JPH10192769A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理基板の張り出し部分の撓みを規制して
被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の塗布を可能
とすること。 【解決手段】 内容器１５の傾斜面１５ｂには、複数本
の支持ピン１７が立設されている。支持ピン１７の頂部
は、基板Ｇを吸着する吸着面であるスピンチャック１の
上端面と同一の水平面内に位置していて、スピンチャッ
ク１に保持された基板Ｇの張り出し部分を支持して基板
Ｇの表面を水平に維持できるようになっている。この
後、スピンチャック１を上昇させて基板Ｇを支持ピン１
７から離間し、次いでスピンチャック１を回転させて現
像液を拡散・乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ（液
晶表示ディスプレイ）基板や半導体ウエハ等の被処理基
板の表面に現像液等の処理液を塗布する処理装置および
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、被処理基板であるＬＣ
Ｄ基板（ガラス基板）上に例えばＩＴＯ（Indium Tin
Oxide ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半
導体製造工程において用いられるものと同様なフォトリ
ソグラフイ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォ
トレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が
施される。

【０００３】このような処理においては例えば矩形状の
ＬＣＤ基板を、高速回転可能に形成されたスピンチャッ
ク上に保持させ、これを高速回転させながらフォトレジ
ストを塗布した後、露光装置にてパターンを露光し転写
する。その後、露光されたＬＣＤ基板と処理液例えば現
像液を供給する現像液供給ノズルとを対向転置して相対
移動させることによりＬＣＤ基板上に現像液を膜状に液
盛り状態とし、現像を所定時間実施する。そして、スピ
ンチャックを高速回転させながら脱イオン水又は純水等
の後処理液を供給して現像液を流し、現像を停止させ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の処理工程では、被処理基板が大型になるほど、
図９に示すようにスピンチャック１から張り出す被処理
基板Ｇの張り出し量も大きくなり、張り出し部分が撓ん
で処理液が撓みの大きい周縁部に流れて被処理基板の表
面に処理液を均一に塗布することができなくなる、とい
う問題がある。

【０００５】この場合、スピンチャックを大型化すれば
前記張り出し量も小さくすることができるが、スピンチ
ャックは大型化するほど製造コストが高く、特にエア吸
引形のスピンチャックにおいてはエアの吸引量が増えて
被処理基板に塵埃が付着する可能性も高くなるという問
題がある。

【０００６】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、スピンチャッ
クを大型化することなく被処理基板の表面を水平に維持
して均一な処理液の塗布を可能にする処理装置および処
理方法を提供することにある。 また、本発明の別の目
的は、被処理基板を回転させて処理液を振り切り乾燥す
る際にも、被処理基板の裏面に処理液が付着することの
ない被処理基板の処理装置および処理方法を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の処理装置は、被処理基板を回転可能に保
持する保持手段と、前記保持手段から張り出す前記被処
理基板の張り出し部分を支持して前記被処理基板の表面
を水平に維持する支持手段と、前記保持手段により保持
され、かつ前記支持手段により支持された被処理基板の
表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記保持手
段により保持された被処理基板を前記支持手段に対して
相対的に昇降させる昇降手段と、前記支持手段から相対
的に上昇された前記被処理基板を回転させる回転手段と
を具備する（請求項１）。

【０００８】また、前記支持手段の支持部先端に洗浄液
を流出する洗浄液流出部を設けたことを特徴とする（請
求項２）。

【０００９】また、前記支持手段の支持部先端に向けて
乾燥用の気体を吹き付ける乾燥手段を設けたことを特徴
とする（請求項３）。

【００１０】また、前記被処理基板の表面に後処理液を
供給すると同時に、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供
給する手段を設けたことを特徴とする（請求項４）。

【００１１】また、本発明の処理方法は、（ａ）被処理
基板を保持手段により保持すると共に、前記保持手段か
ら張り出す前記被処理基板の張り出し部分を支持手段に
より支持して前記被処理基板の表面を水平に維持した状
態で、前記被処理基板の表面に処理液を塗布する工程
と、（ｂ）前記保持手段により保持された被処理基板を
前記支持手段に対して相対的に上昇させる工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記保持部材を回転させ
て前記被処理基板を振り切り乾燥する工程とを具備する
（請求項５）。

【００１２】また、前記（ｃ）工程の後に、前記被処理
基板の表面に後処理液を供給すると共に、前記被処理基
板の裏面に洗浄液を供給する工程をさらに具備すること
を特徴とする（請求項６）。

