KR100889559B1 - 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100889559B1
KR100889559B1 KR1020070090450A KR20070090450A KR100889559B1 KR 100889559 B1 KR100889559 B1 KR 100889559B1 KR 1020070090450 A KR1020070090450 A KR 1020070090450A KR 20070090450 A KR20070090450 A KR 20070090450A KR 100889559 B1 KR100889559 B1 KR 100889559B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
manufacturing
chemical
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020070090450A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090025528A (ko
Inventor
강호정
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070090450A priority Critical patent/KR100889559B1/ko
Publication of KR20090025528A publication Critical patent/KR20090025528A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100889559B1 publication Critical patent/KR100889559B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기 반도체 소자의 제조방법은 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 어느 하나 면에 제1 화학 물질을 분사하는 단계, 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 다른 어느 하나의 면에 제2 화학 물질을 분사하는 단계, 및 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 동시에 초순수를 분사하여 상기 제1 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 하나 면의 대전 전하와 상기 제2 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 다른 하나의 면의 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계를 포함한다.

Description

반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법{manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method using the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼의 세정 및 에칭 공정시 정전기 발생에 의한 제조불량을 방지할 수 있는 제조장치와 이를 이용한 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정은 전 공정과 후 공정으로 나뉘어 진다.
전 공정은 크게 산화(Oxidation), 감광액 도포(Photo resist), 노광(Exposure), 현상(Development), 식각(Etching), 이온주입(Ion implantation), 화학기상증착(Chemical vapor Deposition), 금속배선(Metallization), 금속연결(Wire bonding)의 순서로 진행된다.
전 공정 이후 진행되는 후 공정은 조립 및 검사로 이루어지며, 웨이퍼 자동선별(EDS TEST), 웨이퍼 절단(Wafer Sawing), 칩 접착(Chip Die attach), 배선연결(Wire bonding), 성형(Molding), 최종 검사(Final test)의 순서로 진행된다.
반도체 소자의 제조공정 중 전 공정에서 반도체 웨이퍼 상에 필요한 막을 형 성하는 증착 공정은 확산설비에 의해 수행된다.
이러한 확산설비에는 반도체 웨이퍼를 한 개의 노를 이용하여 한번에 여러 매의 반도체 웨이퍼를 처리하는 배치식과 여러 개의 작은 챔버를 이용하여 한번에 한매씩 처리하는 매엽식으로 나뉘어진다.
도 1 은 반도체 웨이퍼에 오염 물질 또는 파티클 발생을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 소자는 제조과정 중 여러 요인에 의하여 도 1에 도시된 "A"와 같이, 반도체 웨이퍼(10) 상에 원치 않은 오염 물질이 발생하거나, 파티클이 발생하게 된다.
반도체 소자는 일단의 제조 과정을 거친 후, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼에 잔존하는 오염물질 제거와, 이후 진행되는 제조공정에 최적 상태를 제공하고자 세정, 증착, 에칭공정을 실시하게 된다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 매엽식 증착장비를 이용한 웨이퍼의 세정, 증착, 에칭 공정을 나타내는 도면이다.
일반적인 매엽식 증착장비는 반도체 웨이퍼(10)가 장착되는 서셉터와, 서셉터가 연될되어 서셉터를 상하로 이동가능케 하는 파워 플랜지와, 이러한 서셉터와 파워 플랜지를 감싸는 석영 돔으로 이루워진 서스 챔버와, 서스 챔버 내의 공정 온도를 조절하는 벨자 히터와, 반도체 웨이퍼(10)의 출입에 따라 개방 및 폐쇠되는 슬롯 밸브와, 서스 챔버 내부를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프와, 반도체 웨이퍼(10) 상에 에칭액 또는 세정액을 분사하는 분사노즐(30)을 포함하여 구성된다.
도 2a 및 도 2b에서는 매엽식 증착장비 중 반도체 웨이퍼(10)가 장착되는 서 셉터(20)와, 반도체 웨이퍼(10) 상에 에칭액 또는 세정액을 분사하는 분사노즐(30) 만을 도시하였다.
반도체 소자 제조공정 중 건식 에칭(Dry etching) 후에는 금속 라인(Metal line)의 측벽 또는 금속 라인 상에 반응의 부산물로써 폴리머(Polymer)를 비롯한 여러 물질(금속 라인의 파티클)이 잔존하게 된다.
