易である。

　以上の監視装置２０では、コンピュータの処理負荷を低減することにより、例えば、ウェハＷの処理状態のリアルタイムな監視（判定）が可能となる。また、１台のカメラで複数の単位処理の内容を監視することで、液処理ユニットＵ１の構成を簡素化することが可能となる。

（第１実施形態の変形例）
　監視条件記憶部１４８に記憶される変更条件スケジュールは、監視条件生成部１４２により生成されるが、監視条件生成部１４２に代えて、作業者により予め作成されていてもよい。

　監視条件変更部１３８は、ウェハＷの処理スケジュールと、参照条件記憶部１４０が記憶する対応情報とに基づいて、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。具体的には、監視条件変更部１３８は、ウェハＷの単位処理の切り替え時に、単位処理の内容を示す信号を処理情報記憶部１２０からその度に取得する。そして、監視条件変更部１３８は、参照条件記憶部１４０が記憶するテーブル情報を参照することで、ウェハＷの単位処理の切り替えの度に単位処理の内容に応じた生成条件を取得し、当該生成条件に変更する。

　この変形例に係る監視装置２０は、ウェハＷの処理の内容と生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する参照条件記憶部１４０を備える。監視条件変更部１３８は、塗布・現像装置２によるウェハＷの処理スケジュールと上記対応情報とに基づいて、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、複数種類の処理スケジュールに応じて塗布・現像装置２がウェハＷの処理を実行する場合に、複数の変更条件スケジュールをそれぞれ予め作成することが不要となる。従って、制御装置１００の記憶容量を削減することに有用である。

　監視条件変更部１３８は、ノズル４２の配置処理において、対象領域ＩＲをノズル周辺に設定し、対象領域ＩＲをノズル４２の移動軌跡に合わせて変更していくように、生成条件を変更してもよい。この場合、制御装置１００は、データ取得部１３２が取得させた撮像動画データに基づいてノズル４２の移動軌跡を算出する画像処理部を有していてもよい。あるいは、監視条件変更部１３８は、処理スケジュールに定められたノズル４２の動きを示す情報（時刻と位置とが対応付けられた情報）に応じて、対象領域ＩＲをノズル４２の移動軌跡に合わせて変更していってもよい。

［第２実施形態］
　続いて、図３及び図１３を参照して、第２実施形態に係る基板処理システム１が備える制御装置１００について説明する。第２実施形態に係る制御装置１００は、解像度の変更方法が撮像装置１１０の撮像光学系を調節する点において、第１実施形態に係る制御装置１００と異なる。撮像装置１１０は、図３に示されるように、撮像光学系１１２を有する。監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の監視用動画データである第１動画データＭＶ１に比較して、第２処理の実行中の監視用動画データである第２動画データＭＶ２の解像度が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に撮像装置１１０の撮像光学系１１２によるズーム倍率を変更する。

　例えば、第１処理が乾燥処理であり、第２処理が処理液の供給処理である場合、図１３に示されるように、監視条件変更部１３８は、第１処理において撮像装置１１０のズーム倍率を１倍に設定する。この場合、データ取得部１３２により取得される撮像動画データＭＶ０１の撮像領域ＰＲには、例えば、移動中のノズル４２と、ウェハＷの表面Ｗａの全面が含まれる。一方、監視条件変更部１３８は、第２処理において撮像装置１１０のズーム倍率をｘ倍（ｘは１よりも大きい値）に設定し、吐出位置のノズル４２の全体が画角内に収まるように撮像装置１１０の撮像光学系１１２を調節する。このとき、監視条件変更部１３８は、第１処理における画素数と同じ値に画素数を設定する。この場合、データ取得部１３２により取得される撮像動画データＭＶ０２の撮像領域ＰＲには、例えば、吐出位置のノズル４２とウェハＷの表面Ｗａの一部とが含まれる。

