JPWO2020105340A1 - ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明のベベル部処理剤組成物は、ウェハのベベル部を処理するために用いる、シリル化剤を含有するベベル部処理剤組成物であって、所定の手順で測定される表面改質指標Ｙと表面改質指標Ｚとが０．５≦Ｙ／Ｚ≦１．０を満たすという特性を有するものである。

Description

本発明は、ベベル部処理剤組成物およびウェハの製造方法に関する。

これまで半導体ウェハのベベル部における洗浄技術において、様々な検討がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、薬液ノズルから半導体ウェハの表面に薬液を吐出し、回転の遠心力によってベベル部の外側まで洗浄用薬液を広げることにより、ベベル部の表面を洗浄する方法が記載されている（特許文献１の段落００２５、図３）。
また、半導体製造の各工程において、半導体ウェハのデバイス面以外の部分であるウェハ裏面、ベベル部（ウェハエッジ部及び周辺部）の表面に金属汚染などが発生することが知られている（特許文献２の段落０００４）。

特開２００９−２１８２４９号公報 特開２００５−３４０５５４号公報

本発明者が検討した結果、特許文献１に記載の薬液において、異物の付着防止性の点で改善の余地があることが判明した。

半導体ウェハ上に半導体素子を形成する製造過程において、半導体ウェハの端部に位置するベベル部に金属パーティクルなどの異物が付着することが知られている。ベベル部の表面に付着した異物が、半導体ウェハの搬送、保管、処理等の各種工程において、自身または他の半導体ウェハ上の素子形成領域中に拡散すると、半導体チップのデバイス特性が低下する恐れがある。
上述のとおり、ベベル部の表面の異物を洗浄用薬液で洗浄する方法が採用されている。しかしながら、洗浄した後のベベル部の表面に異物が再付着する恐れがある。

そこで、本発明者は、ベベル部表面を改質することで異物の付着性を制御できると考え、ベベル部表面における改質工程に着眼し、かかる改質工程に適した薬液、すなわち、ベベル部処理剤組成物について検討を進めた。

鋭意検討した結果、ベベル部表面における異物の付着性について、ベベル部処理剤組成物で処理した後の臨界表面張力を指針とすることで適切に制御できることを見出した。
また、ベベル部表面において、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの複数種の絶縁膜が積層されていることが一般的であり、異種材料が混在した状態の膜が露出していることが知られている。こうした事情を踏まえて検討した結果、異なる材料の膜に対する２つの臨界表面張力を指針として用いることで、ベベル部表面における異物付着性を安定的に評価できることが分かった。

このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、シリコン酸化膜に対する臨界表面張力Ｙとシリコン窒化膜に対する臨界表面張力Ｚとの比を指標として用い、かかる指標「Ｙ／Ｚ」を適切に制御したベベル部処理剤組成物を用いて改質することで、ベベル部表面における金属パーティクル等の異物の付着防止能が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、
ウェハのベベル部を処理するために用いる、シリル化剤を含有するベベル部処理剤組成物であって、
下記の手順（１）〜（４）で測定される表面改質指標Ｙと表面改質指標Ｚとが、
０．５≦Ｙ／Ｚ≦１．０
を満たす、ベベル部処理剤組成物が提供される。
（手順）
（１）表面に厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、２−プロパノール（ｉＰＡ）に１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
（２）（１）処理後のシリコン酸化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｙ」とする。
（３）表面に厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、ｉＰＡに１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
（４）（３）処理後のシリコン窒化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｚ」とする。

また本発明によれば、
ウェハの表面改質工程と、
ウェハの加工工程と、を含む、ウェハの製造方法であって、
前記表面改質工程において、上記のベベル部処理剤組成物を用いる、ウェハの製造方法が提供される。

本発明によれば、異物の付着防止性に優れたベベル部処理剤組成物、それを用いたウェハの製造方法が提供される。

本実施形態に係るウェハのベベル部の構成を模式的に示す断面図である。 Ｚｉｓｍａｎプロット法の概要を説明するための図である。 実施例１のＳＥＭ画像を示す図である。 実施例２のＳＥＭ画像を示す図である。 比較例１のＳＥＭ画像を示す図である。 比較例２のＳＥＭ画像を示す図である。 実施例１のＳＥＭ画像を示す図である。 実施例２のＳＥＭ画像を示す図である。 比較例１のＳＥＭ画像を示す図である。 比較例２のＳＥＭ画像を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。

本実施形態のベベル部処理剤組成物の概要を説明する。
本実施形態のベベル部処理剤組成物は、ウェハのベベル部を処理するために用いる表面改質剤である。当該ベベル部処理剤組成物は、シリル化剤を含有するものであり、下記の手順（１）〜（４）で測定される表面改質指標Ｙと表面改質指標Ｚとで表される「Ｙ／Ｚ」が下記の式（Ｉ）を満たすという特性を有するものである。
０．５≦Ｙ／Ｚ≦１．０ ・・・（Ｉ）

（手順）
（１）表面に厚さ１μｍのシリコン酸化膜（熱酸化膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、２−プロパノール（ｉＰＡ）に１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
（２）（１）処理後のシリコン酸化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｙ」とする。
（３）表面に厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＬＰ−ＣＶＤ膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、ｉＰＡに１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
（４）（３）処理後のシリコン窒化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｚ」とする。

図１は、ウェハ１００のベベル部３０の構成を模式的に示す断面図である。
本実施形態のウェハ１００の一例は、素子形成領域１０の外側に形成されたベベル部３０を有し得る。ベベル部３０は、傾斜面で構成された上ベベル部４０および下ベベル部６０、エッジの端面で構成されたエッジ部５０を有する。

図１に示すように、ベベル部３０における上ベベル部４０表面上やエッジ部５０の表面上に、素子形成領域１０中に半導体素子を構成する膜の成膜過程において、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜１１０が形成され得る。絶縁膜１１０は、複数の異種材料が混在した状態でベベル部３０の表面上に露出する異種膜となる。そして、ベベル部３０における絶縁膜１１０上には、ウェハ１００の各種の工程において、金属粒子や無機粒子などの異物（パーティクル）が付着することがある。

本発明者の知見によれば、ベベル部３０表面における異物の付着性について、ベベル部処理剤組成物で処理した後の臨界表面張力を指針とすることで適切に制御できることを見出した。
さらには、ベベル部３０の表面に露出する異種膜の代表例であるシリコン酸化膜と、シリコン窒化膜との各々に対する臨界表面張力の比を指針として用いることで、ベベル部３０における異物付着性を安定的に評価できることが分かった。

