KR100576364B1 - 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법 - Google Patents

시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100576364B1
KR100576364B1 KR1020030083179A KR20030083179A KR100576364B1 KR 100576364 B1 KR100576364 B1 KR 100576364B1 KR 1020030083179 A KR1020030083179 A KR 1020030083179A KR 20030083179 A KR20030083179 A KR 20030083179A KR 100576364 B1 KR100576364 B1 KR 100576364B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
detector
value
calibration sample
reference value
calibration
Prior art date
Application number
KR1020030083179A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050049261A (ko
Inventor
김병철
양덕선
정호형
김영길
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030083179A priority Critical patent/KR100576364B1/ko
Priority to US10/916,735 priority patent/US20050111004A1/en
Priority to JP2004336168A priority patent/JP2005172813A/ja
Publication of KR20050049261A publication Critical patent/KR20050049261A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100576364B1 publication Critical patent/KR100576364B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/93Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205Investigating particle size or size distribution by optical means
    • G01N15/0211Investigating a scatter or diffraction pattern
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4785Standardising light scatter apparatus; Standards therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/1012Calibrating particle analysers; References therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

시편검사장치의 기준값 설정장치는 캘리브레이션시료와; 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 캘리브레이션광원과; 캘리브레이션시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받음과 아울러 검사시편으로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받는 적어도 하나의 디텍터와; 디텍터에 대한 기준값 및 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하고 그에 대한 보정값을 산출하여 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함한다. 캘리브레이션시료는 세라믹재질로 제작되며 그 상면에 다수의 요철부가 마련되고 실제 검사시편이 안착되는 스테이지의 일측에 설치된다.

Description

시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값 설정방법{CALIBRATION APPARATUS FOR INSPECTION OBJECT AND METHOD THERE OF}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 시편 표면 검사장치의 기준값 설정과정을 도시한 도면들,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 의한 시편 표면검사장치의 기준값 설정장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 3은 본 발명에 의한 개선된 기준값 설정장치가 적용된 시편표면 검사장치의 구성을 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 의한 시편 표면 검사장치의 기준값 설정 과정을 나타내는 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 시편검사장치 기준값설정장치 110 :캘리브레이션광원
130 : 캘리브레이션시료 131 : 요철부
150 : 디텍터 170 : 디텍터보정장치
171 : 기준값저장수단 173 : 측정값저장수단
175 : 비교기 177 : 프로세서
180 : 전압조정기 183 : 전원
201 ; 검사시편 210 : 스테이지
220 : 검사광원
본 발명은 시편 검사장치의 기준값 설정장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기준값 설정을 위한 시료를 시편검사장치 자체에 마련하고, 그 시료를 통해 반사되는 스캐터링 라이트 시그널을 획득하는 디텍터의 측정값을 기준데이터 값과 비교 판단하여 상기 디텍터를 자동 보정하도록 하는 시편검사장치의 기준값 설정장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 다수의 물질층을 적층하고 패터닝하는 과정을 반복하여 형성된다. 이때, 각 물질층의 적층 또는 패터닝 과정에서 발생할 수 있는 결함(DEFECT)이나 오염 입자가 소정의 허용 한도를 넘게 되면 완성된 반도체 소자는 작동하지 않거나 오동작 할 수가 있다. 따라서, 현재 대부분의 반도체 소자의 제조공정은 각 공정수행 후에 웨이퍼 표면을 검사하여 형성된 물질층의 표면 또는 내부에 결함이나 오염입자의 정도를 파악하는 공정을 포함하고 있다.
현재, 이러한 웨이퍼 표면 검사방식에는 크게 두 가지가 있는데, 하나는 레이저 산란(LASER SCATTERING)을 이용한 검사방식이고, 다른 하나는 CCD(Charged Couple Device)촬상소자를 이용한 검사방식이다.
