TW202001680A - 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及記憶媒體 - Google Patents

凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW202001680A
TW202001680A TW108122555A TW108122555A TW202001680A TW 202001680 A TW202001680 A TW 202001680A TW 108122555 A TW108122555 A TW 108122555A TW 108122555 A TW108122555 A TW 108122555A TW 202001680 A TW202001680 A TW 202001680A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
bump
substrate
height
seed layer
light
Prior art date
Application number
TW108122555A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI791860B (zh
Inventor
奥園貴久
富田正輝
藤方淳平
高栁秀樹
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW202001680A publication Critical patent/TW202001680A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI791860B publication Critical patent/TWI791860B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608—Height gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/45—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length using interferometric methods; using Schlieren methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1146—Plating
    • H01L2224/11462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/117—Manufacturing methods involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明可簡易地量測凸塊高度。本發明之凸塊高度量測裝置具備：光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光；及控制裝置，其係依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊的前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。

Description

凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及記憶媒體
本發明係關於一種凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式之記憶媒體。
鍍覆裝置係量測鍍覆處理後之基板的鍍覆膜厚，當鍍覆膜厚有異常時中止鍍覆處理。例如，從鍍覆後之基板剝離抗蝕層，並以鍍覆裝置外部之膜厚量測機量測鍍覆膜厚。此時，繼續實施基板之鍍覆處理至掌握鍍覆膜厚的異常，會發生膜厚分布有異常之眾多基板的情況。
在鍍覆裝置內設置膜厚量測機之例，如日本特開2002-190455號公報（專利文獻1）中記載有半導體製造裝置，其具備量測鍍覆前後之膜厚的鍍覆前後膜厚量測機。其構成因為需要藉由鍍覆前後膜厚量測機量測鍍覆前後的膜厚，所以可能導致處理量(throughput)降低。
此外，日本特開2002-190455號公報（專利文獻1）中記載有第一對準器兼膜厚量測單元及第二對準器兼膜厚量測單元，不過因為需要藉由第一對準器兼膜厚量測單元量測鍍覆前之基板膜厚、與藉由第二對準器兼膜厚量測單元量測鍍覆後之基板膜厚，所以可能導致處理量降低，此外，因為按照不同的目的設置膜厚量測單元，所以可能導致裝置成本增加。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-190455號公報
（發明所欲解決之問題）
本發明之目的為解決上述問題之至少一部分。 （解決問題之手段）
本發明提供一種凸塊高度量測裝置係具備：光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光；及控制裝置，其係依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊的前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。
本發明提供一種凸塊高度量測裝置係具備：光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光；及控制裝置，其係依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、與被前述種層直接反射之反射光，量測前述種層之高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光，量測前述凸塊之高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層的高度。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，以下各實施形態中，在相同或相當之構件上註記相同符號，並省略重複之說明。此外，本說明書中係使用「上」、「下」、「左」、「右」等之表現，不過，此等於說明權宜上，係表示在例示之圖式紙面上的位置、方向者，有時在使用裝置時等實際的配置上會有不同。此外，某個構件與其他構件所謂「對基板位於相反側」，是指位於與基板之任何一個基板面相對的構件、以及其他構件係與此相反側之基板面相對的方式設置。另外，基板上有在任何一方之面形成配線的情況，或在兩方之面形成配線的情況。
第一圖係本發明一種實施形態之基板處理裝置的整體配置圖。本例之基板處理裝置100係電解鍍覆裝置。此處係舉電解鍍覆裝置為例作說明，不過，本發明可適用於任意之鍍覆裝置。
基板處理裝置100大致區分為：在作為基板保持構件之基板固持器11中裝載作為被處理物的基板W，或是從基板固持器11卸載基板W之裝載/卸載部101A；及處理基板W之處理部101B。基板W包含圓形、方形、其他任意形狀之被處理物。此外，基板W包含半導體晶圓、玻璃基板、液晶基板、印刷基板、其他被處理物。基板固持器11例如具備第一保持構件及第二保持構件（省略圖示），並藉由第一保持構件與第二保持構件夾持著基板W而保持。基板固持器11中設有露出基板W之一面或兩面的開口部，並設有與基板W之外周部接觸用於供給電流的電極（接點）。
裝載/卸載部101A具有：複數個匣盒台102、對準器104、基板裝卸部105、乾燥裝置106、以檢查乾燥裝置106內之基板W的方式而配置之凸塊高度量測裝置200。匣盒台102搭載收納有基板W之匣盒。對準器104將基板W之定向平面或凹槽等之位置對準指定方向。基板裝卸部105具備將基板W裝卸於基板固持器11之方式而構成的1個或複數個基板裝卸裝置105a。乾燥裝置106使鍍覆處理後之基板W高速旋轉而乾燥。在此等單元之中央配置有具備在此等單元間搬送基板W的搬送機器人(conveyance robot)103a之基板搬送裝置103。
處理部101B中具有：進行基板固持器11之保管及暫時放置的倉儲(stocker)107、預濕槽108、噴吹槽109、沖洗槽110、及鍍覆處理部112。預濕槽108係將鍍覆處理前之基板W浸漬於純水中。沖洗槽110係與基板固持器11一起以洗淨液洗淨鍍覆處理後之基板W。噴吹槽109係進行洗淨後之基板W的排液。鍍覆處理部112具有複數個鍍覆槽112a，該複數個鍍覆槽112a具備溢流槽。各鍍覆槽112a在內部收納一個基板W，使基板W浸漬於保持在內部的鍍覆液中，而對基板表面進行銅鍍覆等之鍍覆處理。此處，鍍覆液之種類並無特別限制，可依用途使用各種鍍覆液。本實施形態之一例為說明藉由鍍覆處理在基板表面形成凸塊的情況。另外，該基板處理裝置100之處理部101B的構成係一例，亦可採用其他構成。
基板處理裝置100具有位於此等各設備之側方，在此等各設備之間搬送基板固持器11的採用任意驅動方式（例如線性馬達方式）之基板固持器搬送裝置113。該基板固持器搬送裝置113具有：第一輸送機114、及第二輸送機115。第一輸送機114及第二輸送機115在軌條116上行駛。第一輸送機114在基板裝卸部105與倉儲107之間搬送基板固持器11。第二輸送機115在倉儲107、預濕槽108、噴吹槽109、沖洗槽110、及鍍覆槽112a之間搬送基板固持器11。另外，亦可不具備第二輸送機115而僅具備第一輸送機114，並藉由第一輸送機114在上述各部之間進行搬送。
包含如以上構成之基板處理裝置100的鍍覆處理系統具有以控制上述各部之方式而構成的控制裝置120。控制裝置120具有：儲存各種設定數據及各種程式之記憶體120B；執行記憶體120B之程式的CPU120A；及藉由來自CPU120A之控制指令控制上述各部而構成之由排序器(sequencer)等構成的裝置控制器（無圖示）。CPU120A經由及/或不經由裝置控制器控制基板處理裝置100之各部。控制裝置120例如可由具有CPU120A及記憶體120B之裝置電腦、與裝置控制器而構成。
構成記憶體120B之記憶媒體可包含任意之揮發性記憶媒體、及/或任意之不揮發性記憶媒體。記憶媒體例如可包含ROM、RAM、硬碟、CD-ROM、DVD-ROM、軟式磁碟等任意之1個或複數個記憶媒體。記憶體120B亦可係裝置100以外之記憶體。記憶體120B儲存之程式例如包含：進行基板搬送裝置103之搬送控制的程式、在基板裝卸部105中進行基板對基板固持器之裝卸控制的程式、進行基板固持器搬送裝置113之搬送控制的程式、在鍍覆處理部112中進行鍍覆處理之控制的程式、及控制後述之凸塊高度量測裝置200的處理之程式。此外，控制裝置120藉由有線或無線可與統籌控制基板處理裝置100及其他相關裝置之無圖示的上級控制器通信地構成，並可在與上級控制器具有的數據庫之間進行數據交換。
第七圖係說明形成於基板之凸塊的高度差異之說明圖。基板W中，在種層301上形成抗蝕層302，並在形成凸塊303之部分圖案化有開口部302a。具有如此圖案化之抗蝕層302狀態的基板W搬入基板處理裝置100，並藉由電解鍍覆處理而在抗蝕層302之開口部302a形成凸塊303。凸塊303係突起電極，例如，使用於將單片化製作基板W之半導體裝置（晶片）或晶圓狀態的半導體裝置藉由倒裝片接合而與其他零件電性連接。第七圖中，（a）至（c）分別顯示藉由鍍覆處理形成高度不同之凸塊303的基板W。
第七(a)圖顯示形成超過正常高度範圍之高度（上限值hb2>凸塊高度hb）的凸塊303之基板W。第七(b)圖顯示形成正常高度範圍（下限值hb1≦凸塊高度hb≦上限值hb2）之凸塊303的基板W。第七(c)圖顯示形成未達正常高度範圍之高度（凸塊高度hb>下限值hb1）的凸塊303之基板W。下限值hb1及上限值hb2分別表示正常高度範圍之下限值及上限值。正常高度範圍例如係凸塊303從種層301表面低指定高度程度之高度（下限值hb1）以上，且與抗蝕層302表面一致的高度（上限值hb2）以下之範圍。此時，上限值hb2係種層301之膜厚。另外，下限值hb1及上限值hb2可依基板種類、凸塊高度之設計值等設定成希望的值。例如上限值hb2為超過抗蝕層302表面之高度，下限值hb1為從抗蝕層302表面低指定高度程度之高度、與抗蝕層302表面一致之高度、或超過抗蝕層302表面之高度。
第八圖顯示一種實施形態之凸塊高度的量測原理。第九圖顯示一種實施形態之凸塊高度的量測原理之量測例。
本實施形態係藉由3D變位計構成之凸塊高度量測裝置200量測凸塊303的高度。3D變位計例如係藉由白色干涉原理量測至對象物之距離的裝置。凸塊高度量測裝置200具有：無圖示之雷射光源、分束器（Beam Splitter）、參照反射鏡、及受光元件。從凸塊高度量測裝置200之雷射光源輸出的光藉由分束器分割，並如第八圖所示地照射於基板W之面，並且被凸塊高度量測裝置200內之參照反射鏡反射。被基板W之面反射的光、與被參照反射鏡反射之光作為干涉光而輸入凸塊高度量測裝置200內之受光元件，並依據干涉光之強度量測或算出基板面上的高度數據。例如，在基板面上設定基準面（基準高度），量測或算出基板面上之高度數據作為對其基準面的高度差。此處，雷射光源之光的波長係採用穿透抗蝕層302並被種層301反射的波長。雷射光源之光的波長係紅外線波長區域的波長，例如係700nm以上且1000nm以下的範圍。第八圖之例係藉由凸塊高度量測裝置200量測基板面上之各部高度，並如第九圖所示地取得高度輪廓構成之高度數據。第九圖係顯示表示凸塊303之表面高度、及被抗蝕層302覆蓋之種層301表面高度的高度輪廓。另外，高度數據亦可以三維影像賦予。
此處，經由抗蝕層302再被種層301表面反射之反射光SS（第八圖）的距離量測，從凸塊高度量測裝置200（感測器頭）至抗蝕層302下之種層301的距離（光程長）Ls，因抗蝕層302之折射率nr而量測出比實際距離（空氣中之光程長）要長。這是因為抗蝕層302之折射率nr比空氣的折射率n0（此處n0=1）大。將從凸塊高度量測裝置200（感測器頭）至種層301的距離設為Ls，至凸塊303之距離設為Lb時，凸塊高度量測裝置200量測之凸塊高度hb以公式（1）表示。 hb=Ls-Lb…（1）
從公式（1）瞭解量測至種層301的距離Ls長時，量測凸塊高度hb比實際高。因此，在凸塊高度量測裝置200所量測之凸塊303的高度hb中，需要考慮折射率之影響來修正抗蝕層302之厚度部分的距離。將抗蝕層302之厚度設為hr時，相當於抗蝕層302之厚度hr的距離，藉由凸塊高度量測裝置200依據反射光SB及反射光SS而量測為nr＊hr。因此，係進行從3D變位計所量測之凸塊高度hb減去nr＊hr，再加上以空氣折射率量測之抗蝕層302的厚度hr之修正。換言之，係進行藉由以下公式（2）之計算除去抗蝕層302的折射率之影響（因抗蝕層之折射率造成的誤差）的修正。hb’係凸塊高度之量測值修正後的值。另外，不將空氣中之折射率n0近似於1時，在公式（2）中將nr替換成nr/n0。 hb’=hb-nr*hr+hr=hb-(nr-1)hr…（2）
從公式（2）瞭解因抗蝕層302之折射率nr影響造成的誤差表示為Δ=(nr-1)hr。藉由從量測出之凸塊高度hb減去該誤差Δ=(nr-1)hr，可獲得除去抗蝕層302之折射率nr影響的凸塊高度hb’。
上述公式（2）中之抗蝕層302的厚度hr可使用設計值。抗蝕層302之厚度hr及折射率nr可在選單數據(recipe data)中設定。
第十二圖顯示凸塊高度量測裝置對基板面之掃描例。此處，顯示在基板W之外周部分割成基板W之徑方向的位置不同，包含全周而延伸之複數個步驟（該圖之例係5個之步驟1~5）進行掃描之例。各步驟對應於包含基板之全周而延伸的路線（Track）。各步驟進一步沿著周方向分割成複數個量測區域400。各量測區域400顯示凸塊高度量測裝置200每1次之量測範圍。
此例如以下係藉由凸塊高度量測裝置200掃描基板W之面。（1）在步驟-1中，旋轉基板W，同時藉由凸塊高度量測裝置200包含全周量測各量測區域400的高度數據。（2）將凸塊高度量測裝置200移動至基板W之徑方向內側方向，凸塊高度量測裝置200之位置在基板W上，並從步驟1變更成步驟2。以下從步驟2至步驟5反覆進行上述同樣之處理，量測步驟1~5包含之量測區域400。另外，量測之步驟數、各步驟中包含之量測區域400數量亦可經由控制裝置120設定。例如，亦可追加及省略步驟，亦可省略各步驟之一部分量測區域。省略量測區域之例，在包含全周之量測區域中可為每間隔1個就有不量測的區域。如此，可考慮量測需要之時間、量測精度、基板種類之特徵等來設定希望的量測範圍。
僅拍攝基板W之外周部圖案的理由如以下。在將基板W保持於基板固持器11的狀態下電解鍍覆時，基板固持器11之接點（電極）接觸於基板W的外周部，經由此等接點對基板W整個區域（外周部及其內側區域）供給電流。因此，當基板W上之凸塊高度發生異常情況下，多為基板W外周部之凸塊高度發生異常的情況。因而，藉由拍攝基板W之外周部圖案，可以足夠之精度進行凸塊高度檢查。此外，外周部以外亦特定有因基板W之特性而凸塊高度容易發生異常的部位時，亦可拍攝其特定之部位。
另外，此處係顯示量測基板W之外周部（例如從基板外緣50mm之範圍）的情況，不過，亦可包含內周側來量測基板W的全部區域。
第二圖係一例之凸塊高度量測裝置的概略構成圖。凸塊高度量測裝置200設於乾燥裝置106。本實施形態係顯示乾燥裝置106為自旋沖洗乾燥機時之例，不過乾燥裝置106亦可係僅具備乾燥功能之自旋乾燥機等任意的乾燥裝置。
如第二圖所示，乾燥裝置106具備：框體131、配置於框體131內之基板旋轉機構132、及配置於基板旋轉機構132上方或附近之噴嘴134。框體131內設有用於從外部遮蔽框體131之內部空間的擋門(shutter)133。擋門133以遮蔽及開放框體131之內部空間與外部的方式可開閉地構成。基板旋轉機構132在其放置面放置及保持基板W，並使基板W旋轉。噴嘴134對保持於基板旋轉機構132之基板W供給洗淨液及/或純水。乾燥裝置106中，基板W藉由基板旋轉機構132而旋轉，同時藉由從噴嘴134供給之洗淨液及/或純水洗淨基板W，來自噴嘴134之洗淨液及/或純水停止供給後，藉由基板旋轉機構132高速旋轉進行乾燥。
此處，是舉凸塊高度量測裝置200配置於乾燥裝置106之框體131外部時為例，不過，亦可將凸塊高度量測裝置200之一部分或全部的構成配置於乾燥裝置106的框體131內。此時，宜以擋門133隔開凸塊高度量測裝置200之設置空間與進行乾燥處理之乾燥處理部。凸塊高度量測裝置200之配置只要可檢查乾燥裝置106內之基板即可，亦可配置於乾燥裝置106之內部或外部，亦可安裝於或不安裝於乾燥裝置106。
凸塊高度量測裝置200具備：光感測器201、與光感測器201之控制器202。光感測器201及控制器202構成3D變位計。本實施形態之3D變位計如上述係藉由白色干涉原理量測至對象物的距離之裝置。3D變位計之一例可使用KEYENCE公司之LK-G5000系列的WI-010。此外，凸塊高度量測裝置200具備用於使光感測器201在上下方向（第二圖之Z軸方向）及水平方向（第二圖之X軸方向）移動的Z軸機器人203及X軸機器人204。Z軸機器人203係上下方向移動機構之一例，X軸機器人204係水平方向移動機構之一例。Z軸機器人203及X軸機器人204藉由控制器202及/或控制裝置120來控制。
控制裝置120及/或控制器202構成凸塊高度量測裝置200之控制裝置。控制裝置120藉由執行控制凸塊高度量測裝置200之處理的程式，經由控制器202及/或不經由控制器202控制凸塊高度量測裝置200的各部。
光感測器201係3D變位計之感測器頭。光感測器201具有：無圖示之雷射光源、分束器、參照反射鏡、受光元件。從光感測器201之雷射光源輸出的光藉由分束器分割而照射於基板W之面，並且被光感測器201內之參照反射鏡反射。被基板W之面反射的光、與被參照反射鏡反射之光作為干涉光而輸入光感測器201的受光元件，再依據干涉光之強度量測或算出基板面上的高度數據。例如，在基板面上設定基準面（基準高度），量測或算出基板面上之高度數據作為對其基準面的高度差。第八圖及第九圖之例係將抗蝕層302下之種層301表面作為基準高度，而取得凸塊303之高度數據。光感測器201安裝於第二圖所示之Z軸機器人203。Z軸機器人203安裝於X軸機器人204。藉此，光感測器201可在Z軸方向移動，並且在X軸方向移動。
擋門133遮蔽/開放框體131的內部與外部之間。在框體131內部將基板W洗淨乾燥之前或洗淨乾燥之後，開放擋門133，並藉由凸塊高度量測裝置200量測、檢查基板W上之凸塊高度。於基板W洗淨乾燥時，藉由擋門133遮蔽框體131的內部與外部之間，保護凸塊高度量測裝置200避免沾到洗淨液等，並且不致影響洗淨乾燥處理。
第三圖顯示基板處理裝置中之處理的整體流程。該處理係藉由控制裝置120及控制器202來執行。另外，該處理亦可與其他電腦及/或控制器合作執行。
步驟S1係藉由搬送機器人103a從匣盒台102上之匣盒取出基板W，並搬入基板裝卸部105的基板裝卸裝置105a。步驟S2係在基板裝卸裝置105a中將基板W安裝於基板固持器11。步驟S3係使藉由基板固持器搬送裝置113而搬入預濕槽108之基板固持器11浸漬於純水。然後，藉由基板固持器搬送裝置113將基板固持器11搬入鍍覆處理部112之任何一個鍍覆槽112a，對保持於基板固持器11之基板W實施鍍覆處理，而在基板W上形成凸塊（步驟S4）。鍍覆處理後，藉由基板固持器搬送裝置113將基板固持器11搬入沖洗槽110，與基板固持器11一起以洗淨液洗淨基板W（步驟S5）。將洗淨後之基板固持器11藉由基板固持器搬送裝置113搬入噴吹槽109，進行洗淨後之基板W的排液（步驟S6）。然後，藉由基板固持器搬送裝置113將基板固持器11搬入基板裝卸部105的基板裝卸裝置105a，從基板固持器11拆卸基板W（步驟S7）。將從基板固持器11拆卸之基板W藉由搬送機器人103a搬入乾燥裝置106，在乾燥裝置106中進行基板W之洗淨及乾燥（步驟S8）。此外，乾燥裝置106係對基板W執行凸塊高度檢查處理（步驟S9）。凸塊高度檢查處理（S9）亦可在洗淨及乾燥處理（S8）之前或之後執行。在乾燥裝置106之處理後，基板W藉由搬送機器人103a返回匣盒（步驟S10）。
第四圖係在步驟S9執行之凸塊高度檢查處理中的量測階段之處理流程圖。
步驟S21係開放擋門133，藉由Z軸機器人203將光感測器201以位於從基板W在指定距離範圍內之方式，下降至乾燥裝置106之框體131內，並且藉由X軸機器人204，以光感測器201移動至基板W上之步驟-1（第十圖）的初始位置之方式進行調整。
步驟S22係將指定量測步驟之計數器n設定成初始值1。
步驟S23係藉由基板旋轉機構132旋轉基板W，凸塊高度量測裝置200包含全周依序量測對應於基板W現在步驟之路線（Track）內的各量測區域400之高度。量測後之高度數據（第九圖）從控制器202轉送至控制裝置120，在控制裝置120中使用高度數據進行凸塊高度的檢查。另外，亦可取代藉由基板旋轉機構132旋轉基板，而例如經由感測器旋轉機構（無圖示）將光感測器201安裝於Z軸機器人203，並藉由感測器旋轉機構使光感測器201沿著基板之周方向旋轉。
步驟S24係藉由判斷是否成為n=N，來判斷是否已量測全部步驟。N係設定之全部步驟數，而第十二圖之例係N=5。
在步驟S24中，n小於N情況下，累計（Count up）n（步驟S25），在步驟S26中，藉由X軸機器人204使光感測器201移動至下一個步驟，並返回步驟S23。以下，在步驟S24中反覆進行步驟S23～S26的處理直至成為n=N。在步驟S24中成為n=N時結束凸塊高度量測處理。
第五圖係在步驟S9執行之凸塊高度檢查處理中的檢查階段之處理流程圖。第五圖之處理係在全部路線（第十二圖之步驟1~5）的高度數據量測後（第四圖之步驟S24成為Yes（是）後）對量測之全部高度數據執行。
步驟S31係從藉由光感測器201所量測出之種層301（抗蝕層302下方）及凸塊303的高度數據（第九圖）算出或取得各凸塊303的高度hb。步驟S31之處理係由控制裝置120或控制器202執行。步驟S32以後之處理由控制裝置120執行。
步驟S32係考慮抗蝕層302之折射率nr來修正各凸塊303的高度hb。一例為從選單數據取得抗蝕層302之厚度hr及折射率nr，並藉由公式（2）修正各凸塊303的高度hb，而算出修正後之凸塊高度hb’。 hb'=hb-(nr-1)hr…（2）
步驟S33係判定各凸塊之高度hb’是否在正常的高度範圍內（下限值hb1以上，且上限值hb2以下）。
步驟S33中判定為各凸塊之高度hb’在正常的高度範圍內時轉移至步驟S38。步驟S38係將使用於該基板W之鍍覆處理的鍍覆電流等反饋於控制裝置120之鍍覆處理控制程式等，並結束檢查階段的處理。
步驟S33中，判定為存在凸塊高度hb’不在正常高度範圍內的凸塊時，轉移至步驟S34。
步驟S34係判定被判定為不在正常高度範圍之各凸塊的高度hb’是否在第二下限值hb11（>下限值hb1）以上，且第二上限值hb22（>上限值hb2）以下的範圍內。第二下限值hb11及第二上限值hb22雖為正常高度範圍之外，不過為用於設定並未達到不能使用基板固持器及/或鍍覆槽程度之誤差的警報範圍之值，且設定成接近下限值hb1及上限值hb2的值。
步驟S34中，判定為被判定為不在正常高度範圍之各凸塊高度hb’係在第二下限值hb11以上且第二上限值hb22以下之範圍（警報範圍）內時（警報判定），在步驟S35發出警報，並轉移至步驟S38。然後，在執行步驟S38的處理後結束檢查階段之處理。
步驟S34中，判定為被判定為不在正常高度範圍之各凸塊的高度hb’不在第二下限值hb11以上且第二上限值hb22以下之範圍（警報範圍）內時（不使用判定），發出警報（S36），不使用該基板W處理中使用之基板固持器11及/或鍍覆槽112a（步驟S37）。然後，在執行步驟S38的處理後結束檢查階段之處理。另外，以成為不使用對象之基板固持器及/或鍍覆槽繼續執行現在鍍覆處理中之基板的鍍覆處理，並在該基板之處理結束後不再使用該基板固持器及/或鍍覆槽。此外，複數次連續對凸塊高度發生不使用之異常時，亦可不再使用該基板固持器及/或鍍覆槽。換言之，在複數次連續不使用判定之前亦可繼續使用經過不使用判定的基板固持器及/或鍍覆槽。此外，即使是警報判定或不使用判定之基板固持器及/或鍍覆槽，在下一個基板處理後量測時判定為凸塊高度正常時，亦可解除警報判定或不使用判定。此外，亦可現在在鍍覆處理部112內之全部基板的鍍覆處理結束後，使鍍覆裝置停止進行維修。亦即，對基板執行凸塊高度檢查，即使判定結果為警報判定或不使用判定，仍可依指定之條件決定實際上是否發出警報或是對基板固持器及/或鍍覆槽進行不使用之處理。
本說明書在說明權宜上，係將發出警報之判定（第五圖之S35）稱為警報判定（L），並將發出警報並且判定基板固持器及/或鍍覆槽為不可使用（第五圖之S36、S37）稱為不使用判定（LL）。另外，凸塊高度之異常有超出上限值hb2之異常、及低於下限值hb1的異常，不過從簡化記載之觀點，將「警報判定」、「不使用判定」分別註記為L、LL。在以下之說明中亦同。具體而言，警報判定係因為發出催促基板固持器及/或鍍覆槽進行維修之警報而進行。不使用判定係因為發出警報、並且/或基板固持器及/或鍍覆槽不可使用而進行。對基板進行檢查及判定，判定結果作為該基板之處理資訊或處理履歷，與使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽相關連，而記錄於鍍覆裝置（例如控制裝置、或控制裝置可讀取之記憶體等）。依據判定結果之處理（發出警報、不使用基板固持器及/或鍍覆槽之處理等）係對使用於該基板處理之基板固持器及/或鍍覆槽進行。一例為控制裝置依據判定結果決定是否執行前述處理，判斷為已滿足指定條件時執行前述處理。另外，對警報判定或不使用判定之基板的判定係與關於用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽而發出的警報，或是不使用該基板固持器及/或鍍覆槽之處理有關，因此警報判定或不使用判定之判定或相關的評估亦可說是對使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽進行。亦即，藉由對基板進行檢查、判定，亦可以說是對使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽實施判定或評估。
另外，步驟S31至S38的處理亦可每次在1個或複數個路線（步驟1~5）中的量測結束時，對於以該路線所量測之全部高度數據執行。此外，步驟S31至S38的處理亦可在每次1個或複數個量測區域400量測結束時，對於在該量測區域所量測的高度數據執行。 （其他實施形態）
第十圖顯示其他實施形態之凸塊高度的量測原理。第十一圖顯示其他實施形態之凸塊高度的量測原理之量測例。
本實施形態係凸塊高度量測裝置200如第十一圖所示，將被抗蝕層302覆蓋之區域（第十圖的區域A）中的種層301表面作為基準面（基準高度），量測凸塊303之高度hb，及未被抗蝕層302覆蓋之露出部分（第十圖之區域B）中的種層301之高度hs，並藉由hb-hs算出或取得凸塊303之高度。從凸塊高度量測裝置200之光感測器201在基板面上照射光情況下，將從凸塊303、區域A之種層301、區域B之種層301反射之光分別設為反射光SB、SSA、SSB。依據反射光SSA與反射光SB，藉由量測至區域A之種層301的光程長（Ls）與至凸塊303之光程長（Lb）的光程差（Ls-Lb），而如第十一圖所示，算出或量測將區域A之種層301作為基準面的凸塊303之高度hb。並依據反射光SSA與反射光SSB，藉由量測至區域A之種層301的光程長（Ls）與至區域B之種層301的光程長（Ls0）之光程差（Ls-Ls0），而如第十一圖所示，算出或量測將區域A之種層301作為基準面的區域B之種層301的高度hs。
種層301之露出部分的區域B存在於基板W的外周區域。該區域B係在以基板固持器11保持時被密閉於基板固持器11內，而饋電用之接點接觸的區域，且不與鍍覆液接觸，即使在鍍覆處理後仍然為種層露出的狀態。
如上述，因為抗蝕層302具有比空氣中之折射率n0大的折射率nr，所以對來自光感測器201之光，抗蝕層302之膜厚具有比空氣中大之外觀上的距離（光程長）。換言之，在被抗蝕層302覆蓋之區域A中的種層301，係以比露出部分之種層301距離光感測器201遠的方式量測。因而，在依據反射光SSA及反射光SSB量測之至區域A的種層301之光程長Ls、與至區域B之種層301的光程長Ls0之間，如第十一圖所示地產生光程差hs。
實際應量測之凸塊303的高度，藉由從將區域A之種層301作為基準面的凸塊303之高度hb（光程差），減去將區域A之種層301作為基準面的區域B之種層301的高度hs（光程差）（hb-hs）可算出或取得。
本實施形態係在第四圖之量測處理中，藉由凸塊高度量測裝置200將區域A之種層301作為基準面，算出或量測凸塊303之高度hb、及區域B之種層301的高度hs，而取得第十一圖所示之基板面的高度數據。然後，執行第六圖之檢查階段的處理。
第六圖係其他實施形態之凸塊高度檢查處理中的檢查階段之處理流程圖。
步驟S41係從基板面算起之高度數據（第十一圖）使用以下的公式（3），算出或取得各凸塊303的高度。 hb'=hb-hs （3） 此處，hb係將區域A之種層301作為基準面的凸塊303之高度的量測值，而hs係將區域A之種層301作為基準面的區域B之種層301的高度之量測值。然後，執行步驟S42～S47之處理。由於步驟S42～S47之處理與第五圖之步驟S33～S38同樣，因此省略此等之說明。
另外，與第五圖之步驟S33～S38同樣地，第六圖之處理係在對全部路線（第十二圖之步驟1~5）之高度數據量測後（第四圖之步驟S24成為Yes（是）之後），對量測之全部高度數據執行。另外，步驟S42～S47之處理亦可每當1個或複數個路線（步驟1~5）中之量測結束時，對在該路線所量測之全部高度數據執行。此外，步驟S42～S47之處理亦可每當1個或複數個量測區域400之量測結束時，對在該量測區域所量測之高度數據執行。
在第五圖及第六圖之檢查階段的流程圖中之判定處理中，只要存在1個不使用判定（LL）之凸塊，則對基板判定為不使用判定（LL），實際上，亦可不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽，指定數量或比率以上之凸塊被判定為不使用判定（LL）時，對基板判定為不使用判定（LL），實際上亦可不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽。同樣地，只要存在1個警報判定（L）之凸塊，則對基板判定為警報判定（L），實際上亦可發出警報，指定數量或比率以上之凸塊判定為警報判定（L）時，對基板判定為警報判定（L），實際上亦可發出警報。 （量測區域之判定）
第五圖及第六圖之檢查階段流程圖中的判定處理可對各量測區域400執行。例如在作為判定對象之量測區域400中包含的1個或複數個凸塊之高度（藉由第五圖之S31、S32或第六圖之S41算出）中決定最大值hb’ max及最小值hb’ mini。最大值hb’ max及最小值hb’ mini在下限值hb1以上且上限值hb2以下之範圍（正常範圍）時，則對該量測區域400判定為正常（第五圖之S33-S38，第六圖之S42-S47）。最大值hb’ max及最小值hb’ mini雖然不在正常範圍，不過在第二下限值hb11以上且第二上限值hb22以下的範圍（警報範圍）時，則對該量測區域400判定作為警報判定（L）（第五圖之S34-S35，第六圖之S43-S44）。最大值hb’ max及最小值hb’ mini判定為小於第二下限值hb11或超過第二上限值hb22時，對該量測區域400判定作為不使用判定（LL）（第五圖之S36-S37，第六圖之S45-S46）。
此外，對各量測區域400執行上述之凸塊高度判定，只要存在1個不使用判定（LL）之量測區域400，亦可對基板判定為不使用判定（LL），實際上不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽，指定數量或比率以上之量測區域400判定為不使用判定（LL）時，亦可對基板判定為不使用判定（LL），實際上不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽。同樣地，只要存在1個警報判定（L）之量測區域400，亦可對基板判定為警報判定（L），實際上發出警報，指定數量或比率以上之量測區域400判定為警報判定（L）時，亦可對基板判定為警報判定（L），實際上發出警報。
藉由各量測區域進行判定、及/或藉由使用量測區域內之最大值及最小值進行判定，即使有時依凸塊前端之形狀及性狀，而凸塊反射之光未充分返回感測器等原因，造成光感測器的量測值會有量測雜訊，仍可使基板上之凸塊高度的評估精度提高。例如，可減輕因為光感測器之量測雜訊而錯誤檢知警報判定及不使用判定的風險。 （過濾）
亦可進行從第五圖及第六圖之檢查階段的流程圖中之判定處理（包含各量測區域進行判定時）、以及在以下說明的判定處理之前，量測之凸塊高度的值中，判定處理超過指定數值範圍（hbf1以上且hbf2以下）之凸塊高度值排除的過濾處理。過濾通過範圍（hbf1以上且hbf2以下）如第十三圖所示，係超過警報範圍（hb11以上且hb22以下）的範圍。過濾處理之數值範圍係以凸塊高度之量測結果中從判定處理切除雜訊的方式設定。例如，依凸塊前端之形狀及性狀，因為凸塊反射之光未充分返回感測器等造成光感測器之量測值產生量測雜訊。過濾處理之數值範圍係以在判定處理中不參照此種量測雜訊，換言之不參照作為鍍覆結果通常不會有之異常量測值的方式設定。藉由使用此種過濾處理後之凸塊高度值進行判定可使判定精度提高。 （判定例1）
此外，為了進一步抑制光感測器中之量測雜訊對判定結果的影響，亦可考慮複數個量測區域400中之量測結果，來判定各量測區域400的凸塊高度。例如，如上述將對各量測區域400所執行之凸塊高度的判定結果作為臨時判定，依據作為對象之量測區域400的臨時判定結果、與鄰接或靠近該量測區域400之1個或複數個量測區域400的臨時判定結果，來確定作為對象之量測區域400的最後判定。例如，將使用於最後判定之量測區域數（包含作為最後判定對象之量測區域的鄰接或靠近的量測區域數）設為N(E)，並將用於最後判定之臨限值設為NN(E)。而後，檢查包含作為最後判定對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果。例如，臨時判定結果係不使用判定（LL）之量測區域400數大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為不使用判定（LL）。此外，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400數大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L）。
第十四圖係使用於最後判定的量測區域之例。如該圖所示，使用於最後判定之複數個量測區域400例如可包含：作為對象之量測區域400；及對於作為對象之量測區域400在基板之半徑方向及/或周方向（穿過步驟之方向及沿著步驟的方向）鄰接或靠近的量測區域。此外，使用於最後判定之複數個量測區域400亦可係連續之量測區域400，亦可係不連續之量測區域400。此外，其他例亦可使用於最後判定之複數個量測區域400亦可係包含作為最後判定對象之量測區域400的規則地或隨機地選擇之量測區域400（相同或不同步驟）。省略對一部分步驟及/或一部分量測區域量測凸塊高度情況下，使用於最後判定之複數個量測區域400在實際量測的量測區域中，為對於作為對象之量測區域400鄰接或靠近基板半徑方向及/或周方向的量測區域、連續之量測區域400、不連續之量測區域400、及規則地或隨機地選擇的量測區域400等。
第十五圖係說明依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之處理一例的說明圖。該圖係顯示在特定步驟之複數個量測區域400。為了區別各量測區域而註記（1）至（15）的編號。臨時判定結果、最後判定結果在各量測區域旁以警報判定（L）或不使用判定（LL）來顯示。另外，無L或LL註記之量測區域表示正常。此處係N(E)=5，NN(E)=2。而後，臨時判定結果係不使用判定（LL）之量測區域400數大於等於2時，作為對象之量測區域400的最後判定為不使用判定（LL）。此外，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400數大於等於2時，作為對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L）。
該圖中，進行量測區域（1）之最後判定時，包含作為對象之量測區域（1）的鄰接之N(E)=5個量測區域係量測區域（1）～（5）。量測區域（1）～（5）中，臨時判定結果係LL的量測區域數為1個，臨時判定結果係LL或L之量測區域的合計為2個。結果量測區域（1）之最後判定為警報判定（L）。
進行量測區域（3）之最後判定時，包含作為對象之量測區域（3）的鄰接之5個量測區域係量測區域（3）～（7）。量測區域（3）～（7）中，臨時判定結果係LL之量測區域數為2個。結果量測區域（3）之最後判定為不使用判定（LL）。
進行量測區域（9）之最後判定時，包含作為對象之量測區域（9）的鄰接之5個量測區域係量測區域（9）～（13）。量測區域（9）～（13）中，臨時判定結果係LL之量測區域數為0個。臨時判定結果係LL或L之量測區域的合計為1個。結果量測區域（9）之最後判定為正常。
另外，就臨時判定結果係正常之量測區域，不進行使用複數個量測區域之臨時判定結果的最後判定，而將臨時判定結果（正常）作為最後判定結果。其他例，即使就臨時判定結果係正常之量測區域，亦可實施使用鄰接或靠近之量測區域的臨時判定結果之最後判定。
上述例使用於最後判定之量測區域係從作為對象之量測區域選擇後續的量測區域，不過，亦可選擇作為對象之量測區域前後的量測區域或是前面的量測區域。
以下，在取得各量測區域之臨時判定結果後進行最後判定時、與對各量測區域量測的同時進行最後判定時，使用流程圖說明最後判定處理。
第十六圖係依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之處理流程圖。該處理係在取得各量測區域之臨時判定結果後執行。
S51係設定使用於最後判定之量測區域數N(E)、與用於最後判定之臨限值NN(E)。
S52係選擇作為最後判定之對象的量測區域400。
S53係判定作為對象之量測區域400的臨時判定結果是否為不使用判定（LL）。作為對象之量測區域400的臨時判定結果係不使用判定（LL）時進入S54。
S54係考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，判定N(E)個量測區域400中不使用判定（LL）之量測區域400數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中不使用判定（LL）之量測區域400數大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為不使用判定（LL）（S55）。
S54中，N(E)個量測區域400中不使用判定（LL）之量測區域400數並非大於等於NN(E)時進入S57。
S57係考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400之臨時判定結果，判定臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L）（S58）。
S57中，N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數並非大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為正常（S59）。
亦即，S53中，即使作為對象之量測區域400的臨時判定結果係不使用判定（LL），藉由考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，使作為對象之量測區域400的臨時判定結果確定為不使用判定（LL），或是變更成警報判定（L）或正常判定。
S53中，作為對象之量測區域400的臨時判定結果並非不使用判定（LL）時，進入S56。
S56係判定作為對象之量測區域400的臨時判定結果是否為警報判定（L）。作為對象之量測區域400的臨時判定結果係警報判定（L）時，進入S57。
S57係考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，判定臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L）（S58）。另外，N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數並非大於等於NN(E)時，作為對象之量測區域400的最後判定為正常（S59）。
亦即，S56中，即使作為對象之量測區域400的臨時判定結果係警報判定（L），藉由考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，使作為對象之量測區域400的臨時判定結果確定為警報判定（L），或是變更成正常。
S56中，作為對象之量測區域400的臨時判定結果並非警報判定（L）時，作為對象之量測區域400的最後判定為正常（S59）。亦即，作為對象之量測區域400的臨時判定結果係正常時，不考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，作為對象之量測區域400的臨時判定結果為正常（S59）。另外，即使作為對象之量測區域400的臨時判定結果係正常時，仍可考慮複數個量測區域400之臨時判定結果進行最後判定。
然後，變更作為對象之量測區域（S52），反覆進行S53以後之處理。
上述係S54及S57之NN（E）為相同值，不過S54及S57之NN（E）係可為彼此不同之值。
上述係說明對基板W之量測對象的整個區域（步驟1～5之量測區域400）量測凸塊高度，及執行臨時判定後，執行最後判定之處理的情況，不過，亦可在量測各量測區域400的同時執行臨時判定及最後判定之處理。例如，每次量測1個或複數個量測區域400時執行臨時判定，每次算出1個或複數組之最後判定需要的量測區域400之臨時判定結果時進行最後判定。此外，亦可與量測各量測區域400之同時執行臨時判定的處理，並在整個量測區域之凸塊高度量測及臨時判定處理之後，執行最後判定之處理。
第十七圖係依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之其他例的處理流程圖。該處理係在藉由凸塊高度量測裝置200對各量測區域量測之同時，對各量測區域執行臨時判定處理及最後判定處理。
S61係設定使用於最後判定之量測區域數N(E)、與用於最後判定的臨限值NN(E)。
S62係量測量測區域400之凸塊高度並執行臨時按定。量測各量測區域400並且對取得凸塊高度數據之量測區域400依序進行臨時判定，並在S63以後進行最後判定之處理。
S63係判定最後判定對象之量測區域400的臨時判定結果是否為不使用判定（LL）。量測之量測區域400的臨時判定結果為不使用判定（LL）時，在該量測區域400中豎立臨時旗標，設定包含該量測區域400之鄰接或靠近的N(E)個量測區域400後進入S64。
S64係在之後的量測中取得設定之N(E)個量測區域400的臨時判定結果時，判定N(E)個量測區域400中不使用判定（LL）之量測區域400數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中不使用判定（LL）之量測區域400數大於等於NN(E)時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為不使用判定（LL），並解除臨時旗標（S65）。
S64中，N(E)個量測區域400中，不使用判定（LL）之量測區域400數並非大於等於NN(E)時，進入S67。
S67係判定N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數大於等於NN(E)時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L），並解除臨時旗標（S68）。
S67中，N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數並非大於等於NN(E)時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為正常（S69）。
S63中，量測之最後判定對象的量測區域400之臨時判定結果係不使用判定（LL）時進入S66。
S66係判定最後判定對象之量測區域400的臨時判定結果是否為警報判定（L）。量測之量測區域400的臨時判定結果為警報判定（L）時，在量測區域400中豎立臨時旗標，設定包含量測之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400後進入S67。
S67係在之後的量測中，取得設定之N(E)個量測區域400的臨時判定結果時，判定N(E)個量測區域400中，臨時判定結果為不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數是否大於等於NN(E)。N(E)個量測區域400中，臨時判定結果為不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數大於等於NN(E)時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為警報判定（L），並解除臨時旗標（S68）。另外，N(E)個量測區域400中，臨時判定結果係不使用判定（LL）或警報判定（L）之量測區域400的合計數並非大於等於NN(E)時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為正常（S69）。
S66中，最後判定對象之量測區域400的臨時判定結果並非警報判定（L）時，最後判定對象之量測區域400的最後判定為正常（S69）。亦即，作為對象之量測區域400的臨時判定結果係正常時，不考慮包含作為對象之量測區域400的鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，作為對象之量測區域400的最後判定結果為正常。另外，作為對象之量測區域400的臨時判定結果係LL或L時，在作為對象之量測區域400中豎立臨時旗標，考慮鄰接或靠近之N(E)個量測區域400的臨時判定結果，對於作為對象之量測的量測區域400進行最後判定。另外，即使作為對象之量測區域400的臨時判定結果係正常時，仍可考慮複數個量測區域400之臨時判定結果進行最後判定。
上述處理係每次取得各量測區域400之凸塊高度數據時實施量測區域400的臨時判定，臨時判定結果係LL或L時，此時對該量測區域豎立臨時旗標，設定包含該量測區域之複數個量測區域，並依據複數個量測區域之臨時判定結果進行該量測區域的最後判定。
上述之S64及S67的NN(E)為相同值，不過S64及S67之NN(E)係可為彼此不同之值。
第十六圖及第十七圖之處理中，對各量測區域400執行如上述之凸塊高度的臨時判定及最後判定，只要存在1個最後判定係不使用判定（LL）之量測區域400時，對基板之判定即為不使用判定（LL），實際上亦可不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽（第五圖之S37、第六圖之S46），最後判定係不使用判定（LL）之量測區域400大於等於指定數或比率時，對基板之判定為不使用判定（LL），實際上亦可不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆。同樣地，只要存在1個最後判定係警報判定（L）之量測區域400，對基板之判定為警報判定（L），實際上亦可發出警報，最後判定為警報判定（L）之量測區域400大於等於指定數或比率時，對基板之判定為警報判定（L），實際上亦可發出警報。如此，藉由依據複數個量測區域400中之臨時判定結果執行各量測區域的最後判定，可避免當單發發出上述之量測雜訊時，基板之判定結果成為警報判定或不使用判定。 （判定例2）
第十八圖係說明依據基板在各判定地區（Area）內之複數個量測區域的判定結果，進行各判定地區之判定的處理一例之說明圖。量測區域之判定結果可為上述之臨時判定結果或最後判定結果。判定地區係包含1個或複數個量測區域的地區，亦可係將基板W以各指定旋轉角分割而獲得的地區，亦可係將基板W以相同或不同長度或面積而獲得的地區，其他，亦可為將基板W以任意方法分割而獲得的地區。該圖係顯示將基板W以30度旋轉角所分割之判定地區AR1～AR12的一部分之判定地區AR1～AR3。各判定地區內包含步驟1-5之複數個量測區域400。註記於各量測區域400之L及LL的標記係臨時判定（或最後判定）的結果。無L或LL標記之量測區域400表示正常。該例係在同一個判定地區且同一個步驟中，LL之量測區域數大於等於N(LL)時則為不使用判定（LL）。此外，在同一個判定地區且同一個步驟中，L或LL之量測區域400的合計數大於等於N(L/LL)時，對判定地區之判定為警報判定（L）。如此，使用包含於各判定地區AR之量測區域400的臨時判定結果（或最後判定結果）執行各判定地區AR的判定。
例如，N(L/LL)=N(LL)=2時，判定地區AR1中，因為步驟2中判定結果LL之量測區域400係2個（>=N(LL)），所以判定地區AR1之判定為LL（不使用判定）。另外，步驟1中判定結果L之量測區域400係1個（>N(L/LL)），雖然步驟4中判定結果L之量測區域400係1個（>N(L/LL)），不過不影響對判定地區AR1之判定。
判定地區AR2中，雖然步驟1中判定結果L或LL之量測區域400係3個（>=N(LL)），不過，因為LL之量測區域400數係1個（>N(LL)），所以判定地區AR2之判定為L（警報判定）。
判定地區AR3中，因為同一個步驟中並無大於等於N(LL)之LL的量測區域，且沒有大於等於N(L/LL)個之L或LL的量測區域，所以判定地區AR3之判定為正常。
第十九圖係說明依據基板之各判定地區內的複數個量測區域判定結果，進行各判定地區的判定之處理一例的說明圖。該處理係在對作為量測對象之整個區域（步驟1～5之量測區域400中實際量測的區域）執行凸塊高度的量測及量測區域之判定處理後執行。
S71係設定使用於警報判定（L）之判斷的臨限值N(L/LL)、與使用於不使用判定（LL）之判斷的臨限值N(LL)。
S72係選擇作為判定對象之判定地區AR。
S73係檢查對象之判定地區AR中包含的量測區域400之判定結果，判定該判定地區AR內之各步驟1至5判定結果係LL之量測區域400數是否大於等於N(LL)。有判定結果係LL之量測區域400數大於等於N(LL)之步驟時，該判定地區AR之判定為LL（不使用判定）（S74）。
S73中，並無判定結果係LL之量測區域400數大於等於N(LL)之步驟時，進入S75。S75係在該判定地區AR內之各步驟中，判定判定結果係L或LL之量測區域400數是否大於等於N(L/LL)。有判定結果係L或LL之量測區域400數大於等於N(L/LL)的步驟時，該判定地區AR之判定為L（警報判定）（S76）。
S75中，並無判定結果係L或LL之量測區域400數大於等於N(L/LL)的步驟時，該判定地區AR之判定為正常（S77）。
然後，變更判定地區（S72），反覆進行S73以後之處理。
採用上述判定處理時，因為設定比量測區域寬之判定地區，並依據判定地區內之複數個量測區域的判定結果對整個判定地區進行評估，所以可進一步降低量測雜訊之影響。此外，例如饋電電極（接點）情況不良時，在基板上之同一個步驟，亦即同一個徑方向位置（同一直徑之圓周上），對凸塊高度容易發生同樣的影響。採用該形態時，藉由依據對於在同一個判定地區且同一個徑方向位置的量測區域之判定結果對判定地區進行判定，可進一步提高判定精度。 （判定例3）
第二十圖係說明依據基板在各判定地區內之複數個量測區域的判定結果，進行各判定地區之判定的處理其他例之說明圖。量測區域之判定結果可為上述之臨時判定結果或最後判定結果。本例係設定用於警報判定（L）之臨限值N(L/LL)與用於不使用判定（LL）之臨限值N(LL)。而後，在同一個判定地區中，當L或LL之量測區域400的合計數大於等於N(L/LL)時，判定地區為警報判定（L），在同一個判定地區中，L或LL之量測區域400的合計數小於N(L/LL)時，判定為正常。此外，在同一個判定地區中，L或LL之量測區域400的合計數大於等於N(L/LL)，且LL之量測區域400數大於等於N(LL)時，判定地區為不使用判定（LL）。
在本例中，當N(L/LL)=4，N(LL)=2時，因為判定地區AR1係同一個判定地區中判定結果係L或LL之量測區域400有4個（>N(L/LL)），所以判定地區AR1係L（警報判定），再者，判定結果LL之量測區域400有2個（>=N(LL)）。因而判定地區AR1為LL（不使用判定）。
因為判定地區AR2係同一個判定地區中判定結果為L或LL之量測區域400有5個（>=N(LL)），所以判定地區AR2係L（警報判定），判定結果為LL之量測區域400有1個（>=N(LL)）。因而判定地區AR1之判定為L（警報判定）。
判定地區AR3係在同一個判定地區判定結果為L或LL之量測區域400有3個（>N(L/LL)）。因而，判定地區AR3之判定為正常。另外，即使在同一個判定地區判定結果為L或LL之量測區域400小於N(L/LL)個，若判定結果為LL之量測區域400大於等於N(LL)，該判定地區亦可為LL（不使用判定）。
第二十一圖係進行各判定地區之判定的處理其他例之流程圖。
S81係設定使用於警報判定（L）之判斷的臨限值N(L/LL)、與使用於不使用判定（LL）之判斷的臨限值N(LL)。
S82係選擇作為判定之對象的判定地區AR。
S83係檢查對象之判定地區AR中包含的量測區域400之判定結果，判定該判定地區AR中判定結果係L或LL之量測區域400的合計數是否大於等於N(L/LL)。判定結果係L或LL之量測區域400的合計數大於等於N(L/LL)時，進入步驟S84。另外，判定結果係L或LL之量測區域400的合計數並非大於等於N(L/LL)時，該判定地區AR為正常（S87）。
S84係判定該判定地區AR中判定結果係LL之量測區域400的合計數是否大於等於N(LL)。判定結果係LL之量測區域400的合計數大於等於N(LL)時，該判定地區AR為不使用判定（LL）（S85）。
另外，判定結果係LL之量測區域400的合計數並非大於等於N(LL)時，該判定地區AR為警報判定（L）（S86）。
然後，變更判定地區（S82），反覆進行S83以後之處理。
採用上述判定處理時，因為係設定比量測區域寬之判定地區，並依據判定地區內之複數個量測區域的判定結果對整個判定地區進行評估，所以可進一步降低量測雜訊之影響。此外，因為依據同一個判定地區內所有量測區域進行判定，所以與在同一判定地區內之各步驟進行判定時比較，可簡化判定處理。
在判定例2及3中，對各判定地區AR實施如上述之判定，只要存在1個不使用判定（LL）之判定地區AR，對基板之判定即為不使用判定（LL），實際上亦可發出警報，並且不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽，大於等於指定數或比率之判定地區AR被判定為不使用判定（LL）時，對基板之判定即為不使用判定（LL），實際上亦可發出警報，並且不可使用使用於該基板之處理的基板固持器及/或鍍覆槽。同樣地，只要存在1個警報判定（L）之判定地區AR，對基板之判定即為警報判定（L），實際上亦可發出警報，大於等於指定數或比率之判定地區AR被判定為警報判定（L）時，對基板之判定即為警報判定（L），實際上亦可發出警報。
上述係說明對基板W之量測對象的整個區域（步驟1～5之量測區域400中實際量測的區域）執行凸塊高度量測、及量測區域的判定處理後，執行判定地區的判定處理之情況，不過亦可在量測各量測區域400的同時執行量測區域之判定處理及判定地區的判定處理。例如，亦可每次量測1個或複數個量測區域400時執行量測區域之判定，每次算出1個或複數個判定地區之判定處理需要的量測區域400之判定結果時進行判定地區的判定處理。此外，亦可在量測各量測區域400之同時執行量測區域的判定處理，全部量測區域之凸塊高度的量測及量測區域的判定處理後，執行判定地區之判定處理。此外，亦可在量測各量測區域之凸塊高度的同時，適當同時實施量測區域之臨時判定處理、量測區域之最後判定處理、及/判定地區之判定處理。
凸塊高度異常有各種原因，而凸塊高度異常在基板上集中於特定區域產生的可能性高於在基板上散發性產生。判定例2及判定例3的形態因為係依據在基板上被分割之判定地區內的複數個量測區域的判定結果進行各判定地區的判定，所以不致過度受到散發性之量測雜訊的影響，而可適切進行判定。 （異常判定處理之解除）
第二十二圖至第二十四圖係基板處理之時間圖。上述實施形態之目的為藉由檢查基板上之凸塊高度，以早期判定基板固持器及/或鍍覆槽的不良。另外，基板之凸塊高度的異常起因於基板異常，且有時保持該基板之基板固持器及/或鍍覆槽係正常。因而，即使對基板之凸塊高度檢查結果異常，而對經同一基板固持器及/或鍍覆槽處理之其次基板的凸塊高度檢查結果並非異常情況下，則宜解除對基板固持器及/或鍍覆槽之警報判定L或不使用判定LL，並可使用基板固持器及/或鍍覆槽。因此，本實施形態可依判定為警報判定或不使用判定之基板的其次處理之基板的凸塊高度檢查結果，解除警報判定或不使用判定。
此處，以處理由同一基板固持器及/或鍍覆槽處理之晶圓1至3（基板）時為例做說明。此等圖中，處理A表示對乾燥裝置106中處理以外之基板的處理（第三圖之S1至S7），處理B表示乾燥裝置106中之洗淨/乾燥處理（第三圖之S8），處理C表示凸塊高度檢查（第三圖之S9）。
如第二十二圖所示，對晶圓1之處理A結束，在開始處理B的時間開始對晶圓2實施處理A。同樣地，對晶圓2之處理A結束，在開始處理B的時間開始對晶圓3實施處理A。在取得處理C之凸塊高度檢查結果的時間點（處理C結束時），使用處理過晶圓1之基板固持器及/或鍍覆槽開始處理（處理A）其次的晶圓2。因而，即使對晶圓1之凸塊高度檢查的結果係不使用判定（LL），已經開始使用同一個基板固持器及/或鍍覆槽對晶圓2繼續處理。因此，對晶圓1之凸塊高度檢查結果係不使用判定（LL）時，並非對其次之晶圓2，而係對2個後之晶圓3適用同一個基板固持器及/或鍍覆槽為不可使用的處理（第二十四圖）。
如第二十三圖所示，晶圓1之凸塊高度檢查結果係警報判定（L），且晶圓2之凸塊高度檢查結果係正常時，解除對該基板固持器及/或鍍覆槽的警報判定（L）。結果，在晶圓2之凸塊高度檢查後停止發出警報。例如，消除顯示於GUI(圖形使用者介面)上之催促維修的警報顯示。另外，連續或累積指定次數的警報判定後，實際上進行發出警報的處理情況下，當警報判定後之後續基板中為正常判定時，亦可藉由該正常判定不累計警報判定之累積次數，而進行倒數（Count down）或重設等的處理。此外，即使在指定次數之警報判定後實際上發出警報時，以後之基板中連續或累積指定次數（同一或其他指定次數）程度成為正常判定時，亦可解除發出警報之處理。
另外，鍍覆裝置中有基板固持器之洗淨機構時，亦可將警報判定（L）之基板固持器搬送至洗淨機構進行洗淨，然後使用該基板固持器再度開始基板之鍍覆處理。藉由使用洗淨後之基板固持器處理基板，解除警報判定（L）之可能性提高。
如第二十四圖所示，晶圓1之凸塊高度檢查結果係不使用判定（LL），且晶圓2之凸塊高度檢查結果係正常時，在晶圓2之凸塊高度檢查後，解除對該基板固持器及/或鍍覆槽的不使用判定（LL）。結果，解除不使用判定（LL）後，可使用曾經不使用之該基板固持器及/或鍍覆槽再度開始晶圓3之處理。
另外，因為藉由晶圓1之凸塊高度檢查結果為不使用判定（LL），而禁止對晶圓3使用該基板固持器及/鍍覆槽，所以如第二十四圖所示，對晶圓2之處理A結束的時間點，不開始使用該基板固持器及/或鍍覆槽對晶圓3之處理A。因而，晶圓2之凸塊高度檢查結果正常而解除不使用判定（LL）後，係使用該基板固持器及/或鍍覆槽再度開始晶圓3之處理。
另外，連續或累積指定次數之不使用判定後，實際上適用作為警報及/或不使用之處理情況下，在不使用判定後之後續基板中成為正常判定時，亦可藉由該正常判定不累計不使用判定之累積次數，而進行倒數或重設等之處理。
通常，鍍覆處理中使用不使用判定（LL）之基板固持器時，需要在基板固持器實施維修後手動解除不使用判定（LL），不過如上述，藉由可依其次晶圓之處理結果解除曾經設定之不使用判定（LL），可抑制實施不需要之維修，並可抑制處理量降低。
鍍覆裝置中有基板固持器之洗淨機構時，將不使用判定（LL）後之基板固持器搬送至洗淨機構進行洗淨後，僅處理1片基板，判定程序結果，判定結果係正常時，亦可解除對基板固持器及/或鍍覆槽之不使用判定（LL）。藉由使用洗淨後之基板固持器來處理基板，解除不使用判定（LL）之可能性提高。
如此，藉由凸塊高度檢查結果，即使對基板（處理該基板之基板固持器及/或鍍覆槽）形成警報判定（L）或不使用判定（LL），若對使用同一基板固持器及/或鍍覆槽之其次基板的檢查結果正常時，可解除警報判定（警報發出處理）或不使用判定（不使用處理），而使用該基板固持器及/或鍍覆槽繼續對後述之基板進行處理。藉此，當基板中有凸塊高度異常原因時，可對其他基板繼續使用處理過該基板之基板固持器及/或鍍覆槽。
從上述實施形態至少可掌握以下之形態。
第一形態提供一種凸塊高度量測裝置，係具備： 光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 控制裝置，其係依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光算出前述凸塊對前述種層之高度，再從依據前述反射光所算出之前述凸塊的高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。 凸塊高度量測裝置可設於鍍覆裝置、研磨裝置、或具備鍍覆裝置及研磨裝置之基板處理裝置、或其他基板處理裝置。凸塊高度量測裝置之控制裝置在將凸塊高度量測裝置設於基板處理裝置情況下，亦可藉由基板處理裝置之控制裝置的功能構成，亦可基板處理裝置之控制裝置與其他控制器合作構成。
採用該形態時，可藉由簡易之構成及處理量測基板上的凸塊高度。此外，由於可量測附有抗蝕層狀態之基板的凸塊高度，因此不需要在量測前剝離抗蝕層，而可在凸塊形成處理後之短時間內發現凸塊高度的異常。因而，可早期停止使用處理過有異常之基板的基板處理裝置之構成（例如基板保持構件、鍍覆槽）而製作有異常的基板。此外，因為在凸塊形成處理前後皆不需要進行基板之膜厚量測，所以可抑制處理量降低。
此外，因為考慮抗蝕層之折射率造成的誤差（抗蝕層之折射率對於到種層之光程長的影響）來算出凸塊高度，所以可使凸塊高度之算出精度提高。
第二形態提供一種凸塊高度量測裝置，係具備：光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及控制裝置，其係依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
採用該形態時，可達到與第一形態同樣之作用效果。但是，抗蝕層之折射率的影響如以下抵銷。換言之，將被抗蝕層所覆蓋之種層作為基準高度，量測凸塊及露出部分之種層的高度，藉由量測出之凸塊及種層的高度差算出凸塊之高度。藉此，抵銷抗蝕層之折射率對凸塊及露出部分之種層高度量測的影響。即使採用該構成仍可取得正確之凸塊高度。
第三形態如第一形態之凸塊高度量測裝置，其中前述誤差係使用選單所設定之前述抗蝕層的折射率及厚度而算出。
採用該形態時，使用抗蝕層之折射率及厚度可精確修正凸塊的高度。
第四形態如第一至第三形態中任何一種形態之凸塊高度量測裝置，其中前述光感測器係在前述基板之外周部照射光，前述控制裝置取得在前述基板之外周部的前述凸塊之高度。
鍍覆處理保持於基板保持構件之基板時，電極接觸於基板外周部，因為係經由電極對整個基板供給電流，所以鍍覆之凸塊高度發生異常情況下，多在基板外周部之凸塊發生高度異常。因而，量測基板外周部之高度數據，可依據量測數據檢測基板上之凸塊高度的異常。此時可降低量測範圍，並減少量測需要之時間。
第五形態如第四形態之凸塊高度量測裝置，其中藉由使前述基板旋轉之基板旋轉機構、或是使前述光感測器在前述基板周圍旋轉之感測器旋轉機構，使前述光感測器與前述基板以每次指定角度的方式相對性旋轉，前述光感測器掃描前述基板之外周部。
採用該形態時，因為使光感測器與基板以每次指定角度的方式相對性旋轉來量測基板之外周部，所以可降低1次量測時的量測範圍。
第六形態提供一種基板處理裝置，係具備：基板處理部，其係具有處理基板之1個或複數個基板處理單元；乾燥裝置，其係用於乾燥前述基板處理後之前述基板；凸塊高度量測裝置，其係設於前述乾燥裝置；及控制裝置，其係控制前述基板處理部、前述乾燥裝置、及凸塊高度量測裝置；前述凸塊高度量測裝置具有光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；前述控制裝置依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊的前述反射光算出前述凸塊對前述種層之高度，再從依據前述反射光所算出之前述凸塊的高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。
基板處理裝置可為鍍覆裝置、研磨裝置、或具備鍍覆裝置及研磨裝置之基板處理裝置、或其他基板處理裝置。1個或複數個基板處理單元包含鍍覆槽及研磨單元至少其中之一。控制裝置可由1個或複數個電腦及/或控制器構成(本文中的「及/或」意指選項中的至少其中之一)，且控制裝置執行之處理可由1個或複數個電腦及/或控制器分擔而合作進行。1個或複數個電腦及/或控制器可包含基板處理裝置之裝置電腦及裝置控制器、以及光感測器之控制器中的1個或複數個。
採用該形態時，藉由簡易之構成及處理，可量測基板上之凸塊高度。此外，由於可量測附有抗蝕層狀態之基板的凸塊高度，因此不需要在量測前剝離抗蝕層，可在凸塊形成處理後的短時間內發現凸塊高度的異常。因而，可早期停止使用處理過有異常之基板的基板處理裝置之構成（例如基板保持構件、鍍覆槽、研磨單元），來製作有異常的基板。此外，因為在基板處理前後皆不需要進行基板的膜厚量測，所以可抑制處理量降低。
此外，因為考慮抗蝕層之折射率造成的誤差（抗蝕層之折射率對於到種層為止的光程長造成之影響）而算出凸塊高度，所以可使凸塊高度之算出精度提高。此外，因為在乾燥裝置中檢查凸塊高度，所以可防止基板之搬送複雜，並抑制處理量降低。
第七形態提供一種基板處理裝置，係具備：基板處理部，其係具有處理基板之1個或複數個基板處理單元；乾燥裝置，其係用於乾燥前述基板處理後之前述基板；凸塊高度量測裝置，其係設於前述乾燥裝置；及控制裝置，其係控制前述基板處理部、前述乾燥裝置、及凸塊高度量測裝置；前述凸塊高度量測裝置具有光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；前述控制裝置依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，並依據經由前述抗蝕層被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
採用該形態時，可達到與第六形態同樣之作用效果。但是，抗蝕層之折射率的影響如以下抵銷。換言之，將被抗蝕層所覆蓋之種層作為基準高度，量測凸塊及露出部分之種層的高度，藉由量測出之凸塊及種層的高度差算出凸塊之高度。藉此，抵銷抗蝕層之折射率對凸塊及露出部分之種層高度量測造成的影響。即使採用該構成仍可取得正確之凸塊高度。
第八形態如第六形態之基板處理裝置，其中前述誤差係使用選單所設定之前述抗蝕層的折射率及厚度來算出。
採用該形態時，使用抗蝕層之折射率及厚度可精確修正凸塊的高度。
第九形態如第八形態之基板處理裝置，其中前述乾燥裝置具有用於使前述基板旋轉而乾燥之基板旋轉機構。
採用該形態時，可藉由使基板旋轉而使其乾燥。此外，在量測基板面之高度時，亦可藉由基板旋轉機構使基板旋轉來進行基板面之高度量測。
第十形態如第六至第九形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述乾燥裝置具有可開閉之遮蔽構件，其係遮蔽前述凸塊高度量測裝置，避免受使前述基板乾燥之乾燥部的影響。
採用該形態時，可在藉由閉鎖狀態之遮蔽構件遮蔽凸塊高度量測裝置，避免受到乾燥部影響之狀態下乾燥基板，並在將遮蔽構件開放狀態下對基板進行凸塊高度檢查。可防止妨礙乾燥部中之乾燥處理，並且保護凸塊高度量測裝置。
第十一形態如第六至第十形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述基板係在保持於基板保持構件之狀態下進行鍍覆處理，前述控制裝置依據前述取得之前述凸塊的高度檢查前述凸塊的高度，當前述凸塊的高度有異常時，不使用保持該基板之前述基板保持構件及/或對該基板進行鍍覆處理之前述鍍覆槽。
採用該形態時，可早期停止使用處理過有異常之基板的基板保持構件及/或基板處理部（例如鍍覆槽）來製作有異常的基板。
第十二形態如第六至第十一形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述光感測器係在前述基板之外周部照射光，前述控制裝置算出在前述基板外周部之前述凸塊的高度。
對保持於基板保持構件之基板進行鍍覆處理時，電極接觸於基板之外周部，因為係經由電極對整個基板供給電流，所以當鍍覆之凸塊高度發生異常情況下，大多在基板外周部之凸塊發生高度異常。因而，可量測基板外周部之圖案，並依據量測數據檢測基板上之凸塊高度的異常。此時可降低量測範圍，並減少量測需要之時間。
第十三形態如第十二形態之基板處理裝置，其中藉由用於旋轉前述基板使其乾燥之基板旋轉機構、或是使前述光感測器在前述基板周圍旋轉之感測器旋轉機構，使前述光感測器與前述基板以每次指定角度的方式相對旋轉，前述光感測器掃描前述基板之外周部。
採用該形態時，因為使光感測器與基板各以指定角度相對旋轉來量測基板之外周部，所以可降低1次量測時之量測範圍。
此外，藉由設於乾燥裝置之基板乾燥用的基板旋轉機構而使攝像裝置與基板相對旋轉時，藉由將原本基板乾燥用之基板旋轉機構用作攝像時的基板掃描機構，可省略使光感測器沿著基板外周部而旋轉的旋轉機構。
第十四形態提供一種凸塊高度量測方法，係包含：對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊之高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。 採用該形態時可達到與第一形態同樣之作用效果。
第十五形態提供一種凸塊高度量測方法，係包含：具有光源及受光元件之光感測器，且對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。 採用該形態時可達到與第二形態同樣之作用效果。
第十六種形態提供一種記憶媒體，係已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式，該記憶媒體已儲存的程式用於使電腦執行：對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測前述光穿透前述抗蝕層而被前述種層所反射的反射光、及來自前述光源之光被前述凸塊所反射的反射光；及依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊之高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，而取得前述凸塊之高度。 採用該形態時可達到與第一形態同樣之作用效果。
第十七種形態提供一種記憶媒體，係已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式，該記憶媒體已儲存的程式用於使電腦執行：對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。 採用該形態時可達到與第二形態同樣之作用效果。
第十八形態如第六至第十三形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述凸塊高度量測裝置對前述基板上之複數個量測區域實施凸塊高度之量測，前述控制裝置在各個實施過前述量測之量測區域臨時判定凸塊高度有無異常，並使用1個量測區域之臨時判定結果、與包含該量測區域之1個或複數個其他量測區域的臨時判定結果，實施前述1個量測區域之最後判定。
採用該形態時，因為除了1個量測區域的判定結果（臨時判定結果）之外，還使用其他量測區域之判定結果（臨時判定結果）對該1個量測區域實施最後判定，所以即使因凸塊前端之形狀及性狀造成凸塊所反射之光未充分返回感測器等導致光學感測器的量測值上有量測雜訊時，仍可使基板上之凸塊高度的評估精度提高。例如，可降低因為光學感測器之量測雜訊而錯誤檢測成凸塊高度異常（警報判定或不使用判定）；及依據錯誤檢測而發出警報及/或作為不可使用的風險。
第十九形態如第六至第十三形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述凸塊高度量測裝置對前述基板上之複數個量測區域實施凸塊高度之量測，前述控制裝置在各個實施過前述量測之量測區域判定凸塊高度有無異常，前述控制裝置在前述基板上設定包含複數個前述量測區域之1個或複數個判定地區，各前述判定地區使用對前述判定地區中包含之複數個前述量測區域的判定結果，實施對前述判定地區之凸塊高度檢查的判定。對量測區域之判定結果，例如係上述臨時判定結果或最後判定結果。
採用該形態時，因為係對量測區域進行判定，並且進一步設定比量測區域寬之判定地區，使用對判定地區中包含之複數個量測區域的判定結果，進行對判定地區的判定，所以可進一步降低量測雜訊之影響。
第二十形態如第十八形態之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述基板上設定包含複數個前述量測區域之1個或複數個判定地區，各前述判定地區使用對前述判定地區中包含之複數個前述量測區域的臨時判定結果或最後判定結果，實施對前述判定地區之凸塊高度檢查的判定。
採用該形態時，因為進一步設定比量測區域寬之判定地區，並使用對判定地區中包含之複數個量測區域的判定結果，對判定地區進行判定，所以可進一步降低量測雜訊之影響。此外，使用各量測區域之最後判定結果情況下，係重疊各量測區域降低量測雜訊之效果；與使用降低了量測雜訊之各量測區域的判定結果，而在判定地區進一步降低量測雜訊的效果，可使量測雜訊降低效果進一步提高。
第二十一形態如第十九或二十形態之基板處理裝置，其中前述控制裝置在前述基板上之同一判定地區且同一徑方向位置，依判定為異常之量測區域數對各判定地區進行判定。異常判定例如包含上述之警報判定（L）及不使用判定（LL）。
基板係圓形時，因為基板上之徑方向的位置依饋電電極（接點）起之距離而變化，所以饋電電極（接點）不合適情況下，在基板上之同一徑方向位置（同一直徑之圓周上），在凸塊高度上容易發生同樣的影響。採用該形態時，藉由依據對於在同一判定地區且同一徑方向位置之量測區域的判定結果而對判定地區進行判定，可進一步提高判定之精度。採用該形態時，藉由依據對於在同一判定地區且同一徑方向位置之量測區域的判定結果而對判定地區進行判定，可提高判定之精度。
第二十二形態如第十八至第二十一形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述控制裝置係依據在前述量測區域所量測出之凸塊高度中的最大值及最小值是否在指定範圍，來實施對前述量測區域的判定。
採用該形態時，因為係依據在量測區域所量測之凸塊高度中的最大值及最小值之值進行判定，所以可進一步降低量測雜訊之影響。
第二十三形態如第十八至第二十二形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述控制裝置排除在前述量測區域所量測出之凸塊高度中超過指定之數值範圍的凸塊高度之值，並依據排除後的凸塊高度之值對前述量測區域實施判定。
採用該形態時，鍍覆裝置通常可將稱不上是原因之明顯的異常值（鍍覆結果通常不會有之異常量測值，例如，包含因為凸塊前端之形狀及性狀導致凸塊所反射之光未能充分返回感測器等而發生的量測雜訊之光感測器的量測值。）排除，可使凸塊高度之判定精度進一步提高。
第二十四形態如第六至第十形態中任何一種形態之基板處理裝置，其中前述基板係在保持於基板保持構件之狀態下進行鍍覆處理，前述控制裝置依據前述取得之前述凸塊高度檢查前述基板的前述凸塊高度，當前述基板之前述凸塊的高度有異常時，將處理過該基板之前述基板保持構件及/或鍍覆槽判定為異常，前述控制裝置實施前述判定為異常之前述基板的後續基板之前述凸塊高度的檢查，若前述後續之基板的前述凸塊高度無異常時，解除對前述基板保持構件及/或鍍覆槽的異常判定。
採用該形態時，雖然基板保持構件及/或鍍覆槽無異常，但是檢測出因為基板而發生凸塊高度異常時，解除對基板保持構件及/或鍍覆槽之異常判定，可繼續使用基板保持構件及/或鍍覆槽。基板保持構件例如係基板固持器。
第二十五形態如第二十四形態之基板處理裝置，其中前述異常判定處理包含或隨伴與前述基板保持構件及/或前述鍍覆槽有關之警報的發出及/或不使用的設定。
採用該形態時，可解除因為基板而檢測出凸塊高度異常時發出的警報及/或不使用的設定。
以上，係依據幾個例子就本發明之實施形態作說明，不過，上述發明之實施形態係為了容易瞭解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣範圍內可變更、修改，並且本發明當然包含其均等物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍、或是可達到效果之至少一部分的範圍內，申請專利範圍及說明書中記載之各元件可任意組合或省略。例如，上述發明之實施形態係以將凸塊高度量測裝置設置於鍍覆裝置內的乾燥裝置為例作說明，不過凸塊高度量測裝置之設置場所不需要必須是乾燥裝置。此外，上述發明之實施形態係以沿著基板W之旋轉方向及半徑方向配置量測區域400為例作說明，不過亦可將量測區域縱橫地配置於X-Y平面上，並以沿著其上而攝像之方式構成掃描光感測器201的機器人等（該構成可適用於任意形狀之基板，不過特別容易採用在如方形（多角形）基板這樣並非圓形基板之情況）。
本申請案依據2018年6月29日提出之日本申請編號特願2018-125427號主張優先權。包含2018年6月29日提出之日本申請編號特願2018-125427號的說明書、申請專利範圍、摘要在內之全部揭示內容，全部以參照之方式納入本申請案。
包含日本特開2002-190455號公報（專利文獻1）之說明書、申請專利範圍、摘要之全部揭示內容，全部以參照之方式納入本申請案。
11‧‧‧基板固持器 100‧‧‧基板處理裝置 101A‧‧‧裝載/卸載部 101B‧‧‧處理部 102‧‧‧匣盒台 103‧‧‧基板搬送裝置 103a‧‧‧搬送機器人 104‧‧‧對準器 105‧‧‧基板裝卸部 105a‧‧‧基板裝卸裝置 106‧‧‧乾燥裝置 107‧‧‧倉儲 108‧‧‧預濕槽 109‧‧‧噴吹槽 110‧‧‧沖洗槽 112‧‧‧鍍覆處理部 112a‧‧‧鍍覆槽 113‧‧‧基板固持器搬送裝置 114‧‧‧第一輸送機 115‧‧‧第二輸送機 116‧‧‧軌條 120‧‧‧控制裝置 120A‧‧‧CPU 120B‧‧‧記憶體 131‧‧‧框體 132‧‧‧基板旋轉機構 133‧‧‧擋門 134‧‧‧噴嘴 200‧‧‧凸塊高度量測裝置 201‧‧‧光感測器 202‧‧‧控制器 203‧‧‧Z軸機器人 204‧‧‧X軸機器人 301‧‧‧種層 302‧‧‧抗蝕層 302a‧‧‧開口部 303‧‧‧凸塊 400‧‧‧量測區域 W‧‧‧基板
第一圖係本發明一種實施形態之基板處理裝置的整體配置圖。 第二圖係一例之凸塊高度量測裝置的概略構成圖。 第三圖顯示基板處理裝置中之處理的整體流程。 第四圖係凸塊高度檢查處理中之量測階段的處理流程圖。 第五圖係凸塊高度檢查處理中之檢查階段的處理流程圖。 第六圖係其他實施形態之凸塊高度檢查處理中的檢查階段之處理流程圖。 第七圖係說明形成於基板之凸塊的高度差異之說明圖。 第八圖顯示一種實施形態之凸塊高度的量測原理。 第九圖顯示一種實施形態之凸塊高度的量測原理之量測例。 第十圖顯示其他實施形態之凸塊高度的量測原理。 第十一圖顯示其他實施形態之凸塊高度的量測原理之量測例。 第十二圖顯示凸塊高度量測裝置對基板面之掃描例。 第十三圖係說明量測結果之過濾範圍的說明圖。 第十四圖係使用於最後判定的量測區域之例。 第十五圖係說明依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之處理一例的說明圖。 第十六圖係依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之處理流程圖。 第十七圖係依據複數個量測區域之臨時判定結果進行各量測區域的最後判定之其他例的處理流程圖。 第十八圖係說明依據基板在各判定地區內之複數個量測區域的判定結果，進行各判定地區之判定的處理一例之說明圖。 第十九圖係進行各判定地區之判定的處理一例之流程圖。 第二十圖係說明依據基板在各判定地區內之複數個量測區域的判定結果，進行各判定地區之判定的處理其他例之說明圖。 第二十一圖係進行各判定地區之判定的處理其他例之流程圖。 第二十二圖係基板處理之時間圖。 第二十三圖係說明警報解除之基板處理的時間圖。 第二十四圖係說明不使用解除之基板處理的時間圖。
106‧‧‧乾燥裝置
131‧‧‧框體
132‧‧‧基板旋轉機構
133‧‧‧擋門
134‧‧‧噴嘴
200‧‧‧凸塊高度量測裝置
201‧‧‧光感測器
202‧‧‧控制器
203‧‧‧Z軸機器人
204‧‧‧X軸機器人
W‧‧‧基板

Claims (25)

  1. 一種凸塊高度量測裝置，係具備： 光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 控制裝置，其係依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光算出前述凸塊對前述種層之高度，再從依據前述反射光所算出之前述凸塊的高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。
  2. 一種凸塊高度量測裝置，係具備： 光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 控制裝置，其係依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之凸塊高度量測裝置， 其中前述誤差係使用選單所設定之前述抗蝕層的折射率及厚度而算出。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之凸塊高度量測裝置， 其中前述光感測器係在前述基板之外周部照射光， 前述控制裝置取得在前述基板之外周部的前述凸塊之高度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之凸塊高度量測裝置， 其中藉由使前述基板旋轉之基板旋轉機構、或是使前述光感測器在前述基板周圍旋轉之感測器旋轉機構，使前述光感測器與前述基板以每次指定角度的方式相對性旋轉，前述光感測器掃描前述基板之外周部。
  6. 一種基板處理裝置，係具備： 基板處理部，其係具有處理基板之1個或複數個基板處理單元； 乾燥裝置，其係用於乾燥前述基板處理後之前述基板； 凸塊高度量測裝置，其係設於前述乾燥裝置；及 控制裝置，其係控制前述基板處理部、前述乾燥裝置、及凸塊高度量測裝置； 前述凸塊高度量測裝置具有光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光； 前述控制裝置依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊的前述反射光算出前述凸塊對前述種層之高度，再從依據前述反射光所算出之前述凸塊的高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。
  7. 一種基板處理裝置，係具備： 基板處理部，其係具有處理基板之1個或複數個基板處理單元； 乾燥裝置，其係用於乾燥前述基板處理後之前述基板； 凸塊高度量測裝置，其係設於前述乾燥裝置；及 控制裝置，其係控制前述基板處理部、前述乾燥裝置、及凸塊高度量測裝置； 前述凸塊高度量測裝置具有光感測器，其係具有光源及受光元件，且該光感測器係對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光； 前述控制裝置依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，並依據經由前述抗蝕層被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置， 其中前述誤差係使用選單所設定之前述抗蝕層的折射率及厚度來算出。
  9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述乾燥裝置具有用於使前述基板旋轉而乾燥之基板旋轉機構。
  10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述乾燥裝置具有可開閉之遮蔽構件，其係遮蔽前述凸塊高度量測裝置，避免受使前述基板乾燥之乾燥部的影響。
  11. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述基板係在保持於基板保持構件之狀態下進行鍍覆處理， 前述控制裝置依據前述取得之前述凸塊的高度檢查前述凸塊的高度，當前述凸塊的高度有異常時，不使用保持該基板之前述基板保持構件及對該基板進行鍍覆處理之鍍覆槽至少其中之一。
  12. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述光感測器係在前述基板之外周部照射光， 前述控制裝置算出在前述基板外周部之前述凸塊的高度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理裝置， 其中藉由用於旋轉前述基板使其乾燥之基板旋轉機構、或是使前述光感測器在前述基板周圍旋轉之感測器旋轉機構，使前述光感測器與前述基板以每次指定角度的方式相對旋轉，前述光感測器掃描前述基板之外周部。
  14. 一種凸塊高度量測方法，係包含： 對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊之高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，來修正前述凸塊之高度。
  15. 一種凸塊高度量測方法，係包含： 具有光源及受光元件之光感測器，且對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從前述光源照射光，並以前述受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
  16. 一種記憶媒體，係已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式， 該記憶媒體已儲存的程式用於使電腦執行： 對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測前述光穿透前述抗蝕層而被前述種層所反射的反射光、及來自前述光源之光被前述凸塊所反射的反射光；及 依據在前述種層之前述反射光與在前述凸塊之前述反射光，算出前述凸塊對前述種層之高度，從依據前述反射光所算出之前述凸塊之高度減去因前述抗蝕層之折射率造成的誤差，而取得前述凸塊之高度。
  17. 一種記憶媒體，係已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式， 該記憶媒體已儲存的程式用於使電腦執行： 對具有種層、形成於前述種層上之抗蝕層、及形成於前述抗蝕層之開口部的凸塊之基板上，從光源照射光，並以受光元件檢測經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、被前述種層直接反射之反射光、及被前述凸塊所反射之反射光；及 依據經由前述抗蝕層而被前述種層所反射之反射光、及被前述種層直接反射之反射光量測前述種層的高度，再依據經由前述抗蝕層而被前述種層反射之反射光、與被前述凸塊所反射之反射光量測前述凸塊的高度，藉由從前述凸塊之高度減去前述種層的高度，而取得前述凸塊對前述種層之高度。
  18. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述凸塊高度量測裝置對前述基板上之複數個量測區域實施凸塊高度之量測， 前述控制裝置在各個實施過前述量測之量測區域臨時判定凸塊高度有無異常，並使用1個量測區域之臨時判定結果、與包含該量測區域之1個或複數個其他量測區域的臨時判定結果，實施前述1個量測區域之最後判定。
  19. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述凸塊高度量測裝置對前述基板上之複數個量測區域實施凸塊高度之量測， 前述控制裝置在各個實施過前述量測之量測區域判定凸塊高度有無異常， 前述控制裝置在前述基板上設定包含複數個前述量測區域之1個或複數個判定地區，各前述判定地區使用對前述判定地區中包含之複數個前述量測區域的判定結果，實施對前述判定地區之凸塊高度檢查的判定。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理裝置， 其中前述控制裝置係在前述基板上設定包含複數個前述量測區域之1個或複數個判定地區，各前述判定地區使用對前述判定地區中包含之複數個前述量測區域的臨時判定結果或最後判定結果，實施對前述判定地區之凸塊高度檢查的判定。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之基板處理裝置， 其中前述控制裝置在前述基板上之同一判定地區且同一徑方向位置，依判定為異常之量測區域數對各判定地區進行判定。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理裝置， 其中前述控制裝置係依據在前述量測區域所量測出之凸塊高度中的最大值及最小值是否在指定範圍，來實施對前述量測區域的判定。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之基板處理裝置， 其中前述控制裝置排除在前述量測區域所量測出之凸塊高度中超過指定之數值範圍的凸塊高度之值，並依據排除後的凸塊高度之值對前述量測區域實施判定。
  24. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之基板處理裝置， 其中前述基板係在保持於基板保持構件之狀態下進行鍍覆處理， 前述控制裝置依據前述取得之前述凸塊高度檢查前述基板的前述凸塊高度，當前述基板之前述凸塊的高度有異常時，將處理過該基板之前述基板保持構件及鍍覆槽至少其中之一判定為異常， 前述控制裝置實施前述判定為異常之前述基板的後續基板之前述凸塊高度的檢查，若前述後續之基板的前述凸塊高度無異常時，解除對前述基板保持構件及前述鍍覆槽至少其中之一的異常判定。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之基板處理裝置， 其中前述異常判定包含或隨伴與前述基板保持構件及前述鍍覆槽至少其中之一有關之警報的發出及不使用的設定至少其中之一。
TW108122555A 2018-06-29 2019-06-27 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式的不揮發性記憶媒體 TWI791860B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018125427 2018-06-29
JP2018-125427 2018-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202001680A true TW202001680A (zh) 2020-01-01
TWI791860B TWI791860B (zh) 2023-02-11

Family

ID=68985694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108122555A TWI791860B (zh) 2018-06-29 2019-06-27 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式的不揮發性記憶媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11604150B2 (zh)
JP (1) JP7213876B2 (zh)
KR (1) KR20210027262A (zh)
TW (1) TWI791860B (zh)
WO (1) WO2020004544A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07113547B2 (ja) * 1986-02-06 1995-12-06 株式会社東芝 試料面位置測定装置
JP3314406B2 (ja) * 1992-04-24 2002-08-12 松下電器産業株式会社 クリーム半田の高さ測定方法
JP2000040867A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体チップ実装用回路基板
KR100773165B1 (ko) 1999-12-24 2007-11-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반도체기판처리장치 및 처리방법
JP3854083B2 (ja) 2000-10-12 2006-12-06 株式会社荏原製作所 半導体基板製造装置
AU2003297365A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Semiconductor Technologies And Instruments, Inc. System and method for inspection using white light interferometry
US7130037B1 (en) * 2003-01-09 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspecting wafers and reticles with increased resolution
ATE421716T1 (de) * 2003-09-15 2009-02-15 Zygo Corp Oberflächen-triangulation und -profilierung
JP4147169B2 (ja) * 2003-10-17 2008-09-10 日立ビアメカニクス株式会社 バンプ形状計測装置及びその方法
JP3878165B2 (ja) 2003-11-05 2007-02-07 シーケーディ株式会社 三次元計測装置
JP4995041B2 (ja) * 2007-11-01 2012-08-08 アンリツ株式会社 印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置
JP5129689B2 (ja) * 2008-08-18 2013-01-30 アンリツ株式会社 印刷はんだ検査装置、及び印刷はんだ検査方法
JP5561080B2 (ja) * 2010-10-06 2014-07-30 日本電産リード株式会社 ウェーハバンプの高さ測定装置
JP5704897B2 (ja) * 2010-11-11 2015-04-22 キヤノン株式会社 干渉計測方法および干渉計測装置
JP6684992B2 (ja) * 2015-06-25 2020-04-22 レーザーテック株式会社 突起検査装置及びバンプ検査装置
US9859139B2 (en) * 2015-07-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 3D IC bump height metrology APC
NL2017844A (en) * 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
US10811323B2 (en) * 2016-03-01 2020-10-20 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
JP6659467B2 (ja) * 2016-06-03 2020-03-04 株式会社荏原製作所 めっき装置、基板ホルダ、めっき装置の制御方法、及び、めっき装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210027262A (ko) 2021-03-10
JP7213876B2 (ja) 2023-01-27
WO2020004544A1 (ja) 2020-01-02
US11604150B2 (en) 2023-03-14
TWI791860B (zh) 2023-02-11
JPWO2020004544A1 (ja) 2021-08-12
US20210285893A1 (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100811964B1 (ko) 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
KR102086170B1 (ko) 기판 주연부의 도포막 제거 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
US10910334B2 (en) Device for inspecting a bump height surrounded by resist, device for processing a substrate, method for inspecting a bump height, and storage medium
KR102271777B1 (ko) 기판 세정 방법, 기판 세정 장치, 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
TWI702477B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP5566265B2 (ja) 基板処理装置、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の搬送方法
TW201501862A (zh) 研磨裝置及研磨狀態監視方法
JP7142535B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH11307604A (ja) プロセスモニタ方法及びプロセス装置
TWI671797B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
CN107636450A (zh) 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置
JP2013093389A (ja) 光学式検査装置及びエッジ検査装置
TWI791860B (zh) 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式的不揮發性記憶媒體
JP7406039B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023133329A (ja) 基板処理装置、ノズル検査方法、及び、記憶媒体
JP7090005B2 (ja) 基板処理装置及び検査方法
JP7473407B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2016207838A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6524185B2 (ja) 基板処理システム
WO2022050117A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6638796B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN116324332A (zh) 翘曲量估计装置和翘曲量估计方法
KR20130042940A (ko) 반도체소자 제조를 위한 노광장치
KR20060076825A (ko) 반도체 장치 제조 장비의 파티클 검출 장치 및 파티클검출 방법
KR20070002265A (ko) 오버레이 측정 장치 및 방법