JPH10199851A - 基板の処理方法 - Google Patents

基板の処理方法

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JPH10199851A
JPH10199851A JP211997A JP211997A JPH10199851A JP H10199851 A JPH10199851 A JP H10199851A JP 211997 A JP211997 A JP 211997A JP 211997 A JP211997 A JP 211997A JP H10199851 A JPH10199851 A JP H10199851A
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cassette
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Katsuyuki Kinoshita
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Abstract

(57)【要約】 【課題】枚葉で薬液処理あるいはスクラブ処理された基
板を高い清浄度で乾燥する事により、基板に形成された
製品の歩留りを向上させる。 【解決手段】一枚毎に薬液処理あるいはスクラブ処理し
た基板6を、複数枚収納できる引き上げ用カセット11
に純水中で収納した後、引き上げ乾燥ユニット5内でI
PA蒸気17内より引上げて乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の処理方法に関
し、特に基板上に回路配線などを形成するための枚葉式
薬液処理あるいはプラズマ処理を行ったのちその基板を
乾燥する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の製造工程においては、薬
液処理やスクラブ処理が多用されている。図3は従来の
液晶表示装置に用いるTFTの製造工程におけるガラス
基板表面の異物を除去する為の、ブラシスクラバー処理
装置の断面図である。
【0003】この処理装置は、ガラス基板のローダーユ
ニット1、枚葉式ブラシスクラブユニット2、枚葉式純
水リンスユニット3、エアーナイフ24による乾燥ユニ
ット22、ガラス基板のアンローダーユニット23とか
ら主に構成されている。
【0004】従来のブラシスクラバーにおけるガラス基
板の処理方法は、まずガラス基板ローダーユニット1に
おいて、複数枚のガラス基板6を収納したカセット7か
ら1枚毎に搬送用コロ8によって枚葉式ブラシスクラブ
ユニット2に搬送する。スクラブユニット2において、
回転機構に接続しているナイロン製ブラシ9の回転によ
ってガラス基板6表面の異物を除去する。またスクラブ
ブラシの回転力にブラシの回転軸より注入した弱アルカ
リ性の薬液あるいは界面活性剤を付加する事により異物
の除去力を増している。枚葉でブラシスクラブ処理が行
われたガラス基板6は、枚葉式純水リンスユニット3に
搬送され、ガラス基板6の通過する上下に配置された純
水のシャワーノズル10から噴出される純水によって前
のユニットで使われた薬液がリンスされる。純水リンス
ユニット3でリンスされたガラス基板6は、エアーナイ
フ乾燥ユニット22に搬送され、ガラス基板6の上下に
配置されたエアーナイフ24のスリットより噴出するエ
アーによってガラス基板6表面の水分が乾燥除去され
る。
【0005】このように枚葉式のブラシクラバーで処理
した後の基板乾燥をエアーナイフ方式でエアー圧による
水の吹き飛ばしによって行った場合、エアーナイフ乾燥
ユニット22内に飛散したミストの再付着や、エアーナ
イフ24のスリットの詰まりによるエアーの不均一な噴
出による筋状の乾燥ムラを生じさせることがある。この
ようなガラス基板6表面へのミストの再付着や筋状の乾
燥ムラは、その後の写真食刻工程で配線の断線や部分的
オーバーエッチング等のエッチング異常となり、液晶表
示装置における表示ムラや信頼性の劣化原因となってい
る。
【0006】特開平5−50018号公報には、大型基
板の良好な乾燥を行う為に、複数の基板を同時に薬液処
理した後1枚毎に乾燥を行う薬液処理方法が開示されて
いる。
【0007】特開平4−255220号公報には、乾燥
処理時間の短縮化と真空ポンプのトラブルを防止する為
に、基板を洗浄水の水面より微速度で露出させながら水
の表面張力を利用して基板の水切りを行う乾燥方法が開
示されている。
【0008】特開平5−36659号公報には、装置を
