JP2023118878A - 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 - Google Patents
監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023118878A JP2023118878A JP2023110512A JP2023110512A JP2023118878A JP 2023118878 A JP2023118878 A JP 2023118878A JP 2023110512 A JP2023110512 A JP 2023110512A JP 2023110512 A JP2023110512 A JP 2023110512A JP 2023118878 A JP2023118878 A JP 2023118878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitoring
- processing
- unit
- image data
- moving image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 393
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 304
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 177
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 109
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 131
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 108
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims description 56
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 49
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 169
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/18—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast
- H04N7/183—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast for receiving images from a single remote source
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/76—Television signal recording
- H04N5/91—Television signal processing therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/002—Pretreatement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
- B05D3/0254—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/69—Control of means for changing angle of the field of view, e.g. optical zoom objectives or electronic zooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/815—Camera processing pipelines; Components thereof for controlling the resolution by using a single image
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/18—Closed-circuit television [CCTV] systems, i.e. systems in which the video signal is not broadcast
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減する。【解決手段】本開示の一側面に係る監視装置は、基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置である。この監視装置は、ノズルと保持部に保持された基板の表面とを撮像可能な撮像部と、第1処理及び第2処理を含む基板処理装置による基板の処理の実行中に、撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、第1処理の実行中の監視用動画データに比較して第2処理の実行中の監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、基板の処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える。【選択図】図6
Description
本開示は、監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体に関する。
特許文献1には、基板の表面に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、液ノズルの吐出口部分を撮像する撮像部と、制御部とを備える基板処理装置が開示されている。この制御部は、撮像部に撮像させて得られた撮像画像に基づいて、基板の処理に際して異常が生じたか否かを判定する。
本開示は、撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用な監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体を提供する。
本開示の一側面に係る監視装置は、基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置である。この監視装置は、ノズルと保持部に保持された基板の表面とを撮像可能な撮像部と、第1処理及び第2処理を含む基板処理装置による基板の処理の実行中に、撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、第1処理の実行中の監視用動画データに比較して第2処理の実行中の監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、基板の処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える。
本開示によれば、撮像動画に基づいて基板処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用な監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体が提供される。
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
[基板処理システム]
まず、図1及び図2を参照して基板処理システム1(基板処理装置)の概略構成を説明する。基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と、露光装置3と、制御装置100とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)を露光する装置である。具体的には、露光装置3は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に露光用のエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト(薬液)を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。また、塗布・現像装置2は、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
まず、図1及び図2を参照して基板処理システム1(基板処理装置)の概略構成を説明する。基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と、露光装置3と、制御装置100とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)を露光する装置である。具体的には、露光装置3は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に露光用のエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト(薬液)を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。また、塗布・現像装置2は、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
(塗布・現像装置)
図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2(基板処理装置)は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6とを備える。
図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2(基板処理装置)は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6とを備える。
キャリアブロック4は、塗布・現像装置2内へのウェハWの導入及び塗布・現像装置2内からのウェハWの導出を行う。例えばキャリアブロック4は、ウェハW用の複数のキャリアCを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置A1を内蔵している。キャリアCは、例えば円形の複数枚のウェハWを収容する。搬送装置A1は、キャリアCからウェハWを取り出して処理ブロック5に渡し、処理ブロック5からウェハWを受け取ってキャリアC内に戻す。処理ブロック5は、複数の処理モジュール11,12,13,14を有する。
処理モジュール11は、液処理ユニットU1と、熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。処理モジュール11は、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりウェハWの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットU1は、下層膜形成用の処理液をウェハW上に塗布する。熱処理ユニットU2は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール12は、液処理ユニットU1と、熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。処理モジュール12は、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットU1は、レジスト膜形成用の処理液として、レジストを下層膜の上に塗布する。例えば、液処理ユニットU1は、ウェハWの表面に処理液を供給した後に、当該ウェハWを回転させることで表面上に処理液の被膜を形成する。熱処理ユニットU2は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。これにより、ウェハWの表面にレジスト膜が形成される。
