WO2010021020A1 - レジスト除去方法及びレジスト除去装置 - Google Patents

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resist
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anisotropic
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恭太 森平
セ ヨル パク
ヨン ホ リ
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アクアサイエンス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method and apparatus for removing a resist after pattern formation from a substrate in a substrate on which pattern formation is performed using a resist, such as a semiconductor wafer, a liquid crystal panel substrate, an electronic circuit substrate, and the like.
  • a resist such as a semiconductor wafer, a liquid crystal panel substrate, an electronic circuit substrate, and the like.
  • a resist pattern is formed as a protective film on the substrate by an etching process or an ion implantation process.
  • unnecessary substances such as polymer residues deposited on the surface of the object in the etching process need to be removed after the process.
  • (1) plasma ashing and (2) a technique of removing with chemicals are used. For example, most of the resist that is no longer needed in each process is removed by ashing with isotropic plasma, and the remaining residue is removed by decomposing and dissolving with, for example, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide. It is.
  • the thickness of the deteriorated layer does not increase so much, so that it can be removed without residue by isotropic plasma treatment and wet treatment.
  • the difficulty of removal increases as the implantation amount increases.
  • an injection amount of 1E16ion / cm 2 is becoming common, but with this injection amount, it may be difficult to completely remove organic substances by one ashing and wet cleaning, and the same process is performed several times. It has been forced to go through, and in some cases it cannot be removed.
  • Non-Patent Document 1 a technique of removing the resist by performing downflow ashing after processing by RIE.
  • the number of ions implanted in the ion implantation process increases on the upper surface of the resist, so that the altered layer on the upper surface becomes thick and difficult to remove, resulting in a longer processing time.
  • popping is likely to occur due to the heat of the plasma.
  • popping is a phenomenon in which moisture and residual organic solvent left inside the resist rapidly expand and burst due to heating during ashing.
  • an object of the present invention is to provide a method for removing the resist after the ion implantation step without generating a residue in order to solve the above-described problems.
  • the present invention (1) is a method for removing a resist from a substrate having a resist whose surface is an altered layer. Performing an anisotropic plasma treatment on the substrate to remove at least a part of the altered layer; A wet cleaning step of removing the resist on the substrate with a processing medium after the anisotropic plasma processing step;
  • a resist removal method characterized by comprising:
  • the present invention (2) is an isotropic plasma treatment in which an isotropic plasma treatment is performed on the substrate after the anisotropic plasma treatment step and before the wet cleaning step to remove the altered layer. It is the resist removal method of the said invention (1) including a process.
  • This invention (3) is the resist removal method of the said invention (1) or (2) which uses ozone water at the said wet cleaning process.
  • This invention (4) is the resist removal method of the said invention (3) using the said ozone water heated.
  • the present invention (5) is the resist removal method according to any one of the inventions (1) to (4), wherein bias power is applied in the anisotropic plasma treatment step.
  • the present invention (6) is the resist removal method of the invention (5) performed while adjusting the applied power of the bias power.
  • the contact time of the plasma gas is controlled in accordance with the formation conditions of the altered layer on the resist surface, and the unmodified layer is increased.
  • process control is performed according to the analysis result of the reaction gas discharged during resist removal, and The method for removing a resist according to any one of the inventions (1) to (7), which leaves most of the invention.
  • the temperature of the substrate is equal to or higher than a temperature at which heat energy enabling removal of the deteriorated layer by plasma can be provided.
  • the present invention is a resist removal system for removing a resist whose surface is an altered layer from a substrate.
  • a gas supply unit for example, gas supply units 111 and 511
  • a plasma generation unit for example, plasma generation units 130 and 530
  • a bias power application unit that imparts anisotropy to the plasma gas (eg, bias power application unit 140, 540);
  • a stage unit for example, stages 150 and 550) for bringing the plasma gas supplied from the plasma generation unit into contact with the substrate;
  • An anisotropic plasma processing apparatus for example, anisotropic plasma processing apparatus 100, anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 that removes the altered layer on the resist surface having A resist removal system (for example, resist removal systems S1 and S2).
  • the present invention (11) includes the resist removal system (for example, the invention (10)) having an isotropic plasma processing apparatus (for example, isotropic plasma processing apparatus 200, anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500).
  • This is a resist removal system S1,2).
  • the anisotropic plasma processing apparatus can also generate isotropic plasma (for example, the anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500), and the resist removal system of the invention (11) (for example, a resist removal system S2).
  • isotropic plasma for example, the anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500
  • resist removal system of the invention (11) for example, a resist removal system S2.
  • the bias power application unit for example, an anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 having a switch 543
  • the resist removal system according to the invention (12) for example, a resist removal system S2.
  • the bias power application unit can adjust the applied power (for example, an anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 having a power adjustment means 544), and the resist removal according to the invention (13).
  • a system for example, a resist removal system S2).
  • the isotropic plasma processing apparatus is different from the anisotropic plasma processing apparatus,
  • a gas supply unit for example, a gas supply unit 211
  • An isotropic plasma generation unit for example, a plasma generation unit 220
  • a stage unit for example, stage 230
  • the resist removal system for example, resist removal system S1 of the invention (11).
  • the present invention (16) is the resist removal system (for example, the resist removal system S1, 2) according to any one of the inventions (10) to (15) having a wet cleaning apparatus (for example, the wet cleaning apparatus 300). .
  • the wet cleaning apparatus comprises: A processing medium supply unit (for example, the processing medium supply unit 310); A stage unit (for example, stage 320) for bringing the processing medium supplied from the processing medium supply unit into contact with the substrate;
  • a resist removal system according to the invention (16) for example, resist removal systems S1 and S2.
  • the present invention (18) is the resist removal system (for example, resist removal system S1, 2) of the invention (17) further having an ozone water generation unit (for example, ozone water generation unit 314).
  • an ozone water generation unit for example, ozone water generation unit 314.
  • the present invention (19) is the resist removal system (for example, the resist removal system S1, 2) of the invention (17) or (18) having a heating unit (for example, the heating unit 312) for heating the processing medium. .
  • the “altered layer” means an ion implantation resist or a side wall protective film.
  • a “system” is not only an “apparatus” that houses each component in an integrated manner, but also each component is placed in a physically separated position (for example, a plant), or each component is information Even if it is not connected in a communicable manner, it is applicable to the system as long as it has all the components having the functions defined in the claims. “Leave most of the unaltered layer” means to leave the unaltered layer to such an extent that the unaltered layer is not completely removed and a residue due to plasma treatment is not generated.
  • the method according to the present invention (1) makes it possible to remove a resist without generating a residue even after ion implantation. Furthermore, since the removal rate is high in the anisotropic plasma process, low temperature processing is possible, and processing can be performed without causing popping.
  • the isotropic plasma process is continuously performed after the anisotropic plasma treatment. As a result, it is possible to remove the deteriorated layer on the remaining side surface.
  • the activity of ozone water is enhanced and the resist can be effectively removed.
  • the degree of anisotropy of plasma can be adjusted by adjusting the applied power of the bias power, and the horizontal plasma treatment can be performed simultaneously. It has the effect of becoming.
  • the anisotropic plasma treatment step and / or the isotropic plasma treatment step can be stopped at just the right timing, and the time efficiency of the step can be improved.
  • the resist removal can be promoted without causing popping.
  • the altered layer can be efficiently removed, and the time efficiency of the process can be improved.
  • the isotropic plasma processing can be efficiently performed after the anisotropic plasma processing. Play.
  • the anisotropic plasma processing apparatus can also generate isotropic plasma, the process from anisotropic plasma processing to isotropic plasma processing can be performed more efficiently. There is an effect that it can be performed.
  • the bias power can be adjusted, so that the degree of plasma anisotropy can be adjusted, and the horizontal plasma processing can be performed simultaneously. Play.
  • the entire throughput including the wet processing can be increased by performing isotropic processing in another chamber after the anisotropic processing is completed. There is an effect that it can be improved.
  • the system according to the present invention (16) has an effect that the process can be efficiently transferred to the wet cleaning process.