여기서, 상기 레이저 산란을 이용한 검사장치의 구성은 분석대상물 예컨대 웨이퍼 상에 레이저를 주사하여 스캐터링되는 레이저를 디텍터로 센싱하여 센싱된 레이저의 인텐시티(Intensity)를 분석함으로서 웨이퍼 상에 존재하는 파티클의 개수 및 크기를 분석할 수 있도록 되어 있다.
상술한 바와 같이 레이저 스캐터링에 의한 것으로 대한민국등록특허공보(등록번호 10-0335491호, 발명의 명칭 : 공정파라미터의 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정파라미터 설정방법)가 개시된 바 있다.
그 내용을 요약해 보면 다음과 같다.
소정의 공정을 마친 웨이퍼 표면의 결함이나 오염을 검사하는 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사 시에 필요한 검사장비의 공정 파라미터를 설정하는 방법에 관한 것으로, 본 발명은 웨이퍼 검사 시에 필요한 검사장비의 공정 파라미터들을 미리 라이브러리에 저장하여 두고 동일한 단계의 공정을 거친 웨이퍼를 검사할 때 이용함으로써 공정, 파라미터의 설정에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 작업자의 숙련도에 따른 편차를 없앨 수 있도록 한다.
상기와 같이 반도체 장치 제조라인에 설치된 상기 다수의 검사장치는 정기적으로 기준값을 재 설정함으로써 측정오차를 줄이고 있다.
그러한 예로 일본공개특허공보(특개 2003-130809호 발명의 명칭: 표면검사장치)가 개시되어 있다.
그 내용을 살펴보면, 기판표면을 검사하는 장치에 있어 교정방법 및 교정웨이퍼를 가지는 수납부에 관한 것으로, 기판에 레이저를 조사하고 이를 수광하여 그 데이터값을 교정프로그램에 의해 교정하고, 교정이 끝나면 반송시스템에 의해 웨이 퍼가 반송되며 이런 과정은 자동적으로 실시되는 것에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 레이저 산란을 이용한 검사장치의 기준값을 설정하는 보다 구체적인 과정을 도시한 도면들이다. 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 베어 웨이퍼(1:Bare Wafer)상에 특정 크기 및 형상으로 이루어진 표준 파티클 PSL(3:Poly Stylen Latex)를 PDS(4:Particle Deposition System)을 이용하여 소정개수 뿌려 캘리브레이션용 표준시료(5)를 제작(S1)한다.
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 표준시료(5)를 검사장치에 투입한 후 표준시료(5)상에 존재하는 PSL 개수 및 크기를 측정하여 그 결과치가 올바르게 나타나는지를 확인(S2)한다.
다음, 상기 단계(S2)에서 PSL사이즈를 잘못 읽는 부분이 있으면, 도 1c와 같은 보정모드(CALBRATION MODE)로 이동하여서 캘리브레이션(CALIBRATION) 작업을 진행(S3)한다. 그 작업은 표준시료(5)에서 스캐터링 되는 광을 감지하여 이의 인텐시티를 구하여 PSL의 크기에 대한 인텐시티의 값을 적어도 2개 이상 선정하여 작업자가 입력시킨다.
그러면, 그래프에 도시된 바와 같이 PSL의 크기에 대한 인텐시티의 크기를 나타내는 기준값(A선도)에 대하여 작업자에 의해 입력된 측정값(이하 로우데이터(RAW DATA)라 칭함;B선도)에 대한 오차가 산출되고, 그 오차 값만큼 보상하는 보상작업(S3)이 이루어진다.
그 후, 다시 상기 과정들을 반복 수행하여 정상적인 값이 나올 때까지 조정작업을 계속적으로 진행한다.
그러나, 종래에는 상술한 바와 같은 방법에 의함에 따라 첫 번째 문제점은 캘리브레이션시료를 제작하기 위한 추가 비용이 든다.
두 번째 문제점은 베어 웨이퍼를 사용해야 하므로 웨이퍼 소비율이 증가한다.