　監視用データ生成部１３６は、撮像動画データＭＶ０１に圧縮等の処理を施すことなく、そのまま第１動画データＭＶ１とすることで、監視用動画データを生成してもよい。監視用データ生成部１３６は、撮像動画データＭＶ０１の撮像領域ＰＲからのＲＯＩ選択処理も行わない。撮像動画データＭＶ０１と第１動画データＭＶ１との間では、解像度、フレーム数、及び全画素での撮像領域ＰＲの大きさが互いに一致している（例えば、両者の画像サイズがＶＧＡサイズであり、両者のフレーム数が６０ｆｐｓである）。監視用データ生成部１３６は、撮像動画データＭＶ０２に圧縮等の処理を施すことなく、そのまま第２動画データＭＶ２とすることで、監視用動画データを生成してもよい。監視用データ生成部１３６は、撮像動画データＭＶ０２の撮像領域ＰＲからのＲＯＩ選択処理も行わない。撮像動画データＭＶ０２と第２動画データＭＶ２との間では、解像度、フレーム数、及び全画素での撮像領域ＰＲの大きさが互いに一致している（例えば、両者の画像サイズがＶＧＡサイズであり、両者のフレーム数が６０ｆｐｓである）。

　撮像動画データＭＶ０１と撮像動画データＭＶ０２との間では、単位面積あたりの画素数（総画素数）が互いに一致しているが、ズーム倍率が異なるため、１画素あたりの撮像領域ＰＲの大きさである解像度が互いに異なる。このため、第１動画データＭＶ１と第２動画データＭＶ２との間においても、解像度が互いに異なる。このように、監視条件変更部１３８は、ズーム倍率を変更することで、第２動画データＭＶ２の解像度が、第１動画データＭＶ１の解像度よりも高くなるように、ウェハＷの処理の実行中に生成条件を変更する。

　撮像装置１１０は、カメラの向き又はカメラの位置を変更できるように構成されてもよい。監視条件変更部１３８は、ズーム倍率に加えて、単位処理の内容に応じてカメラの向き又はカメラの位置を変更することで生成条件（撮像動画データの撮像領域）を変更してもよい。監視条件変更部１３８は、ノズル４２の配置処理において、ノズル４２の移動軌跡に合わせて、撮像領域がノズル４２の移動軌跡に合うようにカメラの向き又はカメラの位置を変更してもよい。参照条件記憶部１４０は、単位処理の内容と、生成条件に含まれるズーム倍率とを対応付けた対応情報を記憶していてもよい。

　以上説明した第２実施形態に係る監視装置２０では、監視条件変更部１３８は、第１処理の実行中の監視用動画データ（第１動画データＭＶ１）に比較して第２処理の実行中の監視用動画データ（第２動画データＭＶ２）の解像度が異なるように、ウェハＷの処理の実行中に撮像装置１１０の撮像光学系１１２によるズーム倍率を変更してもよい。監視用データ生成部１３６は、監視条件変更部１３８が変更したズーム倍率で撮像装置１１０が撮像した撮像動画データＭＶ０に基づいて、監視用動画データを生成してもよい。

　この場合も、第１実施形態と同様に、コンピュータの処理負荷を低減するのに有用である。例えば、高画質が必要な単位処理と高画質が不要な単位処理とにおいて、光学ズームを使わずに撮像した撮像動画データをそのまま監視用動画データとすると、高画質が必要な処理に合わせて常に高画質で撮像を行う必要がある。その結果、高画質が不要な処理においても高画質の監視用動画データでの画像処理を行う監視が必要となる。これに対して、高画質な処理が必要な処理において光学ズームで撮像領域を拡大して撮像することで、常に全体を高画質で撮像するよりも監視用動画データの容量が削減でき、コンピュータの処理負荷を低減することができる。また上記構成では、画質を調節するためのコンピュータの処理を省略できるので、第１実施形態に比べてコンピュータの処理負荷の低減に更に有用である。

　監視条件変更部１３８は、第２実施形態に係る撮像装置１１０のズーム倍率の変更に、第１実施形態に係る単位面積あたりの画素数の変更、フレーム数の変更、及び対象領域ＩＲの選択処理のうちの少なくとも１つを組み合わせることで、生成条件を変更してもよい。

