TWI650187B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，在於使基板之周緣部之處理寬度變小，並且提高處理寬度之均勻性。
本發明之基板處理裝置具備有：保持構件，其係設為將基板自下方大致水平地保持，可以既定之旋轉軸為中心進行旋轉；旋轉機構，其可使保持構件以旋轉軸為中心進行旋轉；獨立構件，其與被保持於保持構件之基板之端面隔開間隙地沿著基板之徑向被配置於基板之外側；及噴嘴，其將處理液以至少一部分會接觸到獨立構件之上表面所包含之吐出目標區域之方式，自吐出目標區域之上方吐出。獨立構件與基板之端面之間隙係設定為：接觸到達吐出目標區域之處理液在獨立構件之上表面流動而自該上表面之旋轉軸側之內側端被排出，從而自上方接觸基板之上表面周緣部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下僅稱為「基板」)實施處理之基板處理裝置。
作為如此之基板處理裝置，於專利文獻1中，揭示有一邊使水平地保持之保持構件、與沿著基板之周緣部而與基板之端面隔開間隔地包圍基板之全周的環一起旋轉，一邊將處理液以接觸基板之上表面中央部之方式吐出之裝置。該環表面為親水性。於基板表面為疏水性之情形時，在未設有該環之情形時，被供給至基板之上表面中央部的處理液因離心力而自基板之中央部朝向周緣部擴散時，會呈放射狀地且不均勻地擴散。因此，無法對基板之上表面整體均勻地供給處理液。
因此，專利文獻1之裝置利用親水性之環，使自基板之中央部到達周緣部之處理液在基板之周緣部附近呈膜狀地擴散，藉此實現對上表面整體均勻地供給處理液。
於專利文獻2中，揭示有具備有：保持構件，其一邊自下方將基板保持於水平一邊加以旋轉；環，其沿著基板之周緣部 而與基板之端面隔開間隔地包圍基板之全周；及噴嘴，其將處理液以接觸被旋轉之基板之上表面中央部之方式吐出。該環其撥水性較基板高，且不旋轉地被保持。於基板之表面為疏水性之情形時，如上所述，被供給至上表面中央部之處理液，在基板之周緣部附近呈放射狀地且不均勻地擴散。然而，於專利文獻2之裝置中，當處理液自基板之周緣部朝外部被排出時，會因包圍基板之環妨礙處理液之流動，而妨礙處理液之排出。藉此，該裝置將被排出之處理液之一部分積留於基板上，而於基板上形成處理液之液膜，從而實現對基板之上表面全域確實地供給處理液。
存在有於基板之中央部設置有形成有元件圖案之元件區域，並對元件區域以外之周緣部進行蝕刻等之處理的情形。於專利文獻3中，揭示有進行如此之基板之周緣部之處理的基板處理裝置。該裝置於基板之上方具有與基板表面對向之遮斷構件，且一邊使基板於大致水平面內旋轉，一邊自被配置於遮斷構件之周緣部之噴嘴，朝向基板上表面之周緣部供給處理液，而進行基板上表面中周緣部之蝕刻處理。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-94836號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-157531號公報
[專利文獻3]日本專利特開2008-47629號公報
為了僅處理基板之處理面中周緣部之周緣側的細寬度區域，需要僅向基板之處理面中之該周緣側的細寬度區域供給處理液。然而，專利文獻1、2之基板處理裝置由於對基板之上表面整體供給處理液，因此存在有無法僅對基板之處理面中之該細寬度區域供給處理液之問題。
又，於專利文獻3之裝置中，由於處理液朝向基板之周緣部中之平坦部分被吐出，因此存在有處理液在基板之周緣部擴散而無法僅處理基板之處理面中之周緣部的細寬度區域等問題。為了利用專利文獻3之裝置來處理該細寬度區域，若將處理液之吐出目標區域設定為竭盡可能地接近基板之端面，處理液之流動便會因處理液接觸到基板之平坦部與端部之邊界部分。亦即，接觸到基板之處理液朝基板之中心側擴散，或朝端面側流動。因此，經處理液所處理之處理寬度，會沿著基板之圓周方向而變得不均勻，且連結朝基板之旋轉中心側擴散之處理液之前端之線，沿著基板之圓周方向而成為波浪形。因此，存在有基板之周緣部之處理寬度變得不均勻等問題。
本發明係為了解決上述問題而完成者，其目的在於提供於處理基板之周緣部之基板處理技術中，可使基板之周緣部之處理寬度變小，並且提高處理寬度之均勻性之技術。
為解決前述之問題，第1態樣之基板處理裝置具備有：保持構件，其係設為將基板自下方大致水平地加以保持，可以既定之旋轉軸為中心進行旋轉；旋轉機構，其可使上述保持構件以上述旋轉軸為中心進行旋轉；獨立構件，其與被保持於上述保持構 件之上述基板之端面隔開間隙地沿著上述基板之徑向被配置於上述基板之外側；及噴嘴，其將處理液以至少一部分會接觸到上述獨立構件之上表面所包含之吐出目標區域之方式，自上述吐出目標區域之上方吐出；上述獨立構件與上述基板之端面之上述間隙係設定為：接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之上述旋轉軸側之內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部。
第2態樣之基板處理裝置係第1態樣之基板處理裝置，且上述吐出目標區域全部被包含於上述獨立構件之上表面。
第3態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且進一步具備有將上述噴嘴與上述獨立構件一體地加以保持之噴嘴保持構件。
第4態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且上述獨立構件係沿著以上述旋轉軸為中心之上述基板之圓周方向來包圍上述基板之周緣之環狀構件，上述基板處理裝置進一步具備有使上述獨立構件以與上述基板相同之旋轉速度進行旋轉之上述環狀構件用之旋轉機構。
第5態樣之基板處理裝置係第4態樣之基板處理裝置，且上述環狀構件包含複數個圓弧狀構件，上述複數個圓弧狀構件包含沿著上述基板之圓周方向相鄰之2個圓弧狀構件，上述2個圓弧狀構件各自之上述基板之圓周方向的一端彼此相互地對向，且上述2個圓弧狀構件設為可以各自之另一端為中心而於水平面內分別地轉動，上述基板處理裝置進一步具備有轉動機構，該轉動機構將上述2個圓弧狀構件各自之另一端作為旋轉中心，並以各自之一 端相互地較上述基板之直徑更分開之方式使上述2個圓弧狀構件分別地轉動。
第6態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且其具備有：徑向驅動部，其可使上述獨立構件沿著上述基板之徑向移動；及控制部，其控制上述徑向驅動部與上述噴嘴；且於根據接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之上述旋轉軸側之內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部時上述獨立構件之位置來定義上述獨立構件之處理位置時，上述控制部在使上述徑向驅動部將上述獨立構件配置於較上述處理位置更靠上述基板之徑向之外側之外側位置的期間，使上述噴嘴開始朝向上述吐出目標區域進行上述處理液之吐出，並且一邊使上述噴嘴進行上述處理液之吐出，一邊使上述徑向驅動部將上述獨立構件自上述外側位置移動至上述處理位置。