処理モジュール13は、液処理ユニットU1と、熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。処理モジュール13は、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットU1は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットU2は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール14は、液処理ユニットU1と、熱処理ユニットU2と、これらのユニットにウェハWを搬送する搬送装置A3とを内蔵している。処理モジュール14は、液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。液処理ユニットU1は、現像液を洗い流すためにウェハWの表面にリンス処理を施す。熱処理ユニットU2は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。現像処理に伴う熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理(PEB:Post Exposure Bake)、現像処理後の加熱処理(PB:Post Bake)等が挙げられる。
処理ブロック5内におけるキャリアブロック4側には棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットU10の近傍には昇降アームを含む搬送装置A7が設けられている。搬送装置A7は、棚ユニットU10のセル同士の間でウェハWを昇降させる。
処理ブロック5内におけるインタフェースブロック6側には棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック6は、露光装置3との間でウェハWの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック6は、受け渡しアームを含む搬送装置A8を内蔵しており、露光装置3に接続される。搬送装置A8は、棚ユニットU11に配置されたウェハWを露光装置3に渡す。搬送装置A8は、露光装置3からウェハWを受け取って棚ユニットU11に戻す。
(液処理ユニット)
続いて、図3を参照して、処理モジュール12の液処理ユニットU1の一例について説明する。図3に示されるように、液処理ユニットU1は、回転保持部30と、処理液供給部40とを有する。
続いて、図3を参照して、処理モジュール12の液処理ユニットU1の一例について説明する。図3に示されるように、液処理ユニットU1は、回転保持部30と、処理液供給部40とを有する。
回転保持部30は、ウェハWを保持して回転させる。回転保持部30は、例えば保持部32と、回転駆動部34とを有する。保持部32は、表面Waを上にして水平に配置されたウェハWの中心部を支持し、当該ウェハWを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部34は、例えば電動モータ等の動力源を含むアクチュエータであり、鉛直な軸線Axまわりに保持部32を回転させる。これにより、保持部32上のウェハWが回転する。保持部32は、ウェハWの中心が軸線Axに略一致するようにウェハWを保持してもよい。
処理液供給部40は、ウェハWの表面Waに処理液を供給する。処理液は、レジスト膜Rを形成するための溶液(レジスト)である。処理液供給部40は、ノズル42と、供給源46と、開閉バルブ48と、ノズル移動機構44とを有する。ノズル42は、保持部32に保持されたウェハWの表面Waに処理液を吐出する。例えば、ノズル42は、ウェハWの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。供給源46は、処理液をノズル42に供給する。開閉バルブ48は、ノズル42と供給源46との間の供給路に設けられる。
ノズル移動機構44は、ウェハWの上方の吐出位置と、当該吐出位置から離れた退避位置との間でノズル42を移動させる。吐出位置は、例えばウェハWの回転中心の鉛直上方である(軸線Ax上に位置する)。待機位置は、例えば、ウェハWの周縁よりも外側に位置し、吐出位置よりも上方に設定される。この場合、ノズル移動機構44は、ノズル42をウェハWの表面Waに沿って移動させる水平駆動部と、ノズル42をウェハWの表面Waに垂直に移動させる昇降駆動部とを含む。
(制御装置)
制御装置100は、塗布・現像装置2を部分的又は全体的に制御することで、ウェハWの処理を塗布・現像装置2に実行させる。液処理ユニットU1において行われるウェハWの処理(液処理)には、ウェハWを待機位置と吐出位置との間でノズル42を移動させる処理、吐出位置のノズル42から処理液を吐出させる処理、及び処理液が供給された後に表面Wa上に処理液の被膜を形成する処理等が含まれる。なお、以下では、液処理ユニットU1において行われる液処理に含まれる各種処理を「単位処理」と称する。制御装置100は、図4に示されるように、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、処理情報記憶部120と、ノズル配置制御部124と、供給制御部126と、被膜形成制御部128とを有する。
制御装置100は、塗布・現像装置2を部分的又は全体的に制御することで、ウェハWの処理を塗布・現像装置2に実行させる。液処理ユニットU1において行われるウェハWの処理(液処理)には、ウェハWを待機位置と吐出位置との間でノズル42を移動させる処理、吐出位置のノズル42から処理液を吐出させる処理、及び処理液が供給された後に表面Wa上に処理液の被膜を形成する処理等が含まれる。なお、以下では、液処理ユニットU1において行われる液処理に含まれる各種処理を「単位処理」と称する。制御装置100は、図4に示されるように、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、処理情報記憶部120と、ノズル配置制御部124と、供給制御部126と、被膜形成制御部128とを有する。
処理情報記憶部120は、ウェハWの処理に関する処理情報を記憶する。処理情報には、塗布・現像装置2によるウェハWの処理スケジュール、及び各単位処理での処理条件が含まれてもよい。ウェハWの処理スケジュールには、液処理ユニットU1における液処理のスケジュールが含まれる。例えば、ウェハWの処理スケジュールでは、図5に示されるように、液処理が含む複数の単位処理の実行順序と、各単位処理の実行時間とが定められている。図5においては、上から下への並び順が実行順序を示している。各単位処理での処理条件には、例えば、ノズル42の移動速度、処理液の吐出量、及びウェハWの回転速度等が定められている。
ノズル配置制御部124は、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールに従って、待機位置にあるノズル42を吐出位置まで移動させる単位処理(以下、「ノズル配置処理」という。)を行う。例えばノズル配置制御部124は、ノズル移動機構44の水平駆動部により水平に移動させた後に、ノズル移動機構44の昇降駆動部により下方に移動させることでノズル42を吐出位置に配置する。また、ノズル配置制御部124は、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールに従って、吐出位置にあるノズル42を待機位置まで移動させる単位処理(以下、「ノズル退避処理」という。)を行う。例えばノズル配置制御部124は、吐出位置にあるノズル42を、ノズル移動機構44の昇降駆動部により上昇させた後に、ノズル移動機構44の水平駆動部により水平に移動させることでノズル42を待機位置に配置する。ノズル配置処理及びノズル退避処理において、ノズル配置制御部124は、処理条件に従った移動速度にてノズル42を水平方向及び上下方向に移動させる。
供給制御部126は、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールに従って、回転保持部30によりウェハWを回転させながら、処理液供給部40によりウェハWの表面Waに処理液を供給する単位処理(以下、「供給処理」という。)を実行する。例えば供給制御部126は、回転保持部30によりウェハWを回転させつつ、開閉バルブ48を閉状態から開状態に切り替えることで処理液の吐出を開始させる。供給制御部126は、吐出開始から所定時間が経過した後に、開閉バルブ48を開状態から閉状態に切り替えることで、ノズル42からの処理液の吐出を停止させる。供給処理において、供給制御部126は、処理条件に従った回転数にて回転保持部30によりウェハWを回転させ、処理条件に従った吐出量(単位時間あたりの吐出量)にてノズル42から処理液を吐出させる。
被膜形成制御部128は、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールに従って、ウェハWの表面Wa上に供給された処理液の被膜を乾燥させる単位処理(以下、「乾燥処理」という。)を実行する。例えば、被膜形成制御部128は、乾燥させる処理の少なくとも一部において、予め定められた回転速度でウェハWが回転する状態を所定期間、回転保持部30により継続させる。乾燥処理において、被膜形成制御部128は、処理条件に従った回転速度にて回転保持部30によりウェハWを回転させる。
(監視装置)
液処理ユニットU1は、液処理の状態を監視するための撮像装置110(撮像部)を更に有する。制御装置100は、ウェハWの処理を塗布・現像装置2に実行させることに加えて、撮像装置110により得られた動画データに基づいて、ウェハWの処理を監視する(複数の単位処理を個別に監視する)。すなわち、基板処理システム1は、制御装置100と撮像装置110とを有する監視装置20を備える。ウェハWの処理の監視の例として、ウェハWの単位処理に異常が発生していないかどうかの監視、及びウェハWの単位処理がどの程度進行しているのかの監視等が挙げられる。
液処理ユニットU1は、液処理の状態を監視するための撮像装置110(撮像部)を更に有する。制御装置100は、ウェハWの処理を塗布・現像装置2に実行させることに加えて、撮像装置110により得られた動画データに基づいて、ウェハWの処理を監視する(複数の単位処理を個別に監視する)。すなわち、基板処理システム1は、制御装置100と撮像装置110とを有する監視装置20を備える。ウェハWの処理の監視の例として、ウェハWの単位処理に異常が発生していないかどうかの監視、及びウェハWの単位処理がどの程度進行しているのかの監視等が挙げられる。
撮像装置110は、ノズル42と保持部32に保持されたウェハWの表面Waとを撮像可能に構成されている。撮像装置110は、ノズル42とウェハWの表面Waとを含む撮像領域PRを撮像するカメラを有する。カメラは、撮像領域PRを撮像することで動画データ(以下、「撮像動画データMV0」という。)を生成する。一例として、撮像装置110のカメラは、画像サイズが「HDサイズ」であり、フレーム数(フレームレート)が60fpsである撮像動画データMV0を生成する。HDサイズの画像では、横方向の画素数が1280であり、縦方向の画素数が720である。以下、画素数を含めた画像サイズを「HDサイズ(横1280画素×縦720画素)」のように表記する。
撮像装置110のカメラは、例えば、上記撮像領域PRの撮像が可能となるように、液処理ユニットU1の筐体内の上方に設けられる。ウェハWの処理の少なくとも一部の期間において、撮像装置110による撮像領域PRは、吐出位置に位置するノズル42と、待機位置に位置するノズル42と、吐出位置及び待機位置を移動する間のノズル42と、ウェハWの表面Waの全面とが含まれるように設定されてもよい。あるいは、ウェハWの処理の実行中において、撮像装置110による撮像領域PRは、上記3つの状態のノズル42と、ウェハWの表面Waの全面とが含まれる領域に固定されてもよい。撮像装置110は、生成した撮像動画データMV0を制御装置100に出力する。
制御装置100は、機能モジュールとして、例えば、データ取得部132と、データバッファ部134と、監視用データ生成部136と、監視条件変更部138と、参照条件記憶部140と、監視条件生成部142と、監視条件記憶部148と、処理判定部150と、保存データ記録部152と、保存条件変更部154とを更に有する。
データ取得部132は、撮像領域PRの撮像動画データMV0を撮像装置110に取得させる。データ取得部132は、予め定められた解像度及びフレーム数(単位時間あたりのフレームの数)の撮像動画データMV0を撮像装置110に取得させてもよい。解像度は、画像の精細さを表す尺度であり、単位長さ(単位面積)あたりに含まれる情報量の大小を示す。すなわち、解像度に応じて、1画素あたりに含まれる撮像領域PR(又は画角)の大きさが異なる。解像度が高い場合には1画素あたりの撮像領域PRの大きさが小さくなり、解像度が低い場合には1画素あたりの撮像領域PRの大きさが大きくなる。
撮像領域PRがウェハWの処理の実行中において、一定の範囲に固定される場合、解像度は、撮像領域PR内の単位面積あたりの画素数に応じて定まる。以下、ウェハWの処理の実行中において撮像領域PRが一定範囲に固定される場合を例示する。また、撮像動画データMV0の撮像領域PRの単位面積あたりの画素数を「画素数n0」とし、撮像動画データMV0のフレーム数を「フレーム数f0」として説明する。なお、撮像領域PRを一定範囲に固定した場合に、解像度は動画データの画像サイズによって表すことができる。例えば、HDサイズ(横1280画素×縦720画素)、VGAサイズ(横640画素×縦480画素)、及びQVGAサイズ(横320画素×縦240画素)では、この順で画像サイズが大きく、解像度が高くなる。なお、これらの画像サイズを用いる場合に、監視、記録、又は表示等の目的に応じて、一部の領域の切り出し又は黒帯付加等の処理を行うことによって、画像サイズのアスペクト比の共通化が行われてもよい。
データバッファ部134は、データ取得部132が取得した撮像動画データMV0を一時的に記憶する。例えば、データバッファ部134は、予め定められた容量分の撮像動画データMV0を記憶する。一例として、データバッファ部134が記憶することができる容量は、数枚のウェハWに対する処理(液処理ユニットU1における液処理)での撮像動画データMV0が記憶できる程度に設定される。データバッファ部134は、容量が設定値を越えないように、撮像動画データMV0のうちの古いデータを削除していくことで新しい撮像動画データMV0を記憶してもよい。
監視用データ生成部136は、ウェハWの処理の実行中に、撮像装置110による撮像動画データMV0に基づいて監視用動画データを生成する。監視用データ生成部136は、例えば、データバッファ部134が一時的に記憶する撮像動画データMV0に所定の処理を施すことで、監視用動画データを生成する。監視用データ生成部136は、ウェハWの処理の実行中の少なくとも一部の期間において、撮像動画データMV0を圧縮することで監視用動画データを生成してもよい。つまり、監視用動画データは、撮像動画データMV0が圧縮されたデータであってもよい。監視用データ生成部136は、少なくとも解像度又はフレーム数を削減することで撮像動画データMV0を圧縮する。例えば、監視用データ生成部136は、撮像動画データMV0のフレーム数を変更せずに解像度を下げてもよく、解像度を変更せずにフレーム数を削減してもよく、フレーム数と解像度とを削減してもよい。一例として、監視用データ生成部136は、HDサイズの撮像動画データMV0をVGAサイズ又はQVGAサイズの動画データに変更(圧縮)することで、解像度を下げてもよい。
監視条件変更部138は、ウェハWの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する。監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更した(設定した)生成条件に従って監視用動画データを生成する。監視条件変更部138は、ウェハWの処理に含まれるいずれかの単位処理(以下、「第1処理」という。)と他の単位処理(以下、「第2処理」という。)とで生成条件が互いに異なるように、第1処理での生成条件と第2処理での生成条件とを設定する。例えば、監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データ(以下、「第1動画データMV1」という。)に比較して第2処理の実行中の監視用動画データ(以下、「第2動画データMV2」という。)の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。
例えば、監視条件変更部138は、第1動画データMV1に比較して第2動画データMV2の解像度が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像動画データMV0からの単位面積あたりの画素数の削減率を変更する。この場合、監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更した単位面積あたりの画素数の削減率に従って撮像動画データMV0から画素数を削減することで、監視用動画データを生成する。一例として、監視条件変更部138は、第1処理の実行中の単位面積あたりの画素数の削減率がn1/n0となるように生成条件を変更し、第2処理の実行中の単位面積あたりの画素数の削減率がn2/n0となるように生成条件を変更する。n1,n2はそれぞれn0以下の正の整数であり、n1とn2とは互いに異なる値である。画像サイズの変更で説明すると、HDサイズをVGAサイズに変更する場合、横画素比では削減率が1/2となる。HDサイズをQVGAサイズに変更する場合、横画素比では削減率が1/4となる。なお、画素数を削減する際に、間引く方法、及び平均値を算出する方法等のいずれの方法で画素数が削減されてもよく、画素数の削減を行う画像処理アルゴリズムとして、従来用いられている任意の手法が利用されてもよい。
監視条件変更部138は、第1動画データMV1に比較して第2動画データMV2のフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像動画データMV0からのフレーム数の削減率を変更してもよい。この場合、監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更したフレーム数の削減率に従って撮像動画データMV0からフレーム数を削減することで、監視用動画データを生成する。一例として、監視条件変更部138は、第1処理の実行中のフレーム数の削減率がf1/f0となるように生成条件を変更し、第2処理の実行中のフレーム数の削減率がf2/f0となるように生成条件を変更する。f1,f2はそれぞれf0以下の正の整数であり、f1とf2とは互いに異なる値である。監視条件変更部138が単位面積あたりの画素数とフレーム数とを上述のように変更する場合、監視用データ生成部136は、画素数n1・フレーム数f1の第1動画データを生成し、画素数n2・フレーム数f2の第2動画データを生成する。なお、フレーム数を削減する際に、間引く方法、及び平均値を算出する方法等のいずれの方法でフレーム数が削減されてもよく、フレーム数の削減を行う処理アルゴリズムとして、従来用いられている任意の手法が利用されてもよい。
監視条件変更部138は、第1処理の実行中の第1動画データMV1に比較して第2処理の実行中の第2動画データMV2の全画素での撮像領域の大きさも異なるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。例えば、監視条件変更部138は、撮像動画データMV0のうち、監視用データ生成部136が監視用動画データに含める領域(以下、「対象領域IR」という。)を変更する。監視条件変更部138は、第1動画データMV1での対象領域IRが第2動画データMV2での対象領域IRと異なるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。以下では、いくつかの処理内容を例示して、生成条件の変更例について説明する。
第1処理がノズル42の配置処理であり、第2処理が処理液の供給処理である場合、監視条件変更部138は、第2処理の実行中の第2動画データMV2の解像度が、第1処理の実行中の第1動画データMV1の解像度よりも高くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。なお、この場合に生成される第2動画データMV2のフレーム数は、第1動画データMV1のフレーム数と同じであってもよく、第1動画データMV1のフレーム数よりも多くてもよい。監視条件変更部138は、第2動画データMV2での対象領域IRが、第1動画データMV1での対象領域IRよりも狭くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。
一例として、図6に示されるように、監視条件変更部138は、ノズル配置処理での第1動画データMV1の対象領域IRを、撮像動画データMV0での撮像領域PRと一致させる。すなわち、第1動画データMV1の全画素での撮像領域の大きさを、撮像領域PR全域とする。一例として、撮像動画データMV0の画像サイズはHDサイズであり、第1動画データMV1の画像サイズはVGAサイズである。この場合、第1動画データMV1の生成条件の一つとして、横画素数を基準に解像度の削減率が1/2に設定され、又は縦画素数を基準に解像度の削減率が2/3に設定されてもよく、アスペクト比の共通化が行われてもよい。監視条件変更部138は、供給処理での第2動画データMV2の対象領域IRとしてノズル42及びその周辺を含む一部を撮像領域PRから選択する。すなわち、第2動画データMV2の全画素での撮像領域の大きさを、撮像領域PRより狭くする。
なお、監視条件変更部138は、対象領域IRをノズル周辺に絞っても、単位面積あたりの画素数n2は変更しない。例えば、第2動画データMV2の画像は、画像サイズがHDサイズである撮像動画データMV0から対象領域IRを切り出した画像(対象領域IR以外の領域が含まれないよう切り出された画像)に相当する。第2動画データMV2の全画素に含まれる撮像領域PRの大きさは、第1動画データMV1の全画素に含まれる撮像領域PRの大きさと異なっている。具体的には、第2動画データMV2の対象領域IRは、第1動画データMV1の対象領域IRよりも小さい。これにより、第2動画データMV2が高い解像度を有していても、第2動画データMV2のデータサイズの増大は抑制される。
第1処理が乾燥処理であり、第2処理が処理液の供給処理である場合も同様に、監視条件変更部138は、第2動画データMV2の解像度が、第1動画データMV1の解像度よりも高くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。なお、この場合に生成される第2動画データMV2のフレーム数は、第1動画データMV1のフレーム数と同じであってもよく、第1動画データMV1のフレーム数よりも多くてもよい。監視条件変更部138は、第2動画データMV2での対象領域IRが、第1動画データMV1での対象領域IRよりも狭くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。一例として、監視条件変更部138は、乾燥処理での第1動画データMV1の対象領域IRを、撮像動画データMV0での撮像領域PRと一致させる。監視条件変更部138は、供給処理での第2動画データMV2の対象領域IRとしてノズル42及びその周辺を含む一部を撮像領域PRから選択する。
参照条件記憶部140は、ウェハWの処理の内容と監視用動画データの生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する。参照条件記憶部140は、例えば、ウェハWの各単位処理の内容と、各単位処理の内容に応じた生成条件を対応付けたテーブル情報を記憶する。一例として、参照条件記憶部140は、図8に示されるように、ウェハWの単位処理の内容と、解像度(単位面積あたりの画素数)、フレーム数、及び対象領域IRとを対応付けたテーブル情報を記憶する。
監視条件生成部142は、ウェハWの処理スケジュールと上記対応情報とに基づいて、監視用動画データの生成条件を変更する条件変更スケジュールを生成する。例えば、監視条件生成部142は、処理情報記憶部120を参照することでウェハWの処理スケジュールを取得する。そして、監視条件生成部142は、参照条件記憶部140が記憶する処理内容と生成条件とを対応付けたテーブル情報を参照することで、処理スケジュールに含まれる単位処理ごとに生成条件を定める条件変更スケジュールを生成する。
監視条件記憶部148は、塗布・現像装置2によるウェハWの処理スケジュールに従って撮像用動画データの生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する。例えば、監視条件記憶部148は、監視条件生成部142が生成した条件変更スケジュールを記憶する。監視条件変更部138は、条件変更スケジュールに基づいて、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更した生成条件に従って、撮像動画データMV0に所定の処理を施すことで、監視用動画データを生成する。
一例として、条件変更スケジュールに基づき監視条件変更部138が生成条件の解像度を解像度n1に変更した場合、監視用データ生成部136は、HDサイズの撮像動画データMV0からVGAサイズの監視用動画データを生成する。条件変更スケジュールに基づき監視条件変更部138が生成条件の解像度を解像度n2に変更した場合、監視用データ生成部136は、HDサイズの監視用動画データを生成する。あるいは、生成条件が解像度n1に変更された場合に監視用データ生成部136がQVGAサイズの監視用動画データを生成してもよく、生成条件が解像度n2に変更された場合に監視用データ生成部136がVGAサイズの動画データを生成してもよい。別の例として、生成条件のフレーム数がフレーム数f1に変更された場合、監視用データ生成部136は、60fpsの撮像動画データMV0から30fpsの監視用動画データを生成してもよく、生成条件のフレーム数がフレーム数f2に変更された場合、監視用データ生成部136は、60fpsの監視用動画データを生成してもよい。あるいは、生成条件がフレーム数f1に変更された場合、監視用データ生成部136は、60fpsの撮像動画データから15fpsの監視用動画データを生成してもよく、生成条件がフレーム数f2に変更された場合、監視用データ生成部136は、30fpsの監視用動画データを生成してもよい。
処理判定部150は、監視用データ生成部136が生成した監視用動画データに基づいて、ウェハWの単位処理の状態を判定する。例えば、処理判定部150(異常判定部)は、監視用動画データに基づいて、ウェハWの単位処理の異常を判定する。処理判定部150は、単位処理の内容に応じた監視用動画データにおいて、画像処理を行うことで当該処理での異常の有無を判定してもよい。一例として、処理判定部150は、予め準備された正常時の監視用動画データ(以下、「基準動画データ」という。)と、監視用データ生成部136が生成した監視用動画データとの差異に基づいて、ウェハWの単位処理の異常を判定してもよい。なお、基準動画データは、時系列に沿って監視用動画データの各フレームと比較可能であれば、動画及び静止画のいずれの形式で準備されていてもよい。
また、処理判定部150は、監視用動画データの入力に応じて異常の有無を出力する学習モデルに、監視用データ生成部136が生成した監視用動画データを入力することで、単位処理の異常の有無を判定してもよい。学習モデルは、監視用動画データと、異常の有無の判定結果とを対応付けて蓄積した教師データに基づく機械学習(例えばディープラーニング)により予め生成される。このような学習モデルに基づけば、画像のみからは人間による目視でも異常の有無を識別できないような場合であっても、異常の有無を識別し得ることが期待される。例えば、ウェハWの表面Wa上の凹凸パターンによる乱反射等の外乱の影響により画像のみからは異常の有無を識別できない場合であっても、異常の有無を識別できる可能性がある。
処理判定部150は、ノズル42の配置処理での異常の有無を判定する。ノズル42の配置処理での異常判定の対象としては、例えば、移動中のノズル42において液垂れが生じていないか、及び移動中のノズル42からの液滴の落下が発生していないかどうか等の判定が挙げられる。ノズル42の配置処理の判定では、高い画質は不要となるが、監視すべき領域が比較的広くなる。なお、本明細書において「画質」とは、少なくとも動画データの解像度又はフレーム数に相関する動画の細かさ(精緻さ)を意味する。高画質とは、動画データの解像度が高い(1画素あたりの撮像領域が小さい)ことを意味してもよく、動画データのフレーム数が多いことを意味してもよく、動画データの解像度が高く、さらにフレーム数が多いことを意味してもよい。
処理判定部150は、供給処理での異常の有無を判定する。処理液の供給処理での異常判定の対象としては、ノズル42から吐出された処理液の液跳ねが発生していないか、吐出中のノズル42内の処理液に泡が生じていないか、吐出終了直後のノズル42からの液滴の落下が生じていないかどうか、及びノズル42の配置位置が適切かどうか等の判定が挙げられる。処理液の供給処理における判定には、比較的高い画質が必要となるが、監視すべき領域は比較的狭くてもよい。図7(a)は、第1動画データMV1が低画質である場合のノズル42の一部の画像を模式的に示しており、図7(b)は、第2動画データMV2が高画質である場合のノズル42の一部の画像を模式的に示している。図7(b)に示す画像では、図7(a)に示す画像に比較して、1画素あたりに含まれるノズル42の一部の大きさが小さくなり、全体としてノズル42の輪郭形状が細かくなる。このため、高画質の動画データを利用することで、処理内容についてより詳細な画像解析が可能となる。
処理判定部150は、乾燥処理での異常の有無を判定する。乾燥処理の異常判定の対象としては、例えば、被膜の広がり具合が適切かどうか、及び被膜の乾燥の進行が適切かどうか等の判定が挙げられる。乾燥処理の判定には、高い画質が不要となるが、監視すべき領域は比較的広くなる。
保存データ記録部152は、撮像動画データに基づいて保存用動画データを記録する。例えば、保存データ記録部152は、データバッファ部134が記憶する撮像動画データMV0に所定の処理を施して保存用動画データを生成し、生成した保存用動画データを外部のデータ記憶部190に出力する。制御装置100がデータ記憶部190を有していてもよい。保存データ記録部152は、予め設定された基準保存条件に従って保存用動画データを生成してもよい。基準保存条件には、撮像動画データからの圧縮率が定められている。一例として、この圧縮率は、少なくとも解像度(単位面積あたりの画素数)又はフレーム数によって定まる。
保存条件変更部154は、処理判定部150による判定結果がウェハWの単位処理が異常であることを示す場合に、保存用動画データの保存条件を、保存用動画データを記録する際に変更する。保存条件変更部154は、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも1つを、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。例えば、保存条件変更部154は、処理判定部150からウェハWの単位処理が異常であることを示す信号(以下、「異常信号」という。)を受けると、信号を受けた際の単位処理が実行される期間の保存用動画データの保存条件を変更する。具体的には、保存条件変更部154は、基準保存条件から異常時の保存条件に変更する。異常時の保存条件は予め定められており、例えば、異常時の保存条件で定められる解像度及びフレーム数の少なくとも一方の値が、基準保存条件の対応する値に比較して大きくなるように、異常時の保存条件が定められている。保存データ記録部152は、処理判定部150が異常信号を出力しない場合には、基準保存条件に従って保存用動画データを生成する。一方、処理判定部150が異常信号を出力した場合には、保存条件変更部154により変更された(設定された)異常時の保存条件に従って保存用動画データを生成する。これにより、異常が生じた際には、高画質の保存用動画データが記録される。
一例として、基準保存条件では解像度が解像度n1に設定され、異常時の保存条件では解像度が解像度n2に変更されてもよい。保存条件が解像度n1に設定されている場合、保存データ記録部152は、HDサイズの撮像動画データMV0から、VGAサイズの保存用動画データを生成してもよい。保存条件が解像度n2に変更されている場合、保存データ記録部152は、HDサイズの保存用動画データを生成してもよい。あるいは、保存条件が解像度n1である場合、保存データ記録部152は、HDサイズの撮像動画データMV0から、QVGAサイズの保存用動画データを生成し、保存条件が解像度n2である場合、保存データ記録部152は、VGAサイズの保存用動画データを生成してもよい。
別の例として、基準保存条件ではフレーム数がフレーム数f1に設定され、異常時の保存条件ではフレーム数がフレーム数f2に変更されてもよい。保存条件がフレーム数f1に設定されている場合、保存データ記録部152は、フレーム数が60fpsの撮像動画データMV0から、フレーム数が30fpsの保存用動画データを生成してもよい。保存条件がフレーム数f2に設定されている場合、保存データ記録部152は、フレーム数が撮像動画データMV0と同じフレーム数の60fpsの保存用動画データを生成してもよい。あるいは、保存条件がフレーム数f1に設定されている場合、保存データ記録部152は、フレーム数が60fpsの撮像動画データMV0から、フレーム数が15fpsの保存用動画データを生成してもよく、保存条件がフレーム数f2に設定されている場合、保存データ記録部152は、フレーム数が30fpsの保存用動画データを生成してもよい。
保存用動画データの保存条件に、データの圧縮形式(圧縮符号化アルゴリズム)が含まれていてもよい。例えば、異常時等に相対的に高い画質の保存用動画データを保存したい場合に、保存データ記録部152は、可逆の符号化アルゴリズム(可逆の圧縮方式、例えば、HuffYUV等)により保存用動画データを生成してもよい。異常がない通常時等に相対的に低い画質の保存用動画データを保存したい場合、保存データ記録部152は、非可逆の符号化アルゴリズム(非可逆の圧縮方式、例えば、H264等)により保存用動画データを生成してもよい。なお、保存データ記録部152は、異常時等に、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち2つ以上を、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。
保存データ記録部152は、処理判定部150による判定結果が単位処理が異常であることを示す場合に、当該異常と判定されたウェハWの単位処理の内容を示す処理情報も記録してもよい。例えば、保存データ記録部152は、処理判定部150から記録対象の単位処理に関する処理情報を取得し、当該処理情報を保存用動画データとともに外部のデータ記憶部190に出力する(記録する)。処理情報としては、例えば、処理対象のウェハWの個体情報、異常発生時の単位処理の内容、単位処理実行中の処理条件、及び各種センサからの測定情報等が挙げられる。
制御装置100は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図9に示される回路200を有する。回路200は、一つ又は複数のプロセッサ202と、メモリ204と、ストレージ206と、入出力ポート208と、タイマ212とを有する。ストレージ206は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の監視手順を制御装置100に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ204は、ストレージ206の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ202による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ202は、メモリ204と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート208は、プロセッサ202からの指令に従って、撮像装置110、回転保持部30、及び処理液供給部40等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ212は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
制御装置100が複数の制御用コンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別の制御用コンピュータによって実現されていてもよい。制御装置100は、塗布・現像装置2によるウェハWの単位処理を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータと、ウェハWの処理の監視、及び保存用動画データの記録を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータとで構成されてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、2つ以上の制御用コンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数の制御用コンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、後述する監視手順を連携して実行してもよい。なお、制御装置100のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置100の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。
[基板処理手順]
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理システム1において実行される基板処理手順を説明する。制御装置100は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を含む基板処理を実行するように基板処理システム1を制御する。まず制御装置100は、キャリアC内のウェハWを棚ユニットU10に搬送するように搬送装置A1を制御し、このウェハWを処理モジュール11用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理システム1において実行される基板処理手順を説明する。制御装置100は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を含む基板処理を実行するように基板処理システム1を制御する。まず制御装置100は、キャリアC内のウェハWを棚ユニットU10に搬送するように搬送装置A1を制御し、このウェハWを処理モジュール11用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール11内の液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの表面Wa上に下層膜を形成するように液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、下層膜が形成されたウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理モジュール12用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール12内の液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWの下層膜上にレジスト膜Rを形成するように液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。液処理ユニットU1において行われる液処理手順の一例については後述する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU10に戻すように搬送装置A3を制御し、このウェハWを処理モジュール13用のセルに配置するように搬送装置A7を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU10のウェハWを処理モジュール13内の各ユニットに搬送するように搬送装置A3を制御する。また、制御装置100は、このウェハWのレジスト膜R上に上層膜を形成するように液処理ユニットU1及び熱処理ユニットU2を制御する。その後制御装置100は、ウェハWを棚ユニットU11に搬送するように搬送装置A3を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11に収容されたウェハWを露光装置3に送り出すように搬送装置A8を制御する。そして、露光装置3において、ウェハWに形成されたレジスト膜Rに露光処理が施される。その後制御装置100は、露光処理が施されたウェハWを露光装置3から受け入れて、当該ウェハWを棚ユニットU11における処理モジュール14用のセルに配置するように搬送装置A8を制御する。
次に制御装置100は、棚ユニットU11のウェハWを処理モジュール14の熱処理ユニットU2に搬送するように搬送装置A3を制御する。そして、制御装置100は、現像処理に伴う熱処理、及び現像処理を実行するように制御を行う。以上により塗布・現像処理が終了する。
(液処理手順)
続いて、図10を参照して、液処理手順の一例について説明する。図10は、処理モジュール12の液処理ユニットU1において実行される液処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置100は、ノズル42が待機位置に配置され、ウェハWが回転保持部30(保持部32)に載置された状態で、ステップS01を実行する。ステップS01では、ノズル配置制御部124が、待機位置から吐出位置までノズル移動機構44によりノズル42を移動させるノズル配置処理を実行する。
続いて、図10を参照して、液処理手順の一例について説明する。図10は、処理モジュール12の液処理ユニットU1において実行される液処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置100は、ノズル42が待機位置に配置され、ウェハWが回転保持部30(保持部32)に載置された状態で、ステップS01を実行する。ステップS01では、ノズル配置制御部124が、待機位置から吐出位置までノズル移動機構44によりノズル42を移動させるノズル配置処理を実行する。
次に、制御装置100は、ステップS02,S03,S04を実行する。ステップS02では、例えば、供給制御部126が、処理液の吐出を開始させる。具体的には、供給制御部126は、回転保持部30によりウェハWを回転させつつ、開閉バルブ48を閉状態から開状態に切り替えることで処理液の吐出を開始させる。ステップS03では、供給制御部126が、ウェハWの回転及び処理液の吐出を回転保持部30及び処理液供給部40にそれぞれ継続させたまま、供給処理の開始から供給処理の処理時間の経過を待機する。処理時間の経過後のステップS04では、例えば、供給制御部126が、開閉バルブ48を開状態から閉状態に切り替えることで処理液の吐出を停止させる。
次に、制御装置100は、ステップS05,S06,S07を実行する。ステップS05では、例えば、被膜形成制御部128が、処理液の被膜形成のためのウェハWの回転を開始させる。被膜形成制御部128は、ステップS04の吐出停止時点の回転速度から、被膜形成のための回転速度となるように回転保持部30によりウェハWの回転を調節してもよい。ステップS06では、例えば、被膜形成制御部128が、被膜形成のためのウェハWの回転開始から乾燥処理の処理時間の経過を待機する。乾燥処理の処理時間経過後のステップS07では、例えば、被膜形成制御部128がウェハWの回転を回転保持部30により停止させる。なお、ステップS05~S07が実行される期間の少なくとも一部と重複したタイミングにおいて、制御装置100(ノズル配置制御部124)は、ノズル退避処理を実行してもよい。以上により1枚のウェハWに対する液処理手順が終了する。
[監視手順]
図11は、制御装置100による監視手順(監視方法)の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、液処理手順の実行と略同一のタイミングで(並行して)、ウェハWの処理の監視処理を実行する。制御装置100は、ウェハWが液処理ユニットU1に搬入され、撮像装置110による撮像領域PRの撮像を継続させている状態で、まずステップS21を実行する。ステップS21では、例えば、監視条件生成部142が、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールと、参照条件記憶部140が記憶する対応情報とを参照することで、ウェハWの処理における条件変更スケジュールを生成する。条件変更スケジュールは、例えば、複数の単位処理にそれぞれ対応する複数の単位期間の順序と、各単位期間での生成条件とを含む。
図11は、制御装置100による監視手順(監視方法)の一例を示すフローチャートである。制御装置100は、液処理手順の実行と略同一のタイミングで(並行して)、ウェハWの処理の監視処理を実行する。制御装置100は、ウェハWが液処理ユニットU1に搬入され、撮像装置110による撮像領域PRの撮像を継続させている状態で、まずステップS21を実行する。ステップS21では、例えば、監視条件生成部142が、処理情報記憶部120が記憶する処理スケジュールと、参照条件記憶部140が記憶する対応情報とを参照することで、ウェハWの処理における条件変更スケジュールを生成する。条件変更スケジュールは、例えば、複数の単位処理にそれぞれ対応する複数の単位期間の順序と、各単位期間での生成条件とを含む。
次に、制御装置100は、ステップS22,S23を実行する。ステップS22では、例えば、制御装置100が、最初の単位期間の開始タイミングとなるまで待機する。ステップS23では、例えば、監視条件変更部138が、条件変更スケジュールに基づいて、単位処理の内容に応じて監視用動画データの生成条件を設定する。一例として、監視条件変更部138は、単位処理がノズル配置処理である場合、生成条件に含まれる単位面積あたりの画素数を画素数n1に設定し(例えば、画像サイズをVGAサイズに設定し)、フレーム数をフレーム数f1(例えば、30fps)に設定し、監視用動画データの対象領域IRを撮像領域PRの全域に設定する。これにより、監視用データ生成部136は、ノズル配置処理の実行中に監視条件変更部138が変更した生成条件に従って、ノズル配置処理の実行中の監視用動画データを生成する。
次に、制御装置100は、ステップS24,S25を実行する。ステップS24では、例えば、監視用データ生成部136が、監視用動画データを生成する周期となるまで待機する。一例として、当該単位処理の生成条件においてフレーム数の削減率が1/2に設定されている場合、撮像動画データMV0(例えば、画像サイズがHDサイズであり、フレーム数が60fpsである撮像動画データ)が2フレームずつ得られるタイミングが生成周期となる。ステップS25では、監視用データ生成部136が、監視条件変更部138が変更した生成条件に定める解像度(単位面積あたりの画素数)に従って、撮像動画データMV0から解像度を圧縮することで、1フレームの監視用動画データ(画像データ)を生成する。このようなフレーム数の削減又は解像度の圧縮が行われる結果、監視用動画データ(例えば、画像サイズがVGAサイズであり、フレーム数が30fpsである動画データ)が生成される。
次に、制御装置100は、ステップS26を実行する。ステップS26では、例えば、処理判定部150が、単位処理の実行中の監視用動画データ(ステップS25で生成した1フレームの監視用動画データ)に基づいて、単位処理において異常が生じていないかどうかを判定する。
次に、制御装置100は、ステップS27を実行する。ステップS27では、例えば、制御装置100が、単位処理の終了時刻に達しているかどうかを判断する。単位処理の終了時刻に達していない場合、制御装置100は、ステップS24~S27の処理を繰り返す。これにより、監視用動画データの生成周期ごと(監視用動画データの1フレームごと)に、単位処理の異常有無の判定が行われる。
単位処理の終了時刻に達した場合、制御装置100は、ステップS28を実行する。ステップS28では、例えば、制御装置100が、全ての単位処理での監視処理が終了しているかどうかを判断する。全ての単位処理での監視処理が終了していない場合、制御装置100は、ステップS29を実行する。ステップS29では、監視条件変更部138が、条件変更スケジュールに基づいて、供給処理の実行中における監視用動画データの生成条件を変更する。例えば、ノズル配置処理の終了後において供給処理の監視が行われる場合、監視条件変更部138は、供給制御部126が供給処理を実行中に、単位面積あたりの画素数を画素数n1から画素数n2に変更し、フレーム数をフレー数f2からフレーム数f1に変更し、監視用動画データの対象領域IRを撮像領域PRの全域からノズル42の周辺領域に変更する。そして、ステップS24~S27が繰り返されることで、監視用データ生成部136は、供給処理の実行中に監視条件変更部138が変更した生成条件に従って、供給処理の実行中の監視用動画データ(例えば、画像サイズがHDサイズであり、フレーム数が60fpsである動画データ)を生成する。
また、供給処理の終了後において乾燥処理が行われる場合、ステップS29では、監視条件変更部138が、被膜形成制御部128が乾燥処理を実行中に、単位面積あたりの画素数を画素数n2から画素数n1に変更し、フレーム数をフレー数f2からフレーム数f1に変更し、監視用動画データの対象領域IRをノズル42の周辺領域から撮像領域PRの全域に変更する。そして、ステップS24~S27が繰り返されることで、監視用データ生成部136は、乾燥処理の実行中に監視条件変更部138が変更した生成条件に従って、乾燥処理の実行中の監視用動画データ(例えば、画像サイズがVGAサイズであり、フレーム数が30fpsである動画データ)を生成する。
一方、ステップS28において、全ての単位処理における監視処理が終了していると判断された場合、1枚のウェハWにおける単位処理の監視手順が終了する。
[記録手順]
図12は、保存用動画データの記録手順(保存手順)を示すフローチャートである。制御装置100は、液処理手順及び監視手順の実行に合わせて、ウェハWの処理に対する記録処理を実行する。一例として、制御装置100は、ノズル配置処理、供給処理、及び乾燥処理の各単位処理の終了直後において当該単位処理での保存用動画データを記録する。まず、制御装置100は、撮像装置110による撮像領域PRの撮像を継続させている状態で、ステップS41を実行する。ステップS41では、例えば、制御装置100が、記録対象となる単位処理が終了するまで待機する。
図12は、保存用動画データの記録手順(保存手順)を示すフローチャートである。制御装置100は、液処理手順及び監視手順の実行に合わせて、ウェハWの処理に対する記録処理を実行する。一例として、制御装置100は、ノズル配置処理、供給処理、及び乾燥処理の各単位処理の終了直後において当該単位処理での保存用動画データを記録する。まず、制御装置100は、撮像装置110による撮像領域PRの撮像を継続させている状態で、ステップS41を実行する。ステップS41では、例えば、制御装置100が、記録対象となる単位処理が終了するまで待機する。
