JP5597774B2 - 基板検査方法 - Google Patents

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Description

本発明は基板検査方法に関わり、より詳細には基板に形成された測定対象物の形成状態を検査する検査工程の信頼性を高めるための基板検査方法に関する。
一般的に、電子部品の実装された基板の信頼性を検証するために電子部品の実装前後に基板の製造が正確に行われたかを検査する必要がある。例えば、電子部品を基板に実装する前基板のパッド領域に鉛がきちんと塗布されたかを検査し、電子部品を基板に実装した後電子部品がきちんと実装されているかを検査する必要がある。
最近、基板に形成された測定対象物に対する精密な測定のために、照明源及び格子素子を含んで測定対象物にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部と、パターン照明の照射を通じて測定対象物のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて測定対象物の3次元形状を測定する技術が使用されつつある。
前記基板検査装置は、基板の全領域を一度のステップで測定することもできるが、基板の大きさがカメラの観測(FOV)より広い場合、基板を複数の観測領域に分割して幾つかにステップに渡って順次に測定することができる。
一方、基板検査装置にローディングされる基板はステージによって両端が固定された状態を保持する。これにより、基板の大きさが大きくなるほど基板に反り(warpage)が発生され、複数の観測領域別に高さの偏差が発生するようになる。一般的に、基板検査装置は高さ測定が可能な測定可能範囲が設定されているので、基板の反りによる高さ偏差が前記高さ測定可能範囲を超える場合、高さ測定がきちんと行われないという問題が発生する。
また、基板の反りによって観測領域別に高さの偏差が発生される場合、別途のレーザー距離計などを通して各観測領域別に高さの変位量を事前に測定し、これを通じて各観測領域別に測定モジュールの高さを再設定する方法があるが、このような高さ変位量事前測定によって基板検査時間が増加されるという問題が発生される。
従って、本発明が解決しようとする課題は、検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域の高さ趨勢情報を用いて次に検査する対象観測領域に対する測定モジュールの高さを調整することで、測定時間を短縮することのできる基板検査方法を提供する。
また、本発明は互いに異なる波長を有する第1パターン照明及び第2パターン照明を用いて基板検査を遂行することにより、基板の反りに対応して高さの測定範囲を増加させることのできる基板検査方法を提供する。
また、本発明は観測領域が遠く離れている場合、対象観測領域と以前観測領域との間にダミー観測領域を設定することで、対象観測領域に対する高さ変位量をより正確に予測することのできる基板検査方法を提供する。
また、本発明は基板がトレーやジグなどの基板搬送器具を通じて搬入される場合、基板搬送器具による基板の高さ変位量分だけカメラの高さを補正することで、基板検査の信頼性をより向上させることのできる基板検査方法を提供する。
また、本発明は観測領域内で実際に測定対象物が存在する関心領域(Resion of Interest:ROI)が一方に傾いている場合、観測領域内に底趨勢を確認するためのダミー観測領域を設定することで、趨勢情報の信頼性を向上させることのできる基板検査方法を提供する。
本発明の一特徴による基板検査方法は、ステージに固定された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、前記複数の測定領域に対して前記ステージの長さ方向に沿って検査順序を設定する段階と、対象観測領域に対して検査が完了された少なくとも一つの以前観測領域に対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階と、前記対象観測領域に対して前記予測された高さ変位量に基づいて前記測定モジュールの高さを調整する段階と、高さ調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記対象観測領域を検査する段階と、を含む。
前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階は、前記以前観測領域の趨勢情報から外挿法(extrapolation)を用いて前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測することができる。一例として、前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階は、前記ステージの長さ方向に対応される同一行上に存在する少なくとも2つの前記以前観測領域の高さ情報を用いて前記対象観測領域の高さ変位量を予測する。他の例として、前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階は、前記ステージの長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在する少なくとも3つの前記以前観測領域の高さ情報を用いて前記対象観測領域の高さ変位量を予測する。
前記以前観測領域に対する趨勢情報は、前記以前観測領域に存在する少なくとも一つの関心領域(ROI)の高さ情報を用いて前記以前観測領域の平面方程式を算出し、前記平面方程式を趨勢情報として使用してもよい。
前記測定モジュールの高さを調整する段階は、前記対象観測領域に前記測定モジュールを移送する前、移送の後、及び移送の途中のうちいずれか一つで前記測定モジュールの高さを調整することができる。
前記測定モジュールの高さを調整する段階においては、前記対象観測領域及び前記以前観測領域のセンター地点の高さ変位量を基準として前記測定モジュールの高さを調整することができる。
前記測定モジュールは、第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含んでいてもよい。これとは異なり、前記投影部は互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射する。
本発明の他の実施例による基板検査方法は、ステージに固定された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、前記複数の観測領域に対して検査順序を設定する段階と、対象観測領域と以前観測領域との間に少なくとも一つのダミー観測領域を設定する段階と、前記ダミー観測領域及び以前観測領域のうち少なくとも一つに対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階と、前記対象観測領域に対して前記予測された高さ変位量に基づいて前記測定モジュールの高さを調整する段階と、高さ調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記対象観測領域を検査する段階と、を含んでいてもよい。
前記ダミー観測領域及び前記以前観測領域に対する趨勢情報は、前記ダミー観測領域及び前記以前観測領域にそれぞれ存在する少なくとも一つの関心領域(ROI)の高さ情報を用いて該当観測領域の平面方程式を算出し、前記平面方程式を趨勢情報として使用することができる。
前記測定モジュールは、第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、前記第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含んでいてもよい。これとは異なり、前記投影部は互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射することができる。
本発明のさらなる他の実施例による基板検査方法は、少なくとも一つの基板が基板搬送器具に実装された状態でステージに固定された場合、前記基板搬送器具に実装された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板搬送器具に実装された前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、前記複数の観測領域に対して検査順序を設定する段階と、前記検査順序による最初観測領域を測定して既設定された前記測定モジュールの測定基準面対比前記最初観測領域に対する前記基板の高さ変位量を測定する段階と、前記測定された高さ変位量に基づいて前記測定モジュールの高さを調整する段階と、高さ調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記最初観測領域を検査する段階と、を含んでいてもよい。
また、前記検査順序に従って前記複数の観測領域を検査することにおいて、次に検査する対象観測領域に対して検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域に対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する段階と、前記対象観測領域に対して前記予測された高さ変位量に基づいて前記測定モジュールの高さを調整する段階と、高さ調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記対象観測領域を検査する段階と、をさらに含んでいてもよい。