第7態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且上述獨立構件之上表面之上述旋轉軸側之內側端，位於沿著上述基板之徑向較上述基板之周緣更靠上述旋轉軸側。
第8態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，上述內側面以自其下端朝向上端靠近上述旋轉軸之方式相對於上述旋轉軸傾斜。
第9態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，且上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，上述內側面自其下端朝向上端靠近上述旋轉軸，並且相對於上 述旋轉軸朝斜上方突出而彎曲。
第10態樣之基板處理裝置係第1或第2態樣之基板處理裝置，其中上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，且包含上述旋轉軸之平面上之上述內側面之剖面形狀，沿著上述基板之端面彎曲。
第11態樣之基板處理方法係基板處理裝置之基板處理方法，且該基板處理裝置具備有：保持構件，其係設為將基板自下方大致水平地加以保持，可以既定之旋轉軸為中心進行旋轉；旋轉機構，其使上述保持構件以上述旋轉軸為中心進行旋轉；獨立構件，其與上述基板分開地被配置；及噴嘴，其可吐出處理液；且上述基板處理方法具備有：與上述基板之端面隔開間隙地將上述獨立構件沿著上述基板之徑向配置於上述基板之外側之步驟；及使上述噴嘴將處理液以至少一部分會接觸到上述獨立構件之上表面所包含之吐出目標區域之方式，自上述吐出目標區域之上方吐出之步驟；上述獨立構件與上述基板之端面之上述間隙，係設定為：接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之上述旋轉軸側之內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部。
無論根據第1及第11任一態樣之發明，處理液均以至少一部分會接觸到獨立構件之上表面所包含之吐出目標區域之方式，自噴嘴被吐出。獨立構件與基板之端面隔開間隙地沿著基板之徑向被配置於基板之外側，該間隙係設定為：接觸到吐出目標區域之處理液在獨立構件之上表面流動而自該上表面之旋轉軸側之 內側端被排出，從而自上方接觸基板之上表面周緣部。因此，可使利用處理液之基板之上表面周緣部之處理寬度變小，並且提高處理寬度之均勻性。
根據第2態樣之發明，吐出目標區域全部包含於獨立構件之上表面。因此，接觸基板之上表面周緣部之處理液，全部為自吐出目標區域在獨立構件之上表面流動而自該上表面之旋轉軸側之內側端被排出之處理液。因此，可使處理液接觸基板之上表面周緣部的位置與獨立構件之內側端之沿著基板之徑向的距離變短。藉此，可進一步使利用處理液之基板之上表面周緣部之處理寬度變小。
根據第3態樣之發明，由於噴嘴保持構件將噴嘴與獨立構件一體地加以保持，因此處理液以固定之吐出目標區域之方式被吐出。藉此，可使自內側端被排出之處理液之排出態樣穩定。因此，可使基板之上表面周緣部之處理寬度穩定。
根據第4態樣之發明，獨立構件係沿著以旋轉軸為中心之基板之圓周方向包圍基板之周緣的環狀構件，且獨立構件以與基板相同之旋轉速度被旋轉。因此，即便於使獨立構件與基板一起旋轉之情形時，亦可提高基板之上表面周緣部之處理寬度的均勻性。
根據第5態樣之發明，2個圓弧狀構件其一端彼此對向地沿著基板之圓周方向相鄰地被設置，且各自之一端可以各自之另一端作為旋轉中心相互地較基板之直徑更分開之方式被轉動。因此，藉由2個圓弧狀構件之上述轉動，可實現基板朝向基板處理裝置之搬出搬入。
根據第6態樣之發明，噴嘴開始朝向被配置於較處理位置更靠基板之徑向之外側之外側位置之獨立構件的吐出目標區域進行處理液之吐出，並於噴嘴吐出處理液之期間，獨立構件自外側位置移動至處理位置。因此，可抑制因吐出開始時處理液之液流之紊亂的影響使基板之上表面周緣部之處理寬度變得不均勻之情形。
根據第7態樣之發明，獨立構件之上表面之旋轉軸側的內側端，位於沿著基板之徑向較基板之周緣更靠旋轉軸側。因此，可使基板之上表面周緣部之處理寬度變大。
根據第8態樣之發明，獨立構件之內側面以自其下端朝向上端靠近旋轉軸之方式相對於旋轉軸而傾斜。因此，於可將獨立構件升降之情形時，藉由獨立構件自處理位置上方之下降，可將獨立構件配置於處理位置。
根據第9態樣之發明，獨立構件之內側面自其下端朝向上端靠近旋轉軸靠近，並且相對於旋轉軸朝斜上方突出而彎曲。因此，可進一步使基板之端面與獨立構件之基板之徑向的間隙均勻化。藉此，可提高基板之端面之處理效率。
根據第10態樣之發明，獨立構件包含對向於基板之端面之內側面，且包含旋轉軸之平面之內側面之剖面形狀，沿著基板之端面而彎曲。因此，可進一步使基板之端面與獨立構件之基板之徑向的間隙均勻化。藉此，可提高基板之端面之處理效率。
1、1A‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉保持機構
3‧‧‧防飛散部
5‧‧‧處理部
6‧‧‧噴嘴移動機構
9‧‧‧基板
21‧‧‧旋轉夾頭(保持構件)
22‧‧‧旋轉軸部
23、69‧‧‧旋轉驅動部
24‧‧‧殼體
25‧‧‧台座
231、251‧‧‧旋轉機構
241‧‧‧凸緣狀構件
31‧‧‧防濺板
32‧‧‧護欄驅動機構
50‧‧‧噴嘴保持構件
51‧‧‧噴嘴
52、52A~52E、73‧‧‧獨立構件
53、53A~53D、91‧‧‧上表面
54、54A~54D‧‧‧外側面
55、55A~55D‧‧‧內側面
56A~56D、92‧‧‧下表面
57、58‧‧‧側面
63‧‧‧臂
66‧‧‧噴嘴基座
68‧‧‧升降驅動部
73a~73c‧‧‧圓弧狀構件
74、75‧‧‧突片
79‧‧‧旋轉驅動部(轉動機構)
83‧‧‧處理液供給部
90‧‧‧中心層
93‧‧‧端面
93a‧‧‧上側端面
93b‧‧‧下側端面
94‧‧‧邊端
97‧‧‧間隙
130‧‧‧控制部
521、731‧‧‧吐出目標區域
831‧‧‧處理液供給源
832‧‧‧配管
833‧‧‧開關閥
901‧‧‧中心層
902‧‧‧下層膜
903‧‧‧上層膜
911‧‧‧上表面周緣部
921‧‧‧下表面周緣部
a1‧‧‧旋轉軸
c1‧‧‧中心
A1‧‧‧切割線
D1、D2‧‧‧寬度
D3‧‧‧直徑
D4‧‧‧距離
D5、D6‧‧‧長度
D7‧‧‧高度
L1‧‧‧液流
AR1‧‧‧箭頭
圖1係用以說明實施形態之基板處理裝置之構成的側視示意 圖。
圖2係用以說明圖1之基板處理裝置之構成的俯視示意圖。
圖3係用以說明圖1之基板處理裝置之構成的概略立體圖。
圖4係圖2之A1-A1切割線之獨立構件與基板周緣部的剖面示意圖。
圖5係用以說明圖4之獨立構件與基板之其他位置關係的剖面示意圖。
圖6係用以說明獨立構件之其他實施形態的剖面示意圖。
圖7係用以說明獨立構件之其他實施形態的剖面示意圖。
