JPH05166778A - 半導体ウエーハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエーハの洗浄方法Info
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- JPH05166778A JPH05166778A JP4972492A JP4972492A JPH05166778A JP H05166778 A JPH05166778 A JP H05166778A JP 4972492 A JP4972492 A JP 4972492A JP 4972492 A JP4972492 A JP 4972492A JP H05166778 A JPH05166778 A JP H05166778A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いた半
導体ウェーハ表面の洗浄処理における短時間洗浄、安全
性を図る。 【構成】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半
導体ウェーハを洗浄処理する半導体ウェーハの洗浄方法
において、上記混合洗浄液における塩酸：過酸化水素の
純分混合比を重量％で０．８：１〜１２：１に設定し、
且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を２８〜３
５．４重量％に設定する。
導体ウェーハ表面の洗浄処理における短時間洗浄、安全
性を図る。 【構成】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用いて半
導体ウェーハを洗浄処理する半導体ウェーハの洗浄方法
において、上記混合洗浄液における塩酸：過酸化水素の
純分混合比を重量％で０．８：１〜１２：１に設定し、
且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を２８〜３
５．４重量％に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において、半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体
ウエーハの洗浄方法に関する。
において、半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体
ウエーハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、前工程や
取扱い中に受けた半導体ウェーハ表面の有機および無機
の汚染を除去するために半導体ウェーハを洗浄処理する
工程がある。この洗浄方法として、塩酸と過酸化水素水
の混合洗浄液を用いた洗浄が知られている。この混合洗
浄液は、ウェーハ表面の金属分や有機分等の不純物の酸
化・分解による除去を目的としてよく用いられる。
取扱い中に受けた半導体ウェーハ表面の有機および無機
の汚染を除去するために半導体ウェーハを洗浄処理する
工程がある。この洗浄方法として、塩酸と過酸化水素水
の混合洗浄液を用いた洗浄が知られている。この混合洗
浄液は、ウェーハ表面の金属分や有機分等の不純物の酸
化・分解による除去を目的としてよく用いられる。
【０００３】この混合洗浄液では、 塩酸の金属に対する溶解能、 過酸化水素水の金属に対する酸化作用、 過酸化水素水の有機物に対する酸化作用、 塩酸−過酸化水素水の混合により生じる次亜塩素酸
（ＨＣｌＯ）による酸化作用、 等による洗浄効果を有するものである。
（ＨＣｌＯ）による酸化作用、 等による洗浄効果を有するものである。
【０００４】塩酸−過酸化水素水混合洗浄液を使用する
際には、過酸化水素の分解反応を促進させ、活性な洗浄
因子（酸化剤）として働く酸素（Ｏ2 ）を多く生成させ
て洗浄効果を向上させるために、次の条件で使用するの
が一般的である。 液温 ５０℃〜８０℃ 液組成比 ＨＣｌ（３６重量％）：Ｈ2 Ｏ2 （３０重
量％）：Ｈ2 ０＝１：１：５〜１：１：１０（体積比） 濃度 ＨＣｌは３〜５．１重量％ Ｈ2 Ｏ2 は２．５〜４．３重量％ 残りはＨ2 Ｏ
際には、過酸化水素の分解反応を促進させ、活性な洗浄
因子（酸化剤）として働く酸素（Ｏ2 ）を多く生成させ
て洗浄効果を向上させるために、次の条件で使用するの
が一般的である。 液温 ５０℃〜８０℃ 液組成比 ＨＣｌ（３６重量％）：Ｈ2 Ｏ2 （３０重
量％）：Ｈ2 ０＝１：１：５〜１：１：１０（体積比） 濃度 ＨＣｌは３〜５．１重量％ Ｈ2 Ｏ2 は２．５〜４．３重量％ 残りはＨ2 Ｏ