  • the system according to the present invention (17) has an advantage that it can be efficiently transferred to a wet chamber after plasma by so-called single wafer processing. Moreover, since the present invention performs wet cleaning by single wafer processing, unlike batch processing, there is an effect of eliminating the problem of cross contamination (reattachment of dust remaining in the tank) in the batch tank. Furthermore, since the present invention performs wet cleaning by single-wafer processing, there is an effect that it is suitable for maintaining high-temperature and high-concentration ozone water when ozone water is used.
  • FIG. 1 is a schematic view of a resist removal system S1 according to a first embodiment.
  • the resist removal system S1 includes an anisotropic plasma processing apparatus 100, an isotropic plasma apparatus 200, and a wet cleaning apparatus 300.
  • the transfer device 400 is provided between the devices in that all processes can be performed automatically and continuously.
  • the transport device 400 is not particularly limited, but the object holding unit 401, the operating unit 402 for operating the holding unit, and the holding unit 401 and the operating means 402 can be adjusted to an appropriate height. It is comprised from the support body 403.
  • Anisotropic Plasma Processing Apparatus includes a gas supply unit 111 and an anisotropic plasma generation unit 120 that generates an anisotropic plasma by bringing the gas supplied from the gas supply unit into a plasma state. And a stage 150 for placing the substrate and bringing the plasma gas into contact with the surface of the substrate. Further, it optionally includes a guiding means 160 for guiding the plasma gas generated by the plasma generating section to the surface of the processing object, a processing chamber 170, and a pressure reducing means 180 for reducing the pressure of the processing chamber. May be.
  • the anisotropic plasma generation unit 120 includes a plasma generation unit 130 that turns the gas supplied from the gas supply unit into a plasma state, and a bias power application unit 140 that gives anisotropy to the plasma.
  • the plasma generation unit 130 is not particularly limited as long as the gas supplied by the gas supply unit can be plasma.
  • the plasma generation unit 130 has a configuration in which the high-frequency coil 132 surrounds the periphery of the plasma generation unit main body 131.
  • a high-frequency power source 133 is connected to the high-frequency coil so that a current having a predetermined frequency can be supplied. It is also possible to employ a plasma generation mechanism other than the high frequency.
  • the bias power application unit 140 includes a bias electrode 141 and a bias power source 142 for applying power to the bias electrode.
  • the stage 150 is a stage that cools / heats the substrate because heat is generated on the substrate by the plasma processing performed by the apparatus, or the altered layer cannot be removed by plasma because the temperature is too low. It is preferable to provide the temperature adjustment unit 190.
  • the stage temperature adjusting unit 190 is not particularly limited, and is configured by, for example, a hot / cold water generating unit 191 for temperature control and a water circulation path (not shown). As a result, the substrate is heated with hot water supplied from the hot water / cold water generator or cooled with cold water, and the temperature on the substrate is set to a predetermined temperature.
  • the decompression unit 180 is not particularly limited as long as the pressure in the processing chamber can be lowered, but the vacuum pump 181 capable of sucking air in the processing chamber, and between the vacuum pump and the processing chamber.
  • the gas analyzer 182 is disposed, and a valve 183 is disposed between the gas analyzer and the processing chamber.
  • the isotropic plasma processing apparatus 200 includes a gas supply unit 211, a plasma generation unit 220 that converts the gas supplied from the gas supply unit into a plasma state, a substrate, and a surface of the substrate. And a stage 230 for bringing the plasma gas into contact therewith. Further, it optionally includes a guiding means 240 for guiding the plasma gas generated by the plasma generating section to the surface of the processing object, a processing chamber 250, and a pressure reducing means 260 for reducing the pressure of the processing chamber. May be.
  • the plasma generation unit 220 is not particularly limited as long as the gas supplied by the gas supply unit can be plasma.
  • the plasma generation unit 220 has a configuration in which the high-frequency coil 222 surrounds the periphery of the plasma generation unit main body 221.
  • a high-frequency power source 223 is connected to the high-frequency coil, and is connected so that a current having a predetermined frequency can be supplied.
  • a plasma generation mechanism other than the high frequency examples thereof include ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma, ICP (Inductively Coupled Plasma) plasma, helicon wave plasma, and the like.
  • the guiding means 240 is not particularly limited, but for example, it is preferable to configure the plasma gas to be supplied to the object via an ion blocking plate 241 formed of an insulator such as quartz.
  • the stage 230 is a stage that cools / heats the substrate because heat is generated on the substrate by the plasma processing performed by the apparatus, or the altered layer cannot be removed by plasma because the temperature is too low. It is preferable to provide the temperature adjustment unit 270.
  • the stage temperature adjusting unit 270 is not particularly limited, and includes, for example, a hot / cold water generating unit 271 for temperature control and a water circulation path (not shown). As a result, the substrate is heated with hot water supplied from the hot water / cold water generator or cooled with cold water, and the temperature on the substrate is set to a predetermined temperature.
  • the decompression means 260 is not particularly limited as long as the pressure in the processing chamber can be lowered, but a vacuum pump 261 capable of sucking air in the processing chamber, and between the vacuum pump and the processing chamber.
  • the gas analyzer 262 is disposed, and a valve 263 is disposed between the gas analyzer and the processing chamber.
  • the wet cleaning apparatus 300 includes a processing medium supply unit 310 and a stage 320 for bringing the processing medium supplied from the processing medium supply unit into contact with the substrate.
  • the processing medium supply unit 310 includes a processing medium supply tank 311, a heating unit 312 for heating the processing medium, and a supply nozzle 313 for supplying the processing medium to the substrate.
  • the heating unit 312 is disposed between the processing medium supply tank 311 and the supply nozzle 313, but is not particularly limited thereto, and may be installed in the supply tank, for example.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram of a resist removal system S2 according to the second embodiment.
  • the resist removal system S2 includes an anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 capable of switching between anisotropic plasma processing and isotropic plasma processing, and a wet cleaning apparatus 300. Since the wet cleaning apparatus 300 here has the same configuration as the wet cleaning apparatus of the resist removal system S1 according to the first embodiment, the same reference numerals are given here and detailed description thereof is omitted. Also in this embodiment, it is preferable to provide the transfer device 400 between the anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 and the wet cleaning apparatus 300. Since the transfer device 400 is the same as the transfer device 400 of the resist removal system S1 according to the first embodiment, the same reference numerals are given and detailed description thereof is omitted.
  • An anisotropic isotropic plasma processing apparatus 500 includes a gas supply unit 511 and a gas supplied from the gas supply unit in a plasma state to perform anisotropic plasma or isotropic plasma.
  • the anisotropic isotropic plasma generation unit 520 includes a plasma generation unit 530 that converts the gas supplied from the gas supply unit into a plasma state, a bias power application unit 540 that provides anisotropy to the plasma, Have
  • the plasma generation unit 530 is not particularly limited as long as the gas supplied by the gas supply unit can be plasma.
  • the plasma generation unit 530 has a configuration in which a high-frequency coil 532 surrounds the plasma generation unit main body 531.
  • a high-frequency power source 533 is connected to the high-frequency coil, and is connected so that a current having a predetermined frequency can be supplied. It is also possible to employ a plasma generation mechanism other than the high frequency.
  • the bias power application unit 540 includes a bias electrode 541, a bias power source 542 for applying a voltage to the bias electrode, a switch 543 capable of on / off control of power application to the bias electrode, and the power Power adjusting means 544 capable of adjusting the power. By switching on / off of the bias voltage application, it is possible to switch between anisotropic plasma processing and isotropic plasma processing.
  • the stage 550 is a stage that cools / heats the substrate because heat is generated on the substrate due to the plasma processing performed by the apparatus or the altered layer cannot be removed by the plasma because the temperature is too low. It is preferable to provide a temperature adjustment unit 590.
  • the stage temperature adjusting unit 590 is not particularly limited, and includes, for example, a hot / cold water generating unit 591 for temperature control and a water circulation path (not shown). As a result, the substrate is heated with hot water supplied from the hot water / cold water generator or cooled with cold water, and the temperature on the substrate is set to a predetermined temperature.
  • the decompression unit 580 is not particularly limited as long as the pressure in the processing chamber can be lowered.
  • the vacuum pump 581 capable of sucking air in the processing chamber, and between the vacuum pump and the processing chamber are provided.
  • the gas analyzer 582 is arranged, and a valve 583 is arranged between the gas analyzer and the processing chamber.
  • FIG. 3A shows a situation in which a resist 2 is formed on the surface of a silicon wafer substrate 1 on which a SiO 2 layer is constructed.
  • an altered layer 2a is formed, and an unmodified layer 2b is provided on the inside thereof.
  • the altered layer 2a is not particularly limited, for example, it is formed by an anisotropic process such as ion implantation, and the ions are implanted from the upper side to the lower side in FIG. ing.
  • anisotropic plasma process is performed on the substrate 1, and only a part of the upper part of the altered layer 2a is removed as shown in FIG. 3B (anisotropic plasma process step). Subsequently, isotropic plasma treatment is performed to remove the altered layer 2a as shown in FIG. 3C (isotropic plasma treatment step). Next, as shown in FIG. 3D, the resist that has become the unaltered layer 2b is removed by bringing it into contact with the processing medium (wet cleaning step).
  • the anisotropic plasma processing step the isotropic plasma processing step, and the wet cleaning step will be described in detail.
  • the anisotropic plasma processing step performs anisotropic plasma processing on a substrate having a resist whose surface is composed of a modified layer.
  • the anisotropic plasma processing means ashing in which the processing speed in the depth direction is larger than the processing speed in the horizontal direction.
  • a plasma gas is generated, and further, anisotropy is imparted to the plasma gas by applying a bias power to bring it into contact with the substrate surface.
  • Adjustment of the plasma anisotropy in the anisotropic plasma processing step according to the best mode can be performed mainly by applying a bias power. That is, isotropic processing can be performed by adjusting the processing conditions by applying bias power, and the altered layer 2a formed on the resist surface on the substrate can be removed.
  • the altered layer 2a is, for example, a cured layer after ion implantation
  • the ions are implanted in the depth direction of the resist. Becomes relatively thin. Therefore, the altered layer 2a can be quickly removed by setting an appropriate condition in accordance with the shape of the altered layer and performing anisotropic plasma treatment.
  • the electric power applied to the bias electrode depends on the properties of the deteriorated layer, but is preferably 50 to 1000 W, for example, and more preferably 500 to 1000 W. If the power is strong, the removal rate of the deteriorated layer is improved. On the other hand, if it is too strong, the deteriorated layer may be scraped off due to the sputtering effect, and debris may be scattered on the wafer surface, making it difficult to remove. Also, when it is desired to reduce damage to the wafer surface due to bias power, the power should be low.
  • Type of gas to be used is not particularly limited, for example, hydrogen, oxygen, nitrogen, water vapor, and a CF 4 or a combination thereof.
  • these gases when hydrogen gas is used, since hydrogen atoms generate a covalent bond with only one atom, the component of the altered layer is likely to have a low molecular weight, and as a result, the resist residue is hardly left.
  • the use of O 2 gas an effect that can be processed more quickly.
  • the O 2 gas is quickly removed, and subsequently, in the isotropic plasma process, a residue is left using the H 2 gas. It is preferable to cleanly remove the altered layer.
  • the conditions for determining the thickness are implantation ion species and implantation energy.
  • the ion species are mainly B, P, and As, but the smaller the ion size, the deeper the resist layer, the deeper the resist layer is implanted. Therefore, if the implantation energy is the same, the altered layer of B becomes the thickest. Since the implantation energy is a parameter that controls the depth of ion implantation, the altered layer becomes thicker as the implantation energy increases.
  • the contact time becomes longer as the injection amount increases.
  • ions having a larger atomic weight depending on the ion species have a higher cohesive force and thus a longer contact time. That is, the ionic species, particularly the atomic weight, affects the thickness and density of the altered layer. For this reason, although generally small B is easier to remove than As, it has a trade-off relationship that the contact time becomes longer because the thickness of the deteriorated layer becomes thicker. In addition, it is generally considered difficult to remove As, but the experimental results show that the thickness of the altered layer is most effective. Accordingly, it is relatively easy to remove As with a thin altered layer.
  • the process control according to the reaction gas analysis result is not particularly limited.
  • the spectrum of the plasma emission in the chamber is taken, the spectrum of the reactant of the process gas and the ions contained in the altered layer is detected, and the spectrum is It is possible to perform an automatic control that determines that the removal of the deteriorated layer is completed at the time of disappearance and ends the process.
  • the stage temperature is preferably not less than the temperature at which the thermal energy enabling the removal of the deteriorated layer by plasma can be provided and less than the popping generation temperature, and is not particularly limited.
  • the temperature is preferable, and 40 to 80 ° C. is more preferable. By setting the temperature range, popping is less likely to occur, and furthermore, since it has a sufficient surface temperature, the plasma gas and the altered resist react and are removed. Note that when UV curing is performed before ion implantation, the popping temperature rises, so that processing at a higher temperature is possible.
  • the temperature adjustment can be adjusted by the stage temperature adjusting unit according to the first and second embodiments.
  • the stage temperature can be measured by a temperature sensor installed near the surface of the plasma stage. Although the kind of temperature sensor is not specifically limited, For example, it can measure with a thermocouple.
  • Isotropic plasma processing step In the isotropic plasma processing step, an isotropic plasma processing is performed on a substrate having a resist in which the surface of the upper portion after the anisotropic plasma processing has been ashed is composed of a modified layer.
  • isotropic plasma processing means plasma processing in which the processing speed in the depth direction and the processing speed in the horizontal direction are comparable.
  • Type of gas to be used is not particularly limited, for example, hydrogen, oxygen, nitrogen, water vapor, and a CF 4 or a combination thereof.
  • hydrogen gas when hydrogen gas is used, the hydrogen gas generates a covalent bond with only one molecule, so that the component of the altered resist is easily reduced in molecular weight, and as a result, the resist residue is hardly left.
  • the conditions for determining the thickness are implantation ion species and implantation energy.
  • the ion species are mainly B, P, and As, but the smaller the ion size, the deeper the resist layer, the deeper the resist layer is implanted. Therefore, if the implantation energy is the same, the altered layer of B becomes the thickest. Since the implantation energy is a parameter that controls the depth of ion implantation, the altered layer becomes thicker as the implantation energy increases.
  • the contact time becomes longer as the injection amount increases.
  • ions having a larger atomic weight depending on the ion species have a higher cohesive force and thus a longer contact time. That is, the ionic species, particularly the atomic weight, affects the thickness and density of the altered layer. For this reason, although generally small B is easier to remove than As, it has a trade-off relationship that the contact time becomes longer because the thickness of the deteriorated layer becomes thicker. In addition, it is generally considered difficult to remove As, but the experimental results show that the thickness of the altered layer is most effective. Accordingly, it is relatively easy to remove As with a thin altered layer.
  • the process control according to the reaction gas analysis result is not particularly limited.
  • the spectrum of the plasma emission in the chamber is taken, the spectrum of the reactant of the process gas and the ions contained in the altered layer is detected, and the spectrum is It is possible to perform an automatic control that determines that the removal of the deteriorated layer is completed at the time of disappearance and ends the process.
  • the stage temperature is preferably not less than the temperature at which the thermal energy enabling the removal of the deteriorated layer by plasma can be provided and less than the popping generation temperature, and is not particularly limited.
  • the temperature is preferred, and 40 to 80 ° C. is more preferred.
  • popping is less likely to occur, and furthermore, since it has a sufficient surface temperature, the plasma gas and the altered resist react and are removed. Note that when UV curing is performed before ion implantation, the popping temperature rises, so that processing at a higher temperature is possible.
  • the temperature adjustment can be adjusted by the stage temperature adjusting unit according to the first and second embodiments.
  • the stage temperature can be measured by a temperature sensor installed near the surface of the plasma stage. Although the kind of temperature sensor is not specifically limited, For example, it can measure with a thermocouple.
  • wet cleaning step the resist from which the altered layer has been removed in the anisotropic plasma processing step and / or isotropic plasma processing step is removed with a processing medium.
  • a processing medium a known technique can be used, and for example, chemical solution removal, water vapor irradiation, mixed phase fluid irradiation, or the like can be used.
  • it does not specifically limit as a processing medium However, Functional water, a chemical
  • ozone water or hydrogen water can be used as the functional water, and a chemical solution such as hydrochloric acid may be added to the functional water.
