JPH11176782A

JPH11176782A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH11176782A
Application number: JP34649397A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Miyazawa; 一郎宮澤
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 1999-07-02
Anticipated expiration: 2017-12-16
Also published as: JP3164048B2

Abstract

(57)【要約】【課題】量産性に富んでいる利点を損うことなく、混
合液による洗浄能力やフォトレジスト剥離能力等を向上
する半導体製造装置を提供する。【解決手段】硫酸と過酸化水素水とを混合する薬液混
合槽１１の内部には、混合液の温度を下降させる熱交換
部１２が設けられている。さらに、薬液混合槽１１から
供給された温度が下降された混合液を貯蔵して、複数枚
のウエハ３を浸漬して洗浄やフォトレジスト剥離等の所
望の処理を行う硫酸−過酸化水素混合液処理槽１を備え
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の各
種の製造プロセス工程に用いられる半導体製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、メモリやマイクロプロセッサ等
のＬＳＩ（大規模集積回路）で代表される半導体装置の
製造では、従来から単結晶シリコン等のウエハ（半導体
基板）を出発材料として用いて、各種の製造プロセス工
程に移送して所望の処理が行われる。ここで、各製造プ
ロセス工程においては、あるいは各製造プロセス工程間
においては、周囲雰囲気から侵入してくる不純物や塵埃
等の有害物による影響を防止するために、ウエハの洗浄
が頻繁に行われる。

【０００３】また、半導体装置の製造プロセス工程にお
いて、選択的な加工処理を行う場合に欠かせないフォト
リソグラフィ工程ではマスク材料としてフォトレジスト
が用いられるが、このフォトレジストには上記のような
有害物が含まれている可能性があるので、フォトレジス
トの剥離は十分に行う必要がある。

【０００４】特に、有機系の不純物はウエハに付着する
と、その後の熱処理においてウエハ内に取り込まれて、
製造される半導体装置の特性に悪影響を及ぼすので、ウ
エハに対する洗浄あるいはフォトレジストの剥離はきわ
めて重要になる。

【０００５】ウエハの洗浄やフォトレジストの剥離に
は、一般に薬液による酸化力を利用して、ウエハに付着
している有害物を酸化物に変えた後に除去することが行
われている。そのような薬液としては、例えば硫酸と過
酸化水素水との混合液を用いると効果的であることが知
られている。その混合液は混合時に、強酸化性物質であ
るペルオキソー硫酸（いわゆる、カロ酸）を生成し、こ
のペルオキソー硫酸は強力な酸化力を発揮する。

【０００６】それゆえ、ウエハの洗浄やフォトレジスト
の剥離等の処理を行う半導体製造装置では、硫酸と過酸
化水素水との混合液を用いることが、基本的な構成にな
っている。ここで、半導体製造装置は、その混合液をウ
エハに作用させる方式の違いによって、噴霧方式とディ
ップ方式とに大別される。前者は混合液をウエハに霧状
に噴出して処理を行う方式であり、後者はウエハを混合
液に浸漬（ディップ）して処理を行う方式である。

【０００７】図５は、前者の一例を示すもので、特開昭
６１−１０５８４７号公報に開示されている構成を示し
ている。上記公報に記載の半導体製造装置は、同図に示
すように、槽１２１内で、まず、各々断熱材１２９によ
って覆われているオリウム供給管１２４から供給したオ
リウム（硫酸と無水硫酸との混合液）と、水供給管１２
５から供給した水とを第１供給管１２７で混合する。次
に、過酸化水素水供給管１２６から供給した過酸化水素
水を、第１供給管１２７と合体した第２供給管１２８に
おいてオリウム及び水と混合させて、混合液を真空回転
チャック１２３によって支持されているウエハ１２２の
表面に滴下（噴出）する。これによって、ウエハ１２２
の表面には、混合液による発熱領域が形成されて処理が
行われる。

【０００８】図６は、前者の他の例を示すもので、特開
平６−２９１０９８号公報に開示されている構成を示し
ている。上記公報に記載の半導体製造装置は、同図に示
すように、カップ２０１内で、過酸化水素貯蔵タンク２
０２から配管２０３を通じてノズル２０４から吐出され
た過酸化水素水と、濃硫酸貯蔵タンク２０５から配管２
０６を通じてノズル２０７から吐出された濃硫酸とを混
合して混合液２０８を形成して、モータ２１１で回転さ
れる回転チャック２１２で支持されたフォトマスク基板
２１３の表面に落下供給（噴出）する。この場合、硫酸
と過酸化水素水との流量比、混合ポイントＰの高さ、基
板２１３の回転数を制御することにより、基板２１３面
上の混合液２０８の温度分布を最小に抑えることによ
り、均一な洗浄を行うようにしている。

【０００９】ここで、基板２１３の表面には矢印Ａ方向
からリンス配管２０９を通じて供給された純水２１０が
噴出され、基板２１３の裏面には矢印Ｃ方向からカップ
リンスノズル２１５と裏面リンスノズル２１６とに分岐
する裏面リンス配管２１４を通じて供給された純水２１
７が噴出されて、基板２１３のリンスが行われるように
なっている。また、カップ２０１内に生じた廃液は排出
孔２１８を通じて矢印Ｂ方向に排出されるようになって
いる。

【００１０】ところで、図５及び図６に示した噴霧方式
の半導体製造装置は、処理すべきウエハ１２２または基
板２１３を一枚ずつ真空回転チャック１２３または回転
チャック２１２上に支持させなければならないので、量
産性に欠けるという欠点がある。この点で、後者の半導
体製造装置は、ウエハを混合液に浸漬して処理を行うの
で、同時に複数枚のウエハの処理が可能であるため量産
性に富んでいるという利点を有している。

【００１１】図７は、後者の例の半導体製造装置を示す
構成図である。この例の半導体製造装置は、同図に示す
ように、硫酸を貯蔵する硫酸貯蔵槽２７、過酸化水素水
を貯蔵する過酸化水素貯蔵槽２８、各々供給ポンプ２６
Ａ、２６Ｂによって硫酸貯蔵槽２７及び過酸化水素貯蔵
槽２８から供給された一定量の硫酸と過酸化水素水とを
混合して、その混合液に複数枚のウエハ２３を浸漬する
硫酸−過酸化水素混合液処理槽２１、純水、アンモニ
ア、過酸化水素等を含んだ薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２
９、供給ポンプ２６Ｃによって薬液貯蔵槽２９から供給
された薬液を貯蔵して、硫酸−過酸化水素混合液処理槽
２１から取り出されたウエハ２３をリンス（洗浄）する
薬液処理槽２２等を備えている。

【００１２】硫酸−過酸化水素混合液処理槽２１及び薬
液処理槽２２には各々オーバーフロー槽２１Ａ、オーバ
ーフロー槽２２Ａが設けられている。オーバーフロー槽
２１Ａからオーバーフローした混合液は、循環用ポンプ
２４Ａ及びフィルタ２５Ａから構成されるオーバーフロ
ー液循環手段によって、再び硫酸−過酸化水素混合液処
理槽２１に戻されるようになっている。同様にして、オ
ーバーフロー槽２２Ａからオーバーフローした薬液は、
循環用ポンプ２４Ｂ及びフィルタ２５Ｂから構成される
オーバーフロー液循環手段によって、再び薬液処理槽２
２に戻されるようになっている。また、硫酸−過酸化水
素混合液処理槽２１及び薬液処理槽２２には各々液温調
節器１９Ａ、１９Ｂが設けられていて、貯蔵されている
混合液及び薬液が所定温度に調節されるようになってい
る。

【００１３】同図の半導体製造装置において、処理すべ
きウエハ２３は、硫酸−過酸化水素混合液処理槽２１に
浸漬されて、混合液で生成されるペルオキソー硫酸が発
揮する強力な酸化力を利用して、有害物の除去が行われ
る。そして、そのような所望の処理が終了したウエハ２
３は、硫酸−過酸化水素混合液処理槽２１から取り出さ
れて、薬液処理槽２２に浸漬されることによりリンスさ
れる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の従来技術では、硫酸と過酸化水素水との混合時に反
応熱によって混合液の温度が１００℃以上にも上昇する
ようになるため、過酸化水素水及びペルオキソー硫酸が
分解する現象が生じて、ペルオキソー硫酸濃度が低下し
てくるのに伴ってその酸化力が低下してくるので、混合
液による洗浄やフォトレジスト剥離等の処理能力が不十
分になるという問題がある。

【００１５】図４は、この様子を説明する特性図で、混
合液の温度をパラメータにとった場合の、ペルオキソー
硫酸濃度（縦軸）と時間（横軸）との関係を示してい
る。同図から明らかなように、混合液の温度が１００℃
を越えると、過酸化水素水及びペルオキソー硫酸自身が
分解するようになるため、ペルオキソー硫酸濃度は急激
に下降するようになる。その結果として酸化力が低下し
てくるようになり、混合液によるウエハの洗浄能力やフ
ォトレジスト剥離能力等が不十分となるので、半導体装
置の製造歩留まりや信頼性が低くなるのが避けられなく
なる。

【００１６】ここで、ウエハの洗浄能力やフォトレジス
ト剥離能力等を向上するためには、混合液の構成成分で
ある硫酸と過酸化水素水とを随時補充して新たにペルオ
キソー硫酸を生成させればよいが、これにも限界があ
る。すなわち、最近のウエハの大口径化を考慮すると、
硫酸−過酸化水素混合液処理槽２１の大容量化が避けら
れなくなり、これに適応させるためには使用する薬液量
が増大するだけでなく、半導体製造装置全体の電力使用
量が上昇するようになるので、薬液コスト及び装置の維
持コストがアップするようになる。また、このような傾
向は、省資源化の流れにも逆行することになるので好ま
しくない。

【００１７】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、量産性に富んでいる利点を損うことなく、混合
液による洗浄能力やフォトレジスト剥離能力等の向上を
図ることができる半導体製造装置を提供することを目的
としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、混合されたとき反応熱によ
り混合液の温度が上昇する組み合わせとなる複数種類の
薬液からなる上記混合液に、基板を浸漬して所望の処理
を行う半導体製造装置に係り、第１の種類の薬液と該第
１の種類の薬液と混合されたとき反応熱により混合液の
温度が上昇する第２の種類の薬液とを混合する薬液混合
部と、上記薬液混部に設けられ反応熱により温度が上昇
している上記混合液の温度を下降させる冷却手段と、上
記薬液混合部から供給され温度が下降している上記混合
液を貯蔵してその混合液に処理すべき上記基板を浸漬す
る混合液処理部とを少なくとも備えていることを特徴と
している。

【００１９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体製造装置に係り、上記冷却手段が、上記薬液
混合部の内部又は外部に設けられていることを特徴とし
ている。

【００２０】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の半導体製造装置に係り、上記冷却手段が、熱
交換器から構成されていることを特徴としている。

【００２１】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の半導体製造装置に係り、上記熱交換器が、配管がコ
イル状に巻かれて構成されていることを特徴としてい
る。

【００２２】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか１に記載の半導体製造装置に係り、上記
冷却手段に冷却液としての役割を担う液を供給する薬液
貯蔵部を備えていることを特徴としている。

【００２３】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の半導体製造装置に係り、上記液が純水を含んでいる
ことを特徴としている。

【００２４】また、請求項７記載の発明は、請求項５又
は６記載の半導体製造装置に係り、上記冷却手段を通過
した上記液を貯蔵して、上記混合液処理部から取り出さ
れた上記基板を浸漬する薬液処理部を備えていることを
特徴としている。

【００２５】また、請求項８記載の発明は、請求項１乃
至７のいずれか１に記載の半導体製造装置に係り、上記
混合液処理部又は上記薬液処理部にオーバーフロー液循
環手段が設けられていることを特徴としている。

【００２６】また、請求項９記載の発明は、請求項１乃
至８のいずれか１に記載の半導体製造装置に係り、上記
第１の種類の薬液は硫酸からなり、上記第２の種類の薬
液は過酸化水素水からなることを特徴としている。

【００２７】また、請求項１０記載の発明は、請求項１
乃至９のいずれか１に記載の半導体製造装置に係り、上
記基板は半導体基板からなることを特徴としている。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例図１は、この発明の第１実施例である半導体製造装置を
示す構成図である。この例の半導体製造装置は、同図に
示すように、硫酸を貯蔵する硫酸貯蔵槽７と、過酸化水
素水を貯蔵する過酸化水素貯蔵槽８と、各々供給ポンプ
６Ａ、６Ｂによって硫酸貯蔵槽７及び過酸化水素貯蔵槽
８から供給された一定量の硫酸と過酸化水素水とを混合
する薬液混合槽１１と、この薬液混合槽１１の内部に設
けられ反応熱により温度が上昇している混合液の温度を
下降させる冷却手段として働く熱交換部１２と、薬液混
合槽１１から定期的にフィルタ５を通じて供給され温度
が下降している混合液を貯蔵してその混合液に複数枚の
ウエハ３を浸漬して、洗浄、フォトレジスト剥離等の所
望の処理を行う硫酸−過酸化水素混合液処理槽１とを備
えている。

【００２９】熱交換部１２は、金属製や樹脂製等からな
る配管１３がコイル状に巻かれた熱交換器から構成され
ていて、その熱交換器には冷却液としての役割を担う純
水、アンモニア、過酸化水素等を含んだ薬液が薬液貯蔵
槽１０から供給される。薬液貯蔵槽１０にはそのような
薬液が混合された状態で、または単独で貯蔵されてい
て、供給ポンプ６Ｃによって一定量が熱交換部１２に供
給されるようになっている。

【００３０】そのように、薬液混合槽１１の内部に熱交
換部１２を設けることにより、反応熱によって温度が上
昇する混合液は１００℃以上に上昇しないうちに熱交換
部１２によって冷却されることにより、温度が下降され
るようになる。

【００３１】熱交換部１２を通過することにより、薬液
混合槽１１の内部の混合液との間で熱交換が行われて温
度が下降された冷却液としての役割を担う薬液は、フィ
ルタ５Ｄを通じて薬液処理槽２に供給されて貯蔵され
る。この薬液処理槽２の薬液は、硫酸−過酸化水素混合
液処理槽１から取り出された処理済のウエハ３を浸漬し
て洗浄（リンス）するように働く。硫酸−過酸化水素混
合液処理槽１及び薬液処理槽２には各々オーバーフロー
槽１Ａ、オーバーフロー槽２Ａが設けられている。オー
バーフロー槽１Ａにオーバーフローした混合液は、循環
用ポンプ４Ａ及びフィルタ５Ａから構成されるオーバー
フロー液循環手段によって、再び硫酸−過酸化水素混合
液処理槽１に戻されるようになっている。同様にして、
オーバーフロー槽２Ａにオーバーフローした薬液は、循
環用ポンプ４Ｂ及びフィルタ５Ｂから構成されるオーバ
ーフロー液循環手段によって、再び薬液処理槽２に戻さ
れるようになっている。また、硫酸−過酸化水素混合液
処理槽１及び薬液処理槽２には各々液温調節器９Ａ、９
Ｂが設けられていて、貯蔵されている混合液及び薬液が
所定温度に調節されるようになっている。各フィルタ５
Ａ乃至５Ｄは各液内に含まれているパーティクル等の懸
濁粒子を除去するように働く。

【００３２】次に、第１実施例である半導体製造装置の
動作を説明する。初期条件として、硫酸貯蔵槽７に液温
略２５℃で濃度略９５％の濃硫酸を貯蔵し、過酸化水素
貯蔵槽８に液温略２５℃で濃度略３０％の過酸化水素水
を貯蔵し、薬液貯蔵槽１０に液温略２５℃の純水（冷却
液としての役割を担う液）を貯蔵したものとする。ま
た、薬液混合槽１１の容量を略５０リットル、硫酸−過
酸化水素混合液処理槽１の容量を略４０リットルに設定
し、熱交換部１２を直径略５ｃｍで、長さが略５ｍの配
管で構成したものとする。

【００３３】まず、硫酸貯蔵槽７及び過酸化水素貯蔵槽
８から各々供給ポンプ６Ａ、６Ｂによって一定量の硫酸
と過酸化水素水とを薬液混合槽１１に供給して混合す
る。硫酸と過酸化水素水との混合時、反応熱が発生して
混合液の温度は徐々に上昇して、このまま放置しておく
と１００℃以上に上昇する。このため、薬液貯蔵槽１０
から供給ポンプ６Ｃによって、配管１３を通じて混合液
内の熱交換部１２に純水を供給すると、混合液の温度は
一時的に９０℃程度まで上昇するが、純水が冷却液とし
ての役割を担うようになるため、混合液の温度は４５℃
程度まで下降する。

【００３４】この結果、硫酸と過酸化水素水との混合時
の高温による過酸化水素水及びペルオキソー硫酸の分解
が抑制されるようになり、ペルオキソー硫酸濃度の下降
も抑制されるようになる。図３はこの様子を説明する特
性図で、ペルオキソー硫酸濃度ａは従来のペルオキソー
硫酸濃度ｂに比較して略１．７倍に増加するようにな
る。したがって、ペルオキソー硫酸の酸化力は低下しな
い。

【００３５】次に、薬液混合槽１１内の温度が下降され
た混合液を、定期的にフィルタ５を通じて硫酸−過酸化
水素混合液処理槽１に供給して貯蔵する。そして、液温
調整器９Ａによって所定温度に、例えば６０乃至７０℃
の適温に調節した後に、硫酸−過酸化水素混合液処理槽
１に複数枚のウエハ３を浸漬して、洗浄やフォトレジス
ト剥離等の所望の処理を行うようにする。

【００３６】一方、熱交換部１２を通過した純水は、混
合液との間で熱交換が行われてその温度は４０℃程度に
上昇されて、フィルタ５Ｄを通じて薬液処理槽２に供給
されて貯蔵される。この薬液処理槽２には、硫酸−過酸
化水素混合液処理槽１から取り出された処理済のウエハ
３を浸漬して、リンスする。この場合、薬液貯蔵槽２に
貯蔵された純水の温度は、上記のように適温に上昇され
ているので、リンスは良好な状態で行われる。また、液
温は温度調節器９Ｂによって調整可能になっている。

【００３７】硫酸−過酸化水素混合液処理槽１からオー
バーフロー槽１Ａにオーバーフローした混合液は、循環
用ポンプ４Ａ及びフィルタ５Ａから構成されるオーバー
フロー液循環手段によって、再び硫酸−過酸化水素混合
液処理槽１に戻される。同様にして、薬液処理槽２から
オーバーフロー槽２Ａにオーバーフローした薬液は、循
環用ポンプ４Ｂ及びフィルタ５Ｂから構成されるオーバ
ーフロー液循環手段によって、再び薬液処理槽２に戻さ
れる。これによって、硫酸−過酸化水素混合液処理槽１
及び薬液処理槽２においては、連続的なウエハ３の処理
が行えるようになっている。ここで、混合液の酸化力が
低下してきたときは、適宜に薬液混合槽１１からフィル
タ５を通じて、硫酸−過酸化水素混合槽処理槽１に再び
混合液を供給して補充するようにする。

【００３８】このように、第１実施例によれば、硫酸と
過酸化水素水とを混合する薬液混合槽１１の内部に熱交
換部１２を設けて、熱交換部１２によって混合液の温度
を下降させた後に、混合液を硫酸−過酸化水素混合液処
理槽１に供給して複数枚のウエハ３を浸漬して、洗浄や
フォトレジスト剥離等の所望の処理を行うようにしたの
で、量産性に富んでいる利点を損うことなく、混合液に
よる洗浄能力やフォトレジスト剥離能力等を向上するこ
とができる。

【００３９】また、上記構成によれば、混合液の反応熱
を利用して熱交換部１２により、冷却液としての役割を
担う薬液の温度をウエハ３のリンスを行う適温に上昇す
ることができるので、反応熱をエネルギーとして有効に
活用することができる。

【００４０】◇第２実施例図２は、この発明の第２実施例である半導体製造装置を
示す構成図である。この第２実施例の半導体製造装置の
構成が、上述の第１実施例のそれ（図１）と大きく異な
るところは、各々供給ポンプ６Ａ、６Ｂによって硫酸貯
蔵槽７及び過酸化水素貯蔵槽８から供給された一定量の
硫酸と過酸化水素水とを混合する薬液混合槽１１に代え
て、図２に示すように、薬液混合槽１１よりも容量の小
さい薬液混合管からなる薬液混合部１４を設け、かつ、
薬液混合部１４の外部に熱交換部１５を設けるようにし
た点である。なお、上記以外の点では、上述の第１実施
例と略同様であるので、図２において、図１の構成部分
と同一の部分には、同一の符号を付してその説明を省略
する。

【００４１】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。加えて、上述の第１実施例の場合よりも、薬液
混合槽１１に対応する薬液混合部１４の容量を小さくし
た分だけ、半導体製造装置として小型化を図ることがで
きるので、特に設置スペースに制約を受けているような
用途に適用して、効果的となる。

【００４２】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、処理すべ
き対象としては半導体基板に例をあげて説明したが、こ
れに限らずフォトマスク基板、プリント基板等のように
半導体装置の製造または実装に使用されるような基板で
あれば、同様に適用できる。さらに、半導体分野に限ら
ず、薬液の反応熱を利用して有害物を除去するような用
途ならば、同様に適用できる。また、混合液を構成する
薬液の組み合わせは、実施例で示した硫酸と過酸化水素
水との組み合わせ例に限らず、混合されたとき反応熱に
より混合液の温度が高まる組み合わせとなる薬液であれ
ば同様に適用することができる。また、硫酸や過酸化水
素水の濃度は、実施例のものに限定されるものではな
く、必要に応じて変更できる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、混合されたとき反応熱により混合液の温度が高
まる組み合わせとなる複数種類の薬液を混合する薬液混
合部に、混合液の温度を下降させる冷却手段を設け、温
度が下降された混合液を貯蔵し複数枚の基板を浸漬して
洗浄やフォトレジスト剥離等の所望の処理を行う混合液
処理部を備えるようにしたので、量産性に富んでいる利
点を損うことなく、混合液による洗浄能力やフォトレジ
スト剥離能力等を向上することができる。したがって、
半導体装置の製造歩留まりや信頼性の改善に寄与するこ
とができる。また、薬液コスト及び装置の維持コストの
アップを避けることができるので、省資源化を図ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例である半導体製造装置を
示す構成図である。

【図２】この発明の第２実施例である半導体製造装置を
示す構成図である。

【図３】第１実施例の半導体製造装置によって得られる
特性図を従来例による特性図と比較するものであり、ａ
は本例によるもの、ｂは従来例によるものである。

【図４】この発明がなされた背景を説明するための特性
図である。

【図５】従来の半導体製造装置を示す構成図である。

【図６】従来の他の半導体製造装置を示す構成図であ
る。

【図７】従来のその他の半導体製造装置を示す構成図で
ある。

【符号の説明】

１硫酸−過酸化水素混合液処理槽１Ａオーバーフロー槽２薬液処理槽２Ａオーバーフロー槽３ウエハ４Ａ、４Ｂ循環用ポンプ５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄフィルタ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ供給ポンプ７硫酸貯蔵槽８過酸化水素貯蔵槽９Ａ、９Ｂ温度調節器１０薬液貯蔵槽１１薬液混合槽１２、１５熱交換部１３配管１４薬液混合部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】混合されたとき反応熱により混合液の温
度が上昇する組み合わせとなる複数種類の薬液からなる
前記混合液に、基板を浸漬して所望の処理を行う半導体
製造装置であって、第１の種類の薬液と該第１の種類の薬液と混合されたと
き反応熱により混合液の温度が上昇する第２の種類の薬
液とを混合する薬液混合部と、前記薬液混合部に設けられ反応熱により温度が上昇して
いる前記混合液の温度を下降させる冷却手段と、前記薬液混合部から供給され温度が下降している前記混
合液を貯蔵してその混合液に処理すべき前記基板を浸漬
する混合液処理部と、を少なくとも備えていることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項２】前記冷却手段は、前記薬液混合部の内部
又は外部に設けられていることを特徴とする請求項１記
載の半導体製造装置。
【請求項３】前記冷却手段は、熱交換器から構成され
ていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製
造装置。
【請求項４】前記熱交換器は、配管がコイル状に巻か
れて構成されていることを特徴とする請求項３記載の半
導体製造装置。
【請求項５】前記冷却手段に冷却液としての役割を担
う液を供給する薬液貯蔵部を備えていることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体製造装
置。
【請求項６】前記液は純水を含んでいることを特徴と
する請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項７】前記冷却手段を通過した前記液を貯蔵し
て、前記混合液処理部から取り出された前記基板を浸漬
する薬液処理部を備えていることを特徴とする請求項５
又は６記載の半導体製造装置。
【請求項８】前記混合液処理部又は前記薬液処理部に
オーバーフロー液循環手段が設けられていることを特徴
とする請求項１乃至７のいずれか１に記載の半導体製造
装置。
【請求項９】前記第１の種類の薬液は硫酸からなり、
前記第２の種類の薬液は過酸化水素水からなることを特
徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載の半導体製
造装置。
【請求項１０】前記基板は半導体基板からなることを
特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導
体製造装置。