さらに、本発明者は、Ｚｉｓｍａｎプロット法を用いた臨界表面張力の測定方法について検討を進めた。その結果、Ｚｉｓｍａｎプロット法の条件において、測定用液体として、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の液体を用いることで、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜における臨界表面張力を適切に評価できることが判明した。

上記測定用液体としては、水とｉＰＡとの混合比率が、質量比で１００：０、９９：１、９５：５、８７：１３、８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、５：９５、３：９７、０：１００である液体から選んだ２種以上を用いることができる。２種あるいは３種以上の測定用液体を適切に選択することで、Ｚｉｓｍａｎプロットから臨界表面張力を算出することが可能になることが分かった。

このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、上記Ｚｉｓｍａｎプロット法で求めたシリコン酸化膜に対する臨界表面張力を「表面改質指標Ｙ」とし、Ｚｉｓｍａｎプロット法で求めたシリコン窒化膜に対する臨界表面張力を「表面改質指標Ｚ」としたとき、「Ｙ／Ｚ」を指標に採用し、かかる指標を適切な数値範囲内に制御したベベル部処理剤組成物を用いてベベル部３０の表面を改質することで、異物の付着防止能が改善されることが見出された。

詳細なメカニズムは定かでないが、指標「Ｙ／Ｚ」を適切に制御されたベベル部処理剤組成物は、ベベル部３０の表面に形成された絶縁膜１１０等の膜に材料のバラツキが生じたとしても、これらの異種混合膜に対して、表面改質能を安定的に発揮することができるため、ベベル部３０における異物の付着防止性を高められる、と考えられる。

本実施形態のベベル部処理剤組成物は、ベベル部３０の表面における異物の付着を抑制できるため、ベベル部３０の表面における改質工程に好適に用いることができる。本実施形態のベベル部処理剤組成物でベベル部３０を処理することにより、半導体製造プロセスにおいて、ベベル部由来の異物に起因する汚染を抑制できるため、半導体素子の製造安定性や製造歩留まりを向上させることが可能である。また、デバイス特性に優れた半導体素子を実現することができる。

本実施形態のベベル部処理剤組成物の特性を説明する。
上記ベベル部処理剤組成物は、手順（１）〜（４）で測定される表面改質指標Ｙと表面改質指標Ｚとで表される「Ｙ／Ｚ」が下記の式（Ｉ）を満たすという特性を有するものである。
０．５≦Ｙ／Ｚ≦１．０ ・・・（Ｉ）

上記Ｙ／Ｚの下限値は、例えば、０．５０以上、好ましくは０．６０以上、より好ましくは０．７０以上である。これにより、表面改質能を安定的に発揮できる。一方、上記Ｙ／Ｚの上限値は、例えば、１．００以下、好ましくは９．９８以下、より好ましくは９．９５以下である。これにより、異物の付着防止能を高めることができる。

上記ベベル部処理剤組成物は、１５ｍＮ／ｍ≦Ｙ≦２６ｍＮ／ｍを満たすという特性を有することができる。
上記表面改質指標Ｙとしては、例えば、１５ｍＮ／ｍ〜２６ｍＮ／ｍ、好ましくは２０ｍＮ／ｍ〜２５ｍＮ／ｍ、より好ましくは２０ｍＮ／ｍ〜２４ｍＮ／ｍである。表面改質指標Ｙを上記数値範囲内とすることで、ウェハ１００としてシリコンウェハを用いた場合、例えば自然酸化膜が形成されたベベル部表面において、異物の付着防止能を高めることができる。

本実施形態では、たとえばベベル部処理剤組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、ベベル部処理剤組成物の調製方法等を適切に選択することにより、上記Ｙ／ＺおよびＹを制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、原料を混合してベベル部処理剤組成物を調製後に当該組成物を速やかに使用すること、ベベル部処理剤組成物中のシリル化剤の濃度や液温を適切に調整すること等が、上記Ｙ／ＺおよびＹを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。

本実施形態のベベル部処理剤組成物を用いたウェハの製造方法を説明する。
本実施形態のウェハの製造方法は、ウェハの表面改質工程と、ウェハの加工工程と、を含むものである。そして、当該表面改質工程において、本実施形態のベベル部処理剤組成物を用いるものである。

本実施形態のベベル部処理剤組成物は、図１に示すように、ウェハ１００のベベル部３０の表面における異物付着防止能を高めることができる。このようにベベル部３０の表面を改質することで、半導体製造プロセスにおいて、ベベル部３０の異物汚染を抑制できるとともに、ベベル部３０に付着した異物に起因する２次汚染を抑制できる。このため、半導体素子の製造安定性や製造歩留まりを向上させることが可能である。

ウェハ１００として、例えば、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハなどが挙げられる。
ウェハ１００は、半導体素子が形成される素子形成領域１０と、素子形成領域１０の外側に設けられたダイシングのための周辺カット領域２０と、周辺カット領域２０の外側に設けられたベベル部３０と、を有し得る。

ウェハ１００の加工工程としては、素子形成領域１０内に凹凸形状の微細パターンを形成する工程、ウェハ１００をダイシングまたは研削する工程、絶縁膜１１０や金属膜１２０等の各種膜の成膜工程、ウェハ１００の洗浄工程等の各種の半導体素子の形成工程が挙げられる。

上記ウェハ１００の表面改質工程において、本実施形態のベベル部処理剤組成物をベベル部３０に塗布することができれば、塗布方法は特に限定されない。
上記ウェハ１００の表面改質工程は、加工工程の前後、加工工程中の複数の各工程の間に行ってもよい。表面改質工程は、１回または２回以上実施してもよい。この中でも、加工工程中の合間に表面改質工程を行うことで、以後の加工工程において、ベベル部３０の汚染やベベル部３０からの二次汚染を抑制できることが期待される。

次に、本実施形態のベベル部処理剤組成物の成分について説明する。

本実施形態のベベル部処理剤組成物は、シリル化剤を含む。
上記シリル化剤は、公知のシリル化剤を用いることができる。シリル化剤としては、例えば、下記の一般式［１］で表されるケイ素化合物が用いられる。
これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

Ｒ^１ _ａＳｉ（Ｈ）_ｂＸ_{４−ａ−ｂ} ［１］

上記一般式［１］中、Ｒ^１は、それぞれ互いに独立して、一部又はすべての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む有機基であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、Ｓｉ元素に結合する元素が窒素、酸素、炭素、又はハロゲンである１価の有機基であり、ａは１〜３の整数、ｂは０〜２の整数であり、ａとｂの合計は１〜３である。

上記一般式［１］中のＲ^１には、水素、炭素、窒素、酸素、フッ素元素だけでなく、ケイ素、硫黄、（フッ素以外の）ハロゲン元素などが含まれていても良い。
上記一般式［１］中のＲ^１として、それぞれ互いに独立して、Ｃ_ｅＨ_２ｅ＋１（ｅ＝１〜１８）、および、Ｃ_ｆＦ_２ｆ＋１ＣＨ_２ＣＨ_２（ｆ＝１〜８）から選ばれる少なくとも１つの基が挙げられる。この中でも、トリアルキルシリル基を有するケイ素化合物を用いることができる。また、上記Ｒ^１には不飽和結合や芳香環が含まれていてもよい。
なお、上記一般式［１］中のＲ^１がケイ素元素を含む場合は、以下に示す一般式［１−１］の構造をとってもよい。
Ｒ^１ _ｍＸ_{３−ｍ−ｎ}（Ｈ）_ｎＳｉ−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓｉ（Ｈ）_ｎＸ_{３−ｍ−ｎ}Ｒ^１ _ｍ ［１−１］
なお、上記一般式［１−１］において、Ｒ^１（ただしこのＲ^１中にはケイ素元素を含まない）およびＸは、上記一般式［１］と同様であり、ｍは１〜２の整数、ｎは０〜１の整数であり、ｍとｎの合計は１〜２であり、ｐは１〜１８の整数であり、−（ＣＨ_２）_ｐ−で表されるメチレン鎖はハロゲン置換されていてもよい。

上記一般式［１］中のＸにおいて、Ｓｉ元素に結合する元素が窒素、酸素又は炭素の１価の有機基には、水素、炭素、窒素、酸素元素だけでなく、ケイ素、硫黄、ハロゲン元素などが含まれていても良い。
上記Ｓｉ元素と結合する元素が窒素の１価の有機基の例としては、例えば、イソシアネート基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、イソチオシアネート基、アジド基、アセトアミド基、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＦ_３、−Ｎ（ＣＨ_３）Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ_３、−Ｎ（ＣＨ_３）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ_３、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−Ｎ＝Ｃ（ＣＦ_３）ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、−Ｎ（Ｈ）_２−ｇ（Ｓｉ（Ｈ）_ｈＲ^３ _３−ｈ）_ｇ（Ｒ^３は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、ｇは１または２、ｈは０〜２の整数）、−Ｎ（Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^４）_２（ここで、Ｒ^４は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。）、また、下記一般式［１−２］の構造をとる置換基

（上記一般式［１−２］中、Ｒ^５は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基である。）、−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^６ _２）_２、−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^６ _２）Ｒ^６（ここで、Ｒ^６は、それぞれ互いに独立して、水素基、−Ｃ≡Ｎ基、−ＮＯ_２基、及び、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基から選択され、上記炭化水素基は酸素原子及び／又は窒素原子を有していてもよい。）、−Ｎ（Ｒ^ａ１）Ｒ^ａ２（ここで、上記Ｒ^ａ１は水素原子、又は飽和若しくは不飽和アルキル基を示し、Ｒ^ａ２は飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、又は飽和若しくは不飽和ヘテロシクロアルキル基を示す。Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は互いに結合して窒素原子を有する飽和又は不飽和ヘテロシクロアルキル基を形成してもよい。）、−Ｎ（Ｒ^ａ３）−Ｓｉ（Ｒ^ａ４）（Ｒ^ａ５）（Ｒ^ａ６）（ここで、上記Ｒ^ａ３は水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、又はジメチルシリル基を示し、上記Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６はそれぞれ独立に水素原子又は有機基を表し、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６に含まれる炭素原子の合計の個数は１個以上である。）、−Ｎ（Ｒ^ａ７）−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^ａ８（ここで、上記Ｒ^ａ７は、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、またはジメチルシリル基を示し、Ｒ^ａ８は、水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、含フッ素アルキル基、又はトリアルキルシリルアミノ基を示す。）、などがある。

上記一般式［１］中のＸが、Ｓｉ元素に結合する元素が窒素である１価の有機基であるシリル化剤としては、例えば、ＣＨ_３Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、（ＣＨ_３）_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_２、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_２、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、（Ｃ_４Ｈ_９）_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_２、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨ_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）ＮＨ_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_３ＳｉＮＨ_２、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）ＮＨ_２、（Ｃ_３Ｈ_７）_３ＳｉＮＨ_２、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、（Ｃ_４Ｈ_９）_３ＳｉＮＨ_２、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、（ＣＨ_３）_２Ｓｉ（Ｈ）ＮＨ_２、ＣＨ_３Ｓｉ（Ｈ）_２ＮＨ_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（Ｈ）ＮＨ_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（Ｈ）_２ＮＨ_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｈ）ＮＨ_２、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（Ｈ）ＮＨ_２、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（Ｈ）_２ＮＨ_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＮＨ_２）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＮＨ_２）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＮＨ_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｈ）ＮＨ_２、アミノジメチルビニルシラン、アミノジメチルフェニルエチルシラン、アミノジメチルフェニルシラン、アミノジメチル−ｔ−ブチルシラン等のアミノシラン、あるいは、前記アミノシランのアミノ基（−ＮＨ_２基）を、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、ジアルキルアミノ基（−Ｎ（ＣＨ_３）_２、−Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２等）、ｔ−ブチルアミノ基、アリルアミノ基、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、−Ｎ_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＦ_３、−Ｎ（ＣＨ_３）Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ_３、−Ｎ（ＣＨ_３）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ_３、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−Ｎ＝Ｃ（ＣＦ_３）ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−ＯＳｉ（ＣＨ_３）_３、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３（例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）尿素等。）、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、−Ｎ（Ｈ）_２−ｇ（Ｓｉ（Ｈ）_ｈＲ^３ _３−ｈ）_ｇ（Ｒ^３は、一部または全ての水素がフッ素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、ｇは１または２、ｈは０〜２の整数。例えば、トリス（ジメチルシリル）アミン、トリス（トリメチルシリル）アミン等。）、−Ｎ（Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^４）_２（ここで、Ｒ^４は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１
〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。例えば、Ｎ−（トリメチルシリル）ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等）、また、下記一般式［１−２］の構造をとる置換基