小型化し、洗浄・乾燥処理を迅速に行う為に、基板を垂
直状に支持しつつ洗浄・乾燥する為の装置が開示されて
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術で
は、枚葉式のブラシシスクラバーで処理した後の基板乾
燥を、エアーナイフ方式でエアー圧による水の吹き飛ば
しによって行っているため、エアーナイフ乾燥ユニット
22内に飛散した水滴の再付着やエアーナイフ24のス
リットの詰まりによるエアーの不均一な噴出による筋状
の乾燥ムラを生じさせることがある。このようなガラス
基板6表面への水滴の再付着や筋状の乾燥ムラは、その
後の写真食刻工程で配線の断線や部分的オーバーエッチ
ング等のエッチング異常となり、液晶表示装置における
表示ムラや信頼性の劣化原因となっている。
【0010】特開平5−50018号公報に開示された
薬液処理方法は、複数の基板を同時に薬液処理した後1
枚毎に基板乾燥を行う処理方法である。この方法では大
型基板における写真食刻のための薬液処理に用いる場
合、基板面内のエッチング均一性に問題がある。またこ
の方法は、基板表面の塵を除去するブラシスクラブを用
いる工程に適用することはできない。更に基板を回転さ
せる枚葉式乾燥方法あるいはエアーブロー式の乾燥方法
では、基板を回転させた時あるいはエアーブローされた
時の水滴の跳ね返りによる再付着で基板乾燥後の表面の
充分な清浄度を得ることができない。
【0011】特開平4−255220号公報には基板を
洗浄水の水面から微速度で露出させる水切り方法が示さ
れているが、薬液処理部もバッチ式であり前述した基板
面内の均一性を要求されるエッチングやブラシスクラブ
を用いる工程には適用することはできない。
【0012】特開平5−36659号公報に開示された
装置は、特に基板を垂直状に保持しつつインライン式の
枚葉洗浄を行った後エアーナイフ型の枚葉式乾燥を行う
ためのものであり、前述の様に乾燥後の基板清浄度に問
題がある。
【0013】本発明の目的は、枚葉式で薬液処理あるい
はスクラブ処理された基板を効率良く高い清浄度で乾燥
することにより、基板に形成された製品歩留りを向上さ
せることの可能な基板の処理方法を提供する事にある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の基板の処理方法
は、薬液処理あるいはスクラブ処理等を1枚毎に行った
基板を溶液中でカセットに複数枚収納する工程と、基板
が収納された前記カセットを溶液又は蒸気雰囲気中より
引き上げることにより前記基板の乾燥を行う工程を含む
ことを特徴とするものである。
【0015】
【作用】基板に対する写真食刻の為のエッチングを枚葉
式で行う事で薬液が基板表面に均一に触れる為、複数枚
同時に処理するよりエッチング精度を向上させる事が出
来る。また基板の表面清浄化処理の為の薬液処理と併用
したブラシスクラブ等は、枚葉式のみで行う事が可能で
ある。以上の1枚毎に枚葉式で薬液処理された基板を複
数枚収納できるカセットに純水等の液中で収納する事に
より、雰囲気中の塵等の汚染に触れる事がない。また不
要な乾燥による液中の異物を凝集付着させる等の不均一
な乾燥を生じさせる事もない。
【0016】つぎにこの液中で複数枚収納したカセット
を温純水中から微速度で引き上げて行く引き上げ乾燥、
あるいはイソプロピンアルコール(IPA)等の溶剤雰
囲気中からの引き上げ乾燥を行う事により、基板を1枚
毎にスピンナーで乾燥させる枚葉式乾燥より基板表面の
清浄度を上げる事ができる。以上の様に、本発明によっ
て基板を高い均一性または高い清浄度で枚葉処理された
基板を、水滴の跳ね返りや不要な乾燥による異物付着等
の汚染を受ける事なく高い清浄度で効率良く乾燥処理を
実現できる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施の形態
を説明する為の液晶表示装置の製造工程におけるガラス
基板表面の異物を除去する為のブラシスクラバー処理装
置の断面図である。
【0018】この処理装置は、ガラス基板のローダーユ
ニット1、枚葉式ブラシスクラブユニット2、枚葉式純
水リンスユニット3、基板水中収納ユニット4及びIP
A雰囲気からの引き上げ乾燥ユニット5から主に構成さ
れている。
【0019】本処理装置におけるガラス基板6の処理方
法は、まずガラス基板のローダーユニット1において、
複数枚のガラス基板6を収納したカセット7からガラス
基板6を1枚毎に搬送用コロ8によって枚葉式ブラシス
クラブユニット2内に搬送する。枚葉式スクラブユニッ