【００１３】また、前記（ｃ）工程の最中に、前記支持
手段の支持先端部より洗浄液を流出することを特徴とす
る（請求項７）。

【００１４】また、前記支持手段の支持先端部より洗浄
液を流出した後に、前記支持先端部に乾燥用の気体を吹
き付けることを特徴とする（請求項８）。

【００１５】本発明によれば、保持手段から張り出す基
板の張り出し部分を支持手段で支持するようにしたの
で、被処理基板が大型になって保持手段からの張り出し
量が大きくなっても、被処理基板の表面を水平に維持し
て処理液を均一に塗布することができる。

【００１６】また、処理液の回転振り切り時に支持手段
の支持先端部を洗浄液の流出によって洗浄することによ
り、支持手段に処理液が付着することがなく、次に処理
される被処理基板の裏面に処理液を付着させることもな
い。

【００１７】さらに、乾燥手段を設けたものは、速やか
に支持手段を乾燥させて洗浄液が次に処理される被処理
基板に付着することを防止する。

【００１８】また、処理液の振り切り乾燥後に前記被処
理基板の表面に後処理液を供給すると同時に、前記被処
理基板の裏面を洗浄液で洗浄するようにしたものは、被
処理基板の裏面に処理液が付着することを防止できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の好適な一実施形態を図面
に従って説明する。なお、以下の説明では、被処理基板
として矩形状のＬＣＤ基板を例に挙げ、このＬＣＤ基板
に露光パターンを形成するための塗布・現像システムを
例に挙げて説明するが、被処理基板であれば前記のＬＣ
Ｄ基板に限らず半導体ウェハ等の他の被処理基板にも適
用が可能で、かつ、前記のような処理装置、方法に限ら
ずあらゆる処理装置、処理方法にも適用が可能である。

【００２０】最初に、本発明の処理装置が適用される塗
布・現像システムの全体構成について説明する。

【００２１】図１は本発明の処理装置が適用されるＬＣ
Ｄ基板（以下、基板と記載）の塗布・現像システムの全
体構成図である。この塗布・現像システムは、基板Ｇに
前処理を施して隣接する露光装置８９に受渡し、露光装
置８９で所定のパターンが露光された基板Ｇを受け取っ
て現像，洗浄をするものである。

【００２２】この塗布・現像システムの構成を更に詳細
に説明する。

【００２３】塗布・現像システムは、一方側（図面の左
側）に設けられた基板Ｇを搬入・搬出するローダ部Ａ
と、この基板Ｇにブラシ洗浄，ジェット水洗浄，アドヒ
ージョン処理，冷却処理，フォトレジスト処理，レジス
ト除去処理等の処理を施す第１処理部Ｂと、中継部Ｃを
介して第１処理部Ｂに連設されるとともに受渡し部Ｅを
介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光するため
の露光装置８９に連設可能で、基板Ｇの加熱処理，現像
・洗浄処理等の処理を行う第２処理部Ｄとで主に構成さ
れている。

【００２４】第１処理部Ｂおよび第２処理部Ｄには、各
処理装置８１〜８８との間で基板Ｇの授受を行う搬送ア
ーム機構７４ａ，７４ｂが設けられている。この搬送ア
ーム機構７４ａ，７４ｂは、搬送路７５ａ，７５ｂに沿
った水平方向（Ｘ，Ｙ方向）および垂直方向（Ｚ方向）
に移動自在で、かつ、垂直軸（Ｚ軸）を中心に回転自在
なアームを有している。

【００２５】上記ロータ部Ａは、未処理の基板Ｇを収納
等するカセットＣ１と、処理済みの基板Ｇを収容するカ
セットＣ２を載置するカセット載置台７１と、このカセ
ット載置台７１上のカセットＣ１，Ｃ２との問で基板Ｇ
の搬出入を行うべく水平（Ｘ，Ｙ）方向と垂直（Ｚ）方
向に移動自在で、かつ、垂直軸（Ｚ軸）を中心に角度θ
だけ回転して第１処理部Ｂの搬送アーム機構７４との間
で基板Ｇの授受が可能な基板搬出入ピンセット機構７２
とで構成されている。

【００２６】上記第１処理部Ｂは、基板Ｇをブラシ洗浄
するブラシ洗浄装置８１と、基板Ｇを高圧ジェット水で
洗浄するジェット水流洗浄装置８２と、基板Ｇの表面を
疎水化処理するアドヒージョン処理装置８３と、このア
ドヒージョン処理装置８３の下に基板Ｇを所定温度に冷
却する冷却処理装置８４と、基板Ｇの表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布装置８５と、基板Ｇの端部のレ
ジストを除去するレジスト除去装置８６とから構成され
ている。

【００２７】上記したブラシ洗浄装置８１と、基板Ｇを
高圧ジェット水で洗浄するジェット水流洗浄装置８２
と、アドヒージョン処理装置８３と、冷却処理装置８４
とは搬送路７５ａの一方の側に設けられ、レジスト塗布
装置８５と、レジスト除去装置８６とは搬送路７５ａの
他方の側に設けられている。

【００２８】上記第２処理部Ｄは、レジスト液塗布の後
で基板Ｇを加熱してプリベーク又はポストベークを行う
加熱処理装置８７と、本発明の処理装置である現像装置
８８とから構成されている。加熱処理装置８７は搬送路
７５ｂの一方の側に配置され、現像装置８８は搬送路７
５ｂの他方の側に配置されている。

【００２９】上記のように構成される塗布・現像システ
ムでは、カセットＣ１内に収容された未処理の基板Ｇは
ロータ部Ａの搬出入ピンセット機構７２によって取出さ
れた後、第１処理部Ｂの搬送アーム機構７４ａに受け渡
され、ブラシ洗浄装置８１内に搬送される。このブラシ
洗浄装置８１内にてブラシ洗浄された基板Ｇは引き続い
て乾燥される。なお、プロセスに応じてジェット水洗浄
装置８２内にて高圧ジェット水により洗浄させるように
してもよい。この後、基板Ｇは、アドヒージョン処理装
置８３にて疎水化処理が施され、冷却処理装置８４にて
冷却された後、レジスト塗布装置８５にてフォトレジス
トすなわち感光膜が塗布形成される。レジスト除去装置
８６では、基板Ｇの端部のレジストが除去される。

【００３０】フォトレジストが塗布形成された基板Ｇ
は、中継部Ｃを介して第２処理部Ｄの搬送アーム機構７
４ｂに受け渡される。第２処理部Ｄでは、基板Ｇは加熱
処理装置８７にて加熱されてベーキング処理が施され
る。この後、基板Ｇは受渡し部Ｅを介して露光装置８９
に受け渡され、この露光装置８９にて所定のパターンが
露光される。そして、露光後の基板Ｇは本発明に係る現
像装置８８内へ搬送され、ここで現像液を塗布されて現
像された後に洗浄液により現像液が洗い流され、現像処
理を完了する。現像処理された処理済みの基板Ｇはロー
タ部ＡのカセットＣ２に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。

【００３１】次に、本発明を適用した上記現像装置８８
について説明する。図２はこの現像装置８８の断面図で
ある。

【００３２】この現像装置８８は、方形状の基板Ｇを図
示しない真空装置によって吸着保持するとともに中空状
の軸３を中心に水平面内で回転可能とする保持手段例え
ばスピンチャック１と、このスピンチャック１を昇降さ
せる昇降手段例えば昇降シリンダ４と、スピンチャック
１を水平面内で回転させる回転手段例えば駆動モータ２
と、スピンチャック１を取囲むように配置される処理容
器１０と、基板Ｇ上に処理液としての現像液を供給する
現像液供給ノズル２０と、基板Ｇ上に脱イオン水又は純
水等の後処理液を供給する後処理供給ノズル３０とを備
えている。

【００３３】スピンチャック１の表面は、真空吸着によ
り例えば最大５００×４００ｍｍの矩形状の基板Ｇを保
持し得るように構成されている。なお、最近では、６５
０×８３０ｍｍの矩形状の基板Ｇも保持可能なスピンチ
ャック１も開発されており、さらにはこのスピンチャッ
ク１では、７３０×８６０ｍｍの矩形状の基板Ｇも保持
可能である。

【００３４】また、スピンチャック１は回転軸３に設け
られた通路４６及びこの通路４６に接続された排気管４
７を介して図示しない真空ポンプに接続されて、真空ポ
ンプの駆動により真空引きされてスピンチャック１上に
基板Ｇを真空吸着によって保持することができるように
構成されている。

【００３５】スピンチャック１を回転自在に取り付ける
回転軸３にはスプライン軸受７が外嵌されている。この
スプライン軸受７には従動プーリ４１が装着され、この
従動プーリ４１と回転手段である駆動モータ２の回転軸
２ａに取り付けられたプーリ４２との間にはベルト４３
が掛け渡されている。従って、駆動モータ２が駆動する
と、駆動モータ２の回転軸２ａの回転は、プーリ４２，
ベルト４３および従動プーリ４１を介してスプライン軸
受７に伝達され、回転軸３を回転させる。

【００３６】前記したスプライン軸受７は、処理室１０
内に配置された固定カラー５の内周面に、ベアリング５
ａ及びラビリンスシール５ｂを介して回転可能に装着さ
れる回転内筒６の内周面に嵌着されている。

【００３７】また、回転軸３の下端部は処理容器１０の
下部側に位置し、前記下端部に対向して昇降手段である
昇降シリンダ４が配置されている。昇降シリンダ４はベ
ース１１に固定された昇降駆動室４９に取り付けられ、
昇降シリンダ４の昇降自在なピストンロッド４８には、
回転軸３の下端部に連結された可動カラー８が取り付け
られている。この可動カラー８のフランジ部８ａにはス
ライドシャフト４４，４４が取り付けられ、このスライ
ドシャフト４４，４４が昇降駆動室４９に取り付けられ
たガイド部４５，４５を挿通することにより、可動カラ
ー８は鉛直上下方向にスムースに昇降することができる
ようになっている。

【００３８】処理容器１０は、ベース部１１に設けられ
た排気口１２に連通する排気通路１２ａと、ベース部１
１に設置された固定カラー５の取付穴１３ｂを有する下
部容器１３と、この下部容器１３の外周に位置し、底面
が傾斜する周溝１４ａを有する容器基部１４と、容器基
部１４の周溝１４ａ内に垂下する垂下片１５ａの上端か
らスピンチャック１に保持される基板Ｇの裏面側に向か
って上向きに傾斜する傾斜面１５ｂを有する内容器１５
と、この内容器１５の外周側に位置し、図示しない昇降
手投によって容器基部１４の周溝１４ａ内に出没可能に
突出する筒状の第１の外容器１６ａと、この第１の外容
器１６ａの上昇に伴って内容器１５の外側上方に突出す
る筒状の第２の外容器１６ｂとで構成されている。

【００３９】この場合、上記排気口１２及び排気通路１
３ａは図面上では１箇所設けられているが、例えば同心
上に２箇所設けられており、この排気口１２に図示しな
い排気装置を介設する排気管１２ａが接続されている．
また、上記容器基部１４の周溝１４ａにおける最下部側
の底部に、排液管１４ｃを接続する排液口１４ｂが設け
られている。なお、基板Ｇの大きさによっては、排気管
１２ａ、排気通路１３ａの数を４か所、６か所とさらに
増やしても構わない。

【００４０】なお、処理室１０内に搬入される基板Ｇの
表面に現像液を塗布する場合、現像液が飛散して基板Ｇ
上に再付着するのを防止するために排気側及び排液側を
吸引する必要があるが、この際、基板Ｇの周囲に乱流が
生じないように考慮する必要がある。そのため、この実
施形態では、基板Ｇの表面と第２の外容器１６ｂの開口
端との寸法Ａを１０〜２０mm、基抜Ｇの長片側周辺と第
２の外容器１６ｂの側璧１６ｃとの寸法Ｂを１５〜７５
mm、基板Ｇの裏面と内容器１５の傾斜面１５ｂの頂面と
の寸法Ｃを１０〜２５mmとしている。なお、上記寸法
は、基板Ｇの大きさ等によって、例えば寸法Ａを１００
〜２５０mmとするように所定の寸法とすることができ
る。

【００４１】上記のように構成される処理容器１０内に
基板Ｇを搬入するには、まず、図１の外容器１６ａと第
２の外容器１６ｂを下降させた状態でスピンチャック１
を上昇させる。次に、図示しない搬送アームによって搬
送された基板Ｇをスピンチャック１上に吸着保持させた
後、スピンチャック１を下降させて基板Ｇを処理室１０
内に搬入することができる。そして、第１及び第２の外
容器１６ａ，１６ｂを上昇させた状態で、基板Ｇの現像
処理を施すことができる。

【００４２】現像液供給ノズル２０は、図３に示すよう
に、基板Ｇの一辺（短辺）よりも長く形成され、両端が
閉塞された例えば塩化ビニル製のパイプ状の現像液収容
体２１と、この現像液収容体２１の長手方向に沿って均
等間隔で列設された細孔２２とで溝成されている。この
現像液供給ノズル２０の現像液収容体２１の両側端部に
は、処理液である現像液を収容する現像液収容タンク２
３に接続する現像液供給配管２４が接続されていて、現
像液収容タンク２３内に導入される圧送用窒素ガス（Ｎ
₂ ）によって現像液が現像液供給ノズル２０内に供給さ
れ、細孔２２から基板Ｇの表面にカーテン状に滲み出る
ようにして供給されるようになっている。 また、現像
液収容体２１の一端には、支持アーム２５が突出してお
り、この支持アーム２５にボールネジにて形成される移
動手段２６の移動軸２６ａが係合され、例えばステップ
モータ２６ｂによって正逆回転される移動軸２６ａによ
って現像液供給ノズル２０が基板Ｇの長辺方向に相対移
動し得るように構成されている。なお、ステップモータ
２６ｂに代えて、例えばサーボモータを用いることが可
能である。

【００４３】また、現像液供給ノズル２０の他端には案
内アーム２７が突出しており、この案内アーム２７は、
移動軸２６ａと平行に設けられた案内レール２８に摺動
可能に装着されて、現像液供給ノズル２０の移動を円滑
に行えるようにしている。この場合、上記ステッピング
モータ２６ｂは制御部９からの信号によって正逆いずれ
かの回転及び回転時間が決定され、現像液供給ノズル２
０を基板Ｇの長辺側の端部付近に配置した後、現像液供
給ノズル２０を端部まで戻した後、ステッピングモータ
２６ａを逆回転させて現像液供給ノズル２０を基板Ｇの
他端まで移動することができるようになっている。

【００４４】なお、この場合、図に示すように、現像液
供給ノズル２０の支持アーム２５と案内アーム２７にそ
れぞれ取付けられた発光部２９ａと受光部２９ｂとから
なる光学式のセンサ２９を設けておけば、このセンサ２
９によって基板Ｇの端部に現像液供給ノズル２０が移動
したことを検出することができ、この検出信号を制御部
９に伝達することによって、現像液供給ノズル２０の移
動を停止させることができる。

【００４５】上記後処理液供給ノズル３０は、上部にリ
ンス液供給管３１が接続され、裏面の２箇所に後処理液
噴射用噴頭３２が設けられている。後処理液供給ノズル
３０は、移動軸２６ａ及び案内レール２８と平行に配置
された搬送レール３３に沿って移動する移動アーム３４
によってスピンチャック１にて保持された基板Ｇの上方
に移動し得るように構成されている。

【００４６】なお、この実施形態では、スピンチャック
１を上昇させて回転させた状態で後処理液を供給するよ
うにしているため、図２で示すように、後処理液供給ノ
ズル３０は現像液供給ノズル２０よりも高い位置に設け
られている。

【００４７】次に、スピンチャック１に保持された基板
Ｇがスピンチャック１から張り出す張り出し部分を支持
する支持手段について説明する。

【００４８】この実施形態において支持手段は、固定部
である内容器１５の傾斜面１５ｂに立設された複数本例
えば４本の支持ピン１７である。この支持ピン１７は、
基板Ｇの裏面に傷を付けることがないような部材例えば
樹脂、ゴム、軟質の金属（例えば真鍮、アルミ）等で形
成されているとともに、基板Ｇの裏面に傷を付けること
がないような形状例えば頂部が球面状に形成されてい
る。

【００４９】また、支持ピン１７の頂部は、基板Ｇを吸
着する吸着面であるスピンチャック１の上端面と同一の
水平面内に位置していて、スピンチャック１に保持され
た基板Ｇの張り出し部分を支持して基板Ｇの表面を水平
に維持できるようになっている。

【００５０】ところで、スピンチャック１に保持された
基板Ｇの張り出し部分の撓みは、スピンチャック１から
の距離に比例し、スピンチャック１からの距離が大きい
基板Ｇの周縁部分で最大となる。そのため、支持ピン１
７は、基板Ｇの周縁に沿って設ければよいが、支持ピン
１７と支持ピン１７との間、支持ピン１７とスピンチャ
ック１との間でも撓みが生じることから、前記周縁部よ
りやや内側（スピンチャック１側）に、均等間隔で設け
ることが好ましい。しかし、支持ピン１７を他の位置に
設けることも勿論可能である。

【００５１】また、後述する現像液の振り切り乾燥時に
飛散する現像液が支持ピン１７に付着すると、次に処理
を行う基板Ｇの裏面に現像液が付着するおそれがある。
そこで、この実施形態では、図５に示すように、現像液
の振り切り乾燥時に支持ピン１７を洗浄する洗浄手段５
０を設けている。この洗浄手段５０は、支持ピン１７の
基部側から頂部まで貫通する洗浄液の流通孔５１と、支
持ピン１７に洗浄液供給管５２を介して洗浄液を供給す
る洗浄液供給部５３と、洗浄液供給管５２の途中に設け
られ、制御部９からの制御信号により切り換えられる切
換弁５４ａおよび支持ピン１７の頂部から流出される洗
浄液の流量を調整する流量調整弁５４ｂとから構成され
ている。

【００５２】制御部９は、例えば現像液の振り切り乾燥
のために基板Ｇの回転を開始させると同時に切換弁５４
ａを作動させて支持ピン１７の頂部から洗浄液を流出さ
せる。そして、現像液の振り切り回転の停止とともに、
切換弁５４ａを前記とは逆作動させて支持ピン１７の頂
部からの洗浄液の流出を停止させる。

【００５３】流通穴５１は支持ピン１７の頂部に開口し
ているので、支持ピン１７の頂部から流出した洗浄液
は、支持ピン１７の外周面に沿って流れ、支持ピン１７
の全体を洗浄する。そのため、基板Ｇを回転させて現像
液を振り切っても、支持ピン１７の頂部から流出する洗
浄液が支持ピン１７への処理液の付着を防止し、次に処
理される基板Ｇの裏面ヘ現像液を付着させるおそれもな
い。

【００５４】また、支持ピン１７を洗浄した後に、その
ままの状態で次の基板Ｇの処理を行うと、支持ピン１７
の頂部に残留した洗浄液が基板Ｇの裏面に付着して、い
わゆるウォーターマークを残すことがある。そこで、こ
の実施形態では、図２および図４に示すように、洗浄液
の流出を停止させた支持ピン１７に対し乾燥用の気体を
吹き付ける乾燥手段５５を設けている。この乾燥手段５
５は、図６に示すように支持ピン１７に窒素（Ｎ₂ ）ガ
スやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを吹き付ける
ノズル５６と、ガスタンク等の不活性ガス供給源５７
と、この不活性ガス供給源５７からノズル５６に不活性
ガスを供給する供給管５９と、この供給管５９の途中部
位に設けられ、制御部９の制御信号によって弁体の開閉
を行い、不活性ガスの供給または停止を行う切換弁５８
とから構成される。ノズル５６は、支持ピン１７の頂部
に向けられていて、支持ピン１７の頂部に不活性ガスを
吹き付けられるようになっている。

【００５５】なお、図４では噴射口を二つ有する二股の
ノズル５６を２か所に設けているが、各支持ピン１７ご
とにノズル５６を設けてもよい。

【００５６】次に、基板Ｇの裏面に洗浄液を噴射して前
記裏面に現像液が付着しないようにする基板裏面の洗浄
手段について説明する。

【００５７】基板Ｇの表面に塗布された現像液は、基板
Ｇを回転させることにより振り切られるが、このとき飛
散した現像液の一部が基板Ｇの裏面に付着するおそれが
ある。そこで、この実施形態では、図２に示すように現
像液の振り切り回転の後、洗浄液の供給による現像液の
洗浄とともに基板Ｇの裏面側にも洗浄液を噴射する洗浄
液噴射手段６０が設けられている。

【００５８】この実施形態において洗浄液噴射手段６０
は、スピンチャック１に保持された基板Ｇの下方位置に
配置された洗浄液噴射ノズル６１と、この洗浄液噴射ノ
ズル６１に洗浄液供給管６４を介して洗浄液を供給する
洗浄液の供給源６２と、洗浄液供給管６４の途中部位に
設けられ、制御部９の制御信号により弁が開閉される切
換弁６３とから構成される。洗浄液噴射ノズル６１は、
図４に示すようにスピンチャック１の周囲に均等間隔で
複数個例えば８個設けられている。なお、各洗浄液噴射
ノズル６１に洗浄液を供給する洗浄液供給源６２は、洗
浄液と後処理液とが同質のものである場合には、後処理
液供給ノズル３０に後処理液を供給する後処理液供給源
と同じであってもよい。また、各洗浄液噴射ノズル６１
の基板Ｇに対する噴射角をそれぞれ異ならせて固定的に
設けてもよく、あるいは、図示しないノズル角度調整機
構を設けて各洗浄液噴射ノズル６１の噴射角を可変にし
得るように構成してもよい。

【００５９】次に、このように構成された現像装置８８
における基板Ｇの処理の手順を、図８に従って説明す
る。

【００６０】図８は処理手順の説明図に係り、基板Ｇが
現像装置８８に搬入されてから一連の処理が行われるま
での過程を概略図で示したものである。

【００６１】搬送アーム機構７４ｂにより現像装置８８
に搬入された基板Ｇは、昇降駆動シリンダ４の駆動によ
り上昇した状態にあるスピンチャック１上に載置され、
吸着されて保持される（図８(a) で示す状態）。

【００６２】スピンチャック１に基板Ｇが保持される
と、昇降駆動シリンダ４が駆動してスピンチャック１を
下降させる。これにより、スピンチャック１から張り出
す基板Ｇの張り出し部分は、支持ピン１７によって支持
されて表面が水平に維持される（図８(b) で示す状
態）。

【００６３】次いで、基板Ｇの短辺の張り出し部分上方
位置に例えば、細孔２２が端縁より５mm程度内側に位置
するように現像液供給ノズル２０を対向配置した後、現
像液供給ノズル２０から現像液を基板Ｇ上に供給しなが
ら、現像液供給ノズル２０を基板Ｇの一端縁まで移動し
て戻し、基板Ｇの表面に現象液を塗布する。

【００６４】そして、現像液供給ノズル２０を基板Ｇの
他端位置まで移動して基板Ｇ表面の全面に現像液を塗布
した後、現像液の供給を停止して現像液供給ノズル２０
をそのまま待機させるか、元の待機位置に復帰させる
（図８(c) で示す状態）。

【００６５】次に、スピンチャック１を上昇させて基板
Ｇを支持ピン１７から離間し、次いでスピンチャック１
を例えば１０ｒｐｍ、周期３秒程度で回転させて基板Ｇ
上に塗布された現像液を遠心力によって外方へ拡散す
る。そして、スピンチャック１を２００ｒｐｍ程度で連
続回転させながら現像液を均一に拡げる。このとき、支
持ピン１７の頂部からは洗浄液を流出させておき、支持
ピン１７に現像液が付着しないようにする（図８(d) で
示す状態）。

【００６６】次いで、基板Ｇ上に後処理液供拾ノズル３
０を移動し、基板Ｇを回転させた状態で後処理液供給ノ
ズル３０から洗浄液を基板Ｇ上に供給して現像を停止さ
せる。また、洗浄液の供給と同時に洗浄液噴射ノズル６
０から洗浄液を基板Ｇの裏面に向けて噴射させて、基板
Ｇの裏面側に付着した現像液を洗い落とす（図８(e)で
示す状態）。

【００６７】この後、後処理液供給ノズル３０からの洗
浄液の供給を停止させると同時に洗浄液噴射ノズル６０
からの洗浄液の噴射も停止させ、所定時間基板Ｇを回転
させて洗浄液を振り切り乾燥させる。このとき、支持ピ
ン１７の頂部からの洗浄液の流出も停止させ、吹き付け
るノズル５６から乾燥用の気体が支持ピン１７に向けて
吹き付けられ、支持ピン１７の乾燥が行われる（図８
(f) で示す状態）。

【００６８】以上の処理が終了した後は、基板Ｇがスピ
ンチャック１から取り外され、搬送アーム機構７４ａに
よって現像装置８８から搬出される（図８(g) で示す状
態）。 以下、次の基板Ｇが搬送アーム機構７４ａによ
って現像装置８８に搬入され、上記手順が繰り返され
る。

【００６９】本発明の好適な実施形態について説明して
きたが、本発明は上記の実施形態により何ら限定される
ものではない。

【００７０】例えば、上記の説明では支持ピン１７が現
像装置８８の固定部（傾斜面１５ｂ）に固定され、スピ
ンチャック１を昇降シリンダ４で昇降させるものとして
説明したが、支持ピン１７を昇降手段により昇降自在に
し、スピンチャック１を固定（但し、回転は自在）とす
ることも可能である。

【００７１】また、本発明は現像装置に限らず、例えば
レジスト塗布装置や洗浄装置にも適用可能である。例え
ば洗浄装置においては、洗浄ブラシで被処理基板を洗浄
する際に被処理基板の表面を水平に維持する支持手段を
用いることができる。

【００７２】さらに、被処理基板は上記のＬＣＤ基板に
限るものでなく、半導体ウエハ、ガラス基板、ＣＤ基
板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等で
も可能である。

【００７３】

【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、以下のような効果を奏する。

【００７４】 請求項１に記載の処理装置によれば、
支持手段が保持手段に保持された被処理基板の張り出し
部分を支持するので、被処理基板の張り出し部分の撓み
を規制して被処理基板を水平に維持し、均一な処理液の
塗布が可能になる。

【００７５】 請求項２に記載の処理装置によれば、
現像液の振り切り回転時に支持手段を洗浄液で洗浄する
ことにより、支持手段に現像液が付着することがなく、
被処理基板への現像液の付着を防止できる。

【００７６】 請求項３に記載の処理装置によれば、
乾燥手段を設けたものは、支持手段の洗浄後に支持手段
を乾燥させて洗浄液の被処理基板への付着を防止するこ
とができる。

【００７７】 請求項４に記載の処理装置によれば、
被処理基板の表面への後処理液の供給と同時に裏面に洗
浄液を供給することにより、被処理基板の裏面に現像液
が付着しないようにすることができる。

【００７８】 請求項５に記載の処理方法によれば、
保持手段に保持された被処理基板の張り出し部分を支持
して被処理基板を水平に維持するので、均一な処理液の
塗布が可能になる。

【００７９】 請求項６に記載の処理方法によれば、
洗浄液が被処理基板の裏面を洗浄して被処理基板の裏面
に現像液が付着しないようにすることができる。

【００８０】 請求項７に記載の処理方法によれば、
支持手段に現像液が付着することがなく、被処理基板へ
の現像液の付着を防止できる。

【００８１】 請求項８に記載の処理方法によれば、
支持手段の洗浄後に支持手段を乾燥させて洗浄液の被処
理基板への付着を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の処理装置が適用される塗布・現像シス
テムの全体構成図である。

【図２】本発明の処理装置の一実施形態にかかり、その
断面図である。

【図３】処理液供給手段と、処理液供給手段の移動機構
の一例を示す平面図である。

【図４】支持ピンの配置例を示す平面図である。

【図５】支持ピンの洗浄手段の一例を示す説明図であ
る。

【図６】支持ピンの乾燥手段の一例を示す説明図であ
る。

【図７】基板の裏面を洗浄する洗浄手段の一例を示す説
明図である。

【図８】本発明の処理方法の手順を示す説明図である。

【図９】本発明が解決しようとする従来の処理装置の問
題点を説明する図である。

【符号の説明】

Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板） １ スピンチャック（保持手段） ２ 駆動モータ（回転手段） ４ 昇降シリンダ（昇降手段） １０ 処理室 １７ 支持ピン（支持手段） ２０ 現像液供給ノズル（処理液供給手段） ３０ 後処理液供給ノズル（後処理液供給手段） ５０ 支持ピンの洗浄手段 ５１ 洗浄液流通孔 ５２ 洗浄液供給管 ５３ 洗浄液供給源 ５４ａ 切換弁 ５４ｂ 流量調整弁 ５５ 支持ピンの乾燥手段 ５６ 不活性ガスの噴射ノズル ５７ 不活性ガスの供給源 ５７ 切換弁 ５９ 不活性ガスの供給管 ６０ 洗浄液供給手段 ６１ 洗浄液噴射ノズル ６２ 洗浄液の供給源 ６３ 切換弁 ６４ 洗浄液の供給管

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を回転可能に保持する保持手
   段と、 前記保持手段から張り出す前記被処理基板の張り出し部
   分を支持して前記被処理基板の表面を水平に維持する支
   持手段と、 前記保持手段により保持され、かつ前記支持手段により
   支持された被処理基板の表面に処理液を供給する処理液
   供給手段と、 前記保持手段により保持された被処理基板を前記支持手
   段に対して相対的に昇降させる昇降手段と、 前記支持手段から相対的に上昇された前記被処理基板を
   回転させる回転手段とを具備することを特徴とする処理
   装置。
2. 【請求項２】 前記支持手段の支持部先端に洗浄液を流
   出する洗浄液流出部を設けたことを特徴とする請求項１
   記載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記支持手段の支持部先端に向けて乾燥
   用の気体を吹き付ける乾燥手段を設けたことを特徴とす
   る請求項１または請求項２記載の処理装置。
4. 【請求項４】 前記被処理基板の表面に後処理液を供給
   すると同時に、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給す
   る手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３
   のいずれか１項に記載の処理装置。
5. 【請求項５】（ａ）被処理基板を保持手段により保持す
   ると共に、前記保持手段から張り出す前記被処理基板の
   張り出し部分を支持手段により支持して前記被処理基板
   の表面を水平に維持した状態で、前記被処理基板の表面
   に処理液を塗布する工程と、（ｂ）前記保持手段により
   保持された被処理基板を前記支持手段に対して相対的に
   上昇させる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記
   保持部材を回転させて前記被処理基板を振り切り乾燥す
   る工程とを具備することを特徴とする処理方法。
6. 【請求項６】 前記（ｃ）工程の後に、前記被処理基板
   の表面に後処理液を供給すると共に、前記被処理基板の
   裏面に洗浄液を供給する工程をさらに具備することを特
   徴とする請求項５記載の処理方法。
7. 【請求項７】 前記（ｃ）工程の最中に、前記支持手段
   の支持先端部より洗浄液を流出することを特徴とする請
   求項６記載の処理方法。
8. 【請求項８】 前記支持手段の支持先端部より洗浄液を
   流出した後に、前記支持先端部に乾燥用の気体を吹き付
   けることを特徴とする請求項７記載の処理方法。