이러한 부산물은 화학반응을 이용하여 제거하게 된다. 이때, 금속 라인의 측벽 또는 상부에 잔존하는 부산물을 효과적으로 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼(10)를 고속으로 회전시키며 수차례에 걸쳐 저온 상태에서 화학물질을 이용한 세정 공정 즉, LIC-3(Low temperature Inorganic Chemical for polymer remove-3 mixture) 공정을 실시한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 서셉터(20)에 장착된 반도체 웨이퍼(10)를 300∼1,000[RPM]으로 회전시킨다.
이후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 300∼1,000[RPM]으로 회전하고 있는 반도체 웨이퍼(10) 상에 화학물질을 1차 분사한다. 여기서 분사되는 화학물질은 반도체 웨이퍼 상에 잔존하는 물질에 따라 달라진다.
이후, 1차로 화학물질이 분사된 반도체 웨이퍼(10) 상에 초순수(DI-Water)를 분사하여 반도체 웨이퍼를 세정한다.
이후, 일정 시간 동안 반도체 웨이퍼(10)를 회전시킨 후, 300∼1,000[RPM]으로 회전하고 있는 반도체 웨이퍼(10) 상에 화학물질을 2차 분사한다.
이후, 다시 2차로 화학물질이 분사된 반도체 웨이퍼(10) 상에 초순수(DI- Water)를 분사하여 반도체 웨이퍼를 세정한다.
이후, 세정이 완료된 반도체 웨이퍼(10)를 건조시킨다.
앞에서 설명한 제조공정과 같이 반도체 웨이퍼(10)를 고속으로 회전시키면 반도체 웨이퍼(10)에 정전기가 발생된다. 정전기가 발생된 반도체 웨이퍼(10) 상에 화학물질을 분사하면 대전현상이 발생되어 도 3a 및 도 3b에 도시된 "A"와 같이, 반도체 웨이퍼(10) 상에 형성된 금속 라인에 파괴가 발생된다. 이러한 정전기 발생에 의한 대전 현상은 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 변태, 이온흡착 등이 원인이 되어 발생된다.
정전기 발생에 의한 대전 현상은 반도체 소자의 제조에 있어서 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 금속 라인에 파괴를 발생시켜 생산 제품의 불량을 발생시키는 주요 요인 중의 하나이다. 일반적으로 사람의 경우 피부로 느끼는 정전기는 대략 3,000[V] 정도이나, 반도체는 전기에 매우 민감하여 10[V]의 정전기에 의해서도 제품 생산에 차질이 발생될 수 있다.
이러한 정전기 발생에 의한 제품 생산의 차질을 방지하는 방법으로, 1) 반도체 웨이퍼(10)를 접지시키는 방법, 2) 챔버 내부에 가습을 발생시키는 방법, 3) 대전 방지제나 대전용품을 사용하는 방법, 4) 이오나이저(Ionizer)를 사용하는 방법이 있다.
이 중에서 이오나이저(Ionizer)를 이용하는 방법이 가장 널리 사용되고 있다. 이오나이저(Ionizer)를 이용하는 방법은 고전압을 방전시켜 얻어지는 양·음의 이온을 상대물에 보내어 대전된 정전기와 반대극성으로 중화 소멸시키는 방법으로 대전된 반도체 웨이퍼에 직접 접촉하지 않음으로 반도체 웨이퍼를 충격이나 압력을 가해지지 않게 된다.
그러나, 이오나이저를 이용하는 방법은 정전기 발생을 완벽히 해결하고 있지 못하다. 또한, Ionizer를 이용한 방법은 조건에 따라, 오히려 제품 생산에 치명적인 영향을 끼칠 수 있기 때문에 적용에 세심한 주의를 요하게 된다.
반도체 웨이퍼의 세정, 증착, 에칭 공정에서 반도체 웨이퍼를 고속으로 회전 및 화학물질 분사시 발생되는 대전현상으로 인해 반도체 웨이퍼 상에 형성된 금속 라인에 파괴가 발생되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 대전 현상을 줄여 정전기로 인한 반도체 소자의 파괴 현상을 방지할 수 있는 제조장치 및 이를 이용한 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 반도체 웨이퍼의 세정, 증착, 에칭 공정을 수행하는 제조장치에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 결합 및 회전시킴과 아울러, 상기 반도체 웨이퍼의 배면에 화학물질을 분사하는 복수의 화학물질 분사노즐과; 상기 반도체 웨이퍼 배면에 건조가스를 분사하는 건조가스 분사노즐과; 상기 반도체 웨이퍼의 배면에 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐이 구비된 서셉터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 상기 복수의 화학물질 분사노즐이 동일 화학물질을 분사시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 상기 복수의 화학물질 분사노즐 각각이 서로 다른 화학물질을 분사시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치의 상기 건조가스 분사노즐은 N2가스 분사노즐인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치의 상기 세정액 분사노즐은 초순수를 분사하는 초순수 분사노즐인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 어느 하나 면에 제1 화학 물질을 분사하는 단계, 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 다른 어느 하나의 면에 제2 화학 물질을 분사하는 단계, 및 상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 동시에 초순수를 분사하여 상기 제1 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 하나 면의 대전 전하와 상기 제2 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 다른 하나의 면의 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계를 포함한다.
