JP2003272986A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 静止状態で保持された基板上に付与された処
理液による基板処理において、処理不良となる基板が後
工程へ流出することを未然に防止する。 【解決手段】 基板保持部に静止状態で保持された基板
Ｗに対して、現像液吐出ノズル６１を用いて現像液を液
盛している際、現像液吐出ノズル６１を待機ポット５６
へ移動させる際、および純水吐出ノズル６２を基板Ｗ上
の所定の位置へ移動させる際に、液盛状態を光検出部１
３を用いて監視することにより、処理不良の原因となる
現像液供給不良領域、現像液落下領域、および純水落下
領域の発生を検出することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所
定の処理を行う基板処理装置において、基板上に付与し
た処理液の状況を監視する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトリソグラフィなどの半導体基板の
微細加工においては、基板上にパターンを形成するため
に基板上に一様形成したレジスト層を選択的に露光した
後、そのレジストを現像する現像処理が行われる。この
ような現像処理の方式のひとつとして、基板を回転させ
ながら現像液を供給する回転現像によりレジストの現像
処理がある。

【０００３】しかし、回転現像では、基板上において現
像液の新液と接触する位置と、一旦他の位置に触れた後
の現像液が接触する位置とで現像の進行度合が異なる。
その結果、現像不良が発生する問題や、基板上に滴下さ
れた現像液が遠心力により均一に塗り広げられるまでに
多量の現像液を供給しなければならない等の問題がある
ため、基板を静止させた状態で現像液を付与する静止現
像が用いられる傾向にある。

【０００４】図３５は、静止現像の処理ユニット２００
を示す平面図である。基板１００は図示しない基板保持
部によって略水平姿勢に保持されている。ノズルアーム
１０９はアーム駆動部１１０によりガイドレール１０８
に沿って走査方向Ａおよびその逆方向に移動可能に設け
られている。

【０００５】ノズルアーム５９には、現像液吐出ノズル
６１がガイドレール５８と垂直に取り付けられている。
これにより、現像液吐出ノズル６１は、図３５に示すよ
うに位置Ｐ１０から基板１００上を通過して位置Ｐ１１
まで走査方向Ａに沿って直線状に平行移動可能かつその
走査方向Ａと逆方向に直線状に平行移動可能となってい
る。また、外側カップ１０５の側部側には、純水を吐出
する純水吐出ノズル１１２が矢印Ｒの方向に回動可能に
設けられている。

【０００６】静止現像では、現像液吐出ノズル１１１を
走査方向Ａに沿って移動させつつ、図示しない基板保持
部に静止状態で保持された基板１００上に現像液を液盛
し、次に、現像液を基板１００上に一定時間維持するこ
とにより、基板１００上に形成されたフォトレジスト膜
等の感光性膜の現像を進行させ、続いて、純水吐出ノズ
ル１１２を基板１００上の所定位置へ移動させ、純水吐
出ノズル１１２から純水を供給しながら、図示しないモ
ータにより、図示しない基板保持部を高速に回転させて
基板１００上の現像液を振り切り、基板１００を乾燥さ
せて現像処理を終了する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、静止現
像では基板表面と現像液との表面張力により基板１００
上に現像液を液盛しており、そのため、現像液の吐出不
足や現像液吐出時間の不足が発生すると、基板上に現像
液が未供給となる領域１２０が生じ（図３６(a)）、そ
の後、現像液の流動性により現像液が未供給となる領域
１２０が消失すると（図３６(b)）、未供給領域以外と
比較してこの領域１２０の現像時間が短くなるため、現
像不良や配線幅が所定値とならない寸法シフトが発生す
る場合がある。

【０００８】また、基板１００上に現像液を液盛した
後、現像液吐出ノズル１１１を退避領域に移動させる
際、現像液吐出ノズル１１１から現像液が基板１００上
に滴下されると、その部分において現像液の濃度差が生
じるため、現像不良や寸法シフトが発生する場合があ
る。

【０００９】また、純水リンスのため、純水吐出ノズル
１１２を退避領域から現像液が液盛された基板１００上
へ移動させる際に、純水吐出ノズル１１２から純水が滴
下すると、現像液の場合と同様に、その衝撃で現像液内
に微小な気泡や現像液の局所的濃度変化が生じるため、
現像不良や寸法シフトが発生する場合がある。

【００１０】さらに、現像不良や寸法シフトは、ＣＤ−
ＳＥＭ等による観察や欠陥検査装置による後工程での検
査を行わなければ発見することができないため、それを
放置した状況で基板処理を続けてしまうと多くの不良基
板を作ることになり無駄な経費が生じ、加えて原因追求
にも時間を要し、装置の停止時間が長くなるため、生産
性の低下を招くこととなる。

【００１１】そして、このような問題は、現像処理に限
らず、処理液を基板上に供給するにあたって、処理液付
与の時間的空間的な一様性が要求される基板処理一般に
も生じる問題である。

【００１２】そこで、本発明では、基板上に付与された
処理液の状況を監視し、処理不良となる基板が後工程へ
流出することを未然に防止することのできる基板処理装
置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項１に記載の発明は、基板上に付与された処理液の
状況を監視する基板処理装置であって、前記基板を略水
平姿勢にて保持する基板保持手段と、前記基板の表面を
走査しつつ前記基板上へ処理液を吐出して前記基板の表
面の略全体を処理液層で覆う処理液付与手段と、前記基
板上の前記処理液層を光学的に検知する光検知手段とを
備えることを特徴とする。

【００１４】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、前記光検知手段は、前記処理
液付与手段による走査移動の影響を受けない静止位置に
設置されて、前記処理液層の状態を２次元画像として検
出する画像検知手段を備え、前記検知データとして前記
２次元画像が得られることを特徴とする。

【００１５】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、前記光検知手段は、前記処理
液付与手段の処理液吐出口付近に設置され、前記処理液
吐出口とともに移動しつつ、吐出された前記処理液が前
記基板に到達する領域近傍からの光を検知することを特
徴とする。

【００１６】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の基板処理装置であって、前記光検知手段は、前記処理
液に対して耐腐食性を有する材料により密閉されている
ことを特徴とする。

【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記光検知手段で得られた検知データに基づいて前記処理
液層の状態の良否を所定の判定条件に基づいて判定する
判定手段をさらに備えることを特徴とする。

【００１８】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の基板処理装置であって、前記検知データを前記判定手
段による判定結果と対応させて格納するデータ格納手段
をさらに備えることを特徴とする。

【００１９】請求項７に記載の発明は、請求項５または
請求項６に記載の基板処理装置であって、前記判定手段
での判定結果に基づいて警報を発する警報手段をさらに
備えることを特徴とする。

【００２０】請求項８に記載の発明は、請求項５ないし
請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛中の前
記処理液層の第１光学像を検出可能であり、前記判定手
段は、前記第１光学像に基づいて、前記処理液層の形成
過程における液盛不良を判定することを特徴とする。

【００２１】請求項９に記載の発明は、請求項５ないし
請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛後、前
記処理液付与手段における処理液吐出部が前記走査と逆
方向に戻る期間において前記基板の第２光学像を検出可
能であり、前記判定手段は、前記第２光学像に基づい
て、前記処理液層中への、前記処理液吐出部からの前記
処理液の滴下を判定することを特徴とする。

【００２２】請求項１０に記載の発明は、請求項５ない
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛後、
洗浄液によって前記処理液を洗い流すための洗浄液を吐
出可能な洗浄液吐出部が前記基板上に移動する期間にお
いて前記基板の第３光学像を検出可能であり、前記判定
手段は、前記第３光学像に基づいて、前記処理液層へ
の、前記洗浄液吐出部からの前記洗浄液の滴下を判定す
ることを特徴とする。

【００２３】請求項１１に記載の発明は、請求項５ない
し請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記判定手段は、前記光検知手段によって得られた
光学像を構成する各画素の画素データを所定の閾値と比
較して２値化し、当該２値化によって同一の値とされた
画素が連続する範囲の面積に基づいて、前記処理液層の
状態判定を行うことを特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】＜１．第１実施形態＞以下、図面
を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。また、以下の説明では特に定義しない限り、現像
液、純水等を総称して処理液とも呼ぶ。

【００２５】(1) 基板処理装置の概略構成 図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の
全体構成を示す平面配置図である。なお、図１および以
降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため必要に
応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面と
するＸＹＺ直交座標系を付している。

【００２６】この基板処理装置１は、略円形の半導体基
板（ウェハ）にレジスト塗布処理や現像処理を行う装置
であって、基板の搬出入を行うインデクサＩＤと、基板
に処理を行う複数の処理ユニットからなる第１処理部群
ＰＧ１、第２処理部群ＰＧ２と、図示を省略する露光装
置との基板の受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、
搬送ロボットＴＲとを備えている。

【００２７】インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可
能なキャリア（図示省略）を載置するとともに移動ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トＴＲに払い出すとともに処理済み基板を搬送ロボット
ＴＲから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリ
アの形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ（openca
sete）であっても良いし、基板を密閉空間に収納するＦ
ＯＵＰ（front opening unified pod）や、ＳＭＩＦ（S
tandard Mechanical InterFace）ポッドであっても良
い。本実施形態では、キャリアに２５枚の基板を収納し
ているものとする。