（上記一般式［１−２］中、Ｒ^５は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基である。例えば、Ｎ−（トリメチルシリル）Ｎ，Ｎ−ジフルオロメタン−１，３−ビス（スルホニル）イミド等）、−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^６ _２）_２、−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^６ _２）Ｒ^６（ここで、Ｒ^６は、それぞれ互いに独立して、水素基、−Ｃ≡Ｎ基、−ＮＯ_２基、及び、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基から選択され、上記炭化水素基は酸素原子及び／又は窒素原子を有していてもよい。例えば、２−トリメチルシリル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジン等）、−Ｎ（Ｒ^ａ１）Ｒ^ａ２（ここで、上記Ｒ^ａ１は水素原子、又は飽和若しくは不飽和アルキル基を示し、Ｒ^ａ２は飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、又は飽和若しくは不飽和ヘテロシクロアルキル基を示す。Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は互いに結合して窒素原子を有する飽和又は不飽和ヘテロシクロアルキル基を形成してもよい。）、−Ｎ（Ｒ^ａ３）−Ｓｉ（Ｒ^ａ４）（Ｒ^ａ５）（Ｒ^ａ６）（ここで、上記Ｒ^ａ３は水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、又はジメチルシリル基を示し、上記Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６はそれぞれ独立に水素原子又は有機基を表し、Ｒ^ａ４、Ｒ^ａ５及びＲ^ａ６に含まれる炭素原子の合計の個数は１個以上である。例えば、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ−メチルヘキサメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジメチルジシラザン、１，２−ジ−Ｎ−オクチルテトラメチルジシラザン、１，２−ジビニルテトラメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、ペンタメチルエチルジシラザン、ペンタメチルビニルジシラザン、ペンタメチルプロピルジシラザン、ペンタメチルエチルジシラザン、ペンタメチル−ｔ−ブチルジシラザン、ペンタメチルフェニルジシラザン、トリメチルトリエチルジシラザン等。）、−Ｎ（Ｒ^ａ７）−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^ａ８（ここで、上記Ｒ^ａ７は、水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、またはジメチルシリル基を示し、Ｒ^ａ８は、水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、含フッ素アルキル基、又はトリアルキルシリルアミノ基を示す。例えば、Ｎ−トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド等。）に置き換えたものなどが挙げられる。

上記一般式［１］中のＸが、Ｓｉ元素に結合する元素が酸素である１価の有機基であるシリル化剤としては、例えば、上述のアミノシランのアミノ基（−ＮＨ_２基）を、−Ｏ−Ｃ（＝Ａ）Ｒ^ａ９（ここで、上記ＡはＯ、ＣＨＲ^ａ１０、ＣＨＯＲ^ａ１０、ＣＲ^ａ１０Ｒ^ａ１０、又はＮＲ^ａ１１を示し、Ｒ^ａ９、Ｒ^ａ１０はそれぞれ独立に水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、含フッ素アルキル基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシロキシ基、アルコキシ基、フェニル基、フェニルエチル基、又はアセチル基を示し、上記Ｒ^ａ１１は水素原子、アルキル基、又はトリアルキルシリル基を示す。例えば、トリメチルシリルアセテート、ジメチルシリルアセテート、モノメチルシリルアセテート、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、モノメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルプロピオネート、トリメチルシリルブチレート等。）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^ａ１２）＝Ｎ（Ｒ^ａ１３）（ここで、上記Ｒ^ａ１２は、水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、含フッ素アルキル基、又はトリアルキルシリルアミノ基を示し、Ｒ^ａ１３は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を示す。）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^ａ１４）＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^ａ１５（ここで、上記Ｒ^ａ１４及びＲ^ａ１５は、それぞれ独立に水素原子または有機基を示す。例えば、トリメチルシリルオキシ−３−ペンテン−２−オン、２−トリメチルシロキシペンタ−２−エン−４−オン等。）、−ＯＲ^ａ１６（ここで、上記Ｒ^ａ１６は、飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、含フッ素アルキル基、を示す。例えば、ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、（ＣＨ_３）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、（Ｃ_４Ｈ_９）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）ＯＣＨ_３、（Ｃ_２Ｈ_５）_３ＳｉＯＣＨ_３、Ｃ_３Ｈ_７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）ＯＣＨ_３、（Ｃ_３Ｈ_７）_３ＳｉＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｈ_９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、（Ｃ_４Ｈ_９）_３ＳｉＯＣＨ_３、Ｃ_５Ｈ_１１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_６Ｈ_１３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_７Ｈ_１５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_８Ｈ_１７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_９Ｈ_１９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１０Ｈ_２１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１１Ｈ_２３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１２Ｈ_２５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１３Ｈ_２７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１４Ｈ_２９Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１５Ｈ_３１Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１６Ｈ_３３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１７Ｈ_３５Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、（ＣＨ_３）_２Ｓｉ（Ｈ）ＯＣＨ_３、ＣＨ_３Ｓｉ（Ｈ）_２ＯＣＨ_３、（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｓｉ（Ｈ）ＯＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（Ｈ）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｈ）ＯＣＨ_３、（Ｃ_３Ｈ_７）_２Ｓｉ（Ｈ）ＯＣＨ_３等のアルキルメトキシシラン、あるいは、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＯＣＨ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_３Ｆ_７ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_５Ｆ_１１ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_７Ｆ_１５ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、Ｃ_８Ｆ_１７ＣＨ_２ＣＨ_２
Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＣＨ_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｈ）ＯＣＨ_３等のフルオロアルキルメトキシシラン、あるいは、上記メトキシシランのメトキシ基のメチル基部分を、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が２〜１８の１価の炭化水素基に置き換えた化合物等。）に置き換えたものなどが挙げられる。

上記一般式［１］中のＸが、Ｓｉ元素に結合する元素が炭素である１価の有機基であるシリル化剤としては、例えば、上述のアミノシランのアミノ基（−ＮＨ_２基）を、−Ｃ（Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^７）_３（ここで、Ｒ^７は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。例えば、（トリメチルシリル）トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド等）に置き換えたものなどが挙げられる。

また、上記一般式［１］中のＸが、Ｓｉ元素と結合する元素がハロゲンである１価の有機基であるシリル化剤としては、例えば、上述のアミノシランのアミノ基（−ＮＨ_２基）を、クロロ基やブロモ基、ヨード基に置き換えたもの（例えば、クロロトリメチルシラン、ブロモトリメチルシラン等）などが挙げられる。

上記シリル化剤として、環状シラザン化合物を含むことができる。
上記環状シラザン化合物としては、２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタン、２，２，６，６−テトラメチル−２，６−ジシラ−１−アザシクロヘキサン等の環状ジシラザン化合物；２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザン等の環状トリシラザン化合物；２，２，４，４，６，６，８，８−オクタメチルシクロテトラシラザン等の環状テトラシラザン化合物；等が挙げられる。

上記ベベル部処理剤組成物は、上記シリル化剤に加えて、シリル化剤の加速剤（触媒）として、後述の化合物Ａ、酸イミド化物、含窒素化合物、含窒素複素環化合物、およびシリル化複素環化合物からなる群から選択される一種以上を含むことができる。