  • inorganic acid chemical solution such as sulfuric acid-perwater, hydrochloric acid-perwater, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid aqueous solution, inorganic base chemical solution such as ammonia-perhydrogenated water, and organic such as alkylbenzene sulfonic acid.
  • An acid chemical solution or an organic base chemical solution such as ethanolamine can be used.
  • ozone water it is particularly preferable to use ozone water.
  • the activity of the ozone water can be increased and the unmodified layer 2b can be removed in a short time. Therefore, it is preferable to warm the ozone water. It is the optimal range.
  • the sample was prepared by implanting P ions into the resist pattern with an implantation energy of 110 keV to an implantation amount of 1E16 ion / cm 2 at an implantation angle of 7 °.
  • a cross-sectional SEM photograph of the resist pattern after ion implantation is shown in FIG. In FIG. 4, 2a is an altered layer and 2b is an unaltered layer.
  • the sample was processed using an Aurora (manufactured by Aqua Science) having an ICP plasma device capable of applying a Bias voltage and an ozone water cleaning device.
  • FIG. 5 shows a cross-sectional SEM photograph after the plasma treatment.
  • 2b is an unmodified layer after the treatment.
  • the plasma-treated sample was treated with ozone water at 80 ° C. and 90 ppm for 90 seconds.
  • An SEM photograph of the wafer surface after processing is shown in FIG.
  • reference numeral 3 denotes the wafer surface, and the resist after ion implantation is completely removed without any residual.
  • the present invention can be widely used in the process of removing the resist from the substrate.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram of a resist removal system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram of a resist removal system according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram of a resist removal process according to the best mode.
  • FIG. 4 is a cross-sectional SEM photograph of the resist pattern after ion implantation used in the examples.
  • FIG. 5 is a cross-sectional SEM photograph after plasma treatment of the example.
  • FIG. 6 is a SEM photograph of the wafer surface after the ozone water treatment in the example.

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Abstract

【課題】　イオン注入工程後のレジストであっても、残渣を発生させずに除去する方法の提供。 【解決手段】　表面が変質層であるレジストを有する基板から、レジストを除去する方法において、前記基板に対して異方性プラズマ処理を行い前記変質層の少なくとも一部を除去する、異方性プラズマ処理工程と、前記異方性プラズマ処理工程後、前記基板上のレジストを処理媒体で除去する、ウェット洗浄工程と、を含むことを特徴とするレジスト除去方法。  

Description

レジスト除去方法及びレジスト除去装置
　本発明は、半導体ウェハ、液晶パネルの基板、電子回路基板等、レジストを用いてパターン形成を行う基板において、パターン形成後のレジストを基板から除去する方法及び装置に関する。
　半導体、ハードディスク、液晶ディスプレイ、プリント基板又はフラットパネルディスプレイ等の製造工程において、エッチング工程やイオン注入工程で基板上にレジストパターンが保護膜として形成される。ここで、対象物表面にエッチング工程で被着したポリマ残渣等の不要物は、当該工程後に剥離して除去される必要がある。ここで、レジスト膜の除去については、（１）プラズマ灰化、（２）化学薬品により除去する技術が用いられている。例えば、各工程で不要になったレジストは等方性プラズマによるアッシングで大部分が除去され、残りの残渣物を例えば硫酸と過酸化水素の混合液で分解・溶解して取り除く除去方法が一般的である。
　注入エネルギーが小さい場合には変質層の厚さはそれほど厚くならないため、等方性のプラズマ処理とウェット処理により残渣なく除去することは可能である。しかし、エッチング後に生成する残渣ポリマや、高ドーズイオン注入後のレジスト表面の変質層は完全に除去することが困難である。特にイオン注入後の変質レジストについては注入量が増加するにつれて除去の困難性は増す。現在のところ１Ｅ１６ｉｏｎ／ｃｍ２の注入量が一般的になってきているが、この注入量では一回のアッシングとウェット洗浄では有機物を完全に除去することが困難な場合があり、複数回同じ工程を経由せざるを得なくなってきており、場合によっては除去することが不可能となる。この場合にコストが高くなりかつ歩留まりが低下することが問題となる。このようなイオン注入後のレジストの剥離方法として、例えば、ＲＩＥにより処理した後に、ダウンフローアッシングを行いレジスト除去する技術が開示されている（非特許文献１）。
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９９３．３．Ｐ１１８～１２５
　近年、半導体装置の高集積化、高性能化に伴い、素子の微細化が進んでいる。従って、僅かな残渣が半導体基板上に残っていたとしても、不具合を発生する原因となり、製品の歩留の低下が発生する等の問題を生じる。前記の非特許文献１においても、論文中には残渣が発生するとの記載はないが、現在の分析技術により、処理後の基板を解析すれば残渣が確認される。これは、プラズマ処理のみにより完全にレジストを除去しようと試みると、変質層や未変質層に含まれる注入されたイオンや不純物とプラズマとガスとの間に化合物が形成され残渣として残るためであると考えられる。更に、当該残渣を除去することはかなり困難である。即ち、非特許文献１記載の方法によれば、除去困難な残渣が発生し、結果として、製品の不具合を発生させる原因となりえる。
　また、イオン注入後の変質層の除去についてはイオン注入工程で注入されるイオンがレジスト上面で多くなるため上面の変質層が厚くなり除去が困難となり、処理時間が長くなってしまう。処理時間が長くなると、プラズマの熱によってポッピングが生じやすくなる。ここで、ポッピングとは、レジスト内部に取り残された水分や残留有機溶剤がアッシング時の加熱によって急速に膨張し破裂する現象である。更に、当該ポッピングにより表面酸化膜に飛散した変質層は取り除くことが困難であることが知られている。
　そこで、本発明は、上記の課題解決のため、イオン注入工程後のレジストであっても、残渣を発生させずに除去する方法を提供することを目的とする。
　本発明（１）は、表面が変質層であるレジストを有する基板から、レジストを除去する方法において、
　前記基板に対して異方性プラズマ処理を行い前記変質層の少なくとも一部を除去する、異方性プラズマ処理工程と、
　前記異方性プラズマ処理工程後、前記基板上のレジストを処理媒体で除去する、ウェット洗浄工程と、
　を含むことを特徴とするレジスト除去方法である。
　本発明（２）は、前記異方性プラズマ処理工程後であって前記ウェット洗浄工程前に、更に、前記基板に対して等方性プラズマ処理を行い前記変質層を除去する等方性プラズマ処理工程を含む、前記発明（１）のレジスト除去方法である。
　本発明（３）は、前記ウェット洗浄工程で、オゾン水を用いる、前記発明（１）又は（２）のレジスト除去方法である。
　本発明（４）は、前記オゾン水を加温して用いる、前記発明（３）のレジスト除去方法である。
　本発明（５）は、前記異方性プラズマ処理工程で、バイアス電力を印加する、前記発明（１）～（４）のいずれか一つのレジスト除去方法である。
　本発明（６）は、前記バイアス電力の印加電力を調節しながら行う、前記発明（５）のレジスト除去方法である。
　本発明（７）は、前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、レジスト表面の変質層の形成条件に応じプラズマガスの接触時間を制御して未変質層の大部分を残す、前記発明（１）～（６）のいずれか一つのレジスト除去方法である。
　本発明（８）は、前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、レジスト除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行い、未変質層の大部分を残す、前記発明（１）～（７）のいずれか一つのレジスト除去方法である。
　本発明（９）は、前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、前記基板の温度を、前記変質層のプラズマによる除去を可能とする熱エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持する、前記発明（１）～（８）のいずれか一つのレジスト除去方法である。
　本発明（１０）は、表面が変質層であるレジストを基板から除去するレジスト除去システムにおいて、
　ガス供給部（例えば、ガス供給部１１１、５１１）と、
　前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してプラズマガスを生成させるプラズマ生成部（例えば、プラズマ生成部１３０、５３０）と、
　前記プラズマガスに対して異方性を与えるバイアス電力印加部（例えば、バイアス電力印加部１４０、５４０）と、
　前記プラズマ発生部から供給されるプラズマガスを基板に接触させるステージ部（例えば、ステージ１５０、５５０）と、
　を有するレジスト表面の変質層を除去する異方性プラズマ処理装置（例えば、異方性プラズマ処理装置１００、異方性等方性プラズマ処理装置５００）
　を備えることを特徴とするレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　本発明（１１）は、等方性プラズマ処理装置（例えば、等方性プラズマ処理装置２００、異方性等方性プラズマ処理装置５００）を有する、前記発明（１０）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　本発明（１２）は、前記異方性プラズマ処理装置が、等方性プラズマも発生可能である（例えば、異方性等方性プラズマ処理装置５００）、前記発明（１１）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ２）である。
　本発明（１３）は、前記バイアス電力印加部のオン／オフ制御が可能である（例えば、スイッチ５４３を有する異方性等方性プラズマ処理装置５００）、前記発明（１２）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ２）である。
　本発明（１４）は、前記バイアス電力印加部が、印加電力の調節が可能な（例えば、電力調整手段５４４を有する異方性等方性プラズマ処理装置５００）、前記発明（１３）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ２）である。
　本発明（１５）は、前記等方性プラズマ処理装置が、前記異方性プラズマ処理装置とは別に、
　ガス供給部（例えば、ガス供給部２１１）と、
　前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理する等方性プラズマ発生部（例えば、プラズマ生成部２２０）と、
　前記等方性プラズマ発生部から供給されるプラズマガスを基板に接触させるステージ部（例えば、ステージ２３０）と、
　を更に有する（例えば、等方性プラズマ処理装置２００）、前記発明（１１）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１）である。
　本発明（１６）は、ウェット洗浄装置（例えば、ウェット洗浄装置３００）を有する、前記発明（１０）～（１５）のいずれか一つのレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　本発明（１７）は、前記ウェット洗浄装置が、
　処理媒体供給部（例えば、処理媒体供給部３１０）と、
　前記処理媒体供給部から供給された処理媒体を前記基板に接触させるステージ部（例えば、ステージ３２０）と、
　を有する、前記発明（１６）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　本発明（１８）は、更に、オゾン水生成部（例えば、オゾン水生成部３１４）を有する、前記発明（１７）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　本発明（１９）は、前記処理媒体を加熱する加熱部（例えば、加熱部３１２）を有する、前記発明（１７）又は（１８）のレジスト除去システム（例えば、レジスト除去システムＳ１、２）である。
　ここで、本明細書において用いる各種用語の意味について解説する。「変質層」とは、イオン注入レジストや側壁保護膜を意味する。「システム」とは、各構成要素を一体的に収納している「装置」のみならず、各構成要素が物理的に離隔した位置に配されていたり（例えばプラント）、各構成要素同士が情報伝達可能に接続されていない場合も、請求の範囲に規定された機能を有する構成要素を全体として備えている限り、当該システムに該当する。「未変質層の大部分を残す」とは、未変質層をすべて除去せず、プラズマ処理による残渣を発生させない程度に未変質層を残すことを意味する。
　本発明（１）に係る方法により、イオン注入後であっても、残渣を発生させずにレジストを除去することが可能となる。更に、異方性プラズマプロセスでは除去速度が速いため低温処理が可能となり、ポッピングを発生させずに処理が可能となる。
　本発明（２）に係る方法により、側面の変質層等を異方性プラズマ処理のみでは除去しきれない場合であっても、当該異方性プラズマ処理後に連続して等方性プラズマプロセスを行うことで、残った側面の変質層を除去することが可能となるという効果を奏する。
　本発明（３）に係る方法及び本発明（１８）に係るシステムによれば、ウェット洗浄工程でオゾン水を用いることにより、例えば、加熱硫酸のように使用にも保存にも危険を伴い、環境負荷の大きい薬剤を使用することなく、またフッ素を含有する環境負荷の大きいガスを使用することなく、表面が変質したレジストを短時間で効率良く基板から除去することができるという効果を奏する。
　本発明（４）に係る方法及び本発明（１９）に係るシステムによれば、オゾン水の活性を高め、レジストを効果的に除去できるという効果を奏する。
　本発明（５）に係る方法によれば、バイアス電力を印加することにより、プラズマに対して容易に異方性を持たせることが可能となるという効果を奏する。
　本発明（６）に係る方法によれば、バイアス電力の印加電力を調節しながら行うことにより、プラズマの異方性の程度を調節することができ、水平方向のプラズマ処理も同時に行うことが可能となるという効果を奏する。
　本発明（７）に係る方法によれば、プラズマガスの接触時間を無意味に延ばさず、工程の時間効率を高めることができるという効果を奏する。
　本発明（８）に係る方法によれば、異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程を丁度良いタイミングで止め、工程の時間効率を高めることができるという効果を奏する。
　本発明（９）に係る方法によれば、ポッピングを発生させることなくレジストの除去を促進することができるという効果を奏する。
　本発明（１０）に係るシステムによれば、変質層を効率的に取り除くことが可能となり、工程の時間効率を高めることができるという効果を奏する。
　本発明（１１）に係るシステムによれば、更に、等方性プラズマ処理装置を有することにより、異方性プラズマ処理を行った後に、等方性プラズマ処理を効率的に行うことができるという効果を奏する。
　本発明（１２）に係るシステムによれば、異方性プラズマ処理装置が等方性プラズマも発生可能であることにより、異方性プラズマ処理から等方性プラズマ処理への工程をより効率的に行うことが可能となるという効果を奏する。
　本発明（１３）に係るシステムによれば、バイアス電力印加部のオン／オフ制御を可能とすることで、より効率的に異方性／等方性の切り替えを行うことが可能となるという効果を奏する。
　本発明（１４）に係るシステムによれば、バイアス電力の調節を可能とすることで、プラズマの異方性の程度を調節でき、水平方向のプラズマ処理も同時に行うことが可能となるという効果を奏する。
　本発明（１５）に係るシステムによれば、異方性プラズマの処理時間が長くなる試料では、異方性処理終了後に別チャンバーで等方性処理することでウェット処理までを含む全体のスループットを向上できるという効果を奏する。
　本発明（１６）に係るシステムによれば、効率的にウェット洗浄工程へと移行できるという効果を奏する。
　本発明（１７）に係るシステムによれば、いわゆる枚葉処理により、プラズマ後に効率よくウェットチャンバーに搬送できる利点を有する。また当該発明は、枚葉処理によりウェット洗浄を行うため、バッチ処理と違ってバッチ槽でのクロスコンタミ（槽中にのこるゴミの再付着）の問題がなくなるという効果を奏する。更に、当該発明は、枚葉処理によりウェット洗浄を行うため、オゾン水を用いる場合に高温高濃度のオゾン水を維持することに適しているという効果を奏する。
＜レジスト除去装置＞
第一の形態