삭제
삭제
상기 제1 화학 물질 및 상기 제2 화학 물질은 LIC-3(Low temperature Inorganic Chemical for polymer remove-3 mixture)일 수 있다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 상기 제1 화학 물질을 분사하는 단계, 상기 제2 화학 물질을 분사하는 단계, 및 상기 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계를 적어도 한번 반복하여 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 반도체 소자의 제조 방법은 상기 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계 이후 상기 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 동시에 N2가스를 분사하여 상기 반도체 웨이퍼를 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 화학물질, 건조가스 및 초순수를 분사하여 상부면과 배면에서 발생된 대전 전하가 서로 상쇄되어 종래와 같이 반도체 웨이퍼의 표면에 생성된 정전기에 의한 제조공정의 문제점을 방지할 수 있다. 이를 통해 반도체 소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 제조장치를 이용한 제조방법은 세정, 증착, 에칭 공정 시 반도체 웨이퍼에 발생되는 대전현상을 방지하여 반도체 소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제조장비를 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 제조장비(100)는 반도체 웨이퍼가 장착되는 서셉터(120)에 LIC-3 분사노즐(122), 화학물질(증착 및 에칭 물질) 분사노즐(124), N2가스 분사노즐(126), 초순수 분사노즐(128)이 일체화되어 구비된다.
본 발명의 실시 예에 따른 제조장비(100)는 서셉터(120)에 구비된 LIC-3 분사노즐(122), 화학물질(증착 및 에칭 물질) 분사노즐(124), N2가스 분사노즐(126), 초순수 분사노즐(128)을 통해서 반도체 웨이퍼의 배면에 화학물질, 초순수, N2가스를 분사시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장비(100)는 도면에 도시하지 않았지만, 일반적인 매엽식 장비에 구비된 서셉터(120)가 연될되어 서셉터를 상하로 이동가능케 하는 파워 플랜지와, 이러한 서셉터와 파워 플랜지를 감싸는 석영 돔으로 이루워진 서스 챔버와, 서스 챔버 내의 공정 온도를 조절하는 벨자 히터와, 반도체 웨이퍼의 출입에 따라 개방 및 폐쇠되는 슬롯 밸브와, 서스 챔버 내부를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프를 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장비(100)는 반도체 웨이퍼의 세정, 증착, 에칭 공정 진행시 발생되는 대전현상을 방지하기 위해 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼가 장착되는 서셉터(120)에 LIC-3 분사노즐(122), 화학물질 분사노즐(124), N2가스 분사노즐(126), 초순수 분사노즐(128)을 일체화시키고, 복수의 분사노즐(122, 124, 126, 128)을 이용하여 반도체 웨이퍼의 배면에 각각의 매체를 분사시킬 수 있다.
종래의 제조장비에서는 반도체 웨이퍼의 상부면에 화학물질, 건조가스, 초순수를 분사하는 구성을 구비하였으나, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장비(100)는 반도체 웨이퍼의 상부면 뿐 아니라 배면에도 화학물질, 건조가스, 초순수를 분사할 수 있도록 다수의 분사노즐(122, 124, 126, 128)을 구비하였다.
앞에서 설명한 바와 같이, 고속으로 회전하는 반도체 웨이퍼는 회전과 동시에 회전 마찰에 의해서 정전기가 발생하게 된다. 또한, 회전중 표면에 화학물질이 분사되면 반도체 웨이퍼의 표면과 화학물질 간의 접촉, 마찰, 충돌, 이온 흡착에 의해 대전현상이 발생하게 된다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조장치(100)는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 화학물질, 건조가스 및 초순수를 분사하여 상부면과 배면에서 발생된 대전 전하가 서로 상쇄되어 종래와 같이 반도체 웨이퍼의 표면에 생성된 정전기에 의한 제조공정의 문제점을 방지할 수 있다. 이를 통해 반도체 소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
앞의 설명에서는 다수의 분사노즐(122, 124, 126, 128)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110) 상에 에칭을 위한 화학물질, 세정을 위한 초순수, 건조를 위한 건조 가스를 분사하는 것으로 설명하였으나, 반도체 웨이퍼(110) 상에 증착물질을 도포하여 소정의 층을 형성시키는 증착 공정에도 적용할 수 있다.