上記加速剤の濃度は、上記シリル化剤の全体１００質量％に対して、例えば、０．０１〜５０質量％でもよく、０．０５〜２５質量％でもよい。

上記ベベル部処理剤組成物は、加速剤としての化合物Ａをさらに含むことができる。
上記化合物Ａの具体例としては、例えば、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及びデシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートが挙げられ、それらの中から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、上記の化合物Ａは上述のシリル化剤に該当するものもあるが、加速剤として用いる場合は、化合物Ａ以外のその他のシリル化剤と併用することを意味する。

上記加速剤としての化合物Ａは、下記一般式［２］で表されるケイ素化合物と、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸からなる群から選択される一種以上の酢酸またはスルホン酸とを反応させて得られたものであってもよい。
この反応で消費されずに残存した余剰の下記一般式［２］で表されるケイ素化合物は、上記シリル化剤として、反応で得られた化合物Ａとともに使用することができる。下記一般式［２］で表されるケイ素化合物は、上記酢酸またはスルホン酸に対して、例えば、モル比で０．２〜１０００００モル倍、好ましくは０．５〜５００００モル倍、より好ましくは１〜１００００モル倍で反応させてもよい。

Ｒ^２ _ｃ（Ｈ）_ｄＳｉ−Ｘ ［２］

上記一般式［２］中、Ｒ^２ _ｃ（Ｈ）_ｄＳｉ−としては、（ＣＨ_３）_３Ｓｉ−、（ＣＨ_３）_２（Ｈ）Ｓｉ−、（Ｃ_４Ｈ_９）（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−、（Ｃ_６Ｈ_１３）（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−、（Ｃ_８Ｈ_１７）（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−、（Ｃ_１０Ｈ_２１）（ＣＨ_３）_２Ｓｉ−等が挙げられる。また、Ｘは、上記一般式［１］と同様である。

また、上記加速剤としての化合物Ａは、下記一般式［３］で表されるスルホン酸、該スルホン酸の無水物、該スルホン酸の塩、及び下記一般式［４］で表されるスルホン酸誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種でもよい。
Ｒ^８−Ｓ（＝Ｏ）_２ＯＨ ［３］
［上記一般式［３］中、Ｒ^８は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、水酸基からなる群から選ばれる基である。］
Ｒ^８−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｏ−Ｓｉ（Ｈ）_３−ｒ（Ｒ^９）_ｒ ［４］
［上記一般式［４］中、Ｒ^８は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基であり、Ｒ^９は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ｒは、１〜３の整数である。］

また、上記加速剤としての化合物Ａは、下記一般式［５］で表されるスルホン酸エステル、下記一般式［６］及び［７］で表されるスルホンイミド、下記一般式［８］及び［９］で表されるスルホンイミド誘導体、下記一般式［１０］で表されるスルホンメチド、及び下記一般式［１１］で表されるスルホンメチド誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種でもよい。
Ｒ^１０−Ｓ（＝Ｏ）_２ＯＲ^１１ ［５］
［上記一般式［５］中、Ｒ^１０は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^１１は、炭素数が１〜１８の１価のアルキル基である。］
（Ｒ^１２−Ｓ（＝Ｏ）_２）_２ＮＨ ［６］
［上記一般式［６］中、Ｒ^１２は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。］

［上記一般式［７］中、Ｒ^１３は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基である。］
（（Ｒ^１４−Ｓ（＝Ｏ）_２）_２Ｎ）_ｓＳｉ（Ｈ）_ｔ（Ｒ^１５）_{４−ｓ−ｔ} ［８］
［上記一般式［８］中、Ｒ^１４は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^１５は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｓは、１〜３の整数、ｔは０〜２の整数であり、ｓとｔの合計は３以下である。］

［上記一般式［９］中、Ｒ^１６は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基であり、Ｒ^１７は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｕは、１〜３の整数、ｖは０〜２の整数であり、ｕとｖの合計は３以下である。］
（Ｒ^１８−Ｓ（＝Ｏ）_２）_３ＣＨ ［１０］
［上記一般式［１０］中、Ｒ^１８は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。］
（（Ｒ^１９−Ｓ（＝Ｏ）_２）_３Ｃ）_ｗＳｉ（Ｈ）_ｘ（Ｒ^２０）_{４−ｗ−ｘ} ［１１］
［上記一般式［１１］中、Ｒ^１９は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^２０は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｗは、１〜３の整数、ｘは０〜２の整数であり、ｗとｘの合計は３以下である。］

上記ベベル部処理剤組成物は、必要に応じて、カルボン酸イミド化物やリン酸イミド化物等の酸イミド化合物をさらに含むことができる。
上記酸イミド化物としては、例えば、カルボン酸、リン酸等の酸をイミド化した化学構造を有する化合物が挙げられる。

上記ベベル部処理剤組成物は、必要に応じて、下記一般式［１２］及び［１３］で表される化合物のうち少なくとも１種の含窒素化合物をさらに含むことができる。
Ｒ^２１−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^２２ _２）_２ ［１２］
Ｒ^２１−Ｎ＝Ｃ（ＮＲ^２２ _２）Ｒ^２２ ［１３］
［上記一般式［１２］、［１３］中、Ｒ^２１は、水素基、−Ｃ≡Ｎ基、−ＮＯ_２基、アルキルシリル基、及び、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基から選択され、上記炭化水素基は酸素原子及び／又は窒素原子を有していてもよいが、窒素原子を含む場合は、非環状構造を取るものとする。Ｒ^２２は、それぞれ互いに独立して、水素基、−Ｃ≡Ｎ基、−ＮＯ_２基、及び、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基から選択され、上記炭化水素基は酸素原子及び／又は窒素原子を有していてもよいが、窒素原子を含む場合は、非環状構造を取るものとする。］
上記含窒素化合物としては、例えば、グアニジン、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１，３，３−テトラメチルグアニジン、１，３−ジフェニルグアニジン、１，２，３−トリフェニルグアニジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルホルムアミジン、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアミジン等が挙げられる。

上記ベベル部処理剤組成物は、必要に応じて、下記一般式［１４］及び［１５］で表される化合物のうち少なくとも１種の含窒素化合物をさらに含むことができる。

［上記一般式［１４］中、Ｒ^２３及びＲ^２４は、それぞれ独立に、炭素元素及び／又は窒素元素と、水素元素とからなる２価の有機基であり、炭素数と窒素数の合計は１〜９であり、２以上の場合は環を構成しない炭素元素が存在してもよい。］

［上記一般式［１５］中、Ｒ^２５は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアルキル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８のアルキル基を持つトリアルキルシリル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が２〜６のアルケニル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアルコキシ基、アミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアルキル基を持つアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアルキル基を持つジアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアミノアルキル基、ニトロ基、シアノ基、フェニル基、ベンジル基、又は、ハロゲン基であり、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜６のアルキル基、又は、水素基である。］

上記ベベル部処理剤組成物は、必要に応じて、ケイ素原子を含まない含窒素複素環化合物をさらに含むことができる。
上記含窒素複素環化合物は、環中に、酸素原子、硫黄原子等の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでもよく、芳香性を有してもよく、２以上の複数の環が単結合、又は２価以上の多価の連結基により結合した化合物でもよい。
上記含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、テトラジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、メチルイミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、インドール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチアジアゾール、サッカリン、ピロリジン、及びピペリジン等が挙げられる。
上記含窒素複素環化合物は、置換基を有していてもよい。

上記ベベル部処理剤組成物は、必要に応じて、シリル化複素環化合物をさらに含むことができる。
上記シリル化複素環化合物は、シリル化イミダゾール化合物、シリル化トリアゾール化合物が挙げられる。シリル化複素環化合物の一例としては、モノメチルシリルイミダゾール、ジメチルシリルイミダゾール、トリメチルシリルイミダゾール、モノメチルシリルトリアゾール、ジメチルシリルトリアゾール、トリメチルシリルトリアゾール等が挙げられる。
なお、上記のシリル化複素環化合物は上述のシリル化剤に該当するものもあるが、加速剤として用いる場合は、シリル化複素環化合物以外のその他のシリル化剤と併用することを意味する。

上記ベベル部処理剤組成物は、溶媒を含むことができる。
上記溶媒は、上記シリル化剤を溶解するものであれば特に限定されない。溶媒としては、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、カーボネート系溶媒、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒、シリコーン溶媒、チオール類などの有機溶媒が用いられる。この中でも、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ハロゲン元素含有溶媒、スルホキシド系溶媒、多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないものが好ましい。
これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記炭化水素類の例としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、ｎ−テトラデカン、ｎ−ヘキサデカン、ｎ−オクタデカン、ｎ−アイコサン、並びにそれらの炭素数に対応する分岐状の炭化水素（例えば、イソドデカン、イソセタンなど）、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリン、ベンゼン、トルエン、キシレン、（オルト−、メタ−、又はパラ−）ジエチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、ナフタレンなどがある。

また上記炭化水素類として、シリル化剤の保管性の観点から、直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、テルペン系溶媒等の炭化水素系非極性溶媒を用いてもよい。その中でも、炭素数６〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶媒、又はテルペン系溶媒が好ましい。テルペン系溶媒の例としては、ｐ−メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナンなどがある。

上記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｉ−ペンチル、酢酸ｎ−ヘキシル、酢酸ｎ−ヘプチル、酢酸ｎ−オクチル、ぎ酸ｎ−ペンチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブチル、ｎ−オクタン酸メチル、デカン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸ｎ−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸エチル、アジピン酸ジメチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチルなどがある。

また上記エステル類として、ラクトン化合物などの環状エステル類を用いてもよい。ラクトン化合物の例としては、β−プロピオラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−ヘキサノラクトン、γ−ヘプタノラクトン、γ−オクタノラクトン、γ−ノナノラクトン、γ−デカノラクトン、γ−ウンデカノラクトン、γ−ドデカノラクトン、δ−バレロラクトン、δ−ヘキサノラクトン、δ−オクタノラクトン、δ−ノナノラクトン、δ−デカノラクトン、δ−ウンデカノラクトン、δ−ドデカノラクトン、ε−ヘキサノラクトンなどがある。

上記エーテル類の例としては、ジ−ｎ−プロピルエーテル、エチル−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、エチル−ｎ−アミルエーテル、ジ−ｎ−アミルエーテル、エチル−ｎ−ヘキシルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジ−ｎ−オクチルエーテル、並びにそれらの炭素数に対応するジイソプロピルエーテル、ジイソアミルエーテルなどの分岐状の炭化水素基を有するエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、ジフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがある。
上記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロヘキサンノン、イソホロンなどがある。
上記ハロゲン元素含有溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロプロピルエーテル、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロヘキシルエーテル、エチルパーフルオロヘキシルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがある。
上記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがある。
上記カーボネート系溶媒の例としては、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどがある。
上記多価アルコールの誘導体でＯＨ基を持たないものの例としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネートなどがある。
上記窒素元素含有溶媒の例としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
シリコーン溶媒の例としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサンなどがある。
上記チオール類の例としては、１−ヘキサンチオール、２−メチル−１−ペンタンチオール、３−メチル−１−ペンタンチオール、４−メチル−１−ペンタンチオール、２，２−ジメチル−１−ブタンチオール、３，３−ジメチル−１−ブタンチオール、２−エチル−１−ブタンチオール、１−ヘプタンチオール、ベンジルチオール、１−オクタンチオール、２−エチル−１−ヘキサンチオール、１−ノナンチオール、１−デカンチオール、１−ウンデカンチオール、１−ドデカンチオール、１−トリデカンチオールなどがある。

コストや溶解性の観点から、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。

上記ベベル部処理剤組成物は、シリル化剤が溶媒で希釈されたものであってもよい。
上記ベベル部処理剤組成物中において、上記シリル化剤の濃度、または上記シリル化剤および上記加速剤の合計濃度は、上記溶媒１００質量％に対して、例えば、０．０１質量％〜１００質量％でもよく、好ましくは０．１質量％〜５０質量％でもよく、より好ましくは１質量％〜３０質量％でもよい。

上記ベベル部処理剤組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、上述した成分以外の他の成分を含むことができる。この他の成分としては、例えば、過酸化水素、オゾンなどの酸化剤、界面活性剤等が挙げられる。

本実施形態のベベル部処理剤組成物は、上述の各成分を混合することで得られる。得られた混合液は、必要に応じて、吸着剤やフィルターなどを用いて、精製されてもよい。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

＜処理剤組成物の調製＞
（試験例１）
（Ｈ_３Ｃ）_３Ｓｉ−Ｎ（ＣＨ_３）_２ １０ｇとＣＦ_３Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ １ｇとをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ） ９８９ｇに、液温２５℃で、１分混合し、（Ｈ_３Ｃ）_３Ｓｉ−Ｎ（ＣＨ_３）_２とＣＦ_３Ｃ（＝Ｏ）ＯＨとを反応させて、化合物ＡとしてＣＦ_３Ｃ（＝Ｏ）ＯＳｉ（Ｈ_３Ｃ）_３、ケイ素化合物として（Ｈ_３Ｃ）_３Ｓｉ−Ｎ（ＣＨ_３）_２を含む処理剤組成物Ａを調製した。調製後３０分以内の処理剤組成物Ａを使用した。以降、「調製後３０分以内」を「調製直後」と表記する。

（試験例２）
ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）をＰＧＭＥＡに、液温２５℃で、１分混合し、ＨＭＤＳ濃度が５質量％の混合溶液を調製した。調製直後の混合溶液をベベル部処理剤組成物Ｂとして使用した。

（試験例３）
ＨＭＤＳをＰＧＭＥＡに、液温２５℃で、１分混合し、ＨＭＤＳ濃度が３質量％の混合溶液を調製した。調製直後の混合溶液をベベル部処理剤組成物Ｃとして使用した。

（試験例４）
試験例１と同様にして、化合物ＡとしてＣＦ_３Ｃ（＝Ｏ）ＯＳｉ（Ｈ_３Ｃ）_３、ケイ素化合物として（Ｈ_３Ｃ）_３Ｓｉ−Ｎ（ＣＨ_３）_２を含むベベル部処理剤組成物Ａを調製した。得られた処理剤組成物Ａを、２５℃、２週間、ＨＤＰＥ容器内で保管したものを処理剤組成物Ｄとして使用した。

（表面改質指標の測定）
試験例１〜４で得られた処理剤組成物Ａ〜Ｄにおいて、以下の手順（１）〜（４）に基づいて、シリコン酸化膜の臨界表面張力を表す「表面改質指標Ｙ」、およびシリコン窒化膜の臨界表面張力を表す「表面改質指標Ｚ」を測定した。測定結果を表１に示す。

（手順）
（１）表面に厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜、熱酸化膜）を有する基板を、得られた処理剤組成物により処理した。処理条件は、基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、２−プロパノール（ｉＰＡ）に１分浸漬し、次いで、得られた処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、基板の表面のｉＰＡを除去した。
（２）（１）処理後のシリコン酸化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体（水とｉＰＡとの混合比率が、質量比で１００：０、９９：１、９５：５、８７：１３、８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、５：９５、３：９７、０：１００である溶液から選んだ２種以上の測定用液体）を用い、Ｚｉｓｍａｎプロット法により求めた。得られたシリコン酸化膜の臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｙ」とした。
（３）表面に厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜、ＬＰ−ＣＶＤ膜）を有する基板を、得られた処理剤組成物により処理した。処理条件は、基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、ｉＰＡに１分浸漬し、次いで、得られた処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、基板の表面のｉＰＡを除去した。
（４）（３）処理後のシリコン窒化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体（水とｉＰＡとの混合比率が、質量比で１００：０、９９：１、９５：５、８７：１３、８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、５：９５、３：９７、０：１００である溶液から選んだ２種以上の測定用液体）を用い、Ｚｉｓｍａｎプロット法により求めた。得られたシリコン窒化膜の臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｚ」とした。

各試験例１〜４で使用した測定用液体における水とｉＰＡとの混合比率は、以下の通りであった。
〈試験例１〉
・表面改質指標Ｙ（８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、５：９５）
・表面改質指標Ｚ（８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０）
〈試験例２〉：
・表面改質指標Ｙ（８０：２０、６６：３４、６０：４０）
・表面改質指標Ｚ（８７：１３、８０：２０）
〈試験例３〉
・表面改質指標Ｙ（９９：１、９５：５）
・表面改質指標Ｚ（８７：１３、８０：２０）
〈試験例４〉
・表面改質指標Ｙ（１００：０、９９：１、９５：５、８７：１３、８０：２０、６６：３４、６０：４０、５０：５０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、５：９５、３：９７、０：１００）
・表面改質指標Ｚ（８７：１３、８０：２０）

上記のＺｉｓｍａｎプロット法に基づく基板の臨界表面張力の算出方法は、次の通りである。図２は、Ｚｉｓｍａｎプロット法の概要を説明するための図である。
例えば、表面張力が異なる複数の測定用液体１〜３を用いた場合、それぞれの基板表面に対する接触角（°）を測定し、各液体の接触角の余弦（ＣＯＳ）を各液体の表面張力に対してプロットすることで、図２に示す直線が得られる。次いで、この直線上で余弦が１．０（完全に濡れた状態）となるときの表面張力を、測定対象の基板表面の臨界表面張力（ｍＮ／ｍ）として求める。
２種あるいは４種以上の測定用液体を用いた場合も、上記の３種を用いた場合と同様にして、臨界表面張力を測定できる。
本実施例では、基板として、上記（１）処理後のシリコン酸化膜を有する基板、（３）処理後のシリコン窒化膜を有する基板、上記の測定用液体を用い、接触角の環境温度、測定用液体の液温は、２５℃とした。

ただし、全ての測定用液体の液滴が濡れ拡がってしまい臨界表面張力が測定できない場合、臨界表面張力は水の表面張力と同じ７２．０［ｍＮ／ｍ］とした。この場合の臨界表面張力を、表１中で「※」と表記した。

得られた「表面改質指標Ｚ」に対する「表面改質指標Ｙ」の比を示す「Ｙ／Ｚ」の測定結果を踏まえ、試験例１、２の処理剤組成物Ａ、Ｂを実施例１、２とし、試験例３、４の処理剤組成物Ｃ、Ｄを比較例１、２として用いた。

得られた各実施例・比較例の処理剤組成物について、以下の評価項目に基づいて評価を実施した。評価結果を表１に示す。

（異物付着性の評価）
（１）表面に厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を有する基板Ａ、及び表面に厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を有する基板Ｂを準備した。
（２）上記（１）の基板Ａ及び基板Ｂを、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分浸漬し、洗浄を行った。
（３）上記（２）で洗浄した基板Ａ及び基板Ｂの表面上に、アルミナ粒子の水分散液を塗布し、次いで、基板Ａ及び基板ＢをｉＰＡに１分浸漬した。
（４）上記（３）で得られた基板Ａ及び基板Ｂを、試験例１〜４で得られた各処理剤組成物中に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬した。
（５）上記（４）の後、基板Ａ及び基板ＢをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、基板の表面のｉＰＡを除去した。
上記（１）〜（５）で得られた基板Ａ及び基板Ｂの表面について、ＳＥＭを用いて観察を行い、得られたＳＥＭ画像に基づいて、アルミナ粒子の残存量を評価した。
実施例１、２、及び比較例１、２の基板ＡにおけるＳＥＭ画像は、それぞれ図３〜６であり、実施例１、２、及び比較例１、２の基板ＢにおけるＳＥＭ画像は、それぞれ図７〜１０である。図３〜１０中の白色部分が、基板表面に残存したアルミナ粒子を示す。

得られたＳＥＭ画像の結果、基板Ａ、基板Ｂの各々において、実施例１、２の処理剤組成物を使用した場合、比較例１、２と比べて、残存するアルミナ量が低減することが示された。
表１中、比較例２のアルミナ量の残存量を基準「−」とし、基準よりも低減された場合を「○」、基準以上または基準と同程度であった場合を「×」と表した。
なお、実施例１、２の処理剤組成物を使用した場合、基板Ａ、基板Ｂにおいて、アルミナ粒子の凝集物の付着も殆ど見られなかった。

以上より、実施例１〜２の処理剤組成物は、比較例１〜２と比べて、金属粒子などのパーティクルの付着防止性に優れることが判明した。このような実施例１〜２の処理剤組成物は、半導体ウェハのベベル部を処理するためベベル部処理剤組成物として好適に用いられることが期待される。

この出願は、２０１８年１１月２２日に出願された日本出願特願２０１８−２１８９４２号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (7)

1. ウェハのベベル部を処理するために用いる、シリル化剤を含有するベベル部処理剤組成物であって、
   下記の手順（１）〜（４）で測定される表面改質指標Ｙと表面改質指標Ｚとが、
   ０．５≦Ｙ／Ｚ≦１．０
   を満たす、ベベル部処理剤組成物。
   （手順）
   （１）表面に厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、２−プロパノール（ｉＰＡ）に１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
   （２）（１）処理後のシリコン酸化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｙ」とする。
   （３）表面に厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を有する基板を当該ベベル部処理剤組成物により処理する。処理条件は、前記基板を、室温で１質量％のフッ酸水溶液に１０分浸漬し、次いで、純水に１分、ｉＰＡに１分浸漬し、次いで、当該ベベル部処理剤組成物に２５℃で１分浸漬し、次いで、ｉＰＡに１分浸漬し、最後に、前記基板をｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、前記基板の表面のｉＰＡを除去する。
   （４）（３）処理後のシリコン窒化膜の臨界表面張力を、水とｉＰＡとの混合比率が異なる複数の測定用液体を用いＺｉｓｍａｎプロット法により求める。得られた臨界表面張力の値（ｍＮ／ｍ）を「表面改質指標Ｚ」とする。
2. 請求項１に記載のベベル部処理剤組成物であって、
   前記表面改質指標Ｙが、
   １５ｍＮ／ｍ≦Ｙ≦２６ｍＮ／ｍ
   を満たす、ベベル部処理剤組成物。
3. 請求項１または２に記載のベベル部処理剤組成物であって、
   前記シリル化剤が、下記の一般式［１］で表されるケイ素化合物を含む、ベベル部処理剤組成物。
   Ｒ^１ _ａＳｉ（Ｈ）_ｂＸ_{４−ａ−ｂ} ［１］
   （上記一般式［１］中、Ｒ^１は、それぞれ互いに独立して、一部又はすべての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む有機基であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、Ｓｉ元素に結合する元素が窒素、酸素、炭素、又はハロゲンである１価の有機基であり、ａは１〜３の整数、ｂは０〜２の整数であり、ａとｂの合計は１〜３である。）
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のベベル部処理剤組成物であって、
   前記シリル化剤が、トリアルキルシリル基を有するケイ素化合物を含む、ベベル部処理剤組成物。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のベベル部処理剤組成物であって、
   有機溶媒を含む、ベベル部処理剤組成物。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のベベル部処理剤組成物であって、
   前記ケイ素化合物の加速剤を含み、
   前記加速剤が、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、下記一般式［３］で表されるスルホン酸、該スルホン酸の無水物、該スルホン酸の塩、下記一般式［４］で表されるスルホン酸誘導体、下記一般式［５］で表されるスルホン酸エステル、下記一般式［６］及び［７］で表されるスルホンイミド、下記一般式［８］及び［９］で表されるスルホンイミド誘導体、下記一般式［１０］で表されるスルホンメチド、下記一般式［１１］で表されるスルホンメチド誘導体、酸イミド化物、含窒素化合物、含窒素複素環化合物、およびシリル化複素環化合物からなる群から選択される一種以上を含む、ベベル部処理剤組成物。
   Ｒ^８−Ｓ（＝Ｏ）_２ＯＨ ［３］
   ［上記一般式［３］中、Ｒ^８は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、水酸基からなる群から選ばれる基である。］
   Ｒ^８−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｏ−Ｓｉ（Ｈ）_３−ｒ（Ｒ^９）_ｒ ［４］
   ［上記一般式［４］中、Ｒ^８は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基であり、Ｒ^９は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ｒは、１〜３の整数である。］
   Ｒ^１０−Ｓ（＝Ｏ）_２ＯＲ^１１ ［５］
   ［上記一般式［５］中、Ｒ^１０は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^１１は、炭素数が１〜１８の１価のアルキル基である。］
   （Ｒ^１２−Ｓ（＝Ｏ）_２）_２ＮＨ ［６］
   ［上記一般式［６］中、Ｒ^１２は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。］
   

   

   ［上記一般式［７］中、Ｒ^１３は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基である。］
   （（Ｒ^１４−Ｓ（＝Ｏ）_２）_２Ｎ）_ｓＳｉ（Ｈ）_ｔ（Ｒ^１５）_{４−ｓ−ｔ} ［８］
   ［上記一般式［８］中、Ｒ^１４は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^１５は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｓは、１〜３の整数、ｔは０〜２の整数であり、ｓとｔの合計は３以下である。］
   

   

   ［上記一般式［９］中、Ｒ^１６は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の２価の炭化水素基であり、Ｒ^１７は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｕは、１〜３の整数、ｖは０〜２の整数であり、ｕとｖの合計は３以下である。］
   （Ｒ^１８−Ｓ（＝Ｏ）_２）_３ＣＨ ［１０］
   ［上記一般式［１０］中、Ｒ^１８は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基である。］
   （（Ｒ^１９−Ｓ（＝Ｏ）_２）_３Ｃ）_ｗＳｉ（Ｈ）_ｘ（Ｒ^２０）_{４−ｗ−ｘ} ［１１］
   ［上記一般式［１１］中、Ｒ^１９は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜８の１価の炭化水素基、及び、フッ素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ^２０は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基であり、ｗは、１〜３の整数、ｘは０〜２の整数であり、ｗとｘの合計は３以下である。］
7. ウェハの表面改質工程と、
   ウェハの加工工程と、を含む、ウェハの製造方法であって、
   前記表面改質工程において、請求項１〜６のいずれか一項に記載のベベル部処理剤組成物を用いる、ウェハの製造方法。

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