圖8係用以說明獨立構件之其他實施形態的剖面示意圖。
圖9係用以說明獨立構件之其他實施形態的剖面示意圖。
圖10係表示圖4之獨立構件之吐出目標區域的俯視示意圖。
圖11係表示獨立構件之吐出目標區域之其他配置例的俯視示意圖。
圖12係用以說明圖1之獨立構件之其他構成例的俯視示意圖。
圖13係表示圖1之基板之周緣部附近的剖面示意圖。
圖14係表示實施形態之基板處理裝置之動作之一例的流程圖。
圖15係用以說明圖14之流程圖所示之動作的圖。
圖16係用以說明其他實施形態之基板處理裝置之構成的側視示意圖。
圖17係用以說明圖16之基板處理裝置之構成的俯視示意圖。
圖18係用以說明圖17之獨立構件之基板之搬出搬入時之動作的俯視示意圖。
以下，一邊參照圖式，一邊對實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明具體化之一例，而並非限定本發明之技術範圍之事例。又，於以下所參照之各圖中，為了容易理解，存在有各部之尺寸與數量被誇大或簡化地圖示之情形。上下方向為鉛直方向，且相對於旋轉夾頭，基板側為上方。
<關於實施形態> <1.基板處理裝置1之整體構成>
一邊參照圖1至圖3，一邊對基板處理裝置1之構成進行說明。圖1至圖3係用以說明實施形態之基板處理裝置1之構成的圖。圖1、圖2係基板處理裝置1之側視示意圖、及俯視示意圖。圖3係自斜上方觀察基板處理裝置1的概略立體圖。
於圖1至圖3中，顯示有在噴嘴51、獨立構件52被配置於各自之處理位置之狀態下，基板9藉由旋轉夾頭21而繞旋轉軸a1朝既定之旋轉方向(箭頭AR1之方向)旋轉之狀態。又，於圖2中，被配置於待避位置之噴嘴51、獨立構件52等係以假想線來顯示。於圖2、圖3中，基板處理裝置1之構成要素中防飛散部3等一部分之構成元件的記載被省略。
基板9之表面形狀係大致圓形。基板9朝向基板處理裝置1之搬入搬出，係於噴嘴51等被配置於待避位置之狀態下，藉由機器人等所進行。被搬入基板處理裝置1之基板9係由旋轉夾頭21裝卸自如地被保持。
再者，於以下之說明中，「處理液」包含被使用於藥液處理之「藥液」、及被使用於沖洗藥液之沖洗處理之「沖洗液(亦 被稱為「洗淨液」)」。
基板處理裝置1具備有旋轉保持機構2、防飛散部3、處理部5、噴嘴移動機構6及控制部130。該等各部(旋轉保持機構2、防飛散部3、處理部5、噴嘴移動機構6)與控制部130被電性連接，並根據來自控制部130之指示進行動作。作為控制部130，例如可採用與一般之電腦相同者。亦即，控制部130例如具備有進行各種運算處理之CPU(中央處理單元；Central Processing Unit)、作為儲存基本程式之讀出專用之記憶體的ROM(唯讀記憶體；Read Only Memory)、作為儲存各種資訊之讀寫自如之記憶體的RAM(隨機存取記憶體；Random Access Memory)、及預先儲存控制用軟體或資料等之磁碟等。於控制部130中，作為主控制部之CPU按照程式所記述之順序進行運算處理，藉此控制基板處理裝置1之各部。
<2.基板9>
其次，一邊參照圖13，一邊對基板處理裝置1中被當作處理對象之基板9進行說明。圖13係表示包含中心軸之平面之基板9之周緣部附近的剖面圖。圖13之剖面圖係包含通過基板9之主表面之中心c1之基板9(旋轉夾頭21)之旋轉軸a1之平面的剖面圖(亦被稱為「縱剖面圖」)。
於基板處理裝置1中被當為處理對象之基板9，例如具備有由矽(Si)所構成之中心層901、被成膜於中心層901之外側之下層膜902、及被成膜於下層膜902之外側之上層膜903的三層構造。基板9之表面形狀係大致圓形。基板9之半徑例如為150mm。下層膜902例如為熱氧化膜(Th-SiO2)、或絕緣膜(例如，Hf(鉿)膜、 或者氧化Hf膜等)。又，上層膜903例如為障礙金屬(barrier metal)膜(例如，TiN膜、TaN膜等)、或金屬膜(例如，Al膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。當然，於基板處理裝置1中被當作處理對象之基板9例如既可為具備有中心層901與下層膜902之兩層構造者，亦可為具備有4層以上之構造者。
以下，將基板9之2個主表面中形成有元件圖案之面稱為「上表面91」。又，將上表面91之相反側之面稱為「下表面92」。此外，將上表面91中形成有元件圖案之區域稱為「元件區域90」。又，將上表面91中較元件區域90更靠外側之周緣區域稱為「上表面周緣部911」。具體而言，上表面周緣部911例如為自基板9之邊端(「周緣」)94之微小寬度D1(例如，D1=0.31nm~1.0mm)之環狀區域。基板9之邊端94係基板9之表面中沿著基板9之徑向最外側之部分。基板9於俯視時之邊端94的形狀為圓形。又，將下表面92中自邊端94之微小寬度D1之環狀區域稱為「下表面周緣部921」。將上表面周緣部911與下表面周緣部921合併之區域，亦被簡稱為「周緣部」。
基板9之端面93係基板9之表面中除了上表面91及下表面92各自之平坦部以外之環狀的部分。具體而言，端面93例如為自邊端94之微小寬度D2(例如，D2=0.3mm左右)之環狀區域。於基板9之縱剖面，端面93沿著基板9之徑向朝基板9之外側突出而彎曲。端面93中較邊端94更上側之環狀的部分係上側端面93a，而較邊端94更下側之環狀部分係下側端面93b。上側端面93a包含於上表面周緣部911，而下側端面93b包含於下表面周緣部921。
基板處理裝置1可將基板9作為處理對象，而進行對其上表面周緣部911及下側端面93b之處理(例如，去除被形成於上表面周緣部911及下側端面93b之薄膜的處理)。
<3.基板處理裝置1之各部之構成> <旋轉保持機構2>
旋轉保持機構2係可一邊將基板9以其一主表面朝向上方之狀態保持為大致水平姿勢一邊進行旋轉之機構。旋轉保持機構2使基板9以通過主表面之中心c1之鉛直之旋轉軸a1為中心進行旋轉。
旋轉保持機構2具備有作為較基板9更小之圓板狀之構件的旋轉夾頭(「保持構件」、「基板保持部」)21。旋轉夾頭21係以其上表面成為大致水平，且其中心軸與旋轉軸a1一致之方式被設置。於旋轉夾頭21之下表面連結有圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢被配置。旋轉軸部22之軸線與旋轉軸a1一致。又，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如，伺服馬達)23。旋轉驅動部23使旋轉軸部22繞其軸線地加以旋轉驅動。因此，旋轉夾頭21可與旋轉軸部22一起以旋轉軸a1為中心進行旋轉。旋轉驅動部23與旋轉軸部22係使旋轉夾頭21以旋轉軸a1為中心進行旋轉之旋轉機構231。旋轉軸部22及旋轉驅動部23係收容於筒狀之殼體24內。
於旋轉夾頭21之中央部，設置有省略圖示之貫通孔，並與旋轉軸部22之內部空間相連通。於內部空間經由省略圖示之配管及開關閥而連接有省略圖示之泵。該泵、開關閥係電性連接於控制部130。控制部130控制該泵、開關閥之動作。該泵按照 控制部130之控制，而可選擇性地供給負壓及正壓。若泵於基板9以大致水平姿勢被放置於旋轉夾頭21之上表面之狀態下供給負壓，旋轉夾頭21便自下方吸附而保持基板9。若泵供給正壓，基板9便可自旋轉夾頭21之上表面拆卸。
於該構成中，在旋轉夾頭21吸附而保持基板9之狀態下，若旋轉驅動部23使旋轉軸部22進行旋轉，旋轉夾頭21便繞沿著鉛直方向之軸線進行旋轉。藉此，被保持於旋轉夾頭21上之基板9係以通過其面內之中心c1之鉛直之旋轉軸a1為中心而朝箭頭AR1方向被旋轉。
<防飛散部3>
防飛散部3承接自與旋轉夾頭21一起旋轉之基板9飛散之處理液等。
防飛散部3具備有防濺板31。防濺板31係上端被開放之筒形狀之構件，且以包圍旋轉保持機構2之方式被設置。再者，亦可於防濺板31之外側以包圍旋轉保持機構2之方式進一步設置護欄。
防濺板31具備有圓環狀之底部、自底部之內側緣部朝上方延伸之圓筒狀之內側壁部、及自底部之外側緣部朝上方延伸之圓筒狀之外側壁部。內側壁部之至少前端附近，被收容於在旋轉保持機構2之殼體24所設置之凸緣狀構件241的內側空間。外側壁部之上部(「上端側部分」、「上端部分」)朝向內側上方延伸。亦即，該上部朝向旋轉軸a1而朝斜上方延伸。
於防濺板31之底部，形成有與內側壁部與外側壁部 之間之空間連通之排液溝(省略圖示)。該排液溝與工廠之排液線相連接。又，於該排液溝連接有強制性地對槽內進行排氣而使內側壁部與外側壁部之間之空間成為負壓狀態之排氣液機構。內側壁部與外側壁部之間之空間，係用以收集被使用於基板9之處理的處理液並加以排液之空間，該空間所收集之處理液自排液溝被排液。
於防濺板31配設有使其進行升降移動之護欄驅動機構32。護欄驅動機構32例如由步進馬達所構成。防濺板31受到護欄驅動機構32之驅動而被移動於各上方位置與下方位置之間。防濺板31之上方位置係防濺板31之上端緣部被配置於在旋轉夾頭21上所保持之基板9之側方且上方的位置。另一方面，防濺板31之下方位置係防濺板31之上端緣部被配置於較旋轉夾頭21之上表面更下方的位置。基板9被搬出搬入基板處理裝置1時，防濺板31係配置於下方位置。護欄驅動機構32係電性連接於控制部130，而於控制部130之控制下動作。亦即，防濺板31之位置係由控制部130所控制。
再者，即便基板處理裝置1不具備防飛散部3，亦不損及本發明之有用性。
<處理部5>
處理部5進行對被保持於旋轉夾頭21上之基板9之上表面周緣部911及下側端面93b之處理。具體而言，處理部5對保持於旋轉夾頭21上之基板9之上表面周緣部911供給處理液。處理部5具備有噴嘴保持構件50、噴嘴51、獨立構件52、及處理液供給部83。
噴嘴保持構件50係將噴嘴51與獨立構件52一體地 保持之構件。噴嘴保持構件50係安裝於具備下述之噴嘴移動機構6之長尺寸之臂63之前端。臂63沿著水平面延伸。
噴嘴保持構件50例如由沿著鉛直面延伸之板狀構件與自該板狀構件之上端突出之突出構件接合所形成。該板狀構件之上端係安裝於臂63之前端。該突出構件在相對於該板狀構件而與臂63之相反側，沿著臂63之延伸方向突出。噴嘴51安裝於該突出構件之前端。噴嘴保持構件50之板狀構件之下端，安裝有獨立構件52。
噴嘴51將處理液之液流L1以接觸被保持於旋轉夾頭21上進行旋轉之基板9之上表面周緣部911之一部分之方式吐出。液流L1係自噴嘴51之吐出口以液柱狀之形狀被吐出。噴嘴51之前端部(下端部)朝下方突出，並於前端具備有吐出口。該吐出口對向於獨立構件52之上表面。於噴嘴51連接有作為對其供給處理液之配管系統的處理液供給部83。具體而言，於噴嘴51之上端連接有處理液供給部83之配管832之一端。噴嘴51自處理液供給部83被供給處理液，且將所供給之處理液之液流L1以液柱狀之形狀自前端之吐出口吐出。噴嘴51將處理液以至少一部分會接觸到獨立構件52之上表面所包含之吐出目標區域521之方式自吐出目標區域521之上方吐出。
處理液供給部83對噴嘴51供給處理液。具體而言處理液供給部83係將處理液供給源831、配管832、及開關閥833加以組合所構成。處理液包含有藥液及沖洗液。作為藥液，例如可使用SC-1(標準清潔液1)、DHF(稀氟氫酸；Dilute Hydrofluoric Acid)、SC-2(標準清潔液2)等。作為沖洗液，例如可使用純水、溫水、臭 氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇)、功能水(CO2水等)等。
若處理液自處理液供給部83向噴嘴51被供給，噴嘴51便吐出該處理液之液流L1。然而，處理液供給部83所具備之開關閥833，係藉由與控制部130電性連接之省略圖示之閥開閉機構，而於控制部130之控制下被開閉。亦即，來自噴嘴51之處理液之吐出態樣(具體而言，所吐出之處理液之吐出開始時間點、吐出結束時間點、吐出流量等)係藉由控制部130所控制。亦即，處理部5之噴嘴51藉由控制部130之控制，將處理液之液流L1以會接觸到以旋轉軸a1為中心進行旋轉之基板9的上表面周緣部911之方式吐出。
獨立構件52係與被保持於旋轉夾頭21之基板9之端面93隔開間隙地沿著基板9之徑向被配置於基板9之外側的構件。更詳細而言，獨立構件52之重心係沿著基板9之徑向被配置於基板9之外側。於獨立構件52之上表面，包含吐出目標區域521之至少一部分。關係獨立構件52之構成及其他構成例，將於後述之。
<噴嘴移動機構6>
噴嘴移動機構6係使噴嘴51及獨立構件52於各自之處理位置與退避位置之間移動之機構。噴嘴移動機構6具備有沿著水平延伸之臂63、噴嘴基座66、升降驅動部68、及旋轉驅動部69。噴嘴保持構件50係安裝於臂63之前端部分。
臂63之基端部係連結於噴嘴基座66之上端部分。噴嘴基座66係以使其軸線沿著鉛直方向之姿勢被配置於殼體24之外 側。噴嘴基座66具備有沿著其軸線朝鉛直方向延伸，且可繞軸線旋轉之旋轉軸。噴嘴基座66之軸線與旋轉軸之軸線一致。於旋轉軸之上端，安裝有噴嘴基座66之上端部分。藉由旋轉軸進行旋轉，噴嘴基座66之上端部分以旋轉軸之軸線、即噴嘴基座66之軸線為中心進行旋轉。於噴嘴基座66，設置有使其旋轉軸以該軸線為中心進行旋轉之旋轉驅動部69。旋轉驅動部69例如具備有伺服馬達等所構成。
又，於噴嘴基座66，設置有升降驅動部68。升降驅動部68例如具備有伺服馬達等所構成。升降驅動部68經由具有被連結於其輸出軸之滾珠螺桿之滾珠螺桿機構等，使噴嘴基座66之旋轉軸沿著其軸線進行升降。
旋轉驅動部69經由噴嘴基座66之旋轉軸，使噴嘴基座66之上端部分進行旋轉。伴隨著該上端部分之旋轉，噴嘴保持構件50亦繞噴嘴基座66之軸線進行旋轉。藉此，旋轉驅動部69使噴嘴51及獨立構件52進行水平移動。亦即，旋轉驅動部69係可使獨立構件52沿著基板9之徑向移動之「徑向驅動部」。
升降驅動部68藉由使噴嘴基座66之旋轉軸沿噴嘴基座66之軸線升降，而使噴嘴保持構件50、即噴嘴51及獨立構件52升降。升降驅動部68與旋轉驅動部69進行協同動作，使噴嘴保持構件50在被保持於旋轉夾頭21之基板9之附近的處理位置、與自處理位置沿著基板9之徑向之外側且上方的待避位置之間進行移動。若噴嘴保持構件50被配置於處理位置，噴嘴51及獨立構件52便被配置於各自之處理位置。