ト2において、回転機構に接続しているナイロン製ブラ
シ9の回転によって基板表面の異物を除去する。またス
クラブブラシの回転力にブラシの回転軸より注入した弱
アルカリ性の薬液あるいは界面活性剤を付加する事によ
り異物の除去力を増している。
【0020】枚葉でブラシスクラブ処理が行われたガラ
ス基板6は、枚葉式純水リンスユニット3に搬送され、
ガラス基板6の通過する上下に配置された純水シャワー
ノズル10から噴出される純水によって前のユニットで
使われた薬液がリンスされる。枚葉式純水リンスユニッ
ト3でリンスされたガラス基板6は、基板水中収納ユニ
ット4にて純水中に傾斜を持たせてて保持された引き上
げ乾燥用カセット11に傾斜搬送コロ12を介して収納
される。乾燥用カセット11は上下駆動する機構と接続
したカセット傾斜保持部13により、ガラス基板6を1
枚毎純水中にて収納する毎に下降して行く。
【0021】複数枚のガラス基板6を乾燥用カセット1
1に収納完了すると、カセット傾斜保持部13の回転軸
14を中心にカセット回転駆動部15によりガラス基板
6が垂直方向に位置する様に乾燥用カセット11が回転
する。ガラス基板6を垂直方向に位置して収納した乾燥
用カセット11は、搬送アーム16により純水中から引
き上げられ、IPA引き上げ乾燥ユニット5に搬送され
る。IPA引き上げ乾燥ユニットにおいて乾燥用カセッ
トに収納された基板6は、82℃に加熱されたIPA蒸
気17中を30〜50mm/分の速度で引き上げられる
事によって乾燥される。
【0022】図2は、本発明の第2の実施の形態を説明
する為の液晶表示装置の製造工程においてTFTの画素
電極であるITO膜を写真食刻法でエッチング形成する
為のエチング装置の断面図である。
【0023】このエッチング装置は、ガラス基板のロー
ダーユニット1、枚葉式エッチングユニット18、枚葉
式純水ユニット3、基板水中収納ユニット4及び温純水
引き上げ乾燥ユニット21から主に構成されている。こ
の第2の実施の形態で用いる装置は、枚葉式薬液処理部
に枚葉式エッチングユニット18を、また乾燥ユニット
には基板を収納したカセットを温純水20中で徐々に引
き上げる温純水引き上げ乾燥ユニット21を用いたもの
である。
【0024】第2の実施の形態におけるITO膜を写真
食刻法でエッチング形成する為のガラス基板6の処理方
法は、まずガラス基板のローダーユニット1において、
ITO膜を被着し写真食刻法でエッチングのマスクとな
るフォトレジスト膜で配線パターンを形成した複数枚の
ガラス基板6を収納したカセット7から、1枚毎に搬送
用コロ8によってガラス基板6を枚葉式エッチングユニ
ット18内に搬送する。枚葉式エッチングユニット18
に搬送されたガラス基板6は、ガラス基板6の通過する
上部に配置された薬液シャワーノズル19より噴出され
る硝酸と塩酸の混合液によってITOがエッチングされ
る。
【0025】枚葉でエッチング処理が行われたガラス基
板6は、枚葉式純水リンスユニット3に搬送され、ガラ
ス基板6の通過する上下に配置された純水シャワーノズ
ル10より噴出される純水によって枚葉式エッチングユ
ニット18で使われた薬液がリンスされる。枚葉式純水
リンスユニット3でリンスされたガラス基板6は、基板
水中収納ユニット4にて純水中に傾斜を持たせて保持さ
れた引き上げ乾燥用カセット11に傾斜搬送コロ12を
介して収納される。
【0026】乾燥用カセット11は、上下駆動する機構
と接続したカセット傾斜保持部13によりガラス基板6
を1枚毎水中にて収納する毎に下降して行く。複数枚の
ガラス基板6を乾燥用カセット11に収納完了すると、
カセット傾斜保持部13の回転軸14を中心にカセット
回転駆動部15によりガラス基板6が垂直方向に位置す
る様に乾燥用カセット11が回転する。ガラス基板6を
垂直方向に位置して収納した乾燥用カセット11は、搬
送アーム16により純水中から引き上げられ、温純水引
き上げ乾燥ユニット21に搬送される。温純水引き上げ
乾燥ユニット21において乾燥用カセットに収納された
ガラス基板6は、50〜60℃の温純水20中を30〜
60mm/分の速度で引き上げられる事によって乾燥さ
れる。
【0027】
【発明の効果】第1の効果は次のとうりである。基板表
面の異物除去の為に行うブラシスクラブ処理は枚葉での
み行う事ができる為異物の除去率が高い。また基板乾燥
では引き上げ乾燥方式が乾燥中に水滴の再付着による乾
燥不良を発生させる事が少ない。本発明では枚葉の薬液
処理、あるいはスクラブ処理等から複数毎の基板を同時
に乾燥処理するバッチ式処理ユニットに移行する迄に、