세 번째 문제점은 별도의 PDS(Particle Deposition System)이 채용되어야만 하고, 상기 PDS의 설비가 다운(DOWN) 될 경우 그에 대한 신속한 대응이 어렵다.
네 번째 문제점은 캘리브레이션 보정 작업을 위하여 로우데이터값을 작업자가 수작업에 의하여 입력함에 따라 작업자 실수를 통해 그 데이터값이 잘못 입력될 수 있다. 그와 같은 경우 캘리브레이션 작업이 오류가 발생됨으로 켈리브레이션 재 작업을 하게 되고 이로 인한 추가 비용 및 시간이 소요되어야만 한다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 시편 검사장치내에 캘리브레이션용 시료를 부착하여 사용토록 함과 아울러 그 시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널값을 읽은 디텍터의 측정값을 판단하여 기준값과 상기 디텍터의 측정값과의 오차를 산출하여 상기 디텍터를 보정토록 하는 시편검사장치의 기준값 설정장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 시편검사장치내에 캘리브레이션용 시료를 영구부착하고, 그 시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널값을 읽은 디텍터의 측정값을 판단하여 기준값과 디텍터의 측정값과의 오차를 산출하여 상기 디텍터를 보정토록 하는 시편검사장치의 기준값 설정방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1관점에 의하면, 캘리브레이션시료를 설치하는 스테이지와; 상기 스테이지의 상측에 설치되어 상기 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 캘리브레이션광원과; 상기 캘리브레이션시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받음과 아울러 검사시편으로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받는 적어도 하나의 디텍터와; 상기 디텍터에 대한 기준값 및 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하고 그에 대한 보정값을 산출하여 상기 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값설정장치가 제공된다.
상기 디텍터보정장치는 상기 디텍터에 대한 기준값을 저장하는 기준값저장수단과; 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 저장하는 측정값저장수단과; 상기 기준값과 상기 측정값을 비교 판단하여 그 오차값을 산출하는 비교기와; 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 대한 보정명령을 실행시키는 프로세서를 포함한다.
상기 캘리브레이션시료는 광산란성이 우수한 재질로서, 상기 캘리브레이션시료의 재질은 세라믹으로 함이 바람직하며, 상기 캘리브레이션시료의 표면은 요철형태로 제작함이 바람직하다.
상기 기준값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압 대비 이상적인 인텐시티에 대한 값이 저장되며; 상기 측정값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압대비 실제 측정된 인텐시티에 대한 값이 저장된다.
상기 프로세서는 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 근거로 상기 디텍터에 가해지는 전압값에 대한 보정명령을 출력하도록 된 것이다.
본 발명의 제 2관점에 의하면, 검사를 실시한 검사시편이 안착되는 스테이지와; 상기 스테이지의 일측에 설치되는 캘리브레이션시료와; 상기 시편(과/또는) 캘리브레이션시료의 상측으로 소정의 조사광을 출사하는 광원과; 상기 캘리브레이션시료로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 디텍팅하는 디텍터와; 상기 디텍터에 대한 기준값 및 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하여 상기 디텍터의 보정값을 산출하여 상기 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치가 제공된다.
상기 광원은 상기 시편측으로 조사하는 검사광원과, 상기 캘리브레이션시료측으로 조사하는 캘리브레이션광원으로 각각 마련됨이 바람직하며, 상기 캘리브레이션광원은 상기 검사광원보다 낮은 광을 출력시키도록 된 것으로 함이 바람직하다.
상기 디텍터보정장치는 상기 디텍터에 대한 기준값을 저장하는 기준값저장수단과; 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 저장하는 측정값저장수단과; 상기 기준값과 측정값을 비교 판단하여 그 오차값을 산출하는 비교기와; 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 대한 보정명령을 실행시키는 프로세서를 포함함이 바람직하다.