前記以前観測領域に対する趨勢情報は、前記以前観測領域に存在する少なくとも一つの関心領域(ROI)の高さ情報を用いて前記以前観測領域の平面方程式を算出し、前記平面方程式を趨勢情報として使用することができる。
前記測定モジュールは、第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、前記第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含んでいてもよい。これとは異なり、前記投影部は互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射することができる。
本発明のさらなる他の実施例による基板検査方法は、ステージに固定された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、次に検査する対象観測領域の近所に検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域が存在するかを判断する段階と、前記以前観測領域が存在しない場合、前記測定モジュールのZ軸を初期位置に移送して焦点を調整する段階と、前記以前観測領域が存在する場合、前記以前観測領域の趨勢情報を用いて前記対象観測領域での前記測定モジュールのZ軸移送位置を推定する段階と、前記測定モジュールのZ軸を前記推定された移送位置に移送して焦点を調整する段階と、前記焦点調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記対象観測領域を検査する段階と、を含む。
前記測定モジュールは、第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含んでいてもよい。これとは異なる、前記投影部は、互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射することができる。
本発明のさらに他の特徴による基板検査方法は、ステージに固定された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、少なくとも一つの前記観測領域に対して、測定対象物が形成された少なくとも一つの前記観測領域に対して、測定対象物が形成された実際関心領域(ROI)及び底趨勢を確認するためのダミー関心領域(DROI)を設定する段階と、
前記実際関心領域及び前記ダミー関心領域のうち少なくとも一つから獲得された趨勢情報を用いて次の観測領域に対する高さ変位量を予測する段階と、前記次の観測領域に対する検査に先立って前記予測された高さ変位量に基づいて前記測定モジュールの高さを調整する段階と、高さ調整が完了された前記測定モジュールを用いて前記次の観測領域を検査する段階と、を含む。
前記観測領域に存在する前記実際関心領域及び前記ダミー関心領域の少なくとも一つの高さ情報を用いて前記観測領域の平面方程式を算出し、前記平面方程式を趨勢情報として使用することができる。
前記ダミー関心領域は使用者によって受動に設定されてもよい。
これとは異なり、前記ダミー関心領域は、前記実際間領域の位置に基づいて自動に設定されてもよい。前記ダミー関心領域を自動に設定する段階は、前記観測領域内の前記実際関心領域の位置を確認する段階と、前記実際関心領域とできるだけ遠く離れた位置にダミー関心領域を設定する段階と、を含んでいてもよい。
前記測定モジュールは、第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、前記第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含んでいてもよい。これとは異なり、前記投影部は、互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射することができる。
このような基板検査方法によると、対象観測領域を検査する前、少なくとも一つの以前観測領域の高さ趨勢情報を用いて対象観測領域に対する測定モジュールの高さを調整することで、実質的に基板検査装置の測定可能な範囲を高める効果を得ることができる。
また、複数の観測領域に対する検査順序を設定することにおいて、高さ変位量が相対的に少ないステージの長さ方向に沿って検査順序を設定することで、測定モジュールの高さ調整の信頼性を向上させることができる。
また、レーザー距離計などを通じて各観測領域別に高さ変位量を測定する過程を除去することができて測定時間を短縮させることができる。
また、互いに異なる波長を有する第1パターン照明及び第2パターン照明を用いて基板検査を遂行することで、単一波長のパターン照明を使用する場合に比べて高さの測定範囲を増加させることができ、高さの測定範囲が増加されることにより、基板が酷く撓まれたとしても測定範囲内に入るようになって高さ測定の信頼性を向上させることができる。
また、観測領域が遠く離れている場合、対象観測領域と以前観測領域との間にダミー観測領域を設定し、ダミー観測領域及び以前観測領域の趨勢情報を用いることで、対象観測領域に対する高さ変位量をより正確に予測することができる。
また、基板がトレーやジグなどの基板搬送器具を通じて搬入された場合、観測領域に対する検査を遂行するに先立って基板搬送器具による基板の高さ変位量分だけカメラのZ軸高さを補正することで、基板検査の信頼性をより向上させることができる。
また、一つの観測領域(FOV)に対して実際関心領域(ROI)のみならず、ダミー関心領域(DROI)の底趨勢情報を活用することで、該当観測領域(FOV)に対する底趨勢をより正確に確認することができ、これを通じて次観測領域(FOV)に対する高さ変位量予測の精密度を向上させることができる。
本発明の一実施例による基板検査装置を概略的に示す概念図である。 基板がステージに固定された状態を示す平面図である。 基板がステージに固定された状態を示す側面図である。 本発明の一実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施例による基板検査方法を示す概念図である。 投影部から出射される第1及び第2パターン照明を示す平面図である。 投影部から出射される第1及び第2パターン照明を示す平面図である。 本発明の他の実施例による基板検査方法を示す概念図である。 本発明の他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。 本発明の他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す平面図である。 本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。 本発明のさらに他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す平面図である。 本発明のさらに他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す側面図である。 本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。 本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。 一つの観測領域に対する平面図である。
本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。
第1、第2などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第1構成要素を第2構成要素ということができ、類似に第2構成要素も第1構成要素ということができる。
本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。
特別に定義しない限り、技術的、科学的用語を含んでここで使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるのと同一の意味を有する。
一般的に使用される辞書に定義されている用語と同じ用語は関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、理想的またも過度に形式的な意味に解釈されない。
以下、図面を参照して本発明の好適な一実施例をより詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例による基板検査装置を概略的に示す概念図であり、図2は基板がステージに固定された状態を示す平面図であり、図3は基板がステージに固定された状態を示す側面図である。
図1、図2及び図3を参照すると、本発明の一実施例による基板検査装置100は測定対象物152が形成された基板150にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部110及び基板150のイメージを撮影するカメラ130を含む測定モジュール120を含む。また、基板検査装置100は測定対象物152が形成された基板150を支持及び固定するためのステージ140をさらに含む。