基板を空気等の雰囲気に長時間触れる事が無い為清浄度
の高い乾燥を行う事ができる。この為、製品の歩留りを
向上させることができる。
【0028】その理由は、枚葉式薬液処理の後にバッチ
式引き上げ乾燥処理を行う為に、基板を純水等の液中に
てカセットに収納する事により全ての基板に渡って基板
表面の不均一な乾燥を防ぐことができるためである。
【0029】第2の効果は次のとうりである。エッチン
グ等の薬液処理において基板の面内均一性の点で複数枚
の基板をカセットに収納して行うバッチ式より枚葉式薬
液処理の方が優れている。また基板乾燥においては枚葉
のスピン乾燥やエアブロー乾燥より引き上げ乾燥の方が
優れている。しかし枚葉で引き上げ乾燥を行う事は処理
時間が長い為処理能力が低下する。本発明では均一性の
良い枚葉式薬液処理からバッチ式の引き上げ乾燥に移行
する事により、エッチングと乾燥の両者の利点を満たし
処理能力を低下させる事無く効率的な処理を行う事がで
きる。
【0030】その理由は、引き上げ乾燥は微速度で引き
上げる為処理時間を要するが、複数枚の基板を同時に処
理する事が出来る為、複数枚の基板を枚葉処理する時間
内に乾燥処理が出来るからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する為のブラ
シスクラバー処理装置の断面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明する為のエッ
チング装置の断面図。
【図3】従来技術におけるブラシスクラバー処理装置の
断面図。
【符号の説明】
1 ローダーユニット 2 ブラシスクラブユニット 3 純水リンスユニット 4 基板水中収納ユニット 5 IPA引き上げ乾燥ユニット 6 ガラス基板 7 カセット 8 搬送用コロ 9 ナイロン製ブラシ 10 純水シャワーノズル 11 引き上げ用カセット 12 搬送用コロ 13 カセット保持部 14 回転軸 15 カセット回転駆動部 16 搬送アーム 17 IPA蒸気 18 エッチングユニット 19 薬液シャワーノズル 20 温純水 21 温純水引き上げ乾燥ユニット 22 乾燥ユニット 23 アンローダーユニット 24 エアーナイフ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薬液処理あるいはスクラブ処理等を1枚
    毎に行った基板を溶液中でカセットに複数枚収納する工
    程と、基板が収納された前記カセットを溶液又は蒸気雰
    囲気中より引き上げることにより前記基板の乾燥を行う
    工程を含むことを特徴とする基板の処理方法。
  2. 【請求項2】 処理された基板は傾斜した状態で液中の
    カセットに収納される請求項1記載の基板の処理方法。
  3. 【請求項3】 乾燥に有機溶剤雰囲気を用いる請求項1
    記載の処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282524A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置
KR100436900B1 (ko) * 2001-10-29 2004-06-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
JP2012178500A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置
WO2020174962A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436900B1 (ko) * 2001-10-29 2004-06-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
JP2003282524A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置
JP2012178500A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置
WO2020174962A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP2020141063A (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理システム

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