상기 캘리브레이션시료는 상기 시편의 안착면보다 낮은 위치에 설치된 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3관점에 의하면, 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 단계와; 상기 캘리브레시션시료로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 디텍터가 감지하는 단계와; 상기 디텍터를 통해 감지된 측정값과 선 입력된 기준값을 비교기를 통하여 비교하여 오차값을 산출하는 단계와; 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터를 보정하는 보정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정방법이 제공된다.
상기 비교기는 상기 디텍터에 가해지는 전압 대비 이상적인 인텐시티에 대한 값과 그와 동일한 전압 인가조건에서 실제 측정된 인텐시티에 대한 값을 비교하여 그 오차값을 산출한다.
상기 디텍터의 보정은 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 가해지는 전압값을 보정하는 것에 의한다.
상기 캘리브레이션시료의 재질을 광산란성이 우수한 재질로 제작하며 보다 바람직하게는 세라믹으로 제작하고, 그 표면은 요철형태로 제작한다.
다음 도 2내지 도 4를 참조로 하여 본 발명에 의한 시편검사장치의 기준값 설정장치 및 그 설정방법에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 의한 시편검사장치의 기준값 설정장치(100)의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이 캘리브레이션광원(110), 캘리브레이션시료(130), 디텍터(150) 및 상기 디텍터보정장치(170)를 포함한다.
상기 캘리브레이션시료(130)는 소정의 고정블럭(135)위의 상면에 설치되며 그 재료는 광산란성이 우수한 재질로서 세락믹재질을 사용함이 바람직하다. 한편, 그 상면은 광산란성을 돕기 위하여 다수의 요철부(131:CONVEX-CONCAVE)를 갖도록 제작함이 바람직하다.
상기 캘리브레이션광원(110)은 상기 캘리브레이션시료(130)측으로 소정의 조사광을 출사하는 것으로서, 예컨대 레이저광원이 있다.
상기 디텍터(150)는 상기 캘리브레이션시료(130)를 통하여 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받아 스캐터링 인텐시티를 측정하는 것으로서, 광전자증배관(PHTOMULTIPLIER)을 사용한다.
상기 디텍터보정장치(170)는 상기 디텍터(150)에 대한 기준값을 저장하는 기준값저장수단(171)과, 상기 캘리브레이션시료(130)를 통해 측정된 값을 저장하는 측정값저장수단(173)과, 상기 기준값과 상기 측정값을 비교 판단하여 그 오차값을 산출하는 비교기(175)와, 상기 비교기(175)를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터(150)에 대한 보정명령을 실행시키는 프로세서(177)를 포함한다.
상기 기준값이라 함은 이상적인 상태에서 상기 디텍터(150)에 가해지는 전압에 대한 스캐터링 인테시티값(SCATTERING INTENSITY VALUE)을 의미하며, 측정값이라 함은 상기 기준값에 의거한 동일한 전압에 대하여 실제 측정된 스캐터링 인텐시티값을 의미한다. 따라서, 상기 비교기(175)는 이러한 기준값과 측정값과의 오차값을 산출한다.
한편, 그 오차값을 근거로 프로세서(177)는 그 오차값을 보상하기 위하여 디텍터(150)에 보정전압이 인가되도록하는 명령어를 전압조정기(180)측으로 출력한 다. 따라서, 전원(183)으로부터 공급되는 전압을 조정하여 디텍터(150)롤 출력되도록 한다. 여기서 상기 디텍터(150)는 시편(미도시)을 검사할 경우 그 시편으로부터 반사되는 스캐터링 인텐시티 값을 받아들이는 것이다.
다음은 상술한 바와 같은 구성에 의하여 시편장치의 기준값 설정방법에 대하여 도 4를 참조로 하여 설명한다.
먼저, 캘리브레이션광원(110)을 통해 소정의 조사광을 캘리브레이션시료(130)측을 향해 조사한다. 그러면, 상기 디텍터(150)는 캘리브레이션시료(130)를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받아서 그 인텐시티를 측정하고, 그 측정값은 측정값저장수단(173)을 통해 저장(S100)된다. 한편, 비교기(175)는 기준값저장수단(171)을 통하여 선 입력된 기준값과 측정값을 비교하여 오차값을 산출(S300)한다.