記録対象の単位処理が終了すると、制御装置100は、ステップS42を実行する。ステップS42では、例えば、処理判定部150が、記録対象の単位処理において、処理の異常が判定されていないかどうかを判断する。
ステップS42において、記録対象の単位処理に異常がなかったと判断された場合、制御装置100は、ステップS43,S44を実行する。ステップS43では、例えば、保存条件変更部154が、保存用動画データの保存条件を基準保存条件に維持する(例えば、画像サイズをVGAサイズに維持し、フレーム数を30fpsに維持する)。ステップS44では、例えば、保存データ記録部152が基準保存条件に従って、データバッファ部134に一時的に記憶されている撮像動画データMV0から、記録対象の単位処理における保存用動画データを生成する。保存データ記録部152は、例えば、生成した保存用動画データを制御装置100の外部のデータ記憶部190に出力する。
一方、ステップS42において、記録対象の単位処理に異常があったと判断された場合、制御装置100は、ステップS45,S46,S47を実行する。ステップS45では、例えば、保存条件変更部154が、保存用動画データの保存条件を基準保存条件から異常時の保存条件に変更する(例えば、画像サイズをHDサイズに変更し、フレーム数を60fpsに変更する)。ステップS46では、例えば、保存データ記録部152が異常時の保存条件に従って、データバッファ部134に一時的に記憶されている撮像動画データMV0から、記録対象の単位処理における保存用動画データを生成する。保存データ記録部152は、例えば、生成した保存用動画データを制御装置100の外部のデータ記憶部190に出力する。ステップS47では、例えば、保存データ記録部152が、処理判定部150から記録対象の単位処理に関する処理情報を取得し、当該処理情報を保存用動画データとともに外部の記憶部に出力する(記録する)。
次に、制御装置100は、ステップS48を実行する。ステップS48では、例えば、保存条件変更部154が、保存用動画データの保存条件を異常時の保存条件から基準保存条件に変更する。これにより、次の記録対象である単位処理において、異常が生じていなければ基準保存条件に従って、保存用録画データが記録される。
次に(ステップS44又はステップS48の終了後に)、制御装置100は、ステップS49を実行する。ステップS49では、例えば、制御装置100が、全ての単位処理での記録処理が終了しているかどうかを判断する。全ての単位処理における記録処理が終了していない場合、制御装置100は、次の単位処理での記録処理が実行されるように、ステップS41~S49の処理を繰り返す。一方、ステップS49において、全ての単位処理における記録処理が終了していると判断された場合、1枚のウェハWでの記録手順が終了する。
[第1実施形態の効果]
以上説明した第1実施形態に係る監視装置20は、ウェハWを保持する保持部32と、ノズル42から処理液を吐出することで保持部32に保持されたウェハWの表面Waに処理液を供給する処理液供給部40とを備える塗布・現像装置2の監視装置である。監視装置20は、ノズル42と保持部32に保持されたウェハWの表面Waとを撮像可能な撮像装置110と、第1処理及び第2処理を含む塗布・現像装置2によるウェハWの処理の実行中に、撮像装置110による撮像動画データMV0に基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部136と、第1処理の実行中の監視用動画データ(第1動画データMV1)に比較して第2処理の実行中の監視用動画データ(第2動画データMV2)の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部138とを備える。
以上説明した第1実施形態に係る監視装置20は、ウェハWを保持する保持部32と、ノズル42から処理液を吐出することで保持部32に保持されたウェハWの表面Waに処理液を供給する処理液供給部40とを備える塗布・現像装置2の監視装置である。監視装置20は、ノズル42と保持部32に保持されたウェハWの表面Waとを撮像可能な撮像装置110と、第1処理及び第2処理を含む塗布・現像装置2によるウェハWの処理の実行中に、撮像装置110による撮像動画データMV0に基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部136と、第1処理の実行中の監視用動画データ(第1動画データMV1)に比較して第2処理の実行中の監視用動画データ(第2動画データMV2)の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部138とを備える。
以上説明した塗布・現像装置2の監視手順は、ノズル42と保持部32に保持されたウェハWの表面Waとを撮像装置110により撮像することと、第1処理及び第2処理を含む塗布・現像装置2によるウェハWの処理の実行中に、撮像装置110による撮像動画データMV0に基づいて監視用動画データを生成することと、第1処理の実行中の第1動画データMV1に比較して第2処理の実行中の第2動画データMV2の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に監視用動画データの生成条件を変更することとを含む。
液処理ユニットU1におけるウェハWの単位処理の状態を判定(確認)するために、画像処理を用いてコンピュータにより自動的に監視することが考えられる。液処理ユニットU1では、種々のウェハWの単位処理が行われる。一部の単位処理の状態の監視(確認)には、高画質の動画データが必要となる場合がある。このため、ウェハWの単位処理の内容に応じて、最適な位置に複数のカメラを設定し、単位処理の内容にそれぞれ適した画質の複数の動画データを取得することで、各種のウェハWの単位処理の状態を判定することが考えられる。しかしながら、この場合、カメラの台数が多くなり撮像装置の構成が複雑化してしまう。一方、種々のウェハWの単位処理の実行状態が含まれるように1台のカメラで撮像して、撮像装置の構成を簡素化することが考えられる。しかしながら、この場合、最適位置に複数のカメラを設置する場合に比べて撮像範囲が広くなる。更に高画質が必要な処理に合わせて、高画質の動画データを取得して、種々のウェハWの単位処理について、その動画データを用いてそれぞれ画像処理を行うと、コンピュータの処理負荷が大きくなる。
これに対して、以上の監視装置20及び監視手順では、第1処理の実行中の第1動画データMV1に比較して第2処理の実行中の第2動画データMV2の少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、ウェハWの処理の実行中に監視用動画データの生成条件が変更される。このため、高画質が必要な処理では、高画質の監視用動画データを生成し、低画質でも十分な処理では、低画質の監視用動画データを生成することができる。つまり、監視用動画データの画質を処理内容に応じて変更することができる。従って、以上の監視装置20及び監視手順は、撮像動画に基づいてウェハWの処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに有用である。
監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データに比較して第2処理の実行中の監視用動画データの全画素での撮像領域PRの大きさも異なるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、高画質が必要な処理の実行中の監視用動画データにおいて、全画素での撮像領域PRの大きさを小さくすることができる。従って、撮像動画に基づいてウェハWの処理を監視する際にコンピュータの処理負荷を低減するのに更に有用である。
監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データに比較して第2処理の実行中の監視用動画データの解像度が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像動画データからの単位面積あたりの画素数の削減率を変更してもよい。監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更した上記削減率に従って撮像動画データMV0から画素数を削減することで、監視用動画データを生成してもよい。この場合、単位面積あたりの画素数の削減率が第1処理と第2処理との間で異なることで、処理内容に適した画質の監視用データが容易に得られる。
第1処理は、ノズル42を移動させる処理であってもよく、第2処理は、ノズル42からウェハWの表面Waへ処理液を吐出する処理であってもよい。監視条件変更部138は、第2処理の実行中の監視用動画データの解像度が、第1処理の実行中の監視用動画データの解像度よりも高くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。ノズル配置処理の監視では低画質な動画データで十分な場合があり、供給処理の監視では高画質の動画データが必要な場合がある。上記構成では、ノズル配置処理と供給処理とにおいて、処理内容に適した監視用動画データを得ることができる。また、供給処理の監視用動画データにおいて、全画素に含まれる撮像領域PRの大きさを小さくすることで、解像度が高くてもデータ量を小さくすることができる。この場合、ウェハWの処理の適切な監視と、コンピュータの処理負荷の低減との両立を図ることが可能となる。
第1処理は、ウェハWの表面Waに処理液の被膜を形成する処理であってもよく、第2処理は、ノズル42からウェハWの表面Waへ処理液を吐出する処理であってもよい。監視条件変更部138は、第2処理の実行中の監視用動画データの解像度が、第1処理の実行中の監視用動画データの解像度よりも高くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。被膜形成の処理の監視にでは低画質な動画データで十分な場合があり、供給処理の監視では高画質の動画データが必要な場合がある。上記構成では、乾燥処理と供給処理とにおいて、処理内容に適した監視用動画データを得ることができる。
以上に説明した監視装置20は、塗布・現像装置2によるウェハWの処理スケジュールに従って生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する監視条件記憶部148を更に備えてもよい。監視条件変更部138は、条件変更スケジュールに基づいて、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、生成条件を変更する際に、監視条件記憶部148内の条件スケジュールを参照すればよいので、生成条件の変更に要する処理負荷を低減することができる。
以上に説明した監視装置20は、監視用動画データに基づいて、ウェハWの処理の異常を判定する処理判定部150と、撮像動画データMV0に基づいて、保存用動画データを記録する保存データ記録部152と、処理判定部150の判定結果が異常を示す場合に、保存用動画データの保存条件を、保存用動画データを記録する際に変更する保存条件変更部154とを更に備えてもよい。この構成では、判定結果が異常を示す場合に、それに適した画質の動画データを保存できる。例えば、保存用動画データのうちの異常が生じた単位処理の期間を、異常が生じていない他の期間と比べて高画質にすることで、保存用動画データを利用した異常の分析と、記録容量の増加抑制との両立に有用である。
保存条件変更部154は、処理判定部150の判定結果が異常を示す場合に、保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも1つを、保存用動画データを記録する際に変更してもよい。この場合、保存用動画データのうちの異常が生じた期間を、異常が生じていない他の期間と比べて高画質で記録することができる。従って、保存用動画データを利用した異常の分析と、記録容量の増加抑制との両立に有用である。
保存データ記録部152は、処理判定部150の判定結果が異常を示す場合に、当該異常と判定されたウェハWの処理の内容を示す処理情報も記録してもよい。この場合、保存用動画データを利用して異常を分析する際に、異常が生じた処理を実行したときの処理内容の把握が容易である。
以上の監視装置20では、コンピュータの処理負荷を低減することにより、例えば、ウェハWの処理状態のリアルタイムな監視(判定)が可能となる。また、1台のカメラで複数の単位処理の内容を監視することで、液処理ユニットU1の構成を簡素化することが可能となる。
