JPH0745580A - 半導体ウエハ処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ処理方法Info
- Publication number
- JPH0745580A JPH0745580A JP5191163A JP19116393A JPH0745580A JP H0745580 A JPH0745580 A JP H0745580A JP 5191163 A JP5191163 A JP 5191163A JP 19116393 A JP19116393 A JP 19116393A JP H0745580 A JPH0745580 A JP H0745580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aqueous solution
- semiconductor wafer
- hcl
- valve
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 63
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 40
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、自然酸化膜の成長を抑制すること
により、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く除去す
る。 【構成】ＨＦ水溶液によって半導体ウエハ28の表面を洗
浄することにより、前記半導体ウエハ28の表面の酸化膜
を除去する。次に、前記ＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2及び純
水の混合液によって前記半導体ウエハ28の表面を処理す
る。次に、前記ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2 及び純水の混合液によ
って前記半導体ウエハ28の表面を処理することにより、
前記半導体ウエハ28の表面に付着しているＣｕ等の金属
不純物を除去している。従って、半導体ウエハの表面に
おける自然酸化膜の成長を抑制することができ、半導体
ウエハの表面の不純物を効率良く除去することができ
る。
により、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く除去す
る。 【構成】ＨＦ水溶液によって半導体ウエハ28の表面を洗
浄することにより、前記半導体ウエハ28の表面の酸化膜
を除去する。次に、前記ＨＦ、ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2及び純
水の混合液によって前記半導体ウエハ28の表面を処理す
る。次に、前記ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2 及び純水の混合液によ
って前記半導体ウエハ28の表面を処理することにより、
前記半導体ウエハ28の表面に付着しているＣｕ等の金属
不純物を除去している。従って、半導体ウエハの表面に
おける自然酸化膜の成長を抑制することができ、半導体
ウエハの表面の不純物を効率良く除去することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ処理方
法に関するもので、特に半導体ウエハの表面を洗浄する
ために使用されるものである。
法に関するもので、特に半導体ウエハの表面を洗浄する
ために使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体ウエハの表面処理
装置を示す構成図である。ＨＦ供給ライン１、ＨＣｌ供
給ライン２、Ｈ2 Ｏ2 供給ライン３および純水供給ライ
ン４それぞれは、第１乃至第４のバルブ１ａ〜４ａを介
して薬液混合装置５に接続されている。前記バルブ１ａ
〜４ａはバルブ制御装置６により制御されている。前記
薬液混合装置５は、薬液供給ライン７により半導体ウエ
ハ８を処理する処理槽９と接続されている。
装置を示す構成図である。ＨＦ供給ライン１、ＨＣｌ供
給ライン２、Ｈ2 Ｏ2 供給ライン３および純水供給ライ
ン４それぞれは、第１乃至第４のバルブ１ａ〜４ａを介
して薬液混合装置５に接続されている。前記バルブ１ａ
〜４ａはバルブ制御装置６により制御されている。前記
薬液混合装置５は、薬液供給ライン７により半導体ウエ
ハ８を処理する処理槽９と接続されている。
【０００３】図４（ａ）は、図３に示す半導体ウエハの
表面処理装置において、処理槽に薬液を供給するための
第１乃至第４のバルブの開閉操作を示すものであり、図
４（ｂ）は、図４（ａ）に示すように薬液を供給した場
合の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示すものである。
表面処理装置において、処理槽に薬液を供給するための
第１乃至第４のバルブの開閉操作を示すものであり、図
４（ｂ）は、図４（ａ）に示すように薬液を供給した場
合の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示すものである。
【０００４】上記構成において、図３に示す半導体ウエ
ハ処理装置における第１乃至第４のバルブ１ａ〜４ａ
は、バルブ制御装置６によって図４（ａ）、（ｂ）に示
すように薬液の供給が制御される。これにより、処理槽
９内において半導体ウエハ８の表面は洗浄される。
ハ処理装置における第１乃至第４のバルブ１ａ〜４ａ
は、バルブ制御装置６によって図４（ａ）、（ｂ）に示
すように薬液の供給が制御される。これにより、処理槽
９内において半導体ウエハ８の表面は洗浄される。
【０００５】すなわち、処理槽９には半導体ウエハ８が
入れられる。この後、第１及び第４のバルブ１ａ、４ａ
がバルブ制御装置６によって開かれることにより、薬液
混合装置５にはＨＦ及び純水（ＤＩＷ）がＨＦ供給ライ
ン１及び純水供給ライン４から供給される。次に、前記
薬液混合装置５においてＨＦ及び純水は混合され、この
混合液は薬液供給ライン７により処理槽９に供給され
る。これにより、この処理槽９において、ＨＦは所定の
濃度に調整され、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬ
酸化膜はＨＦにより除去される。前記処理槽９は、供給
された薬液等がオ−バ−フロ−されるように構成されて
いる。
入れられる。この後、第１及び第４のバルブ１ａ、４ａ
がバルブ制御装置６によって開かれることにより、薬液
混合装置５にはＨＦ及び純水（ＤＩＷ）がＨＦ供給ライ
ン１及び純水供給ライン４から供給される。次に、前記
薬液混合装置５においてＨＦ及び純水は混合され、この
混合液は薬液供給ライン７により処理槽９に供給され
る。これにより、この処理槽９において、ＨＦは所定の
濃度に調整され、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬ
酸化膜はＨＦにより除去される。前記処理槽９は、供給
された薬液等がオ−バ−フロ−されるように構成されて
いる。
【０００６】この後、第１の時間１１経過後、第１のバ
ルブ１ａがバルブ制御装置６によって閉じられることに
より、薬液混合装置５にはＨＦの供給が停止される。こ
の結果、純水の薬液混合装置５への供給は続けられてい
るため、第２の時間１２経過後には処理槽５におけるＨ
Ｆは完全になくなる。次に、第２及び第３のバルブ２
ａ、３ａがバルブ制御装置６によって開かれることによ
り、薬液混合装置５にはＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 がＨＣｌ供
給ライン２及びＨ2 Ｏ2 供給ライン３から供給される。
この後、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 が混合された混合液は処理
槽９に供給される。これにより、この処理槽９におい
て、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれは所定の濃度に調整さ
れ、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬＣｕが除去さ
れる。
ルブ１ａがバルブ制御装置６によって閉じられることに
より、薬液混合装置５にはＨＦの供給が停止される。こ
の結果、純水の薬液混合装置５への供給は続けられてい
るため、第２の時間１２経過後には処理槽５におけるＨ
Ｆは完全になくなる。次に、第２及び第３のバルブ２
ａ、３ａがバルブ制御装置６によって開かれることによ
り、薬液混合装置５にはＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 がＨＣｌ供