投影部110は基板150に形成された測定対象物152の3次元形状を測定するためにパターン照明を基板150に照射する。例えば、投影部110は光を発生させる光源112、光源112からの光をパターン照明に変換させるための格子素子114、格子素子114をピーチ移送させるための格子移送器具116及び格子素子114によって変換されたパターン照明を測定対象物152に投影させるための投影レンズ118を含む。格子素子114はパターン照明の位相遷移のためのペイゾアクチュエーターなどの格子位相器具116を通じて2π/N分だけずつ移送される。ここで、Nは2以上の自然数である。このような構成を有する投影部110は検査精密度を高めるためにカメラ130を中心に円周方向に沿って一定の角度で離隔されるように複数個が設置される。複数の投影部110は基板150に対して一定の角度で傾いて設置され、複数の方向から基板150にパターン照明を照射する。一方、基板検査装置100は一つの投影部110のみを含んでいてもよい。
カメラ130は投影部110のパターン照明の照射を通じて基板150のイメージを撮影する。例えば、カメラ130は基板150からの垂直な上部に設置される。カメラ130はイメージ撮影のためのCCDカメラまたはCMOSカメラを含んでいてもよい。
ステージ140は基板150を支持及び固定するためのもので、例えば、基板150の両側の端部を支持及び固定するように構成される。これのために、ステージ140は基板150の一端部を支持及び固定する第1ステージ140a及び基板150の他端部を支持及び固定する第2ステージ140bを含んでいてもよい。また、第1ステージ140a及び第2ステージ140bはそれぞれ基板150の下部面に接触される下部ステージ142及び基板150の上部面に接触される上部ステージ144を含んでいてもよい。従って、基板150が下部ステージ142と上部ステージ144との間に搬入されると下部ステージ142と上部ステージ144の間隔を狭くして基板150を固定することができる。一例として、下部ステージ142を上昇させて基板150を固定することができる。
このような構成を有する基板検査装置100はステージ140に固定された基板150に投影部110を用いてパターン照明を照射し、カメラ130を通じて基板150のイメージを撮影することで、測定対象物152が形成された基板150の3次元的形状を検査する。例えば、基板150は導電配線及びパッドなどが形成された印刷回路基板(Printed Circuit board:PCB)であってもよく、測定対象物152はパッド上に形成されたソルダまたは基板150上に実装された電子部品であってもよい。
一方、カメラ130が一度に測定することのできる測定領域より基板150の大きさが大きい場合、基板検査装置100は基板150の全領域を幾つかのステップに分けて測定する。即ち、図2に示されたように、基板150を複数の観測領域FOVに分割し、測定モジュール120が観測領域FOVを一定の検査順序に従って順次に移動しながら検査することで、基板150の全領域を検査することができる。この際、観測領域(FOV)の大きさはカメラ130が一度に測定することのできる測定領域の大きさと実質的に同一であることが望ましく、場合によって若干小さくてもよい。
一方、基板150の大きさや実装された電子部品の重さによって基板150の反りが発生されるので、基板150の上面は位置によって互いに異なる高さを有してもよい。即ち、基板150は反り現象によって観測領域FOV別に互いに異なる地形を有してもよい。従って、基板150の検査の信頼性を高めるためには基板150の反りに対応して各観測領域(FOV)別に基板検査装置100の焦点を調整する必要がある。この際、基板検査装置100の焦点調整は測定モジュール120をZ軸方向に上昇または下降することで行われる。
以下、前記した測定モジュール120を用いてステージ140に固定された基板150を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法について詳細に説明する。
図4は本発明の一実施例による基板検査方法を示すフローチャートであり、図5は本発明の一実施例による基板検査方法を示す概念図である。
図2、図4及び図5を参照すると、基板150を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査することにおいて、まず、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序を設定する(S100)。この際、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序はステージ140の長さ方向に沿って設定される。例えば、図2に示されたように、基板150が九つの観測領域(FOV1〜FOV9)に分割される場合、ステージ140に隣接した第1観測領域(FOV1)を始めとしてステージ140の長さ方向に沿って第9観測領域(FOV9)まで検査順序(FOV1→FOV2→FOV3→FOV4→FOV5→FOV6→FOV7→FOV8→FOV9)が設定される。
この際、以前観測領域(FOV)に対する趨勢情報のない第1観測領域(FOV1)及び趨勢情報の不足する第2観測領域(FOV2)の場合、ステージ140の長さ方向に沿って検査順序を設定すると基板150がステージ140に固定されていて基板150の反りによる影響を相対的に少なく受けるようになる。
以後、設定された検査順序に従って複数の観測領域(FOV)を検査することにおいて、以前観測領域(FOV)に対する趨勢情報を用いて対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する(S110)。即ち、複数の観測領域(FOV)を順次に検査して行く中、次に検査する対象観測領域(FOV)に対して検査の完了された以前観測領域(FOV)に対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する。
具体的には、前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測することにおいて、前記以前観測領域(FOV)の趨勢情報から外挿法を用いて前記対象観測領域(FOV)対する高さ変位量を予測する。一方、前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測することにおいて、場合によっては外挿法以外にも内挿法(interpolation)を用いてもよい。
例えば、前記対象観測領域(FOV)が図2においての第5観測領域(FOV)であるとする場合、前記第5観測領域(FOV5)の近所に存在する以前観測領域(FOV)には第1、第2、第3、第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)がある。従って、前記外挿法を用いて前記 第1、第2、第3、第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)の趨勢情報から前記第5観測領域(FOV5)での地形を推定した後、前記第5観測領域(FOV5)においての推定された地形を用いて第5観測領域(FOV5)での測定モジュール120のZ軸移送位置を計算する。ここで、前記第1、第2、第3、第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)全部に対する地形情報を用いることができるが、前記第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)のうち少なくとも一つを選択して用いてもよい。即ち、前記第5観測領域(FOV5)での地形を推定する前、前記第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)のうち少なくとも一つを選別する段階が遂行されてもよい。
一例として、次に検査する対象観測領域(FOV)を基準として検査の完了された以前観測領域(FOV)がステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在すると、線形的な趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する。即ち、ステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在する少なくとも2つ以上の前記以前観測領域(FOV)の趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)の高さ変位量を予測する。例えば、ステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在する少なくとも2つ以上の前記以前観測領域(FOV)のセンター地点の高さ情報を用いて前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を予測する。例えば、対象観測領域(FOV)が第3観測領域(FOV3)である場合、検査の完了された第1観測領域(FOV1)及び第2観測領域(FOV2)の高さ趨勢情報を用いて第3(FOV3)の高さ変位量を予測する。
他の実施例として、次に検査する対象観測領域(FOV)を基準として検査の完了された以前観測領域(FOV)がステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在すると、平面的な趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する。即ち、ステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在する少なくとも3つ以上の前記以前観測領域(FOV)の趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)の高さ変位量を予測する。例えば、ステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在する少なくとも3つ以上の前記以前観測領域(FOV)のセンター地点の高さ情報を用いて前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を予測する。この際、対象観測領域(FOV)に隣接した以前観測領域(FOV)の趨勢情報を用いることが望ましい。例えば、対象観測領域(FOV)が第5観測領域(FOV5)である場合、検査の完了された第2観測領域(FOV2)、及び第3観測領域(FOV3)及び第4観測領域(FOV4)の高さ趨勢情報を用いて第5(FOV5)の高さ変位量を予測する。また、対象観測領域(FOV)が第6観測領域(FOV6)である場合、検査の完了された観測領域のうち第6観測領域(FOV6)と隣接した、第1観測領域(FOV1)、第2観測領域(FOV2)及び第5観測領域(FOV5)の高さ趨勢情報を用いて第6(FOV6)の高さ変位量を予測する。
前記以前観測領域(FOV)に対する趨勢情報は一実施例として、前記以前観測領域(FOV)の全領域に対する高さ変化推移であってもよい。ここで、前記全領域に対する高さの変化推移は前記測定対象物152の3次元形状に対する情報のみならず前記基板150の上面の高さ情報までも含まれる。これとは異なり、以前観測領域(FOV)の一部領域または一部ポイントでの高さデータであってよい。例えば、前記以前観測領域(FOV)内に存在する少なくとも一つの関心領域ROIの高さ情報を用いて該当観測領域の平面方程式を算出して獲得することができる。例えば、前記関心領域(ROI)の全体領域、前記関心領域の底領域及び拡張関心領域のうち少なくとも一つの高さ情報を用いて平面方程式を算出して獲得し、前記平面方程式のセンター地点または少なくとも一つの外郭地点の高さを高さ変位量測定の基準データとして使用することができる。前記以前観測領域(FOV)に対する平面方程式は前記以前観測領域(FOV)内の少なくとも3地点の高さ情報を用いて算出される。
一方、対象観測領域(FOV)を基準として以前観測領域(FOV)が一つのみ存在する場合、一つの以前観測領域(FOV)に対する高さ趨勢情報を用いて対象観測領域(FOV)の高さ変位量を予測することもできる。
対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測した後、前記対象観測領域(FOV)に対して前記予測された高さ変位量に基づいて測定モジュール120の高さを調整する(S120)。例えば、測定モジュール120の高さ調整は前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を基準として行われる。例えば、図5に示されたように、対象観測領域が第5観測領域(FOV5)である場合、 第5観測領域(FOV5)のセンター地点の高さを以前観測領域である第4観測領域(FOV4)のセンター地点の高さと比較し、比較結果、第5観測領域(FOV5)の高さが第4観測領域(FOV4)の高さより低いと高さの差異分だけ測定モジュール120をZ軸方向に下降させ、第5観測領域(FOV5)の高さが第4観測領域(FOV4)高さより高いと高さの差異分だけ測定モジュール120をZ軸方向に上昇させる。または、前記対象観測領域に対する高さ変位量を比較することにおいて、前記以前観測領域はなく既設定された初期Z軸高さと比べてもよい。この際、測定モジュール120に対する前記初期Z軸高さは基板150のステージ140に固定される高さを基準として設定されることで、例えば、測定モジュール120のZ軸キャリブレーションを通じて事前に獲得されたデータである。一方、測定モジュール120の高さ調整は対象観測領域(FOV)に測定モジュール120を移送する前、移送の後または移送の途中に行われる。
以後、高さ調整の完了された測定モジュール120を用いて前記対象観測領域(FOV)を検査する(S130)。
このように、対象観測領域を検査する前に、少なくとも一つの以前観測領域の高さ趨勢情報を用いて前記対象観測領域に対する測定モジュール120の高さを調整することで、正確な測定情報獲得のための焦点を調整することができる。また、実質的に基板検査装置100の測定可能な範囲を高める効果を得ることができる。また、焦点が保持される距離の差が生じる場合カメラ130と測定対象物152と間の距離変化に起因して測定された基板150の遠近変化による高さ信頼性及び測定対象物152の大きさ及び位置歪曲が発生されるが、前記対象観測領域に対する測定モジュール120の高さを調整することでより正確な測定をすることができる。また、基板検査装置100にローディングされる基板150はステージ140によって両側が固定された構造を有するので、ステージ140の長さ方向に対応される方向に比べてステージ140の長さ方向に垂直した方向への基板150の反りが酷くなる傾向を有する。従って、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序を設定することにおいて、高さ変位量が相対的に少ないステージ140の長さ方向に沿って検査順序を設定することで、測定モジュール120の高さ信頼性を向上させることができる。また、レーザー距離計などを通じて各観測領域別に高さの変位量を測定する過程を除去することができて測定時間を短縮させることができる。
一方、本実施例による基板検査方法は基板150の反りに対応して高さ測定の範囲を増加させるために、多波長検査方式を使用することができる。
図6及び図7は投影部から出射される第1及び第2パターン照明を示す平面図であり、図8は本発明の他の実施例による基板検査方法を示す概念図である。
図5、図6及び図7を参照すると、多波長検査のために、投影部110は互いに異なる波長を有する、即ち、格子間のピーチが互いに異なる第1及び第2パターン照明を順次に照射する。多波長検査のための一実施例として、測定モジュール120は図6に示されたように第1波長λ1を有する第1パターン照明210を照射する少なくとも一つの第1投影部110a及び図7に示されたように第1波長λ1と異なる第2波長λ2を有する第2パターン照明220を照射する少なくとも一つの第2投影部110bを含んでいてもよい。第1投影部110a及び第2投影部110bはカメラ130を中心に円周方向に沿って一定の間隔に交代に複数個が設置されてもよい。
図6、図7及び図8を参照すると、多波長検査のための他の実施例として、一つの投影部110が互いに異なる波長を有する第1パターン照明210及び第2パターン照明220を順次に照射することができる。例えば、投影部110内に含まれた格子素子114を、第1パターン照明210のための格子間隔を有する第1領域と第2パターン照明220のための格子間隔を有する第2領域に分離して構成することで、多波長検査を遂行することができる。
このように、互いに異なる波長を有する第1パターン照明210及び第2パターン照明220を用いて基板検査を遂行する場合、単一波長のパターン照明を使用する場合に比べて高さの測定範囲が増加する。この際、基板検査装置100の高さ測定範囲は第1波長λ1及び第2波長λ2の最小公倍数に決定される。従って、高さ測定範囲が増加されることにより、基板150が酷く撓まれたとしても測定範囲内に入るようになって高さ測定の信頼性を向上させることができる。
図9は本発明の他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートであり、図10は本発明の他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す平面図である。
図9及び図10を参照すると、基板150を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査することにおいて、まず、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序を設定する(S200)。例えば、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序はステージ140の長さ方向に沿ってジグザグ方式に設定することが望ましい。例えば、図9に示されたように、基板150が6個の観測領域(FOV1〜FOV6)に分割される場合、第1ステージ140aに隣接した第1観測領域(FOV1)を始めとしてステージ140の長さ方向に沿ってジグザグ方式に第6観測領域(FOV6)まで検査順序(FOV1→FOV2→ FOV3→FOV4→ FOV5→ FOV6)が設定される。