【００２８】インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴ
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、露光済みの基板を受け取って搬
送ロボットＴＲに渡す機能を有する。また、インターフ
ェイスＩＦは、露光装置との受け渡しタイミングの調整
を行うべく、露光前後の基板を一時的にストックするバ
ッファ機能を有し、図示を省略しているが、搬送ロボッ
トＴＲとの間で基板を受け渡すロボットと、基板を載置
するバッファカセットとを備えている。

【００２９】基板処理装置１は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニット（処理部）を備えており、そのう
ちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処
理部群を構成する。図２は、第１処理部群ＰＧ１および
第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１処理部
群ＰＧ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニットＳＣ
１、ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数の熱処
理ユニットを配置して構成されている。なお、図２にお
いては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置して
いるが、実際には高さ方向（Ｚ軸方向）に積層されてい
るものである。

【００３０】塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、基板
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって、均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピン
コータである。塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２の上方
には３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられて
いる。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着
強化ユニットＡＨ（密着強化処理部）、加熱ユニットＨ
Ｐ１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニ
ットＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷
却ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニット
ＨＰ５が積層された列とが設けられている。

【００３１】同様に、第２処理部群ＰＧ２は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１、ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって、現像処理を行う、いわゆるス
ピンデベロッパである。現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ
２の上方には、３段に積層された熱処理ユニットが３列
設けられている。すなわち、下から順に冷却ユニットＣ
Ｐ４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ
６が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニッ
トＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却
ユニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨ
Ｐ１０が積層された列とが設けられている。

【００３２】加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は基板を冷却して所定の温
度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に維
持する、いわゆるクールプレートである。

【００３３】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行うユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニット）
を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニットＳ
Ｃ１、ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２の
ような基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理ユ
ニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユニ
ットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットとす
る。

【００３４】なお、液処理ユニットの直上には、液処理
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットＴＲが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。

【００３５】本実施形態では、特に、第２処理部群ＰＧ
２の構成要素である現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２に
ついて詳細に説明するが、これら２つの現像処理ユニッ
トＳＤ１、ＳＤ２は同様の構成を持つため、一方の現像
処理ユニットＳＤ１について説明する。

【００３６】(2) 現像処理ユニットの概略構成 図３は基板処理装置１における現像処理ユニットＳＤ１
とそれに関連する要素を示す概念的な要部正面図であ
る。図３に示すように、現像処理ユニットＳＤ１は、判
定処理部２、制御部３、外部記憶装置３６、表示装置３
５および警報装置３７と結合している。

【００３７】現像処理ユニットＳＤ１は、静止状態で保
持された基板上に現像液を液盛し、現像処理終了後、純
水を基板上に供給しながら基板を高速に回転させて、基
板上の現像液を振り切り乾燥させる現像処理部１１と、
現像処理部１１の後述する基板保持部に保持された基板
の上方から光を照射する照明１２と、照明１２から照射
され、基板上の処理液で反射された光を検知する光検知
部１３とにより構成され、現像処理の際に基板上に付与
される処理液の状態の監視を行う。本実施形態では、光
検出部１３は、ＣＣＤカメラ１３ａ（図６）を用いて構
成されている。

【００３８】判定処理部２は、処理メモリ２１、処理プ
ロセッサ２２により構成されている。また、判定処理部
２は、信号線４１を介して光検出部１３と接続されてお
り、光検出部１３で検知された検知データを使用して、
処理液の付与状態の可否を所定の判定条件によって判定
する判定処理を行う。

【００３９】処理メモリ２１は、光検出部１３で検出さ
れた検知データ、判定処理結果データ、およびプログラ
ム等の格納に使用される。処理プロセッサ２２は、処理
メモリ２１に格納されているプログラムに従って動作
し、処理メモリ２１に格納された検知データに対して所
定の演算処理を実行することにより処理液状態の判定処
理を行い、その判定処理結果を処理メモリ２１に格納す
る。また、処理プロセッサ２２は、判定処理結果が不良
の場合には、信号線４２を介して制御部３に対して所定
の制御信号を送信する。

【００４０】制御部３は、プログラムや変数等を格納す
るワークエリアおよびＶＲＡＭとして機能するメモリ３
１と、メモリ３１に格納されているプログラムに従った
制御を実行するＣＰＵ３２とを備えて構成されており、
信号線４２〜４８を介して、処理ユニット２、現像処理
部１１、光検知部１３で検知された検知データ等を表示
する表示装置３５、外部記憶装置３６、警報装置３７、
および照明１２に接続されており、各部および各装置の
制御を所定のタイミングで行う。

【００４１】表示装置３５は、図７に示すように光検知
部１３で検知されてＮＴＳＣ方式等に準拠する２次元画
像信号として与えられる検知データに基づいて表示部３
５１にフルカラー画像をリアルタイムに表示することが
できる。また、処理メモリ２１に格納された検知データ
を静止画として表示部３５１に表示することも可能であ
る。

【００４２】外部記憶装置３６は、制御部３と信号線４
６を介して接続されており、制御部３との間で所定の制
御信号、およびデータの送受信を行うことにより、格納
されているデータの読み出し、およびデータ格納を行う
ことができる。

【００４３】警報装置３７は、基板処理装置１のオペレ
ータに対して、基板上の処理液の付与状態が不良である
ことを知らせるために使用される。判定処理部２から液
盛不良等の現像不良を通知する制御信号を制御部３が受
信した場合、制御部３は警報装置３７に警報信号を送信
し、警報装置３７から光や音等の警報を発する。

【００４４】(3) 現像処理ユニットの細部構成 図４は、現像処理ユニットＳＤ１の詳細な平面図、図５
は図４の現像処理ユニットＳＤ１の主要部のＶ−Ｖ線断
面図、図６は図４の現像処理ユニットＳＤ１の主要部の
VI−VI線断面図である。

【００４５】図５および図６に示すように、現像処理ユ
ニットＳＤ１は、基板Ｗを略水平姿勢で吸引保持する基
板保持部５１を備える。基板保持部５１は、モータ５２
の回転軸５３の先端部に固定され、鉛直方向の軸の周り
で回転可能に構成されている。基板保持部５１の周囲に
は、基板Ｗを取り囲むように円形の内側カップ５４が上
下動自在に設けられている。また、内側カップ５４の周
囲には、正方形の外側カップ５５が設けられている。

【００４６】図４に示すように、外側カップ５５の両側
にはそれぞれ待機ポット５６が配置され、外側カップ５
５の一方の側部側にはガイドレール５８が配設されてい
る。また、ノズルアーム５９がアーム駆動部６０により
ガイドレール５８に沿って走査方向Ａおよびその逆方向
に移動可能に設けられている。外側カップ５５の他方の
側部側には、純水を吐出する純水吐出ノズル６２が矢印
Ｒの方向に旋回可能に設けられている。

【００４７】ノズルアーム５９には、下端部にスリット
状吐出口６５を有する直線状の現像液吐出ノズル６１が
ガイドレール５８と垂直に略水平姿勢で取り付けられて
いる。これにより、現像液吐出ノズル６１は、図４に示
すように待機ポット５６の位置Ｐ０から基板Ｗ上を通過
して位置Ｐ３まで走査方向Ａに沿って直線状に平行移動
可能かつその走査方向Ａと逆方向にも直線状に平行移動
可能となっている。

【００４８】図６に示すように、現像液吐出ノズル６１
は矢印Ｑの方向に昇降可能に構成されている。ノズルア
ーム５９は、現像液吐出ノズル６１を矢印Ｑの方向に昇
降させるためのモータ等の駆動機構を内臓している。

【００４９】図５に示すように、現像液吐出ノズル６１
には、現像液供給系４０から供給される現像液がスリッ
ト状吐出口６５を介して基板Ｗ上に付与される。スリッ
ト状吐出口６５の吐出幅（長尺方向の幅）は処理対象と
なる基板Ｗの直径と同じか、またはそれよりも大きく設
定されている。

【００５０】図５に示すように、制御部３は、モータ５
２、アーム駆動部６０、現像液供給系４０と接続されて
おり、モータ５２の回転動作、アーム駆動部６０による
現像液吐出ノズル６１の略水平方向の走査、および現像
液吐出ノズル６１からの現像液の吐出を制御する。

【００５１】図６に示すように、照明１２およびＣＣＤ
カメラ１３ａはそれぞれ支持部６６、６７ａにより、現
像処理部１１の所定の場所であって、現像液吐出ノズル
６１や純水吐出ノズル６２のような移動部と干渉しない
場所に静止状態で配置されている。ＣＣＤカメラ１３ａ
は、基板Ｗの上方から基板Ｗ上に付与された現像液およ
び純水の監視を行う。

【００５２】(4) 現像処理シーケンス ここでは、図３に示す現像処理ユニットＳＤ１による現
像処理シーケンスについて説明する。図４に示すよう
に、待機時には、現像液吐出ノズル６１は、待機ポット
５６内の位置Ｐ０に待機している。現像処理時には、現
像液吐出ノズル６１が上昇した後、走査方向Ａに移動
し、外側カップ５５内の走査開始位置Ｐ１で下降する。

【００５３】その後、走査開始位置Ｐ１にて、現像液吐
出ノズル６１の走査開始に同期して、所定の流量で現像
液吐出ノズル６１による現像液の吐出を開始する。現像
液吐出ノズル６１による現像液の吐出開始に同期して、
現像液吐出ノズル６１が、走査開始位置Ｐ１から走査方
向Ａに所定の走査速度で走査を開始する。