그와 같이 오차값이 산출되면, 프로세서(177)는 디텍터(150)의 조건을 보정하는 보정명령어를 출력(S500)한다. 그 보정은 디텍터(150)에 가해지는 전압값을 달리하여 상기 오차값을 보상하도록 된 것으로서, 각 전원(183)으로부터 공급되는 공급전류의 값을 조정하는 신호를 전압조정기(180)로 보내면 상기 전압조정기(180)는 조정된 전압을 상기 디텍터(150)로 출력한다.
도 3은 도 2의 기준값설정장치(100)가 실질적으로 시편을 검사하는 시편검사장치에 적용된 예를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이 캘리브레이션시료(130)가 검사시편(201: 예컨대 웨이퍼)을 안착시키는 스테이지(210)에 설치된다. 이때, 상기 캘리브레이션시료(130)는 상기 검사시편(201)에 간섭되는 것을 해소시키기 위 하여 상기 검사시편(201)의 안착면(저면)보다 낮은 위치에 설치됨이 바람직하다.
한편, 상기 캘리브레이션시료(130)측으로 조사되는 캘리브레이션광원(110)이 시편(201)을 검사하기 위한 검사광원(220)과 별도로 마련된다. 이때, 상기 캘리브레이션광원(110)은 상기 검사광원(220)을 그대로 활용하여도 무방하나 상기 검사광원(220)의 출력광이 높아 상대적으로 디텍터(110)의 기능을 더욱더 쉽게 노화시키는 것을 고려하여 그 출력광이 낮은 조건을 이루도록 구성된 별도의 캘리브레이션용도로 제작된 광원을 사용함이 바람직하다.
이와 같이 캘리브레이션시료(130)를 스테이지(210)의 일측에 설치할 경우 상기 스테이지(210)는 수평,수직 내지는 회전이동가능하게 설치되어 캘리브레이션 작업을 할 때 상기 캘리브레이션시료(130)가 소정의 위치로 이동하고 실제 시편(201)을 검사할 경우 시편(201)이 소정의 위치로 이동할 수 있도록 구성함이 바람직할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 시편검사장치의 기준값을 설정하는 것에 있어서, 디텍터가 감지하는 감지값을 분석하여 기준값과 차이가 날 경우 그 오차값의 보상을 디텍터에서 이루어지도록 하여 그 캘리브레이션을 위해 소요되는 비용을 획기적으로 절감시킴과 아울러 시간 또한 감소시키는 이점이 있다.
이와 같이 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (22)

  1. 세라믹 재질로 형성되고, 그 상면에 광산란성을 돕기 위한 요철부를 구비한 캘리브레이션시료;
    상기 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 캘리브레이션광원;
    상기 캘리브레이션시료를 통해 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받음과 아울러 검사시편으로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 받는 적어도 하나의 디텍터;
    상기 디텍터에 대한 기준값 및 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하고 그에 대한 보정값을 산출하여 상기 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값설정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디텍터보정장치는 상기 디텍터에 대한 기준값을 저장하는 기준값저장수단과; 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 저장하는 측정값저장수단과; 상기 기준값과 상기 측정값을 비교 판단하여 그 오차값을 산출하는 비교기와; 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 대한 보정명령을 실행시키는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 2항에 있어서; 상기 기준값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압 대비 이상적인 인텐시티에 대한 값이 저장되며; 상기 측정값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압대비 실제 측정된 인텐시티에 대한 값이 저장된 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정장치.
  7. 제 2항에 있어서; 상기 프로세서는 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 근거로 상기 디텍터에 가해지는 전압값에 대한 보정명령을 출력하도록 된 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정장치.
  8. 검사 시편이 안착되는 스테이지;
    상기 스테이지의 일측에 상기 시편의 안착면보다 낮은 위치로 설치되는 캘리브레이션시료;
    상기 시편(과/또는) 캘리브레이션시료의 상측으로 소정의 조사광을 출사하는 광원;
    상기 캘리브레이션시료로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 디텍팅하는 디텍터;
    상기 디텍터에 대한 기준값 및 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 비교 판단하여 상기 디텍터의 보정값을 산출하여 상기 디텍터를 보정하는 디텍터보정장치를 포함하며,
    상기 캘리브레이션시료는 세라믹 재질로 형성되고, 그 상면에 광산란성을 돕기 위한 요철부를 구비하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 광원은 상기 시편측으로 조사하는 검사광원과, 상기 캘리브레이션시료측으로 조사하는 캘리브레이션광원이 각각 마련된 것을 특징으로 하는 시편검사장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 캘리브레이션광원은 상기 검사광원보다 낮은 광출력조건을 갖도록 된 것을 특징으로 하는 시편검사장치.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 디텍터보정장치는 상기 디텍터에 대한 기준값을 저장하는 기준값저장수단과; 상기 캘리브레이션시료를 통해 측정된 값을 저장하는 측정값저장수단과; 상기 기준값과 측정값을 비교 판단하여 그 오차값을 산출하는 비교기와; 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 대한 보정명령을 실행시키는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 제 11항에 있어서; 상기 기준값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압 대비 이상적인 인텐시티(INTENSITY)에 대한 값이 저장되며; 상기 측정값저장수단은 상기 디텍터에 가해지는 전압대비 실제 측정된 인텐시티에 대한 값이 저장된 것을 특징으로 하는 시편검사장치.
  16. 삭제
  17. 세라믹 재질로 형성되고, 그 상면에 광산란성을 돕기 위한 요철부를 구비한 캘리브레이션시료로 소정의 조사광을 출사하는 단계;
    상기 캘리브레이션시료로부터 반사되는 라이트 스캐터링 시그널을 디텍터가 감지하는 단계;
    상기 디텍터를 통해 감지된 측정값과 선 입력된 기준값을 비교기를 통하여 비교 판단하는 단계;
    상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터를 보정하는 보정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 비교기는 상기 디텍터에 가해지는 전압 대비 이상적인 인텐시티에 대한 값과 그와 동일한 전압 인가조건에서 실제 측정된 인텐시티에 대한 값을 비교하여 그 오차값을 산출하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정방법.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 디텍터의 보정은 상기 비교기를 통해 산출된 오차값을 기초로 상기 디텍터에 가해지는 전압값을 보정하는 것을 특징으로 하는 시편검사장치의 기준값 설정방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
KR1020030083179A 2003-11-21 2003-11-21 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법 KR100576364B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030083179A KR100576364B1 (ko) 2003-11-21 2003-11-21 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법
US10/916,735 US20050111004A1 (en) 2003-11-21 2004-08-11 Specimen inspection apparatus and reference value setting unit and method of the specimen inspection apparatus
JP2004336168A JP2005172813A (ja) 2003-11-21 2004-11-19 試片検査装置の基準値設定装置およびこれを用いた基準値設定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030083179A KR100576364B1 (ko) 2003-11-21 2003-11-21 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050049261A KR20050049261A (ko) 2005-05-25
KR100576364B1 true KR100576364B1 (ko) 2006-05-03

Family

ID=34587979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030083179A KR100576364B1 (ko) 2003-11-21 2003-11-21 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050111004A1 (ko)
JP (1) JP2005172813A (ko)
KR (1) KR100576364B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248689B1 (ko) * 2009-02-26 2013-03-28 호야 가부시키가이샤 다계조 포토마스크의 평가 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100684104B1 (ko) * 2005-08-02 2007-02-16 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검사 장치
JP4468400B2 (ja) * 2007-03-30 2010-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
JP5309057B2 (ja) * 2010-03-01 2013-10-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査装置及び表面検査方法
JP2012073040A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Nidec Sankyo Corp パーティクル検出用光学装置およびパーティクル検出装置