以後、設定された検査順序に従って複数の観測領域(FOV)を検査することにおいて、次に検査する対象観測領域(FOV)を基準として隣接した領域に検査の完了された以前観測領域(FOV)がない場合、前記対象観測領域(FOV)と前記以前観測領域(FOV)との間に少なくとも一つのダミー観測領域(DFOV)を設定する(S210)。例えば、第1観測領域(FOV1)を検査した後次に検査する対象観測領域が第2観測領域(FOV2)である場合、第2観測領域(FOV2)が第1観測領域(FOV1)とあまり遠く離れているので、第1観測領域(FOV1)の趨勢情報を用いて第2観測領域(FOV2)の高さ変位量を予測する場合、予測データの信頼性が劣れるという問題が発生される。従って、第2観測領域(FOV2)と第1観測領域(FOV1)との間に第1ダミー観測領域(DFOV1)を設定し、第1ダミー観測領域(DFOV1)から測定された趨勢情報を活用することで、第2観測領域(FOV2)に対する高さ変位量の予測信頼性を向上させることができる。これとは同様に、第3観測領域(FOV3)と第4観測領域(FOV4)との間に第2ダミー観測領域(DFOV2)を設定し、第5観測領域(FOV5)と第6観測領域(FOV6)との間に第3ダミー観測領域(DFOV3)を設定してもよい。
一方、ダミー観測領域(DFOV)の設定は観測領域(FOV)に対する検査順序を設定するとき同時に行われるか、または対象観測領域(FOV)の検査の前に行われる。
以後、対象観測領域(FOV)に隣接したダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)のうち少なくとも一つに対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する(S220)。
具体的には、前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測することにおいて、前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)の趨勢情報から外挿法を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測することができる。一方、前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測することにおいて、場合によっては外挿法以外にも内挿法を用いてもよい。
例えば、前記対象観測領域(FOV)が図10においての第4観測領域(FOV4)であるとする場合、前記第4観測領域(FOV4)に先立って検査の完了された第1、第2及び第3観測領域(FOV1、FOV2、FOV3)と第1及び第2ダミー観測領域(DFOV1、DFOV2)が存在する。従って、前記外挿法を用いて前記第1、第2及び第3観測領域(FOV1、FOV2、FOV3)と前記第1及び第2ダミー観測領域(DFOV1、DFOV2)の趨勢情報から前記第4観測領域(FOV4)での地形を推定した後、前記第4観測領域(FOV4)での推定された地形を用いて前記第4観測領域(FOV4)での測定モジュール120のZ軸移送位置を計算することができる。ここで、前記第1、第2及び第3観測領域(FOV1、FOV2、FOV3)と前記第1及び第2ダミー観測領域(DFOV1、DFOV2)全部に対する趨勢情報を用いることができるが、前記第1、第2及び第3観測領域(FOV1、FOV2、FOV3)と前記第1及び第2ダミー観測領域(DFOV1、DFOV2)のうち少なくとも一つを選択して用いてもよい。即ち、前記第4観測領域(FOV4)での地形を推定する前に、 前記第1、第2及び第3観測領域(FOV1、FOV2、FOV3)と前記第1及び第2ダミー観測領域(DFOV1、DFOV2)のうち少なくとも一つを選別する段階が遂行されてもよい。
一実施例として、次に検査する対象観測領域(FOV)を基準としてダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)がステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在すると、線形的な趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する。即ち、ステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在するダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)の趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)の高さ変位量を予測する。例えば、ステージ140の長さ方向に対応される同一行上に存在するダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)のうち少なくとも2つ以上のセンター地点の高さ情報を用いて前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を予測する。例えば、対象観測領域(FOV)が第2観測領域(FOV2)である場合、第1ダミー観測領域(DFOV1)及び第1観測領域(FOV1)の高さ趨勢情報を用いて第2観測領域(FOV2)の高さ変位量を予測する。
他の実施例として、次に検査する対象観測領域(FOV)を基準としてダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)がステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在すると、平面的な趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する。即ち、ステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在するダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)のうち少なくとも3個以上の趨勢情報を用いて前記対象観測領域(FOV)の高さ変位量を予測する。例えば、ステージ140の長さ方向に対応される同一行及び以前行上に存在するダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)のうち少なくとも3個以上のセンター地点の高さ情報を用いて前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を予測する。この際、対象観測領域(FOV)に隣接したダミー観測領域(DFOV)及び以前観測領域(FOV)の趨勢情報を用いることが望ましい。例えば、対象観測領域(FOV)が第4観測領域(FOV4)である場合、第4観測領域(FOV4)に隣接した第1観測領域(FOV1)、第1ダミー観測領域(DFOV1)及び第2ダミー観測領域(DFOV2)の高さ趨勢情報を用いて第4観測領域(FOV4)の高さ変位量を予測することができる。
前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)に対する趨勢情報は一例として、前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)の全領域に対する高さの変化推移であってよい。ここで、前記全領域に対する高さの変化推移は前記測定対象物152の3次元形状に対する情報のみならず前記基板150の上面の高さ情報までも含まれる。これとは異なり、前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)の一部領域または一部ポイントでの高さデータであってよい。例えば、前記ダミー観測領域(DFOV)または前記以前観測領域(FOV)内に存在する関心領域(ROI)の高さ情報を用いて該当観測領域の平面方程式を算出して獲得することができる。例えば、前記関心領域(ROI)の全体領域、前記関心領域の底領域及び拡張関心領域のうち少なくとも一つの高さ情報を用いて平面方程式を算出して獲得し、前記平面方程式のセンター地点または少なくとも一つの外郭地点の高さを高さ変位量測定の基準データとして使用することができる。前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)に対する平面方程式は前記ダミー観測領域(DFOV)及び前記以前観測領域(FOV)内の少なくとも3地点の高さ情報を用いて算出される。
対象観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測した後、前記対象観測領域(FOV)に対して前記予測された高さ変位量に基づいて測定モジュール120の高さを調整する(S230)。例えば、測定モジュール120の高さ調整は前記対象観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を基準として行われる。測定モジュール120の高さ調整は図5を参照して説明したので、これに対する重複される説明は省略する。
以後、高さ調整の完了された測定モジュール120を用いて前記対象観測領域(FOV)を検査する(S240)。
一方、本実施例による基板検査方法は基板150の反りに対応して高さ測定の範囲を増加させるために、多波長検査方式を使用することができる。多波長検査方式については図6及び図7を参照して説明したので、これについての重複される説明は省略する。
このように、観測領域(FOV)が遠く離れている場合、対象観測領域と以前観測領域との間にダミー観測領域(FOV)を設定し、ダミー観測領域及び以前観測領域の趨勢情報を用いることで、対象観測領域に対する高さ変位量をより正確に予測することができる。
図11は本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートであり、図12は本発明のさらに他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す平面図であり、図13は本発明のさらに他の実施例により基板がステージに固定された状態を示す側面図である。
図1、図11、図12及び図13を参照すると、本発明のさらに他の実施例によると、測定対象物152が形成された少なくとも一つの基板150が基板搬送器具160に実装された状態でステージ140に固定される。基板搬送器具160に実装された基板150を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査することにおいて、まず、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序を設定する(S300)。例えば、複数の観測領域(FOV)に対する検査順序はステージ140の長さ方向に沿ってジグザグ方式に設定することが望ましい。
以後、設定された検査順序による最初観測領域(FOV1)を測定するための既設定された測定モジュール120の最初測定基準面(H1)対比最初観測領域(FOV1)に対する基板150の高さ変位量(ΔH)を測定する(S310)。一般的に、測定モジュール120の最初Z軸高さは前記測定対象物152が形成された基板150が前記ステージ140に固定される高さを基準として設定されている。例えば、測定モジュール120の最初Z軸高さは上部ステージ144の下部面を基準として設定される。即ち、基板搬送器具160を使用しない通常の場合、基板150が搬入された後下部ステージ142を上昇させて上部ステージ144と下部ステージ142との間に基板150を固定させるので、上部ステージ144の下面に固定される基板面(即ち、カメラの最初Z軸高さ基準面)を基準としてカメラ130のZ軸高さが設定されている。しかし、本実施例のように、基板150がトレーやジグなどの基板搬送器具160を通じて搬入される場合、基板搬送器具160による基板150の高さ変位量(ΔH)が発生するので、最初観測領域(FOV1)の測定の際にも測定モジュール120のZ軸高さを補正する必要がある。
これのために、最初観測領域(FOV1)で測定された高さ変位量(ΔH)に基づいて測定モジュール120の高さを調整する(S320)。例えば、既設定されたカメラ130の最初Z軸高さと測定された最初観測領域(FOV1)との高さ変位量(ΔH)に基づいて測定モジュール120の高さを調整する。即ち、ステージ140に固定された基板搬送器具160の上面と前記基板搬送器具160に固定された基板150の上面と間の高さ差に該当する高さ変位量(ΔH)分だけ測定モジュール120をZ軸方向に移送させる。
以後、高さ調整の完了された測定モジュール120を用いて最初観測領域(FOV1)を検査する(S330)。
以後、設定された検査順序に従って複数の観測領域(FOV)を検査することにおいて、次に検査する対象観測領域に対して検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域に対する趨勢情報を用いて前記対象観測領域に対する高さ変位量を予測する(S340)。前記対象観測領域に対する高さ変位量の予測は前記図2または図10を参照して説明したので、これと関連された重複される詳細な説明は省略する。
以後、対象観測領域に対する高さ変位量を予測した後、前記対象観測領域に対して前記予測された高さ変位量に基づいて測定モジュール120の高さを調整する(S350)。例えば、測定モジュール120の高さ調整は前記対象観測領域のセンター地点の高さ変位量を基準として行われる。測定モジュール120の高さ調整は前記図5を参照して説明したので、これについての重複される説明は省略する。
以後、高さ調整の完了された測定モジュール120を用いて前記対象観測領域(FOV)を検査する(S360)。
一方、本実施例による基板検査方法は基板150の反りに対応して高さ測定の範囲を増加させるために、多波長検査方式を使用することができる。多波長検査方式については図6及び図7を参照して説明したので、これについての重複される説明は省略する。
このように、基板150がトレーやジグなどの基板搬送器具160を通じて搬入される場合、観測領域に対する検査を遂行するに先立って基板搬送器具160に起因した基板150の高さ変位量(ΔH)分だけカメラ130のZ軸高さを補正することで、基板検査の信頼性を向上させることができる。
図14は本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートである。
図1、図5及び図14を参照すると、基板150を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査することにおいて、まず、次に検査する対象観測領域(FOV)の近所に検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域(FOV)が存在するか判断する(S400)。
前記以前観測領域(FOV)の存在を判断した結果、前記対象観測領域(FOV)の近所に前記以前観測領域(FOV)が存在しない場合、測定モジュール120のZ軸を初期位置に移送して焦点を調整する(S410)。ここで、前記測定モジュール120のZ軸を初期位置に移送する段階は基板150に形成された測定対象物152の3次元形状の検査を始めて遂行しようとする時行われる過程であると言える。この際、前記測定モジュール120のZ軸初期位置は基板150がステージ140に固定される高さを基準として設定されることで、例えば、測定モジュール120のZ軸キャリブレーションを通じて事前に獲得されたデータである。
反面、前記以前観測領域(FOV)の存在を判断した結果、前記対象観測領域(FOV)の近所に以前観測領域(FOV)が存在する場合、以前観測領域(FOV)の趨勢情報(または地形情報)を用いて前記対象観測領域(FOV)での測定モジュール120のZ軸移送位置を推定する(S420)。
具体的には、前記測定モジュール120のZ軸移送位置の推定は2つの段階に区分されて行われる。まず、外挿法を用いて前記以前観測領域(FOV)の趨勢情報から前記対象観測領域での地形を推定し、続いて、前記対象観測領域(FOV)での推定された地形を用いて測定モジュール120のZ軸移送位置を決定する。一方、対象観測領域(FOV)の地形を推定することにおいて、場合によっては外挿法以外にも内挿法も用いられてもよい。
前記Z軸移送位置推定段階(S420)を例えて説明すると次のようである。前記対象観測領域(FOV)が図5においての第5観測領域(FOV5)であるとする場合、前記第5観測領域(FOV5)の近所に存在する以前観測領域(FOV)には第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)がある。従って、前記外挿法を用いて第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)の地形情報から前記第5観測領域(FOV5)での地形を推定した後、前記第5観測領域(FOV5)での推定された地形を用いて前記第5観測領域(FOV5)での測定モジュール120のZ軸移送位置を計算することができる。ここで、前記第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)全部に対する地形情報を用いることもできるが、前記第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)のうち少なくとも一つを選択して用いてもよい。即ち、前記第5観測領域(FOV5)での地形を推定する前に、前記第1、第2、第3及び第4観測領域(FOV1、FOV2、FOV3、FOV4)のうち少なくとも一つを選別する段階が遂行されてもよい。
一方、前記Z軸移送位置推定段階(S420)での外挿法は前記以前観測領域(FOV)の地形情報のうち高さ情報を用いて前記対象観測領域(FOV)での高さを推定する方法を意味する。本実施例において、前記以前観測領域(FOV)での高さ情報は該当観測領域(FOV)の全領域に対する高さの変化推移であることが望ましいが、これとは異なり、該当観測領域(FOV)の一部領域または一部ポイントでの高さ情報であってよい。例えば、前記対象観測領域(FOV)での高さは前記以前観測領域(FOV)での中心ポイントまたは少なくとも一つの外郭ポイントの高さを通じて推定される。ここで、前記以前観測領域(FOV)での高さ及び前記対象観測領域(FOV)での高さは図5においての基板150の高さを意味することができる。
測定モジュール120のZ軸移送位置を推定した後、測定モジュール120のZ軸を推定された移送位置に移送して焦点を調整する(S430)。例えば、第5観測領域(FOV5)での地形高さが第4観測領域(FOV4)での地形高さより低い場合、前記測定モジュール120のZ軸を下に移動させ、前記第5観測領域(FOV5)での地形高さが前記第4観測領域(FOV4)での地形高さより高い場合、前記測定モジュール120のZ軸を上に移動させる。
前記初期焦点調整段階(S410)または前記推定焦点調整段階(S430)以後、前記測定モジュール120またはステージ140をXY軸に移送させ、対象観測領域(FOV)を検査する(S440)。一方、本実施例において、前記測定モジュール120またはステージ140のXY軸移送過程は前記推定焦点調整段階(S430)以後遂行されると説明したが、これとは異なり、前記XY軸移送過程は前推定焦点調整段階(S430)より先に遂行されるかまたは前記推定焦点調整段階(S430)と同時に遂行されてもよい。また、本実施例によって対象観測領域(FOV)を検査することにおいて、基板150の反りに対応して高さ測定の範囲を増加させるために、多波長検査方式を使用することができる。多波長検査方式については図6及び図7を参照して説明したので、これにつていの重複される説明は省略する。
前記対象観測領域(FOV)の検査の後、複数の観測領域(FOV)全部についての検査が行われたかを判断する(S450)。この際、複数の観測領域(FOV)全部について検査が行われていない場合、次に検査する対象観測領域(FOV)を検査するために検査ステップを増加させる(S460)。例えば、基板150が9個の観測領域(FOV1〜FOV9)に分割され、これらのうち第5観測領域(FOV5)まで検査が行われたとするとき、前記検査ステップを5から6に増加させ、第6観測領域(FOV6)に対する検査過程を再度遂行するようになる。反面、全ての観測領域(FOV)に対する検査が完了された場合、前記基板150の検査を終了する。
一方、前記基板検査方法にはレーザー距離計(図示せず)を用いて前記基板検査装置100の焦点を調整する段階が選択的にさらに遂行されてもよい。例えば、前記外挿法を用いた前記対象観測領域(FOV)での地形推定が実際高さと誤差範囲以上に離れて、前記基板検査装置100の焦点の調整が間違った場合、前記レーザー距離計を用いて前記基板検査装置100が焦点を再調整する段階をさらに遂行することが望ましい。
このように、次に検査する対象観測領域の検査を遂行する前に、前記対象観測領域の近所に検査の完了された以前観測領域が存在するかを検索し、前記以前観測領域が存在する場合、前記以前観測領域の地形情報を用いて基板検査装置の焦点を予め調整することで、測定時間を短縮させることができる。即ち、従来には観測領域(FOV)別にカメラ130と基板150との間の離隔距離を測定して基板検査装置100の焦点を調整する過程が必須的に遂行されたが、本実施例においてはこのような過程が省略されることによって基板検査時間が大幅に減少される。
図15は本発明のさらに他の実施例による基板検査方法を示すフローチャートであり、図16は一つの観測領域に対する平面図である。
図15及び図16を参照すると、大型サイズの基板150を複数の領域に分割して観測領域(FOV)を設定すると、図16に示されたように観測領域(FOV)内に実際に測定対象物152が形成された関心領域(ROI)がいずれか一つの方向に傾いて設定されてもよい。即ち、基板150を検査することにおいて、処理すべきデータ量を減少させ検査速度を高めるために観測領域(FOV)の全体領域に対するデータ処理を遂行するのではなく、実質的に検査が必要な測定対象物152が形成された領域のみを関心領域(ROI)に設定し設定された関心領域(ROI)のみのデータ処理を通じて基板152を検査するようになる。しかし、設定された関心領域(ROI)が観測領域(FOV)内に均一に分布されていなくて、図16に示すように一方向に傾いている場合、関心領域(ROI)内のデータのみでは観測領域(FOV)全体に対する正確な底趨勢情報を獲得するに難しい問題があり得る。
従って、本実施例においては一つの観測領域(FOV)内に関心領域(ROI)とは別途にダミー観測領域(DROI)を設定することで、観測領域(FOV)に対するより正確な底趨勢情報を獲得することのできる基板検査方法を提供する。
これのために、まず、少なくとも一つの観測領域(FOV)に対して、測定対象物152が形成された実際関心領域(ROI)及び底趨勢を確認するためのダミー観測領域(DROI)を設定する(S500)。
前記実際関心領域(ROI)は実質的に検査が遂行されるべき測定対象物152が形成されている領域を中心に設定される。基板検査装置100は事前に有している基板150に対する情報を用いて、観測領域(FOV)内に存在する測定対象物152の位置によって自動的に実際関心領域(ROI)を設定する。
前記ダミー観測領域(DROI)は該当観測領域(FOV)の底趨勢情報を獲得するために実際関心領域(ROI)とは別途に設定される。前記ダミー観測領域(DROI)は観測領域(FOV)の全体領域に対するより正確な底趨勢を確認するためにできる限り実際関心領域(ROI)と遠く離れた位置に設定されることが望ましい。例えば、図16に示されたように、実際関心領域(ROI)が観測領域(FOV)の1四分面に位置する場合、ダミー観測領域(DRIO)は実際関心領域(ROI)の対角線方向である3四分面に設定される。
前記ダミー観測領域(DROI)は使用者によって受動に設定される。即ち、使用者は観測領域(FOV)内に存在する実際関心領域(ROI)が観測領域(FOV)内に均等に分布されていないと判断されると、実際関心領域(ROI)とは別途にダミー観測領域(DROI)を設定することができる。このようなダミー観測領域(DROI)の受動設定によって、測定モジュール120は観測領域(FOV)内の実際関心領域(ROI)及びダミー観測領域(DROI)に対するデータ処理を遂行する。
一方、前記ダミー観測領域(DROI)は実際関心領域(ROI)の位置情報に基づいて自動に設定される。即ち、基板検査装置100は観測領域(FOV)内に存在する実際関心領域(ROI)の位置を確認した後、実際関心領域(ROI)が観測領域(FOV)内に均等に分布されていないと判断されると、実際関心領域(ROI)とできるだけ遠く離れた位置にダミー観測領域(DROI)を自動に設定することができる。
以後、実際関心領域(ROI)及びダミー観測領域(DROI)のうち少なくとも一つから獲得された底趨勢情報を用いて次の観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測する(S510)。例えば、観測領域(ROI)の趨勢情報は、観測領域(FOV)に存在する実際関心領域(ROI)及びダミー観測領域(DROI)の少なくとも一つの高さ情報を用いて前記観測領域(FOV)の平面方程式を算出し、前記平面方程式を趨勢情報として使用することができる。
このように、一つの観測領域(FOV)に対して実際関心領域(ROI)のみならず、ダミー観測領域(DROI)の底趨勢情報を活用することで、該当観測領域(FOV)に対する底趨勢をより正確に確認することができ、これを通じて次の観測領域(FOV)に対する高さ変位量予測の精密度を向上させることができる。
次の観測領域(FOV)に対する高さ変位量を予測した後、前記次の観測領域(FOV)に対する検査に先立って前記予測された高さ変位量に基づいて測定モジュール120の高さを調整する(S520)。例えば、測定モジュール120の高さ調整は前記次の観測領域(FOV)のセンター地点の高さ変位量を基準として行われる。例えば、図5に示されたように、次の観測領域が第5観測領域(FOV5)である場合、第5観測領域(FOV5)のセンター地点の高さを以前観測領域である第4観測領域(FOV4)のセンター地点の高さと比較し、比較結果、第5観測領域(FOV5)の高さが第4観測領域(FOV4)の高さより低いと高さ差異分だけ測定モジュール120をZ軸方向に下降させ、第5観測領域(FOV5)の高さが第4観測領域(FOV4)の高さより高いと高さ差異分だけ測定モジュール120をZ軸方向に上昇させる。または、前記次の観測領域(FOV)に対する高さ変位量を比較することにおいて、前記以前観測領域ではなく既設定された初期Z軸高さと比較することもできる。この際、測定モジュール120に対する前記初期Z軸高さは基板150がステージ140に固定される高さを基準として設定されることで、例えば、測定モジュール120のZ軸キャリブレーションを通じて事前に獲得されたデータである。一方、測定モジュール120の高さ調整は次の観測領域(FOV)に測定モジュール120を移送する前、移送の後または移送の途中に行われる。
以後、高さ調整の完了された測定モジュール120を用いて前記次の観測領域(FOV)を検査する(S530)。
このように、検査順序に従って複数の観測領域を検査することにおいて、少なくとも一つの以前観測領域の底趨勢情報を用いて次に検査する観測領域に対する測定モジュール120の高さを調整することで、正確な測定情報獲得のための焦点を調整することができる。また、観測領域の底趨勢情報を獲得することにおいて、実際関心領域(ROI)及びダミー観測領域(DROI)の底趨勢情報を共に用いることで、底趨勢情報の信頼性をより向上させることができる。
一方、本実施例による基板検査方法は基板150の反りに対応して高さ測定の範囲を増加させるために、多波長検査方式を使用することができる。多波長検査方式については図6及び図7を参照して説明したので、これについての重複される説明は省略する。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

Claims (3)

  1. ステージに固定された基板にパターン照明を照射する少なくとも一つの投影部及び前記基板のイメージを撮影するカメラを含む測定モジュールを用いて、前記基板を複数の観測領域(FOV)に分割して順次に検査する基板検査方法において、
    次に検査する対象観測領域の近所に検査の完了された少なくとも一つの以前観測領域が存在するかを判断する段階と、
    前記以前観測領域が存在しない場合、前記測定モジュールのZ軸を初期位置に移送して焦点を調整する段階と、
    前記以前観測領域が存在する場合、前記以前観測領域の趨勢情報を用いて前記対象観測領域においての前記測定モジュールのZ軸移送位置を推定する段階と、
    前記測定モジュールのZ軸を前記推定された移送位置に移送して焦点を調整する段階と、
    点調整の完了された前記測定モジュールを用いて前記対象観測領域を検査する段階と、
    を含むことを特徴とする基板検査方法。
  2. 前記測定モジュールは、
    第1波長を有する第1パターン照明を照射する少なくとも一つの第1投影部と、
    第1波長と異なる第2波長を有する第2パターン照明を照射する少なくとも一つの第2投影部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。
  3. 前記投影部は、互いに異なる波長を有する第1及び第2パターン照明を順次に照射することを特徴とする請求項1に記載の基板検査方法。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101410220B1 (ko) * 2012-05-22 2014-06-20 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치의 높이 측정 방법
JP6025466B2 (ja) * 2012-09-11 2016-11-16 株式会社キーエンス 形状測定装置、形状測定方法および形状測定プログラム
JP6389651B2 (ja) * 2013-09-10 2018-09-12 Juki株式会社 検査方法、実装方法、及び実装装置
JP2015129703A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 富士通株式会社 基板の反り測定方法
US9816940B2 (en) 2015-01-21 2017-11-14 Kla-Tencor Corporation Wafer inspection with focus volumetric method
KR101784276B1 (ko) * 2015-02-27 2017-10-12 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 방법 및 시스템
KR101659302B1 (ko) * 2015-04-10 2016-09-23 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치
JP6109255B2 (ja) * 2015-07-14 2017-04-05 Ckd株式会社 三次元計測装置
US9733067B2 (en) * 2015-11-12 2017-08-15 Taiwan Nano-Technology Application Corp Apparatus for detecting heights of defects on optical glass
JP6792369B2 (ja) * 2016-07-28 2020-11-25 株式会社サキコーポレーション 回路基板の検査方法及び検査装置
KR20180044157A (ko) * 2016-10-21 2018-05-02 주식회사 고영테크놀러지 복수의 상이한 패턴 광원의 설치가 가능한 패턴 광 조사 장치 및 검사 장치
JP6392922B1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-19 ファナック株式会社 検査システムの検査対象外となる領域を算出する装置、および検査対象外となる領域を算出する方法
KR102249225B1 (ko) * 2017-12-28 2021-05-10 주식회사 고영테크놀러지 기판에 삽입된 커넥터에 포함된 복수의 핀의 삽입 상태를 검사하는 방법 및 기판 검사 장치
US11375124B2 (en) * 2019-02-25 2022-06-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical measurement equipment and method for measuring warpage of a workpiece
JP7000380B2 (ja) * 2019-05-29 2022-01-19 Ckd株式会社 三次元計測装置及び三次元計測方法
US11624606B2 (en) * 2020-02-20 2023-04-11 Cognex Corporation Methods and apparatus for using range data to predict object features
KR102635249B1 (ko) * 2020-08-31 2024-02-08 세메스 주식회사 이미지 획득 방법, 이미지 획득 장치 및 웨이퍼 검사 장치
JP2022069905A (ja) * 2020-10-26 2022-05-12 日本電産サンキョー株式会社 撮像装置および検査装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3303280B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-15 株式会社ニコン 位置検出装置、露光装置、及び露光方法
JP3143038B2 (ja) 1994-11-18 2001-03-07 株式会社日立製作所 自動焦点合わせ方法及び装置並びに三次元形状検出方法及びその装置
JPH11237344A (ja) 1998-02-19 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2000266691A (ja) 1999-03-16 2000-09-29 Olympus Optical Co Ltd 外観検査装置
JP3903889B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置
US7127098B2 (en) * 2001-09-13 2006-10-24 Hitachi, Ltd. Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus
JP2003188084A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Canon Inc 面位置検出装置、面位置検出方法及び露光装置
JP2003269920A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Olympus Optical Co Ltd 高さ測定装置
JP3872007B2 (ja) * 2002-12-16 2007-01-24 シーケーディ株式会社 計測装置及び検査装置
JP4200763B2 (ja) * 2003-01-08 2008-12-24 株式会社ニコン 画像測定機および画像測定方法
KR20070019752A (ko) 2004-06-04 2007-02-15 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 반도체 외관 검사 장치 및 조명 방법
JP4996856B2 (ja) * 2006-01-23 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
US8059280B2 (en) * 2008-01-31 2011-11-15 Cyberoptics Corporation Method for three-dimensional imaging using multi-phase structured light
KR101237497B1 (ko) 2009-03-30 2013-02-26 주식회사 고영테크놀러지 검사영역의 설정방법
KR20110061001A (ko) 2009-12-01 2011-06-09 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사방법 및 이를 이용한 기판 검사장치
NL2005821A (en) * 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate.
KR101196219B1 (ko) 2010-02-01 2012-11-05 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치의 높이 측정방법 및 이를 이용한 3차원 형상 측정장치

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