도 5a 내지 도 5i는 도 4에 도시된 제조장비를 이용한 제조방법을 나타내는 공정 도면이다.
도 5a 내지 도 5i를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 제조장비를 이용한 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 서셉터(120) 상에 반도체 웨이퍼(110)를 장착한 후, 고속으로 회전시킨다.
이후, 도 5b에 도시된 바와 같이, 서셉터(120)에 구비된 LIC-3 분사노 즐(122)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 배면에 1차로 LIC-3를 분사한다. 반도체 웨이퍼(110)의 배면에 LIC-3를 분사하면, 회전에 의해 반도체 웨이퍼(110) 상에 형성된 전하가 반도체 웨이퍼(110)의 배면을 통해 방전된다.
이후, 도 5c에 도시된 바와 같이, 별도로 구비된 제 1 분사노즐(130)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면에 1차로 LIC-3를 분사한다.
이후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 별도로 구비된 제 2 분사노즐(140)과 서셉터(120)에 구비된 초순수 분사노즐(128)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면 및 배면에 동시에 초순수를 분사하여 반도체 웨이퍼를 세정시킨다.
이때, 반도체 웨이퍼(110)의 양면에 모두 초순수를 분사하므로 각각의 면에 초순수 분사로 형성되는 대전 전하가 서로 상쇄되어 반도체 웨이퍼(110)의 표면에 대전 현상이 발생되지 않게 된다.
이후, 도 5e에 도시된 바와 같이, 계속해서 반도체 웨이퍼(110) 고속으로 회전시킨다.
이후, 도 5f에 도시된 바와 같이, 서셉터(120)에 구비된 LIC-3 분사노즐(122)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 배면에 2차로 LIC-3를 분사한다.
이후, 도 5g에 도시된 바와 같이, 별도로 구비된 제 1 분사노즐(130)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면에 2차로 LIC-3를 분사한다.
앞에서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(110)의 상부면 및 배면에 교대로 동일 물질을 분사하므로 양쪽 면에 형성되는 전하가 서로 상쇄되어 대전 현상을 방지할 수 있다.
이후, 도 5h에 도시된 바와 같이, 별도로 구비된 제 2 분사노즐(140)과 서셉터(120)에 구비된 초순수 분사노즐(128)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면 및 배면에 동시에 초순수를 분사하여 반도체 웨이퍼를 세정시킨다.
이때, 반도체 웨이퍼(110)의 양면에 모두 초순수를 분사하므로 각각의 면에 초순수 분사로 형성되는 대전 전하가 서로 상쇄되어 반도체 웨이퍼(110)의 표면에 대전 현상이 발생되지 않게 된다.
끝으로, 도 5i에 도시된 바와 같이, 별도로 구비된 N2가스 노즐(150)과 서셉터(120)에 구비된 N2가스 분사노즐(126)을 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면 및 배면에 동시에 N2가스를 분사하여 반도체 웨이퍼(110)를 건조시킨다.
앞의 제조방법 설명에서는 별도 구비된 제 1 분사노즐(130)과 서셉터(120)에 구비된 분사노즐(122)를 이용하여 반도체 웨이퍼(110)의 상부면과 배면에 LIC-3를 분사하는 것으로 설명하였으나, 서셉터(120)에 구비된 화학물질 분사노즐(124)을 이용하여 LIC-3 외에 다른 화학물질(증착물질, 에칭물질)도 분사할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 제조장치를 이용한 제조방법은 세정, 증착, 에칭 공정 시 반도체 웨이퍼에 발생되는 대전현상을 방지하여 반도체 소자의 제조효율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설 명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1 은 반도체 웨이퍼에 오염 물질 또는 파티클 발생을 나타내는 도면.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 매엽식 증착장비를 이용한 웨이퍼의 세정, 증착, 에칭 공정을 나타내는 도면.
