JPH01189921A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
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- JPH01189921A JPH01189921A JP1612788A JP1612788A JPH01189921A JP H01189921 A JPH01189921 A JP H01189921A JP 1612788 A JP1612788 A JP 1612788A JP 1612788 A JP1612788 A JP 1612788A JP H01189921 A JPH01189921 A JP H01189921A
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- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造に用いられるレジスト除去装置
に関するものである。
に関するものである。
第２図は従来のレジスト除去装置を示す平面図であり、
図において、（１）は薬液槽、（２）は濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はこの混合液（２）を加熱する
ためのヒーターである。
図において、（１）は薬液槽、（２）は濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はこの混合液（２）を加熱する
ためのヒーターである。
次に動作について説明する。ヒーター（３）により、１
００〜１３０℃に加熱した濃硫酸と過酸化水素水の混合
液（２）が約４：１の割合で入った薬液槽（１）の中に
、レジストが付いたウェハを入れる。約１５分経過する
と、ウェハに付いたレジストは、除去される。
００〜１３０℃に加熱した濃硫酸と過酸化水素水の混合
液（２）が約４：１の割合で入った薬液槽（１）の中に
、レジストが付いたウェハを入れる。約１５分経過する
と、ウェハに付いたレジストは、除去される。
従来のレジスト除去装置は以上のように構成されており
、濃硫酸と過酸化水素水の混合液を１００〜１３０℃ま
で昇温するため、過酸化水素水が水と酸素に分解し、レ
ジスト除去能力が低下する。このため、この混合液がレ
ジストを除去する能力の保持時間は非常に短くなる。
、濃硫酸と過酸化水素水の混合液を１００〜１３０℃ま
で昇温するため、過酸化水素水が水と酸素に分解し、レ
ジスト除去能力が低下する。このため、この混合液がレ
ジストを除去する能力の保持時間は非常に短くなる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レジスト除去能力の低下を防止するとともに
、安定にレジスト除去ができるレジスト除去装置を得る
ことを目的とする。
たもので、レジスト除去能力の低下を防止するとともに
、安定にレジスト除去ができるレジスト除去装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係るレジスト除去装置は、昇温された凝硫酸
と過酸化水素水の混合液にオゾンガスを溶解するための
バブラを設けたものである。
と過酸化水素水の混合液にオゾンガスを溶解するための
バブラを設けたものである。
この発明におけるレジスト除去装置は、ハブツーにより
供給されたオゾンガスが、禎硫酸と過酸化水素水の混合
液に溶解する。
供給されたオゾンガスが、禎硫酸と過酸化水素水の混合
液に溶解する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、ｔｌ）は薬液槽、（２ｊは濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はこの混合液（２）を加熱する
ためのヒーター、（４）はオゾンガス、（５）は仁のオ
ゾンガス（４）を濃硫酸と過酸化水素水の混合液（２）
にバブリングさせるためのパブラーである。
図において、ｔｌ）は薬液槽、（２ｊは濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はこの混合液（２）を加熱する
ためのヒーター、（４）はオゾンガス、（５）は仁のオ
ゾンガス（４）を濃硫酸と過酸化水素水の混合液（２）
にバブリングさせるためのパブラーである。
次に動作について説明する。薬液槽（１）の中に約４：
１の割合で濃硫酸と過酸化水素水の混合液（２）を入れ
、これをヒーター（３）によって１００〜１３０℃に加
熱する。次いで、パブラー（５）より送られたオゾンガ
ス（４）は、気泡となって、昇温された濃硫酸と過酸化
水素水の混合液（２）と気液接解し、一部が溶解する。
１の割合で濃硫酸と過酸化水素水の混合液（２）を入れ
、これをヒーター（３）によって１００〜１３０℃に加
熱する。次いで、パブラー（５）より送られたオゾンガ
ス（４）は、気泡となって、昇温された濃硫酸と過酸化
水素水の混合液（２）と気液接解し、一部が溶解する。
この溶液の中に、レジストが付いたウェハを入れ、約１
５分経過するとウェハに付いたレジストは除去される。
５分経過するとウェハに付いたレジストは除去される。
なお上記実施例ではレジスト除去液に濃硫酸と過酸化水
素水の混合液を使用したものを示したが。
素水の混合液を使用したものを示したが。
レジスト除去液に濃硫酸と濃硝酸の混合液を使用しても
よい。
よい。
以とのように、この発明によれば、加熱された硫酸と過
酸化水素水にオゾンガスを溶解させること１ζより、過
酸化水素水の濃度低下の防止ができるため、安定したレ
ジスト除去と薬液使用量の削減ができる。
酸化水素水にオゾンガスを溶解させること１ζより、過
酸化水素水の濃度低下の防止ができるため、安定したレ
ジスト除去と薬液使用量の削減ができる。
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト除去装置を
示す平面図、第２図は従来のレジスト除去装餘を示す平
面因である。１１）は薬液槽、（２）は濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はヒーター、（４）はオゾンガ
ス、（５）はパブラー。 なお０図中同一符号は同一または相鳴部分を示す。
示す平面図、第２図は従来のレジスト除去装餘を示す平
面因である。１１）は薬液槽、（２）は濃硫酸と過酸化
水素水の混合液、（３）はヒーター、（４）はオゾンガ
ス、（５）はパブラー。 なお０図中同一符号は同一または相鳴部分を示す。
Claims (1)
- ウェハに付いたレジストを除去するレジスト除去装置
において、濃硫酸と過酸化水素水の混合液又は濃硫酸と
濃硝酸の混合液の入った薬液槽と、この混合液を加熱す
るためのヒーターと、この混合液にオゾンを溶解させる
ためのパブラーとを備えたレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612788A JPH01189921A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | レジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1612788A JPH01189921A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189921A true JPH01189921A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11907835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1612788A Pending JPH01189921A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | レジスト除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189921A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010034043A (ko) * | 1998-11-12 | 2001-04-25 | 다니구찌 이찌로오 | 포토레지스트막 제거방법 및 이를 위한 장치 |
| US6559064B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-05-06 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for removing photoresist on semiconductor wafer |
| US6790783B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fabrication apparatus |
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| US6837252B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-04 | Semitool, Inc. | Apparatus for treating a workpiece with steam and ozone |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| WO2009055317A3 (en) * | 2007-10-22 | 2009-07-09 | Texas Instruments Inc | Process for removing ion-implanted photoresist |
| JP2011520142A (ja) * | 2008-05-01 | 2011-07-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 高密度注入レジストの除去のための低ｐＨ混合物 |
| JP2012129496A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 |
| JP2012518716A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物 |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1612788A patent/JPH01189921A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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