【０００５】図７は従来の半導体ウエーハの洗浄方法の
例を示す。図７Ａに示すように、塩酸と過酸化水素水と
水を前述の液組成比をもって処理槽１に供給する。次
に、図７Ｂに示すように撹拌装置２によって液を充分混
合し、塩酸−過酸化水素水混合洗浄液３を得る。次に、
図７Ｃに示すように加熱ヒータ４を介して混合洗浄液３
を５０℃〜８０℃まで加熱し、その後、カセット５に収
納された半導体ウェーハ６をカセット５と共に混合洗浄
液３に浸漬して洗浄処理を行なっている。
例を示す。図７Ａに示すように、塩酸と過酸化水素水と
水を前述の液組成比をもって処理槽１に供給する。次
に、図７Ｂに示すように撹拌装置２によって液を充分混
合し、塩酸−過酸化水素水混合洗浄液３を得る。次に、
図７Ｃに示すように加熱ヒータ４を介して混合洗浄液３
を５０℃〜８０℃まで加熱し、その後、カセット５に収
納された半導体ウェーハ６をカセット５と共に混合洗浄
液３に浸漬して洗浄処理を行なっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、上述した
使用条件では次のような問題点があった。塩酸−過酸化
水素水混合洗浄液を５０℃〜８０℃まで加熱する必要が
あり、且つそのための加熱設備が必要となる。上記混合
洗浄液の昇温時に塩酸（ＨＣｌ）が蒸発し、過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）が分解するため、混合洗浄液を使用するま
での間に塩酸、過酸化水素等の有効成分の損失が大きく
なる。使用温度での過酸化水素の分解速度が遅いため、
酸化・分解による洗浄効果が低い。分解反応速度が遅い
ため、洗浄処理後に未反応の過酸化水素が残る。従っ
て、廃液後に反応する可能性があり、発熱、発泡の危険
を防ぐため、未反応の過酸化水素分が充分無くなるまで
廃液処理ができず、廃液処理に長時間を要する。
使用条件では次のような問題点があった。塩酸−過酸化
水素水混合洗浄液を５０℃〜８０℃まで加熱する必要が
あり、且つそのための加熱設備が必要となる。上記混合
洗浄液の昇温時に塩酸（ＨＣｌ）が蒸発し、過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）が分解するため、混合洗浄液を使用するま
での間に塩酸、過酸化水素等の有効成分の損失が大きく
なる。使用温度での過酸化水素の分解速度が遅いため、
酸化・分解による洗浄効果が低い。分解反応速度が遅い
ため、洗浄処理後に未反応の過酸化水素が残る。従っ
て、廃液後に反応する可能性があり、発熱、発泡の危険
を防ぐため、未反応の過酸化水素分が充分無くなるまで
廃液処理ができず、廃液処理に長時間を要する。
【０００７】本発明は、上述の点に鑑み、洗浄液の昇温
を不要とし、短時間に効率よく洗浄でき、また洗浄後の
廃液処理を簡単にした半導体ウエーハの洗浄方法を提供
するものである。
を不要とし、短時間に効率よく洗浄でき、また洗浄後の
廃液処理を簡単にした半導体ウエーハの洗浄方法を提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、塩酸と過酸化
水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウエーハを洗浄処理
する半導体ウェーハの洗浄方法において、混合洗浄液に
おける塩酸：過酸化水素の純分混合比を重量％で０．
８：１〜１２：１に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の
合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％に設定する。
水素水の混合洗浄液を用いて半導体ウエーハを洗浄処理
する半導体ウェーハの洗浄方法において、混合洗浄液に
おける塩酸：過酸化水素の純分混合比を重量％で０．
８：１〜１２：１に設定し、且つ塩酸及び過酸化水素の
合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％に設定する。
【０００９】
【作用】本発明においては、塩酸と過酸化水素水を混合
する際に、塩酸：過酸化水素の純分混合比を重量％で
０．８：１〜１２：１に設定し、且つ塩酸及び過酸化水
素の合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％に設定する
ことにより、室温で過酸化水素の分解反応が促進され、
また、この分解反応熱で混合洗浄液が昇温して過酸化水
素の分解反応が促進され、分解→発熱→分解促進という
相乗効果によって洗浄有効成分である酸素（Ｏ2 ）が短
時間に高濃度で発生し、半導体ウェーハが短時間に洗浄
される。
する際に、塩酸：過酸化水素の純分混合比を重量％で
０．８：１〜１２：１に設定し、且つ塩酸及び過酸化水
素の合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％に設定する
ことにより、室温で過酸化水素の分解反応が促進され、
また、この分解反応熱で混合洗浄液が昇温して過酸化水
素の分解反応が促進され、分解→発熱→分解促進という
相乗効果によって洗浄有効成分である酸素（Ｏ2 ）が短
時間に高濃度で発生し、半導体ウェーハが短時間に洗浄
される。
【００１０】混合洗浄液を昇温する必要がないので、昇
温設備が不用となると共に、従来のような加温時での塩
酸の蒸発、過酸化水素の分解が無く、塩酸、過酸化水素
等の有効成分の損失が少ない。
温設備が不用となると共に、従来のような加温時での塩
酸の蒸発、過酸化水素の分解が無く、塩酸、過酸化水素
等の有効成分の損失が少ない。
【００１１】さらに、洗浄処理の終了で混合洗浄液の分
解反応が完結するので、洗浄終了後の廃液処理は簡単と
なる。
解反応が完結するので、洗浄終了後の廃液処理は簡単と
なる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１３】塩酸と過酸化水素水を混合して洗浄液を得
る際、従来から洗浄液として使用されてきた前述の濃度
条件では、分解反応に基づく発熱や発泡は殆ど生じな
い。しかし、塩酸と過酸化水素水の両薬品を特定範囲の
濃度及び組成比（混合比）で混合する事により、過酸化
水素の分解反応（化１参照）を促進させることができ
る。
る際、従来から洗浄液として使用されてきた前述の濃度
条件では、分解反応に基づく発熱や発泡は殆ど生じな
い。しかし、塩酸と過酸化水素水の両薬品を特定範囲の
濃度及び組成比（混合比）で混合する事により、過酸化
水素の分解反応（化１参照）を促進させることができ
る。
【００１４】
【化１】
【００１５】本例においては、図１に示すように、処理
槽１１に塩酸（ＨＣｌ）、過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）及
び水（Ｈ2 Ｏ）を供給して塩酸−過酸化水素水の混合洗
浄液１２を得るが（図１Ａ）、このとき、塩酸と過酸化
水素の混合比及び濃度を次のように設定する。
槽１１に塩酸（ＨＣｌ）、過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）及
び水（Ｈ2 Ｏ）を供給して塩酸−過酸化水素水の混合洗
浄液１２を得るが（図１Ａ）、このとき、塩酸と過酸化
水素の混合比及び濃度を次のように設定する。
【００１６】即ち、混合洗浄液におけるＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ
2 の純分混合比を０．８重量％：１重量％〜１２重量
％：１重量％の範囲にすると共に、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2
の合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％（残りの成分
はＨ2 Ｏ）の範囲に設定する。より好ましくは、ＨＣ
ｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝１重量％：１重量％〜５重量％：１重量
％（１．２重量％：１重量％が最もよい）、ＨＣｌ及び
Ｈ2 Ｏ2 の合計純分濃度を３０〜３５．４重量％とする
を可とする。
2 の純分混合比を０．８重量％：１重量％〜１２重量
％：１重量％の範囲にすると共に、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2
の合計の純分濃度を２８〜３５．４重量％（残りの成分
はＨ2 Ｏ）の範囲に設定する。より好ましくは、ＨＣ
ｌ：Ｈ2 Ｏ2 ＝１重量％：１重量％〜５重量％：１重量
％（１．２重量％：１重量％が最もよい）、ＨＣｌ及び
Ｈ2 Ｏ2 の合計純分濃度を３０〜３５．４重量％とする
を可とする。
【００１７】ここで塩酸の純分混合比が０．８重量％よ
り少ないとき、若しくは１２重量％を越えるときは後述
する分解反応、発熱が生じなくなる。また、塩酸及び過
酸化水素の合計の純分濃度が２８重量％より少ないと同
様に分解反応、発熱が生じない。なお、同純分濃度３
５．４重量％は通常得られる濃度の上限である。
り少ないとき、若しくは１２重量％を越えるときは後述
する分解反応、発熱が生じなくなる。また、塩酸及び過
酸化水素の合計の純分濃度が２８重量％より少ないと同
様に分解反応、発熱が生じない。なお、同純分濃度３
５．４重量％は通常得られる濃度の上限である。
【００１８】ＨＣｌとＨ2 Ｏ2 の純分混合比及び合計純
分濃度を上記の範囲に設定して混合洗浄液１２を作成す
ることにより、室温でＨ2 Ｏ2 の分解反応が生じ、図１
Ｂに示すように酸素（Ｏ2 ）の発泡で洗浄液１２が拡散
し、同様に図１Ｃに示すように反応熱によって洗浄液１
２が加熱される。この過酸化水素の分解反応で活性な洗
浄因子として働く酸素（Ｏ2 ）が発生し、さらに分解反
応熱により洗浄液１２の温度が上昇して過酸化水素の分
解反応が促進されることにより、さらに多くの酸素（Ｏ
2 ）が発生する。従って、この混合洗浄液１２内にカセ
ット５に収納された半導体ウェーハ６を浸漬することに
より、半導体ウエーハは短時間で効率よく洗浄される。
洗浄液１２の液温は希釈に使用する水（Ｈ2 Ｏ）の量に
て調整される。
分濃度を上記の範囲に設定して混合洗浄液１２を作成す
ることにより、室温でＨ2 Ｏ2 の分解反応が生じ、図１
Ｂに示すように酸素（Ｏ2 ）の発泡で洗浄液１２が拡散
し、同様に図１Ｃに示すように反応熱によって洗浄液１
２が加熱される。この過酸化水素の分解反応で活性な洗
浄因子として働く酸素（Ｏ2 ）が発生し、さらに分解反
応熱により洗浄液１２の温度が上昇して過酸化水素の分
解反応が促進されることにより、さらに多くの酸素（Ｏ
2 ）が発生する。従って、この混合洗浄液１２内にカセ
ット５に収納された半導体ウェーハ６を浸漬することに
より、半導体ウエーハは短時間で効率よく洗浄される。
洗浄液１２の液温は希釈に使用する水（Ｈ2 Ｏ）の量に
て調整される。
【００１９】過酸化水素の分解反応及びそれに基づく洗
浄液１２の発熱、洗浄液１２の発熱により過酸化水素の
分解反応の促進という相乗効果による洗浄液１２の液温
上昇は、図２の曲線Ｉに示すように混合直後の液温（室
温）から誘導期間Ｔ1 を経て急激な過酸化水素の分解反
応で急上昇し、分解反応が完結するまで続く。最高到達
温度の時点で分解反応は完了し、それ以後は放熱により
液温低下する。分解反応は数分で終了する。Ｔ2 は分解
反応期間である。
浄液１２の発熱、洗浄液１２の発熱により過酸化水素の
分解反応の促進という相乗効果による洗浄液１２の液温
上昇は、図２の曲線Ｉに示すように混合直後の液温（室
温）から誘導期間Ｔ1 を経て急激な過酸化水素の分解反
応で急上昇し、分解反応が完結するまで続く。最高到達
温度の時点で分解反応は完了し、それ以後は放熱により
液温低下する。分解反応は数分で終了する。Ｔ2 は分解
反応期間である。
【００２０】同分解反応により、Ｈ2 Ｏ2 はＨ2 Ｏか若
しくはＯ2 に変化するため、反応完結後には未反応のＨ
2 Ｏ2 は洗浄液中には残留しない。同分解反応は、塩酸
と過酸化水素水の両方の液が室温状態で混合しても発生
する。
しくはＯ2 に変化するため、反応完結後には未反応のＨ
2 Ｏ2 は洗浄液中には残留しない。同分解反応は、塩酸
と過酸化水素水の両方の液が室温状態で混合しても発生
する。
【００２１】図２に示すように洗浄液を混合してから急
激な分解反応が始まるまでは誘導期間Ｔ1 が存在する。
この誘導期間Ｔ1 は、混合直後の洗浄液１２の温度や濃
度の高い場合の混合撹拌方法により多少影響を受ける
が、室温の塩酸及び過酸化水素水の両液を強撹拌した際
の誘導期間Ｔ1 は約２〜４分程度である。
激な分解反応が始まるまでは誘導期間Ｔ1 が存在する。
この誘導期間Ｔ1 は、混合直後の洗浄液１２の温度や濃
度の高い場合の混合撹拌方法により多少影響を受ける
が、室温の塩酸及び過酸化水素水の両液を強撹拌した際
の誘導期間Ｔ1 は約２〜４分程度である。
【００２２】次に、表１で示す塩酸及び過酸化水素の合
計の純分濃度と、塩酸：過酸化水素の純分混合比を変え
た混合洗浄液の試料〔１〕〜〔１０〕についての反応時
間経過と洗浄液の液温の変化を図３に示す。曲線
（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、
（７）、（８）、（９）、（１０）は夫々試料〔１〕、
〔２〕、〔３〕、〔４〕、〔５〕、〔６〕、〔７〕、
〔８〕及び
計の純分濃度と、塩酸：過酸化水素の純分混合比を変え
た混合洗浄液の試料〔１〕〜〔１０〕についての反応時
間経過と洗浄液の液温の変化を図３に示す。曲線
（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、
（７）、（８）、（９）、（１０）は夫々試料〔１〕、
〔２〕、〔３〕、〔４〕、〔５〕、〔６〕、〔７〕、
〔８〕及び
〔９〕に夫々対応する。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１及び図３から最高到達温度が４０℃を
越える試料〔１〕、〔２〕、〔３〕、〔４〕及び〔５〕
の条件（純分濃度、純分混合比）が、過酸化水素の分解
反応が促進され半導体ウェーハに対する洗浄効果が向上
すると判断できる条件と認められる。なお、最高到達温
度は純分濃度を変えることで調整可能である。即ち純分
濃度を少なくすれば最高到達温度は低下する。
越える試料〔１〕、〔２〕、〔３〕、〔４〕及び〔５〕
の条件（純分濃度、純分混合比）が、過酸化水素の分解
反応が促進され半導体ウェーハに対する洗浄効果が向上
すると判断できる条件と認められる。なお、最高到達温
度は純分濃度を変えることで調整可能である。即ち純分
濃度を少なくすれば最高到達温度は低下する。
【００２５】本発明に係る洗浄方法は、ディップ式洗
浄、スピン型枚葉式洗浄、スプレー型バッチ式洗浄等に
適用できる。ディップ式洗浄は、図４に示すように、処
理槽１１中に上記純分混合比及び純分濃度に設定した塩
酸−過酸化水素水の混合洗浄液１２を供給し、この混合
洗浄液１２中にカセット５に収容した半導体ウェーハ６
を浸漬して洗浄を行う。洗浄後は、純水リンス槽（図示
せず）において薬液除去を行う。
浄、スピン型枚葉式洗浄、スプレー型バッチ式洗浄等に
適用できる。ディップ式洗浄は、図４に示すように、処
理槽１１中に上記純分混合比及び純分濃度に設定した塩
酸−過酸化水素水の混合洗浄液１２を供給し、この混合
洗浄液１２中にカセット５に収容した半導体ウェーハ６
を浸漬して洗浄を行う。洗浄後は、純水リンス槽（図示
せず）において薬液除去を行う。
【００２６】スピン型枚葉式洗浄は、図５に示すように
ウェーハキャリア１４にセットした半導体ウェーハ６を
高速回転させながら、スプレーノズル１５から塩酸、過
酸化水素水及び水を混合した洗浄液１２を注入して洗浄
を行う。その後、純水リンス洗浄を行う。
ウェーハキャリア１４にセットした半導体ウェーハ６を
高速回転させながら、スプレーノズル１５から塩酸、過
酸化水素水及び水を混合した洗浄液１２を注入して洗浄
を行う。その後、純水リンス洗浄を行う。
【００２７】スプレー型バッチ式洗浄は、図６に示すよ
うに、洗浄室１７内に回転可能に配されたキャリア１８
に複数のウェーハ６を保持し、混合室２０よりの上記混
合洗浄液１２をキャリア１８の中心軸に沿って配したス
プレーノズル１９を通してウェーハ６に注入して洗浄を
行う。その後純水リンス洗浄を行う。
うに、洗浄室１７内に回転可能に配されたキャリア１８
に複数のウェーハ６を保持し、混合室２０よりの上記混
合洗浄液１２をキャリア１８の中心軸に沿って配したス
プレーノズル１９を通してウェーハ６に注入して洗浄を
行う。その後純水リンス洗浄を行う。
【００２８】上述の実施例によれば、塩酸−過酸化水素
水の混合洗浄液１２を用いる半導体ウェーハ６の洗浄方
法において、その洗浄液１２の塩酸：過酸化水素の純分
混合比、及び塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を上
述の範囲に特定することにより、半導体ウエーハ表面を
短時間（数分）に洗浄することができる。
水の混合洗浄液１２を用いる半導体ウェーハ６の洗浄方
法において、その洗浄液１２の塩酸：過酸化水素の純分
混合比、及び塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を上
述の範囲に特定することにより、半導体ウエーハ表面を
短時間（数分）に洗浄することができる。
【００２９】即ち、過酸化水素の分解反応が促進し、洗
浄有効成分である酸素（Ｏ2 ）を短時間に高濃度で発生
させることができ、洗浄効果が向上する。同時に室温で
分解反応が生じると共に、この分解反応での発熱で洗浄
液１２の液温が急激に上昇するため、従来の様に洗浄液
の加熱昇温時（いわゆる洗浄準備期間）でのＨＣｌ蒸
発、Ｈ2 Ｏ2 分解等の洗浄活性成分の損失が少なくな
る。
浄有効成分である酸素（Ｏ2 ）を短時間に高濃度で発生
させることができ、洗浄効果が向上する。同時に室温で
分解反応が生じると共に、この分解反応での発熱で洗浄
液１２の液温が急激に上昇するため、従来の様に洗浄液
の加熱昇温時（いわゆる洗浄準備期間）でのＨＣｌ蒸
発、Ｈ2 Ｏ2 分解等の洗浄活性成分の損失が少なくな
る。
【００３０】また、混合洗浄液１２を分解反応熱で昇温
するため、外部より昇温する必要がないので、従来のよ
うな加熱昇温期間が不要となり、昇温設備が不要とな
る。洗浄液１２はＨ2 Ｏ2 の分解反応で生ずる酸素（Ｏ
2 ）の発泡で液が拡散するので、撹拌装置を用いること
なく洗浄液１２の混合が充分に行なわれる。
するため、外部より昇温する必要がないので、従来のよ
うな加熱昇温期間が不要となり、昇温設備が不要とな
る。洗浄液１２はＨ2 Ｏ2 の分解反応で生ずる酸素（Ｏ
2 ）の発泡で液が拡散するので、撹拌装置を用いること
なく洗浄液１２の混合が充分に行なわれる。
【００３１】さらに、Ｈ2 Ｏ2 の分解反応は最高到達温
度の時点で完了するので、洗浄終了後にＨ2 Ｏ2 の未反
応分が存在せず、従って、洗浄終了後の廃液処理が簡単
に行なえる。
度の時点で完了するので、洗浄終了後にＨ2 Ｏ2 の未反
応分が存在せず、従って、洗浄終了後の廃液処理が簡単
に行なえる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、塩酸と過酸化水素水の
混合洗浄液における塩酸：過酸化水素の純分混合比及び
塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を前述の特定範囲
に設定することにより、両成分間の反応（発熱、発泡）
を促進させ、半導体ウェーハ表面を短時間で洗浄するこ
とができ、洗浄終了後の廃液処理も簡単にすることがで
きる。また、洗浄液を昇温する必要がないので、加熱ヒ
ータ等の昇温設備を不要とすることができる。従って、
半導体ウェーハの洗浄処理における洗浄効果、安全性を
向上することができ、且つ設備費の低減を図ることがで
きる。
混合洗浄液における塩酸：過酸化水素の純分混合比及び
塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を前述の特定範囲
に設定することにより、両成分間の反応（発熱、発泡）
を促進させ、半導体ウェーハ表面を短時間で洗浄するこ
とができ、洗浄終了後の廃液処理も簡単にすることがで
きる。また、洗浄液を昇温する必要がないので、加熱ヒ
ータ等の昇温設備を不要とすることができる。従って、
半導体ウェーハの洗浄処理における洗浄効果、安全性を
向上することができ、且つ設備費の低減を図ることがで
きる。
【図１】本発明に係る洗浄方法の説明図である。
【図２】本発明に係る洗浄液の分解反応の概要を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】表１の各資料（洗浄液）の塩酸−過酸化水素水
混合時の時間経過と洗浄液の液温の関係を示すグラフで
ある。
混合時の時間経過と洗浄液の液温の関係を示すグラフで
ある。
【図４】本発明の洗浄方法をディップ式洗浄に適用した
場合の説明図である。
場合の説明図である。
【図５】本発明の洗浄方法をスピン型枚葉式洗浄に適用
した場合の説明図である。
した場合の説明図である。
【図６】本発明の洗浄方法をスプレー型バッチ式洗浄に
適用した場合の説明図である。
適用した場合の説明図である。
【図７】従来の洗浄方法の説明図である。
１、１１ 処理槽 ２ 撹拌装置 ３、１２ 塩酸−過酸化水素水の混合洗浄液 ４ 加熱ヒータ ５ カセット ６ 半導体ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 塩酸と過酸化水素水の混合洗浄液を用い
て半導体ウエーハを洗浄処理する半導体ウエーハの洗浄
方法において、上記混合洗浄液における塩酸：過酸化水
素の純分混合比を重量％で０．８：１〜１２：１に設定
し、且つ塩酸及び過酸化水素の合計の純分濃度を２８〜
３５．４重量％に設定することを特徴とする半導体ウェ
ーハの洗浄方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| US6209553B1 (en) * | 1999-05-20 | 2001-04-03 | Mitsubishidenki Kabushiki Kaisha | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
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| WO2006051585A1 (ja) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | 枚葉式ウェーハ処理装置 |
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