　図１は、第一の形態に係るレジスト除去システムＳ１の概略図である。レジスト除去システムＳ１は、異方性プラズマ処理装置１００と、等方性プラズマ装置２００と、ウェット洗浄装置３００とにより構成される。また、各装置の間には、搬送装置４００が配されていることが、自動的かつ連続的に全工程を行うことが可能となる点で好適である。ここで、搬送装置４００は、特に限定されないが、対象物保持部４０１と、前記保持部を動作させるための作動部４０２と、当該保持部４０１及び作動手段４０２を適切な高さに調節可能な支持体４０３とから構成される。
異方性プラズマ処理装置
　異方性プラズマ処理装置１００は、ガス供給部１１１と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にして異方性プラズマを発生させる、異方性プラズマ発生部１２０と、基板を設置して当該基板の表面に前記プラズマガスを接触させるステージ１５０と、を有する。更に、任意で、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマガスを処理対象物表面へと誘導する誘導手段１６０や、処理チャンバ１７０や、前記処理チャンバを減圧にするための減圧手段１８０を有していてもよい。
　異方性プラズマ発生部１２０は、ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にするプラズマ生成部１３０と、前記プラズマに対して異方性を与えるためのバイアス電力印加部１４０と、を有する。プラズマ生成部１３０は、ガス供給手段により供給されるガスをプラズマとすることが可能であれば、特に限定されないが、例えば、当該プラズマ生成部本体１３１の周辺を高周波コイル１３２が取り巻く構成を有し、更に、当該高周波コイルに高周波電源１３３が接続されており、所定周波数の電流を供給可能に接続されている。また、当該高周波以外のプラズマ生成メカニズムを採用することも可能である。例えばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）プラズマ、ヘリコン波プラズマ等が挙げられる。
　バイアス電力印加部１４０は、バイアス電極１４１と、前記バイアス電極に対して電力を印加するためのバイアス電源１４２と、を有する。
　ステージ１５０は、本装置により行われるプラズマ処理によって基板上に熱が発生したり、逆に温度が低すぎるためにプラズマによる変質層の除去ができなかったりするため、当該基板を冷却／加熱するステージ温度調節部１９０を設けることが好適である。ここで、ステージ温度調節部１９０は、特に限定されないが、例えば、温度制御用の温水／冷水生成部１９１と、図示しない水循環路とから構成される。これにより基板を、当該温水／冷水生成部から供給される温水で加熱、又は冷水で冷却し、基板上の温度を所定温度に設定する。
　また、減圧手段１８０は、処理チャンバ内の圧力を低くすることが可能であれば、特に限定されないが、処理チャンバ内の空気を吸引可能な真空ポンプ１８１と、前記真空ポンプと処理チャンバの間に配されたガス分析器１８２と、前記ガス分析器と処理チャンバの間に配されたバルブ１８３とから構成される。
等方性プラズマ処理装置
　等方性プラズマ処理装置２００は、ガス供給部２１１と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にするプラズマ生成部２２０と、基板を設置して当該基板の表面に前記プラズマガスを接触させるステージ２３０と、を有する。更に、任意で、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマガスを処理対象物表面へと誘導する誘導手段２４０や、処理チャンバ２５０や、前記処理チャンバを減圧にするための減圧手段２６０を有していてもよい。
　プラズマ生成部２２０は、ガス供給手段により供給されるガスをプラズマとすることが可能であれば、特に限定されないが、例えば、当該プラズマ生成部本体２２１の周辺を高周波コイル２２２が取り巻く構成を有し、更に、当該高周波コイルに高周波電源２２３が接続されており、所定周波数の電流を供給可能に接続されている。また、当該高周波以外のプラズマ生成メカニズムを採用することも可能である。例えばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）プラズマ、ヘリコン波プラズマ等が挙げられる。
　誘導手段２４０は、特に限定されないが、例えば、石英等の絶縁体で構成されるイオン遮断版２４１を介して対象物にプラズマガスが供給されるように構成することが好ましい。
　ステージ２３０は、本装置により行われるプラズマ処理によって基板上に熱が発生したり、逆に温度が低すぎるためにプラズマによる変質層の除去ができなかったりするため、当該基板を冷却／加熱するステージ温度調節部２７０を設けることが好適である。ここで、ステージ温度調節部２７０は、特に限定されないが、例えば、温度制御用の温水／冷水生成部２７１と、図示しない水循環路とから構成される。これにより基板を、当該温水／冷水生成部から供給される温水で加熱、又は冷水で冷却し、基板上の温度を所定温度に設定する。
　また、減圧手段２６０は、処理チャンバ内の圧力を低くすることが可能であれば、特に限定されないが、処理チャンバ内の空気を吸引可能な真空ポンプ２６１と、前記真空ポンプと処理チャンバの間に配されたガス分析器２６２と、前記ガス分析器と処理チャンバの間に配されたバルブ２６３とから構成される。
ウェット洗浄装置
　ウェット洗浄装置３００は、処理媒体供給部３１０と、前記処理媒体供給部から供給された処理媒体を基板に接触させるステージ３２０とを有する。ここで、処理媒体供給部３１０は、処理媒体供給タンク３１１と、処理媒体を加熱するための加熱部３１２と、基板に対して処理媒体を供給する供給ノズル３１３とから構成される。図中、加熱部３１２は処理媒体供給タンク３１１と供給ノズル３１３の間に配されているが、これに特に限定されず、例えば、供給タンク内に設置されていてもよい。また、前記処理媒体供給タンク３１１内に、オゾン水生成部３１４（図示しない）を設けることが好適である。
第二の形態
　図２は、第二の形態に係るレジスト除去システムＳ２の概念図である。レジスト除去システムＳ２は、異方性プラズマ処理と等方性プラズマ処理の切り替えが可能な異方性等方性プラズマ処理装置５００と、ウェット洗浄装置３００とから構成される。尚、ここでのウェット洗浄装置３００は、前記第一の形態に係るレジスト除去システムＳ１のウェット洗浄装置と同様の構成であるので、ここでは、同一記号を付して詳細な説明は省略する。また、本形態においても、異方性等方性プラズマ処理装置５００とウェット洗浄装置３００の間に搬送装置４００を設けることが好適である。尚、搬送装置４００は前記第一の形態に係るレジスト除去システムＳ１の搬送装置４００と同様であるので同一記号を付して詳細な説明は省略する。
異方性等方性プラズマ処理装置
　異方性等方性プラズマ処理装置５００は、ガス供給部５１１と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にして異方性プラズマ又は等方性プラズマを生成する異方性・等方性プラズマ発生部５２０と、基板を設置して当該基板の表面に前記プラズマガスを接触させるステージ５５０と、を有する。更に、任意で、前記プラズマ生成部により生成されたプラズマガスを処理対象物表面へと誘導する誘導手段５６０や、処理チャンバ５７０や、前記処理チャンバを減圧にするための減圧手段５８０を有していてもよい。
　異方性等方性プラズマ発生部５２０は、ガス供給部から供給されたガスをプラズマ状態にするプラズマ生成部５３０と、前記プラズマに対して異方性を与えるためのバイアス電力印加部５４０と、を有する。プラズマ生成部５３０は、ガス供給手段により供給されるガスをプラズマとすることが可能であれば、特に限定されないが、例えば、当該プラズマ生成部本体５３１の周辺を高周波コイル５３２が取り巻く構成を有し、更に、当該高周波コイルに高周波電源５３３が接続されており、所定周波数の電流を供給可能に接続されている。また、当該高周波以外のプラズマ生成メカニズムを採用することも可能である。例えばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）プラズマ、ヘリコン波プラズマ等が挙げられる。
　バイアス電力印加部５４０は、バイアス電極５４１と、前記バイアス電極に対して電圧を印加するためのバイアス電源５４２と、バイアス電極に対して電力印加のオン／オフ制御が可能なスイッチ５４３と、前記電力を調整可能な電力調整手段５４４と、を有する。当該バイアス電圧印加のオン／オフの制御によって、異方性プラズマ処理と等方性プラズマ処理の切り替えを行うことが可能となる。
　ステージ５５０は、本装置により行われるプラズマ処理によって基板上に熱が発生したり、逆に温度が低すぎるためにプラズマによる変質層の除去ができなかったりするため、当該基板を冷却／加熱するステージ温度調節部５９０を設けることが好適である。ここで、ステージ温度調節部５９０は、特に限定されないが、例えば、温度制御用の温水／冷水生成部５９１と、図示しない水循環路とから構成される。これにより基板を、当該温水／冷水生成部から供給される温水で加熱、又は冷水で冷却し、基板上の温度を所定温度に設定する。
　また、減圧手段５８０は、処理チャンバ内の圧力を低くすることが可能であれば、特に限定されないが、処理チャンバ内の空気を吸引可能な真空ポンプ５８１と、前記真空ポンプと処理チャンバの間に配されたガス分析器５８２と、前記ガス分析器と処理チャンバの間に配されたバルブ５８３とから構成される。
＜レジスト除去方法＞
　本発明に係るレジスト除去方法は、異方性プラズマ処理工程と、ウェット洗浄工程とを含む。更に、任意で、等方性プラズマ処理工程を含む。以下本発明の実施形態を図に基づき説明する。図３（ａ）は表面にＳｉＯ２層が構築されたシリコンウェハ基板１の表面にレジスト２が形成された状況を示す。レジスト２の表面は変質層２ａが形成されており、その内側に未変質層２ｂがある。当該変質層２ａは、特に限定されないが、例えば、イオン注入等の異方性処理により形成され、当該イオンは図３の上方から下方へと向けて注入されるため、上方が肉厚に形成されている。当該基板１に対して異方性プラズマ処理を行い、図３（ｂ）のように変質層２ａの上部の一部分のみを除去する（異方性プラズマ処理工程）。続いて、等方性プラズマ処理を行い、図３（ｃ）のように変質層２ａを除去する（等方性プラズマ処理工程）。次いで図３（ｄ）のように未変質層２ｂとなったレジストを処理媒体に接触させて除去する（ウェット洗浄工程）。以下、異方性プラズマ処理工程、等方性プラズマ処理工程、ウェット洗浄工程の各工程について詳述する。
異方性プラズマ処理工程
　異方性プラズマ処理工程は、表面が変質層で構成されるレジストを有する基板に対して、異方性プラズマ処理を行う。ここで、異方性プラズマ処理とは、深さ方向の処理速度が水平方向の処理速度よりも大きいアッシングを意味する。異方性プラズマ処理工程では、まず、プラズマガスを発生させ、更に、バイアス電力の印加により当該プラズマガスに異方性を与えて、基板表面に接触させる。
　ここで、バイアス電力の印加について詳細な説明をする。本最良形態に係る異方性プラズマ処理工程におけるプラズマの異方性の調節は、主として、バイアス電力の印加により行うことが可能である。即ち、バイアス電力の印加によって、処理条件を調整することにより、等方性的な処理を行うこともでき、基板上のレジスト表面に形成された変質層２ａを取り除くことが可能となる。変質層２ａが、例えば、イオン注入後の硬化層である場合には、当該イオンは、レジストの深さ方向に注入されるため、レジストの上部の変質層は厚くなり、レジストの側面の変質層は比較的薄くなる。そこで、当該変質層の形状に合わせて、適切な条件を設定し異方性プラズマ処理を行うことにより、迅速に変質層２ａを除去することが可能となる。迅速に除去することが可能となれば、レジストの表面温度の上昇を抑えることができ、ポッピングの問題も回避できる。ここで、バイアス電極に印加する電力は、変質層の性質にもよるが、例えば、５０～１０００Ｗが好適であり、５００～１０００Ｗがより好適である。電力が強ければ変質層の除去速度は向上する。一方、強すぎるとスパッタ効果により変質層が削られて破片がウエハ表面に飛散し除去が困難となることがある。また、バイアス電力によるウエハ表面へのダメージを低減したい場合には電力は低い方がよい。
　使用するガスの種類は、特に限定されないが、例えば、水素、酸素、窒素、水蒸気、ＣＦ４又はこれらの組合せが挙げられる。これらのガスの中でも水素ガスを使用すると、水素原子は一つの原子としか共有結合を生成しないので、変質層の成分が低分子量化しやすく、結果、レジスト残渣が残りにくくなる効果を奏する。また、Ｏ２ガスを使用すると、より速く処理することができるという効果を奏する。特に、等方性プラズマ処理を行う場合には、異方性プラズマ処理において、Ｏ２ガスを用いて迅速に除去し、続いて等方性プラズマ処理において、Ｈ２ガスを用いて、残渣を残さず綺麗に変質層を除去することが好適である。
　ここで、形成条件ごとに接触時間を制御する方法について説明する。形成条件により変化するのは変質層の厚さと緻密さ（硬さ・イオン濃度）である。
　変質層の厚さが厚くなると接触時間が長く必要となる。厚さが決まる条件は注入イオン種・注入エネルギーである。イオン種はＢ，Ｐ及びＡｓが中心であるが、イオンの大きさが小さい方がレジスト深部にまで注入され、変質層は厚くなる。従って、注入エネルギーが同じであれば、Ｂの変質層が最も厚くなる。注入エネルギーに関してはイオン注入の深さをコントロールするパラメータであるので、大きくなれば変質層が厚くなる。
　さらに変質層が同じ厚さであると注入量が多くなると、接触時間が長くなる。また、イオン種によって原子量の大きなイオンほど凝集力が高いため接触時間が長くなる。即ち、イオン種、特にその原子量によって、変質層の厚さと緻密さに影響が見られる。このため一般に小さなＢはＡｓに比べて除去そのものは容易であるものの、変質層の厚さが厚くなるため接触時間が長くなるといったトレードオフの関係にある。加えて一般にはＡｓが除去し難いとされているが、実験結果により変質層の厚さが最も効くことがわかった。従って、変質層が薄いＡｓは比較的取りやすくなる。
　反応ガス分析結果に応じた工程制御については、特に限定されず、例えば、チャンバー内のプラズマ発光のスペクトルをとり、プロセスガスと変質層に含まれるイオンとの反応物のスペクトルを検出し、スペクトルが消失した時点で変質層の除去が完了したと判断しプロセスを終了する自動制御が可能である。
　ここで、ステージ温度は、変質層のプラズマによる除去を可能とする熱エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することが好適であり、特に限定されないが、例えば、１００℃以下の温度が、好適であり、４０～８０℃がより好適である。当該温度範囲とすることにより、ポッピングが発生しにくくなり、更に、十分な表面温度を有するため、プラズマガスと変質レジストが反応し、除去される。尚、イオン注入前にUVキュア処理を施した場合にはポッピング温度が上昇するため、より高い温度での処理が可能となる。当該温度調整は、第一、二の形態に係るステージ温度調整部により調節可能である。尚、ステージ温度は、プラズマステージ表面付近に設置した温度センサーによって測定できる。温度センサーの種類は、特に限定されないが、例えば熱電対で測定可能である。
等方性プラズマ処理工程
　等方性プラズマ処理工程は、異方性プラズマ処理後の上方部がアッシングされた表面が変質層で構成されるレジストを有する基板に対して、等方性プラズマ処理を行う。
ここで、等方性プラズマ処理とは、深さ方向の処理速度と、水平方向の処理速度とが同等程度であるプラズマ処理を意味する。
　使用するガスの種類は、特に限定されないが、例えば、水素、酸素、窒素、水蒸気、ＣＦ４又はこれらの組合せが挙げられる。これらのガスの中でも水素ガスを使用すると、水素ガスは一つの分子としか共有結合を生成しないので、変質レジストの成分が低分子量化しやすく、結果、レジスト残渣が残りにくくなる効果を奏する。
　ここで、形成条件ごとに接触時間を制御する方法について説明する。形成条件により変化するのは変質層の厚さと緻密さ（硬さ・イオン濃度）である。
　変質層の厚さが厚くなると接触時間が長く必要となる。厚さが決まる条件は注入イオン種・注入エネルギーである。イオン種はＢ，Ｐ及びＡｓが中心であるが、イオンの大きさが小さい方がレジスト深部にまで注入され、変質層は厚くなる。従って、注入エネルギーが同じであれば、Ｂの変質層が最も厚くなる。注入エネルギーに関してはイオン注入の深さをコントロールするパラメータであるので、大きくなれば変質層が厚くなる。
　さらに変質層が同じ厚さであると注入量が多くなると、接触時間が長くなる。また、イオン種によって原子量の大きなイオンほど凝集力が高いため接触時間が長くなる。即ち、イオン種、特にその原子量によって、変質層の厚さと緻密さに影響が見られる。このため一般に小さなＢはＡｓに比べて除去そのものは容易であるものの、変質層の厚さが厚くなるため接触時間が長くなるといったトレードオフの関係にある。加えて一般にはＡｓが除去し難いとされているが、実験結果により変質層の厚さが最も効くことがわかった。従って、変質層が薄いＡｓは比較的取りやすくなる。
　反応ガス分析結果に応じた工程制御については、特に限定されず、例えば、チャンバー内のプラズマ発光のスペクトルをとり、プロセスガスと変質層に含まれるイオンとの反応物のスペクトルを検出し、スペクトルが消失した時点で変質層の除去が完了したと判断しプロセスを終了する自動制御が可能である。
　ここで、ステージ温度は、変質層のプラズマによる除去を可能とする熱エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することが好適であり、特に限定されないが、例えば、１００℃以下の温度が好適であり、４０～８０℃がより好適である。当該温度範囲とすることにより、ポッピングが発生しにくくなり、更に、十分な表面温度を有するため、プラズマガスと変質レジストが反応し、除去される。尚、イオン注入前にUVキュア処理を施した場合にはポッピング温度が上昇するため、より高い温度での処理が可能となる。当該温度調整は、第一、二の形態に係るステージ温度調整部により調節可能である。尚、ステージ温度は、プラズマステージ表面付近に設置した温度センサーによって測定できる。温度センサーの種類は、特に限定されないが、例えば熱電対で測定可能である。
ウェット洗浄工程
　ウェット洗浄工程では、前記異方性プラズマ処理工程及び／又は等方性プラズマ処理工程によって、変質層が取り除かれたレジストを処理媒体で除去する。ここで、ウェット洗浄としては、公知の技術を用いることが可能であり、例えば、薬液除去、水蒸気照射、混相流体照射等を用いることが可能である。また、処理媒体としては、特に限定されないが、機能水、薬液、水、水蒸気等が挙げられる。ここで機能水としては、オゾン水や水素水が使用可能であり、これら機能水に塩酸等の薬液を添加して使用してもよい。ここで、薬液としては、硫酸－過水、塩酸－過水、フッ酸、緩衝フッ酸水溶液等の無機酸系薬液や、アンモニア－過水等の無機塩基系薬液や、アルキルベンゼンスルフォン酸等の有機酸系薬液や、エタノールアミン等の有機塩基系薬液が使用可能である。中でも特に、オゾン水を用いることが好適である。オゾン水を用いる場合、オゾン水の活性を高めて未変質層２ｂを短時間で除去可能であるため、オゾン水を加温することが好適であり、特に限定されないが、７０℃～８０℃が最適範囲である。
　レジストパターンにPイオンを１１０ｋｅＶの注入エネルギーにて、注入角度７°で１Ｅ１６ｉｏｎ／ｃｍ２の注入量まで注入して試料を調整した。イオン注入後のレジストパターンの断面ＳＥＭ写真を図４に示した。図４中の２ａは変質層であり、２ｂは未変質層である。当該試料に対しＢｉａｓ電圧印加可能なＩＣＰプラズマ装置とオゾン水洗浄装置を有するＡｕｒｏｒａ（アクアサイエンス社製）を用いて処理をした。処理は異方性プラズマ条件としてステージ温度を６０℃、Ｏ２ガス流量４００ｃｃ、チャンバー内圧力４００ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧５００Ｗで１５０秒処理したのち、続いて等方性プラズマとして温度６０℃、Ｈ２ガス１０００ｃｃ、チャンバー内圧力５００ｍＴｏｒｒ、プラズマ電圧２０００Ｗで２００秒処理した。図５に当該プラズマ処理後の断面ＳＥＭ写真を示した。図中２ｂ’は処理後の未変質層である。さらにこのプラズマ後の試料に８０℃・９０ｐｐｍで９０ｓｅｃのオゾン水処理を実施した。処理後のウエハ表面のＳＥＭ写真を図６に示した。図中３はウエハ表面を示しており、イオン注入後のレジストが残差無く完全に除去されている。
　本発明は基板からレジストを除去する工程に広く利用可能である。
図１は、第一の形態に係るレジスト除去システムの概念図である。 図２は、第二の形態に係るレジスト除去システムの概念図である。 図３は、本最良形態に係るレジスト除去工程の概念図である。 図４は、実施例で用いたイオン注入後のレジストパターンの断面ＳＥＭ写真である。 図５は、実施例のプラズマ処理後の断面ＳＥＭ写真である。 図６は、実施例のオゾン水処理後のウエハ表面のＳＥＭ写真である。
符号の説明
１　基板
２　レジスト
２ａ　変質層
２ｂ　未変質層

Claims (19)

  1. 　表面が変質層であるレジストを有する基板から、レジストを除去する方法において、
    　前記基板に対して異方性プラズマ処理を行い前記変質層の少なくとも一部を除去する、異方性プラズマ処理工程と、
    　前記異方性プラズマ処理工程後、前記基板上のレジストを処理媒体で除去する、ウェット洗浄工程と、
    　を含むことを特徴とするレジスト除去方法。
  2. 　前記異方性プラズマ処理工程後であって前記ウェット洗浄工程前に、更に、前記基板に対して等方性プラズマ処理を行い前記変質層を除去する等方性プラズマ処理工程を含む、請求項１記載のレジスト除去方法。
  3. 　前記ウェット洗浄工程で、オゾン水を用いる、請求項１又は２記載のレジスト除去方法。
  4. 　前記オゾン水を加温して用いる、請求項３記載のレジスト除去方法。
  5. 　前記異方性プラズマ処理工程で、バイアス電力を印加する、請求項１～４のいずれか一項記載のレジスト除去方法。
  6. 　前記バイアス電力の印加電力を調節しながら行う、請求項５記載のレジスト除去方法。
  7. 　前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、レジスト表面の変質層の形成条件に応じプラズマガスの接触時間を制御して未変質層の大部分を残す、請求項１～６のいずれか一項記載のレジスト除去方法。
  8. 　前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、レジスト除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行い、未変質層の大部分を残す、請求項１～７のいずれか一項記載のレジスト除去方法。
  9. 　前記異方性プラズマ処理工程及び／又は前記等方性プラズマ処理工程で、前記基板の温度を、前記変質層のプラズマによる除去を可能とする熱エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持する、請求項１～８のいずれか一項記載のレジスト除去方法。
  10. 　表面が変質層であるレジストを基板から除去するレジスト除去システムにおいて、
    　ガス供給部と、
    　前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してプラズマガスを生成させるプラズマ生成部と、
    　前記プラズマガスに対して異方性を与えるバイアス電力印加部と、
    　前記プラズマ生成部から供給されるプラズマガスを基板に接触させるステージ部と、
    　を有するレジスト表面の変質層を除去する異方性プラズマ処理装置
    　を備えることを特徴とするレジスト除去システム。
  11. 　等方性プラズマ処理装置を有する、請求項１０記載のレジスト除去システム。
  12. 　前記異方性プラズマ処理装置が、等方性プラズマも発生可能である、請求項１１記載のレジスト除去システム。
  13. 　前記バイアス電力印加部のオン／オフ制御が可能である、請求項１２記載のレジスト除去システム。
  14. 　前記バイアス電力印加部が、印加電力の調節が可能な、請求項１３記載のレジスト除去システム。
  15. 　前記等方性プラズマ処理装置が、前記異方性プラズマ処理装置とは別に、
    　ガス供給部と、
    　前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理する等方性プラズマ発生部と、
    　前記等方性プラズマ発生部から供給されるプラズマガスを基板に接触させるステージ部と、
    　を更に有する、請求項１１記載のレジスト除去システム。
  16. 　ウェット洗浄装置を有する、請求項１０～１５のいずれか一項記載のレジスト除去システム。
  17. 　前記ウェット洗浄装置が、
    　処理媒体供給部と、
    　前記処理媒体供給部から供給された処理媒体を前記基板に接触させるステージ部と、
    　を有する、請求項１６記載のレジスト除去システム。
  18. 　更に、オゾン水生成部を有する、請求項１７記載のレジスト除去システム。
  19. 　前記処理媒体を加熱する加熱部を有する、請求項１７又は１８記載のレジスト除去システム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015170763A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR20180093096A (ko) * 2016-02-26 2018-08-20 맷슨 테크놀로지, 인크. 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정
WO2023188121A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム
WO2023188128A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 電子部品洗浄装置
WO2023188154A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 電子部品洗浄方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04291719A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Hitachi Ltd ウエーハ処理終点判定方法
JP2003188151A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004241414A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Sharp Corp 剥離洗浄装置
JP2007317983A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び同方法に用いる薬液
JP2008085231A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sharp Manufacturing System Corp 基板上の残留有機物除去方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04291719A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Hitachi Ltd ウエーハ処理終点判定方法
JP2003188151A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004241414A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Sharp Corp 剥離洗浄装置
JP2007317983A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び同方法に用いる薬液
JP2008085231A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sharp Manufacturing System Corp 基板上の残留有機物除去方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015170763A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR20180093096A (ko) * 2016-02-26 2018-08-20 맷슨 테크놀로지, 인크. 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정
KR102148833B1 (ko) * 2016-02-26 2020-08-28 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정
WO2023188121A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム
WO2023188128A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 電子部品洗浄装置
WO2023188154A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 電子部品洗浄方法
JP7414335B1 (ja) 2022-03-30 2024-01-16 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 電子部品洗浄装置
JP7422432B1 (ja) 2022-03-30 2024-01-26 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム

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