給ライン２及びＨ2 Ｏ2 供給ライン３から供給される。
この後、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 が混合された混合液は処理
槽９に供給される。これにより、この処理槽９におい
て、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれは所定の濃度に調整さ
れ、前記半導体ウエハ８の表面の図示せぬＣｕが除去さ
れる。
【０００７】次に、第３の時間１３経過後、第２のバル
ブ２ａが閉じられ、処理槽９にはＨＣｌの供給が停止さ
れる。この後、第４の時間１４経過後、第３のバルブ３
ａが閉じられ、処理槽９にはＨ2 Ｏ2 の供給が停止され
る。
ブ２ａが閉じられ、処理槽９にはＨＣｌの供給が停止さ
れる。この後、第４の時間１４経過後、第３のバルブ３
ａが閉じられ、処理槽９にはＨ2 Ｏ2 の供給が停止され
る。
【０００８】ところで、上記従来の半導体ウエハ処理方
法では、第１の時間１１において半導体ウエハ８の表面
の酸化膜を除去しても、第２の時間１２経過後第３のバ
ルブ３ａを開く前１５に、処理槽９に純水のみが供給さ
れるため、半導体ウエハ８の表面に再び自然酸化膜が形
成される。即ち、処理槽９に純水のみが供給されると、
この純水には溶存酸素が含まれているため、半導体ウエ
ハ８の表面に再び自然酸化膜が形成される。このような
自然酸化膜が形成されると、図５及び図６に示すよう
に、半導体ウエハ８の表面におけるＣｕ等の金属不純物
をＨＣｌとＨ2 Ｏ2 との混合液によって除去することが
困難になる。
法では、第１の時間１１において半導体ウエハ８の表面
の酸化膜を除去しても、第２の時間１２経過後第３のバ
ルブ３ａを開く前１５に、処理槽９に純水のみが供給さ
れるため、半導体ウエハ８の表面に再び自然酸化膜が形
成される。即ち、処理槽９に純水のみが供給されると、
この純水には溶存酸素が含まれているため、半導体ウエ
ハ８の表面に再び自然酸化膜が形成される。このような
自然酸化膜が形成されると、図５及び図６に示すよう
に、半導体ウエハ８の表面におけるＣｕ等の金属不純物
をＨＣｌとＨ2 Ｏ2 との混合液によって除去することが
困難になる。
【０００９】図５は、純水処理時間とウエハ表面のＣｕ
除去率を示すものである。すなわち、半導体ウエハをＨ
Ｆ処理した後、このウエハを溶存酸素濃度が約１０ｐｐ
ｍの純水によりリンスし、次に、このウエハ表面のＣｕ
をＨＣｌとＨ2 Ｏ2 との混合液により除去し、次に、こ
のウエハを純水によりリンスし、乾燥させる。この場合
の純水によるリンス時間とウエハ表面のＣｕ除去率との
関係が図５に示されている。この図から、純水処理時間
を長くした半導体ウエハほど、ウエハ表面のＣｕ除去率
が低くなることがわかる。これは、純水処理時間を長く
することにより、半導体ウエハの表面に形成される自然
酸化膜の厚さが厚くなるからである。つまり、この自然
酸化膜の厚さが厚いほど、ウエハ表面のＣｕが除去され
にくくなるといえる。
除去率を示すものである。すなわち、半導体ウエハをＨ
Ｆ処理した後、このウエハを溶存酸素濃度が約１０ｐｐ
ｍの純水によりリンスし、次に、このウエハ表面のＣｕ
をＨＣｌとＨ2 Ｏ2 との混合液により除去し、次に、こ
のウエハを純水によりリンスし、乾燥させる。この場合
の純水によるリンス時間とウエハ表面のＣｕ除去率との
関係が図５に示されている。この図から、純水処理時間
を長くした半導体ウエハほど、ウエハ表面のＣｕ除去率
が低くなることがわかる。これは、純水処理時間を長く
することにより、半導体ウエハの表面に形成される自然
酸化膜の厚さが厚くなるからである。つまり、この自然
酸化膜の厚さが厚いほど、ウエハ表面のＣｕが除去され
にくくなるといえる。
【００１０】図６は、大気放置時間とウエハ表面のＣｕ
除去率を示すものである。すなわち、半導体ウエハをＨ
Ｆ処理した後、このウエハを湿度が６０％の大気中に放
置し、次に、このウエハ表面のＣｕをＨＣｌとＨ2 Ｏ2
との混合液により除去し、この後、このウエハを純水に
よりリンスし、乾燥させる。この場合の大気中に放置し
た時間とウエハ表面のＣｕ除去率との関係が図６に示さ
れている。この図から、大気放置時間を長くした半導体
ウエハほど、ウエハ表面のＣｕ除去率が低くなることが
わかる。したがって、半導体ウエハの表面に形成された
自然酸化膜の厚さが厚いほど、ウエハ表面のＣｕが除去
されにくくなるといえる。
除去率を示すものである。すなわち、半導体ウエハをＨ
Ｆ処理した後、このウエハを湿度が６０％の大気中に放
置し、次に、このウエハ表面のＣｕをＨＣｌとＨ2 Ｏ2
との混合液により除去し、この後、このウエハを純水に
よりリンスし、乾燥させる。この場合の大気中に放置し
た時間とウエハ表面のＣｕ除去率との関係が図６に示さ
れている。この図から、大気放置時間を長くした半導体
ウエハほど、ウエハ表面のＣｕ除去率が低くなることが
わかる。したがって、半導体ウエハの表面に形成された
自然酸化膜の厚さが厚いほど、ウエハ表面のＣｕが除去
されにくくなるといえる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体ウエハ処理方法では、半導体ウエハ８の表面に
自然酸化膜が形成されることにより、半導体ウエハ８の
表面におけるＣｕ等の金属不純物を除去することが困難
になるという問題がある。
の半導体ウエハ処理方法では、半導体ウエハ８の表面に
自然酸化膜が形成されることにより、半導体ウエハ８の
表面におけるＣｕ等の金属不純物を除去することが困難
になるという問題がある。
【００１２】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、自然酸化膜の成長を抑
制することにより、半導体ウエハ表面の不純物を効率良
く除去する半導体ウエハ処理方法を提供することにあ
る。
されたものであり、その目的は、自然酸化膜の成長を抑
制することにより、半導体ウエハ表面の不純物を効率良
く除去する半導体ウエハ処理方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、ＨＦ水溶液によって半導体ウエハの表面
を処理することにより、前記半導体ウエハの表面の酸化
膜を除去する第１の工程と、前記ＨＦ水溶液、ＨＣｌ水
溶液及び酸化性水溶液の混合液によって前記半導体ウエ
ハの表面を処理する前記第１の工程と連続した第２の工
程と、前記ＨＣｌ水溶液及び前記酸化性水溶液の混合液
によって前記半導体ウエハの表面を処理する前記第２の
工程と連続した第３の工程とを具備することを特徴とし
ている。
解決するため、ＨＦ水溶液によって半導体ウエハの表面
を処理することにより、前記半導体ウエハの表面の酸化
膜を除去する第１の工程と、前記ＨＦ水溶液、ＨＣｌ水
溶液及び酸化性水溶液の混合液によって前記半導体ウエ
ハの表面を処理する前記第１の工程と連続した第２の工
程と、前記ＨＣｌ水溶液及び前記酸化性水溶液の混合液
によって前記半導体ウエハの表面を処理する前記第２の
工程と連続した第３の工程とを具備することを特徴とし
ている。
【００１４】また、前記第２の工程におけるＨＦ水溶液
の濃度は、前記第１の工程におけるＨＦ水溶液の濃度よ
り低いことを特徴としている。また、前記第２の工程に
おけるＨＦ水溶液は、前記第１の工程におけるＨＦ水溶
液の一部であるとともに、前記第３の工程における混合
液のＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれは、前記第
２の工程における混合液のＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶
液それぞれの一部であることを特徴としている。
の濃度は、前記第１の工程におけるＨＦ水溶液の濃度よ
り低いことを特徴としている。また、前記第２の工程に
おけるＨＦ水溶液は、前記第１の工程におけるＨＦ水溶
液の一部であるとともに、前記第３の工程における混合
液のＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれは、前記第
２の工程における混合液のＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶
液それぞれの一部であることを特徴としている。
【００１５】また、前記ＨＦ水溶液、前記ＨＣｌ水溶液
及び前記酸化性水溶液それぞれの濃度は、処理槽にＨＦ
水溶液、ＨＣｌ水溶液、酸化性水溶液及び純水それぞれ
を所定の量だけ供給することとと、前記処理槽からＨＦ
水溶液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれを排液
することとにより、制御されることを特徴としている。
及び前記酸化性水溶液それぞれの濃度は、処理槽にＨＦ
水溶液、ＨＣｌ水溶液、酸化性水溶液及び純水それぞれ
を所定の量だけ供給することとと、前記処理槽からＨＦ
水溶液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれを排液
することとにより、制御されることを特徴としている。
【００１６】
【作用】この発明は、ＨＦ水溶液によって半導体ウエハ
の表面を処理した後、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の
混合液によって前記半導体ウエハの表面を処理するた
め、前記ＨＦ水溶液から前記ＨＣｌ水溶液及び酸化性水
溶液の混合液に処理槽内を入れ替える前に、前記処理槽
内を前記ＨＦ水溶液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の
混合液としている。このため、半導体ウエハの表面に自
然酸化膜の成長を抑えることができる。すなわち、前記
処理槽内を入れ替える際、従来のように、ＨＦ水溶液を
純水と入れ替えると、この純水中の溶存酸素により半導
体ウエハの表面に自然酸化膜が成長するが、これを抑え
ることができる。この結果、自然酸化膜の成長を抑えた
状態の半導体ウエハの表面を、前記ＨＣｌ水溶液及び前
記酸化性水溶液の混合液によって処理することができ
る。したがって、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く
除去することができる。
の表面を処理した後、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の
混合液によって前記半導体ウエハの表面を処理するた
め、前記ＨＦ水溶液から前記ＨＣｌ水溶液及び酸化性水
溶液の混合液に処理槽内を入れ替える前に、前記処理槽
内を前記ＨＦ水溶液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の
混合液としている。このため、半導体ウエハの表面に自
然酸化膜の成長を抑えることができる。すなわち、前記
処理槽内を入れ替える際、従来のように、ＨＦ水溶液を
純水と入れ替えると、この純水中の溶存酸素により半導
体ウエハの表面に自然酸化膜が成長するが、これを抑え
ることができる。この結果、自然酸化膜の成長を抑えた
状態の半導体ウエハの表面を、前記ＨＣｌ水溶液及び前
記酸化性水溶液の混合液によって処理することができ
る。したがって、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く
除去することができる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の実施例による半導体ウ
エハの表面処理装置を示す構成図である。ＨＦ供給ライ
ン２１、ＨＣｌ供給ライン２２、酸化性水溶液供給ライ
ン、例えばＨ2 Ｏ2 供給ライン２３及び純水供給ライン
２４それぞれは、第１乃至第４のバルブ２１ａ〜２４ａ
を介して薬液混合装置２５に接続されている。この第１
乃至第４のバルブ２１ａ〜２４ａの開閉は制御装置２６
により制御されている。前記薬液混合装置２５は、薬液
供給ライン２７により半導体ウエハ２８を処理する処理
槽２９と接続されている。この処理槽２９には洗浄効果
を高めるための超音波洗浄機構３０が設けられており、
前記処理槽２９の内には薬液濃度測定機構３１が設けら
れている。前記超音波洗浄機構３０及び薬液濃度測定機
構３１は、制御装置２６により制御されている。したが
って、前記半導体ウエハの表面処理装置は、薬液濃度測
定機構３１によって処理槽２９内の薬液濃度をモニタ−
することができるように構成されている。
り説明する。図１は、この発明の実施例による半導体ウ
エハの表面処理装置を示す構成図である。ＨＦ供給ライ
ン２１、ＨＣｌ供給ライン２２、酸化性水溶液供給ライ
ン、例えばＨ2 Ｏ2 供給ライン２３及び純水供給ライン
２４それぞれは、第１乃至第４のバルブ２１ａ〜２４ａ
を介して薬液混合装置２５に接続されている。この第１
乃至第４のバルブ２１ａ〜２４ａの開閉は制御装置２６
により制御されている。前記薬液混合装置２５は、薬液
供給ライン２７により半導体ウエハ２８を処理する処理
槽２９と接続されている。この処理槽２９には洗浄効果
を高めるための超音波洗浄機構３０が設けられており、
前記処理槽２９の内には薬液濃度測定機構３１が設けら
れている。前記超音波洗浄機構３０及び薬液濃度測定機
構３１は、制御装置２６により制御されている。したが
って、前記半導体ウエハの表面処理装置は、薬液濃度測
定機構３１によって処理槽２９内の薬液濃度をモニタ−
することができるように構成されている。
【００１８】図２（ａ）は、図１に示す半導体ウエハの
表面処理装置において、第１乃至第４のバルブの開閉お
よび超音波洗浄機構３０それぞれを制御するタイムチャ
−トを示すものであり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示
すように薬液を供給した場合の処理槽の薬液濃度と処理
時間とを示すものである。
表面処理装置において、第１乃至第４のバルブの開閉お
よび超音波洗浄機構３０それぞれを制御するタイムチャ
−トを示すものであり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示
すように薬液を供給した場合の処理槽の薬液濃度と処理
時間とを示すものである。
【００１９】上記構成において、図１に示す半導体ウエ
ハ処理装置における第１乃至第４のバルブ２１ａ〜２４
ａは、制御装置２６によって図２（ａ）、（ｂ）に示す
ように薬液の供給が制御される。これにより、処理槽２
９内において半導体ウエハ２８の表面は洗浄される。
ハ処理装置における第１乃至第４のバルブ２１ａ〜２４
ａは、制御装置２６によって図２（ａ）、（ｂ）に示す
ように薬液の供給が制御される。これにより、処理槽２
９内において半導体ウエハ２８の表面は洗浄される。
【００２０】すなわち、第４のバルブ２４ａが制御装置
２６によって開かれる。これにより、薬液混合装置２５
には純水供給ライン２４から溶存酸素濃度が約１０ｐｐ
ｍ程度の純水（ＤＩＷ）が供給され、この純水は薬液供
給ライン２７を通って処理槽２９に供給される。この際
の純水の供給量は、２０ｌ／分程度である。次に、この
処理槽２９には半導体ウエハ２８が入れられる。この
後、第３のバルブ２３ａが制御装置２６によって開かれ
ることにより、薬液混合装置２５にはＨ2 Ｏ2 供給ライ
ン２３からＨ2 Ｏ2 が供給される。これと同時に、超音
波洗浄機構３０のスイッチが制御装置２６によってオン
されることにより、処理槽２９内における半導体ウエハ
２８には超音波ＭＨZ がかけられる。
２６によって開かれる。これにより、薬液混合装置２５
には純水供給ライン２４から溶存酸素濃度が約１０ｐｐ
ｍ程度の純水（ＤＩＷ）が供給され、この純水は薬液供
給ライン２７を通って処理槽２９に供給される。この際
の純水の供給量は、２０ｌ／分程度である。次に、この
処理槽２９には半導体ウエハ２８が入れられる。この
後、第３のバルブ２３ａが制御装置２６によって開かれ
ることにより、薬液混合装置２５にはＨ2 Ｏ2 供給ライ
ン２３からＨ2 Ｏ2 が供給される。これと同時に、超音
波洗浄機構３０のスイッチが制御装置２６によってオン
されることにより、処理槽２９内における半導体ウエハ
２８には超音波ＭＨZ がかけられる。
【００２１】次に、前記薬液混合装置５においてＨ2 Ｏ
2 及び純水は混合され、この混合液は薬液供給ライン２
７により処理槽２９に供給される。これにより、この処
理槽２９において、Ｈ2 Ｏ2 は約３％の濃度に調整さ
れ、前記半導体ウエハ２８の表面上に付着している図示
せぬ有機物又はパ−ティクルはＨ2 Ｏ2 により除去され
る。前記処理槽９は、供給された薬液及び純水がオ−バ
−フロ−されるように構成されている。この後、第１の
時間３２経過後、第３のバルブ２３ａが制御装置２６に
よって閉じられることにより、薬液混合装置２５にはＨ
2 Ｏ2 の供給が停止される。この結果、純水の薬液混合
装置２５への供給は続けられているため、第２の時間３
３経過後には処理槽２９におけるＨ2 Ｏ2 は完全になく
なる。
2 及び純水は混合され、この混合液は薬液供給ライン２
７により処理槽２９に供給される。これにより、この処
理槽２９において、Ｈ2 Ｏ2 は約３％の濃度に調整さ
れ、前記半導体ウエハ２８の表面上に付着している図示
せぬ有機物又はパ−ティクルはＨ2 Ｏ2 により除去され
る。前記処理槽９は、供給された薬液及び純水がオ−バ
−フロ−されるように構成されている。この後、第１の
時間３２経過後、第３のバルブ２３ａが制御装置２６に
よって閉じられることにより、薬液混合装置２５にはＨ
2 Ｏ2 の供給が停止される。この結果、純水の薬液混合
装置２５への供給は続けられているため、第２の時間３
３経過後には処理槽２９におけるＨ2 Ｏ2 は完全になく
なる。
【００２２】次に、第３の時間３４経過後、超音波洗浄
機構３０のスイッチが制御装置２６によってオフされ
る。これと同時に、第１のバルブ２１ａが制御装置２６
によって開かれることにより、薬液混合装置２５にはＨ
Ｆ供給ライン２１からＨＦが供給される。この後、この
ＨＦは薬液供給ライン２７により処理槽２９に供給され
る。これにより、この処理槽２９において、ＨＦは約
０．２％の濃度に調整され、前記半導体ウエハ２８の表
面の図示せぬ酸化膜、Ｆｅ、Ａｌ等はＨＦにより除去さ
れる。
機構３０のスイッチが制御装置２６によってオフされ
る。これと同時に、第１のバルブ２１ａが制御装置２６
によって開かれることにより、薬液混合装置２５にはＨ
Ｆ供給ライン２１からＨＦが供給される。この後、この
ＨＦは薬液供給ライン２７により処理槽２９に供給され
る。これにより、この処理槽２９において、ＨＦは約
０．２％の濃度に調整され、前記半導体ウエハ２８の表
面の図示せぬ酸化膜、Ｆｅ、Ａｌ等はＨＦにより除去さ
れる。
【００２３】この後、第４の時間３５経過後、具体的に
は約５分間経過後、第１のバルブ２１ａが制御装置２６
によって閉じられることにより、薬液混合装置２５には
ＨＦの供給が停止される。この後は、純水の薬液混合装
置２５への供給は続けられているため、処理槽２９にお
けるＨＦ濃度は徐々に低くなり、第５の時間３６経過後
には処理槽２９におけるＨＦは完全になくなる。次に、
前記第１のバルブ２１ａが閉じられた後、処理槽２９に
おいてＨＦが完全になくなる前に、第２及び第３のバル
ブ２２ａ、２３ａは制御装置２６によって開かれる。
は約５分間経過後、第１のバルブ２１ａが制御装置２６
によって閉じられることにより、薬液混合装置２５には
ＨＦの供給が停止される。この後は、純水の薬液混合装
置２５への供給は続けられているため、処理槽２９にお
けるＨＦ濃度は徐々に低くなり、第５の時間３６経過後
には処理槽２９におけるＨＦは完全になくなる。次に、
前記第１のバルブ２１ａが閉じられた後、処理槽２９に
おいてＨＦが完全になくなる前に、第２及び第３のバル
ブ２２ａ、２３ａは制御装置２６によって開かれる。
【００２４】具体的には、このＨＦ濃度が徐々に低くな
る際、薬液濃度測定機構３１を用いて、処理槽２９内の
ＨＦ濃度はモニタ−される。そして、前記ＨＦ濃度が１
００ｐｐｍに達した時に、第２及び第３のバルブ２２
ａ、２３ａは制御装置２６によって開かれる。これによ
り、ＨＣｌ供給ライン２２及びＨ2 Ｏ2 供給ライン２３
からＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 が薬液混合装置２５に供給され
る。この薬液混合装置２５において、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ
2 が混合された混合液は処理槽２９に供給される。尚、
前記薬液濃度測定機構３１は、例えばＨＦ濃度を測定す
る液体の抵抗値を測定し、この抵抗値と純水の比抵抗を
用いることにより、ＨＦ濃度を導出する方法を使用して
いる。
る際、薬液濃度測定機構３１を用いて、処理槽２９内の
ＨＦ濃度はモニタ−される。そして、前記ＨＦ濃度が１
００ｐｐｍに達した時に、第２及び第３のバルブ２２
ａ、２３ａは制御装置２６によって開かれる。これによ
り、ＨＣｌ供給ライン２２及びＨ2 Ｏ2 供給ライン２３
からＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 が薬液混合装置２５に供給され
る。この薬液混合装置２５において、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏ
2 が混合された混合液は処理槽２９に供給される。尚、
前記薬液濃度測定機構３１は、例えばＨＦ濃度を測定す
る液体の抵抗値を測定し、この抵抗値と純水の比抵抗を
用いることにより、ＨＦ濃度を導出する方法を使用して
いる。
【００２５】次に、前述したように、処理槽２９におい
てＨＦが完全になくなり、この処理槽９において、ＨＣ
ｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれは約０．５％及び約１％の濃度
に調整される。これにより、前記半導体ウエハ８の表面
の図示せぬＣｕ、Ａｕは除去される。この後、超音波洗
浄機構３０のスイッチが制御装置２６によってオンされ
ることにより、処理槽２９内における半導体ウエハ２８
には超音波ＭＨZ がかけられる。
てＨＦが完全になくなり、この処理槽９において、ＨＣ
ｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれは約０．５％及び約１％の濃度
に調整される。これにより、前記半導体ウエハ８の表面
の図示せぬＣｕ、Ａｕは除去される。この後、超音波洗
浄機構３０のスイッチが制御装置２６によってオンされ
ることにより、処理槽２９内における半導体ウエハ２８
には超音波ＭＨZ がかけられる。
【００２６】この後、第６の時間３７経過後、具体的に
は約１０分経過後、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３
ａが同時に閉じられ、処理槽２９にはＨＣｌ及びＨ2 Ｏ
2 の供給が停止される。次に、処理槽２９におけるＨＣ
ｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれの濃度は徐々に低くなる。第７
の時間３８経過後には処理槽２９においてＨＣｌは完全
になくなり、第８の時間３９経過後には処理槽２９にお
いてＨ2 Ｏ2 は完全になくなる。この結果、処理槽２９
内には純水のみが供給されている状態となる。
は約１０分経過後、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３
ａが同時に閉じられ、処理槽２９にはＨＣｌ及びＨ2 Ｏ
2 の供給が停止される。次に、処理槽２９におけるＨＣ
ｌ及びＨ2 Ｏ2 それぞれの濃度は徐々に低くなる。第７
の時間３８経過後には処理槽２９においてＨＣｌは完全
になくなり、第８の時間３９経過後には処理槽２９にお
いてＨ2 Ｏ2 は完全になくなる。この結果、処理槽２９
内には純水のみが供給されている状態となる。
【００２７】尚、上記実施例では、処理槽２９内のＨＦ
濃度を徐々に低くし、この濃度が１００ｐｐｍに達した
時に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開くこと
により、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給してい
るが、ＨＦ濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満に達
した時に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開く
ことにより、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給す
ることも可能である。最も望ましいのは、ＨＦ濃度が自
然酸化膜の成長を抑える最低限の濃度に達した時に、処
理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給することである。
濃度を徐々に低くし、この濃度が１００ｐｐｍに達した
時に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開くこと
により、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給してい
るが、ＨＦ濃度が１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満に達
した時に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開く
ことにより、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給す
ることも可能である。最も望ましいのは、ＨＦ濃度が自
然酸化膜の成長を抑える最低限の濃度に達した時に、処
理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給することである。
【００２８】また、Ｈ2 Ｏ2 供給ライン２３によりＨ2
Ｏ2 を薬液混合装置２５に供給しているが、Ｏ3 供給ラ
インによりＯ3 水、即ちオゾン水を薬液混合装置２５に
供給することも可能であり、ＨＮＯ3 供給ラインにより
ＨＮＯ3 を薬液混合装置２５に供給することも可能であ
る。
Ｏ2 を薬液混合装置２５に供給しているが、Ｏ3 供給ラ
インによりＯ3 水、即ちオゾン水を薬液混合装置２５に
供給することも可能であり、ＨＮＯ3 供給ラインにより
ＨＮＯ3 を薬液混合装置２５に供給することも可能であ
る。
【００２９】上記実施例によれば、処理槽２９へのＨＦ
の供給が停止され、処理槽２９におけるＨＦ濃度が徐々
に低くなり、このＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時
に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給している。
このため、半導体ウエハ２８の表面上に純水中の溶存酸
素による自然酸化膜が形成される前に、半導体ウエハ２
８の表面に付着しているＣｕ、Ａｕ等の金属不純物をＨ
Ｃｌ及びＨ2 Ｏ2 の混合液により除去することができ
る。したがって、従来の半導体ウエハ処理方法に比べ、
半導体ウエハ２８表面におけるＣｕ、Ａｕ等の金属不純
物の除去率を大幅に向上させることができる。
の供給が停止され、処理槽２９におけるＨＦ濃度が徐々
に低くなり、このＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時
に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給している。
このため、半導体ウエハ２８の表面上に純水中の溶存酸
素による自然酸化膜が形成される前に、半導体ウエハ２
８の表面に付着しているＣｕ、Ａｕ等の金属不純物をＨ
Ｃｌ及びＨ2 Ｏ2 の混合液により除去することができ
る。したがって、従来の半導体ウエハ処理方法に比べ、
半導体ウエハ２８表面におけるＣｕ、Ａｕ等の金属不純
物の除去率を大幅に向上させることができる。
【００３０】すなわち、半導体ウエハ２８の表面上に付
着しているＣｕ、Ａｕ等の金属不純物を除去する場合、
ウエハ２８表面上に酸化膜が形成されていると、前記金
属不純物を充分に除去することができない。このため、
ウエハ２８表面上の酸化膜をＨＦにより除去した後、再
び酸化膜が形成されないように、処理槽２９内のＨＦ濃
度が１００ｐｐｍに達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及
びＨ2 Ｏ2 を供給している。つまり、処理槽２９内を溶
存酸素を含む純水の状態にすることなく、酸化膜除去工
程から金属不純物除去工程へ移行している。これによ
り、純水中の溶存酸素による自然酸化膜の成長を抑える
ことができる。したがって、半導体ウエハ２８表面にお
ける金属不純物の除去率を大幅に向上させることができ
る。また、前記自然酸化膜の成長を抑制する方法として
は、純水中の溶存酸素の濃度を充分に低くすることも考
えられるが、技術的に不可能である。
着しているＣｕ、Ａｕ等の金属不純物を除去する場合、
ウエハ２８表面上に酸化膜が形成されていると、前記金
属不純物を充分に除去することができない。このため、
ウエハ２８表面上の酸化膜をＨＦにより除去した後、再
び酸化膜が形成されないように、処理槽２９内のＨＦ濃
度が１００ｐｐｍに達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及
びＨ2 Ｏ2 を供給している。つまり、処理槽２９内を溶
存酸素を含む純水の状態にすることなく、酸化膜除去工
程から金属不純物除去工程へ移行している。これによ
り、純水中の溶存酸素による自然酸化膜の成長を抑える
ことができる。したがって、半導体ウエハ２８表面にお
ける金属不純物の除去率を大幅に向上させることができ
る。また、前記自然酸化膜の成長を抑制する方法として
は、純水中の溶存酸素の濃度を充分に低くすることも考
えられるが、技術的に不可能である。
【００３１】尚、上記実施例では、半導体ウエハ２８表
面上の酸化膜を除去する工程において、第１及び第４の
バルブ２１ａ、２４ａを開いた状態で、ＨＦ及び純水を
供給し続けているが、第１及び第４のバルブ２１ａ、２
４ａを開き、処理槽２９内のＨＦ濃度が約０．２％に達
した後、第１及び第４のバルブ２１ａ、２４ａを閉じ、
この状態で所定の時間、半導体ウエハ２８を浸漬するこ
とも可能である。
面上の酸化膜を除去する工程において、第１及び第４の
バルブ２１ａ、２４ａを開いた状態で、ＨＦ及び純水を
供給し続けているが、第１及び第４のバルブ２１ａ、２
４ａを開き、処理槽２９内のＨＦ濃度が約０．２％に達
した後、第１及び第４のバルブ２１ａ、２４ａを閉じ、
この状態で所定の時間、半導体ウエハ２８を浸漬するこ
とも可能である。
【００３２】また、溶存酸素濃度が約１０ｐｐｍである
純水を用いているため、ＨＦ濃度が１０ｐｐｍ乃至１０
０ｐｐｍ程度に達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ
2 Ｏ2 を供給しているが、溶存酸素濃度が約５ｐｐｂで
ある純水を用いた場合は、ＨＦ濃度が０．１ｐｐｍ程度
に達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給
すれば良い。
純水を用いているため、ＨＦ濃度が１０ｐｐｍ乃至１０
０ｐｐｍ程度に達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ
2 Ｏ2 を供給しているが、溶存酸素濃度が約５ｐｐｂで
ある純水を用いた場合は、ＨＦ濃度が０．１ｐｐｍ程度
に達した時に、処理槽２９にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を供給
すれば良い。
【００３３】また、ＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時
に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開くことに
より、薬液混合装置２５にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を同時に
供給しているが、ＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時
に、第２のバルブ２２ａを開くことにより、薬液混合装
置２５にＨＣｌを先に供給し、次に第３のバルブ２３ａ
を開くことにより、薬液混合装置２５にＨ2 Ｏ2 を少し
遅れて供給することも可能である。
に、第２及び第３のバルブ２２ａ、２３ａを開くことに
より、薬液混合装置２５にＨＣｌ及びＨ2 Ｏ2 を同時に
供給しているが、ＨＦ濃度が１００ｐｐｍに達した時
に、第２のバルブ２２ａを開くことにより、薬液混合装
置２５にＨＣｌを先に供給し、次に第３のバルブ２３ａ
を開くことにより、薬液混合装置２５にＨ2 Ｏ2 を少し
遅れて供給することも可能である。
【００３４】また、供給された薬液及び純水がオ−バ−
フロ−されるように処理槽２９を構成することによっ
て、一槽の処理槽２９で半導体ウエハの表面処理装置を
形成しているが、複数の処理槽で半導体ウエハの表面処
理装置を形成することにより、各工程毎に半導体ウエハ
を他の処理槽に入れ替える方法を用いることも可能であ
る。
フロ−されるように処理槽２９を構成することによっ
て、一槽の処理槽２９で半導体ウエハの表面処理装置を
形成しているが、複数の処理槽で半導体ウエハの表面処
理装置を形成することにより、各工程毎に半導体ウエハ
を他の処理槽に入れ替える方法を用いることも可能であ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
第２の工程において第１の工程と連続して、ＨＦ水溶
液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の混合液によって半
導体ウエハの表面を処理している。したがって、半導体
ウエハの表面における自然酸化膜の成長を抑制すること
ができ、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く除去する
ことができる。
第２の工程において第１の工程と連続して、ＨＦ水溶
液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の混合液によって半
導体ウエハの表面を処理している。したがって、半導体
ウエハの表面における自然酸化膜の成長を抑制すること
ができ、半導体ウエハ表面の不純物を効率良く除去する
ことができる。
【図１】この発明の実施例による半導体ウエハの表面処
理装置を示す構成図。
理装置を示す構成図。
【図２】図２（ａ）は、この発明の図１に示す半導体ウ
エハの表面処理装置において、処理槽に薬液を供給する
ための第１乃至第４のバルブの開閉操作を示す図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すように薬液を供給
した場合の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示す図。
エハの表面処理装置において、処理槽に薬液を供給する
ための第１乃至第４のバルブの開閉操作を示す図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すように薬液を供給
した場合の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示す図。
【図３】従来の半導体ウエハの表面処理装置を示す構成
図。
図。
【図４】図４（ａ）は、図３に示す半導体ウエハの表面
処理装置において、処理槽に薬液を供給するための第１
乃至第４のバルブの開閉操作を示す図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）に示すように薬液を供給した場合
の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示す図。
処理装置において、処理槽に薬液を供給するための第１
乃至第４のバルブの開閉操作を示す図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）に示すように薬液を供給した場合
の処理槽の薬液濃度と処理時間とを示す図。
【図５】従来の半導体ウエハ処理方法により処理された
半導体ウエハにおけるウエハ表面のＣｕ除去率と純水処
理時間とを示すグラフ。
半導体ウエハにおけるウエハ表面のＣｕ除去率と純水処
理時間とを示すグラフ。
【図６】大気放置時間とウエハ表面のＣｕ除去率を示す
グラフ。
グラフ。
21…ＨＦ供給ライン、21a …第１のバルブ、22…ＨＣｌ
供給ライン、22a …第２のバルブ、23…Ｈ2 Ｏ2 供給ラ
イン、23a …第３のバルブ、24…純水供給ライン、24a
…第４のバルブ、25…薬液混合装置、26…制御装置、27
…薬液供給ライン、28…半導体ウエハ、29…処理槽、30
…超音波洗浄機構、31…薬液濃度測定機構、32…第１の
時間、33…第２の時間、34…第３の時間、35…第４の時
間、36…第５の時間、37…第６の時間、38…第７の時
間、39…第８の時間、ＤＩＷ…純水、ＭＨZ …超音波
供給ライン、22a …第２のバルブ、23…Ｈ2 Ｏ2 供給ラ
イン、23a …第３のバルブ、24…純水供給ライン、24a
…第４のバルブ、25…薬液混合装置、26…制御装置、27
…薬液供給ライン、28…半導体ウエハ、29…処理槽、30
…超音波洗浄機構、31…薬液濃度測定機構、32…第１の
時間、33…第２の時間、34…第３の時間、35…第４の時
間、36…第５の時間、37…第６の時間、38…第７の時
間、39…第８の時間、ＤＩＷ…純水、ＭＨZ …超音波
Claims (4)
- 【請求項１】 ＨＦ水溶液によって半導体ウエハの表面
を処理することにより、前記半導体ウエハの表面の酸化
膜を除去する第１の工程と、 前記ＨＦ水溶液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液の混合
液によって前記半導体ウエハの表面を処理する前記第１
の工程と連続した第２の工程と、 前記ＨＣｌ水溶液及び前記酸化性水溶液の混合液によっ
て前記半導体ウエハの表面を処理する前記第２の工程と
連続した第３の工程と、 を具備することを特徴とする半導体ウエハ処理方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程におけるＨＦ水溶液の濃
度は、前記第１の工程におけるＨＦ水溶液の濃度より低
いことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ処理方
法。 - 【請求項３】 前記第２の工程におけるＨＦ水溶液は、
前記第１の工程におけるＨＦ水溶液の一部であるととも
に、前記第３の工程における混合液のＨＣｌ水溶液及び
酸化性水溶液それぞれは、前記第２の工程における混合
液のＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれの一部であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ処理方
法。 - 【請求項４】 前記ＨＦ水溶液、前記ＨＣｌ水溶液及び
前記酸化性水溶液それぞれの濃度は、処理槽にＨＦ水溶
液、ＨＣｌ水溶液、酸化性水溶液及び純水それぞれを所
定の量だけ供給することとと、前記処理槽からＨＦ水溶
液、ＨＣｌ水溶液及び酸化性水溶液それぞれを排液する
こととにより、制御されることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウエハ処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116393A JP3338134B2 (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体ウエハ処理方法 |
| US08/271,960 US5470393A (en) | 1993-08-02 | 1994-07-08 | Semiconductor wafer treating method |
| KR1019940019107A KR0163620B1 (ko) | 1993-08-02 | 1994-08-02 | 반도체 웨이퍼 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116393A JP3338134B2 (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体ウエハ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745580A true JPH0745580A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3338134B2 JP3338134B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=16269953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19116393A Expired - Fee Related JP3338134B2 (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体ウエハ処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5470393A (ja) |
| JP (1) | JP3338134B2 (ja) |
| KR (1) | KR0163620B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990009195A (ko) * | 1997-07-08 | 1999-02-05 | 윤종용 | 반도체 소자 제조용 습식 세정장치 |
| US6158447A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
| US6245650B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device |
| US6432836B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Cleaning method for semiconductor substrate and cleaning solution |
| JP2018133551A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3154814B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
| US5681398A (en) * | 1995-03-17 | 1997-10-28 | Purex Co., Ltd. | Silicone wafer cleaning method |
| JP3649771B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2005-05-18 | 栗田工業株式会社 | 洗浄方法 |
| US5868856A (en) * | 1996-07-25 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing inorganic contamination by chemical derivitization and extraction |
| US5868862A (en) * | 1996-08-01 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of removing inorganic contamination by chemical alteration and extraction in a supercritical fluid media |
| JP3274389B2 (ja) * | 1996-08-12 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法 |
| US6129091A (en) * | 1996-10-04 | 2000-10-10 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company | Method for cleaning silicon wafers with deep trenches |
| US6033994A (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Apparatus and method for deprocessing a multi-layer semiconductor device |
| US6306564B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide |
| US6500605B1 (en) | 1997-05-27 | 2002-12-31 | Tokyo Electron Limited | Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process |
| US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
| JPH11204478A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
| US5964953A (en) * | 1998-05-26 | 1999-10-12 | Memc Electronics Materials, Inc. | Post-etching alkaline treatment process |
| EP0982765B1 (en) * | 1998-08-28 | 2004-04-28 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Cleaning method of semiconductor substrate |
| US6277753B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| US7064070B2 (en) * | 1998-09-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| TW426874B (en) * | 1998-10-14 | 2001-03-21 | United Microelectronics Corp | Method for cleaning a semiconductor wafer |
| US6037271A (en) * | 1998-10-21 | 2000-03-14 | Fsi International, Inc. | Low haze wafer treatment process |
| TW399264B (en) * | 1998-11-27 | 2000-07-21 | United Microelectronics Corp | Method for reducing the fluorine content on metal pad surface |
| US6261845B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-07-17 | Cfmt, Inc. | Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates |
| TW466728B (en) * | 1999-05-21 | 2001-12-01 | Cfmt Inc | Methods for wet processing electronic components having copper containing surfaces |
| US6748960B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
| US6162302A (en) * | 1999-11-16 | 2000-12-19 | Agilent Technologies | Method of cleaning quartz substrates using conductive solutions |
| EP1277233A2 (en) | 2000-04-25 | 2003-01-22 | Tokyo Electron Corporation | Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module |
| US6620743B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
| JP2005516405A (ja) * | 2002-01-25 | 2005-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界二酸化炭素プロセス中の汚染物の形成を低減する方法 |
| US6924086B1 (en) | 2002-02-15 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Developing photoresist with supercritical fluid and developer |
| AU2003217547A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-09 | Supercritical Systems Inc. | Drying resist with a solvent bath and supercritical co2 |
| WO2003077032A1 (en) | 2002-03-04 | 2003-09-18 | Supercritical Systems Inc. | Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing |
| US20040072706A1 (en) * | 2002-03-22 | 2004-04-15 | Arena-Foster Chantal J. | Removal of contaminants using supercritical processing |
| US7169540B2 (en) * | 2002-04-12 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning |
| US20040177867A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-09-16 | Supercritical Systems, Inc. | Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
| JP4248989B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2009-04-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
| FR2864457B1 (fr) * | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
| US20060185693A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Richard Brown | Cleaning step in supercritical processing |
| US20060186088A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Gunilla Jacobson | Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing |
| KR100639710B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2006-10-30 | 세메스 주식회사 | 약액 혼합 공급 방법 |
| US7550075B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Ltd. | Removal of contaminants from a fluid |
| US7442636B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning |
| US7399708B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-15 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning |
| US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4264374A (en) * | 1978-09-25 | 1981-04-28 | International Business Machines Corporation | Cleaning process for p-type silicon surface |
| US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| US5221423A (en) * | 1986-05-20 | 1993-06-22 | Fujitsu Limited | Process for cleaning surface of semiconductor substrate |
| US5129955A (en) * | 1989-01-11 | 1992-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method |
| CA2059841A1 (en) * | 1991-01-24 | 1992-07-25 | Ichiro Hayashida | Surface treating solutions and cleaning method |
| US5308400A (en) * | 1992-09-02 | 1994-05-03 | United Microelectronics Corporation | Room temperature wafer cleaning process |
-
1993
- 1993-08-02 JP JP19116393A patent/JP3338134B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-08 US US08/271,960 patent/US5470393A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-02 KR KR1019940019107A patent/KR0163620B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990009195A (ko) * | 1997-07-08 | 1999-02-05 | 윤종용 | 반도체 소자 제조용 습식 세정장치 |
| US6158447A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
| US6592678B1 (en) | 1997-09-09 | 2003-07-15 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning equipment |
| US6432836B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Cleaning method for semiconductor substrate and cleaning solution |
| US6245650B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device |
| JP2018133551A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5470393A (en) | 1995-11-28 |
| KR0163620B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JP3338134B2 (ja) | 2002-10-28 |
| KR950007011A (ko) | 1995-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0745580A (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
| JP3575859B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2760418B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| JP2000515324A (ja) | 逐次的化学加工を使用する、電子部品の製造のための湿式加工法 | |
| JPH11121417A (ja) | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 | |
| JP4484639B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH03228328A (ja) | 半導体基板の水洗方法 | |
| JP3473662B2 (ja) | ウェット式洗浄装置 | |
| JPH03190130A (ja) | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JP3136606B2 (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| KR970000420B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JP2000124179A (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH04103124A (ja) | 半導体基板の汚染除去方法 | |
| JPH05152274A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| TW394709B (en) | Method of wet processing electronic components using process liquids with controlled levels of gases | |
| JPH07142395A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63254734A (ja) | 半導体ウエハの処理方法とその装置 | |
| JPH05343380A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH07263392A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20010041359A (ko) | 통제된 기체 수준을 가진 공정 액체를 사용하는 전자부품습식 처리방법 | |
| JPH06267920A (ja) | フッ酸および純水洗浄方法とその洗浄装置 | |
| JP2002176025A (ja) | 半導体基板の洗浄装置およびその装置を使用した半導体基板の洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070809 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080809 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090809 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |