KR20160054509A - 유체 스트림을 통해 대상물을 스캐닝하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

유체 스트림을 통해 대상물을 스캐닝하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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KR20160054509A
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데이빗 씨 짐머맨
로버트 이 라슨
에드워드 데닌 핸즐릭
그레고리 폴 톰스
크리스티나 안 래쓰맨
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티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드
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Abstract

적어도 하나의 유체와 표면의 충돌을 통해 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하기 위한 장치와 이 장치를 작동시키는 방법이 설명되어 있다. 구체적으로, 장치는 처리 챔버 내에서 적어도 하나의 유체에 의해 마이크로 전자 가공물을 처리하기 위한 내부 공간을 획정하는 처리 챔버와, 처리 챔버 내에서 가공물을 지지하는 가동형 척을 포함한다. 장치는 가공물 로딩 위치와 가공물이 적어도 하나의 유체 공급부에 연결되는 적어도 하나의 노즐을 이용하여 적어도 하나의 유체에 의해 처리되는 적어도 하나의 프로세싱 위치 사이에서 가동형 척을 병진시키도록 구성되는 가공물 병진 구동 시스템과, 마이크로 전자 가공물을 회전시키도록 구성되는 가공물 회전 구동 시스템을 더 포함한다.

Description

유체 스트림을 통해 대상물을 스캐닝하기 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR SCANNING AN OBJECT THROUGH A FLUID STREAM}
본 발명은 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면을 처리하는 데에 사용되는 유체를 통해 마이크로 전자 가공물을 스캐닝하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
마이크로 전자 기술에 있어서의 진보로 인해, 능동 구성요소의 밀도를 현저히 증가시키면서 집적 회로(IC)가 반도체 기판 등의 마이크로 전자 가공물 상에 형성되고 있다. IC의 형성은 가공물 상에 다양한 재료들의 순차적인 도포, 프로세싱, 및 선택적인 제거에 의해 수행된다. 그리고, 형성 중에, 가공물의 노출된 표면은 프로세스 잔류물 및 부스러기를 주기적으로 제거하도록 세척 단계를 필요로 한다. 건식 및 습식 세척 기술을 비롯하여 반도체 기판 프로세싱에서 기판으로부터 특정한 부류의 재료들을 제거하기 위하여 다양한 조성물들이 개발되었다.
그러나, 더욱 최근에, 충돌하는 극저온 에어로졸 제트로부터의 운동량 전달을 이용하여 가공물 표면으로부터 파티클을 제거하는 극저온 에어로졸이 개발되었다. 이러한 건식 세척 용례는 특히 반도체 제조에 있어서 유용하였다. 파티클 오염 물질을 제거하기 위해 사용되는 냉한제는 아르곤, 이산화탄소 및 물을 포함한다. 극저온 에어로졸에서, 아음속 또는 초음속 속도로 이동하는 결빙 입자를 함유하는 에어로졸 제트가 생성된다. 에어로졸 제트 내에서, 결빙 입자의 크기는, 압력, 온도, 유동을 비롯한 제트의 열역학적 조건과, 제트를 형성하도록 공급되는 재료의 초기 페이즈와 노즐 설계에 따라 크게 좌우되는 입자 형성 조건에 따라 결정된다. 전술한 바와 같이, 이산화탄소와 물이 특정한 용례에서 사용되었다. 그러나, 반도체 제조에서 고순도 세척을 위해서는, 표면 손상을 피하는 것이 매우 중요하다. 따라서, 반도체 기판의 세척을 위해 질소 및 질소/아르곤 혼합물이 사용되었다.
극저온 에어로졸이 오염된 가공물로부터 입자를 제거하는 데에 효과적인 것으로 입증되었지만, 기판으로부터 제거된 입자가 가공물의 세척된 표면을 가끔은 다시 오염시킨다는 문제가 세척 프로세스에서 발견되었다. 특히, 그러한 재오염은 에어로졸 제트를 통해 스캐닝되는 가공물 테이블의 일부에 에어로졸 제트가 충돌할 때에 발생한다는 것을 알았다. 이들 가공물 테이블의 부분의 상면 상의 파티클은 강제 이동되고, 일부는 가공물 표면으로 전달된다. 더욱이, 이전 취급의 결과로서, 가공물의 주연부 상의 파티클이 종래의 스캐닝 기술을 이용하여 가공물의 중앙으로 재분배될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면을 처리하는 데에 사용되는 유체를 통해 마이크로 전자 가공물을 스캐닝하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 유체와 표면의 충돌을 통해 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하기 위한 장치가 설명된다. 장치는, 처리 챔버 내에서 적어도 하나의 유체에 의해 마이크로 전자 가공물을 처리하기 위한 내부 공간을 획정하는 처리 챔버; 처리 챔버 내에서 마이크로 전자 가공물을 지지하는 가동형 척으로서, 가공물은 적어도 하나의 유체에 의한 처리 위치에서 노출되는 상면을 갖는 것인 가동형 척; 가동형 척에 작동식으로 커플링되고, 가공물 로딩 위치와 가공물이 적어도 하나의 유체에 의해 처리되는 적어도 하나의 프로세싱 위치 사이에서 가동형 척을 병진시키도록 구성되는 가공물 병진 구동 시스템; 처리 챔버에 작동식으로 커플링되고 가공물을 회전시키도록 구성되는 가공물 회전 구동 시스템; 및 가동형 척이 적어도 하나의 프로세싱 위치에 위치 설정되고 가공물을 지지할 때에, 적어도 하나의 유체를 가공물의 상면을 향해 지향시키는 데에 효과적인 방식으로 적어도 하나의 유체 공급부에 연결되고 처리 챔버 내에 배치되는 적어도 하나의 노즐을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 유체와 표면의 충돌을 통해 가공물의 표면을 처리하는 방법이 설명된다. 방법은, 처리 챔버 내에 작동식으로 배치 구성되는 노즐로부터 유체를 제공하기 위해 내부 공간을 획정하는 처리 챔버 내의 가동형 척 상에 처리될 가공물을 배치하는 단계로서, 가공물은 가공물의 상면 상에의 유체의 직접적인 충돌로부터 떨어진 로딩 위치에 위치해 있는 가동형 척 상에 놓이는 것인 가공물 배치 단계; 가공물의 상면의 제1 단편부가 유체에 노출되도록 가동형 척을 로딩 위치로부터 노즐 아래의 제1 프로세싱 위치로 가공물과 함께 스캐닝하는 단계; 및 가공물을 노즐에 대해 회전시키는 단계를 포함한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치의 개략적인 사시도이다;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치의 측면도이다;
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치의 개략적인 사시도 및 단면도를 제공한다;
도 8은 다양한 실시예에 따라 마이크로 전자 가공물을 유체로 처리하는 방법을 나타내는 흐름도를 제공한다.
기판으로부터 재료를 선택적으로 제거하기 위한 방법이 다양한 실시예에서 설명된다. 관련 기술분야에서 숙련된 자는, 다양한 실시예가, 특정 상세 중 하나 이상이 없어도, 또는 다른 대체물 및/또는 추가적인 방법, 재료, 또는 구성요소와 함께, 실시될 수도 있다는 것을 인식할 것이다. 다른 경우에서, 널리 공지된 구조, 재료, 또는 동작은, 본 발명의 다양한 실시예의 양태를 모호하게 하는 것을 방지하기 위해, 상세히 도시되지 않거나 또는 설명되지 않는다. 마찬가지로, 설명의 목적을 위해, 본 발명의 완전한 이해를 제공하도록, 특정 숫자, 재료, 및 구성이 기재된다. 그럼에도 불구하고, 본 발명은 특정 상세 없이 실시될 수도 있다. 또한, 도면에 도시되는 다양한 실시예는 예시적인 표현이며 반드시 실척으로 도시된 것은 아니라는 것이 이해된다.
본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예" 또는 "한 실시예"에 대한 언급은, 그 실시예와 연계하여 설명되는 특정 피처, 구조, 재료, 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되는 것을 의미하지만, 이들이 모든 실시예에서 존재한다는 것을 나타내는 것은 아니다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸친 여러 곳에서의 "일 실시예에서" 또는 "한 실시예에서"와 같은 어구의 출현은 반드시 본 발명의 동일한 실시예를 지칭하지는 않는다. 또한, 특정 피처, 구조, 재료, 또는 특징은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적절한 방식으로 결합될 수도 있다. 다양한 추가적인 층 및/또는 구조체가 포함될 수도 있고 및/또는 설명되는 피처는 다른 실시예에서는 생략될 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "마이크로 전자 가공물"은 본 발명에 따라 프로세싱되는 대상물을 일반적으로 지칭한다. 마이크로 전자 가공물은 디바이스, 특히 반도체 또는 다른 전자 디바이스의 임의의 재료 부분 또는 구조를 포함할 수도 있고, 예컨대 반도체 기판과 같은 베이스 기판 구조체이거나, 또는 박막과 같은 베이스 기판 구조체 상의 또는 위에 놓이는 층일 수도 있다. 따라서, 가공물은, 패턴화된 또는 패턴화되지 않은, 임의의 특정한 베이스 구조체, 하지층 또는 위에 놓이는 층에 한정되지 않고, 대신, 임의의 이러한 층 또는 베이스 구조체, 및 층들 및/또는 베이스 구조체들의 임의의 조합을 포함하는 것으로 고려된다. 이하의 설명은 특정 타입의 기판을 참조할 수도 있지만, 이것은 예시적인 목적만을 위한 것이며 제한하는 것은 아니다.
마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하기 위한 장치 및 방법이 아래에서 설명된다. 구체적으로, 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면을 처리하는 데에 사용되는 유체를 통해 마이크로 전자 가공물을 스캐닝하는 장치 및 방법이 설명된다. 유체 또는 유체 스프레이는 마이크로 전자 가공물 위로 분배되는 임의의 기체상, 액체상, 또는 혼합상을 포함할 수 있다. 예컨대, 유체 또는 유체 스프레이는 기상 제트, 증기 제트, 액체 제트 또는 분사, 에어로졸 제트 또는 분사, 가스 클러스터 제트, 가스 클러스터 빔(GCB), 가스 클러스터 이온 빔(GCIB), 하전 입자 빔, 또는 이들 중 2개 이상의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 그리고, 마이크로 전자 가공물을 스캐닝하는 장치 및 방법이 전술한 유체 요법, 분사, 빔 등 중 임의의 하나에서 마이크로 전자 가공물을 프로세싱하는 데에 적용될 수 있지만, 본 발명은 극저온 에어로졸을 도포하는 것과 관련하여 설명될 것이다.
이제, 동일한 참조 번호들이 여러 도면에 걸쳐서 동일하거나 대응하는 부품들을 가리키는 도면을 참조하면, 도 1a 및 도 1b는 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면을 처리하는 처리 장치(1)의 개략적인 사시도를 제공한다. 또한, 도 2는 처리 장치(1)의 측면도를 제공한다. 처리 장치(1)는 마이크로 전자 가공물(10), 예컨대 반도체 기판, 마이크로-전자기계적(MEM; micro-electromechanical) 기판, 또는 광전지 기판의 노출된 표면으로 유체 스프레이를 도포하도록 사용될 수 있고, 그러한 유체 스프레이 도포는 에칭, 코팅, 세척 등을 용이하게 할 수 있다. 일례로서, 처리 장치(1)는 마이크로 전자 가공물(10)의 상면으로부터 파티클 부스러기를 제거하도록 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 처리 장치는 특히 반도체 기판으로부터 오염 물질을 세척하는 데에 사용되는 극저온 에어로졸 세척 챔버로서 사용하도록 적용될 수 있다. 전술한 바와 같이, 극저온 세척은, 예컨대 질소, 질소/아르곤 혼합물, 이산화탄소, 또는 물의 에어로졸을 사용할 수 있다. 현재는, 아르곤과 질소를 함유하는 에어로졸이 바람직하다. 극저온 에어로졸의 특정한 예는 McDermott 등에게 모두 허여된 미국 특허 제5,062,898호, 제5,209,028호 및 제5,294,261호에 개시되어 있고, 이들 특허의 내용은 그 전체가 본 명세서에 참조로 인용된다.
처리 장치(1)는 처리 챔버(20) 내에서 적어도 하나의 유체 스프레이에 의해 마이크로 전자 가공물(10)을 처리하기 위한 내부 공간(22)(또는 용적)을 획정하는 처리 챔버(20)를 포함할 수 있고, 처리 챔버는 내부 공간(22)을 빠져나가는 재료의 유동을 진공 펌프(65)로 지향시키는 배기관(24)을 더 포함한다. 내부 공간(22) 내에서, 처리 장치(1)는, 처리 챔버(20) 내에 가공물(10)을 지지하는 가동형 척(30)과, 적어도 하나의 유체 스프레이(51)를 가공물(10)의 상면을 향해 지향시키는 데에 효과적인 방식으로 처리 챔버(20) 내에 배치되는 적어도 하나의 노즐(50)을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 노즐(50)은 처리 챔버(20) 내에 지지되고, 적어도 하나의 노즐 오리피스를 포함한다. 예컨대, 적어도 하나의 노즐은, 유체 스프레이(예컨대, 에어로졸)가 적어도 하나의 노즐(50)로부터 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면을 향해 방출될 수 있도록, 노즐 분사 바아의 길이를 따라 일련의 제트 분사 개구를 포함하는 노즐 분사 바아를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 노즐(50)은 마이크로 전자 가공물(10)에 관한 유체 스프레이 충돌 각도가 특정한 처리 프로세스에 최적화될 수 있도록 조절 가능할 수 있다. 적어도 하나의 노즐(50)은 유체 공급 시스템(52)에 커플링된다. 유체 스프레이가 극저온 에어로졸을 포함하는 경우, 유체 공급 시스켐(52)은 액체 질소 듀어(dewar) 등의 액체 냉한제 저장조를 포함할 수 있고, 이 액체 냉한제 저장조를 통해 하나 이상의 가스, 예컨대 질소 및 선택적으로 질소/아르곤 혼합물이 순환되어 부분적으로 액화된 유체가 적어도 하나의 노즐(50)로 공급되게 한다. 적어도 하나의 노즐(50)에 대한 유체의 운반을 위해 유량 제어 장치, 압력 제어 장치 등의 다양한 장비가 고려된다.
게다가, 도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는 처리 챔버(20)로부터 재료를 제거하고 처리 챔버(20) 내의 압력을 (대기압에 대해) 감압된 환경으로 제어하도록 제공되는 진공 펌프(65)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 진공 펌프(65)는 배기관(24)의 출구 단부에 커플링될 수 있다.
또한, 도 1a, 도 1b, 및 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는, 처리 챔버(20)의 입구 단부로부터 진공 펌프(65)에 대한 배기관(24)을 통과하여 처리 챔버(20)의 출구 단부로 유동하는 프로세스 가스를 내부 공간(22)에 도입하도록 처리 챔버(20)의 입구 단부에 배치되는 프로세스 가스 노즐(60), 즉 가스 노즐 어레이를 포함할 수 있다. 프로세스 가스 공급 시스템(62)이 프로세스 가스 노즐(60)에 커플링되고, 프로세스 가스 노즐(60)에 프로세스 가스를 공급하도록 구성되는데, 프로세스 가스는 반응성 또는 비반응성[마이크로 전자 가공물(10) 상의 재료에 대해 불활성인] 프로세스 가스 또는 증기를 포함할 수 있다. 프로세스 가스 노즐(60)은 노즐 또는 오리피스 어레이, 또는 금속 발포재 등의 다공질 부재를 포함할 수 있다. 일례로서, 극저온 에어로졸로 마이크로 전자 가공물(10)을 처리하기 위해 처리 챔버(20)를 이용할 때에, 프로세스 가스는, 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면으로부터 강제 이동되는 잔류 에어로졸과 파티클을 동반하는 층류를 마이크로 전자 가공물(10) 위에 달성하기에 충분한 유량으로 도입되는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 프로세스 가스 노즐(60)에 대한 프로세스 가스의 운반을 위해 유량 제어 장치, 압력 제어 장치 등을 비롯한 다양한 장비가 고려된다.
가동형 척(30)은, 처리될 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면이 적어도 하나의 노즐(50)로부터 나오는 적어도 하나의 유체 스프레이의 충돌 영역을 통해 적어도 부분적으로 스캐닝될 수 있다. 아래에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 가동형 척(30)은 바람직하게는 처리 챔버(20)의 종방향 축선을 따라 적어도 하나의 병진 자유도(40)를 제공하여, 적어도 하나의 노즐(50)로부터 나오는 유체 스프레이를 통해 마이크로 전자 가공물(10)의 적어도 일부를 선형 스캐닝하는 것을 용이하게 한다. 더욱이, 가동형 척(30)은 바람직하게는 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면에 직교하는 축선을 중심으로 적어도 하나의 회전 자유도(45)를 제공하여, 마이크로 전자 가공물을 제1 스캔 중에 스캐닝할 때에 마이크로 전자 가공물(10)의 제1 단편부를 유체 스프레이에 노출시키는 제1 예정된 인덱싱 위치로부터, 마이크로 전자 가공물을 제2 스캔 중에 스캐닝할 때에 마이크로 전자 가공물(10)의 제2 단편부를 유체 스프레이에 노출시키는 제2 예정된 인덱싱 위치로 마이크로 전자 가공물(10)을 회전 가능하게 인덱싱하는 것을 용히하게 한다.
도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는 가동형 척(30)에 작동식으로 커플링되고, 가동형 척(30)을 가공물 로딩 위치(도 1a 참조)와 가공물(10)이 적어도 하나의 유체 스프레이(51)에 의해 처리되는 적어도 하나의 프로세싱 위치(42) 사이에서 적어도 하나의 병진 자유도(40)를 따라 병진시키도록 구성되는 가공물 병진 구동 시스템(32)을 포함한다.
가동형 척(30)은 도 1a, 도 1b, 및 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 챔버(20)의 종방향 축선을 따라 병진하도록 구성된다. 그러나, 가동형 척(30)은 추가적인 병진 자유도를 포함하도록 설계될 수 있다. 가공물 병진 구동 시스템(32)은 가동형 척(30)의 이동 경로를 획정하는 하나 이상의 슬라이드 및 안내 메커니즘을 포함할 수 있고, 구동 메커니즘이 이용되어 그 안내 경로를 따라 가동형 척(30)에 대해 이동을 부여할 수 있다. 구동 메커니즘은 임의의 전기적, 기계적, 전자기계적, 유압, 또는 공압 장치를 포함할 수 있다. 구동 메커니즘은 적어도 하나의 노즐로부터 나오는 유체 스프레이 충돌 영역을 적어도 부분적으로 통과하여 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면이 이동되게 하기에 충분한 길이의 운동 범위를 제공하도록 설계된다. 일례로서 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 가공물 병진 구동 시스템(32)은 처리 챔버(20)의 벽에 있는 슬라이딩 진공 시일(38)을 통해 슬라이딩 가능하게 연장되도록 구성되는 지지 아암(36)을 포함할 수 있고, 지지 아암의 제1 말단부는 가동형 척(30)에 장착되고 제2 말단부는 처리 챔버(20) 외측에 배치되는 액추에이터 메커니즘과 결합된다.
도 1a, 도 1b, 및 도 2에 또한 도시된 바와 같이, 처리 장치(1)는 처리 챔버(20)에 작동식으로 커플링되고 마이크로 전자 가공물(10)을 회전시키도록 구성되는 가공물 회전 구동 시스템(34)을 포함한다. 가공물 회전 구동 시스템(34)은 마이크로 전자 가공물(10)을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱할 수 있다. 일 실시예에서, 가공물 회전 구동 시스템(34)은 가동형 척(30)에 작동식으로 커플링되고 가동형 척(30) 상의 마이크로 전자 가공물을 회전시키도록 구성된다. 가공물 회전 구동 시스템(34)은 가동형 척(30)에 대해 그 축선을 중심으로 회전 운동을 부여하도록 이용되는 구동 메커니즘을 포함할 수 있다. 구동 메커니즘은 임의의 전기적, 기계적, 전자기계적, 유압, 또는 공압 장치를 포함할 수 있다. 일례로서, 가공물 회전 구동 시스템(34)은 가동형 척(30) 상의 마이크로 전자 가공물(10)을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하도록 구성되는, 벨트 또는 기어 구동부가 있거나 없는 인덱싱 모터를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 가공물 회전 구동 시스템(34)은, 가동형 척(30) 아래에 배치되고 마이크로 전자 가공물(10)을 가동형 척(30)에 대해 수직 방향으로 병진시키고 회전시키도록 구성되는 가공물 리프트 시스템을 포함할 수 있다. 가공물 리프트 시스템은, 가동형 척(30)의 하나 이상의 개구를 통해 연장되도록 배치되는 3개 이상의 리프트 핀, 3개 이상의 핀을 수직 방향으로 병진시켜 마이크로 전자 가공물을 가동형 척(30) 위로 상승시키고 마이크로 전자 가공물을 가동형 척(30)에까지 하강시키도록 구성되는 수직 리프트 시스템, 및 3개 이상의 리프트 핀 상의 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 가동형 척(30)에 대해 회전시키도록 구성되는 인덱싱 모터를 포함할 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시되지는 않았지만, 가동형 척(30)은 마이크로 전자 가공물(10)의 노출된 표면에 관한 적어도 하나의 유체 스프레이의 충돌 중에 마이크로 전자 가공물(10)을 가동형 척(30)의 상면에 대해 고정시키는 메커니즘을 포함할 수 있다. 마이크로 전자 가공물(10)은, 예컨대 기계적 패스너 또는 클램프, 진공 클램핑, 또는 정전 클램핑을 이용하여 가동형 척(30)에 고정될 수 있다.
또한, 가동형 척(30)은 마이크로 전자 가공물(10)의 온도를 주변 온도 위로 상승된 또는 그 아래로 하강된 온도로 제어하는 온도 제어 메커니즘을 포함할 수 있다. 온도 제어 메커니즘은 가동형 척(30) 및 마이크로 전자 가공물(10)의 온도를 조절 및/또는 제어하도록 구성되는 가열 시스템(도시 생략) 또는 냉각 시스템(도시 생략)을 포함할 수 있다. 가열 시스템 또는 냉각 시스템은, 냉각될 때에 가동형 척(30)으로부터 열을 받고 그 열을 열교환기 시스템(도시 생략)으로 전달하거나, 가열될 때에 열교환기 시스템으로부터 가동형 척(30)으로 열을 전달하는, 재순환 열 전달 유체 유동을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 저항 가열 요소, 또는 열전 히터/쿨러 등의 가열/냉각 요소가 가동형 척(30)에 포함될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 처리 장치는 컨트롤러(70)를 포함할 수 있고, 컨트롤러는 가공물 병진 구동 시스템(32)과 가공물 회전 구동 시스템(34)에 커플링되고, 마이크로 전자 가공물(10)을 적어도 하나의 노즐(50)에 대해 제어 가능하게 스캐닝하며 마이크로 전자 가공물(10)을 적어도 하나의 노즐(50)에 대해 제어 가능하게 회전시키는 명령이 프로그래밍되어 있다. 전술한 바와 같이, 컨트롤러(70)는 마이크로 전자 가공물(10)을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하도록 프로그래밍된다. 컨트롤러(70)는 인덱싱 모터에 커플링되고 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향과 제2 예정된 인덱싱 배향 사이에서 예정된 회전 속도로 회전시키도록 프로그래밍될 수 있다. 컨트롤러(70)는 또한 수직 리프트 시스템과 인덱싱 모터에 커플링되고, 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향과 제2 예정된 인덱싱 배향 사이에서 예정된 회전 속도로 회전시키도록 프로그래밍될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 3 내지 도 7은 마이크로 전자 가공물(도시 생략)의 노출된 표면을 처리하기 위한 처리 장치(100)의 개략적인 사시도 및 단면도를 제공한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 처리 장치(100)는 처리 챔버(120) 내에서 적어도 하나의 유체 스프레이에 의해 마이크로 전자 가공물을 처리하기 위한 내부 공간(122)(또는 용적)을 획정하는 처리 챔버(120)를 구비하고, 처리 챔버(120)는 마이크로 전자 가공물이 개구(105)를 통해 내부로 전달될 수 있는 입구 단부(101)와, 내부 공간(122)을 빠져나가는 재료의 유동을 받아들이고 재료의 유동을 진공 펌프(도시 생략)로 지향시키도록 구성되는 출구 단부(102)를 더 포함한다. 내부 공간(122) 내에, 처리 장치(100)는 중앙 돌출부(131)와 에지 돌출부(133) 상에 마이크로 전자 가공물을 지지하는 가동형 척(130)을 포함한다.
마이크로 전자 가공물은 제1 리딩 에지 날개형 클램프 부재(136), 제2 리딩 에지 날개형 클램프 부재(137), 및 후단 에지 클램프 부재(138)를 이용하여 가동형 척(130)에 클램핑된다. 일 실시예에서, 유체 스프레이를 통한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝은, 제1 및 제2 날개형 클램프 부재(136, 137)에 관한 유체 스프레이의 충돌이 실질적으로 방지되고, 마이크로 전자 가공물의 전체 노출된 표면의 유체 스프레이 피복이 달성되도록 수행될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리 장치(100)는 가동형 척(130)에 대해 마이크로 전자 가공물을 회전 가능하게 인덱싱하도록 구성되는 가공물 회전 구동 시스템(160)을 더 포함한다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 가공물 회전 구동 시스템(160)은, 가동형 척(130)의 아래에 배치되고 마이크로 전자 가공물을 수직 방향으로 병진시키고 가동형 척(130)에 대해 회전시키도록 구성되는 가공물 리프트 시스템(170)을 포함한다. 가공물 리프트 시스템(170)은 회전 가능한 테이블(175)에 고정되는 공압 피스톤(173)을 갖는 공압 실린더(172)를 구비한다. 또한, 회전 가능한 테이블(175)은 공압 회전 액추에이터(도시 생략)를 이용하여 회전될 수 있다. 공압 구동이 수직/병진 및 회전 이동을 위해 설명되었지만, 예컨대 전기 액추에이터가 사용될 수 있다.
수직 및 회전 운동은 피스톤-샤프트 커플링(180)을 통해 공압 피스톤(173)에 의해 구동되는 기판 리프팅 샤프트(176)의 말단부에 커플링되는 하나 이상의 리프트 핀(171)을 통해 마이크로 전자 가공물에 커플링된다. 3개 이상의 리프트 핀(171)이 가동형 척(130)의 하나 이상의 개구(177, 178)를 통해 연장되도록 배치된다. 하나 이상의 개구(177, 178)는 2개의 아치형 슬롯을 포함할 수 있다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 2개의 리프트 핀은 제1 개구(177)를 통해 연장되고 가공물 리프팅 샤프트(176)의 샤프트 축선을 중심으로 회전될 수 있고, 하나의 리프트 핀은 제2 개구(178)를 통해 연장되고 가공물 리프팅 샤프트(176)의 샤프트 축선을 중심으로 회전될 수 있다. 대안적으로, 3개 이상의 리프트 핀(171)은 적절한 크기의 단일 개구를 통해 연장될 수 있다. 그러나, 마이크로 전자 가공물의 온도 제어가 중요하면, 마이크로 전자 가공물에서의 온도 변동을 방지 또는 감소시키도록 하나 이상의 개구(177, 178)의 총 면적을 최소화시키는 것이 바람직할 수 있다. 도시하지 않았지만, 회전 가능한 테이블(175)에 커플링된 인덱싱 모터는 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 3개 이상의 리프트 핀(171) 상의 마이크로 전자 가공물을 가동형 척(130)에 대해 회전시키도록 구성된다.
도 6의 상세도에 도시된 바와 같이, 피스톤-샤프트 커플링(180)은 2개의 샤프트들 간에 정렬 또는 오정렬된 운동 전달(선형 및 회전 모두)을 제공하는 유니버셜 조인트를 포함할 수 있다. 피스톤-샤프트 커플링(180)은 가공물 리프팅 샤프트(176) 상에 센터링되고 고정된 제1 U형 부재(182)와, 공압 피스톤(173) 상에 센터링되고 고정된 제2 U형 부재(184), 및 링형 부동 부재(186)를 구비할 수 있고, 제1 U형 부재(182)는 제1 축선(191) 상에 정렬되는 제1 쌍의 직경 방향으로 배열된 숄더 스크류를 통해 링형 부동(浮動) 부재(186)에 커플링되고, 제2 U형 부재(184)는 제1 축선(191)에 직교하는 제2 축선(192) 상에 정렬되는 제2 쌍의 직경 방향으로 배열된 숄더 스크류를 통해 링형 부동 부재(186)에 커플링된다. 도 6의 유니버셜 조인트는, 가공물 리프팅 샤프트(176)(즉, 제1 샤프트)와 공압 피스톤(173)(즉, 제2 샤프트) 사이에 오정렬이 발생할 때에, 예컨대 결속 및 백래시(back-lash) 없이 운동 커플링을 제공한다. 오정렬은 편축 세트(예컨대, 축선 정렬의 편차), 각도 편차(예컨대, 비평행 샤프트들), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 도 6의 유니버셜 조인트는 가공물 리프팅 샤프트(176)(즉, 제1 샤프트) 상에 임의의 측방향 힘을 감소시키거나 최소화시키고, 이는 예컨대 진공 시일(아래의 설명 및 도 7 참조)에서 진공 무결성을 보존하고, 진공 시일 마모를 감소시키며, 특히 운동 전달 설계를 간소화시킨다(예컨대, 심 등을 제거한다).
도 7의 부분 단면도에 도시된 바와 같이, 가공물 회전 구동 시스템(160)은, O링 시일(192)을 통해 처리 챔버(120)와 제1 진공 시일을 달성하고 슬라이딩 샤프트 시일(194)을 통해 가공물 리프팅 샤프트(176)와 제2 진공 시일을 달성하는 챔버 장착 플랜지(190)를 더 포함한다. 가공물 리프팅 샤프트(176)는 베어링(195) 상에서 회전하고 병진한다. 또한, 슬라이딩 샤프트 시일(194)을 통해 이루어진 가공물 리프팅 샤프트(176)와 제2 진공 시일 사이의 공간은 커플링(196)에 대한 진공 라인 연결을 통해 달리 펌핑될 수 있다.
도 8은 한 실시예에 따른 유체 스프레이와 노출된 표면의 충돌을 통해 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하기 위한 방법을 예시한다. 방법은 흐름도(200)로 예시되어 있고, 210에서, 처리 챔버 내에 작동식으로 배치 구성되는 노즐로부터 유체 스프레이를 제공하기 위해 내부 공간을 획정하는 처리 챔버 내의 가동형 척 상에 처리될 마이크로 전자 가공물을 배치하는 것으로 시작하는데, 마이크로 전자 가공물은 마이크로 전자 가공물의 상면 상에의 유체 스프레이의 직접적인 충돌로부터 떨어진 로딩 위치에 위치해 있는 가동형 척 상에 놓인다. 처리 챔버는 도 1 내지 도 7에 제시된 실시예들 중 임의의 하나를 포함할 수 있다.
220에서, 가동형 척은, 가공물의 상면의 제1 단편부가 유체 스프레이에 노출되도록 로딩 위치로부터 노즐 아래의 제1 프로세싱 위치로 가공물과 함께 스캐닝된다.
230에서, 마이크로 전자 가공물은 노즐에 대해 회전된다. 일 실시예에서, 마이크로 전자 가공물의 회전은 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것을 포함한다
다른 실시예에서, 마이크로 전자 가공물의 회전은, (i) 제1 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 전에 그리고 유체 스프레이가 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면 상에 충돌하지 않는 동안에; (ⅱ) 제1 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 중에 그리고 유체 스프레이가 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면 상에 충돌하는 동안에; (ⅲ) 제1 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 후에 그리고 유체 스프레이가 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면 상에 충돌하는 동안에; 또는 (ⅳ) 제1 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 후에 그리고 유체 스프레이가 마이크로 전자 가공물의 노출된 표면 상에 충돌하지 않는 동안에 수행된다.
다른 실시예에서, 마이크로 전자 가공물의 회전은, (1) 가동형 척을 제1 프로세싱 위치에 대해 스캐닝하기 전에, 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것; (2) 제1 프로세싱 위치에 대한 가동형 척의 스캐닝 후에, 가동형 척을 제1 프로세싱 위치로부터 로딩 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 복귀시키는 것; 및 (3) 제1 프로세싱 위치로부터 가동형 척의 복귀 후에, 마이크로 전자 가공물을 제2 예정된 인덱싱 배향으로부터 다시 제1 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱시키는 것을 포함할 수 있다. 방법은, (4) 마이크로 전자 가공물의 상기 상면의 제2 단편부가 유체 스프레이에 노출되도록 로딩 위치로부터 노즐 아래의 제2 프로세싱 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계; 및 (5) 제2 프로세싱 위치에 대한 가동형 척의 스캐닝 후에, 가동형 척을 제2 프로세싱 위치로부터 로딩 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 복귀시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
단계 (1) 내지 (5)에 제시된 본 실시예에 따르면, 마이크로 전자 가공물은 동일한 배향으로 처리 챔버에 진입하고 빠져나간다. 제2 예정된 인덱싱 배향은, 예컨대 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 약 180도 각도 회전을 포함할 수 있다. 마이크로 전자 가공물은 일정 직경을 특징으로 하는 원형 기판을 포함하고, 가동형 척을 로딩 위치로부터 제1 프로세싱 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계는, 직경의 약 50%로부터 직경의 약 80%까지의 범위인 마이크로 전자 가공물의 직경 스팬을 유체 스프레이에 대해 노출시킨다. 게다가, 가동형 척을 로딩 위치로부터 제2 프로세싱 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계는, 직경의 약 50%로부터 직경의 약 80%까지의 범위인 마이크로 전자 가공물의 직경 스팬을 유체 스프레이에 대해 노출시킨다. 제1 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 중에 그리고 제2 프로세싱 위치에 대한 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 중에 직경 스팬은 상기 특정한 범위보다 많거나 적을 수 있다.
또 다른 실시예에서, 마이크로 전자 가공물의 회전은, (1) 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것; 및 이어서 (2) 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면의 제2 단편부가 상기 유체 스프레이에 노출되도록 로딩 위치로부터 노즐 아래의 제2 프로세싱 위치로 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정한 실시예만을 위에서 상세하게 설명하였지만, 관련 기술분야에서 숙련된 자는, 본 발명의 신규한 교시 및 이점으로부터 실질적으로 벗어남이 없이 많은 수정이 실시예에서 가능하다는 것을 쉽게 알 것이다. 따라서, 그러한 모든 수정은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 유체와 표면의 충돌을 통해 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하기 위한 장치로서,
    처리 챔버 내에서 적어도 하나의 유체에 의해 마이크로 전자 가공물을 처리하기 위한 내부 공간을 획정하는 처리 챔버;
    상기 처리 챔버 내에서 상기 마이크로 전자 가공물을 지지하는 가동형 척으로서, 상기 마이크로 전자 가공물은 상기 적어도 하나의 유체에 의한 프로세싱 위치에서 노출되는 상면을 갖는 것인 가동형 척;
    상기 가동형 척에 작동식으로 커플링되고, 가공물 로딩 위치와 상기 가공물이 상기 적어도 하나의 유체에 의해 처리되는 적어도 하나의 프로세싱 위치 사이에서 상기 가동형 척을 병진시키도록 구성되는 가공물 병진 구동 시스템;
    상기 처리 챔버에 작동식으로 커플링되고 상기 가공물을 회전시키도록 구성되는 가공물 회전 구동 시스템; 및
    상기 가동형 척이 상기 적어도 하나의 프로세싱 위치에 위치 설정되고 상기 마이크로 전자 가공물을 지지할 때에, 상기 적어도 하나의 유체를 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면을 향해 지향시키는 데에 효과적인 방식으로 적어도 하나의 유체 공급부에 연결되고 상기 처리 챔버 내에 배치되는 적어도 하나의 노즐
    을 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가공물 병진 구동 시스템과 상기 가공물 회전 구동 시스템에 커플링되어 있고, 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 노즐에 대해 제어 가능하게 스캐닝하며 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 노즐에 대해 제어 가능하게 회전시키는 명령이 프로그래밍되어 있는 컨트롤러를 더 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하도록 프로그래밍되어 있는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가공물 회전 구동 시스템은 상기 가동형 척에 작동식으로 커플링되어 있고 상기 가동형 척 상의 마이크로 전자 가공물을 회전시키도록 구성되어 있는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가공물 회전 구동 시스템은 상기 가동형 척 상의 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하도록 구성되는 인덱싱 모터를 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 인덱싱 모터에 커플링되어 있고 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 제1 예정된 인덱싱 배향과 상기 제2 예정된 인덱싱 배향 사이에서 예정된 회전 속도로 회전시키도록 프로그래밍되어 있는 컨트롤러를 더 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가공물 회전 구동 시스템은, 상기 가동형 척 아래에 배치되어 있고 상기 마이크로 전자 가공물을 수직 방향으로 병진시키며 상기 가동형 척에 대해 회전시키도록 구성되어 있는 가공물 리프트 시스템을 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 가공물 리프트 시스템은, 상기 가동형 척의 하나 이상의 개구를 통해 연장되도록 배치되는 3개 이상의 리프트 핀, 상기 3개 이상의 핀을 수직 방향으로 병진시켜 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 가동형 척 위로 상승시키고 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 가동형 척에까지 하강시키도록 구성되는 수직 리프트 시스템, 및 상기 3개 이상의 리프트 핀 상의 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 상기 가동형 척에 대해 회전시키도록 구성되는 인덱싱 모터를 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가동형 척의 상기 하나 이상의 개구는, 상기 3개 이상의 리프트 핀이 통과하여 연장되고 상기 가동형 척에 대해 회전되게 하는 2개의 아치형 슬롯을 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 수직 리프트 시스템과 상기 인덱싱 모터에 커플링되어 있고, 상기 가공물을 상기 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 상기 제2 예정된 인덱싱 배향 사이에서 예정된 회전 속도로 회전시키도록 프로그래밍되어 있는 컨트롤러를 더 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 처리 챔버 내로 연장되어 있고 상기 3개 이상의 리프트 핀에 커플링되어 있는 제1 샤프트;
    병진 및 회전을 위해 상기 수직 리프트 시스템 및 상기 인덱싱 모터에 커플링되어 있는 제2 샤프트; 및
    상기 제1 샤프트와 상기 제2 샤프트 사이에 배치되어 상기 제2 샤프트로부터 상기 제1 샤프트로 병진 운동, 또는 회전 운동, 또는 병진 운동과 회전 운동 모두를 전달하는 유니버셜 조인트로서, 상기 유니버셜 조인트는 상기 제1 샤프트 상에 센터링되고 고정되는 제1 U형 부재, 상기 제2 샤프트 상에 센터링되고 고정되는 제2 U형 부재, 및 링형 부동(浮動) 부재를 포함하는 것인 유니버셜 조인트
    를 더 포함하고, 상기 제1 U형 부재는 제1 축선 상에 정렬되는 제1 쌍의 직경 방향으로 배열된 숄더 스크류를 통해 상기 링형 부동 부재에 커플링되고, 상기 제2 U형 부재는 제1 축선에 실질적으로 직교하는 제2 축선 상에 정렬되는 제2 쌍의 직경 방향으로 배열된 숄더 스크류를 통해 상기 링형 부동 부재에 커플링되는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 장치.
  12. 유체와 노출된 표면의 충돌을 통해 마이크로 전자 가공물의 표면을 처리하는 방법으로서,
    처리 챔버 내에 작동식으로 배치 구성되는 노즐로부터 유체를 제공하기 위해 내부 공간을 획정하는 처리 챔버 내의 가동형 척 상에 처리될 마이크로 전자 가공물을 배치하는 단계로서, 상기 마이크로 전자 가공물은 상기 마이크로 전자 가공물의 상면 상에의 상기 유체의 직접적인 충돌로부터 떨어진 로딩 위치에 위치해 있는 상기 가동형 척 상에 놓이는 것인 마이크로 전자 가공물 배치 단계;
    상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면의 제1 단편부가 유체에 노출되도록 상기 가동형 척을 로딩 위치로부터 상기 노즐 아래의 제1 프로세싱 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계; 및
    상기 마이크로 전자 가공물을 상기 노즐에 대해 회전시키는 단계
    를 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 마이크로 전자 가공물을 회전시키는 단계는 상기 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것을 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 마이크로 전자 가공물을 회전시키는 단계는, (i) 상기 제1 프로세싱 위치에 대한 상기 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 전에 그리고 유체가 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면 상에 충돌하지 않는 동안에; (ⅱ) 상기 제1 프로세싱 위치에 대한 상기 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 중에 그리고 유체가 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면 상에 충돌하는 동안에; (ⅲ) 상기 제1 프로세싱 위치에 대한 상기 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 후에 그리고 유체가 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면 상에 충돌하는 동안에; 또는 (ⅳ) 상기 제1 프로세싱 위치에 대한 상기 마이크로 전자 가공물의 스캐닝 후에 그리고 유체가 상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면 상에 충돌하지 않는 동안에 수행되는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 마이크로 전자 가공물을 회전시키는 단계는,
    상기 가동형 척을 상기 제1 프로세싱 위치에 대해 스캐닝하기 전에, 상기 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것;
    상기 제1 프로세싱 위치에 대한 상기 가동형 척의 스캐닝 후에, 상기 가동형 척을 상기 제1 프로세싱 위치로부터 상기 로딩 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 복귀시키는 것; 및
    상기 제1 프로세싱 위치로부터 상기 가동형 척의 복귀 후에, 상기 마이크로 전자 가공물을 상기 제2 예정된 인덱싱 배향으로부터 다시 상기 제1 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 것
    을 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 가공물의 상기 상면의 제2 단편부가 상기 유체에 노출되도록 상기 가동형 척을 상기 로딩 위치로부터 상기 노즐 아래의 제2 프로세싱 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계; 및
    상기 제2 프로세싱 위치에 대한 상기 가동형 척의 스캐닝 후에, 상기 가동형 척을 상기 제2 프로세싱 위치로부터 상기 로딩 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 복귀시키는 단계
    를 더 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 예정된 인덱싱 배향은 상기 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 약 180도 각도 회전인 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 대상물은 일정 직경을 특징으로 하는 원형 기판을 포함하고, 상기 가동형 척을 상기 로딩 위치로부터 상기 제1 프로세싱 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계는, 상기 직경의 약 50%로부터 상기 직경의 약 80%까지의 범위인 상기 마이크로 전자 가공물의 직경 스팬을 상기 유체에 대해 노출시키며, 상기 가동형 척을 상기 로딩 위치로부터 상기 제2 프로세싱 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계는, 상기 직경의 약 50%로부터 상기 직경의 약 80%까지의 범위인 상기 마이크로 전자 가공물의 직경 스팬을 상기 유체에 대해 노출시키는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 회전 중에 상기 마이크로 전자 가공물을 제1 예정된 인덱싱 배향으로부터 제2 예정된 인덱싱 배향으로 회전 가능하게 인덱싱하는 단계; 및 이어서
    상기 마이크로 전자 가공물의 상기 상면의 제2 단편부가 상기 유체에 노출되도록 상기 가동형 척을 상기 로딩 위치로부터 상기 노즐 아래의 제2 프로세싱 위치로 상기 마이크로 전자 가공물과 함께 스캐닝하는 단계
    를 더 포함하는 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 유체는 에어로졸을 포함하는 것인 마이크로 전자 가공물의 표면 처리 방법.
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