噴嘴保持構件50、噴嘴51及獨立構件52各自之待 避位置，係該等不與基板9之搬送路徑產生干涉且該等不會相互地產生干涉之各位置。各退避位置例如為防濺板31之外側且上方之位置。
驅動部68、69與控制部130電性連接，而在控制部130之控制下進行動作。亦即，噴嘴保持構件50之位置係由控制部130所控制。亦即，噴嘴51及獨立構件52之位置係由控制部130所控制。
<4.獨立構件52之構成與獨立構件之其他構成例>
圖4係A1-A1切割線(圖2)之獨立構件52與基板9之周緣部的剖面示意圖。圖5係用以說明被配置於與圖4之位置關係不同之位置關係之獨立構件52與基板9的剖面示意圖。圖6至圖9係用以說明其他實施形態之獨立構件52A~52D的剖面示意圖。圖4至圖9係藉由縱剖面圖來表示。圖10係表示獨立構件52之吐出目標區域521之例的俯視示意圖。圖11係表示獨立構件52之吐出口標區域521之其他配置例的俯視示意圖。圖12係用以說明作為獨立構件52之其他構成例之獨立構件52E的俯視示意圖。
如圖4所示，獨立構件52係軸線大致沿基板9之圓周方向延伸之三角柱狀之構件。獨立構件52之縱剖面係大致三角形。獨立構件52具備有上表面53、外側面54、內側面(「對向面」)55、側面57、及側面58。
上表面53係大致水平之矩形之面。外側面54係獨立構件52中沿著基板9之徑向最外側之面，且被設置為相對於基板9之徑向大致垂直。內側面55相對於基板9之端面93，且以自其下 端朝向上端靠近旋轉軸a1之方式相對於旋轉軸a1傾斜。側面57、58係與上表面53及外側面54之各者垂直之大致三角形狀之面。側面57、58既可相互地平行，亦可分別沿著基板9之徑向延伸。上表面53之旋轉軸a1側之內側端，位於沿基板9之徑向較基板9之邊端94、即周緣更靠旋轉軸a1側。該內側端位於基板9之上表面周緣部911之上方。
基板9之徑向之獨立構件52之長度D5(圖10)例如約為10mm。基板9之邊端94之切線方向之獨立構件52之長度D6(圖10)例如約為20mm。沿著旋轉軸a1之獨立構件52之高度D7(圖4)例如約為5mm。
再者，取代獨立構件52，例如，亦可採用圖12所示之獨立構件52E。獨立構件52E具備有與基板9之端面93隔開間隙而對向之內側面，且該內側面沿著基板9之周緣(邊端94)朝基板9之圓周方向呈弧狀地延伸。藉此，可提高上表面周緣部911之處理寬度之均勻性。
獨立構件52包含有大致圓形之吐出目標區域521。吐出目標區域521係虛擬之區域。自噴嘴51所吐出之處理液之液流L1之直徑，與吐出目標區域521之直徑D3為大致相同之長度。直徑D3與基板9之端面93之寬度D2為大致相同之長度。如圖4、圖10所示，吐出目標區域521全部包含於獨立構件52之上表面53。如圖11所示，於基板9之俯視時，吐出目標區域521中之一部分亦可自獨立構件52之上表面53之內側端突出至旋轉軸a1側。
如圖4所示，自噴嘴51作為液流L1而以會接觸於吐出目標區域521之方式被吐出之處理液，自吐出目標區域521而在 上表面53上朝周圍擴散。一部分之處理液在上表面53流動而自上表面53之旋轉軸a1側之內側端朝獨立構件52之外部被排出。獨立構件52與基板9之端面93之間隙97(圖4)係設定為被排出之處理液會自上方接觸基板9之上表面周緣部911。因此，該處理液會自上方接觸上表面周緣部911。上表面周緣部911之平坦部和上側端面93a之邊界與內側面55沿著基板9之徑向的距離D4，與端面93之寬度D2為大致相同之長度。
接觸到上表面周緣部911之處理液，通過間隙97，沿著基板9之端面93朝下方流動。藉此，基板9之上表面周緣部911中較處理液所接觸之部分更邊端94側之部分及下側端面93b，係由處理液所處理。
如圖5所示，獨立構件52亦可以獨立構件52之上表面53成為與基板9之上表面91之平坦部大致相同之高度之水平面之方式被配置。於圖5中，上表面周緣部911之平坦部和上側端面93a之邊界與內側面55沿著基板9之徑向的距離D4，與圖4相同地，與端面93之寬度D2為大致相同之長度。該距離D4係自該邊界至獨立構件52之上表面53之內側端為止之距離。
又，亦可取代獨立構件52而採用圖6所示之獨立構件52A。獨立構件52A具備有水平之上表面53A、及鉛直面之外側面54A。上表面53A、外側面54A係構成為與獨立構件52(圖4)之上表面53、外側面54相同。獨立構件52A取代獨立構件52之內側面55而具備有對向於基板9之端面93之內側面55A。內側面55A隨著自其下端朝向上端靠近旋轉軸a1，相對於旋轉軸a1朝斜上方突出而彎曲。又，獨立構件52A具備有連接內側面55A及外側面 54A之下端且平行於上表面53A之下表面56A。
又，亦可取代獨立構件52而採用圖7所示之獨立構件52B。獨立構件52B具備有被構成為與獨立構件52之上表面53、外側面54大致相同之上表面53B、外側面54B，並且具備有與上表面53B平行之下表面56B。下表面56B係形成為與上表面53B相同之形狀及大小。獨立構件52B進一步取代獨立構件52之內側面55而具備有對向於基板9之端面93之內側面55B。包含旋轉軸a1之平面之內側面55B之剖面形狀，沿著基板9之端面93而彎曲。上表面53B位於較基板9之上表面91更上方，而下表面56B位於較基板9之下表面92更下方。
又，亦可取代獨立構件52而採用圖8所示之獨立構件52C。獨立構件52C具有獨立構件52B沿著旋轉軸a1方向被縮短之形狀。獨立構件52C具備有上表面53C、下表面56C、外側面54C、及內側面55C。
上表面53C係具有與獨立構件52B之上表面53B相同形狀之水平面。下表面56C係具有與獨立構件52B之下表面56B相同形狀之水平面。上表面53C包含於與基板9之上表面91之平坦部相同的水平面。下表面56C包含於與基板9之下表面92之平坦部相同的水平面。外側面54C係鉛直面。內側面55C係連接上表面53C與下表面56C各自之內側端而形成。包含旋轉軸a1之平面之內側面55C之剖面形狀，沿著基板9之端面93而彎曲。
又，亦可取代獨立構件52而採用圖9所示之獨立構件52D。獨立構件52D具備有上表面53D、下表面56D、外側面54D、及內側面55D。獨立構件52D取代獨立構件52C彎曲之內側面 55C，而具備有鉛直面之內側面55D。內側面55D相對於基板9之徑向垂直。獨立構件52D具備有長方體狀之形狀。上表面53D、下表面56D具有與獨立構件52C之上表面53C、下表面56C相同之形狀。上表面53D包含於與基板9之上表面91之平坦部相同之水平面，而下表面56D包含於與下表面92之平坦部相同之水平面。由於內側面55D為平面，因此於基板9之端面93之邊端94與內側面55D之間設置有間隙。因此，上表面周緣部911之平坦部和上側端面93a之邊界與內側面55D的距離(基板9之徑向之距離)D4，較端面93之寬度D2長。然而，被吐出至獨立構件52D上之吐出目標區域521之處理液之一部分，自上表面53D之內側端接觸於端面93。藉此，可對上表面周緣部911及下側端面93b中基板9之邊端94附近之細寬度的區域進行處理。再者，基板處理裝置1雖藉由噴嘴保持構件50將噴嘴51與獨立構件52一體地加以保持而移動，但基板處理裝置1亦可不具備噴嘴保持構件50，而分別對噴嘴51、獨立構件52個別地設置升降機構、及朝向基板9之徑向之移動機構。
<5.關於基板處理裝置之動作>
圖14係表示基板處理裝置1之動作之一例的流程圖。圖15係用以說明圖14之流程圖所示之動作的圖。
以下，一邊參照圖14至圖15，一邊對基板處理裝置1之動作之一例進行說明。該動作例係將噴嘴51及獨立構件52配置於各自之處理位置而將處理液自噴嘴51朝基板9之上表面周緣部911吐出之動作。在圖14之動作流程開始前，噴嘴51及獨立構 件52例如被配置於待避位置，且旋轉夾頭21雖保持基板9但未進行旋轉。
基板處理裝置1之控制部130控制旋轉機構231，使旋轉夾頭21開始以旋轉軸a1為中心之旋轉(圖14、圖15之步驟S110)。該旋轉例如以2000rpm之旋轉速度來進行。
控制部130控制升降驅動部68、旋轉驅動部69，將噴嘴保持構件50自待避位置，相對於處理位置而配置於基板9之側向(基板9之徑向)之外側位置。升降驅動部68、旋轉驅動部69將噴嘴51、獨立構件52自各自之待避位置，配置於各自之外側位置(圖14、圖15之步驟S120)。噴嘴51、獨立構件52各自之外側位置，相對於各自之處理位置而位於基板9之側向(徑向)之外側。
控制部130控制處理部5，使噴嘴51開始處理液朝向獨立構件52上之吐出目標區域521之吐出(圖14、圖15之步驟S130)。自噴嘴51被吐出至獨立構件52之吐出目標區域521之處理液，沿著獨立構件52之上表面53擴散，而自獨立構件52之內側端朝獨立構件52之外部被排出。然而，噴嘴51、獨立構件52由於被配置於各自之外側位置，因此被排出至獨立構件52之外部的處理液並不會接觸基板9之上表面周緣部911。
控制部130等待藉由噴嘴51之處理液之液流L1的吐出狀態穩定為止(圖14、圖15之步驟S140)。該等待時間例如預先藉由實驗等所獲得，且被儲存於控制部130之ROM等。
控制部130控制旋轉驅動部69，將噴嘴保持構件50沿著基板9之徑向配置於基板9之端面93側的處理位置。藉此，旋轉驅動部69將噴嘴51、獨立構件52配置於基板9之側向，更詳 細而言，配置於端面93之側向之各自之處理位置(亦被稱為「內側位置」)(圖14、圖15之步驟S150)。於噴嘴51、獨立構件52朝向各處理位置之移動之過程中，噴嘴51繼續吐出處理液。因此，於噴嘴51、獨立構件52被配置於各自之處理位置時，被吐出至吐出目標區域521之處理液之液流L1的吐出狀態為穩定之狀態。亦即，自吐出目標區域521朝向獨立構件52之上表面53之內側端流動之處理液之液膜的狀態亦穩定。
控制部130藉由使被配置於處理位置之噴嘴51以該狀態繼續進行處理液之吐出，來進行基板9之上表面周緣部911之處理(圖14、圖15之步驟S160)。
控制部130例如，若經過所規定之時間而完成基板9之上表面周緣部911之處理，便控制處理部5停止來自噴嘴51之處理液之吐出(圖14、圖15之步驟S170)。控制部130亦可一邊在使處理部5停止來自噴嘴51之處理液之吐出之前，使處理液自噴嘴51吐出，一邊在使旋轉驅動部69將噴嘴51與獨立構件52配置於各自之外側位置之後，使來自噴嘴51之處理液之吐出停止。
控制部130控制旋轉機構231使旋轉夾頭21之旋轉停止(圖14、圖15之步驟S180)，而使圖14之流程圖之動作結束。
<6.關於其他實施形態>
圖16係用以說明其他實施形態之基板處理裝置1A之構成的側視示意圖。圖17係用以說明基板處理裝置1A之構成的俯視示意圖。圖18係用以說明基板9朝向基板處理裝置1A之搬出搬入時基板處理裝置1A之獨立構件73之動作的俯視示意圖。
基板處理裝置1A與基板處理裝置1同樣地，係對以旋轉軸a1為中心進行旋轉之基板9之上表面周緣部911等吐出處理液，而進行上表面周緣部911之處理的裝置。
基板處理裝置1A作為與基板處理裝置1不同之構成，取代基板處理裝置1之噴嘴保持構件50而具備有台座25，且取代獨立構件52而具備有獨立構件73。噴嘴51係固定於臂63前端之下方。
台座25係圓環狀之構件，將旋轉軸部22插通中央之孔部而被固定於旋轉軸部22。台座25之軸心與旋轉軸部22之軸心相同，而與旋轉軸a1一致地被設置。藉此，旋轉軸部22以旋轉軸a1為中心，朝與基板9相同之方向以相同之速度進行旋轉。
獨立構件73係沿著以旋轉軸a1為中心之基板9之圓周方向包圍基板9之周緣(邊端94、端面93)之板狀的環狀構件。
獨立構件73具備有複數個(於圖示之例中為3個)圓弧狀構件73a~73c。2個圓弧狀構件73a、73b各自之基板9的圓周方向之一端，彼此相互地對向。圓弧狀構件73a、73b係設為可以各自之另一端為中心分別在水平面內進行轉動。圓弧狀構件73a、73b係沿著基板9之周緣之約4分之1的長度被延伸設置，圓弧狀構件73c係沿著基板9之周緣之約半分的長度被延伸設置。獨立構件73之上表面係大致水平面。作為獨立構件73(圓弧狀構件73a~73c)之縱剖面之形狀，例如可採用獨立構件52、52A~52D之剖面形狀等。
圓弧狀構件73c係藉由自台座25之上表面朝上方被突設之2個突片75，與台座25之上表面隔開間隙地被固定於台座 25。圓弧狀構件73a、73b係經由被安裝於各自之另一端之突片74，而被固定於台座25。更詳細而言，突片74係構成為利用由步進馬達等所構成之旋轉驅動部(「轉動機構」)79而可以其軸心為中心進行旋轉。該軸心係鉛直軸。
因此，基板處理裝置1A藉由使旋轉機構231旋轉台座25，而經由台座25等使獨立構件73以與基板9相同之旋轉速度進行旋轉。旋轉驅動部23、旋轉軸部22、台座25、旋轉驅動部79、突片74、及突片75係使獨立構件73以旋轉軸a1為中心進行旋轉之旋轉機構251。
圓弧狀構件73a、73b係自圖17所示之狀態，如圖18所示，以各突片74即各自之另一端作為旋轉中心，藉由旋轉驅動部79以使各自之一端相互地較基板9之直徑更分開之方式經由突片74所轉動。於圓弧狀構件73a、73b之一端相互分開之狀態下，基板被搬出搬入基板處理裝置1。
基板處理裝置1A除了前述之相異點以外，具備有與基板處理裝置1相同之構成，而進行對基板9之上表面周緣部911之處理。
亦即，獨立構件73係與被保持於旋轉夾頭21之基板9之端面93隔開間隙地沿著基板9之徑向被配置於基板9之外側。噴嘴51將處理液以至少一部分接觸於獨立構件73之上表面所包含之吐出目標區域731之方式自吐出目標區域731之上方被吐出。獨立構件73與基板9之端面93之間隙係設定為接觸到吐出目標區域731之處理液，於獨立構件73之上表面流動而自該上表面之旋轉軸a1側之內側端被排出，從而自上方接觸基板9之上表面周緣部 911。基板處理裝置1A使噴嘴51與獨立構件73分別進行移動。噴嘴51雖藉由升降驅動部68、旋轉驅動部69而沿著基板9之徑向及鉛直方向被移動，但獨立構件73除了其一部分(圓弧狀構件73a、73b)以外，被固定於台座25，而與台座25、即基板9一起旋轉。既可使吐出目標區域731全部包含於獨立構件73之上表面，亦可使吐出目標區域731之一部分自獨立構件73之上表面之內側端突出至旋轉軸a1側。
再者，亦可於旋轉驅動部79及各突片75之下方，具備有在各自之處理位置與相對於處理位置之基板9之徑向之外側的外側位置之間驅動圓弧狀構件73a~73c之驅動機構。於該情形時，即便於基板處理裝置1A中，亦可將獨立構件73(圓弧狀構件73a~73c)配置於外側位置，自噴嘴51對獨立構件73吐出處理液，等待吐出狀態之穩定，並使其將獨立構件73(圓弧狀構件73a~73c)配置於處理位置。
無論藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置及基板處理方法之任一者，處理液均會以至少一部分接觸於獨立構件52(73)之上表面所包含之吐出目標區域521(731)之方式，自噴嘴51被吐出。獨立構件52(73)係與基板9之端面93隔開間隙地沿著基板9之徑向被配置於基板9之外側，該間隙係設定為接觸到吐出目標區域521(731)之處理液在獨立構件52(73)之上表面流動而自該上表面之旋轉軸a1側之內側端被排出，從而自上方接觸基板9之上表面周緣部911。因此，可使藉由處理液所獲得之基板9之上表面周緣部91之處理寬度變小，並且可提高處理寬度之均勻性。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置， 吐出目標區域521(731)全部包含於獨立構件52(73)之上表面。因此，接觸基板9之上表面周緣部911之處理液係全部會自吐出目標區域521(731)而於獨立構件52(73)之上表面流動從而自該上表面之旋轉軸a1側之內側端被排出之處理液。因此，可使處理液接觸基板9之上表面周緣部911之位置與獨立構件52(73)之內側端之沿著基板9之徑向的距離。藉此，可進一步使藉由處理液之基板9之上表面周緣部911之處理寬度變細。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，由於噴嘴保持構件50將噴嘴51與獨立構件52一體地加以保持，因此處理液以接觸固定之吐出目標區域521之方式被吐出。藉此，可使自內側端所排出之處理液之排出態樣穩定。因此，可使基板9之上表面周緣部911之處理寬度穩定。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，獨立構件73係沿著以旋轉軸a1為中心之基板9之圓周方向包圍基板9之周緣的環狀構件，且獨立構件73係以與基板9相同之旋轉速度被旋轉。因此，即便於使獨立構件73與基板9一起旋轉之情形時，亦可提高基板9之上表面周緣部911之處理寬度的均勻性。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，2個圓弧狀構件73a、73b係一端彼此對向地沿著基板9之圓周方向相鄰地被設置，且可以各自之另一端作為旋轉中心而使各自之一端相互地以較基板9之直徑更分開之方式被轉動。因此，藉由2個圓弧狀構件73a、73b之上述轉動，可實現基板9朝向基板處理裝置之搬出搬入。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置， 噴嘴51開始朝向被配置於較處理位置更靠基板9徑向之外側之外側位置之獨立構件52(73)的吐出目標區域521(731)吐出處理液，並於噴嘴51吐出處理液之期間，使獨立構件52(73)自外側位置朝處理位置移動。因此，可抑制因吐出開始時處理液之液流L1之紊亂的影響所導致基板9之上表面周緣部911之處理寬度變得不均勻之情形。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，獨立構件52(73)之上表面之旋轉軸a1側之內側端會位於沿著基板9之徑向較基板9之周緣更靠旋轉軸a1側。因此，可使基板9之上表面周緣部911之處理寬度變寬。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，獨立構件52之內側面55會以自其下端朝向上端靠近旋轉軸a1之方式相對於旋轉軸a1傾斜。因此，於可升降獨立構件52之情形時，可藉由獨立構件52自處理位置之上方之下降，而將獨立構件52配置於處理位置。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，獨立構件52A之內側面55A隨著自其下端朝向上端靠近旋轉軸a1，相對於旋轉軸a1朝斜上方突出而彎曲。因此，可使基板9之端面93與獨立構件52A之基板9之徑向之間隙進一步均勻化。藉此，可提高基板9之端面93之處理效率。
又，藉由如上所構成之本實施形態之基板處理裝置，獨立構件52B(52C)包含對向於基板9之端面93之內側面55B(55C)而包含旋轉軸a1之平面之內側面55B(55C)之剖面形狀，沿著基板9之端面93而彎曲。因此，可使基板9之端面93與獨立構件52B(52C) 之基板9之徑向之間隙進一步均勻化。藉此，可提高基板9之端面93之處理效率。
本發明雖已詳細地加以顯示與記載，但上述記載所有的態樣皆為例示而非限定。因此，本發明於該發明之範圍內，可適當地對實施形態進行變形、省略。

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：保持構件，其係設為將基板自下方大致水平地加以保持，可以既定之旋轉軸為中心進行旋轉；旋轉機構，其使上述保持構件以上述旋轉軸為中心進行旋轉；獨立構件，其與被保持於上述保持構件之上述基板之端面隔開間隙地沿著上述基板之徑向被配置於上述基板之外側；及噴嘴，其將處理液以至少一部分會接觸到上述獨立構件之上表面所包含之吐出目標區域之方式，自上述吐出目標區域之上方吐出；上述獨立構件與上述基板之端面之上述間隙係設定為：接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之靠上述旋轉軸之側的內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述吐出目標區域全部被包含於上述獨立構件之上表面。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，其進一步具備有將上述噴嘴與上述獨立構件一體地加以保持之噴嘴保持構件。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述獨立構件係沿著以上述旋轉軸為中心之上述基板之圓周方向來包圍上述基板之周緣之環狀構件，上述基板處理裝置進一步具備有使上述獨立構件以與上述基板相同之旋轉速度進行旋轉之上述環狀構件用之旋轉機構。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述環狀構件包含複數個圓弧狀構件，上述複數個圓弧狀構件包含沿著上述基板之圓周方向相鄰之2個圓弧狀構件，上述2個圓弧狀構件各自之上述基板之圓周方向的一端彼此相互地對向，且上述2個圓弧狀構件係設為可以各自之另一端為中心而於水平面內分別地轉動，上述基板處理裝置進一步具備有轉動機構，該轉動機構將上述2個圓弧狀構件各自之另一端作為旋轉中心，並以各自之一端相互地較上述基板之直徑更分開之方式使上述2個圓弧狀構件分別地轉動。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，其具備有：徑向驅動部，其可使上述獨立構件沿著上述基板之徑向移動；及控制部，其控制上述徑向驅動部與上述噴嘴；且根據接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之靠上述旋轉軸之側的內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部時上述獨立構件之位置來定義上述獨立構件之處理位置時，上述控制部在使上述徑向驅動部將上述獨立構件配置於外側位置的期間，使上述噴嘴開始朝向上述吐出目標區域進行上述處理液之吐出，並且一邊使上述噴嘴進行上述處理液之吐出，一邊使上述徑向驅動部將上述獨立構件自上述外側位置移動至上述處理位置，而上述外側位置係較上述處理位置更靠上述基板之徑向之外側之位置。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述獨立構件之上表面之靠上述旋轉軸之側的內側端，位於沿著上述基板之徑向較上述基板之周緣更靠上述旋轉軸之側。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，上述內側面以自其下端朝向上端靠近上述旋轉軸之方式，相對於上述旋轉軸傾斜。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，上述內側面自其下端朝向上端靠近上述旋轉軸，並且相對於上述旋轉軸朝斜上方突出而彎曲。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述獨立構件包含對向於上述基板之上述端面之內側面，且包含上述旋轉軸之平面上之上述內側面之剖面形狀，沿著上述基板之端面彎曲。
  11. 一種基板處理方法，係基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置具備有：保持構件，其係設為將基板自下方大致水平地加以保持，可以既定之旋轉軸為中心進行旋轉；旋轉機構，其使上述保持構件以上述旋轉軸為中心進行旋轉；獨立構件，其與上述基板分開地被配置；及噴嘴，其可吐出處理液；且上述基板處理方法具備有：與上述基板之端面隔開間隙地將上述獨立構件沿著上述基板之徑向配置於上述基板之外側之步驟；及使上述噴嘴將處理液以至少一部分會接觸到上述獨立構件之上表面之吐出目標區域之方式，自上述吐出目標區域之上方吐出之步驟；上述獨立構件與上述基板之端面之上述間隙，係設定為：接觸到上述吐出目標區域之上述處理液在上述獨立構件之上表面流動而自該上表面之靠上述旋轉軸之側的內側端被排出，從而自上方接觸上述基板之上表面周緣部。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
CN1841650A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN1879199A (zh) * 2003-10-30 2006-12-13 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理方法
JP2007027241A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nippo Ltd 超音波洗浄装置
CN101042983A (zh) * 2006-03-22 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2010147262A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1170354A (ja) * 1997-07-04 1999-03-16 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JP4708286B2 (ja) 2006-08-11 2011-06-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008218545A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置
JP5031671B2 (ja) * 2008-06-03 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5300464B2 (ja) 2008-12-26 2013-09-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5355179B2 (ja) * 2009-03-30 2013-11-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5270607B2 (ja) * 2010-03-30 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5795917B2 (ja) 2010-09-27 2015-10-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5852898B2 (ja) * 2011-03-28 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2014150135A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6226297B2 (ja) * 2014-03-26 2017-11-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
CN1879199A (zh) * 2003-10-30 2006-12-13 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理方法
CN1841650A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2007027241A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nippo Ltd 超音波洗浄装置
CN101042983A (zh) * 2006-03-22 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2010147262A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

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