CN102156357A (zh) * 2011-02-25 2011-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 自动光学检验设备及其校正方法
CN103837547A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 吴江市利群纺织有限公司 纺织品在线瑕疵点检查装置
JP6476580B2 (ja) * 2014-04-21 2019-03-06 株式会社山梨技術工房 平板基板の表面状態検査装置及びそれを用いた平板基板の表面状態検査方法
US20170284943A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Nilanjan Ghosh Detecting voids and delamination in photoresist layer
CN106053320B (zh) * 2016-05-18 2019-02-19 深圳市青核桃科技有限公司 一种使用普通颗粒对激光颗粒计数器进行校准的方法
CN105842142A (zh) * 2016-05-18 2016-08-10 深圳市青核桃科技有限公司 一种使用单一标准颗粒对激光颗粒计数器进行校准的方法
US10557800B2 (en) 2018-01-02 2020-02-11 Owens-Brockway Glass Container Inc. Calibrating inspection devices
US11016024B2 (en) * 2019-02-19 2021-05-25 Kla Corporation Air scattering standard for light scattering based optical instruments and tools

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4776693A (en) * 1984-05-11 1988-10-11 Nippon Kogaku K. K. Foreign substance inspecting system including a calibration standard
US5073497A (en) * 1989-06-30 1991-12-17 Caribbean Microparticles Corporation Microbead reference standard and method of adjusting a flow cytometer to obtain reproducible results using the microbeads

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248689B1 (ko) * 2009-02-26 2013-03-28 호야 가부시키가이샤 다계조 포토마스크의 평가 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050049261A (ko) 2005-05-25
JP2005172813A (ja) 2005-06-30
US20050111004A1 (en) 2005-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100576364B1 (ko) 시편 검사장치의 기준값설정장치 및 이를 이용한 기준값설정방법
TWI594205B (zh) 用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之方法,電腦系統及裝置
JP4722244B2 (ja) 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置
KR101214806B1 (ko) 웨이퍼 결함 검사 장치 및 웨이퍼 결함 검사 방법
KR101711193B1 (ko) 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 시스템
JP5147202B2 (ja) 光学式欠陥検査装置
US20050033528A1 (en) Single tool defect classification solution
US20140064599A1 (en) Method of Automatic Optical Inspection for Detection of Macro Defects of Sub-Pixel Defect Size in Pattern Wafers and Non-Pattern Wafers
US8949043B2 (en) Surface inspecting apparatus and method for calibrating same
KR100335491B1 (ko) 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
US8200003B2 (en) Method for the optical inspection and visualization of optical measuring values obtained from disk-like objects
WO2010113232A1 (ja) 検査方法及び検査装置
KR101569853B1 (ko) 기판 결함 검사 장치 및 방법
KR102430478B1 (ko) 웨이퍼 검사 방법
US20080205746A1 (en) Method of inspecting an identification mark, method of inspecting a wafer using the same, and apparatus for performing the method
KR101678043B1 (ko) 비패턴 웨이퍼 검사 장치
US7023541B2 (en) Device inspecting for defect on semiconductor wafer surface
KR100952522B1 (ko) 웨이퍼 결함 검출 장치 및 이의 방법
EP3290910A1 (en) Method for judging whether semiconductor wafer is non-defective wafer by using laser scattering method
KR20070077260A (ko) 웨이퍼 검사 방법
US20070064232A1 (en) Method and system for measuring overlay of semiconductor device
KR20150117153A (ko) 패턴 신뢰성 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법
JP5638098B2 (ja) 検査装置、及び検査条件取得方法
JPH10206337A (ja) 半導体ウエハの自動外観検査装置
TWI697663B (zh) 透過使用紫外線之雷射結晶設備的雲紋量化系統及透過使用紫外線之雷射結晶設備的雲紋量化方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090415

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee