JP2023133329A - 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2023133329A
JP2023133329A JP2023113984A JP2023113984A JP2023133329A JP 2023133329 A JP2023133329 A JP 2023133329A JP 2023113984 A JP2023113984 A JP 2023113984A JP 2023113984 A JP2023113984 A JP 2023113984A JP 2023133329 A JP2023133329 A JP 2023133329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid nozzle
nozzle
image
discharge port
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023113984A
Other languages
English (en)
Inventor
佳志 濱田
Keishi Hamada
浩貴 只友
Hiroki Tadatomo
裕一朗 桾本
Yuichiro Kunugimoto
隆史 羽山
Takashi Hayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JP2023133329A publication Critical patent/JP2023133329A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することが可能な技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、制御部は、撮像部において撮像された液ノズルの吐出口近傍に係る全周に係る検査画像を取得する画像取得制御と、液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、を実行する。【選択図】図1

Description

本開示は、基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体に関する。
特許文献1では、基板処理装置において処理液を供給する液ノズルの吐出口部分を撮像し、異物の状態に応じて異常の判定を行う構成が開示されている。
特開2015-153913号公報
本開示は、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することが可能な技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、を実行する。
本開示によれば、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することが可能となる。
一つの例示的実施形態に係る塗布・現像システムを示す斜視図である。 図1のII-II線断面図の一例を示す図である。 図2のIII-III線断面図の一例を示す図である。 基板処理装置を示す断面図の一例である。 基板処理装置のハードウェア構成の一例を示す図である。 撮像部の構成例を示す図である。 撮像部の構成例を示す図である。 撮像部の構成例を示す図である。 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。 基板処理装置による基板検査方法の一例を示すフロー図である。 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。 基板検査方法で使用される画像の一例を示す図である。 基板洗浄方法の選択に係る手順の一例を示すフロー図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、を実行する。
上記の基板処理装置によれば、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像に基づいて、液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価が行われる。このように、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した画像に基づいて付着物の付着状態の評価が行われるため、付着物が付着した状態で液ノズルが動作する可能性を低減させることができる。したがって、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
前記制御部は、前記評価制御での評価結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する判定制御をさらに実行する、態様としてもよい。
上記のように、制御部が評価結果に基づいて液ノズルに対して実行すべき動作を判定する構成とすることで、評価結果に応じて適切な処置を実施することが可能となり、液ノズルの異常等を考慮した適切な対応を行うことができる。
また、前記制御部は、前記評価制御において、前記評価制御において、前記検査画像から前記液ノズルに付着した付着物の領域を推定し、前記推定した領域の画素値に基づき前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態を評価し、前記判定制御において、前記評価結果に基づいて前記液ノズルにおける異常の有無を判定する態様とすることができる。
上記のように、検査画像において付着物を撮像した領域の画素値に基づいて液ノズルの吐出口への付着物の付着状態を評価し、その結果から液ノズルにおける異常の有無を判定する態様とする。このような構成とすることで、実質的に付着物の付着量に応じて異常の有無を評価することができ、付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
前記制御部は、前記評価制御において、前記検査画像から推定された前記液ノズルに付着した付着物を撮像した領域の外形または大きさに基づいて、前記液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定する態様とすることができる。
上記のように、検査画像から推定された液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定することで、液ノズルの吐出口付近における付着物がどの程度強固に付着しているものであるか等を評価でき、付着状態をより適切に評価することができる。
前記制御部は、前記評価制御において、前記検査画像に基づいて、前記液ノズルにおける付着物の付着位置を推定する態様とすることができる。
上記のように、付着物の付着位置を推定することにより、当該付着物がノズルを使用した処理にどの程度影響を与えるか等をより精度よく評価できることができる。
前記制御部は、前記判定制御において、前記液ノズルにおいて異常があると判定した場合に、前記評価結果に基づいて、前記液ノズルの洗浄方法を選択する態様とすることができる。
上記のように、評価制御での評価結果に基づいて液ノズルの洗浄方法を選択する構成とすることで、付着物の付着状況に応じた適切な洗浄を行うことが可能となるため、ノズルからの付着部の除去を好適に行うことができる。
一つの例示的実施形態において、ノズル検査方法は、下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルを有する基板処理装置に係るノズル検査方法であって、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像を取得し、前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う。
上記のノズル検査方法によれば、液ノズルの吐出口の近傍に係る全周を撮像した画像に基づいて液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価が行われる、付着物が付着した状態で液ノズルが動作する可能性を低減させることができる。したがって、ノズルの吐出口付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
一つの例示的実施形態において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、上記のノズル検査方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶する。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。以下では、位置関係を明確にするために、必要に応じて、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
[塗布・現像装置の動作]
まず、図1~図3に示される塗布・現像装置1の構成の概要について説明する。塗布・現像装置1は、露光装置E1による露光処理の前に、ウエハ(基板)Wの表面Waにレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。塗布・現像装置1は、露光装置E1による露光処理の後に、ウエハWの表面Waに形成されたレジスト膜の現像処理を行う。本実施形態において、ウエハWは円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれている形状であってもよく、また、多角形などの円形以外の形状を呈するウエハを用いてもよい。
塗布・現像装置1は、図1及び図2に示されるように、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェースブロックS3と、塗布・現像装置1の制御手段として機能する制御装置CUと、制御装置CUによる処理結果を表示可能な表示部Dとを備える。本実施形態において、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェースブロックS3及び露光装置E1は、この順に直列に並んでいる。
キャリアブロックS1は、図1及び図3に示されるように、キャリアステーション12と、搬入・搬出部13とを有する。キャリアステーション12は、複数のキャリア11を支持する。キャリア11は、複数枚のウエハWを密封状態で収容する。キャリア11は、ウエハWを出し入れするための開閉扉(図示せず)を一方の側面11a側に有する。キャリア11は、側面11aが搬入・搬出部13側に面するように、キャリアステーション12上に着脱自在に設置される。
搬入・搬出部13は、図1~図3に示されるように、キャリアステーション12上の複数のキャリア11にそれぞれ対応する開閉扉13aを有する。側面11aの開閉扉と搬入・搬出部13の開閉扉13aとが同時に開放されると、キャリア11内と搬入・搬出部13内とが連通する。搬入・搬出部13は、図2及び図3に示されるように、受け渡しアームA1を内蔵している。受け渡しアームA1は、キャリア11からウエハWを取り出して処理ブロックS2に渡す。受け渡しアームA1は、処理ブロックS2からウエハWを受け取ってキャリア11内に戻す。
処理ブロックS2は、図1~図3に示されるように、キャリアブロックS1に隣接すると共に、キャリアブロックS1と接続されている。処理ブロックS2は、図1及び図2に示されるように、下層反射防止膜形成(BCT)ブロック14と、レジスト膜形成(COT)ブロック15と、上層反射防止膜形成(TCT)ブロック16と、現像処理(DEV)ブロック17とを有する。DEVブロック17、BCTブロック14、COTブロック15及びTCTブロック16は、底面側からこの順に並んで配置されている。
BCTブロック14は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA2とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をウエハWの表面Waに塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWの表面Wa上に下層反射防止膜が形成される。
COTブロック15は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA3とを内蔵している。塗布ユニットは、レジスト膜形成用の薬液(レジスト材料)を下層反射防止膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWの下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。レジスト材料は、ポジ型でもよいし、ネガ型でもよい。
TCTブロック16は、図2に示されるように、塗布ユニット(図示せず)と、加熱・冷却ユニット(図示せず)と、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA4とを内蔵している。塗布ユニットは、反射防止膜形成用の薬液をレジスト膜の上に塗布する。加熱・冷却ユニットは、例えば熱板によりウエハWを加熱し、その後例えば冷却板によりウエハWを冷却する。こうして、ウエハWのレジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。
DEVブロック17は、図2及び図3に示されるように、複数の現像処理ユニット(基板処理装置)U1と、複数の加熱・冷却ユニット(熱処理部)U2を有する。さらに、DEVブロック17は、これらのユニットにウエハWを搬送する搬送アームA5と、これらのユニットを経ずに処理ブロックS2の前後間でウエハWを搬送する搬送アームA6とを内蔵している。
現像処理ユニットU1は、後述するように、露光されたレジスト膜の現像処理を行う。加熱・冷却ユニットU2は、例えば熱板によるウエハWの加熱を通じて、ウエハW上のレジスト膜を加熱する。加熱・冷却ユニットU2は、加熱後のウエハWを例えば冷却板により冷却する。加熱・冷却ユニットU2は、ポストエクスポージャベーク(PEB)、ポストベーク(PB)等の加熱処理を行う。PEBは、現像処理前にレジスト膜を加熱する処理である。PBは、現像処理後にレジスト膜を加熱する処理である。
図1~図3に示されるように、処理ブロックS2のうちキャリアブロックS1側には、棚ユニットU10が設けられている。棚ユニットU10は、複数のセルC30~C38を有する。セルC30~C38は、DEVブロック17とTCTブロック16との間において上下方向(Z軸方向)に並んで配置されている。棚ユニットU10の近傍には、昇降アームA7が設けられている。昇降アームA7は、セルC30~C38の間でウエハWを搬送する。
処理ブロックS2のうちインターフェースブロックS3側には、棚ユニットU11が設けられている。棚ユニットU11は、複数のセルC40~C42を有する。セルC40~C42は、DEVブロック17に隣接して、上下方向(Z軸方向)に並んで配置されている。
インターフェースブロックS3は、図1~図3に示されるように、処理ブロックS2及び露光装置E1の間に位置すると共に、処理ブロックS2及び露光装置E1のそれぞれに接続されている。インターフェースブロックS3は、図2及び図3に示されるように、受け渡しアームA8を内蔵している。受け渡しアームA8は、処理ブロックS2の棚ユニットU11から露光装置E1にウエハWを渡す。受け渡しアームA8は、露光装置E1からウエハWを受け取り、棚ユニットU11にウエハWを戻す。
[制御装置の動作]
制御装置CUは、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置100は、図5に示される回路120を有する。回路120は、一つ又は複数のプロセッサ121と、メモリ122と、ストレージ123と、入出力ポート124とを有する。ストレージ123は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述のプロセス処理手順を制御装置CUに実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ122は、ストレージ123の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ121による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ121は、メモリ122と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート124は、プロセッサ121からの指令に従って、制御対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。
なお、制御装置CUのハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置100の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したASIC(Application Specific Integrated Circuit)により構成されていてもよい。
また、制御装置CUは、図1に示されるように、記憶部CU1と、制御部CU2とを有する。記憶部CU1は、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。詳しくは後述するが、記憶部CU1は、各種のデータ(例えば、異物の大きさデータ、異物の位置データ)や、撮像部26によって撮像された撮像画像も記憶している。記憶部CU1は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部CU1とは別体の外部記憶装置や、伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部CU1に当該プログラムをインストールして、記憶部CU1に当該プログラムを記憶させてもよい。制御部CU2は、記憶部CU1から読み出したプログラムに基づいて、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部の動作を制御する。
制御装置CUは、表示部Dと接続されており、処理条件の設定画面や、塗布・現像装置1によるウエハWの処理経過、処理結果等を表示部Dに表示させてもよい。塗布・現像装置1は、処理条件を作業者が入力可能な入力部(図示せず)をさらに有してもよい。この場合、制御装置CUは、入力部を通じて制御装置CUに入力された条件に従って、塗布・現像装置1の各部や露光装置E1の各部を動作させてもよい。入力部としては、例えば、マウス、タッチパネル、ペンタブレット、キーボードを挙げることができる。
[塗布・現像装置の動作]
次に、塗布・現像装置1の動作の概要について説明する。まず、キャリア11がキャリアステーション12に設置される。このとき、キャリア11の一方の側面11aは、搬入・搬出部13の開閉扉13aに向けられる。続いて、キャリア11の開閉扉と、搬入・搬出部13の開閉扉13aとが共に開放され、受け渡しアームA1により、キャリア11内のウエハWが取り出され、処理ブロックS2の棚ユニットU10のうちいずれかのセルに順次搬送される。
ウエハWが受け渡しアームA1により棚ユニットU10のいずれかのセルに搬送された後、ウエハWは、昇降アームA7により、BCTブロック14に対応するセルC33に順次搬送される。セルC33に搬送されたウエハWは、搬送アームA2によってBCTブロック14内の各ユニットに搬送される。搬送アームA2によってウエハWがBCTブロック14内を搬送される過程で、ウエハWの表面Wa上に下層反射防止膜が形成される。
下層反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送アームA2によってセルC33の上のセルC34に搬送される。セルC34に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、COTブロック15に対応するセルC35に搬送される。セルC35に搬送されたウエハWは、搬送アームA3によりCOTブロック15内の各ユニットに搬送される。搬送アームA3によってウエハWがCOTブロック15内を搬送される過程で、下層反射防止膜上にレジスト膜が形成される。
レジスト膜が形成されたウエハWは、搬送アームA3によってセルC35の上のセルC36に搬送される。セルC36に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、TCTブロック16に対応するセルC37に搬送される。セルC37に搬送されたウエハWは、搬送アームA4によってTCTブロック16内の各ユニットに搬送される。搬送アームA4によってウエハWがTCTブロック16内を搬送される過程で、レジスト膜上に上層反射防止膜が形成される。
上層反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送アームA4によってセルC37の上のセルC38に搬送される。セルC38に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によってセルC32に搬送された後、搬送アームA6によって棚ユニットU11のセルC42に搬送される。セルC42に搬送されたウエハWは、インターフェースブロックS3の受け渡しアームA8により露光装置E1に渡され、露光装置E1においてレジスト膜の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハWは、受け渡しアームA8によりセルC42の下のセルC40,C41に搬送される。
セルC40,C41に搬送されたウエハWは、搬送アームA5により、DEVブロック17内の各ユニットに搬送され、現像処理が行われる。これにより、ウエハWの表面Wa上にレジストパターン(凹凸パターン)が形成される。レジストパターンが形成されたウエハWは、搬送アームA5によって棚ユニットU10のうちDEVブロック17に対応したセルC30,C31に搬送される。セルC30,C31に搬送されたウエハWは、昇降アームA7によって、受け渡しアームA1がアクセス可能なセルに搬送され、受け渡しアームA1によって、キャリア11内に戻される。
上述した塗布・現像装置1の構成及び動作は一例にすぎない。塗布・現像装置1は、塗布ユニットや現像処理ユニット等の液処理ユニットと、加熱・冷却ユニット等の前処理・後処理ユニットと、搬送装置とを備えていればよい。すなわち、これら各ユニットの個数、種類、レイアウト等は適宜変更可能である。
[現像処理ユニット(基板処理装置)]
次に、現像処理ユニット(基板処理装置)U1について、さらに詳しく説明する。現像処理ユニットU1は、ウエハWの表面Waに処理液を吐出する吐出処理を、複数のウエハWについて一つずつ順次実行する。現像処理ユニットU1は、図4に示されるように、回転保持部20と、昇降装置22と、処理液供給部24とを備える。
回転保持部20は、電動モータ等の動力源を内蔵した本体部20aと、本体部20aから鉛直上方に延びる回転軸20bと、回転軸20bの先端部に設けられたチャック20cとを有する。本体部20aは、動力源により回転軸20b及びチャック20cを回転させる。チャック20cは、ウエハWの中心部を支持し、例えば吸着によりウエハWを略水平に保持する。すなわち、回転保持部20は、ウエハWの姿勢が略水平の状態で、ウエハWの表面Waに対して垂直な中心軸(鉛直軸)周りでウエハWを回転させる。図4に示されるように、回転保持部20は、上方から見て例えば正時計回りにウエハWを回転させる。
昇降装置22は、回転保持部20に取り付けられており、回転保持部20を昇降させる。具体的には、昇降装置22は、搬送アームA5とチャック20cとの間でウエハWの受け渡しを行うための上昇位置(受け渡し位置)と、液処理を行うための下降位置(現像位置)との間で、回転保持部20(チャック20c)を昇降させる。
回転保持部20の周囲には、カップ30が設けられている。ウエハWが回転すると、ウエハWの表面Waに供給された処理液が周囲に振り切られて落下するが、カップ30は、当該落下した処理液を受け止める収容器として機能する。カップ30は、回転保持部20を囲む円環形状の底板31と、底板31の外縁から鉛直上方に突出した円筒状の外壁32と、底板31の内縁から鉛直上方に突出した円筒状の内壁33とを有する。
外壁32の全部分は、チャック20cに保持されたウエハWよりも外側に位置する。外壁32の上端32aは、下降位置にある回転保持部20に保持されたウエハWよりも上方に位置する。外壁32の上端32a側の部分は、上方に向かうにつれて内側に傾いた傾斜壁部32bとなっている。内壁33の全部分は、チャック20cに保持されたウエハWの周縁よりも内側に位置する。内壁33の上端33aは、下降位置にある回転保持部20に保持されたウエハWよりも下方に位置する。
内壁33と外壁32との間には、底板31の上面から鉛直上方に突出した仕切壁34が設けられている。すなわち、仕切壁34は、内壁33を囲んでいる。底板31のうち、外壁32と仕切壁34との間の部分には、液体排出孔31aが形成されている。液体排出孔31aには、排液管35が接続されている。底板31のうち、仕切壁34と内壁33との間の部分には、気体排出孔31bが形成されている。気体排出孔31bには、排気管36が接続されている。
内壁33の上には、仕切壁34よりも外側に張り出す傘状部37が設けられている。ウエハW上から外側に振り切られて落下した処理液は、外壁32と仕切壁34との間に導かれ、液体排出孔31aから排出される。仕切壁34と内壁33との間には、処理液から発生したガス等が進入し、当該ガスが気体排出孔31bから排出される。
内壁33に囲まれる空間の上部は、仕切板38により閉塞されている。回転保持部20の本体部20aは仕切板38の下方に位置する。チャック20cは仕切板38の上方に位置する。回転軸20bは仕切板38の中心部に形成された貫通孔内に挿通されている。
処理液供給部24は、図4に示されるように、処理液の供給源24aと、ヘッド部24cと、移動体24dと、撮像部26とを有する。供給源24aは、処理液の貯蔵容器、ポンプ及びバルブ等を有する。処理液は、例えば洗浄液(リンス液)や現像液である。洗浄液は、例えば純水又はDIW(Deionized Water)である。ヘッド部24cは、供給管24bを介して供給源24aに接続される。ヘッド部24cは、処理液の供給の際に、ウエハWの表面Waの上方に位置している。ヘッド部24cに設けられた液ノズルNは、ウエハWの表面Waに向けて下方に開口している。従って、ヘッド部24cは、制御装置CUからの制御信号を受けて供給源24aから供給された処理液を、液ノズルNからウエハWの表面Waに吐出する。
移動体24dは、アーム24eを介してヘッド部24cに接続されている。移動体24dは、制御装置CUからの制御信号を受けて、ガイドレール(図示せず)上を水平方向(例えば、X軸方向)に移動する。これにより、ヘッド部24cは、ウエハWの表面Waに対して液ノズルNの吐出口Naから処理液を吐出する吐出処理において、下降位置にあるウエハWの上方で且つウエハWの中心軸に直交する直線上を、ウエハWの径方向に沿って水平方向、に移動する。移動体24dは、制御装置CUからの制御信号を受けて、アーム24eを昇降させる。これにより、ヘッド部24cは、上下方向に移動し、ウエハWの表面Waに対して近接又は離間する。
撮像部26は、図4に示されるようにヘッド部24cの先端近傍に設けられており、ヘッド部24cと共に移動する。撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na部分を撮像する。撮像部26によって撮像された撮像画像は、制御装置CUの制御部CU2に送信される。制御部CU2は、受信した撮像画像を画像処理して、液ノズルNの吐出口Na近傍の付着物の有無、付着物の量等に係る情報を取得する。本実施形態における付着物としては、例えば、液滴、固形物(処理液が固化・結晶化したもの、異物)等が挙げられる。制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍での付着物の結果に基づいて、液ノズルNに係る異常判定を行い、異常である場合には液ノズルNの洗浄を行う。また、異常が続く場合などは異常時の措置(例えば、警報発出、異常通知等)を実施する。
撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na近傍について、その全周を撮像可能な構成とされている。液ノズルNの吐出口Na近傍とは、吐出口Naから吐出される処理液が付着し得る領域である。処理液の吐出速度(単位時間当たりの吐出量)、ウエハWの回転速度等に応じて、処理液が付着する領域は変更し得る。したがって、通常動作時に処理液が付着し得る場所を吐出口Na近傍として取り扱うことができる。具体的には、例えば、吐出口Naの下端から0.5mm~数mm程度とされる。
吐出口Naから処理液を吐出する際、吐出口Naの下端部またはその周縁に処理液が付着し残存すると、その後再度処理液を吐出する際に付着物が吐出初期段階の処理液と共にウエハWに向けて流れる場合がある。ウエハWに対する処理液の供給量が多い場合には、吐出初期段階の処理液はウエハW上から排出されるため、付着物もウエハW上から排出される。しかしながら、処理液の供給量が少ない場合には吐出初期段階の処理液もウエハW上に残存するため、付着物のウエハW上に残存することになる。このような場合付着物がウエハW上での異物となり、基板の処理精度等に影響を与える可能性がある。上記のような観点から、撮像部26は、液ノズルNの吐出口Na近傍において、その全周を撮像する。なお、撮像部26では、吐出口Naの近傍の全周における付着物を撮像可能であればよい。したがって、撮像部26が取得する画像は、少なくとも吐出口Na近傍の一部において全周の画像が含まれていればよい。また、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周を撮像した画像とは、全周を同時に撮像していなくてもよく、多少の時間差を有して撮像された複数枚数の画像を組み合わせたものであってもよい。上述のように、吐出口Na近傍に付着する付着物は、主に液ノズルNから吐出された処理液に由来するものであり、ある程度時間が経つと乾燥・吸湿等によりその状態が変化し得る。撮像部26では、上記の付着物の状態変化が起こらない程度の時間差を有した状態(例えば、数秒~数分)で、複数枚数の画像を撮像することによって、全周の画像を取得する構成としてもよい。
図4では、撮像部26を模式的に示しているが、全周を撮像するための撮像部26の構成は特に限定されない。図6~図8は、撮像部26の構成例を説明する図である。
図6(a)は、複数のカメラ27により撮像部26が構成されて、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周を撮像する構成を示している。図6(a)では、3つのカメラ27を配置している例を示しているが、撮像部26の数は特に限定されない。複数の撮像部26を互いに異なる方向から吐出口Na近傍の全周を撮像可能なように配置をすることで、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周に係る画像を取得することができる。3つのカメラ27を配置する場合、例えば、平面視において、隣接するカメラ27と液ノズルNの吐出口Naとを結ぶ線と、自カメラと吐出口Naとを結ぶ線とのなす角度がそれぞれ120°となるように3つのカメラ27を周方向に均等に配置することができる。これにより、3つのカメラ27によって吐出口Na近傍の全周を均等に撮像する構成とすることができる。なお、複数のカメラ27は同一の水平面(XY平面)に配置してもよいが、例えば、上下方向(Z軸方向)の高さ位置を互いに異ならせて配置してもよい。カメラ27は、例えば、処理液供給部24に設けられていてもよいし、カップ30の外壁32等に取り付けられていてもよい。すなわち、カメラ27を現像処理ユニットU1のどの位置(部材)に取り付けるかは特に限定されない。
図6(b)は、1つのカメラ27と1つのミラー28とにより撮像部26が構成されている状態を示している。このような構成の場合、カメラ27は、ミラー28に写る液ノズルNの吐出口Na近傍の像を撮像する。ミラー28は、例えば、図6(b)に示すように吐出口Naの下方(Z軸負方向)に配置し、カメラ27の位置に応じてその反射面の角度を調整する。一方、カメラ27は、ミラー28の反射面に対向するような配置とする。これにより、カメラ27では、ミラー28において反射された吐出口Na近傍の像を撮像することができる。また、ミラー28を用いる構成とすることで、カメラ27からは死角となる側の吐出口Na近傍も撮像することができることになり、液ノズルNの吐出口Na近傍での全周の画像を取得することができる。なお、カメラ27及びミラー28の配置は適宜変更することができる。
図6(c)は、1つのカメラ27により撮像部26が構成されている状態を示している。カメラ27は液ノズルNの吐出口Naの真下(Z軸負方向)に配置される。このような構成の場合、カメラ27は、液ノズルNの吐出口Naの下端の全周を一度に撮像することができる。すなわち、図6(c)に示す構成の場合であっても、吐出口Na近傍の全周に係る撮像を行うことができる。また、図6等に示す液ノズルNのように吐出口Naへ向けて先端が先細りするような形状の場合、図6(c)に示すカメラ27は吐出口Naの下端だけでなくその上方の傾斜部分も撮像することが可能といえる。また、図6(c)に示すようにカメラ27を吐出口Naの真下に配置し、さらに、ミラー28を利用して液ノズルNの吐出口Na近傍の側面の像についてもカメラ27で撮像可能な構成としてもよい。
図7は、カメラ27とミラー28との配置の一例であり、ヘッド部24cに繋がるアーム24eにカメラ27を取り付けて、液ノズルNの下方にミラー28を配置した例である。アーム24eの高さ位置は図4の構成に限定されず、例えばヘッド部24cの構成を変更する等他の部材の構成を変更することで、適宜変更することができるとする。また、ミラー28に代えて、チャック20cに保持された表面が平坦な基板(ベアウエハ)を用いてもよい。この場合、ベアウエハに写る液ノズルNの吐出口Na近傍の像をカメラ27において撮像する構成となる。
図8は、カメラ27とミラー28との配置の他の一例であり、ヘッド部24cに繋がるアーム24eにカメラ27を取り付けて、液ノズルNの周囲にミラー28を配置した例である。図8(a)は上記の構成を側面から見た図であり、図8(b)は上方から見た場合の液ノズルN、カメラ27及びミラー28の位置関係を模式的に示した図である。図8に示す例は、カメラ27の取り付け位置は図7に示す例と同じであるが、ミラー28の配置が異なる。具体的には、カメラ27に対して死角となる液ノズルNの側面の外壁がミラー28に写るようにミラー28が配置されている。したがって、カメラ27はミラー28に写る液ノズルNの側面の像も撮像することで死角の部分の撮像も行うことができる。このような構成とすることで、カメラ27は一度の撮像で液ノズルNの側面の全周の撮像を行うことができる。
上記のように、撮像部26の構成は特に限定されず、種々の構成を適用することができる。上記で示した構成例を組み合わせてもよい。また、液ノズルNに対してその位置を変更可能な移動機構を有するカメラ27を撮像部26として用いてもよい。なお、カメラ27を吐出口Naの近傍に配置する場合、カメラ27及びカメラ27を支持するための機構が現像処理ユニットU1の各部の動作に干渉しないように、各部の構成を適宜調整することができる。
[ノズル検査方法]
次に、図9~図16を参照しながら、現像処理ユニットU1における液ノズルNの吐出口Naの検査方法の手順について説明する。図9は、検査方法に係る一連の手順を説明するフロー図である。また、図10及び図13は画像処理及び付着状態の評価に係る手順を説明するフロー図であり、図11,12,14-16は、上記の手順を実施する際に用いる画像の例を説明する図である。
まず、制御装置CUの制御部CU2は、ステップS01を実行する。ステップS01では、液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の状態を評価するための基準画像を取得する。この基準画像とは、付着物が付着していない状態での液ノズルNの吐出口Na近傍の画像であり、検査時に取得する液ノズルNの吐出口Na近傍の全周の画像に対応するものである。制御部CU2は撮像部26を制御して、液ノズルNの吐出口Na近傍に係る基準画像を取得する。取得した基準画像は、記憶部CU1において記憶する構成としてもよい。
次に、制御部CU2は、ステップS02を実行する。ステップS02では、制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍の全周に係る検査画像を取得する(画像取得制御)。検査画像とは、付着物に係る評価等を行う対象となる画像である。制御部CU2は撮像部26を制御して、液ノズルNの吐出口Na近傍に係る検査画像を取得する。ステップS02を実行するタイミングは、予め設定したタイミング(例えばロット単位のウエハWに係る処理が終わった後)であってもよい。また、現像処理ユニットU1における処理後のウエハW等を評価した結果に基づいてステップS02を実行する構成としてもよい。なお、複数の画像を組み合わせて液ノズルNの吐出口Na近傍の全周の画像が得られる場合、一連の複数の画像を一つの検査画像として取り扱う構成としてもよい。取得した検査画像は、記憶部CU1において記憶する構成としてもよい。
次に、制御部CU2は、ステップS03を実行する。ステップS03では、制御部CU2は、ステップS01で取得した基準画像と、ステップS02で取得した検査画像とを用いて、付着物の評価に係る画像処理を行う(評価制御)。次に、制御部CU2は、ステップS04を実行する。ステップS04では、ステップS03で処理を行った画像に基づいて、付着物の付着状態に係る評価を行う(評価制御)。上記のステップS03及びステップS04については後述する。
次に、制御部CU2は、ステップS05を実行する。ステップS05では、ステップS04における付着状態の評価の結果、液ノズルNに異常があるか否かを判定する(判定制御)。この段階での異常ありか否かの判定とは、このまま液ノズルNを用いてウエハWに対する処理を行ってよいかの判定である。したがって、異常がないと判定した場合には、液ノズルNの検査結果に基づいて液ノズルNに対して実行すべき動作は無いと判断し、一連の処理を終了する。
ステップS05において異常があると判定した場合には、制御部CU2は、ステップS06を実行する。ステップS06では、今回の判定において異常があると判定した場合に、装置の異常に基づく強制停止(異常停止)等の液ノズルNに対して実行すべき動作を実施する必要があるかを判定する(判定制御)。異常があると判定する場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していることを検出した場合となるが、このような場合には通常液ノズルNの吐出口Na近傍の洗浄を行うことで対処する。しかしながら、例えば繰り返し異常があると判定されるなど、ノズルの洗浄以外の何らかの対応を採る必要がある場合には、異常停止が必要と判断する。この場合、制御部CU2はステップS07を実行する。すなわち、ステップS07では、制御部CU2は現像処理ユニットU1における基板処理の強制停止を行う。なお、図8では異常停止の要否判断及び異常停止を行う場合について説明したが、異常停止ではなく警報の通知のみを行う構成としてもよい。また、ステップS06において、異常停止及び警報の通知のどちらを実施するかについても判定する構成としてもよい。
ステップS06において異常停止は必要ではないと判定した場合、制御部CU2は、ステップS08を実行する。ステップS08では、液ノズルNの吐出口Na近傍の洗浄を行う(判定制御・洗浄制御)。制御部CU2は現像処理ユニットU1を制御し、液ノズルNの洗浄に係る処理を行う。なお、付着状態の評価結果に基づいてステップS08における液ノズルNの洗浄方法を変更する構成としてもよい。この点については後述する。
[画像処理から異常判定までの具体的な手順]
次に、図10~図12を参照しながら、液ノズルNの吐出口Na近傍の異常の有無を判定する際の具体的な手順について説明する。ここで説明する手順は図9におけるステップS03~ステップS06の具体的な手順の一つの手法である。
まず、制御部CU2は、ステップS11を実行する。ステップS11では、制御部CU2は、記憶部CU1に保持されている基準画像と検査画像とから差分を算出する。差分を算出することにより、検査画像における各ピクセルが基準画像に対してどの程度変化しているかを輝度値から把握することができる。基準画像に対する検査画像の変化、すなわち、輝度値が0とは異なる部分は、その多くが付着物の付着の影響を受けることが考えられる。すなわち、差分に係る画像を作成する処理を行うことで、付着物の領域を推定することができる。
制御部CU2は、ステップS12を実行する。ステップS12では、制御部CU2は、差分画像における各ピクセルでの輝度値の平均値を算出する。すなわち、差分画像に含まれる全ピクセルでの輝度値の平均値を算出する。
制御部CU2は、ステップS13を実行する。ステップS13では、ステップS12で算出された輝度値の平均値に基づいて異常判定を行う。具体的には、平均値が閾値以上である場合には液ノズルNの吐出口Na近傍に異常があると判定する。なお、ステップS13において異常があると判定した場合、制御部CU2では、図9に示す手順に基づいて更なる判定を実施し、異常停止または洗浄等の制御を行う。
具体的な例について、図11を参照しながら説明する。図11では、液ノズルNの吐出口Na近傍を下斜め方向から撮像した画像の例を示している。図11では、縦480ピクセル×横640ピクセルの合計307200ピクセルの画像を用いている。図11(a)は、液ノズルNの吐出口Na近傍の基準画像に相当するものである。これに対して、図11(b)は、検査画像に相当する画像であり、付着物がほぼ存在しないような状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を求めた結果を図11(c)に示している。図11(c)に示す画像は2つの画像の各ピクセルにおける輝度値(画素値)の差分を各ピクセルに対応する位置に示したモノクロ画像である。基準画像及び検査画像がカラー画像である場合には、それぞれグレースケール化した後に輝度値の差分を算出する構成としてもよい。カラー画像である場合には、図11(c)は、各ピクセルの輝度値(0~255)をグレースケールとして示したものであり、輝度値が大きいほど白色となるように示している。図11(c)では、参考のために画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。なお、基準画像及び検査画像がカラー画像である場合、グレースケール化とは異なる方法で各ピクセルの画素値を算出する方法を用いてもよい。
図11(b)に示す検査画像のように、付着物がほぼ存在しない状態を撮像した画像が検査画像である場合、図11(c)に示すように、差分の画像では輝度値を有するピクセルはかなり少なくなり、その結果、輝度値の平均値は小さくなる。図11(c)に示す例では、輝度値の平均値が2.95となる。一方、図11(d)は、図11(b)とは別の検査画像に相当する画像であり、液ノズルNの吐出口Naの先端付近に付着物が存在している状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を算出した場合、図11(e)に示すように、付着物が付着していると思われる領域では、ある程度の輝度値を有する(白く見える)ピクセルが存在する。この場合、輝度値の平均値は大きくなる。図11(e)に示す例では、輝度値の平均値が2.95となる。このように、付着物の付着状況によって、基準画像を用いた差分画像の輝度値の平均値が変化する。したがって、この平均値が所定の閾値よりも大きくなっている場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していると判断して異常ありと判定する構成とすることができる。なお、図11(e)では、参考のために画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。
図11とは異なる具体例について、図12を参照しながら説明する。図12では、液ノズルNの吐出口Na近傍を吐出口Naの真下から撮像した画像の例を示している。図12では、縦640ピクセル×横480ピクセルの合計307200ピクセルの画像を用いている。図12(a)は、液ノズルNの吐出口Na近傍の基準画像に相当するものである。これに対して、図12(b)は、液ノズルNの吐出口Naの先端付近に付着物が存在している状態を示す画像である。このような2つの画像の差分を算出した結果を図12(c)に示している。図12(c)は、図11(c),(e)と同様の手法で差分の輝度値を算出した結果を示した画像である。また、図12(c)についても、画像全体での明るさ調整を行った状態のものを示している。図12(c)に示すように、付着物が付着していると思われる領域では、ある程度の輝度値を有する(白く見える)ピクセルが存在する。この場合も、全ピクセルでの輝度値の平均値はある程度大きくなると思われるので、平均値が所定の閾値よりも大きくなっている場合には、液ノズルNの吐出口Na近傍に付着物が付着していると判断して異常ありと判定する構成とすることができる。
また、図12(c)に示す差分画像では、液ノズルNの吐出口Naの内壁側及び外壁側のそれぞれに付着している付着物の画像を区別することができる。すなわち、吐出口Naの下端の端面に対応する領域では、基準画像及び検査画像の両方が同程度の輝度となっているので差分画像では輝度が0または0に近くなっている。一方、内壁表面より内側及び外壁表面より外側は、図12(b)に示すように基準画像と比べて検査画像における付着物が目立っている。そのため、図12(c)に示すように差分画像においても各領域において輝度値の大きな領域が見られる。
図12に示す例の場合、上述のように内壁の付着物と外壁の付着物とを区別することができる。そこで、このような画像を用いて液ノズルNの吐出口Na近傍の付着物の評価を行う場合、内壁側の付着物と外壁側の付着物を区別して評価を行うことができる。また、図12に示す例のように、液ノズルNの吐出口Na近傍を撮像した画像の解像度が高い場合、付着物の特性が画像に反映される。したがって、検査画像または差分画像から付着物の特性に係る情報を取得し、付着物の種類を特定することが可能となる。
そこで、図13~図16を参照しながら、付着物の付着位置を区別した評価及び付着物の種類の評価等に基づいて、液ノズルNの吐出口Na近傍の異常の有無を判定する際の具体的な手順について説明する。ここで説明する手順は図9におけるステップS03~ステップS06の具体的な手順の一つの手法である。
図14~図16では、図12と同様に液ノズルNの吐出口Naの下端を撮像した画像を用いた具体例を示している。ただし、図11で説明した液ノズルNの吐出口Naを斜め下から撮像した画像を検査画像とした場合でも同様の手順を行うことができる。また、液ノズルNの吐出口Na近傍の側面の全周を撮像した画像を検査画像とした場合でも、同様の手順を行うことができる。ただし、検査画像における液ノズルNの向きによっては液ノズルNの吐出口Naの下面の付着物は検出が困難である等、検査画像における液ノズルNの向きによって、異常判定を行う対象となる場所(液ノズルNの側面、下端等)が変化し得る。
まず、制御部CU2は、ステップS21を実行する。ステップS21では、制御部CU2は、記憶部CU1に保持されている基準画像と検査画像とから差分を算出する。この手順は、ステップS11と同様である。
次に、制御部CU2は、ステップS22を実行する。ステップS22では、制御部CU2は、液ノズルNの吐出口Na近傍のノズル形状情報に基づいて液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の付着位置を推定する。ノズル形状情報とは、液ノズルNの形状を特定するものである。本実施形態では、液ノズルNの下端部の外形、すなわち下端部の輪郭がノズル形状情報となるが、例えば、検査画像における液ノズルNの向きによっては、その他の部分の形状を特定する情報がノズル形状情報となり得る。すなわち、ノズル形状情報とは、付着物が付着していない状態でのノズルの形状を特定することができる情報をいう。
図12(c)に示したように、基準画像と検査画像との差分画像では、液ノズルNの吐出口Naの下端の輪郭を特定することができる。すなわち、図14(a)に示すように、差分画像から液ノズルNの吐出口Naの下端の輪郭、すなわち、下端面の内壁との境界部と、外壁との境界部と、を特定することができる。なお、ノズル形状情報は、差分画像から取得することに代えて、予め制御装置CUの記憶部CU1において対応する情報を保持しておく態様としてもよい。撮像部26により撮像される液ノズルNの吐出口Na近傍の画像は、上記のように撮像位置が基本的に決まっているものである。したがって、検査画像における液ノズルNの吐出口Naの下端の位置は基本的に変わらないものとして、予め検査画像に含まれる液ノズルNの吐出口Naのノズル形状情報を保持しておくこととしてもできる。
上記のようにノズル形状情報を用いると、差分画像において輝度値が高い領域となる付着物が付着した領域が、液ノズルNの内壁側にあるのか外壁側にあるのかを推定することができる。すなわち、差分画像に含まれるノズル形状情報を用いて、付着物の付着位置を推定することができる。なお、本実施形態では、この段階の付着物の付着位置の推定とは付着位置が内壁側/外壁側のどちらである場合について説明している。しかしながら、より詳細な付着位置として、例えば、液ノズルNの中心を基準としてどちらの方向に付着物があるか、液ノズルNの吐出口Naからの距離がどの程度の位置にあるか、等を推定する構成としてもよい。検査画像がどちらから撮像した画像であるかによって、画像から推定できる付着位置(上下方向、径方向での位置関係等)は変化し得る。
次に、制御部CU2は、ステップS23を実行する。ステップS23では、制御部CU2は、付着位置毎に付着物が撮像されたピクセルの数から付着物の付着量を評価する。図14(b)は、図12(c)に示す画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った後に、外壁側の付着物を撮像したと思われる領域のみを抽出した例を示している。また、図14(c)は、図12(c)に示す画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った後に、内壁側の付着物を撮像したと思われる領域のみを抽出した例を示している。このように、二値化処理を行った上で、外壁側/内壁側の付着物を撮像した領域を抽出することで、液ノズルNの外壁側/内壁側に付着した付着物の撮像したピクセルの数(ピクセル数)を算出することができる。例えば、図14(b)に示す例では、外壁側で付着物を撮像したピクセル数は12649ピクセルとカウントすることができる。また、図14(c)に示す例では、内壁側で付着物を撮像したピクセル数は5426ピクセルとカウントすることができる。このように、付着物を撮像したピクセル数、すなわち付着物を撮像した面積から付着物の付着量を評価することができる。このように算出された付着量は異常の有無を判定する際の情報として利用することができる。
次に、制御部CU2は、ステップS24を実行する。ステップS24では、制御部CU2は、付着物の種類を評価する。付着物の種類としては上述のように大枠として液体(液滴)と固体(固形物)とに分けられる。ステップS24では、制御部CU2は検査画像または差分画像に基づいてこの2種類を区別する。
付着物の種類を特定するための手順の一例について、図15を参照しながら説明する。図15(a)は液ノズルNの吐出口Na近傍の外壁側に液滴が付着している状態を撮像した検査画像である。図15(b)は、図15(a)に示す検査画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った画像である。一方、図15(c)は液ノズルNの吐出口Na近傍の外壁側に固形物が付着している状態を撮像した検査画像である。図15(d)は、図15(c)に示す検査画像について所定の閾値を基準に二値化処理を行った画像である。
図15(a)と図15(c)との比較からわかるように、液滴が付着した場合と固形物が付着した場合とでは、撮像画像においても見た目が変化する。具体的には、液滴が付着した場合は、付着物の外形がなだらかとなり光り方が一様になるため、画像上でもなだらかな形状となる。一方、固形物が付着した場合は、付着物の外形に細かい凹凸が残り得る(当然ながら固形物によってその形状は異なり得る)ことにより光り方がまばらとなり、画像上でも凹凸がはっきりと残る。上記の相違点は、図15(b)及び図15(d)に示す二値化画像においても把握することができる。したがって、付着量を評価した二値化画像を利用して、付着物の外形(凹凸)を推定することで付着物が液体であるか固体であるかを判定することもできる。なお、二値化画像ではなく、検査画像(図15(a),(c)に示す画像)から直接付着物の種類を判定する構成としてもよい。また、外形(凹凸)を推定する際に、極座標展開を行うこととしてもよい。
また、上記のように付着物の外形の凹凸を基準に判定することに代えて、例えば、1つの付着物を撮像した領域の大きさ(ピクセル数)を基準に判定することとしてもよい。例えば、液滴はある程度の大きさにならないと単体で存在しないため、液滴を撮像した画像においては付着物を撮像した領域がある程度大きくなると推定できる。一方、固形物は液滴よりも小さくても単体で存在し得る。このことに基づいて、1つの付着物を撮像したと推定される連続する領域の大きさ(ピクセル数)に基づいて、所定の閾値より大きい領域には液滴が存在すると判定し、それ以外の領域には固形物が存在すると判定する構成としてもよい。このように、検査画像または検査画像から加工された画像(例えば、二値化後の画像)から、液ノズルNの吐出口Na近傍における付着物の種類を判定する方法は、特に限定されず、種々の方法を適用することができる。
次に、制御部CU2は、ステップS25を実行する。ステップS25では、制御部CU2は、上記のステップS23,S24で得られた各種情報から異常の有無を判定する。例えば、ステップS23を実行することで、制御部CU2では付着物の付着量に係る情報を得ることができる。また、ステップS24を実行することで、制御部CU2では付着物の種類に係る情報を得ることができる。これらの情報を利用して、異常の有無を判定する態様とすることができる。
付着物の付着量から異常の有無を判定する際の基準は、単純に付着物を撮像したピクセルのピクセル数としてもよいが、この構成に限定されるものではない。例えば、付着物を撮像したピクセルの輝度値(画素値)が大小に基づいて異常の有無を判定してもよい。また、付着物がどのように付着しているかについても異常の有無を判定する際の基準に含める構成としてもよい。図16は、付着物が付着している「状態」も考慮する場合も一例について説明する図である。図16では、図14(b)に示した外壁の付着物を撮像した領域を抽出した画像に対して異常の有無を判定するための2つの基準線L1,L2を追加したものである。基準線L1,L2は、それぞれ液ノズルNの吐出口Naの中心を基準としながら外壁からの距離が互いに異なる円である。すなわち、基準線L1は外壁に対して100μm外側を示す線であり、基準線L2は外壁に対して50μm外側を示す線である。この基準線L1,L2を事前に設けておき、付着物を撮像したピクセルと基準線L1,L2との位置関係から異常の有無を判定する態様とすることができる。例えば、付着物が基準線L1よりも外側に突出している場合には異常停止が必要であると判定する態様とすることができる。また、付着物が基準線L1よりも外側に突出していないが、基準線L2よりも外側に突出している場合には異常があると判定し警告を発出すると判定する態様としてもよい。また、基準線L1または基準線L2よりも外側に突出している付着物(を撮像した領域のピクセル数)が所定量よりも超えている場合には異常であると判定する態様とすることもできる。このように、異常の有無を判定する際の基準として、基準線L1,L2を利用するような構成としてもよい。
次に、制御部CU2は、ステップS26を実行する。ステップS26では、制御部CU2は、異常の判定の結果に応じて液ノズルNの洗浄が必要と判定された場合に、判定の結果に応じた洗浄方法を選択し、洗浄を実行する。
具体的な洗浄方法の選択に係る制御部CU2での判断のフローの一例を図17に示す。まず、制御部CU2は、ステップS31を実行する。ステップS31では、制御部CU2は付着物の位置の特定(ステップS22)の結果に基づいて、液ノズルNの吐出口Na近傍の内壁側に汚れがあるか(付着物があるか)を判定する。この結果、内壁側に付着物があると判定された場合には、制御部CU2はステップS32を実行する。すなわち、制御部CU2は、ステップS32として、液ノズルNの内壁が洗浄可能となる方法で液ノズルNの洗浄を実施する。この場合、液ノズルN内部の洗浄と共に外壁の洗浄も行う態様とすることができる。一方、ステップ内壁側に付着物がないと判定された場合には、制御部CU2はステップS33を実行する。すなわち、制御部CU2はノズルチップの洗浄を行う。ノズルチップの洗浄とは、ノズルの外壁を主に洗浄する方法であり、内壁の洗浄を行う場合と比較して、工程数が少ない方法である。このように、付着物の付着位置に応じて洗浄方法を変更する態様としてもよい。なお、付着物の付着位置に応じた洗浄方法の選択(ステップS26)は行わずに、洗浄が必要である場合には所定の洗浄方法を実行する態様としてもよい。
なお、上記実施形態では、図10及び図13を参照しながら2つの手順について説明した。ただし、特に液ノズルNの異常の有無の判定に関して、図10及び図13で説明する手順を制御部CU2が両方同時に行う構成としてもよいし、どちらか一方のみを行う構成としてもよい。
[作用]
上記の現像処理ユニット(基板処理装置)U1及びノズル検査方法によれば、液ノズルNの吐出口Naの近傍に係る全周を撮像した検査画像に基づいて、液ノズルNの吐出口Naへの付着物の付着状態の評価が行われる。また、より詳細には、液ノズルNに付着した付着物を撮像した領域が推定され、その結果に基づいて異常の有無が判定される。このように、液ノズルNの吐出口Naの近傍に係る全周を撮像した画像に基づいた評価が行われ、その一態様として、異常の有無が判定される。したがって、付着物が付着した状態で液ノズルNが動作する可能性を低減させることができるため、ノズルの吐出口Na付近における付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
従来から、基板処理装置における処理液を供給する液ノズルの状態を評価する際に、画像を用いることは検討されていた。しかしながら、液ノズルを一方向から撮像した画像を用いて評価を行う構成とした場合、画像では撮像することができない場所に付着物が付着した場合には、付着物が付着していることを気付けない場合がある。このような場合、液ノズルの異常判定について誤って判定してしまう可能性がある。しかしながら、上述したように、従来は基板に対して供給される処理液の供給量が多いため、吐出初期段階の処理液と共に基板表面に落下する付着物が、基板処理において問題となる可能性が低かった。そのため、上記の構成であっても大きな問題となる可能性は少なかった。
これに対して、近年検討が進められている、従来の液処理と比べて基板に対して供給する処理液の供給量を低減する制御では、吐出初期段階の処理液に付着物が混合することは基板における液処理で欠陥を引き起こす可能性がある。したがって、ノズルに対する付着物の付着をより高い精度で検知する構成が求められていた。上記の基板処理装置及びノズル検査方法によれば、従来の構成と比較して、より高い精度でノズルに対する付着物の付着に係る評価を行うことができ、さらに、異常の有無を判定することを可能とする。したがって、処理液の供給量を低減した基板処理の制御にも対応可能となる。
また、上記実施形態で説明したように、評価結果に基づいて液ノズルに対して実行すべき動作を判定する構成とすることで、評価結果に応じて適切な処置を実施することが可能となり、液ノズルNの異常等を考慮した適切な対応を行うことができる。
また、上記実施形態で説明したように、検査画像において付着物を撮像した領域の画素値またはピクセル数等に基づいて付着物の付着状態を評価し、その結果に基づいて液ノズルNにおける異常の有無を判定する態様とする。このような態様とすることで、付着物の付着状態に応じて異常の有無を評価することができる。したがって、このような構成とすることで、付着物の付着状態をより適切に評価することができる。
また、上記実施形態では、検査画像から推定された液ノズルNに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定する。このような構成とすることで、液ノズルNの吐出口Na付近における付着物がどの程度強固に付着しているものであるか等を評価でき、付着状態をより適切に評価することができる。
また、上記実施形態では、検査画像に基づいて、付着物の付着位置を推定することにより、当該付着物が液ノズルNを使用した処理にどの程度影響を与えるか等をより精度よく評価できることができる。特に、付着物が液ノズルNの内壁側及び外壁側のどちらに付着しているかに応じて、付着物が処理液と共に排出されるリスクも変わり得る。したがって、付着物が液ノズルNの内壁側及び外壁側のどちらに付着しているかを推定する構成を有することで、より付着物が基板処理に与える影響をより適切に評価することができる。
また、上記実施形態では、評価制御での評価結果に基づいて液ノズルNの洗浄方法を選択する構成としている。このような構成とすることで、付着物の付着状況に応じた適切な洗浄を行うことが可能となる。したがって、液ノズルNからの付着部の除去を好適に行うことができる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、上記実施形態では、制御装置CUの制御部CU2において、ノズル検査に係る制御を行う場合について説明した。しかしながらノズル検査に係る制御を行う機能部は、1つの装置に集中してもよいし、複数の装置に分散配置されていてもよい。
また、液ノズルN及びその吐出口Naの形状は適宜変更することができる。吐出口Naの形状によって、撮像部26の構成を変更することができる。また、液ノズルNの形状に応じて検査画像として使用する画像を変更することができる。
また、検査画像から付着物を撮像した領域を推定する方法は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、液ノズルNの吐出口Naの真下から撮像した画像については、吐出口Naの下端(下面)の付着物について評価を行うことについては説明をしていない。これに対して、例えば、検査画像における各ピクセルの輝度値の分布等に基づいて下端の付着物についても評価を行う構成としてもよい。また、上記実施形態では、基準画像を利用して生成した差分画像に基づいて異常の判定を行う場合について説明したが、差分画像を利用しない構成としてもよい。また、基準画像も利用しない構成としてもよい。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
1…塗布・現像装置、26…撮像部、27…カメラ、28…ミラー、CU…制御装置、CU1…記憶部、CU2…制御部、D…表示部、N…液ノズル、Na…吐出口、U1…現像処理ユニット(基板処理装置)、W…ウエハ(基板)、Wa…表面。

Claims (12)

  1. 下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルと、
    前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像する撮像部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記撮像部において撮像された前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像を取得する画像取得制御と、
    前記液ノズルの吐出口近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行う評価制御と、
    前記評価制御での評価結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する判定制御と、を実行し、
    前記画像取得制御において、前記検査画像と、前記付着物が付着してない状態での前記吐出口近傍の全周の画像である基準画像との差分画像を算出し、
    前記評価制御において、前記差分画像における輝度値の平均値を算出し、
    前記判定制御において、前記平均値が閾値以上であるか否かに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、基板処理装置。
  2. 前記制御部は、
    前記評価制御において、前記ノズルの形状を特定するノズル形状情報と、前記差分画像における輝度値とに基づいて、前記ノズルにおいて前記付着物が付着した領域を推定し、
    前記判定制御において、前記付着物が付着した領域の推定結果に更に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記評価制御において、前記ノズル形状情報を用いて、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの内壁側の領域を含むか否かと、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの外壁側の領域を含むか否かとを推定する、請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの内壁側の領域を含むか否かの推定結果と、前記付着物が付着した領域が前記液ノズルの外壁側の領域を含むか否かの推定結果とに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作として、前記液ノズルの洗浄方法を選択する、請求項3に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記評価制御において、前記差分画像に二値化処理を行い、前記二値化処理を行った前記差分画像に基づいて、前記付着物が付着した領域を推定する、請求項2に記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記評価制御において、前記検査画像から推定された前記液ノズルに付着した付着物を撮像した領域の外形または大きさに基づいて、前記液ノズルに付着した付着物が液体であるか固体であるかを推定し、
    前記判定制御において、前記付着物が液体であるか固体であるかを推定した結果に更に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記撮像部は、複数のカメラを有し、
    前記複数のカメラは、前記ノズルの前記吐出口近傍において周方向に均等に配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記撮像部は、カメラと、ミラーと、を有し、
    前記ミラーは、前記ノズルの前記吐出口の下方に配置され、
    前記カメラは、前記ミラーの反射面と対向するように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記ノズルの前記吐出口の下方に配置され、前記基板を支持するための支持部を更に備え、
    前記撮像部は、カメラを有し、
    前記カメラは、前記支持部に支持された前記基板の前記吐出口側の表面と対向するように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記撮像部は、カメラと、ミラーと、前記吐出口及び前記基板が対向する方向と垂直な方向に延在するアームと、を有し、
    前記カメラは、前記アームの一端に接続され、
    前記ノズルは、前記アームの他端に接続され、
    前記ミラーは、前記カメラに対して死角となる前記ノズルの側面の外壁が写るように配置されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 下方の基板に対して吐出口から処理液を吐出する液ノズルを有する基板処理装置に係るノズル検査方法であって、
    前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周を撮像した検査画像を取得し、
    前記液ノズルの前記吐出口の近傍に係る全周の検査画像から、前記液ノズルの吐出口への付着物の付着状態の評価を行い、
    前記付着状態の評価の結果に基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定し、
    前記検査画像を取得することにおいて、前記検査画像と、前記付着物が付着してない状態での前記吐出口の近傍の全周の画像である基準画像との差分画像を算出し、
    前記付着状態の評価を行うことにおいて、前記差分画像における輝度値の平均値を算出し、
    前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定することにおいて、前記平均値が閾値以上であるか否かに基づいて、前記液ノズルに対して実行すべき動作を判定する、ノズル検査方法。
  12. 請求項11に記載のノズル検査方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

JP2023113984A 2019-08-13 2023-07-11 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体 Pending JP2023133329A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019148437 2019-08-13
JP2019148437 2019-08-13
JP2021539220A JP7313449B2 (ja) 2019-08-13 2020-08-04 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体
PCT/JP2020/029794 WO2021029274A1 (ja) 2019-08-13 2020-08-04 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021539220A Division JP7313449B2 (ja) 2019-08-13 2020-08-04 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023133329A true JP2023133329A (ja) 2023-09-22

Family

ID=74569583

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021539220A Active JP7313449B2 (ja) 2019-08-13 2020-08-04 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体
JP2023113984A Pending JP2023133329A (ja) 2019-08-13 2023-07-11 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021539220A Active JP7313449B2 (ja) 2019-08-13 2020-08-04 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP7313449B2 (ja)
KR (1) KR20220044319A (ja)
CN (1) CN114269481A (ja)
TW (1) TW202120198A (ja)
WO (1) WO2021029274A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202347550A (zh) * 2022-03-29 2023-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08141464A (ja) * 1994-11-17 1996-06-04 Hitachi Techno Eng Co Ltd ペースト塗布機
JP2003154301A (ja) * 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 塗布装置及び塗布方法
JP2004226272A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Seiko Epson Corp シミ欠陥の検出方法及び装置
JP2007021910A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc 液体吐出装置および液体吐出方法
JP2007289796A (ja) * 2006-04-20 2007-11-08 Yamaha Motor Co Ltd 塗布装置
JPWO2009072483A1 (ja) * 2007-12-05 2011-04-21 株式会社ニコン 観察装置および観察方法
JP2010119954A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Hitachi High-Technologies Corp 機能液塗布装置並びに機能液供給ヘッド交換装置及び交換方法
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6161489B2 (ja) * 2013-09-26 2017-07-12 株式会社Screenホールディングス 吐出検査装置および基板処理装置
KR101673061B1 (ko) * 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2015148447A (ja) * 2014-02-04 2015-08-20 東レエンジニアリング株式会社 自動外観検査装置
JP2015153903A (ja) * 2014-02-14 2015-08-24 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6340204B2 (ja) 2014-02-14 2018-06-06 エイブリック株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP6035279B2 (ja) * 2014-05-08 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、膜厚測定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6423672B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2016114264A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社村田製作所 滴下量測定装置、滴下量コントローラ、点滴装置および液滴体積測定装置
JP6686712B2 (ja) * 2016-06-08 2020-04-22 大日本印刷株式会社 スパウト検査装置およびスパウト検査方法
JP6752081B2 (ja) * 2016-08-12 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 接液ノズルの洗浄方法及び洗浄装置
JP2018051432A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置
JP2018187792A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置および液体吐出装置の動作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021029274A1 (ja) 2021-02-18
CN114269481A (zh) 2022-04-01
WO2021029274A1 (ja) 2021-02-18
TW202120198A (zh) 2021-06-01
KR20220044319A (ko) 2022-04-07
JP7313449B2 (ja) 2023-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102271777B1 (ko) 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP6444909B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI804630B (zh) 塗布膜形成裝置及塗布膜形成裝置之調整方法
US11914298B2 (en) Liquid processing apparatus and method of detecting liquid in liquid processing apparatus
JP2023133329A (ja) 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体
US11158079B2 (en) Substrate treating apparatus and apparatus and method for eccentricity inspection
JP2016122681A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN104854688A (zh) 基板处理装置、基板装置的运用方法以及存储介质
JP2020061404A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20150234277A1 (en) Liquid treatment method, substrate processing apparatus and non-transitory storage medium
JP2011146683A (ja) 液処理装置、塗布、現像装置、塗布、現像方法、及び記憶媒体
KR101191034B1 (ko) 모니터링 시스템 및 그 방법
US11448978B2 (en) Contamination handling for semiconductor apparatus
JP2003273003A (ja) 基板処理装置
KR20110019239A (ko) 기판 처리 장치 및 그의 처리 방법
JP2016207838A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI737335B (zh) 噴嘴內部之氣液界面之檢測方法及基板處理裝置
CN108695209A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
TW202106395A (zh) 塗布裝置及塗布方法
TWI831656B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2003272986A (ja) 基板処理装置
TW202001680A (zh) 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及記憶媒體
WO2023223861A1 (ja) 情報収集システム、検査用基板、及び情報収集方法
JP5407900B2 (ja) 流量測定装置及び流量測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230726

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240516