(第1実施形態の変形例)
監視条件記憶部148に記憶される変更条件スケジュールは、監視条件生成部142により生成されるが、監視条件生成部142に代えて、作業者により予め作成されていてもよい。
監視条件記憶部148に記憶される変更条件スケジュールは、監視条件生成部142により生成されるが、監視条件生成部142に代えて、作業者により予め作成されていてもよい。
監視条件変更部138は、ウェハWの処理スケジュールと、参照条件記憶部140が記憶する対応情報とに基づいて、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。具体的には、監視条件変更部138は、ウェハWの単位処理の切り替え時に、単位処理の内容を示す信号を処理情報記憶部120からその度に取得する。そして、監視条件変更部138は、参照条件記憶部140が記憶するテーブル情報を参照することで、ウェハWの単位処理の切り替えの度に単位処理の内容に応じた生成条件を取得し、当該生成条件に変更する。
この変形例に係る監視装置20は、ウェハWの処理の内容と生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する参照条件記憶部140を備える。監視条件変更部138は、塗布・現像装置2によるウェハWの処理スケジュールと上記対応情報とに基づいて、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更してもよい。この場合、複数種類の処理スケジュールに応じて塗布・現像装置2がウェハWの処理を実行する場合に、複数の変更条件スケジュールをそれぞれ予め作成することが不要となる。従って、制御装置100の記憶容量を削減することに有用である。
監視条件変更部138は、ノズル42の配置処理において、対象領域IRをノズル周辺に設定し、対象領域IRをノズル42の移動軌跡に合わせて変更していくように、生成条件を変更してもよい。この場合、制御装置100は、データ取得部132が取得させた撮像動画データに基づいてノズル42の移動軌跡を算出する画像処理部を有していてもよい。あるいは、監視条件変更部138は、処理スケジュールに定められたノズル42の動きを示す情報(時刻と位置とが対応付けられた情報)に応じて、対象領域IRをノズル42の移動軌跡に合わせて変更していってもよい。
[第2実施形態]
続いて、図3及び図13を参照して、第2実施形態に係る基板処理システム1が備える制御装置100について説明する。第2実施形態に係る制御装置100は、解像度の変更方法が撮像装置110の撮像光学系を調節する点において、第1実施形態に係る制御装置100と異なる。撮像装置110は、図3に示されるように、撮像光学系112を有する。監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データである第1動画データMV1に比較して、第2処理の実行中の監視用動画データである第2動画データMV2の解像度が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像装置110の撮像光学系112によるズーム倍率を変更する。
続いて、図3及び図13を参照して、第2実施形態に係る基板処理システム1が備える制御装置100について説明する。第2実施形態に係る制御装置100は、解像度の変更方法が撮像装置110の撮像光学系を調節する点において、第1実施形態に係る制御装置100と異なる。撮像装置110は、図3に示されるように、撮像光学系112を有する。監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データである第1動画データMV1に比較して、第2処理の実行中の監視用動画データである第2動画データMV2の解像度が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像装置110の撮像光学系112によるズーム倍率を変更する。
例えば、第1処理が乾燥処理であり、第2処理が処理液の供給処理である場合、図13に示されるように、監視条件変更部138は、第1処理において撮像装置110のズーム倍率を1倍に設定する。この場合、データ取得部132により取得される撮像動画データMV01の撮像領域PRには、例えば、移動中のノズル42と、ウェハWの表面Waの全面が含まれる。一方、監視条件変更部138は、第2処理において撮像装置110のズーム倍率をx倍(xは1よりも大きい値)に設定し、吐出位置のノズル42の全体が画角内に収まるように撮像装置110の撮像光学系112を調節する。このとき、監視条件変更部138は、第1処理における画素数と同じ値に画素数を設定する。この場合、データ取得部132により取得される撮像動画データMV02の撮像領域PRには、例えば、吐出位置のノズル42とウェハWの表面Waの一部とが含まれる。
監視用データ生成部136は、撮像動画データMV01に圧縮等の処理を施すことなく、そのまま第1動画データMV1とすることで、監視用動画データを生成してもよい。監視用データ生成部136は、撮像動画データMV01の撮像領域PRからのROI選択処理も行わない。撮像動画データMV01と第1動画データMV1との間では、解像度、フレーム数、及び全画素での撮像領域PRの大きさが互いに一致している(例えば、両者の画像サイズがVGAサイズであり、両者のフレーム数が60fpsである)。監視用データ生成部136は、撮像動画データMV02に圧縮等の処理を施すことなく、そのまま第2動画データMV2とすることで、監視用動画データを生成してもよい。監視用データ生成部136は、撮像動画データMV02の撮像領域PRからのROI選択処理も行わない。撮像動画データMV02と第2動画データMV2との間では、解像度、フレーム数、及び全画素での撮像領域PRの大きさが互いに一致している(例えば、両者の画像サイズがVGAサイズであり、両者のフレーム数が60fpsである)。
撮像動画データMV01と撮像動画データMV02との間では、単位面積あたりの画素数(総画素数)が互いに一致しているが、ズーム倍率が異なるため、1画素あたりの撮像領域PRの大きさである解像度が互いに異なる。このため、第1動画データMV1と第2動画データMV2との間においても、解像度が互いに異なる。このように、監視条件変更部138は、ズーム倍率を変更することで、第2動画データMV2の解像度が、第1動画データMV1の解像度よりも高くなるように、ウェハWの処理の実行中に生成条件を変更する。
撮像装置110は、カメラの向き又はカメラの位置を変更できるように構成されてもよい。監視条件変更部138は、ズーム倍率に加えて、単位処理の内容に応じてカメラの向き又はカメラの位置を変更することで生成条件(撮像動画データの撮像領域)を変更してもよい。監視条件変更部138は、ノズル42の配置処理において、ノズル42の移動軌跡に合わせて、撮像領域がノズル42の移動軌跡に合うようにカメラの向き又はカメラの位置を変更してもよい。参照条件記憶部140は、単位処理の内容と、生成条件に含まれるズーム倍率とを対応付けた対応情報を記憶していてもよい。
以上説明した第2実施形態に係る監視装置20では、監視条件変更部138は、第1処理の実行中の監視用動画データ(第1動画データMV1)に比較して第2処理の実行中の監視用動画データ(第2動画データMV2)の解像度が異なるように、ウェハWの処理の実行中に撮像装置110の撮像光学系112によるズーム倍率を変更してもよい。監視用データ生成部136は、監視条件変更部138が変更したズーム倍率で撮像装置110が撮像した撮像動画データMV0に基づいて、監視用動画データを生成してもよい。
この場合も、第1実施形態と同様に、コンピュータの処理負荷を低減するのに有用である。例えば、高画質が必要な単位処理と高画質が不要な単位処理とにおいて、光学ズームを使わずに撮像した撮像動画データをそのまま監視用動画データとすると、高画質が必要な処理に合わせて常に高画質で撮像を行う必要がある。その結果、高画質が不要な処理においても高画質の監視用動画データでの画像処理を行う監視が必要となる。これに対して、高画質な処理が必要な処理において光学ズームで撮像領域を拡大して撮像することで、常に全体を高画質で撮像するよりも監視用動画データの容量が削減でき、コンピュータの処理負荷を低減することができる。また上記構成では、画質を調節するためのコンピュータの処理を省略できるので、第1実施形態に比べてコンピュータの処理負荷の低減に更に有用である。
監視条件変更部138は、第2実施形態に係る撮像装置110のズーム倍率の変更に、第1実施形態に係る単位面積あたりの画素数の変更、フレーム数の変更、及び対象領域IRの選択処理のうちの少なくとも1つを組み合わせることで、生成条件を変更してもよい。
処理モジュール14の液処理ユニットU1における現像処理を含む液処理において、制御装置100は、上述の第1実施形態及び第2実施形態と同様に、ウェハWの処理の監視を行ってもよい。この場合、乾燥処理では、液処理ユニットU1は、表面Wa上に現像液が塗布(供給)されたウェハWを静止した状態で現像液のパドルを表面Waに形成してもよい。例えば、監視装置20は、パドルの形成具合が適切かどうかを監視してもよい。
処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、又はFPD(Flat Panel Display)などであってもよい。
1…基板処理システム、2…塗布・現像装置、20…監視装置、30…回転保持部、40…処理液供給部、100…制御装置、136…監視用データ生成部、138…監視条件変更部、140…参照条件記憶部、142…監視条件生成部、148…監視条件記憶部、150…処理判定部、152…保存データ記録部、154…保存条件変更部、U1…液処理ユニット。
Claims (14)
- 基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視装置であって、
前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像可能な撮像部と、
第1処理及び第2処理を含む前記基板処理装置による前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、
前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える、監視装置。 - 前記監視条件変更部は、前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの全画素での撮像領域の大きさも異なるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項1記載の監視装置。
- 前記監視条件変更部は、前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記撮像動画データからの単位面積あたりの画素数の削減率を変更し、
前記監視用データ生成部は、前記監視条件変更部が変更した前記削減率に従って前記撮像動画データから画素数を削減することで、前記監視用動画データを生成する、請求項1又は2記載の監視装置。 - 前記監視条件変更部は、前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記撮像部の撮像光学系によるズーム倍率を変更し、
前記監視用データ生成部は、前記監視条件変更部が変更した前記ズーム倍率で前記撮像部が撮像した前記撮像動画データに基づいて、前記監視用動画データを生成する、請求項1~3のいずれか一項に記載の監視装置。 - 前記第1処理は、前記ノズルを移動させる処理であり、
前記第2処理は、前記ノズルから前記基板の表面へ前記処理液を吐出する処理であり、
前記監視条件変更部は、前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が、前記第1処理の実行中の前記監視用動画データの解像度よりも高くなるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項1~4のいずれか一項記載の監視装置。 - 前記第1処理は、前記基板の表面に前記処理液の被膜を形成する処理であり、
前記第2処理は、前記ノズルから前記基板の表面へ前記処理液を吐出する処理であり、
前記監視条件変更部は、前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの解像度が、前記第1処理の実行中の前記監視用動画データの解像度よりも高くなるように、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項1~4のいずれか一項記載の監視装置。 - 前記基板処理装置による前記基板の処理スケジュールに従って前記生成条件を変更する条件変更スケジュールを記憶する監視条件記憶部を更に備え、
前記監視条件変更部は、前記条件変更スケジュールに基づいて、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項1~6のいずれか一項記載の監視装置。 - 前記基板の処理の内容と前記生成条件とを対応付けた対応情報を記憶する参照条件記憶部を更に備え、
前記監視条件変更部は、前記基板処理装置による前記基板の処理スケジュールと、前記対応情報とに基づいて、前記基板の処理の実行中に前記生成条件を変更する、請求項1~6のいずれか一項記載の監視装置。 - 前記監視用動画データに基づいて、前記基板の処理の異常を判定する異常判定部と、
前記撮像動画データに基づいて、保存用動画データを記録する保存データ記録部と、
前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、前記保存用動画データの保存条件を、前記保存用動画データを記録する際に変更する保存条件変更部とを更に備える、請求項1~8のいずれか一項記載の監視装置。 - 前記保存条件変更部は、前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、前記保存用動画データの解像度、フレーム数、及び圧縮形式のうち少なくとも1つを、前記保存用動画データを記録する際に変更する、請求項9記載の監視装置。
- 前記保存データ記録部は、前記異常判定部の判定結果が異常を示す場合に、当該異常と判定された前記基板の処理の内容を示す処理情報も記録する、請求項9又は10記載の監視装置。
- 基板を保持する保持部と、
ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像可能な撮像部と、
第1処理及び第2処理を含む前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成する監視用データ生成部と、
前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更する監視条件変更部とを備える、基板処理装置。 - 基板を保持する保持部と、ノズルから処理液を吐出することで前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部とを備える基板処理装置の監視方法であって、
前記ノズルと前記保持部に保持された前記基板の表面とを撮像部により撮像することと、
第1処理及び第2処理を含む前記基板処理装置による前記基板の処理の実行中に、前記撮像部による撮像動画データに基づいて監視用動画データを生成することと、
前記第1処理の実行中の前記監視用動画データに比較して前記第2処理の実行中の前記監視用動画データの少なくとも解像度又はフレーム数が異なるように、前記基板の処理の実行中に前記監視用動画データの生成条件を変更することとを含む、監視方法。 - 請求項13記載の監視方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019206954 | 2019-11-15 | ||
JP2019206954 | 2019-11-15 | ||
PCT/JP2020/041253 WO2021095612A1 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-04 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
JP2021556044A JP7309896B2 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-04 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021556044A Division JP7309896B2 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-04 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023118878A true JP2023118878A (ja) | 2023-08-25 |
JP2023118878A5 JP2023118878A5 (ja) | 2023-11-14 |
Family
ID=75912871
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021556044A Active JP7309896B2 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-04 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
JP2023110512A Pending JP2023118878A (ja) | 2019-11-15 | 2023-07-05 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021556044A Active JP7309896B2 (ja) | 2019-11-15 | 2020-11-04 | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220400232A1 (ja) |
JP (2) | JP7309896B2 (ja) |
KR (1) | KR20220100614A (ja) |
CN (1) | CN114667592A (ja) |
TW (1) | TW202131390A (ja) |
WO (1) | WO2021095612A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7443163B2 (ja) | 2020-05-27 | 2024-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007289901A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 塗布方法及び検査機能付き塗布装置 |
JP5497144B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のプロセス監視装置及び半導体製造装置のプロセス監方法並びに半導体製造装置 |
JP2015153903A (ja) | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6423672B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6562864B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 |
JP6932597B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2021-09-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2020
- 2020-11-04 KR KR1020227019016A patent/KR20220100614A/ko unknown
- 2020-11-04 CN CN202080078123.0A patent/CN114667592A/zh active Pending
- 2020-11-04 JP JP2021556044A patent/JP7309896B2/ja active Active
- 2020-11-04 US US17/776,800 patent/US20220400232A1/en active Pending
- 2020-11-04 WO PCT/JP2020/041253 patent/WO2021095612A1/ja active Application Filing
- 2020-11-05 TW TW109138558A patent/TW202131390A/zh unknown
-
2023
- 2023-07-05 JP JP2023110512A patent/JP2023118878A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7309896B2 (ja) | 2023-07-18 |
CN114667592A (zh) | 2022-06-24 |
TW202131390A (zh) | 2021-08-16 |
US20220400232A1 (en) | 2022-12-15 |
KR20220100614A (ko) | 2022-07-15 |
JPWO2021095612A1 (ja) | 2021-05-20 |
WO2021095612A1 (ja) | 2021-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102473026B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2023118878A (ja) | 監視装置、基板処理装置、監視方法、及び記憶媒体 | |
US10155246B2 (en) | Adjusment method of chemical liquid supply device, non-transitory storage medium, and chemical liquid supply device | |
JP6278759B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101453576B1 (ko) | 도포 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 도포 처리 장치 | |
KR102271777B1 (ko) | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
JP6946473B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5314657B2 (ja) | ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
KR20080037539A (ko) | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 | |
US10651064B2 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
JP6584356B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 | |
JP2008091752A (ja) | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 | |
JP2016122681A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10901318B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of adjusting parameters of coating module, and storage medium | |
JP6353780B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2000082646A (ja) | 塗布液塗布方法及びその装置 | |
JPWO2021095612A5 (ja) | ||
JP2000070834A (ja) | 異常検出方法及びこれを用いた基板塗布装置 | |
WO2023127240A1 (ja) | 動作監視方法および製造装置 | |
WO2023243564A1 (ja) | 監視方法および製造装置 | |
JP2003272986A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5407900B2 (ja) | 流量測定装置及び流量測定方法 | |
WO2023127239A1 (ja) | 動作監視方法および製造装置 | |
JP2000114138A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20240096763A (ko) | 동작 감시 방법 및 제조 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231106 |