　処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１における現像処理を含む液処理において、制御装置１００は、上述の第１実施形態及び第２実施形態と同様に、ウェハＷの処理の監視を行ってもよい。この場合、乾燥処理では、液処理ユニットＵ１は、表面Ｗａ上に現像液が塗布（供給）されたウェハＷを静止した状態で現像液のパドルを表面Ｗａに形成してもよい。例えば、監視装置２０は、パドルの形成具合が適切かどうかを監視してもよい。

　処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat　Panel　Display）などであってもよい。

　１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、２０…監視装置、３０…回転保持部、４０…処理液供給部、１００…制御装置、１３６…監視用データ生成部、１３８…監視条件変更部、１４０…参照条件記憶部、１４２…監視条件生成部、１４８…監視条件記憶部、１５０…処理判定部、１５２…保存データ記録部、１５４…保存条件変更部、Ｕ１…液処理ユニット。

Claims (14)

1. 　基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置であって、
   　前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像可能な撮像部と、
   　第１処理及び第２処理を含む前記基板処理装置による前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、
   　前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える、監視装置。
2. 　前記監視条件変更部は、前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの全画素での撮像領域の大きさも異なるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項１記載の監視装置。
3. 　前記監視条件変更部は、前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記撮像動画データからの単位面積あたりの画素数の削減率を変更し、
   　前記監視用データ生成部は、前記監視条件変更部が変更した前記削減率に従って前記撮像動画データから画素数を削減することで、前記監視用動画データを生成する、請求項１又は２記載の監視装置。
4. 　前記監視条件変更部は、前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記撮像部の撮像光学系によるズーム倍率を変更し、
   　前記監視用データ生成部は、前記監視条件変更部が変更した前記ズーム倍率で前記撮像部が撮像した前記撮像動画データに基づいて、前記監視用動画データを生成する、請求項１～３のいずれか一項に記載の監視装置。
5. 　前記第１処理は、前記ノズルを移動させる処理であり、
   　前記第２処理は、前記ノズルから前記基板の表面へ前記処理液を吐出する処理であり、
   　前記監視条件変更部は、前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が、前記第１処理の実行中の前記監視用動画データの解像度よりも高くなるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項１～４のいずれか一項記載の監視装置。
6. 　前記第１処理は、前記基板の表面に前記処理液の被膜を形成する処理であり、
   　前記第２処理は、前記ノズルから前記基板の表面へ前記処理液を吐出する処理であり、
   　前記監視条件変更部は、前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が、前記第１処理の実行中の前記監視用動画データの解像度よりも高くなるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項１～４のいずれか一項記載の監視装置。
7. 　前記基板処理装置による前記基板の処理スケジュールに従って前記生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する監視条件記憶部を更に備え、
   　前記監視条件変更部は、前記条件変更スケジュールに基づいて、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項１～６のいずれか一項記載の監視装置。
8. 　前記基板の処理の内容と前記生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する参照条件記憶部を更に備え、
   　前記監視条件変更部は、前記基板処理装置による前記基板の処理スケジュールと、前記対応情報とに基づいて、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項１～６のいずれか一項記載の監視装置。
9. 　前記監視用動画データに基づいて、前記基板の処理の異常を判定する異常判定部と、
   　前記撮像動画データに基づいて、保存用動画データを記録する保存データ記録部と、
   　前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、前記保存用動画データの保存条件を、前記保存用動画データを記録する際に変更する保存条件変更部とを更に備える、請求項１～８のいずれか一項記載の監視装置。
10. 　前記保存条件変更部は、前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、前記保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも１つを、前記保存用動画データを記録する際に変更する、請求項９記載の監視装置。
11. 　前記保存データ記録部は、前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、当該異常と判定された前記基板の処理の内容を示す処理情報も記録する、請求項９又は１０記載の監視装置。
12. 　基板を保持する保持部と、
    　ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像可能な撮像部と、
    　第１処理及び第２処理を含む前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、
    　前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える、基板処理装置。
13. 　基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視方法であって、
    　前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像部により撮像することと、
    　第１処理及び第２処理を含む前記基板処理装置による前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成することと、
    　前記第１処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第２処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更することとを含む、監視方法。
14. 　請求項１３記載の監視方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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