도 3a 및 도 3b는 정전기 발생으로 인해 웨이퍼 상에 발생되는 파괴 현상을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제조장비를 나타내는 도면.
도 5a 내지 도 5i는 도 4에 도시된 제조장비를 이용한 제조방법을 나타내는 공정 도면.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 110 : 반도체 웨이퍼 20, 120 : 서셉터
30, 130, 140, 150 : 분사 노즐 122 : LIC-3 분사노즐
124 : 화학물질 분사노즐 126 : N2가스 분사노즐
128 : 초순수 분사노즐

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 반도체 웨이퍼를 세정, 증착, 에칭하는 제조공정에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계;
    상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 어느 하나 면에 제1 화학 물질을 분사하는 단계;
    상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면 중 다른 어느 하나의 면에 제2 화학 물질을 분사하는 단계; 및
    상기 회전하는 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 동시에 초순수를 분사하여 상기 제1 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 하나 면의 대전 전하와 상기 제2 화학 물질을 분사하여 발생하는 상기 어느 다른 하나의 면의 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 화학 물질 및 상기 제2 화학 물질은 LIC-3(Low temperature Inorganic Chemical for polymer remove-3 mixture)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체 소자의 제조 방법은,
    상기 제1 화학 물질을 분사하는 단계, 상기 제2 화학 물질을 분사하는 단계, 및 상기 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계를 적어도 한번 반복하여 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 반도체 소자의 제조 방법은,
    상기 대전 전하를 서로 상쇄시키는 단계 이후 상기 반도체 웨이퍼의 상부면 및 배면에 동시에 N2가스를 분사하여 상기 반도체 웨이퍼를 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
KR1020070090450A 2007-09-06 2007-09-06 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법 KR100889559B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070090450A KR100889559B1 (ko) 2007-09-06 2007-09-06 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070090450A KR100889559B1 (ko) 2007-09-06 2007-09-06 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090025528A KR20090025528A (ko) 2009-03-11
KR100889559B1 true KR100889559B1 (ko) 2009-03-23

Family

ID=40693852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070090450A KR100889559B1 (ko) 2007-09-06 2007-09-06 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100889559B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000000606A (ko) * 1998-06-01 2000-01-15 윤종용 웨이퍼 후면보호용 가스 분사장치를 갖는 반도체 웨이퍼 스피너설비
JP2000058498A (ja) 1998-08-17 2000-02-25 Seiko Epson Corp ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置
JP2005123218A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Nikon Corp ウエハの洗浄・乾燥方法、ウエハの乾燥方法、ウエハの洗浄・乾燥装置、ウエハの乾燥装置、ｃｍｐ研磨方法、ｃｍｐ研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法
KR20060061816A (ko) * 2003-08-07 2006-06-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 유지 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000000606A (ko) * 1998-06-01 2000-01-15 윤종용 웨이퍼 후면보호용 가스 분사장치를 갖는 반도체 웨이퍼 스피너설비
JP2000058498A (ja) 1998-08-17 2000-02-25 Seiko Epson Corp ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置
KR20060061816A (ko) * 2003-08-07 2006-06-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 유지 장치
JP2005123218A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Nikon Corp ウエハの洗浄・乾燥方法、ウエハの乾燥方法、ウエハの洗浄・乾燥装置、ウエハの乾燥装置、ｃｍｐ研磨方法、ｃｍｐ研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090025528A (ko) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108028192B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
US10032658B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
KR20080105957A (ko) 웨이퍼 세정방법
US20090011600A1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
KR102144647B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102493554B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR102251256B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
JP7281868B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100889559B1 (ko) 반도체 소자의 제조장치와 이를 이용한 제조방법
US20040018727A1 (en) Manufacturing method for semiconductor devices
US6790734B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2009283721A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20040058070A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JP2009267192A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2009266899A (ja) 表面処理方法および表面処理装置
US6647998B2 (en) Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers
KR102120704B1 (ko) 에어 커튼을 이용한 케미컬 퓸 제거장치
US20070051389A1 (en) Method and apparatus for substrate rinsing
KR100757329B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치
KR100417648B1 (ko) 웨이퍼 세정방법
US9524866B2 (en) Method for making semiconductor devices including reactant treatment of residual surface portion
KR940005284B1 (ko) 웨이퍼 표면 세척방법
US8652943B2 (en) Method of processing substrate
CN117059482A (zh) 一种二氧化硅湿法刻蚀方法
KR970009865B1 (ko) 반도체 소자의 입자제거 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee