KR20210027262A - 범프 높이 측정 장치, 기판 처리 장치, 범프 높이 측정 방법, 기억 매체 - Google Patents

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KR20210027262A
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다카히사 오쿠조노
마사키 도미타
줌페이 후지카타
히데키 다카야나기
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

범프 높이의 측정을 간이하게 할 수 있도록 하는 것에 있다. 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 제어 장치를 구비하는 범프 높이 측정 장치.

Description

범프 높이 측정 장치, 기판 처리 장치, 범프 높이 측정 방법, 기억 매체
본 발명은, 범프 높이 측정 장치, 기판 처리 장치, 범프 높이 측정 방법, 및 범프 높이 측정 장치를 제어하는 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체에 관한 것이다.
도금 장치에서는, 도금 처리 후의 기판의 도금막 두께를 측정하고, 도금막 두께에 이상이 있는 경우에 도금 처리를 중지하는 것이 행해지고 있다. 예를 들어, 도금 후의 기판으로부터 레지스트를 박리하고, 도금 장치 외부의 막 두께 측정기로 도금막 두께를 측정한다. 이 경우, 도금막 두께의 이상을 파악할 때까지 기판의 도금 처리가 계속되어, 막 두께 분포에 이상이 있는 다수의 기판이 발생하는 경우가 있다.
도금 장치 내에 막 두께 측정기를 마련하는 예로서, 일본 특허 공개 제2002-190455호 공보(특허문헌 1)에는, 도금 전후의 막 두께를 측정하는 도금 전후 막 두께 측정기를 구비한 반도체 제조 장치가 기재되어 있다. 이 구성에서는, 도금 전후 막 두께 측정기에 의한 도금 전후의 막 두께 측정이 필요하기 때문에, 스루풋의 저하를 초래할 우려가 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2002-190455호 공보(특허문헌 1)에는, 제1 얼라이너 겸 막 두께 측정 유닛 및 제2 얼라이너 겸 막 두께 측정 유닛이 기재되어 있지만, 제1 얼라이너 겸 막 두께 측정 유닛에 의한 도금 전의 기판의 막 두께 측정과, 제2 얼라이너 겸 막 두께 측정 유닛에 의한 도금 후의 기판의 막 두께 측정을 필요로 하기 때문에, 스루풋의 저하를 초래할 우려가 있거나, 또는, 막 두께 측정 유닛을 목적별로 설치하기 때문에 장치 비용이 커질 우려가 있다.
일본 특허 공개 제2002-190455호 공보
본 발명의 목적은, 상술한 과제의 적어도 일부를 해결하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 제어 장치를 구비하는 범프 높이 측정 장치가 제공된다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 제어 장치를 구비하는 범프 높이 측정 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 전체 배치도이다.
도 2는 일례에 관한 범프 높이 측정 장치의 개략 구성도이다.
도 3은 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 전체 플로우를 나타낸다.
도 4는 범프 높이 검사 처리에 있어서의 측정 단계의 처리의 흐름도이다.
도 5는 범프 높이 검사 처리에 있어서의 검사 단계의 처리의 흐름도이다.
도 6은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이 검사 처리에 있어서의 검사 단계의 처리의 흐름도이다.
도 7은 기판에 형성되는 범프의 높이의 상이를 설명하는 설명도이다.
도 8은 일 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리를 나타낸다.
도 9는 일 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리에 의한 측정예를 나타낸다.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리를 나타낸다.
도 11은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리에 의한 측정예를 나타낸다.
도 12는 범프 높이 측정 장치에 의한 기판면의 주사예를 나타낸다.
도 13은 측정 결과의 필터링 범위를 설명하는 설명도.
도 14는 최종 판정에 사용하는 측정 영역의 예이다.
도 15는 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 처리의 일례를 설명하는 설명도이다.
도 16은 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 처리의 흐름도이다.
도 17은 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 다른 예에 관한 처리의 흐름도이다.
도 18은 기판의 각 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 일례를 설명하는 설명도이다.
도 19는 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 일례의 흐름도이다.
도 20은 기판의 각 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 다른 예를 설명하는 설명도이다.
도 21은 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 다른 예의 흐름도이다.
도 22는 기판 처리의 타임차트이다.
도 23은 알람 해제를 설명하는 기판 처리의 타임차트이다.
도 24는 불사용 해제를 설명하는 기판 처리의 타임차트이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서, 동일 또는 상당하는 부재에는 동일 부호를 부여하고 중복된 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서에 있어서 「상」, 「하」, 「좌」, 「우」 등의 표현을 사용하지만, 이들은, 설명의 사정상, 예시한 도면의 지면 상에 있어서의 위치, 방향을 나타내는 것이며, 장치 사용시 등의 실제의 배치에서는 다른 경우가 있다. 또한, 어떤 부재가 다른 부재와 「기판에 대하여 반대측에 위치한다」란, 기판의 어느 기판면에 마주보도록 위치하는 부재와, 이것과 반대측의 기판면에 마주보도록 다른 부재가 위치하는 것을 의미한다. 또한, 기판에 있어서, 어느 한쪽의 면에 배선이 형성되는 경우, 양쪽의 면에 배선이 형성되는 경우가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 전체 배치도이다. 이 예에서는, 기판 처리 장치(100)는, 전해 도금 장치이다. 여기에서는, 전해 도금 장치를 예로 들어 설명하지만, 본 발명은, 임의의 도금 장치에 적용 가능하다.
기판 처리 장치(100)는, 기판 보유 지지 부재인 기판 홀더(11)에 피처리물로서의 기판 W를 로드하거나, 또는 기판 홀더(11)로부터 기판 W를 언로드하는 로드/언로드부(101A)와, 기판 W를 처리하는 처리부(101B)로 크게 나누어진다. 기판 W는, 원형, 각형, 그 밖의 임의의 형상의 피처리물을 포함한다. 또한, 기판 W는, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 액정 기판, 프린트 기판, 그 밖의 피처리물을 포함한다. 기판 홀더(11)는, 예를 들어 제1 및 제2 보유 지지 부재(도시 생략)를 구비하고, 제1 보유 지지 부재와 제2 보유 지지 부재 사이에 기판 W를 끼움 지지하여 보유 지지한다. 기판 홀더(11)에는, 기판 W의 편면 또는 양면을 노출하는 개구부가 마련되어 있고, 기판 W의 외주부에 접촉하여 전류를 공급하기 위한 전극(콘택트)이 마련되어 있다.
로드/언로드부(101A)는, 복수의 카세트 테이블(102)과, 얼라이너(104)와, 기판 착탈부(105)와, 건조 장치(106)와, 건조 장치(106) 내의 기판 W를 검사하도록 배치된 범프 높이 측정 장치(200)를 갖는다. 카세트 테이블(102)은, 기판 W를 수납한 카세트를 탑재한다. 얼라이너(104)는, 기판 W의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향에 맞춘다. 기판 착탈부(105)는, 기판 W를 기판 홀더(11)에 탈착하도록 구성되는 하나 또는 복수의 기판 착탈 장치(105a)를 구비한다. 건조 장치(106)는, 도금 처리 후의 기판 W를 고속 회전시켜 건조시킨다. 이들 유닛의 중앙에는, 이들 유닛간에서 기판 W를 반송하는 반송 로봇(103a)을 구비하는 기판 반송 장치(103)가 배치되어 있다.
처리부(101B)에는, 기판 홀더(11)의 보관 및 일시 임시 적재를 행하는 스토커(107)와, 프리웨트조(108)와, 블로우조(109)와, 린스조(110)와, 도금 처리부(112)를 갖는다. 프리웨트조(108)에서는, 도금 처리 전의 기판 W가 순수에 침지된다. 린스조(110)에서는, 도금 처리 후의 기판 W가 기판 홀더(11)와 함께 세정액으로 세정된다. 블로우조(109)에서는, 세정 후의 기판 W의 액절(liquid draining)이 행해진다. 도금 처리부(112)는, 오버플로우조를 구비한 복수의 도금조(112a)를 갖는다. 각 도금조(112a)는, 내부에 하나의 기판 W를 수납하고, 내부에 보유 지지한 도금액 중에 기판 W를 침지시켜 기판 표면에 구리 도금 등의 도금 처리를 행한다. 여기서, 도금액의 종류는, 특별히 한정되지는 않고, 용도에 따라서 다양한 도금액이 사용된다. 본 실시 형태에서는, 일례로서, 도금 처리에 의해 기판의 표면에 범프를 형성하는 경우를 설명한다. 또한, 이 기판 처리 장치(100)의 처리부(101B)의 구성은, 일례이며, 다른 구성을 채용하는 것이 가능하다.
기판 처리 장치(100)는, 이들 각 기기의 측방에 위치하여, 이들 각 기기의 사이에서, 기판 홀더(11)를 반송하는, 임의의 구동 방식(예를 들어 리니어 모터 방식)을 채용한 기판 홀더 반송 장치(113)를 갖는다. 이 기판 홀더 반송 장치(113)는, 제1 트랜스포터(114)와, 제2 트랜스포터(115)를 갖고 있다. 제1 트랜스포터(114) 및 제2 트랜스포터(115)는, 레일(116) 상에서 주행한다. 제1 트랜스포터(114)는, 기판 착탈부(105)와 스토커(107) 사이에서 기판 홀더(11)를 반송한다. 제2 트랜스포터(115)는, 스토커(107), 프리웨트조(108), 블로우조(109), 린스조(110), 및 도금조(112a) 사이에서, 기판 홀더(11)를 반송한다. 또한, 제2 트랜스포터(115)를 구비하지 않고, 제1 트랜스포터(114)만을 구비하고, 제1 트랜스포터(114)에 의해 상기 각 부의 사이의 반송을 행하도록 해도 된다.
이상과 같이 구성되는 기판 처리 장치(100)를 포함하는 도금 처리 시스템은, 상술한 각 부를 제어하도록 구성된 제어 장치(120)를 갖는다. 제어 장치(120)는, 각종 설정 데이터 및 각종 프로그램을 저장한 메모리(120B)와, 메모리(120B)의 프로그램을 실행하는 CPU(120A)와, CPU(120A)로부터의 제어 지령에 의해 상술한 각 부를 제어하도록 구성된 시퀀서 등으로 이루어지는 장치 컨트롤러(도시 생략)를 갖는다. CPU(120A)는, 장치 컨트롤러를 통해 및/또는 통하지 않고, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어한다. 제어 장치(120)는, 예를 들어 CPU(120A) 및 메모리(120B)를 갖는 장치 컴퓨터와, 장치 컨트롤러로 구성하는 것이 가능하다.
메모리(120B)를 구성하는 기억 매체는, 임의의 휘발성의 기억 매체, 및/또는, 임의의 불휘발성의 기억 매체를 포함할 수 있다. 기억 매체는, 예를 들어 ROM, RAM, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM, 플렉시블 디스크 등의 임의의 기억 매체중 하나 또는 복수를 포함할 수 있다. 메모리(120B)는, 장치(100) 외부의 메모리여도 된다. 메모리(120B)가 저장하는 프로그램은, 예를 들어 기판 반송 장치(103)의 반송 제어를 행하는 프로그램, 기판 착탈부(105)에 있어서의 기판의 기판 홀더에 대한 착탈 제어를 행하는 프로그램, 기판 홀더 반송 장치(113)의 반송 제어를 행하는 프로그램, 도금 처리부(112)에 있어서의 도금 처리의 제어를 행하는 프로그램, 후술하는 범프 높이 측정 장치(200)에 의한 처리를 제어하는 프로그램을 포함한다. 또한, 제어 장치(120)는, 기판 처리 장치(100) 및 그 밖의 관련 장치를 통괄 제어하는 도시하지 않은 상위 컨트롤러와 유선 또는 무선에 의해 통신 가능하게 구성되어, 상위 컨트롤러가 갖는 데이터베이스와의 사이에서 데이터의 교환을 할 수 있다.
도 7은 기판에 형성되는 범프의 높이의 상이를 설명하는 설명도이다. 기판 W에 있어서, 시드층(301) 상에는, 레지스트층(302)이 형성되고, 범프(303)가 형성되는 부분에 개구부(302a)가 패터닝되어 있다. 이와 같이 패터닝된 레지스트층(302)을 갖는 상태의 기판 W가 기판 처리 장치(1)에 반입되고, 레지스트층(302)의 개구부(302a)에 범프(303)가 전해 도금 처리에 의해 형성된다. 범프(303)는, 돌기 전극이며, 예를 들어 기판 W를 개편화하여 제작되는 반도체 장치(칩) 또는 웨이퍼의 상태의 반도체 장치를 플립 칩 본딩에 의해, 다른 부품에 전기적으로 접속하기 위해 사용된다. 도 7 중, (a) 내지 (c)는 각각, 도금 처리에 의해 높이가 다른 범프(303)가 형성된 기판 W를 나타낸다.
도 7의 (a)는 정상적인 높이 범위를 초과하는 높이(상한값 hb2<범프 높이 hb)의 범프(303)가 형성된 기판 W를 나타낸다. 도 7의 (b)는 정상적인 높이 범위(하한값 hb1≤범프의 높이 hb≤상한값 hb2)의 범프(303)가 형성된 기판 W를 나타낸다. 도 7의 (c)는 정상적인 높이 범위 미만의 높이(범프 높이 hb<하한값 hb1)의 범프(303)가 형성된 기판 W를 나타낸다. 하한값 hb1 및 상한값 hb2는, 정상적인 높이 범위의 하한값 및 상한값을 각각 나타낸다. 정상적인 높이 범위는, 예를 들어 범프(302)가 레지스트층(301)의 표면으로부터 소정 높이만큼 낮은 높이(하한값 hb1) 이상, 또한, 레지스트층(302)의 표면과 동일한 높이(상한값 hb2) 이하의 범위이다. 이 경우, 상한값 hb2는, 레지스트층(301)의 막 두께이다. 또한, 하한값 hb1 및 상한값 hb2는, 기판의 종류, 범프 높이의 설계값 등에 따라서 원하는 값으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 상한값 hb2는, 레지스트층(302)의 표면을 초과하는 높이로 하고, 하한값 hb1은, 레지스트층(302)의 표면으로부터 소정 높이만큼 낮은 높이, 레지스트층(302)의 표면과 동일한 높이, 또는 레지스트층(302)의 표면을 초과하는 높이로 할 수 있다.
도 8은 일 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리를 나타낸다. 도 9는 일 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리에 의한 측정예를 나타낸다.
본 실시 형태에서는, 3D 변위계로 이루어지는 범프 높이 측정 장치(200)에 의해 범프(303)의 높이를 측정한다. 3D 변위계는, 예를 들어 백색 간섭 원리에 의해 대상물까지의 거리를 측정하는 장치이다. 범프 높이 측정 장치(200)는, 도시하지 않은 레이저 광원, 빔 스플리터, 참조 미러, 수광 소자를 갖고 있다. 범프 높이 측정 장치(200)의 레이저 광원으로부터 출력되는 광은, 빔 스플리터에 의해 분할되어, 도 8에 도시한 바와 같이 기판 W의 면에 조사됨과 함께, 범프 높이 측정 장치(200) 내의 참조 미러에서 반사된다. 기판 W의 면에서 반사된 광과, 참조 미러에서 반사된 광은, 간섭광으로서 범프 높이 측정 장치(200) 내의 수광 소자에 입력되고, 간섭광의 강도에 기초하여, 기판면 상의 높이 데이터를 측정 또는 산출한다. 예를 들어, 기판면 상에 기준면(기준 높이)을 설정하고, 그 기준면에 대한 높이의 차로서, 기판면 상의 높이 데이터가 측정 또는 산출된다. 여기서, 레이저 광원의 광의 파장으로서는, 레지스트층(302)을 투과하여, 시드층(301)에서 반사되는 파장이 채용된다. 레이저 광원의 광의 파장은, 적외선 파장 영역의 파장이며, 예를 들어 700㎚ 이상 또한 1000㎚ 이하의 범위이다. 도 8의 예에서는, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해 기판면 상의 각 부의 높이가 측정되고, 높이 프로파일로 이루어지는 높이 데이터가, 도 9에 도시한 바와 같이 취득된다. 도 9에서는, 범프(303)의 표면의 높이, 및, 레지스트층(302)으로 덮인 시드층(301)의 표면의 높이를 나타내는 높이 프로파일이 도시되어 있다. 또한, 높이 데이터는, 삼차원 화상으로 부여되어도 된다.
여기서, 레지스트층(302)을 통해 시드층(301)의 표면에서 반사된 반사광 SS(도 8)에 의한 거리 측정에서는, 범프 높이 측정 장치(200)(센서 헤드)로부터 레지스트층(302) 아래의 시드층(301)까지의 거리(광로 길이) Ls는, 레지스트층(302)의 굴절률 nr에 기인하여 실제의 거리(공기 중의 광로 길이)보다 길게 측정된다. 이것은, 레지스트층(302)의 굴절률 nr이 공기의 굴절률 n0(여기에서는, n0=1로 함)보다도 크기 때문이다. 범프 높이 측정 장치(200)(센서 헤드)로부터 시드층(301)까지의 거리를 Ls, 범프(303)까지의 거리를 Lb라 하면, 범프 높이 측정 장치(200)에서 측정되는 범프의 높이 hb는, 식 (1)로 표시된다.
Figure pct00001
식 (1)로부터 시드층(301)까지의 거리 Ls가 길게 측정되면, 범프 높이 hb가 실제보다도 높게 측정되어 버림을 알 수 있다. 그래서, 범프 높이 측정 장치(200)에서 측정된 범프(303)의 높이 hb에 있어서, 레지스트층(302)의 두께분의 거리를 굴절률의 영향을 고려하여 보정할 필요가 있다. 레지스트층(302)의 두께를 hr이라 하면, 레지스트층(302)의 두께 hr에 상당하는 거리는, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해, 반사광 SB 및 반사광 SS에 기초하여, nr*hr로 측정된다. 그래서, 3D 변위계에서 측정된 범프 높이 hb로부터 nr*hr을 감산하고, 공기의 굴절률로 측정되어야 할 레지스트층(302)의 두께 hr을 가산하는 보정을 행한다. 즉, 이하의 식(2)의 계산에 의해 레지스트층(302)의 굴절률의 영향(레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차)을 제거하는 보정 행한다. hb'는, 범프 높이의 측정값의 보정 후의 값이다. 또한, 공기 중의 굴절률 n0을 1에 근사하지 않는 경우에는, 식 (2)에 있어서 nr을 nr/n0으로 치환한다.
Figure pct00002
식 (2)로부터 레지스트층(301)의 굴절률 nr의 영향에 의한 오차는, Δ=(nr-1)hr로 표현됨을 알 수 있다. 이 오차 Δ=(nr-1)hr을, 측정된 범프 높이 hb로부터 감산함으로써, 레지스트층(301)의 굴절률 nr의 영향을 제거한 범프 높이 hb'를 얻을 수 있다.
상기 식 (2)에 있어서의 레지스트층(303)의 두께 hr로서는, 설계값을 사용할 수 있다. 레지스트층(303)의 두께 hr 및 굴절률 nr은, 레시피 데이터에 있어서 설정할 수 있다.
도 12는 범프 높이 측정 장치에 의한 기판면의 주사예를 나타낸다. 여기에서는, 기판 W의 외주부에 있어서, 기판 W의 직경 방향의 위치가 달라 전체 둘레에 걸쳐 연장되는 복수의 스텝(도 12의 예에서는, 5개의 Step1 내지 5)으로 분할하여 주사하는 예를 나타낸다. 각 스텝은, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 연장되는 트랙에 대응한다. 각 스텝은, 또한, 둘레 방향을 따라서 복수의 측정 영역(400)으로 분할된다. 각 측정 영역(400)은, 범프 높이 측정 장치(200)의 1회당의 측정 범위를 나타낸다.
이 예에서는, 이하와 같이, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해 기판 W의 면이 주사된다. (1) Step-1에 있어서, 기판 W가 회전되면서, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해 각 측정 영역(400)의 높이 데이터가 전체 둘레에 걸쳐 측정된다. (2) 범프 높이 측정 장치(200)가 기판 W의 직경 방향 내측 방향으로 이동되어, 범프 높이 측정 장치(200)의 위치가 기판 W 상에서 Step1로부터 Step2로 변경된다. 이하, 상기 마찬가지의 처리가 Step2로부터 Step5까지 반복되어, Step1 내지 5에 포함되는 측정 영역(400)이 측정된다. 또한, 측정하는 스텝의 수, 각 스텝에 포함되는 측정 영역(400)의 수는, 제어 장치(120)를 통해 설정할 수 있도록 해도 된다. 예를 들어, 스텝을 추가 및 생략할 수 있도록 해도 되고, 각 스텝의 일부의 측정 영역을 생략할 수 있도록 해도 된다. 측정 영역의 생략의 예로서는, 전체 둘레에 걸치는 측정 영역 중 하나 걸러 측정하지 않는 영역으로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 측정에 요하는 시간, 측정 정밀도, 기판의 종류에 의한 특징 등을 고려하여, 원하는 측정 범위를 설정할 수 있다.
기판 W의 외주부의 패턴만을 촬상하는 이유는, 이하와 같다. 기판 W가 기판 홀더(11)에 보유 지지된 상태에서 전해 도금되는 경우, 기판 W의 외주부에 기판 홀더(11)의 콘택트(전극)가 접촉하고, 그들 콘택트를 통해 기판 W의 전체 영역(외주부 및 그 내측 영역)에 전류가 공급된다. 따라서, 기판 W 상의 범프의 높이에 이상이 발생하는 경우에는, 기판 W의 외주부의 범프의 높이에 이상이 발생하는 경우가 많다. 그 때문에, 기판 W의 외주부의 패턴을 촬상함으로써, 충분한 정밀도로 범프 높이의 검사를 행할 수 있다. 또한, 외주부 이외에도 기판 W의 특성에 의해 범프의 높이에 이상이 발생하기 쉬운 개소가 특정되어 있는 경우에는, 그 특정된 개소를 촬상하도록 해도 된다.
또한, 여기에서는, 기판 W의 외주부(예를 들어, 기판 외연으로부터 50㎜의 범위)를 측정하는 경우를 나타내지만, 내주측을 포함하여, 기판 W의 전체 영역을 측정하도록 해도 된다.
도 2는 일례에 관한 범프 높이 측정 장치의 개략 구성도이다. 범프 높이 측정 장치(200)는, 건조 장치(106)에 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 건조 장치(106)가 스핀 린스 드라이어인 경우의 예를 나타내지만, 건조 장치(106)는, 건조 기능만의 스핀 드라이어 등의 임의의 건조 장치여도 된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 건조 장치(106)는, 하우징(131)과, 하우징(131) 내에 배치된 기판 회전 기구(132)와, 기판 회전 기구(132)의 상방 또는 근방에 배치된 노즐(134)을 구비하고 있다. 하우징(131) 내에는, 하우징(131)의 내부 공간을 외부로부터 차폐하기 위해 셔터(133)가 마련되어 있다. 셔터(133)는, 하우징(131)의 내부 공간과 외부를 차폐 및 개방하도록 개폐 가능하게 구성되어 있다. 기판 회전 기구(132)는, 그 적재면에 기판 W를 적재 및 보유 지지하여, 기판 W를 회전시킨다. 노즐(134)은, 기판 회전 기구(132)에 보유 지지된 기판 W에 대하여, 세정액 및/또는 순수를 공급한다. 건조 장치(106)에 있어서, 기판 W는, 기판 회전 기구(132)에 의해 회전되면서, 노즐(134)로부터 공급되는 세정액 및/또는 순수에 의해 기판 W가 세정되고, 노즐(134)로부터의 세정액 및/또는 순수의 공급 정지 후, 기판 회전 기구(132)에 의해 고속 회전되어 건조된다.
여기에서는, 범프 높이 검사 장치(200)가 건조 장치(106)의 하우징(131)의 외부에 배치되는 경우를 예로 들지만, 범프 높이 검사 장치(200)의 일부 또는 전부의 구성이 건조 장치(106)의 하우징(131) 내에 배치되도록 해도 된다. 이 경우, 범프 높이 검사 장치(200)의 설치 공간과, 건조 처리를 행하는 건조 처리부가 셔터(133)로 칸막이되는 것이 바람직하다. 범프 높이 검사 장치(200)는, 건조 장치(106) 내의 기판을 검사 가능하게 배치되어 있으면 되고, 건조 장치(106)의 내부 및 외부의 어느 곳에 배치되어도 되고, 건조 장치(106)에 설치되어도 설치되어 있지 않아도 된다.
범프 높이 측정 장치(200)는, 광 센서(201)와, 광 센서(201)의 컨트롤러(202)를 구비하고 있다. 광 센서(201) 및 컨트롤러(202)는, 3D 변위계를 구성한다. 본 실시 형태의 3D 변위계는, 상술한 바와 같이, 백색 간섭 원리에 의해 대상물까지의 거리를 측정하는 장치이다. 3D 변위계는, 일례로서, 키엔스사의 LK-G5000 시리즈의 WI-010을 사용할 수 있다. 또한, 범프 높이 측정 장치(200)는, 광 센서(201)를 상하 방향(도 2의 Z축 방향) 및 수평 방향(도 2의 X축 방향)으로 이동시키기 위한 Z축 로봇(203) 및 X축 로봇(204)을 구비하고 있다. Z축 로봇(203)은 상하 방향 이동 기구의 일례이며, X축 로봇(204)은, 수평 방향 이동 기구의 일례이다. Z축 로봇(203) 및 X축 로봇(204)은, 컨트롤러(202) 및/또는 제어 장치(120)에 의해 제어된다.
제어 장치(120) 및/또는 컨트롤러(202)는, 범프 높이 측정 장치(200)의 제어 장치를 구성한다. 제어 장치(120)는, 범프 높이 검사(200)에 의한 처리를 제어하는 프로그램을 실행함으로써, 컨트롤러(202)를 통해 및/또는 컨트롤러(202)를 통하지 않고, 범프 높이 측정 장치(200)의 각 부를 제어한다.
광 센서(201)는, 3D 변위계의 센서 헤드이다. 광 센서(201)는, 도시하지 않은 레이저 광원, 빔 스플리터, 참조 미러, 수광 소자를 갖고 있다. 광 센서(201)의 레이저 광원으로부터 출력되는 광은, 빔 스플리터에 의해 분할되어, 기판 W의 면에 조사됨과 함께, 광 센서(201) 내의 참조 미러에서 반사된다. 기판 W의 면에서 반사된 광과, 참조 미러에서 반사된 광은, 간섭광으로서 광 센서(201)의 수광 소자에 입력되고, 간섭광의 강도에 기초하여, 기판면 상의 높이 데이터를 측정 또는 산출한다. 예를 들어, 기판면 상에 기준면(기준 높이)을 설정하고, 그 기준면에 대한 높이의 차로서, 기판면 상의 높이 데이터가 측정 또는 산출된다. 도 8 및 도 9의 예에서는, 레지스트층(302) 아래의 시드층(301)의 표면을 기준 높이로 하여, 범프(303)의 높이의 데이터가 취득된다. 광 센서(201)는, 도 2에 도시한 Z축 로봇(203)에 설치되어 있다. Z축 로봇(201)은, X축 로봇(204)에 설치되어 있다. 이에 의해, 광 센서(201)는, Z축 방향으로 이동됨과 함께, X축 방향으로 이동되도록 되어 있다.
셔터(133)는, 하우징(131)의 내부와 외부 사이를 차폐/개방한다. 하우징(131) 내부에 있어서 기판 W를 세정 건조하기 전 또는 세정 건조한 후에, 셔터(133)를 개방하고, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해 기판 W 상의 범프 높이를 측정, 검사한다. 기판 W의 세정 건조 시에는, 셔터(133)에 의해 하우징(131)의 내부와 외부 사이가 차폐되어, 범프 높이 측정 장치(200)를 세정액 등으로부터 보호함과 함께, 세정 건조 처리에 영향을 주지 않도록 되어 있다.
도 3은 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 전체 플로우를 나타낸다. 이 처리는, 제어 장치(120) 및 컨트롤러(202)에 의해 실행된다. 또한, 이 처리는, 그 밖의 컴퓨터 및/또는 컨트롤러와 협동하여 실행되어도 된다.
스텝 S1에서는, 카세트 테이블(102) 상의 카세트로부터 반송 로봇(103a)에 의해 기판 W를 취출하여, 기판 착탈부(105)의 기판 착탈 장치(105a)에 반입한다. 스텝 S2에서는, 기판 착탈 장치(105a)에 있어서 기판 W를 기판 홀더(11)에 설치한다. 스텝 S3에서는, 기판 홀더 반송 장치(113)에 의해 프리웨트조(108)에 반입된 기판 홀더(11)를 순수에 침지시킨다. 그 후, 기판 홀더 반송 장치(113)에 의해 기판 홀더(11)를 도금 처리부(112)의 어느 도금 처리조(112a)에 반입하고, 기판 홀더(11)에 보유 지지된 기판 W에 대하여 도금 처리를 실시하여, 기판 W 상에 범프를 형성한다(스텝 S4). 도금 처리 후, 기판 홀더 반송 장치(113)에 의해 기판 홀더(11)를 린스조(110)에 반입하여, 기판 W를 기판 홀더(11)와 함께 세정액으로 세정한다(스텝 S5). 세정 후의 기판 홀더(11)를 기판 홀더 반송 장치(113)에 의해 블로우조(109)에 반입하여, 세정 후의 기판 W의 액절을 행한다(스텝 S6). 그 후, 기판 홀더(11)를 기판 홀더 반송 장치(113)에 의해 기판 착탈부(105)의 기판 착탈 장치(105a)에 반입하여, 기판 W를 기판 홀더(11)로부터 분리한다(스텝 S7). 기판 홀더(11)로부터 분리된 기판 W를 반송 로봇(103a)에 의해 건조 장치(106)에 반입하여, 건조 장치(106)에 있어서 기판 W의 세정 및 건조를 행한다(스텝 S8). 또한, 건조 장치(106)에서는, 기판 W에 대하여 범프 높이 검사 처리를 실행한다(스텝 S9). 범프 높이 검사 처리(S9)는, 세정 및 건조 처리(S8) 전 또는 후 중 어디에서 실행되어도 된다. 건조 장치(106)에서의 처리 후, 반송 로봇(103a)에 의해 기판 W가 카세트로 되돌려진다(스텝 S10).
도 4는 스텝 S9에서 실행되는 범프 높이 검사 처리에 있어서의 측정 단계의 처리의 흐름도이다.
스텝 S21에서는, 셔터(133)가 개방되고, Z축 로봇(203)에 의해 광 센서(201)가, 기판 W로부터 소정의 거리의 범위 내에 위치하도록, 건조 장치(106)의 하우징(131) 내로 하강됨과 함께, X축 로봇(204)에 의해 광 센서(201)가 기판 W 상의 Step-1(도 10)의 초기 위치로 이동하도록 조정된다.
스텝 S22에서는, 측정 스텝을 지정하는 카운터 n이 초기값 1로 설정된다.
스텝 S23에서는, 기판 W가 기판 회전 기구(132)에 의해 회전됨으로써, 범프 높이 측정 장치(200)가, 기판 W의 현재의 스텝에 대응하는 트랙 내의 각 측정 영역(400)의 높이를 전체 둘레에 걸쳐 순차적으로 측정한다. 측정된 높이 데이터(도 9)는, 컨트롤러(202)로부터 제어 장치(120)에 전송되고, 제어 장치(120)에 있어서 높이 데이터를 사용하여, 범프 높이의 검사가 행해진다. 또한, 기판을 기판 회전 기구(132)에 의해 회전하는 대신에, 예를 들어 센서 회전 기구(도시하지 않음)를 통해 광 센서(201)를 Z축 로봇(203)에 설치하고, 센서 회전 기구에 의해 광 센서(201)를 기판의 둘레 방향을 따라서 회전시키도록 해도 된다.
스텝 S24에서는, n=N이 되었는지 여부를 판단함으로써, 전체 스텝을 측정하였는지 여부가 판단된다. N은, 설정되어 있는 모든 스텝의 수이며, 도 12의 예에서는 N=5이다.
스텝 S24에 있어서, n이 N 미만인 경우에는, n을 카운트 업하고(스텝 S25), 스텝 S26에 있어서, X축 로봇(204)에 의해 광 센서(201)를 다음 스텝으로 이동시키고, 스텝 23으로 되돌아간다. 이하, 스텝 S24에 있어서 n=N이 될 때까지, 스텝 S23 내지 S26의 처리가 반복된다. 스텝 S24에 있어서, n=N이 된 경우에는, 범프 높이 측정 처리가 종료된다.
도 5는 스텝 S9에서 실행되는 범프 높이 검사 처리에 있어서의 검사 단계의 처리의 흐름도이다. 도 5의 처리는, 모든 트랙(도 12의 Step1 내지 5)에서의 높이 데이터의 측정 후(도 4의 스텝 S24에서 "예"가 된 후)에, 측정된 모든 높이 데이터에 대하여 실행한다.
스텝 S31에서는, 광 센서(201)에 의해 측정된 시드층(301)(레지스트층(302) 하방) 및 범프(303)의 높이 데이터(도 9)로부터 각 범프(303)의 높이 hb를 산출 또는 취득한다. 스텝 S31의 처리는, 제어 장치(120) 또는 컨트롤러(202)에서 실행된다. 스텝 S32 이후의 처리는, 제어 장치(120)에서 실행된다.
스텝 S32에서는, 레지스트층(303)의 굴절률 nr을 고려하여, 각 범프(303)의 높이 hb를 보정한다. 일례에서는, 레지스트층(303)의 두께 hr 및 굴절률 nr을 레시피 데이터로부터 취득하고, 각 범프(303)의 높이 hb를 식 (2)에 의해 보정하여, 보정 후의 범프 높이 hb'를 산출한다.
Figure pct00003
스텝 S33에서는, 각 범프의 높이 hb'가 정상적인 높이 범위 내(하한값 hb1 이상 또한 상한값 hb2 이하)에 있는지 여부가 판정된다.
스텝 S33에 있어서, 각 범프의 높이 hb'가 정상적인 높이 범위 내라고 판정된 경우에는, 스텝 S38로 이행한다. 스텝 S38에서는, 당해 기판 W의 도금 처리에 사용된 도금 전류 등을 제어 장치(120)의 도금 처리 제어 프로그램 등에 피드백하고, 검사 단계의 처리를 종료한다.
스텝 S33에 있어서, 범프 높이 hb'가 정상적인 높이 범위 내에 없는 범프가 존재한다고 판정된 경우에는, 스텝 S34로 이행한다.
스텝 S34에서는, 정상적인 높이 범위가 아니라고 판정된 각 범프의 높이 hb'가, 제2 하한값 hb11(<하한값 hb1) 이상 또한 제2 상한값 hb22(>상한값 hb2) 이하의 범위 내인지 여부가 판정된다. 제2 하한값 hb11 및 제2 상한값 hb22는, 정상적인 높이 범위 외지만, 기판 홀더 및/또는 도금조를 불사용으로 할 정도의 오차가 아닌 알람 범위를 설정하기 위한 값이며, 하한값 hb1 및 상한값 hb2에 가까운 값으로 설정된다.
스텝 S34에 있어서, 정상적인 높이 범위가 아니라고 판정된 각 범프 높이 hb'가, 제2 하한값 hb11 이상 또한 제2 상한값 hb22 이하의 범위(알람 범위) 내라고 판정된 경우(알람 판정)에는, 스텝 S35에서 알람을 발생시키고, 스텝 S38로 이행한다. 그 후, 스텝 S38의 처리를 실행한 후에 검사 단계의 처리를 종료한다.
스텝 S34에 있어서, 정상적인 높이 범위가 아니라고 판정된 각 범프의 높이 hb'가, 제2 하한값 hb11 이상 또한 제2 상한값 hb22 이하의 범위(알람 범위) 내에 없다고 판정된 경우(불사용 판정)에는, 알람을 발생시키고(S36), 당해 기판 W의 처리에 사용된 기판 홀더(11) 및/또는 도금조(112a)를 불사용으로 한다(스텝 S37). 그 후, 스텝 S38의 처리를 실행한 후에 검사 단계의 처리를 종료한다. 또한, 불사용의 대상이 된 기판 홀더 및/또한 도금조에서 현재 도금 처리 중인 기판의 도금 처리는 계속해서 실행하고, 당해 기판의 처리 종료 후에 기판 홀더 및/또한 도금조를 불사용으로 한다. 또한, 복수회 연속하여 범프 높이에 불사용의 이상을 발생시킨 경우에, 당해 기판 홀더 및/또한 도금조를 불사용으로 하도록 해도 된다. 즉, 복수회 연속하여 불사용 판정될 때까지는, 불사용 판정된 기판 홀더 및/또한 도금조의 사용을 계속해도 된다. 또한, 알람 판정 또는 불사용 판정으로 된 기판 홀더 및/또한 도금조라도, 다음 기판의 처리 후의 측정에서 범프 높이가 정상으로 판정되면, 알람 판정 또는 불사용 판정을 해제하도록 해도 된다. 또한, 현재 도금 처리부(112) 내에 있는 모든 기판의 도금 처리 종료 후에, 도금 장치를 정지시키고 메인터넌스를 행해도 된다. 즉, 범프 높이 검사는 기판에 대하여 실행되고, 판정의 결과 알람 판정 혹은 불사용 판정이 되었다고 해도, 실제로 알람 발생 혹은 기판 홀더 및/또한 도금조를 불사용으로 하는 처리를 행할지 여부는, 소정의 조건에 의해 결정될 수 있다.
본 명세서에서는, 설명의 편의상, 알람을 발생시키는 판정(도 5의 S35)을 알람 판정(L)이라 칭하고, 알람의 발생, 그리고 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 하는 판정(도 5의 S36, S37)을 불사용 판정(LL)이라 칭한다. 또한, 범프 높이의 이상으로서는, 상한값 hb2를 초과하는 이상, 하한값 hb1을 하회하는 이상이 있지만, 기재의 간략화의 관점에서, 「알람 판정」, 「불사용 판정」을 각각, L, LL이라 표기한다. 이하의 설명에 있어서도 마찬가지이다. 구체적으로는, 알람 판정은, 기판 홀더 및/또한 도금조의 메인터넌스를 재촉하는 알람을 발생시키기 위해 행해진다. 불사용 판정은, 알람 발생, 그리고/혹은, 기판 홀더 및/또한 도금조를 사용 불가로 하기 위해 행해진다. 검사 및 판정은 기판에 대하여 행해지고, 판정 결과는, 당해 기판의 처리 정보 또는 처리 이력으로서, 당해 기판의 처리에 사용한 기판 홀더 및/또는 도금조와 관련지어, 도금 장치(예를 들어, 제어 장치, 또는 제어 장치가 판독 가능한 메모리 등)에 기록된다. 판정 결과에 기초하는 처리(알람의 발생, 기판 홀더 및/또는 도금조를 불사용으로 하는 처리 등)는, 당해 기판의 처리에 사용한 기판 홀더 및/또는 도금조에 대하여 행해진다. 일례에서는, 제어 장치는, 판정 결과에 기초하여, 상기 처리를 실행할지 여부를 결정하고, 소정의 조건이 충족되었다고 판단한 경우에, 상기 처리를 실행한다. 또한, 알람 판정 또는 불사용 판정과 같은 기판에 대한 판정은, 그 기판의 처리에 사용한 기판 홀더 및/또는 도금조에 관하여 발생되는 알람, 혹은 당해 기판 홀더 및/또는 도금조를 불사용으로 하는 처리로 이어질 수 있는 것이기 때문에, 알람 판정 또는 불사용 판정과 같은 판정 혹은 관련되는 평가는, 당해 기판의 처리에 사용한 기판 홀더 및/또는 도금조에 대하여 행해진다고도 할 수 있다. 즉, 기판에 대하여 검사, 판정을 행함으로써, 당해 기판의 처리에 사용한 기판 홀더 및/또는 도금조에 대하여 판정 또는 평가를 실시한다고도 할 수 있다.
또한, 스텝 31부터 S38의 처리는, 하나 또는 복수의 트랙(Step1 내지 5)에 있어서의 측정이 종료될 때마다, 당해 트랙에서 측정된 모든 높이 데이터에 대하여 실행되어도 된다. 또한, 스텝 S31부터 S38의 처리는, 하나 또는 복수의 측정 영역(400)의 측정이 종료될 때마다, 당해 측정 영역에서 측정된 높이 데이터에 대하여 실행되어도 된다.
(다른 실시 형태)
도 10은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리를 나타낸다. 도 11은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이의 측정 원리에 의한 측정예를 나타낸다.
본 실시 형태에서는, 범프 높이 측정 장치(200)는, 도 11에 도시한 바와 같이, 레지스트층(302)으로 덮인 영역(도 10의 영역 A)에 있어서의 시드층(301)의 표면을 기준면(기준 높이)으로 하여, 범프(303)의 높이 hb, 및, 레지스트층(302)으로 덮여 있지 않은 노출 부분(도 10의 영역 B)에 있어서의 시드층(301)의 높이 hs를 측정하고, hb-hs에 의해 범프(303)의 높이를 산출 또는 취득한다. 범프 높이 측정 장치(200)의 광 센서(201)로부터 기판면 상에 광을 조사한 경우에 있어서, 범프(303), 영역 A의 시드층(301), 영역 B의 시드층(301)으로부터 반사되는 반사광을 각각 반사광 SB, SSA, SSB라 한다. 반사광 SSA와 반사광 SB에 기초하여, 영역 A의 시드층(301)까지의 광로 길이(Ls)와, 범프(303)까지의 광로 길이(Lb)의 광로차(Ls-Lb)를 측정함으로써, 도 11에 도시한 바와 같이, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 범프(303)의 높이 hb가 산출 또는 측정된다. 반사광 SSA와 반사광 SSB에 기초하여, 영역 A의 시드층(301)까지의 광로 길이(Ls)와, 영역 B의 시드층(301)까지의 광로 길이(Ls0)의 광로차(Ls-Ls0)를 측정함으로써, 도 11에 도시한 바와 같이, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 영역 B의 시드층(301)의 높이 hs가 산출 또는 측정된다.
시드층(301)의 노출 부분인 영역 B는, 기판 W의 외주 영역에 존재한다. 이 영역 B는, 기판 홀더(11)로 보유 지지되었을 때 기판 홀더(11) 내에 밀폐되어, 급전용의 콘택트가 접촉하는 영역이며, 도금액에 접촉하지 않고, 도금 처리 후에 있어서도 시드층이 노출된 상태에 있다.
상술한 바와 같이, 레지스트층(302)은 공기 중의 굴절률 n0보다도 큰 굴절률 nr을 갖기 때문에, 광 센서(201)로부터의 광에 대하여, 레지스트층(302)의 막 두께는 공기 중보다도 큰 외관상의 거리(광로 길이)를 갖는다. 바꿔 말하면, 레지스트층(302)으로 덮인 영역 A에 있어서의 시드층(301)은, 노출 부분의 시드층(301)보다도 광 센서(201)로부터 멀리 있는 것처럼 측정된다. 이 때문에, 반사광 SSA 및 반사광 SSB에 기초하여 측정되는, 영역 A의 시드층(301)까지의 광로 길이 Ls와, 영역 B의 시드층(301)까지의 광로 길이 Ls0 사이에는, 도 11에 도시한 바와 같이 광로차 hs가 발생한다.
실제로 측정해야 할 범프(303)의 높이는, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 범프(303)의 높이 hb(광로차)로부터, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 영역 B의 시드층(301)의 높이 hs(광로차)를 감산함(hb-hs)으로써, 산출 또는 취득할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 도 4의 측정 처리에 있어서, 범프 높이 측정 장치(200)에 의해, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 하여, 범프(303)의 높이 hb, 및 영역 B의 시드층(301)의 높이 hs가 산출 또는 측정되어, 도 11에 도시한 바와 같은 기판면의 높이 데이터가 취득된다. 그 후, 도 6의 검사 단계의 처리가 실행된다.
도 6은 다른 실시 형태에 관한 범프 높이 검사 처리에 있어서의 검사 단계의 처리의 흐름도이다.
스텝 S41에서는, 기판면의 높이 데이터(도 11)로부터 이하의 식 (3)을 사용하여, 각 범프(303)의 높이를 산출 또는 취득한다.
Figure pct00004
여기서, hb는, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 범프(303)의 높이의 측정값이며, hs는, 영역 A의 시드층(301)을 기준면으로 한 영역 B의 시드층(301)의 높이의 측정값이다. 그 후, 스텝 S42 내지 S47의 처리가 실행된다. 스텝 S42 내지 S47의 처리는, 도 5의 스텝 S33 내지 S38과 마찬가지이므로, 그것들의 설명을 생략한다.
또한, 도 5의 스텝 S33 내지 S38과 마찬가지로, 도 6의 처리는, 모든 트랙(도 12의 Step1 내지 5)에서의 높이 데이터의 측정 후(도 4의 스텝 S24에서 "예"가 된 후)에, 측정된 모든 높이 데이터에 대하여 실행한다. 또한, 스텝 S42 내지 S47의 처리는, 하나 또는 복수의 트랙(Step1 내지 5)에 있어서의 측정이 종료될 때마다, 당해 트랙에서 측정된 모든 높이 데이터에 대하여 실행되어도 된다. 또한, 스텝 S42 내지 S47의 처리는, 하나 또는 복수의 측정 영역(400)의 측정이 종료될 때마다, 당해 측정 영역에서 측정된 높이 데이터에 대하여 실행되어도 된다.
도 5 및 도 6의 검사 단계의 흐름도에 있어서의 판정 처리에 있어서, 불사용 판정(LL)의 범프가 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 범프가 불사용 판정(LL)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 된다. 마찬가지로, 알람 판정(L)의 범프가 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시켜도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 범프가 알람 판정(L)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시키도록 해도 된다.
(측정 영역의 판정)
도 5 및 도 6의 검사 단계의 흐름도에 있어서의 판정 처리는, 측정 영역(400)마다 실행하는 것이 가능하다. 예를 들어, 판정 대상인 측정 영역(400)에 포함되는 하나 또는 복수의 범프 높이(도 5의 S31, S32 또는 도 6의 S41에 의해 산출) 중 최댓값 hb'max 및 최솟값 hb'mini를 결정한다. 최댓값 hb'max 및 최솟값 hb'mini가, 하한값 hb1 이상 또한 상한값 hb2 이하의 범위(정상 범위)에 있으면, 이 측정 영역(400)에 대한 판정을 정상으로 한다(도 5의 S33-S38, 도 6의 S42-S47). 최댓값 hb'max 및 최솟값 hb'mini가, 정상 범위에는 없지만, 제2 하한값 hb11 이상 또한 제2 상한값 hb22 이하의 범위(알람 범위)에 있으면, 이 측정 영역(400)에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 한다(도 5의 S34-S35, 도 6의 S43-S44). 최댓값 hb'max 및 최솟값 hb'mini가, 제2 하한값 hb11 미만 또는 제2 상한값 hb22 초과로 판정된 경우에는, 이 측정 영역(400)에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 한다(도 5의 S36-S37, 도 6의 S45-S46).
또한, 각 측정 영역(400)에 대하여 상기와 같은 범프 높이의 판정을 실행하여, 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)이 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 측정 영역(400)이 불사용 판정(LL)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 된다. 마찬가지로, 알람 판정(L)의 측정 영역(400)이 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 알람 판정(LL)으로 하고, 실제로 알람을 발생시켜도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 측정 영역(400)이 알람 판정(L)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시키도록 해도 된다.
측정 영역마다 판정하는 것, 및/또는, 측정 영역 내의 최댓값 및 최솟값을 사용하여 판정함으로써, 범프 선단의 형상이나 성상에 따라서는 범프에서 반사된 광이 충분히 센서로 되돌아가지 않는 것 등에 기인하여 광 센서의 측정값에 측정 노이즈가 있는 경우에도, 기판에 있어서의 범프 높이의 평가의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 광 센서의 측정 노이즈 때문에 알람 판정이나 불사용 판정으로 오검지되는 리스크를 경감할 수 있다.
(필터링)
도 5 및 도 6의 검사 단계의 흐름도에 있어서의 판정 처리(측정 영역마다 판정하는 경우를 포함함), 그리고, 이하에서 설명하는 판정 처리에 앞서서, 측정된 범프 높이의 값 중, 소정의 수치 범위(hbf1 이상 또한 hbf2 이하)를 초과하는 범프 높이의 값을 판정 처리로부터 제외하는 필터링 처리를 행하도록 해도 된다. 필터링 통과 범위(hbf1 이상 또한 hbf2 이하)는, 도 13에 도시한 바와 같이, 알람 범위(hb11 이상 또한 hb22 이하)를 초과하는 범위이다. 필터링 처리의 수치 범위는, 범프 높이의 측정 결과 중 노이즈를 판정 처리로부터 커트하도록 설정된다. 예를 들어, 범프 선단의 형상이나 성상에 따라서는 범프에서 반사된 광이 충분히 센서로 되돌아가지 않는 것 등에 기인하여 광 센서의 측정값에 측정 노이즈가 발생하는 경우가 있다. 필터링 처리의 수치 범위는, 이와 같은 측정 노이즈, 바꿔 말하면, 도금의 결과로서는 통상 있을 수 없는 이상한 측정값을 판정 처리에 있어서 참조하지 않도록, 마련된다. 이와 같은 필터링 처리 후의 범프 높이의 값을 사용하여 판정함으로써, 판정 정밀도를 향상시킬 수 있다.
(판정예 1)
또한, 광 센서에 있어서의 측정 노이즈에 의한 판정 결과에 대한 영향을 더욱 억제하기 위해, 복수의 측정 영역(400)에 있어서의 측정 결과를 고려하여, 각 측정 영역(400)의 범프 높이를 판정하도록 해도 된다. 예를 들어, 상술한 바와 같이 각 측정 영역(400)에 대하여 실행한 범프 높이의 판정 결과를 가판정이라 하고, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과와, 그 측정 영역(400)에 인접 또는 근접하는 하나 또는 복수의 측정 영역(400)의 가판정 결과에 기초하여, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 확정하도록 해도 된다. 예를 들어, 최종 판정에 사용하는 측정 영역의 수(최종 판정의 대상으로 하는 측정 영역을 포함하는 인접 또는 근접하는 측정 영역의 수)를 N(E), 최종 판정을 위한 역치를 NN(E)이라 한다. 그리고, 최종 판정의 대상으로 하는 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 검사한다. 예를 들어, 가판정 결과가 불사용 판정(LL)인 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 불사용 판정(LL)으로 한다. 또한, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 한다.
도 14는 최종 판정에 사용하는 측정 영역의 예이다. 도 14에 도시한 바와 같이, 최종 판정에 사용하는 복수의 측정 영역(400)은, 예를 들어 대상으로 하는 측정 영역(400)과, 대상으로 하는 측정 영역(400)에 대하여 기판의 반경 방향 및/또는 둘레 방향(스텝을 가로지르는 방향 및 스텝을 따르는 방향)으로 인접 또는 근접하는 측정 영역을 포함할 수 있다. 또한, 최종 판정에 사용하는 복수의 측정 영역(400)은, 연속하는 측정 영역(400)이어도 되고, 불연속의 측정 영역(400)이어도 된다. 또한, 다른 예에서는, 최종 판정에 사용하는 복수의 측정 영역(400)은, 최종 판정의 대상으로 하는 측정 영역(400)을 포함하는 규칙적 또는 랜덤하게 선택된 측정 영역(400)(동일 또는 다른 스텝)이어도 된다. 일부의 스텝 및/또는 일부의 측정 영역에 대한 범프 높이의 측정을 생략하는 경우에는, 최종 판정에 사용하는 복수의 측정 영역(400)은, 실제로 측정된 측정 영역 중에서, 대상으로 하는 측정 영역(400)에 대하여, 기판의 반경 방향 및/또는 둘레 방향으로 인접 또는 근접하는 측정 영역, 연속하는 측정 영역(400), 불연속의 측정 영역(400), 규칙적 또는 랜덤하게 선택된 측정 영역(400) 등이다.
도 15는 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 처리의 일례를 설명하는 설명도이다. 도 15에서는, 특정한 스텝에 있어서의 복수의 측정 영역(400)을 나타낸다. 각 측정 영역을 구별하기 위해 (1)부터 (15)의 번호를 부여하고 있다. 가판정 결과, 최종 판정 결과는, 각 측정 영역의 옆에 알람 판정(L) 또는 불사용 판정(LL)으로 표시되어 있다. 또한, L 또는 LL의 표기가 없는 측정 영역은 정상으로 한다. 여기에서는, N(E)=5, NN(E)=2로 한다. 그리고, 가판정 결과가 불사용 판정(LL)인 측정 영역(400)의 수가 2 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 불사용 판정(LL)으로 한다. 또한, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 수가 2 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 한다.
도 15에 있어서, 측정 영역(1)의 최종 판정을 행하는 경우, 대상인 측정 영역(1)을 포함하는 인접하는 N(E)=5개의 측정 영역은, 측정 영역(1) 내지 (5)이다. 측정 영역(1) 내지 (5) 중, 가판정 결과가 LL인 측정 영역의 수는 1개이고, 가판정 결과가 LL 또는 L인 측정 영역의 합계는 2개이다. 이 결과, 측정 영역(1)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 한다.
측정 영역(3)의 최종 판정을 행하는 경우, 대상인 측정 영역(3)을 포함하는 인접하는 5개의 측정 영역은, 측정 영역(3) 내지 (7)이다. 측정 영역(3) 내지 (7) 중 가판정 결과가 LL인 측정 영역의 수는 2개이다. 이 결과, 측정 영역(3)의 최종 판정을 불사용 판정(LL)으로 한다.
측정 영역(9)의 최종 판정을 행하는 경우, 대상인 측정 영역(9)을 포함하는 인접하는 5개의 측정 영역은, 측정 영역(9) 내지 (13)이다. 측정 영역(9) 내지 (13) 중, 가판정 결과가 LL인 측정 영역의 수는 0개이며, 가판정 결과가 LL 또는 L인 측정 영역의 합계는 1개이다. 이 결과, 측정 영역(9)의 최종 판정을 정상으로 한다.
또한, 가판정 결과가 정상인 측정 영역에 대해서는, 복수의 측정 영역의 가판정 결과를 사용한 최종 판정은 행하지 않고, 가판정 결과(정상)를 최종 판정 결과로 한다. 다른 예에서는, 가판정 결과가 정상인 측정 영역에 대해서도, 인접 또는 근접하는 측정 영역의 가판정 결과를 사용한 최종 판정을 실시해도 된다.
상기 예에서는, 최종 판정에 사용하는 측정 영역으로서, 대상인 측정 영역으로부터 후속하는 측정 영역을 선택하였지만, 대상인 측정 영역의 전후의 측정 영역 또는 선행하는 측정 영역을 선택해도 된다.
이하, 각 측정 영역의 가판정 결과가 취득된 후에 최종 판정을 행하는 경우와, 각 측정 영역에 대한 측정과 병행하여 최종 판정을 행하는 경우에 있어서, 최종 판정 처리를 흐름도를 사용하여 설명한다.
도 16은 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 처리의 흐름도이다. 이 처리는, 각 측정 영역의 가판정 결과가 취득된 후에 실행된다.
S51에서는, 최종 판정에 사용하는 측정 영역의 수 N(E)과, 최종 판정을 위한 역치 NN(E)을 설정한다.
S52에서는, 최종 판정의 대상으로 하는 측정 영역(400)을 선택한다.
S53에서는, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)인지 여부를 판정한다. 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)이면, S54로 진행한다.
S54에서는, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여, N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 불사용 판정(LL)으로 한다(S55).
S54에 있어서, N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이 아니면, S57로 진행한다.
S57에서는, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 한다(S58).
S57에 있어서, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이 아니면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S59).
즉, S53에 있어서, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)이었다고 해도, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려함으로써, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정 결과를, 불사용 판정(LL)으로 확정시키거나, 알람 판정(L) 또는 정상 판정으로 변경한다.
S53에 있어서, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)이 아니면, S56으로 진행한다.
S56에서는, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)인지 여부를 판정한다. 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)이면, S57로 진행한다.
S57에서는, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 한다(S58). 한편, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이 아니면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S59).
즉, S56에 있어서, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)이었다고 해도, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려함으로써, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정 결과를, 알람 판정(L)으로 확정시키거나, 또는 정상으로 변경한다.
S56에 있어서, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)이 아니면, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S59). 즉, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 정상인 경우, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하지 않고, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정 결과를 정상(S59)으로 한다. 또한, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 정상인 경우에도, 복수의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여 최종 판정하도록 해도 된다.
그 후, 대상으로 하는 측정 영역을 변경하여(S52), S53 이후의 처리를 반복한다.
상기에서는, S54 및 S57의 NN(E)을 동일한 값으로 하였지만, S54 및 S57의 NN(E)은 서로 다른 값이어도 된다.
상기에서는, 기판 W의 측정 대상인 전체 영역(스텝1 내지 5의 측정 영역(400))에 대하여 범프 높이를 측정, 및 가판정을 실행한 후에, 최종 판정의 처리를 실행하는 경우를 설명하였지만, 각 측정 영역(400)의 측정과 병행하여 가판정 및 최종 판정의 처리를 실행해도 된다. 예를 들어, 하나 또는 복수의 측정 영역(400)이 측정될 때마다 가판정을 실행하고, 하나 또는 복수의 조의 최종 판정에 필요한 측정 영역(400)의 가판정 결과가 산출될 때마다, 최종 판정을 행하도록 해도 된다. 또한, 각 측정 영역(400)의 측정과 병행하여 가판정의 처리를 실행하고, 전체 측정 영역의 범프 높이 측정 및 가판정 처리 후에, 최종 판정의 처리를 실행해도 된다.
도 17은 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 각 측정 영역의 최종 판정을 행하는 다른 예에 관한 처리의 흐름도이다. 이 처리에서는, 범프 높이 측정 장치(200)에 의한 각 측정 영역에 대한 측정과 병행하여 가판정 처리 및 최종 판정 처리가 각 측정 영역에 대하여 실행된다.
S61에서는, 최종 판정에 사용하는 측정 영역의 수 N(E)과, 최종 판정을 위한 역치 NN(E)을 설정한다.
S62에서는, 측정 영역(400)의 범프 높이를 측정하고, 가판정을 실행한다. 각 측정 영역(400)을 측정하면서, 범프 높이 데이터가 취득된 측정 영역(400)에 대하여 순차적으로, 가판정을 행하고, S63 이후에 있어서 최종 판정의 처리를 행한다.
S63에서는, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)인지 여부를 판정한다. 측정된 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)이면, 그 측정 영역(400)에 가플래그를 세트하고, 그 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)을 설정하고, S64로 진행한다.
S64에서는, 그 후의 측정에 있어서, 설정된 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 취득되면, N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 가플래그를 해제한다(S65).
S64에 있어서, N(E)개의 측정 영역(400) 중 불사용 판정(LL)의 측정 영역(400)의 수가 NN(E) 이상이 아니면, S67로 진행한다.
S67에서는, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 가플래그를 해제한다(S68).
S67에 있어서, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이 아니면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S69).
S63에 있어서, 측정된 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 불사용 판정(LL)이 아니면, S66으로 진행한다.
S66에서는, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)인지 여부를 판정한다. 측정된 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)이면, 측정 영역(400)에 가플래그를 세트하고, 측정된 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)을 설정하고, S67로 진행한다.
S67에서는, 그 후의 측정에 있어서, 설정된 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 취득되면, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상인지 여부를 판정한다. N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 가플래그를 해제한다(S68). 한편, N(E)개의 측정 영역(400) 중, 가판정 결과가 불사용 판정(LL) 또는 알람 판정(L)인 측정 영역(400)의 합계수가, NN(E) 이상이 아니면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S69).
S66에 있어서, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 가판정 결과가 알람 판정(L)이 아니면, 최종 판정 대상의 측정 영역(400)의 최종 판정을 정상으로 한다(S69). 즉, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 정상인 경우, 대상인 측정 영역(400)을 포함하는 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하지 않고, 대상인 측정 영역(400)의 최종 판정 결과를 정상으로 한다. 한편, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 LL 또는 L인 경우, 대상인 측정 영역(400)에 가플래그를 세트하고, 인접 또는 근접하는 N(E)개의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여, 대상인 측정된 측정 영역(400)에 대한 최종 판정을 행한다. 또한, 대상인 측정 영역(400)의 가판정 결과가 정상인 경우에도, 복수의 측정 영역(400)의 가판정 결과를 고려하여 최종 판정하도록 해도 된다.
상기 처리에서는, 각 측정 영역(400)의 범프 높이 데이터가 취득될 때마다 측정 영역(400)의 가판정을 실시하고, 가판정 결과가 LL 또는 L이면, 그때마다, 그 측정 영역에 대하여 가플래그를 세트하고, 그 측정 영역을 포함하는 복수의 측정 영역을 설정하고, 그 측정 영역의 최종 판정을 복수의 측정 영역의 가판정 결과에 기초하여 행한다.
상기에서는, S64 및 S67의 NN(E)을 동일한 값으로 하였지만, S64 및 S67의 NN(E)은 서로 다른 값이어도 된다.
도 16 및 도 17의 처리에 있어서, 각 측정 영역(400)에 대하여 상기와 같은 범프 높이의 가판정 및 최종 판정을 실행하고, 최종 판정이 불사용 판정(LL)인 측정 영역(400)이 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 되고(도 5의 S37, 도 6의 S46), 최종 판정이 불사용 판정(LL)인 측정 영역(400)이 소정의 수 또는 비율 이상인 경우에, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 된다. 마찬가지로, 최종 판정이 알람 판정(L)인 측정 영역(400)이 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시켜도 되고, 최종 판정이 알람 판정(L)인 측정 영역(400)이 소정의 수 또는 비율 이상인 경우에, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시키도록 해도 된다. 이와 같이, 복수의 측정 영역(400)에 있어서의 가판정 결과를 기초로 각 측정 영역의 최종 판정을 실행함으로써, 상술한 바와 같은 측정 노이즈가 단발로 발생한 경우에, 기판의 판정 결과가 알람 판정이나 불사용 판정이 되어버리는 것을 피할 수 있다.
(판정예 2)
도 18은 기판의 각 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 일례를 설명하는 설명도이다. 측정 영역의 판정 결과는, 상술한 가판정 결과 또는 최종 판정 결과로 할 수 있다. 판정 에어리어는, 하나 또는 복수의 측정 영역을 포함하는 에어리어이며, 기판 W를 소정의 회전각마다 분할하여 얻어지는 에어리어여도 되고, 기판 W를 동일 또는 다른 길이 또는 면적마다 분할하여 얻어지는 에어리어여도 되고, 그 밖에, 기판 W를 임의의 방법으로 분할하여 얻어지는 에어리어여도 된다. 도 18에서는, 기판 W를 회전각 30도마다 분할한 판정 에어리어 AR1 내지 AR12의 일부인 판정 에어리어 AR1 내지 AR3을 나타낸다. 각 판정 에어리어 내에는, 스텝1 내지 5의 복수의 측정 영역(400)이 포함되어 있다. 각 측정 영역(400)에 부여된 L 및 LL의 표기는, 가판정(또는 최종 판정)의 결과이다. L 또는 LL의 표기가 없는 측정 영역(400)은 정상으로 한다. 이 예에서는, 동일한 판정 에어리어 또한 동일 스텝에 있어서, LL의 측정 영역의 수가, N(LL) 이상인 경우에, 불사용 판정(LL)으로 한다. 또한, 동일한 판정 에어리어 또한 동일 스텝에 있어서, L 또는 LL의 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 이상인 경우에, 판정 에어리어에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 한다. 이와 같이, 각 판정 에어리어 AR에 포함되는 측정 영역(400)의 가판정 결과(또는 최종 판정 결과)를 사용하여 각 판정 에어리어 AR의 판정을 실행한다.
예를 들어, N(L/LL)=N(LL)=2로 하면, 판정 에어리어 AR1에 있어서, 스텝2에 판정 결과 LL의 측정 영역(400)이 2개(>=N(LL)) 있기 때문에, 판정 에어리어 AR1의 판정을 LL(불사용 판정)로 한다. 또한, 스텝1에 판정 결과 L의 측정 영역(400)이 1개(<N(L/LL)) 있고, 스텝4에 판정 결과 L의 측정 영역(400)이 1개(<N(L/LL)) 있지만, 판정 에어리어 AR1에 대한 판정에 영향을 미치지 않는다.
판정 에어리어 AR2에 있어서, 스텝1에 판정 결과 L 또는 LL의 측정 영역(400)이 3개(>=N(L/LL)) 있지만, LL의 측정 영역(400)의 수가 1개(<N(LL))이기 때문에, 판정 에어리어 AR2의 판정을 L(알람 판정)로 한다.
판정 에어리어 AR3에 있어서, 동일 스텝에 N(LL) 이상의 LL의 측정 영역이 없고, N(L/LL)개 이상의 L 또는 LL의 측정 영역이 없기 때문에, 판정 에어리어 AR3의 판정을 정상으로 한다.
도 19는 기판의 각 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 일례를 설명하는 설명도이다. 이 처리는, 측정 대상인 전체 영역(스텝1 내지 5의 측정 영역(400) 중 실제로 측정하는 영역)에 대하여 범프 높이의 측정, 및 측정 영역의 판정 처리를 실행한 후에, 실행된다.
S71에서는, 알람 판정(L)의 판단에 사용하는 역치 N(L/LL)과, 불사용 판정(LL)의 판단에 사용하는 역치 N(LL)을 설정한다.
S72에서는, 판정의 대상으로 하는 판정 에어리어 AR을 선택한다.
S73에서는, 대상으로 하는 판정 에어리어 AR에 포함되는 측정 영역(400)의 판정 결과를 검사하고, 이 판정 에어리어 AR 내의 각 스텝1 내지 5마다 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(LL) 이상인지 여부를 판정한다. 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(LL) 이상인 스텝이 있는 경우, 이 판정 에어리어 AR의 판정을 LL(불사용 판정)로 한다(S74).
S73에 있어서, 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(LL) 이상인 스텝이 없는 경우, S75로 진행한다. S75에서는, 이 판정 에어리어 AR 내의 각 스텝에 있어서, 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(L/LL) 이상인지 여부를 판정한다. 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(L/LL) 이상인 스텝이 있는 경우, 이 판정 에어리어 AR의 판정을 L(알람 판정)로 한다(S76).
S75에 있어서, 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 수가 N(L/LL) 이상인 스텝이 없는 경우, 이 판정 에어리어 AR의 판정을 정상으로 한다(S77).
그 후, 판정 에어리어를 변경하여(S72), S73 이후의 처리를 반복한다.
상기 판정 처리에 의하면, 측정 영역보다도 넓은 판정 에어리어를 설정하고, 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 판정 에어리어 전체에 대하여 평가를 행하기 때문에, 측정 노이즈에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 예를 들어 급전 전극(콘택트)에 문제가 있는 경우에는, 기판 상의 동일 스텝, 즉 동일한 직경 방향 위치(동일 직경의 원주 상)에 있어서, 범프 높이에 마찬가지의 영향이 발생하기 쉽다. 이 형태에 의하면, 동일 판정 에어리어 또한 동일한 직경 방향 위치에 있는 측정 영역에 대한 판정 결과에 기초하여, 판정 에어리어에 대한 판정을 행함으로써, 판정의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
(판정예 3)
도 20은 기판의 각 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 다른 예를 설명하는 설명도이다. 측정 영역의 판정 결과는, 상술한 가판정 결과 또는 최종 판정 결과로 할 수 있다. 이 예에서는, 알람 판정(L)을 위한 역치 N(L/LL)과, 불사용 판정(LL)을 위한 역치 N(LL)을 설정한다. 그리고, 동일한 판정 에어리어에 있어서, L 또는 LL의 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 이상인 경우에, 판정 에어리어를 알람 판정(L)으로 하고, 동일한 판정 에어리어에 있어서, L 또는 LL의 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 미만인 경우에, 정상으로 판정한다. 또한, 동일한 판정 에어리어에 있어서, L 또는 LL의 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 이상이고, 또한, LL의 측정 영역(400)의 수가 N(LL) 이상인 경우에, 판정 에어리어를 불사용 판정(LL)으로 한다.
이 예에 있어서, N(L/LL)=4, N(LL)=2로 하면, 판정 에어리어 AR1에서는, 동일 판정 에어리어에 판정 결과 L 또는 LL의 측정 영역(400)이 4개(>N(L/LL)) 있기 때문에, 판정 에어리어 AR1은 L(알람 판정)이고, 또한, 판정 결과 LL의 측정 영역(400)이 2개(>=N(LL)) 있다. 따라서, 판정 에어리어 AR1을 LL(불사용 판정)로 한다.
판정 에어리어 AR2에서는, 동일 판정 에어리어에 판정 결과 L 또는 LL의 측정 영역(400)이 5개(>=N(L/LL)) 있기 때문에, 판정 에어리어 AR2는 L(알람 판정)이며, 판정 결과 LL의 측정 영역(400)이 1개(<N(LL)) 있다. 따라서, 판정 에어리어 AR1의 판정을 L(알람 판정)로 한다.
판정 에어리어 AR3에서는, 동일 판정 에어리어에 판정 결과 L 또는 LL의 측정 영역(400)이 3개(<N(L/LL)) 있다. 따라서, 판정 에어리어 AR3의 판정을 정상으로 한다. 또한, 동일 판정 에어리어에 판정 결과 L 또는 LL의 측정 영역(400)이 N(L/LL)개 미만이어도, 판정 결과 LL의 측정 영역(400)이 N(LL) 이상이면, 그 판정 에어리어를 LL(불사용 판정)로 하도록 해도 된다.
도 21은 각 판정 에어리어의 판정을 행하는 처리의 다른 예의 흐름도이다.
S81에서는, 알람 판정(L)의 판단에 사용하는 역치 N(L/LL)과, 불사용 판정(LL)의 판단에 사용하는 역치 N(LL)을 설정한다.
S82에서는, 판정의 대상으로 하는 판정 에어리어 AR을 선택한다.
S83에서는, 대상으로 하는 판정 에어리어 AR에 포함되는 측정 영역(400)의 판정 결과를 검사하고, 이 판정 에어리어 AR 내에 있어서 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 합계수가, N(L/LL) 이상인지 여부를 판정한다. 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 이상인 경우, 스텝 S84로 진행한다. 한편, 판정 결과가 L 또는 LL인 측정 영역(400)의 합계수가 N(L/LL) 이상이 아닌 경우, 이 판정 에어리어 AR을 정상으로 한다(S87).
S84에서는, 이 판정 에어리어 AR 내에 있어서 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 합계수가, N(LL) 이상인지 여부를 판정한다. 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 합계수가, N(LL) 이상인 경우, 이 판정 에어리어 AR을 불사용 판정(LL)으로 한다(S85).
한편, 판정 결과가 LL인 측정 영역(400)의 합계수가, N(LL) 이상이 아닌 경우, 이 판정 에어리어 AR을 알람 판정(L)으로 한다(S86).
그 후, 판정 에어리어를 변경하여(S82), S83 이후의 처리를 반복한다.
상기 판정 처리에 의하면, 측정 영역보다도 넓은 판정 에어리어를 설정하고, 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 판정 에어리어 전체에 대하여 평가를 행하기 때문에, 측정 노이즈에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 동일 판정 에어리어 내 전체의 측정 영역에 기초하여 판정하기 때문에, 동일 판정 에어리어 내의 스텝마다 판정하는 경우와 비교하여, 판정 처리가 간략화된다.
판정예 2 및 3에 있어서, 각 판정 에어리어 AR에 대하여 상기와 같은 판정을 실시하고, 불사용 판정(LL)의 판정 에어리어 AR이 1개라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 알람을 발생시킴과 함께, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 판정 에어리어 AR이 불사용 판정(LL)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 불사용 판정(LL)으로 하고, 실제로, 알람을 발생시킴과 함께, 당해 기판의 처리에 사용된 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 해도 된다. 마찬가지로, 알람 판정(L)의 판정 에어리어 AR이 하나라도 존재하면, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시켜도 되고, 소정의 수 또는 비율 이상의 판정 에어리어 AR이 알람 판정(L)으로 판정된 경우에, 기판에 대한 판정을 알람 판정(L)으로 하고, 실제로 알람을 발생시키도록 해도 된다.
상기에서는, 기판 W의 측정 대상인 전체 영역(스텝1 내지 5의 측정 영역(400) 중 실제로 측정하는 영역)에 대하여 범프 높이의 측정, 및 측정 영역의 판정 처리를 실행한 후에, 판정 에어리어의 판정 처리를 실행하는 경우를 설명하였지만, 각 측정 영역(400)의 측정과 병행하여, 측정 영역의 판정 처리 및 판정 에어리어의 판정 처리를 실행해도 된다. 예를 들어, 하나 또는 복수의 측정 영역(400)이 측정될 때마다 측정 영역의 판정 처리를 실행하고, 하나 또는 복수의 판정 에어리어의 판정 처리에 필요한 측정 영역(400)의 판정 결과가 산출될 때마다, 판정 에어리어의 판정 처리를 행하도록 해도 된다. 또한, 각 측정 영역(400)의 측정과 병행하여 측정 영역의 판정 처리를 실행하고, 전체 측정 영역의 범프 높이 측정 및 측정 영역의 판정 처리 후에, 판정 에어리어의 판정 처리를 실행해도 된다. 또한, 각 측정 영역의 범프 높이의 측정과 병행하여, 측정 영역의 가판정 처리, 측정 영역의 최종 판정 처리, 및/또는 판정 에어리어의 판정 처리를 적절히, 병행하여 실시해도 된다.
범프 높이의 이상의 원인은 다양하게 생각되지만, 범프 높이의 이상은, 기판 상에서 산발적으로 발생하는 것보다도, 기판 상의 특정 영역에 집중되어 발생할 가능성쪽이 높다. 판정예 2 및 판정예 3의 형태에서는, 기판 상의 분할된 판정 에어리어 내의 복수의 측정 영역의 판정 결과에 기초하여, 각 판정 에어리어의 판정을 행하기 때문에, 산발적인 측정 노이즈의 영향을 과도하게 받지 않고, 적절한 판정을 행할 수 있다.
(이상 판정 처리의 해제)
도 22 내지 도 24는 기판 처리의 타임차트이다. 상술한 실시 형태는, 기판 상의 범프 높이를 검사함으로써, 기판 홀더 및/또는 도금조의 불량을 조기에 판정하는 것을 목적으로 한다. 한편, 기판의 범프 높이의 이상이, 기판의 이상에 기인하는 것이며, 그 기판을 보유 지지하는 기판 홀더 및/또는 도금조는 정상인 경우가 있다. 이 때문에, 기판에 대한 범프 높이 검사의 결과가 이상이었다고 해도, 동일 기판 홀더 및/또는 도금조에서 처리되는 다음 기판에 대한 범프 높이 검사의 결과에 이상이 없는 경우에는, 기판 홀더 및/또는 도금조에 대한 알람 판정 L 또는 불사용 판정 LL을 해제하고, 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 알람 판정 또는 불사용 판정으로 판정된 기판의 다음에 처리되는 기판의 범프 높이 검사의 결과에 따라서, 알람 판정 또는 불사용 판정을 해제할 수 있도록 한다.
여기에서는, 동일 기판 홀더 및/또는 도금조에서 처리되는 웨이퍼1 내지 3(기판)을 처리하는 경우를 예로 들어 설명한다. 이들 도면에 있어서, 처리 A는, 건조 장치(106)에 있어서의 처리 이외의 기판에 대한 처리(도 3의 S1 내지 S7)를 나타내고, 처리 B는 건조 장치(106)에 있어서의 세정/건조 처리(도 3의 S8)를 나타내고, 처리 C는 범프 높이 검사(도 3의 S9)를 나타낸다.
도 22에 도시한 바와 같이, 웨이퍼1에 대한 처리 A가 종료되고, 처리 B가 개시되는 타이밍에, 웨이퍼2에 대한 처리 A가 개시된다. 마찬가지로, 웨이퍼2에 대한 처리 A가 종료되고, 처리 B가 개시되는 타이밍에, 웨이퍼3에 대한 처리 A가 개시된다. 처리 C의 범프 높이 검사의 결과가 취득된 시점(처리 C의 종료 시)에서는, 웨이퍼1을 처리한 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하여 다음 웨이퍼2의 처리(처리 A)가 개시되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼1에 대한 범프 높이 검사의 결과가 불사용 판정(LL)이었다고 해도, 동일한 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하여 웨이퍼2에 대한 처리는 이미 개시되어 있어, 계속된다. 따라서, 웨이퍼1에 대한 범프 높이 검사의 결과가 불사용 판정(LL)인 경우, 다음 웨이퍼2가 아니고, 2개 후인 웨이퍼3에 대하여, 동일한 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용 불가로 하는 처리가 적용된다(도 24).
도 23에 도시한 바와 같이, 웨이퍼1의 범프 높이 검사의 결과가 알람 판정(L)이고, 웨이퍼2의 범프 높이 검사의 결과가 정상인 경우, 당해 기판 홀더 및/또는 도금조에 대한 알람 판정(L)을 해제한다. 이 결과, 웨이퍼2의 범프 높이 검사 후에, 알람의 발생이 정지된다. 예를 들어, GUI 상에 표시되는 메인터넌스를 재촉하는 알람 표시가 지워진다. 또한, 연속 또는 누적으로 소정 횟수의 알람 판정이 이루어진 후에 실제로 알람을 발생시키는 처리를 행하는 경우에는, 알람 판정 후에 후속의 기판에 있어서 정상 판정이 된 경우, 그 정상 판정에 의해, 알람 판정의 누적 횟수를 카운트 업하지 않고, 카운트 다운하거나 또는 리셋하는 등의 처리를 행해도 된다. 또한, 소정 횟수의 알람 판정 후에 실제로 알람을 발생시킨 경우라도, 그 후의 기판에 있어서 연속 또는 누적으로 소정 횟수(동일 또는 다른 소정 횟수)만큼 정상 판정이 된 경우에 알람을 발생시키는 처리를 해제하도록 해도 된다.
또한, 도금 장치에 기판 홀더의 세정 기구가 있는 경우, 알람 판정(L)된 기판 홀더를 세정 기구로 반송하여 세정하고, 그 후, 당해 기판 홀더를 사용하여 기판의 도금 처리를 재개하도록 해도 된다. 세정 후의 기판 홀더를 사용하여 기판을 처리함으로써, 알람 판정(L)이 해제될 가능성이 높아진다.
도 24에 도시한 바와 같이, 웨이퍼1의 범프 높이 검사의 결과가 불사용 판정(LL)이고, 웨이퍼2의 범프 높이 검사의 결과가 정상인 경우, 웨이퍼2의 범프 높이 검사 후에, 당해 기판 홀더 및/또는 도금조에 대한 불사용 판정(LL)을 해제한다. 이 결과, 불사용 판정(LL)을 해제 후에, 한 번 불사용으로 된 당해 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하여, 웨이퍼3의 처리를 재개할 수 있다.
또한, 웨이퍼1의 범프 높이 검사의 결과가 불사용 판정(LL)에 의해, 웨이퍼3에 대한 당해 기판 홀더 및/또는 도금조의 사용이 금지되어 있기 때문에, 도 24에 도시한 바와 같이, 웨이퍼2에 대한 처리 A의 종료 시점에서는, 당해 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용한 웨이퍼3에 대한 처리 A는 개시되어 있지 않다. 그 때문에, 웨이퍼2의 범프 높이 검사의 결과가 정상이 되어 불사용 판정(LL)을 해제한 후에, 당해 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하여 웨이퍼3의 처리가 재개된다.
또한, 연속 또는 누적으로 소정 횟수의 불사용 판정이 이루어진 후에 실제로 알람 및/또는 불사용으로 하는 처리를 적용하는 경우에는, 불사용 판정 후에 후속의 기판에 있어서 정상 판정이 된 경우, 그 정상 판정에 의해, 불사용 판정의 누적 횟수를 카운트 업하지 않고, 카운트 다운하거나 또는 리셋하는 등의 처리를 행해도 된다.
통상, 불사용 판정(LL)된 기판 홀더를 도금 처리에 사용하는 경우, 기판 홀더의 메인터넌스 실시 후에 수동으로 불사용 판정(LL)을 해제할 필요가 있지만, 상기와 같이, 한 번 설정된 불사용 판정(LL)을 다음 웨이퍼의 처리 결과에 따라서 해제할 수 있도록 함으로써, 불필요한 메인터넌스의 실시를 억제할 수 있어, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
도금 장치에 기판 홀더의 세정 기구가 있는 경우, 불사용 판정(LL)된 기판 홀더를 세정 기구로 반송하여 세정 후, 기판을 1매만 처리하여, 프로세스 결과를 판정하고, 판정 결과가 정상이면, 기판 홀더 및/또는 도금조에 대한 불사용 판정(LL)을 해제하도록 해도 된다. 세정 후의 기판 홀더를 사용하여 기판을 처리함으로써, 불사용 판정(LL)이 해제될 가능성이 높아진다.
이와 같이, 범프 높이 검사의 결과에 의해, 기판(그 기판을 처리한 기판 홀더 및/또는 도금조)에 대하여 알람 판정(L) 또는 불사용 판정(LL)이 이루어졌다고 해도, 동일 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하는 다음 기판에 대한 검사 결과가 정상이면, 알람 판정(알람 발생 처리) 또는 불사용 판정(불사용 처리)을 해제하고, 그 기판 홀더 및/또는 도금조를 사용하여 후속의 기판에 대한 처리를 계속할 수 있다. 이에 의해, 범프 높이 이상의 원인이 기판에 있는 경우에, 당해 기판을 처리한 기판 홀더 및/또는 도금조를 다른 기판에 대하여 계속해서 사용할 수 있다.
상기 실시 형태로부터 적어도 이하의 형태가 파악된다.
제1 형태에 의하면, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와,
상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 제어 장치를 구비하는 범프 높이 측정 장치가 제공된다.
범프 높이 측정 장치는, 도금 장치, 연마 장치, 또는 도금 장치 및 연마 장치를 구비한 기판 처리 장치, 또는 그 밖의 기판 처리 장치에 마련할 수 있다. 범프 높이 측정 장치의 제어 장치는, 범프 높이 측정 장치가 기판 처리 장치에 마련되는 경우에는, 기판 처리 장치의 제어 장치의 기능에 의해 구성해도 되고, 기판 처리 장치의 제어 장치와 다른 컨트롤러가 협동하는 구성으로 해도 된다.
이 형태에 의하면, 간이한 구성 및 처리에 의해, 기판 상의 범프의 높이를 측정할 수 있다. 또한, 레지스트층이 구비된 상태의 기판의 범프의 높이를 측정할 수 있으므로, 측정 전에 레지스트층을 박리할 필요가 없어, 범프 형성 처리 후의 단시간 동안에 범프의 높이의 이상을 발견할 수 있다. 그 때문에, 이상이 있는 기판을 처리한 기판 처리 장치의 구성(예를 들어, 기판 보유 지지 부재, 도금조)을 사용하여, 이상이 있는 기판을 작성하는 것을 조기에 정지할 수 있다. 또한, 범프 형성 처리 전후의 양쪽에서 기판의 막 두께 측정을 행할 필요가 없기 때문에, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차(레지스트층의 굴절률이 시드층까지의 광로 길이에 미치는 영향)를 고려하여 범프 높이를 산출하기 때문에, 범프 높이의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제2 형태에 의하면, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 제어 장치를 구비하는 범프 높이 측정 장치가 제공된다.
이 형태에 의하면, 제1 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다. 단, 레지스트층의 굴절률에 의한 영향은, 이하와 같이 상쇄된다. 즉, 레지스트층으로 덮인 시드층을 기준의 높이로 하여, 범프 및 노출 부분의 시드층의 높이를 측정하고, 측정된 범프 및 시드층의 높이의 차에 의해 범프의 높이를 산출한다. 이에 의해, 범프, 및 노출 부분의 시드층의 높이의 측정에 미치는 레지스트층의 굴절률에 의한 영향을 상쇄하고 있다. 이 구성에 의해서도, 정확한 범프의 높이를 취득할 수 있다.
제3 형태에 의하면, 제1 형태의 범프 높이 측정 장치에 있어서, 상기 오차는, 레시피에서 설정된 상기 레지스트층의 굴절률 및 두께를 사용하여 산출된다.
이 형태에 의하면, 레지스트층의 굴절률을 및 두께를 사용하여, 범프의 높이를 고정밀도로 보정할 수 있다.
제4 형태에 의하면, 제1 내지 제3 형태 중 어느 범프 높이 측정 장치에 있어서, 상기 광 센서는, 상기 기판의 외주부에 있어서 광을 조사하고, 상기 제어 장치는, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 범프의 높이를 취득한다.
기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 기판을 도금 처리하는 경우, 기판의 외주부에 전극이 접촉되어, 전극을 통해 기판 전체에 전류가 공급되기 때문에, 도금되는 범프의 높이에 이상이 발생하는 경우에는, 기판의 외주부의 범프에 높이의 이상이 발생하는 경우가 많다. 그 때문에, 기판의 외주부의 높이 데이터를 측정하고, 측정 데이터에 기초하여, 기판 상의 범프의 높이의 이상을 검출할 수 있다. 이 경우, 측정 범위를 저감하여, 측정에 요하는 시간을 저감할 수 있다.
제5 형태에 의하면, 제4 형태의 범프 높이 측정 장치에 있어서, 상기 기판을 회전시키는 기판 회전 기구, 또는, 상기 광 센서를 상기 기판의 둘레로 회전시키는 센서 회전 기구에 의해, 상기 광 센서와 상기 기판이 소정 각도씩 상대적으로 회전되어, 상기 광 센서가 상기 기판의 외주부를 주사한다.
이 형태에 의하면, 광 센서와 기판을 소정 각도씩 상대 회전시켜 기판의 외주부를 측정하기 때문에, 1회의 측정에 있어서의 측정 범위를 저감할 수 있다.
제6 형태에 의하면, 기판을 처리하는 하나 또는 복수의 기판 처리 유닛을 갖는 기판 처리부와, 상기 기판 처리 후의 상기 기판을 건조하기 위한 건조 장치와, 상기 건조 장치에 마련된 범프 높이 측정 장치와, 상기 기판 처리부, 상기 건조 장치, 및 범프 높이 측정 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하고, 상기 범프 높이 측정 장치는, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는, 기판 처리 장치가 제공된다.
기판 처리 장치는, 도금 장치, 연마 장치, 또는 도금 장치 및 연마 장치를 구비한 기판 처리 장치, 또는 그 밖의 기판 처리 장치인 것이 가능하다. 하나 또는 복수의 기판 처리 유닛은, 도금조, 및/또는, 연마 유닛을 포함한다. 제어 장치는, 하나 또는 복수의 컴퓨터 및/또는 컨트롤러로 구성되는 것이 가능하고, 제어 장치가 실행하는 처리는, 하나 또는 복수의 컴퓨터 및/또는 컨트롤러에서 분담하여, 협동하여 행할 수 있다. 하나 또는 복수의 컴퓨터 및/또는 컨트롤러는, 기판 처리 장치의 장치 컴퓨터 및 장치 컨트롤러, 그리고, 광 센서의 컨트롤러 중 하나 또는 복수를 포함할 수 있다.
이 형태에 의하면, 간이한 구성 및 처리에 의해, 기판 상의 범프의 높이를 측정할 수 있다. 또한, 레지스트층이 구비된 상태의 기판의 범프 높이를 측정할 수 있으므로, 측정 전에 레지스트층을 박리할 필요가 없어, 범프 형성 처리 후의 단시간 동안에 범프의 높이의 이상을 발견할 수 있다. 그 때문에, 이상이 있는 기판을 처리한 기판 처리 장치의 구성(예를 들어, 기판 보유 지지 부재, 도금조, 연마 유닛)을 사용하여, 이상이 있는 기판을 작성하는 것을 조기에 정지할 수 있다. 또한, 기판 처리 전후의 양쪽에서 기판의 막 두께 측정을 행할 필요가 없기 때문에, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차(레지스트층의 굴절률이 시드층까지의 광로 길이에 미치는 영향)를 고려하여 범프 높이를 산출하기 때문에, 범프 높이의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 건조 장치에 있어서 범프 높이를 검사하기 때문에, 기판의 반송이 복잡해지는 것이 방지되어, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
제7 형태에 의하면, 기판을 처리하는 하나 또는 복수의 기판 처리 유닛을 갖는 기판 처리부와, 상기 기판 처리 후의 상기 기판을 건조하기 위한 건조 장치와, 상기 건조 장치에 마련된 범프 높이 측정 장치와, 상기 기판 처리부, 상기 건조 장치, 및 범프 높이 측정 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하고, 상기 범프 높이 측정 장치는, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는, 기판 처리 장치가 제공된다.
이 형태에 의하면, 제6 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다. 단, 레지스트층의 굴절률에 의한 영향은, 이하와 같이 상쇄된다. 즉, 레지스트층으로 덮인 시드층을 기준의 높이로 하여, 범프, 및 노출 부분의 시드층의 높이를 측정하고, 측정된 범프 및 시드층의 높이의 차에 의해 범프의 높이를 산출한다. 이에 의해, 범프, 및 노출 부분의 시드층의 높이의 측정에 미치는 레지스트층의 굴절률에 의한 영향을 상쇄하고 있다. 이 구성에 의해서도, 정확한 범프의 높이를 취득할 수 있다.
제8 형태에 의하면, 제6 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 오차는, 레시피에서 설정된 상기 레지스트층의 굴절률 및 두께를 사용하여 산출된다.
이 형태에 의하면, 레지스트층의 굴절률을 및 두께를 사용하여, 범프의 높이를 고정밀도로 보정할 수 있다.
제9 형태에 의하면, 제8 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 건조 장치는, 상기 기판을 회전하여 건조시키기 위한 기판 회전 기구를 갖는다.
이 형태에 의하면, 기판을 회전시킴으로써 건조시킬 수 있다. 또한, 기판면의 높이 측정 시에, 기판 회전 기구에 의해 기판을 회전시켜, 기판면의 높이 측정을 행하는 것도 가능하다.
제10 형태에 의하면, 제6 내지 제9 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 건조 장치는, 상기 기판을 건조시키는 건조부로부터 상기 범프 높이 측정 장치를 차폐하는 개폐 가능한 차폐 부재를 갖는다.
이 형태에 의하면, 폐쇄 상태의 차폐 부재에 의해 범프 높이 측정 장치를 건조부로부터 차폐한 상태에서 기판을 건조하고, 차폐 부재를 개방한 상태에서 기판에 대하여 범프 높이 검사를 행할 수 있다. 건조부에 있어서의 건조 처리를 방해하는 것을 방지함과 함께, 범프 높이 측정 장치의 보호를 행할 수 있다.
제11 형태에 의하면, 제6 내지 제10 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판은, 기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 상태에서 도금 처리되고, 상기 제어 장치는, 상기 취득된 상기 범프의 높이에 기초하여 상기 범프 높이를 검사하고, 상기 범프의 높이에 이상이 있는 경우에, 당해 기판을 보유 지지하는 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 당해 기판에 도금 처리를 행한 상기 도금조를 불사용으로 한다.
이 형태에 의하면, 이상이 있는 기판을 처리한 기판 보유 지지 부재 및/또는 기판 처리부(예를 들어, 도금조)를 사용하여, 이상이 있는 기판을 작성하는 것을 조기에 정지할 수 있다.
제12 형태에 의하면, 제6 내지 제11 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 광 센서는, 상기 기판의 외주부에 있어서 광을 조사하고, 상기 제어 장치는, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 범프의 높이를 산출한다.
기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 기판을 도금 처리하는 경우, 기판의 외주부에 전극이 접촉되어, 전극을 통해 기판 전체에 전류가 공급되기 때문에, 도금되는 범프의 높이에 이상이 발생하는 경우에는, 기판의 외주부의 범프에 높이의 이상이 발생하는 경우가 많다. 그 때문에, 기판의 외주부의 패턴을 측정하고, 측정 데이터에 기초하여, 기판 상의 범프의 높이의 이상을 검출할 수 있다. 이 경우, 측정 범위를 저감하여, 측정에 요하는 시간을 저감할 수 있다.
제13 형태에 의하면, 제12 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 회전하여 건조시키기 위한 기판 회전 기구, 또는, 상기 광 센서를 상기 기판의 둘레로 회전시키는 센서 회전 기구에 의해, 상기 광 센서와 상기 기판이 소정 각도씩 상대적으로 회전되어, 상기 광 센서가 상기 기판의 외주부를 주사한다.
이 형태에 의하면, 광 센서와 기판을 소정 각도씩 상대 회전시켜 기판의 외주부를 측정하기 때문에, 1회의 측정에 있어서의 측정 범위를 저감할 수 있다.
또한, 건조 장치에 마련된 기판 건조용의 기판 회전 기구에 의해 촬상 장치와 기판을 상대 회전시키는 경우, 원래 있는 기판 건조용의 기판 회전 기구를 촬상 시의 기판 주사 기구로서 사용함으로써, 광 센서를 기판의 외주부를 따라서 회전시키는 회전 기구를 생략할 수 있다.
제14 형태에 의하면, 범프 높이 측정 방법이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 것을 포함하는 범프 높이 측정 방법이 제공된다.
이 형태에 의하면, 제1 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
제15 형태에 의하면, 범프 높이 측정 방법이며, 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 포함하는 범프 높이 측정 방법이 제공된다.
이 형태에 의하면, 제2 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
제16 형태에 의하면, 범프 높이 측정 장치를 제어하는 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 광이 상기 레지스트층을 투과하여 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 광원으로부터의 광이 상기 범프에서 반사된 반사광을 수광 소자에서 검출하는 것, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를 감산하여, 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체가 제공된다.
이 형태에 의하면, 제1 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
제17 형태에 의하면, 범프 높이 측정 장치를 제어하는 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체가 제공된다.
이 형태에 의하면, 제2 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.
제18 형태에 의하면, 제6 내지 13 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 범프 높이 측정 장치는, 상기 기판 상의 복수의 측정 영역에 대하여 범프 높이의 측정을 실시하고, 상기 제어 장치는, 상기 측정이 실시된 측정 영역마다 범프 높이의 이상의 유무를 가판정하고, 하나의 측정 영역의 가판정 결과와, 그 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 다른 측정 영역의 가판정 결과를 사용하여, 상기 하나의 측정 영역의 최종 판정을 실시하는, 기판 처리 장치가 제공된다.
이 형태에 의하면, 하나의 측정 영역의 판정 결과(가판정 결과)에다가, 다른 측정 영역의 판정 결과(가판정 결과)를 사용하여, 당해 하나의 측정 영역에 대한 최종 판정을 실시하기 때문에, 범프 선단의 형상이나 성상에 따라서는 범프에서 반사된 광이 충분히 센서로 되돌아가지 않는 것 등에 기인하여 광학 센서의 측정값에 측정 노이즈가 있는 경우에도, 기판에 있어서의 범프 높이의 평가의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 광학 센서의 측정 노이즈 때문에 범프 높이가 이상(알람 판정 또는 불사용 판정)으로 오검지되는 것 및 오검지에 기초하여 알람을 발생시키는 것 및/또는 사용 불가로 하는 리스크를 경감할 수 있다.
제19 형태에 의하면, 제6 내지 제13 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 범프 높이 측정 장치는, 상기 기판 상의 복수의 측정 영역에 대하여 범프 높이의 측정을 실시하고, 상기 제어 장치는, 상기 측정이 실시된 측정 영역마다 범프 높이의 이상의 유무를 판정하고, 상기 제어 장치는, 복수의 상기 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 판정 에어리어를 상기 기판 상에 설정하고, 상기 판정 에어리어마다, 상기 판정 에어리어에 포함되는 복수의 상기 측정 영역에 대한 판정 결과를 사용하여, 상기 판정 에어리어에 대한 범프 높이 검사의 판정을 실시한다. 측정 영역에 대한 판정 결과는, 예를 들어 상술한 가판정 결과 또는 최종 판정 결과이다.
이 형태에 의하면, 측정 영역에 대하여 판정을 행함과 함께, 또한, 측정 영역보다도 넓은 판정 에어리어를 설정하고, 판정 에어리어에 포함되는 복수의 측정 영역에 대한 판정 결과를 사용하여, 판정 에어리어에 대한 판정을 행하기 때문에, 측정 노이즈에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있다.
제20 형태에 의하면, 제18 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 장치는, 복수의 상기 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 판정 에어리어를 상기 기판 상에 설정하고, 상기 판정 에어리어마다, 상기 판정 에어리어에 포함되는 복수의 상기 측정 영역에 대한 가판정 결과 또는 최종 판정 결과를 사용하여, 상기 판정 에어리어에 대한 범프 높이 검사의 판정을 실시한다.
이 형태에 의하면, 또한, 측정 영역보다도 넓은 판정 에어리어를 설정하고, 판정 에어리어에 포함되는 복수의 측정 영역에 대한 판정 결과를 사용하여, 판정 에어리어에 대한 판정을 행하기 때문에, 측정 노이즈에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 각 측정 영역의 최종 판정 결과를 사용하는 경우에는, 측정 영역마다 측정 노이즈를 저감하는 효과와, 측정 노이즈가 저감된 각 측정 영역의 판정 결과를 사용하여 판정 에어리어에 있어서 측정 노이즈를 더 저감하는 효과가 중첩되어, 측정 노이즈 저감의 효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
제21 형태에 의하면, 제19 또는 제20 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 기판 상의 동일한 판정 에어리어 또한 동일한 직경 방향 위치에 있어서 이상으로 판정된 측정 영역의 수에 따라서, 각 판정 에어리어에 대한 판정을 행한다. 이상의 판정은, 예를 들어 상술한 알람 판정(L) 및 불사용 판정(LL)을 포함한다.
기판이 원형인 경우, 기판 상에 있어서의 직경 방향의 위치는 급전 전극(콘택트)으로부터의 거리에 따라서 변화되기 때문에, 급전 전극(콘택트)에 문제가 있는 경우에는, 기판 상의 동일한 직경 방향 위치(동일 직경의 원주 상)에 있어서, 범프 높이에 마찬가지의 영향이 발생하기 쉽다. 이 형태에 의하면, 동일 판정 에어리어 또한 동일한 직경 방향 위치에 있는 측정 영역에 대한 판정 결과에 기초하여, 판정 에어리어에 대한 판정을 행함으로써, 판정의 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. 이 형태에 의하면, 동일 판정 에어리어 또한 동일한 직경 방향 위치에 있는 측정 영역에 대한 판정 결과에 기초하여, 판정 에어리어에 대한 판정을 행함으로써, 판정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제22 형태에 의하면, 제18 내지 제21 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 측정 영역에서 측정된 범프 높이 중 최댓값 및 최솟값이 소정의 범위에 있는지 여부에 기초하여, 상기 측정 영역에 대한 판정을 실시한다.
이 형태에 의하면, 측정 영역에서 측정된 범프 높이 중 최댓값 및 최솟값의 값에 기초하여 판정을 행하기 때문에, 측정 노이즈에 의한 영향을 더욱 저감할 수 있다.
제23 형태에 의하면, 제18 내지 제22 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 측정 영역에서 측정된 범프 높이 중 소정의 수치 범위를 초과하는 범프 높이의 값을 제외하고, 제외한 후의 범프 높이의 값에 기초하여 상기 측정 영역에 대한 판정을 실시한다.
이 형태에 의하면, 통상 도금 장치가 원인이라고는 할 수 없는 명백한 이상값(도금의 결과로서는 통상 있을 수 없는 이상한 측정값, 예를 들어 범프 선단의 형상이나 성상에 의해 범프에서 반사된 광이 충분히 센서로 되돌아가지 않는 것 등에 기인하여 발생하는 측정 노이즈를 포함하는 광 센서의 측정값.)을 제외할 수 있어, 범프 높이의 판정 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
제24 형태에 의하면, 제6 내지 제10 형태 중 어느 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판은, 기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 상태에서 도금 처리되고, 상기 제어 장치는, 상기 취득된 상기 범프의 높이에 기초하여 상기 기판의 상기 범프 높이를 검사하고, 상기 기판의 상기 범프의 높이에 이상이 있는 경우에, 당해 기판을 처리한 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 도금조를 이상 판정하고, 상기 제어 장치는, 상기 이상으로 판정된 상기 기판의 후속의 기판의 상기 범프 높이의 검사를 실시하고, 상기 후속의 기판의 상기 범프 높이에 이상이 없는 경우에, 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 상기 도금조에 대한 이상 판정을 해제한다.
이 형태에 의하면, 기판 보유 지지 부재 및/또는 도금조에 이상은 없지만, 기판에 기인하여 범프 높이의 이상이 검지된 경우에, 기판 보유 지지 부재 및/또는 도금조에 대한 이상의 판정을 해제하여, 기판 보유 지지 부재 및/또는 도금조의 사용을 계속할 수 있다. 기판 보유 지지 부재는, 예를 들어 기판 홀더이다.
제25 형태에 의하면, 제24 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 이상 판정 처리는, 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 상기 도금조에 관한 알람의 발생 및/또는 불사용의 설정을 포함하거나 또는 수반한다.
이 형태에 의하면, 기판에 기인하여 범프 높이의 이상이 검지된 경우의 알람의 발생 및/또는 불사용의 설정을 해제하는 것이 가능하다.
이상, 몇 가지의 예에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 상기한 발명의 실시 형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있음과 함께, 본 발명에는, 그 균등물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 과제 중 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는 효과 중 적어도 일부를 발휘하는 범위에 있어서, 특허 청구 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 임의의 조합, 또는 생략이 가능하다. 예를 들어, 상기 발명의 실시 형태에서는, 범프 높이 측정 장치는 도금 장치 내의 건조 장치에 설치한 예로 설명하였지만, 반드시 범프 높이 측정 장치의 설치 장소는 건조 장치일 필요는 없다. 또한, 상기 발명의 실시 형태에서는, 기판 W의 회전 방향 및 반경 방향을 따라서 측정 영역(400)이 배치되는 예로 설명하였지만, 측정 영역이 X-Y 평면 상에 종횡으로 배치되고, 그것을 따라서 촬상되도록 광 센서(201)를 주사하는 로봇 등을 구성해도 된다(이 구성은, 임의의 형상의 기판에 적용 가능하지만, 특히 각형(다각형) 기판과 같은 원형이 아닌 기판의 경우에 채용하기 쉽다).
본원은, 2018년 6월 29일에 제출된 일본 출원 번호 특허 출원 제2018-125427호에 기초하는 우선권을 주장한다. 2018년 6월 29일에 제출된 일본 출원 번호 특허 출원 제2018-125427호의 명세서, 특허 청구 범위, 요약서를 포함하는 모든 개시 내용은, 참조에 의해 전체로서 본원에 포함된다.
일본 특허 공개 제2002-190455호 공보(특허문헌 1)의 명세서, 특허 청구 범위, 요약서를 포함하는 모든 개시 내용은, 참조에 의해 전체로서 본원에 포함된다.
100: 기판 처리 장치
101A: 언로드부
101B: 처리부
102: 카세트 테이블
103: 기판 반송 장치
103a: 반송 로봇
104: 얼라이너
105: 기판 착탈부
105a: 기판 착탈 장치
106: 건조 장치
107: 스토커
108: 프리웨트조
109: 블로우조
110: 린스조
112: 처리부
112a: 처리조
113: 기판 홀더 반송 장치
114: 제1 트랜스포터
115: 제2 트랜스포터
116: 레일
120: 장치 컴퓨터
120A: CPU
120B: 메모리
131: 하우징
132: 기판 회전 기구
133: 셔터
134: 노즐
200: 범프 높이 측정 장치
201: 광 센서
202: 컨트롤러
203: Z축 로봇
204: X축 로봇

Claims (25)

  1. 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와,
    상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 제어 장치를 구비하는, 범프 높이 측정 장치.
  2. 광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서와,
    상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 제어 장치를 구비하는, 범프 높이 측정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 오차는, 레시피에서 설정된 상기 레지스트층의 굴절률을 및 두께를 사용하여 산출되는, 범프 높이 측정 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 센서는, 상기 기판의 외주부에 있어서 광을 조사하고,
    상기 제어 장치는, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 범프의 높이를 취득하는, 범프 높이 측정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판을 회전시키는 기판 회전 기구, 또는 상기 광 센서를 상기 기판의 둘레로 회전시키는 센서 회전 기구에 의해, 상기 광 센서와 상기 기판이 소정 각도씩 상대적으로 회전되어, 상기 광 센서가 상기 기판의 외주부를 주사하는, 범프 높이 측정 장치.
  6. 기판을 처리하는 하나 또는 복수의 기판 처리 유닛을 갖는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리 후의 상기 기판을 건조하기 위한 건조 장치와,
    상기 건조 장치에 마련된 범프 높이 측정 장치와,
    상기 기판 처리부, 상기 건조 장치, 및 범프 높이 측정 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하고,
    상기 범프 높이 측정 장치는,
    광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서를 갖고,
    상기 제어 장치는, 상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는, 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 하나 또는 복수의 기판 처리 유닛을 갖는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리 후의 상기 기판을 건조하기 위한 건조 장치와,
    상기 건조 장치에 마련된 범프 높이 측정 장치와,
    상기 기판 처리부, 상기 건조 장치, 및 범프 높이 측정 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하고,
    상기 범프 높이 측정 장치는,
    광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 상기 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 광 센서를 갖고,
    상기 제어 장치는, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는, 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 오차는, 레시피에서 설정된 상기 레지스트층의 굴절률 및 두께를 사용하여 산출되는, 기판 처리 장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 건조 장치는, 상기 기판을 회전하여 건조시키기 위한 기판 회전 기구를 갖는, 기판 처리 장치.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 건조 장치는, 상기 기판을 건조시키는 건조부로부터 상기 범프 높이 측정 장치를 차폐하는 개폐 가능한 차폐 부재를 갖는, 기판 처리 장치.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 상태에서 도금 처리되고,
    상기 제어 장치는, 상기 취득된 상기 범프의 높이에 기초하여 상기 범프 높이를 검사하고, 상기 범프의 높이에 이상이 있는 경우에, 당해 기판을 보유 지지하는 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 당해 기판에 도금 처리를 행한 도금조를 불사용으로 하는, 기판 처리 장치.
  12. 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 센서는, 상기 기판의 외주부에 있어서 광을 조사하고,
    상기 제어 장치는, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 범프의 높이를 산출하는, 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판을 회전하여 건조시키기 위한 기판 회전 기구, 또는 상기 광 센서를 상기 기판의 둘레로 회전시키는 센서 회전 기구에 의해, 상기 광 센서와 상기 기판이 소정 각도씩 상대적으로 회전되어, 상기 광 센서가 상기 기판의 외주부를 주사하는, 기판 처리 장치.
  14. 범프 높이 측정 방법이며,
    시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것,
    상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 보정하는 것을 포함하는 범프 높이 측정 방법.
  15. 범프 높이 측정 방법이며,
    광원 및 수광 소자를 갖는 광 센서이며, 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것,
    상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 포함하는, 범프 높이 측정 방법.
  16. 범프 높이 측정 장치를 제어하는 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 광이 상기 레지스트층을 투과하여 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 광원으로부터의 광이 상기 범프에서 반사된 반사광을 수광 소자에서 검출하는 것,
    상기 시드층에서의 상기 반사광과 상기 범프에서의 상기 반사광에 기초하여, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 산출하고, 상기 레지스트층의 굴절률에 기인하는 오차를, 상기 반사광에 기초하여 산출된 상기 범프의 높이로부터 감산하여, 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한, 기억 매체.
  17. 범프 높이 측정 장치를 제어하는 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 레지스트층과, 상기 레지스트층의 개구부에 형성된 범프를 갖는 기판 상에 광원으로부터 광을 조사하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광을 상기 수광 소자에서 검출하는 것,
    상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 시드층에서 직접, 반사된 반사광에 기초하여 상기 시드층의 높이를 측정하고, 상기 레지스트층을 통해 상기 시드층에서 반사된 반사광과, 상기 범프에서 반사된 반사광에 기초하여 상기 범프의 높이를 측정하고, 상기 범프의 높이로부터 상기 시드층의 높이를 감산함으로써, 상기 시드층에 대한 상기 범프의 높이를 취득하는 것을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한, 기억 매체.
  18. 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 범프 높이 측정 장치는, 상기 기판 상의 복수의 측정 영역에 대하여 범프 높이의 측정을 실시하고,
    상기 제어 장치는, 상기 측정이 실시된 측정 영역마다 범프 높이의 이상의 유무를 가판정하고, 하나의 측정 영역의 가판정 결과와, 그 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 다른 측정 영역의 가판정 결과를 사용하여, 상기 하나의 측정 영역의 최종 판정을 실시하는, 기판 처리 장치.
  19. 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 범프 높이 측정 장치는, 상기 기판 상의 복수의 측정 영역에 대하여 범프 높이의 측정을 실시하고,
    상기 제어 장치는, 상기 측정이 실시된 측정 영역마다 범프 높이의 이상의 유무를 판정하고,
    상기 제어 장치는, 복수의 상기 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 판정 에어리어를 상기 기판 상에 설정하고, 상기 판정 에어리어마다, 상기 판정 에어리어에 포함되는 복수의 상기 측정 영역에 대한 판정 결과를 사용하여, 상기 판정 에어리어에 대한 범프 높이 검사의 판정을 실시하는, 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 복수의 상기 측정 영역을 포함하는 하나 또는 복수의 판정 에어리어를 상기 기판 상에 설정하고, 상기 판정 에어리어마다, 상기 판정 에어리어에 포함되는 복수의 상기 측정 영역에 대한 가판정 결과 또는 최종 판정 결과를 사용하여, 상기 판정 에어리어에 대한 범프 높이 검사의 판정을 실시하는, 기판 처리 장치.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 기판 상의 동일한 판정 에어리어 또한 동일한 직경 방향 위치에 있어서 이상으로 판정된 측정 영역의 수에 따라서, 각 판정 에어리어에 대한 판정을 행하는, 기판 처리 장치.
  22. 제18항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 측정 영역에서 측정된 범프 높이 중 최댓값 및 최솟값이 소정의 범위에 있는지 여부에 기초하여, 상기 측정 영역에 대한 판정을 실시하는, 기판 처리 장치.
  23. 제18항 내지 제22항 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 측정 영역에서 측정된 범프 높이 중 소정의 수치 범위를 초과하는 범프 높이의 값을 제외하고, 제외한 후의 범프 높이의 값에 기초하여 상기 측정 영역에 대한 판정을 실시하는, 기판 처리 장치.
  24. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 기판 보유 지지 부재에 보유 지지된 상태에서 도금 처리되고,
    상기 제어 장치는, 상기 취득된 상기 범프의 높이에 기초하여 상기 기판의 상기 범프 높이를 검사하고, 상기 기판의 상기 범프의 높이에 이상이 있는 경우에, 당해 기판을 처리한 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 도금조를 이상 판정하고,
    상기 제어 장치는, 상기 이상 판정된 상기 기판의 후속의 기판의 상기 범프 높이의 검사를 실시하고, 상기 후속의 기판의 상기 범프 높이에 이상이 없는 경우에, 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 상기 도금조에 대한 이상 판정을 해제하는, 기판 처리 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 이상 판정은, 상기 기판 보유 지지 부재 및/또는 상기 도금조에 관한 알람의 발생 및/또는 불사용의 설정을 포함하거나 또는 수반하는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019146456A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190455A (ja) 2000-10-12 2002-07-05 Ebara Corp 半導体基板製造装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07113547B2 (ja) * 1986-02-06 1995-12-06 株式会社東芝 試料面位置測定装置
JP3314406B2 (ja) * 1992-04-24 2002-08-12 松下電器産業株式会社 クリーム半田の高さ測定方法
JP2000040867A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体チップ実装用回路基板
KR100773165B1 (ko) 1999-12-24 2007-11-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반도체기판처리장치 및 처리방법
AU2003297365A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Semiconductor Technologies And Instruments, Inc. System and method for inspection using white light interferometry
US7130037B1 (en) * 2003-01-09 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspecting wafers and reticles with increased resolution
ATE421716T1 (de) * 2003-09-15 2009-02-15 Zygo Corp Oberflächen-triangulation und -profilierung
JP4147169B2 (ja) * 2003-10-17 2008-09-10 日立ビアメカニクス株式会社 バンプ形状計測装置及びその方法
JP3878165B2 (ja) 2003-11-05 2007-02-07 シーケーディ株式会社 三次元計測装置
JP4995041B2 (ja) * 2007-11-01 2012-08-08 アンリツ株式会社 印刷はんだ検査方法、及び印刷はんだ検査装置
JP5129689B2 (ja) * 2008-08-18 2013-01-30 アンリツ株式会社 印刷はんだ検査装置、及び印刷はんだ検査方法
JP5561080B2 (ja) * 2010-10-06 2014-07-30 日本電産リード株式会社 ウェーハバンプの高さ測定装置
JP5704897B2 (ja) * 2010-11-11 2015-04-22 キヤノン株式会社 干渉計測方法および干渉計測装置
JP6684992B2 (ja) * 2015-06-25 2020-04-22 レーザーテック株式会社 突起検査装置及びバンプ検査装置
US9859139B2 (en) * 2015-07-14 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 3D IC bump height metrology APC
NL2017844A (en) * 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
US10811323B2 (en) * 2016-03-01 2020-10-20 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
JP6659467B2 (ja) * 2016-06-03 2020-03-04 株式会社荏原製作所 めっき装置、基板ホルダ、めっき装置の制御方法、及び、めっき装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190455A (ja) 2000-10-12 2002-07-05 Ebara Corp 半導体基板製造装置

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