【００５４】また、制御部３は信号線４２を介して判定
処理部２へ液盛開始信号を送信する。液盛開始信号を受
信した判定ユニット２では、後述する液盛時の現像液状
態判定処理を実行し、基板Ｗ上へ供給される現像液状態
の監視を開始する。

【００５５】現像液吐出ノズル６１は、現像液を吐出し
ながら基板保持部５１により静止状態で保持されている
基板Ｗ上を走査方向Ａに直線状に移動する。これによ
り、基板Ｗの略全面に現像液が連続的に供給され、現像
液層（一般には処理液層）によって基板Ｗの略全面が覆
われる。供給された現像液は、表面張力により基板Ｗ上
に保持される。

【００５６】現像液吐出ノズル６１が基板Ｗ上を通過し
た後、基板Ｗ上から外れた吐出停止位置Ｐ２で現像液吐
出ノズル６１による現像液の吐出を停止させる。その
後、現像液吐出ノズル６１の走査を停止させる。

【００５７】現像吐出ノズル６１が位置Ｐ２に到達する
前に判定処理部２から制御部３へ後述するＮＧ信号が送
信されていない場合は、制御部３から判定処理部２へ液
盛終了信号を送信し、後述する液盛時の現像液状態判定
処理を終了する。

【００５８】基板Ｗ上に現像液が液盛された状態を一定
時間維持し、基板Ｗ上のフォトレジスト膜等の感光性膜
の現像を進行させる。この現像を進行させる処理と同時
に、現像液吐出ノズル６１を、走査停止位置Ｐ２で上昇
させた後、走査方向Ａと逆方向に待機ポット５６の位置
Ｐ０まで移動させ、待機ポット５６内に下降させる。

【００５９】走査停止位置Ｐ２から待機ポット５６の位
置Ｐ０への移動と同期して、制御部３から判定処理部２
へノズル移動開始信号を送信する。ノズル移動開始信号
を受信した判定処理部２では、後述する現像液吐出ノズ
ル移動時の現像液落下判定処理を実行し、基板Ｗ上の現
像液状態の監視を開始する。

【００６０】そして、現像液吐出ノズル６１を走査方向
Ａと逆方向に移動開始後で、かつ、現像吐出ノズル６１
が位置Ｐ１に到達する前に判定処理部２から制御部３へ
ＮＧ信号が送信されていない場合は、制御部３から判定
処理部２へノズル移動終了信号を送信し、後述する現像
液吐出ノズル移動時の現像液落下判定処理を終了する。

【００６１】現像液吐出ノズル６１を待機ポット５６の
位置Ｐ０から位置Ｐ１の範囲へ移動させた後、純水吐出
ノズル６２を静止状態で保持されている基板Ｗ上に移動
させる。

【００６２】純水吐出ノズル６２の基板Ｗ上の移動と同
期して、制御部３から判定処理部２へ、ノズル移動開始
信号を送信し、判定処理部２において、後述する純水吐
出ノズル移動時の純水落下判定処理を実行し、基板Ｗ上
の処理液状態の監視を開始する。

【００６３】そして、純粋吐出ノズル６２を基板Ｗ上の
所定位置へ移動させる前に、判定処理部２から制御部３
へＮＧ信号が送信されていない場合は、制御部３から判
定処理部２へノズル移動終了信号を送信し、後述する純
水吐出ノズル移動時の純水落下判定処理を終了する。

【００６４】続いて、純水吐出ノズル６２から純水（一
般には洗浄液）を基板Ｗ上に供給しながら基板Ｗを高速
回転させて基板Ｗ上の現像液を振り切り、基板Ｗを乾燥
させて現像処理を終了する。

【００６５】その後、図１に示す搬送ロボットＴＲが基
板保持部５１に保持されている基板Ｗを未処理の他の基
板と交換する。

【００６６】(5) 処理液の監視 a) 液盛時の現像液状態判定処理シーケンス ここでは、図８を用いて判定処理部２によって行われる
現像液の液盛状態を監視するシーケンスについて説明す
る。まず、判定ユニット２では、制御部３から液盛開始
信号が送信されたかどうかのチェックを行う（Ｓ１０
１）。

【００６７】制御部３からの液盛開始信号を受信した場
合は、ＣＣＤカメラ１３ａにより撮影された基板Ｗの表
面全体の画像データを処理メモリ２１に格納する（Ｓ１
０２）。処理メモリ２１に格納される画像データは、Ｃ
ＣＤカメラ１３ａまたは、処理プロセッサ２２により標
本化および量子化されたデジタルデータである。

【００６８】図９は、現像液を液盛中の基板ＷをＣＣＤ
カメラ１３ａにより撮影し、処理メモリ２１に格納した
画像データを表示装置３５の表示部３５１にリアルタイ
ムで表示した状況を模式的に例示する図である。ステッ
プＳ１０２において、基板Ｗ上に現像液供給不良領域が
存在しない場合は、図９(a)に示す画像データが、ま
た、基板Ｗ上に現像液供給不良領域が存在する場合は、
図９(b)に示す画像データが処理メモリ２１に格納され
る。

【００６９】図９に示すように、処理メモリ２１に格納
されている画像データは、ノズルアーム５９と、現像液
吐出ノズル６１と、現像液吐出ノズル６１により現像液
が供給された現像液供給領域７１と、現像液吐出ノズル
６１が到達していないため、現像液が基板Ｗ上に吐出さ
れていない現像液未吐出領域７２と、現像液供給不良領
域７４と、ＣＣＤカメラ１３ａに装着された図示しない
レンズの焦点距離内に照明１２から照射された光を反射
する物体が存在しない撮影対象外領域７３とのそれぞれ
の画像領域に区分することができる。

【００７０】現像液供給不良領域７４は、現像液吐出ノ
ズル６１から吐出された現像液が基板Ｗ上に塗布された
レジスト膜等の感光性膜上に液盛されていない領域のこ
とをいう。図示しない現像液供給源から供給される現像
液の流量が不足している場合や、後述するように現像液
の吐出時間が不足している場合に、基板Ｗ上に供給され
る現像液量が不足して発生する。すなわち、基板Ｗ上へ
の現像液の吐出レートに時間的ないしは空間的な変動が
あると、基板Ｗの表面上において現像液の供給量が少な
い領域が生じる。そして、通常の現像液は水溶性である
一方、半導体基板は疎水性であるために、そのような領
域では、撥水作用によって現像液が周囲の領域に逃げ、
現像液供給不良領域７４が生じる。

【００７１】また、現像液吐出ノズル６１は走査方向Ａ
に移動しながら基板Ｗ上に吐出しているため、現像液供
給不良領域７４は、現像液吐出ノズル６１の走査方向Ａ
に対して後ろ側に形成される。

【００７２】図１０は、現像液が液盛された基板Ｗの断
面図を示したものである。基板Ｗは下から、複数の配線
層が構築されたシリコン８１ｄ、反射防止膜８１ｃ、フ
ォトレジスト膜等の感光性膜８１ｂ、現像液層８１ａの
順に積層されている。さらに、図１０(b)には、現像液
層８１ａ中に現像液供給不良領域７４が存在する。

【００７３】現像液層８１ａは、ほぼ無色透明であり、
またその表面での光の反射率が反射防止膜８１ｃなどと
比較して高いため、画像データに含まれる現像液層８１
ａ部分の明度値は高くなる。この部分が、図９の現像液
供給領域７１に該当する。

【００７４】一方、凹部８１ｅでは、照明１２から照射
された光は感光性膜８１ｂを透過し、感光性膜８１ｂの
下にある反射防止膜８１ｃで吸収される。その結果、現
像液供給不良領域７４部分の画像データは現像液層８１
ａと比較して明度値が低くなる。この部分が、図９の現
像液供給不良領域７４に該当する。

【００７５】続いて、処理メモリ２１に格納した画像デ
ータを用いて、現像液供給不良領域の抽出を行う（Ｓ１
０３）。

【００７６】図１１(a)は、現像液供給不良領域７４が
存在する場合の画像データを表示部３５１に表示したも
のである。図１１(a)に示すｉｊ軸は、画像データ上の
２次元直交座標軸を表すものである。また、図１１(b)
は横軸に表示部３５１上での位置ｉを、縦軸に位置
（ｉ，ｊ０）における明度値をプロットしたものであ
る。

【００７７】図１１(b)に示すように、撮影対象外領域
７３は、光を反射する物体が存在しないため、現像液供
給領域７１と比較して低い明度値となる（ｉ０≦ｉ≦ｉ
１、ｉ５≦ｉ≦ｉ６）。

【００７８】現像液供給不良領域７４は、前述したよう
に、照明１２からの光が感光性膜８１ｂの下にある反射
防止膜８１ｃで吸収されるため、現像液供給領域７１と
比較して低い明度値となる（ｉ２≦ｉ≦ｉ３）。

【００７９】ノズルアーム５９および現像液吐出ノズル
６１は、現像液供給領域７１とほぼ同様な反射率となる
ため、ほぼ同等な明度値となる（ｉ３≦ｉ≦ｉ４）。

【００８０】現像液未吐出領域７２は、図１２に示すよ
うに基板Ｗは下から、複数の配線層が構築されたシリコ
ン８１ｄ、反射防止膜８１ｃ、フォトレジスト膜等の感
光性膜８１ｂの順に積層されている。そのため、現像液
供給不良領域７４の場合と同様に、照明１２からの光が
感光性膜８１ｂの下にある反射防止膜８１ｃで吸収さ
れ、現像液供給領域７１と比較して低い明度値となる
（ｉ４≦ｉ≦ｉ５）。

【００８１】このように、図１１(a)に示す現像液供給
不良領域を含む画像データは、例えば明度値Ｌ＝Ｌ０を
閾値として２値化処理を行うことにより、現像液供給不
良領域を含む画像データから、現像液未吐出領域７２、
現像液供給不良領域７４および撮影対象外領域７３を抽
出することが可能である。

【００８２】図１３は、図１１(b)に示す画像データを
閾値Ｌ０により２値化した処理結果画像を表示部３５１
に表示させた例を示す図である。図１３に示す斜線部は
明度値が閾値Ｌ０より大きくなる画素（以下、「白画
素」とも呼ぶ）群であり、また、それ以外の画素は明度
値が閾値Ｌ０以下となる画素（以下「黒画素」とも呼
ぶ）群として表示されている。図１３に示すように、現
像液供給領域７１、ノズルアーム５９および現像液吐出
ノズル６１部分の画像データは、閾値Ｌ０より大きいた
め白画素群として、また、現像液供給不良領域７４、現
像液未吐出領域７２および撮影対象外領域７３は閾値Ｌ
０以下となるため黒画素群として表示される。また、図
１３に示されるように、現像液供給不良領域７４は、現
像液供給領域７１、ノズルアーム５９および現像液吐出
ノズル６１から構成される白画素群に囲まれた黒画素群
として存在する。

【００８３】したがって、図１３に示される２値画像の
白画素群に囲まれた黒画素群を抽出することにより、現
像液供給不良領域７４を抽出することができる。

【００８４】続いて、現像液供給不良領域７４の面積を
求める（Ｓ１０４）。ここでいう面積とは、現像液供給
不良領域７４として検出された領域に含まれる黒画素の
総数である。その黒画素の総数（面積）が所定値より大
きい場合は、現像液供給不良領域７４が発生していると
判断し、表１に示す判定結果を処理メモリ２１に格納す
る（Ｓ１０６）。

【００８５】

【表１】

【００８６】表１は判定処理部２により「現像不良発
生」と判断されたときの判定結果項目を示す表である。
現像液供給不良領域７４が発生していると判断した場合
は、項目「判定」に「ＮＧ」を格納する。また、項目
「領域重心ｉ座標」および「領域重心ｊ座標」には、図
１１に示すｉｊ座標系における現像液供給不良領域７４
の重心座標を格納する。また、項目「領域面積」には、
現像液供給不良領域７４に含まれる画素数を格納する。

【００８７】なお、項目「領域重心ｉ座標」、「領域重
心ｊ座標」および「領域面積」は、ｉｊ座標系における
値をそれぞれ格納しているが、ｉｊ座標系からＸＹ座標
系に変換するテーブルを予め作成しておき、そのテーブ
ルに基づいて変換されたＸＹ座標から求められた、領域
重心座標Ｘ、領域重心Ｙ座標、および、領域面積を判定
結果として格納しても良い。

【００８８】続いて、このような現像液供給不良領域７
４の存在を示すＮＧ信号を制御部３へ送信し（Ｓ１０
８）、判定処理を終了する。

【００８９】一方、現像液供給不良領域７４の面積が所
定値以下の場合は、実質的な現像液供給不良領域が発生
していないと判断して判定処理を続行する。なお、現像
液供給不良領域７４の面積の閾値は実験等により予め求
めておくものとする。

【００９０】続いて、制御部３から液盛終了信号が送信
されているかどうかのチェックを行う（Ｓ１０５）。制
御部３から液盛終了信号が送信されていない場合には、
ステップＳ１０２に戻る。また、制御部３から液盛終了
信号が送信されている場合には、現像液を液盛している
際に現像液供給不良領域７４が発生していなかったと判
断し、表２に示す判定結果を処理メモリ２１に格納する
（Ｓ１０７）。

【００９１】そして、現像液供給不良領域７４が発生し
ている場合には、この基板Ｗについての以後の処理を中
止する。そのような基板Ｗについては、この現像処理ユ
ニットＳＤ１から搬送ロボットＴＲが取り出し、所定の
退避場所に搬送する。この事後処理については、後述す
る原因による現像不良が発生した場合も同様である。

【００９２】

【表２】

【００９３】表２は判定処理部２により「現像不良な
し」と判断されたときの判定結果項目を示す表である。
項目「判定」に「現像不良なし」を示す「ＯＫ」を格納
する。また、項目「領域重心ｉ座標」、「領域重心ｊ座
標」、および「領域面積」には、ゼロ値を格納する。

【００９４】続いてＯＫ信号を制御部３へ送信し（Ｓ１
０９）、判定処理を終了する。

【００９５】b) 現像液吐出ノズル移動時の現像液落下
判定シーケンス 一方、現像液の液盛処理終了後、現像液吐出ノズル６１
を図４に示す位置Ｐ３から待機ポット５６の位置Ｐ０へ
移動させる際、現像液吐出ノズル６１から基板Ｗ上に現
像液が落下する場合がある。ここでは、図１４に示す処
理液ノズル移動時の処理液落下判定処理シーケンスを用
いて、判定処理部２において行われる現像液の落下状態
を監視するシーケンスについて説明する。

【００９６】まず、判定ユニット２では、制御部３から
ノズル移動開始信号が送信されるかどうかのチェックを
行う（Ｓ２０１）。

【００９７】制御部３からのノズル移動開始信号を受信
した場合は、ＣＣＤカメラ１３ａにより撮影された基板
Ｗ全体の画像データを処理メモリ２１に格納する（Ｓ２
０２）。

【００９８】図１５は、ＣＣＤカメラ１３ａによって動
画像として得られて処理メモリ２１に格納される画像デ
ータのうち、現像液吐出ノズル６１から落下した現像液
が基板Ｗ上に液盛された現像液に落下した瞬間に相当す
るフレームを表示装置３５の表示部３５１に表示した例
を示す図である。ステップＳ２０２において、基板Ｗ上
に現像液落下領域が存在しない場合は、図１５(a)に示
す画像データが、また、基板Ｗ上に現像液落下領域が存
在する場合は、図１５(b)に示す画像データが処理メモ
リ２１に格納されている。

【００９９】図１５に示すように、処理メモリ２１に格
納されている画像データは、ノズルアーム５９と、現像
液吐出ノズル６１と、現像液吐出ノズル６１により現像
液が既に液盛されている現像液供給領域７１と、現像液
が現像液吐出ノズル６１から落下した現像液落下領域７
５と、ＣＣＤカメラ１３ａに装着された図示しないレン
ズの焦点距離内に照明１２から照射された光を反射する
物体が存在しない撮影対象外領域７３とのそれぞれの画
像領域に区分することができる。

【０１００】現像液落下領域７５は、現像液吐出ノズル
６１から落下した現像液が基板Ｗ上に液盛された現像液
に衝突し、その衝突エネルギーにより衝突部分の現像液
が飛び散ることにより、その部分の現像液が一時的に消
失し、その後、現像液の流動性によりその衝突部分の現
像液量が周辺領域から補充される領域のことで、現像液
吐出ノズル６１が方向Ｂに移動しているため、現像液吐
出ノズル６１の方向Ｂに対して後ろ側に形成される。し
たがって、現像液落下領域７５は、一時的に現像液供給
不良領域７４と同様な状態とになる。つまり、現像液吐
出ノズル６１から落下した現像液が基板Ｗ上に液盛され
た現像液に衝突した直後は、感光性膜８１ｂが表面に現
れ、照明１２から照射された光は感光性膜８１ｂを透過
し、感光性膜８１ｂの下にある反射防止膜８１ｃで吸収
される。その結果、現像液落下領域７５部分の画像デー
タは現像液層８１ａと比較して明度値が低くなる（図１
０(b)）。

【０１０１】そこで、処理メモリ２１に格納した画像デ
ータを用いて、現像液落下給領域７５の抽出を行う（Ｓ
２０３）。

【０１０２】図１６は、図１５(b)に示す画像データを
閾値Ｌ０により２値化した処理結果画像を表示部３５１
に表示させた例を示す図である。図１６の斜線部分は、
２値化処理後の白画素群を、また、それ以外の部分は黒
画素群を示す。

【０１０３】続いて、現像液供給不良領域７４の場合と
同様のアルゴリズムを用いて現像液落下給領域７５の面
積を求め（Ｓ２０４）、その面積が所定値より大きい場
合は、現像液落下領域７５が発生していると判断し、表
１に示す判定結果を処理メモリ２１に格納し（Ｓ２０
６）、続いてＮＧ信号を制御部３へ送信し（Ｓ２０
８）、判定処理を終了する。

【０１０４】一方、黒画素領域の面積が所定値以下の場
合は、現像液落下領域７５が発生していないと判断して
判定処理を続行する。なお、この閾値は実験等により予
め求めておくものとする。

【０１０５】続いて、制御部３からノズル移動終了信号
が送信されているかどうかのチェックを行う（Ｓ２０
５）。制御部３からノズル移動終了信号が送信されてい
ない場合には、ステップＳ２０２に戻る。また、制御部
３からノズル移動終了信号が送信されている場合には、
現像液を液盛している際に現像液落下領域７５が発生し
ていなかったと判断し、表２に示す判定結果を処理メモ
リ２１に格納し（Ｓ２０７）、続いてＯＫ信号を制御部
３へ送信し（Ｓ２０９）、判定処理を終了する。

【０１０６】c) 純水吐出ノズル移動時の純水落下判定
処理シーケンス さらに、現像液吐出ノズル６１を図４に示す位置Ｐ３か
ら待機ポット５６の位置Ｐ０へ移動させた後、純水吐出
ノズル６２を基板Ｗ上へ移動させる際、純水が基板Ｗ上
へ落下する場合がある。ここでも、図１４に示す処理液
ノズル移動時の処理液落下判定処理シーケンスを用い
て、判定処理部２において行われる純水の落下状態を監
視する。なお、本判定処理シーケンスはは、b)現像液吐
出ノズル移動時の現像液落下判定処理シーケンスと処理
メモリ２１に格納される画像データ以外は同様の処理と
なるため、ここでは、この本処理シーケンスで使用する
画像データと、画像データを使用して後述する純水落下
領域７６を抽出する処理について説明する。

【０１０７】図１７は、ＣＣＤカメラ１３ａによって動
画像として得られて処理メモリ２１に格納される画像デ
ータのうち純水吐出ノズル６２から落下した純水が基板
Ｗ上に液盛された現像液に落下した瞬間に相当するフレ
ームを表示装置３５の表示部３５１に表示した例を示す
図である。

【０１０８】図１７に示すように、処理メモリ２１に格
納されている画像データは、純水吐出ノズル６２と、現
像液吐出ノズル６１により現像液が既に液盛されている
現像液供給領域７１と、純水が純水吐出ノズル６２から
落下した純水落下領域７６と、ＣＣＤカメラ１３ａに装
着された図示しないレンズの焦点距離内に照明１２から
照射された光を反射する物体が存在しない撮影対象外領
域７３とのそれぞれの画像領域に区分することができ
る。

【０１０９】純水落下領域７６は、純水吐出ノズル６２
から落下した純水が基板Ｗ上に液盛された現像液に衝突
し、その衝突エネルギーにより衝突部分の現像液が飛び
散ることにより、その部分の現像液が一時的に消失し、
その後、現像液の流動性によりその衝突部分の現像液量
が周辺領域から補充される領域のことである。したがっ
て、純水落下領域７６は、一時的に現像液供給不良領域
７４と同様な状態とになる。つまり、純水吐出ノズル６
２から落下した純水が基板Ｗ上に液盛された現像液に衝
突した直後は、感光性膜８１ｂが表面に現れ、照明１２
から照射された光は感光性膜８１ｂを透過し、感光性膜
８１ｂの下にある反射防止膜８１ｃで吸収される。その
結果、純水落下領域７６部分の画像データは現像液層８
１ａと比較して明度値が低くなる（図１０(b)）。

【０１１０】また、純水吐出ノズル６２は、現像液吐出
ノズル６１とほぼ同様な反射率をもつ材料により構成さ
れているため、ＣＣＤカメラ１３ａにより撮影された純
水吐出ノズル６２部分の明度値は、現像液吐出ノズル６
１とほぼ同様な明度値となる。

【０１１１】図１８は、図１７(b)に示す画像データを
閾値Ｌ０により２値化した処理結果画像を表示部３５１
に表示させた例を示す図である。図１８中の斜線部分
は、２値化処理後の白画素群を、また、それ以外の部分
は黒画素群を示す。

【０１１２】純水落下領域７６は、一時的に現像液供給
不良領域７４と同様な明度値を持つため、ステップＳ１
０３で使用した閾値Ｌ０により２値化処理を行うと、純
水落下領域７６および撮影対象外領域７３を黒画素群と
して、また、現像液吐出ノズル６１と純水吐出ノズル６
２とはほぼ同様な明度値を持つためを白画素群として識
別される。

【０１１３】また、図１８に示されるように、純水落下
給領域７６は、現像液供給領域７１、純水吐出ノズル６
１から構成される白画素群に囲まれた黒画素群として存
在する。そのため、白画素群に囲まれた黒画素群（黒画
素が連続する範囲）を抽出して、その画素数（面積）を
所定の閾値と比較することにより、実質的な純水落下領
域７６を抽出することができる。

【０１１４】(6) 警報処理 基板処理装置１は、警報装置３７を備えており、判定処
理部２から制御部３に送信されるＮＧ信号に基づいて、
所定の音や光等を発することにより、オペレータに対し
て現像不良を生じさせる異常状態となったことを知らせ
ることができる。ここでは、図１９を用いて制御部３で
行われる警報処理シーケンスについて説明する。

【０１１５】まず、判定ユニット２から制御部３に、判
定処理がＮＧとなったときに送信されるＮＧ信号が送信
されるかどうかのチェックを行う（Ｓ３０１）。ＮＧ信
号を受信した場合は、基板処理を中止し（Ｓ３０２）、
警報装置３７から警報音や光（例えば、「現像不良発
生」の旨の文字の点滅表示）を発して、オペレータに対
して基板処理装置１で異常が発生したことを知らせる。

【０１１６】オペレータはこの警報が出ることにより、
その基板が現像不良基板として以後の処理プロセスから
除外されることを知得し、それに対して必要な対策をと
ることができる。

【０１１７】(7) 処理液状態のデータ化 基板処理装置１は、外部記憶装置３６を備えており、上
記のような各種の現像不良発生領域７４〜７６に関して
判定処理部２の処理メモリ２１に格納されている判定結
果を外部記憶装置３６に保存することが可能である。こ
こでは、図２０を用いて、制御部３で行われる処理液状
態のデータ化シーケンスについて説明する。

【０１１８】まず、判定ユニット２から制御部３に、判
定処理がＮＧとなったときに送信されるＮＧ信号が送信
されたかどうかのチェックを行う（Ｓ４０１）。ＮＧ信
号を受信した場合は、その基板Ｗについての以後の基板
処理を中止する（Ｓ４０２）。

【０１１９】次に、制御部３から判定処理部２に対し
て、判定結果要求信号を送信する。判定結果要求信号を
受信した判定処理部２は、処理メモリ２１に格納されて
いる表１に示す判定結果を制御部３に対して送信する。

【０１２０】続いて、判定処理部２からの判定結果を受
信した制御部３は、その判定結果を外部記憶装置３６に
格納する。オペレータまたはこの基板処理装置のメーカ
では、このデータを参照あるいは解析することにより、
現像不良となるような上記の各現象が生じた原因を特定
し、装置の改善に利用可能である。

【０１２１】(8) 実施形態の基板処理装置の利点 以上の実施形態において、基板処理装置１は、基板保持
部４に静止状態で保持された基板Ｗに対して、現像液吐
出ノズル６１を用いて現像液を液盛している間、液盛状
態をＣＣＤカメラ１３ａを用いて監視を行うことによ
り、処理不良の原因となる現像液供給不良領域の発生を
検出することができるため、処理不良となる基板が後工
程に流出することを防止することができる。

【０１２２】また、ＣＣＤカメラ１３ａを用いて監視を
行うことにより、現像液吐出ノズル６１を待機ポット５
６に移動させる場合、および、純水吐出ノズル６２を基
板Ｗ上の所定の位置へ移動させる場合において、現像液
吐出ノズル６１および純水吐出ノズル６２から、基板Ｗ
上の液盛された現像液に処理液が落下した現像液落下領
域７５および純水落下領域７６の発生を検出することが
できるため、同様に、処理不良となる基板が後工程に流
出することを防ぐことができる。

【０１２３】さらに、判定処理部２において、ＣＣＤカ
メラ１３ａにより撮影された画像データを使用して、現
像液供給不良領域７４、現像液落下領域７５、および純
水落下領域７６のような、処理不良の原因となる現象が
基板Ｗ上に液盛された現像液上で発生しているか否かの
判定を自動的に行うことができるため、処理不良の原因
となる現象が発生した場合に、警報装置３７によりオペ
レータに対して異常状態が発生したこと知らせたり、表
１に示す判定結果を外部記憶装置３６に格納する等の処
理をオペレータを介さずに自動的に行うことができる。

【０１２４】また、判定処理部２では、ＣＣＤカメラ１
３ａにより撮影され、処理メモリ２１に格納されたた画
像データを所定の閾値により２値化処理し、現像不良発
生領域７４〜７６を抽出し、その領域の面積に基づいて
現像不良発生領域７４〜７６が処理不良に影響を及ぼす
か否かの判定をすることにより、計算コストの少ない比
較演算および加算演算のみにより処理液層の状態判定を
することができるため、高速に処理液層の判定処理を実
行することができる。

【０１２５】また、警報装置３７を用いて、現像処理中
に処理不良の原因となる現象が発生していることを基板
処理装置１のオペレータに対して報知することにより、
処理不良の原因を特定することが容易となる、原因追及
のための時間を短縮することができる。

【０１２６】また、現像液供給不良領域７４、現像液落
下領域７５、純水落下領域７６が発生した際の、判定ユ
ニット２による判定結果を外部記憶装置３６に格納する
ことができるため、処理液のような流動性を有する液体
のように時間経過とともに形状が変化するものであって
も、保存された原因発生時のデータにより要因解析する
ことが容易になる。

【０１２７】また、ＣＣＤカメラ１３ａおよび照明１２
は、基板Ｗの上方であって、現像液吐出ノズル６１や純
水吐出ノズル６２のような移動部と干渉しない位置に配
置することができるため、既存の基板処理装置に対して
容易に現像不良発生領域７４〜７６の判定処理を行うの
に必要となるＣＣＤカメラ１３ａおよび照明１２を追加
することができる。

【０１２８】＜２．第２実施形態＞次に、第２実施形態
について説明する。この第２実施形態に係る基板処理装
置は、第１実施形態と比較して、後述するように光検出
部１３が相違すること、判定処理部２による判定処理シ
ーケンスが異なること、および、現像液供給不良領域７
４についての判定処理のみを行うことを除いては、第１
実施形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を
中心に説明する。

【０１２９】(1) 細部構成 図２１は、第２実施形態に係る現像処理ユニットＳＤ１
の主要部の正面図を、また図２２は第２実施形態に係る
現像処理ユニットＳＤ１の主要部の上面図を示したもの
である。本実施形態では、図２１および図２２に示す現
像処理ユニットにより、現像処理の際に基板上に付与さ
れる現像液の液盛状態を監視する。

【０１３０】ラインセンサ１３ｂは、走査方向Ａと略垂
直に略水平方向に１次元に配列されたＣＣＤセル９１群
（図２３）であり、図４に示す光検知部１３に該当す
る。ラインセンサ１３ｂは、支持部６７ｂを介してノズ
ルアーム５９に連結されて固定されており、現像液吐出
ノズル６１とともに、アーム駆動部６０によりガイドレ
ール５８に沿って走査方向Ａおよびその逆方向に移動可
能に設けられている。

【０１３１】また、ラインセンサ１３ｂは、現像液吐出
ノズル６１のスリット状吐出口６５付近に設置されてお
り、スリット状吐出口６５吐出されたアルカリ性溶液で
ある現像液が基板Ｗ上で跳ね上がり、ラインセンサ１３
ｂの受光部に飛び散ることも考えられるため、耐アルカ
リ性を有する材料（例えば、透明樹脂）により密閉され
ている。

【０１３２】図２４は、ラインセンサ１３ｂにより検知
される基板Ｗ状のセンサ検知範囲６８ｂを示したもので
ある。前述したように現像液供給不良領域７４は、現像
液吐出ノズル６１の走査方向Ａに対して後ろ側に形成さ
れる。このため、ラインセンサ検知範囲６８ｂは、図２
４に示すように、基板Ｗ上において、現像液吐出ノズル
６１から吐出された現像液が基板Ｗ上に到達する線状領
域６９を挟んで走査方向Ａと逆側に帯状に設定され、こ
の範囲６８ｂが視野に合致するように支持部６７ｂへの
ラインセンサ１３ｂの取り付け角度が調整されて斜め方
向に傾いている。

【０１３３】(2) 液盛時の現像液状態判定シーケンス ここでは、図２５および図２６を用いて、第２実施形態
における判定処理部２による、現像液吐出ノズル６１か
ら基板Ｗ上へ供給される現像液の液盛状態を監視するシ
ーケンスについて説明する。

【０１３４】まず、判定処理部２では、制御部３から液
盛開始信号が送信されるかどうかのチェックを行う（Ｓ
５０１）。

【０１３５】制御部３からの液盛開始信号を受信した場
合は、ラインセンサ１３ｂにより検知された基板Ｗのラ
インデータ（１画素幅でかつ基板Ｗの直径以上の長さを
持つ１次元的な画素配列データ）を処理メモリ２１に上
書格納する（Ｓ５０２）。上書格納とは、それまでにラ
インデータが処理メモリ２１に格納されている場合に
は、その内容を消去した後、新たなラインデータを処理
メモリ２１に格納することをいう。

【０１３６】処理メモリ２１に格納されるラインデータ
は、ラインセンサ１３ｂまたは処理プロセッサ２２によ
り標本化および量子化されたデジタルデータである。

【０１３７】次に、処理メモリ２１に格納されたライン
データから現像液供給不良領域７４を抽出する（Ｓ５０
３）。

【０１３８】図２７(a)は現像液吐出ノズル６１を走査
方向Ａに移動させながら現像液を吐出する際に、現像液
供給不良領域７４が発生した場合の基板Ｗ上の液盛状態
を模式的に示した図である。図２７(a)に示すように、
ラインセンサ検知範囲６８ｂには、現像液供給領域７１
および現像液供給不良領域７４が含まれた状態になって
いる。これらの光反射特性は第１実施形態において説明
した通りである。

【０１３９】図２７(b)は、図２７(a)に示す検知範囲６
８ｂのラインデータであって、ステップ５０２において
処理メモリ２１に格納したものを模式的に示したもので
ある。

【０１４０】記憶領域９２（９２ａ、９２ｂ）は、処理
メモリ２１上に確保された領域で、ＣＣＤセル９１に蓄
えられた電荷を量子化したときのビット数に応じた記憶
容量を持ち、各ＣＣＤセル９１に入射した光に応じた明
度値が格納されている。

【０１４１】図２７(b)に示すように、記憶領域９２ａ
には、現像液供給領域７１で反射した光８１に応じた明
度値が、また記憶領域９２ｂには、現像液供給領域７１
と比較して反射率の低い現像液供給不良領域７４で反射
した光８４に応じた明度値が格納されている。したがっ
て、所定の明度値を閾値として２値化処理を行うことに
より、ラインデータから現像液供給不良領域７４を抽出
することが可能となる。

【０１４２】図２８は、処理メモリ２１に格納されたラ
インデータを所定の閾値Ｌ０により２値化したものを模
式的に示したものである。図２８の斜線部は、明度値が
閾値Ｌ０より大きくなる白画素群を、またそれ以外の部
分は明度値が閾値以下となる黒画素群を示すものであ
る。図２８に示すように、現像液供給不良領域７４は黒
画素群として抽出することができる。

【０１４３】続いて、現像液供給不良領域７４の幅値Ｄ
をチェックする（Ｓ５０４）。ここでいう現像液供給不
良領域７４の幅値Ｄとは、１ラインデータから抽出した
現像液供給不良領域７４に含まれる黒画素群の総数であ
る（図２８）。幅値Ｄが所定値より小さい場合は、量子
化時のノイズ等の影響により、本来現像液供給不良領域
７４でない領域が現像液供給不良領域７４と誤認識され
た、つまり、現像液供給不良領域７４は発生していない
と判断してステップＳ５０２に戻る。この幅値Ｄの閾値
は実験等により予め求められたものを使用するものとす
る。

【０１４４】一方、幅値Ｄが所定値より大きく現像液供
給不良領域が発生していると判断した場合は、処理メモ
リ２１にラインセンサ１３ｂからのラインデータを追加
格納し（Ｓ５０５）、新たに格納されたラインデータか
ら現像液供給不良領域７４の抽出を行う（Ｓ５０６）。
ここでいう追加格納とは、処理メモリ２１に格納されて
いるラインデータを保持したまま、新たなラインデータ
を処理メモリ２１に追加して格納することをいう。図２
９は、追加格納されたラインデータ群を模式的に示した
ものである。図２９に示すように、追加格納されたライ
ンデータ群は、処理メモリ２１上では２次元構造を持つ
画像データと同様に扱うことができる。

【０１４５】次に、新たに格納された現像液供給不良領
域７４の幅値Ｄのチェックを行う（Ｓ５０７）。

【０１４６】ステップＳ５０７において現像液供給不良
領域７４の幅値Ｄが所定値以下となるのは、現像液吐出
ノズル６１で発生していた吐出不良等の原因が現像液吐
出中に解消した場合が考えられる。この場合、現像液供
給不良領域７４の面積値Ｓのチェックを行う（Ｓ５１
４）。ここでいう現像液供給不良領域７４の面積値Ｓと
は、処理メモリ２１に格納されている２次元構造を持つ
ラインデータ群に含まれる現像液供給不良領域７４に含
まれる黒画素の総数である（図２９）。ステップＳ５１
４で現像液供給不良領域７４の面積値Ｓが所定程度以下
となると判断した場合には、現像液供給不良領域７４は
発生しているが基板処理に影響を及ぼさない程度である
と判断する。そして、制御部３からの液盛終了信号を受
信していない場合にはステップＳ５０２に戻る（Ｓ５１
５）。面積値Ｓの閾値も幅値Ｄの場合と同様に実験等に
より予め求められたものを使用する。

【０１４７】また、ステップＳ５１４で現像液供給不良
領域７４の面積値Ｓが所定程度より大きいと判断された
場合は、現像液供給不良領域７４が基板処理に影響をお
よぼすものと判断し、表１に示す判定結果を処理メモリ
２１に格納し（Ｓ５１０）、制御部３に対してＮＧ信号
を送信して（Ｓ５１１）、判定処理を終了する。

【０１４８】一方、ステップＳ５０７における現像液供
給不良領域７４の幅値Ｄが所定値より大きくなる場合
は、さらに現像液供給不良領域７４の面積値Ｓのチェッ
クを行う（Ｓ５０８）。ステップＳ５０８において面積
値Ｓが所定程度以下と判断された場合で、かつ、制御部
３から液盛終了信号を受信していない場合にはステップ
Ｓ５０５に戻る（Ｓ５０９）。

【０１４９】また、ステップＳ５０８において面積値Ｓ
が所定程度より大きいと判断した場合には、現像液供給
不良領域７４が基板処理に影響をおよぼすものと判断
し、表１に示す判定結果を処理メモリ２１に格納し（Ｓ
５１０）、制御部３に対してＮＧ信号を送信して（Ｓ５
１１）、判定処理を終了する。

【０１５０】なお、ステップＳ５０９、Ｓ５１５におい
て、制御部３から液盛終了信号を受信した場合には、表
２に示す判定結果を処理メモリ２１に格納し（Ｓ５１
２）、制御部３にＯＫ信号を送信し（Ｓ５１３）、判定
処理を終了する。

【０１５１】(3) 第２実施形態の基板処理置の利点 以上のように第２実施形態の基板処理装置１は、基板保
持部４に静止状態で保持された基板Ｗに対して、現像液
吐出ノズル６１を用いて現像液を液盛している間におい
ても、ラインセンサ１３ｂがノズルアーム５９に支持部
６７ｂを介して固定された状態で、現像液吐出ノズル６
１とともに移動できる。このため、処理不良の原因とな
る現象が発生するセンサ検知範囲６８ｂのみについて撮
像と画像処理とを行っていることとなり、監視処理のリ
アルタイム性が高まる。

【０１５２】また、ラインセンサ１３ｂは耐アルカリ性
を有する材料（例えば、透明樹脂）により密閉されてい
ることにより、アルカリ性を有する現像液からの腐食を
防止することができるため、ラインセンサ１３ｂの検知
機能が現像液の腐食により劣化することを防止すること
ができる。

【０１５３】＜３．第３実施形態＞次に、第３実施形態
について説明する。この第３実施形態に係る基板処理装
置は、第２実施形態と比較して、後述するように光検出
部１３が相違すること、および、現像液供給不良領域７
４に加えて現像液落下領域７５の判定処理を行うことを
除いては、第２実施形態と同じである。そこで、以下で
はこの相違点を中心に説明する。

【０１５４】(1) 細部構成 図３０は、第３実施形態に係る現像処理ユニットＳＤ１
の主要部の正面図を示す図である。図３０に示すよう
に、ラインセンサ１３ｃはラインセンサ１３ｂと同様に
走査方向Ａと略垂直に略水平方向に１次元に配列された
ＣＣＤセル９１群（図２３）から構成されており、耐ア
ルカリ性を有する材料（例えば、透明樹脂）により密閉
されている。

【０１５５】ラインセンサ１３ｂおよびラインセンサ１
３ｃは、支持部６７ｂを介してノズルアーム５９に連結
されて固定されており、現像液吐出ノズル６１ととも
に、アーム駆動部６０によりガイドレール５８に沿って
走査方向Ａおよびその逆方向に移動可能に設けられてい
る。

【０１５６】本実施形態では、ラインセンサ１３ｂおよ
びラインセンサ１３ｃが、図３に示す光検知部１３に該
当する。

【０１５７】図３１は、ラインセンサ１３ｂにより検知
されるセンサ検知範囲６８ｂと、ラインセンサ１３ｃに
より検知されるセンサ検知範囲６８ｃとを示したもので
ある。

【０１５８】ラインセンサ１３ｂは、第２実施形態で説
明したように現像液液盛時の現像液供給不良領域７４を
監視するのに使用され、センサ検知範囲６８ｂからの光
を検知できるように、支持部６７ｂへの取り付け角度が
調整されて斜め方向に傾いている。

【０１５９】一方、ラインセンサ１３ｃは、現像液落下
領域７５を監視するのに使用される。現像液落下領域７
５は、現像液吐出ノズル６１の方向Ｂに対して後ろ側に
形成されるため、線状領域６９を挟んで方向Ｂと逆側の
センサ検知範囲６８ｃからの光を検知するよう、支持部
６７ｂへのラインセンサ１３ｃの取り付け角度を調整さ
れて斜め方向に傾いている。

【０１６０】本実施形態において、ラインセンサ１３ｂ
とラインセンサ１３ｃとは隣接して支持部６７ｂに配設
されているが、このような態様に限定されるものではな
く、両ラインセンサとも支持部６７ｂに配設されてお
り、所定の範囲（センサ検知範囲６８ｂおよび６８ｃ）
からの光を検知することができれば、両ラインセンサの
位置関係は問題とされない。

【０１６１】なお、本実施形態における現像液供給不良
領域７４の判定処理は、第２実施形態の処理と同様であ
るため、以下では、現像液落下領域７５の判定処理につ
いてのみ説明する。

【０１６２】(2) 現像液吐出ノズル退避時の現像液状
態判定シーケンス ここでは、図３２および図３３に示す第３実施形態に係
る現像液吐出ノズル退避時の現像液状態判定シーケンス
について説明する。なお、本判定シーケンスは、第２実
施形態の液盛時の現像液状態判定シーケンスと比較し
て、一部の制御信号と、処理メモリ２１に格納するライ
ンデータ群とが異なる以外は同様の処理となるため、こ
こでは相違部分を中心に説明する。

【０１６３】まず、判定処理部２では、制御部３からノ
ズル移動開始信号が送信されるかどうかのチェックを行
う（Ｓ６０１）。

【０１６４】制御部３からのノズル移動開始信号を受信
した場合は、ラインセンサ１３ｃにより検知された基板
Ｗのラインデータ（１画素幅でかつ基板Ｗの直径以上の
長さを持つ１次元的な画素配列データ）を処理メモリ２
１に上書格納する（Ｓ６０２）。

【０１６５】図３４(a)は現像液吐出ノズル６１を方向
Ｂに移動させる際に、現像液落下領域７５が発生した場
合の基板Ｗ上の現像液の液盛状態を模式的に示した図で
ある。図３４(a)に示すように、ラインセンサ検知範囲
６８ｃは、現像液供給領域７１および現像液落下領域７
５とに区分することができる。これらの光反射特性は第
１実施形態において説明した通りである。

【０１６６】図３４(b)は、図３４(a)に示す検知範囲６
８ｃのラインデータであって、ステップ６０２において
処理メモリ２１に格納したものを模式的に示したもので
ある。記憶領域９３（９３ａ、９３ｂ）は、処理メモリ
２１上に確保された領域で、各ＣＣＤセル９１に入射し
た光に応じた明度値が格納されている。

【０１６７】図３４(b)に示すように、記憶領域９３ａ
には、現像液供給領域７１で反射した光８１に応じた明
度値が、また記憶領域９３ｂには、現像液供給領域７１
と比較して反射率の低い現像液落下領域７５で反射した
光８５に応じた明度値が格納されている。したがって、
所定の明度値を閾値として２値化処理を行うことによ
り、ラインデータから現像液落下領域７５を抽出するこ
とが可能となる。

【０１６８】そして、図３４(b)に示すラインデータを
使用して、ステップＳ６０５からＳ６１５による現像液
落下領域７５の判定処理を実行する。

【０１６９】なお、制御部３からノズル移動終了信号を
受信した場合は、処理メモリ２１に対して表２に示す判
定結果を格納し（Ｓ６１２）、制御部３にＯＫ信号を送
信して（Ｓ６１３）、判定処理を終了する。

【０１７０】また、ステップ６０８またはステップＳ６
１４において、現像液落下領域７５の面積値が所定以上
となった場合は、処理メモリ２１に対して表１に示す判
定結果を格納し（Ｓ６１０）、制御部３にＮＧ信号を送
信して（Ｓ６１１）、判定処理を終了する。

【０１７１】(3) 第３実施形態の基板処理置の利点 以上のように第３実施形態の基板処理装置１は、光検知
部１３としてラインセンサ１３ｂに加えてラインセンサ
１３ｃを支持部６７ｂに固定することにより、第２実施
形態で説明した現像液供給不良領域７４の判定処理に加
えて現像液落下領域７５の判定処理が可能となる。

【０１７２】また、光センサ１３ｃは、現像液吐出ノズ
ル６１とともに移動できるため、処理不良の原因となる
現象の発生するセンサ検知範囲６８ｃのみについて撮像
と画像処理とを行っていることとなり、監視処理のリア
ルタイム性が高まる。

【０１７３】

【発明の効果】請求項１から請求項１１に記載の発明に
よれば、基板保持手段により静止状態で保持された基板
上に付与された処理液層を光学的に検知し、処理液の付
与状況を監視することにより、処理不良の原因となる状
況を検出することができるため、処理不良となる基板が
後工程へ流出することを未然に防止することができる。

【０１７４】特に、請求項２の発明によれば、走査移動
の影響を受けない静止した位置に画像検知手段を設置す
ることにより、処理液付与手段と画像検知手段との移動
による干渉を考慮する必要がない。このため、既存の基
板処理装置へ画像検知手段を搭載することも容易とな
る。

【０１７５】特に、請求項３および請求項４に記載の発
明によれば、吐出手段により吐出された処理液が基板上
に到達する領域近傍からの光を検知することができるた
め、監視を効率的に行ってリアルタイム性を高めること
が可能となる。

【０１７６】また、請求項４に記載の発明によれば、吐
出手段により吐出された処理液により光検知手段が腐食
されることを防ぐことができるため、光検知性能の劣化
を防止することができる。

【０１７７】さらに、請求項５から請求項１１に記載の
発明によれば、光検知手段によって得られた検知データ
から、処理液層において処理不良の原因となる状況が発
生しているか否かを自動的に判定することができるた
め、処理不良の原因となる現象が発生した後に所定の処
理を実行することができる。

【０１７８】特に、請求項６に記載の発明によれば、処
理液不良の原因となる状況が発生した際の処理液の検知
データおよびその判定結果をデータ化して保存すること
ができるため、処理液のような流動性を有する液体のよ
うに時間経過とともに形状が変化するものであっても、
保存された原因発生時のデータにより要因解析すること
が容易になる。

【０１７９】特に、請求項７に記載の発明によれば、従
来のように所定の基板処理後に行われる基板検査を待た
ずに、特定の基板処理において処理不良の原因となる状
況が発生したことを知ることができるため、処理不良の
原因を特定することが容易となり、原因追及のための時
間を短縮することができる。

【０１８０】特に、請求項８に記載の発明によれば、基
板上に液盛中の処理液層の状況を第１の光学像により検
出することができるため、第１光学像に基づいて処理不
良の原因となる状況が発生しているか否かの判定をする
ことが可能となる。

【０１８１】特に、請求項９に記載の発明によれば、処
理液を液盛した後、処理液吐出部を所定位置に戻すため
移動している際に、処理液吐出部から基板上に液盛され
た処理液層に対して滴下する処理液の状況を第２の光学
像により検出することができるため、第２の光学像に基
づいて処理不良の原因となる状況が発生しているか否か
の判定をすることが可能となる。

【０１８２】特に、請求項１０に記載の発明によれば、
洗浄液吐出部を基板上に移動する際に、洗浄液吐出部か
ら基板上に液盛された処理液層に対して滴下する洗浄液
の状況を第３の光学像により検出することができるた
め、第３の光学像に基づいて処理不良の原因となる状況
が発生しているか否かの判定をすることが可能となる。

【０１８３】特に、請求項１１記載の発明によれば、処
理液層の光学像を所定の閾値を用いて２値化処理し、光
学像から処理不良の原因となる連続する範囲を抽出し、
その範囲の面積に基づいて処理不良に影響を及ぼすか否
かの判定をすることにより、高速に処理液層の判定処理
を実行することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の全
体構成を示す平面配置図である。

【図２】図１の基板処理装置の第１処理部および第２処
理部の構成を示すための図である。

【図３】図２の基板処理装置における現像処理を構成す
るユニット群の概念的な要部正面図である。

【図４】図３の現像処理ユニットの詳細平面図である。

【図５】図４の現像処理ユニットの主要部のＶ−Ｖ線断
面図である。

【図６】図４の現像処理ユニットの主要部のVI−VI線断
面図である。

【図７】表示装置に表示された検知データを説明するた
めの図である。

【図８】液盛時の現像液状態判定処理シーケンスを示す
フロチャートである。

【図９】基板上に液盛された現像液をＣＣＤカメラによ
り撮影した撮影画像を示す図である。

【図１０】現像液が液盛された基板の断面図である。

【図１１】基板上に液盛された現像液をＣＣＤカメラに
より撮影した撮影画像中の所定部分の濃度分布を示す図
である。

【図１２】現像液が液盛されていない基板の断面図であ
る。

【図１３】基板上に液盛された現像液をＣＣＤカメラに
より撮影した撮影画像の２値化画像を示す図である。

【図１４】処理液吐出ノズル移動時の処理液落下判定処
理シーケンスを示すフロチャートである。

【図１５】基板上に液盛された現像液に落下した現像液
の落下領域をＣＣＤカメラにより撮影した撮影画像を示
す図である。

【図１６】基板上に液盛された現像液に落下した現像液
の落下領域をＣＣＤカメラにより撮影した撮影画像の２
値化画像を示す図である。

【図１７】基板上に液盛された現像液に落下した純水の
落下領域をＣＣＤカメラにより撮影した撮影画像を示す
図である。

【図１８】基板上に液盛された現像液に落下した純水の
落下領域をＣＣＤカメラにより撮影した撮影画像の２値
化画像を示す図である。

【図１９】警報処理シーケンスを示すフロチャートであ
る。

【図２０】処理液状態のデータ化シーケンスを示すフロ
チャートである。

【図２１】第２実施形態の現像処理ユニットの主要部の
正面図である。

【図２２】第２実施形態の現像処理ユニットの主要部の
上面図である。

【図２３】第２実施形態のラインセンサを示す図であ
る。

【図２４】第２実施形態のラインセンサにより検知され
る範囲を説明するための図である。

【図２５】第２実施形態における液盛時の現像液状態判
定シーケンスを示すフロチャートである。

【図２６】第２実施形態における液盛時の現像液状態判
定シーケンスを示すフロチャートである。

【図２７】第２実施形態における液盛時のラインセンサ
により検知されるラインデータを模式的に示した図であ
る。

【図２８】第２実施形態における液盛時のラインセンサ
により検知されるラインデータを２値化したものを模式
的に示した図である。

【図２９】第２実施形態における液盛時のラインセンサ
により検知されるラインデータ群を２値化したものを模
式的に示した図である。

【図３０】第３実施形態の現像処理ユニットの主要部の
正面図である。

【図３１】第３実施形態のラインセンサにより検知され
る範囲を説明するための図である。

【図３２】第３実施形態における現像液吐出ノズル退避
時の現像液状態判定シーケンスを示すフロチャートであ
る。

【図３３】第３実施形態における現像液吐出ノズル退避
時の現像液状態判定シーケンスを示すフロチャートであ
る。

【図３４】第３実施形態における現像液吐出ノズル退避
時のラインセンサにより検知されるラインデータを模式
的に示した図である。

【図３５】従来の現像装置の要部平面図である。

【図３６】従来の現像装置における現像液の液盛の一例
を説明する図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 判定処理部 ３ 制御部 １２ 照明 １３ 光検出部 ８１ａ 処理液層 Ｗ 基板 ＳＤ１ 現像処理ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久井 章博 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 金山 幸司 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 LA14 LA19

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に付与された処理液の状況を監視
   する基板処理装置であって、 (a) 前記基板を略水平姿勢にて保持する基板保持手段
   と、 (b) 前記基板の表面を走査しつつ前記基板上へ処理液
   を吐出して前記基板の表面の略全体を処理液層で覆う処
   理液付与手段と、 (c) 前記基板上の前記処理液層を光学的に検知する光
   検知手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記光検知手段は、 (c-1) 前記処理液付与手段による走査移動の影響を受
   けない静止位置に設置されて、前記処理液層の状態を２
   次元画像として検出する画像検知手段、を備え、 前記検知データとして前記２次元画像が得られることを
   特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記光検知手段は、前記処理液付与手段の処理液吐出口
   付近に設置され、前記処理液吐出口とともに移動しつ
   つ、吐出された前記処理液が前記基板に到達する領域近
   傍からの光を検知することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記光検知手段は、前記処理液に対して耐腐食性を有す
   る材料により密閉されていることを特徴とする基板処理
   装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の基板処理装置であって、 (d) 前記光検知手段で得られた検知データに基づいて
   前記処理液層の状態の良否を所定の判定条件に基づいて
   判定する判定手段、をさらに備えることを特徴とする基
   板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置であっ
   て、 (e) 前記検知データを前記判定手段による判定結果と
   対応させて格納するデータ格納手段、をさらに備えるこ
   とを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項５または請求項６に記載の基板処
   理装置であって、 (f) 前記判定手段での判定結果に基づいて警報を発す
   る警報手段、をさらに備えることを特徴とする基板処理
   装置。
8. 【請求項８】 請求項５ないし請求項７のいずれかに記
   載の基板処理装置であって、 前記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛中の
   前記処理液層の第１光学像を検出可能であり、 前記判定手段は、前記第１光学像に基づいて、前記処理
   液層の形成過程における液盛不良を判定することを特徴
   とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項５ないし請求項８のいずれかに記
   載の基板処理装置であって、 前記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛後、
   前記処理液付与手段における処理液吐出部が前記走査と
   逆方向に戻る期間において前記基板の第２光学像を検出
   可能であり、 前記判定手段は、前記第２光学像に基づいて、前記処理
   液層中への、前記処理液吐出部からの前記処理液の滴下
   を判定することを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項５ないし請求項９のいずれかに
    記載の基板処理装置であって、 前記光検知手段は、前記基板上に前記処理液を液盛後、
    洗浄液によって前記処理液を洗い流すための洗浄液を吐
    出可能な洗浄液吐出部が前記基板上に移動する期間にお
    いて前記基板の第３光学像を検出可能であり、 前記判定手段は、前記第３光学像に基づいて、前記処理
    液層への、前記洗浄液吐出部からの前記洗浄液の滴下を
    判定することを特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項５ないし請求項１０のいずれか
    に記載の基板処理装置であって、 前記判定手段は、前記光検知手段によって得られた光学
    像を構成する各画素の画素データを所定の閾値と比較し
    て２値化し、当該２値化によって同一の値とされた画素
    が連続する範囲の面積に基づいて、前記処理液層の状態
    判定を行うことを特徴とする基板処理装置。