JP5355179B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5355179B2 JP5355179B2 JP2009082841A JP2009082841A JP5355179B2 JP 5355179 B2 JP5355179 B2 JP 5355179B2 JP 2009082841 A JP2009082841 A JP 2009082841A JP 2009082841 A JP2009082841 A JP 2009082841A JP 5355179 B2 JP5355179 B2 JP 5355179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- opposing
- liquid
- held
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
そこで、前記特許文献1に開示されている実施形態のように、基板の上面に処理液を供給する一方で、当該上面の全域を覆う対向板を基板上面に近接して対向配置させ、この対向部材と基板表面との間に、処理液の液膜を保持することが考えられる。この場合、液膜を形成している処理液が対向板および基板の間を伝って回転半径方向の外方に拡がる。これにより、基板の上面の全域に処理液が行き渡り、当該上面の全域で薄い処理液の液膜を保持することができる。
しかしながら、基板の回転時には基板が上下方向に振れるおそれがあるので、対向板を近接させるとしても、対向板と基板との間の間隔には限界値がある。すなわち、基板の上面に保持される処理液の液膜の厚みにも限界がある。具体的には、コンマ数ミリ台の間隙を維持しようとしても、基板が上下に振れることによって、その間隙を維持することができない。また、間隙が変化する結果として、対向板と基板上面との間の薄い液膜に破れが生じ、基板上面を覆った状態を維持できなくなるおそれがある。
この発明によれば、基板の上面に処理液が供給され、当該上面に処理液の液膜が形成される。この処理液の液膜は、基板の回転に伴って回転する。したがって、対向部材が処理液の液膜に接した状態では、対向部材は、当該液膜を形成する処理液の相対的な流れに接し、当該液膜を形成する処理液を押し退ける。その反作用として、対向部材は処理液の液膜から揚力、すなわち基板の上面から離反する方向の力(離反方向力)を受ける。
また、対向部材の基板対向領域が、基板回転半径方向に沿って延びている。一方、基板の上面に供給された処理液は、基板の回転に伴って、基板の回転方向に沿いつつも、基板の外方に向けて移動する。そのため、対向部材の基板対向領域の延びる方向は、処理液の流れの向きと交差しており、処理液の流れによって生じる力のベクトル成分のうち、対向部材の基板対向領域の延びる方向に直交する力のベクトル成分は、所定の値を有している(ゼロではない)。したがって、対向部材の長手方向の広範囲で、対向部材が処理液の液膜から揚力を受ける。これにより、対向部材に安定した離反方向力を作用させることができる。
また、基板の回転に伴って、対向部材は基板の上面の液膜に対してその回転方向の上流側へ移動する。したがって、基板対向領域に、基板の回転方向の上流側に向かうに従って基板の上面から離反する傾斜面を形成することにより、処理液の液膜を対向部材と基板の上面との間にスムーズに入り込ませることができる。
また、傾斜面が、基板の回転方向の上流側に向かうに従って基板の上面から離反している。そのため、対向部材と処理液の液膜との接触時に、対向部材が当該処理液の液膜から安定した揚力を受ける。したがって、対向部材に作用する離反作用力を安定化できるから、対向部材と基板との間の間隙をより一層安定化できる。なお、前記傾斜面は平面であってもよいし、凸状の曲面であってもよい。
この発明によれば、弾性体の変形によって、支持部材に対する対向部材の相対変位が許容される。そして、対向部材が支持部材に対して上方に向けて相対変位し、弾性体が変形すると、この弾性体の変形に伴う復元力が接近方向力となって対向部材に作用するようになる。このようにして、弾性体の使用により、対向部材保持機構の構成を簡単にすることができる。
この発明によれば、対向部材の基板対向領域が、基板の回転中心から基板の周縁部まで延びている。このため、基板の回転により、基板の上面の全域に極めて薄い処理液の液膜を保持することができる。
この発明によれば、基板の上面には、対向部材が対向する領域よりも上流側に、ノズルからの処理液が供給される。これにより、基板の上面に供給された処理液が、その供給直後に対向部材と基板との間に液膜を形成することになる。その結果、効率的な基板処理が可能となる。
図1は、本発明の一実施形態(第1実施形態)に係る基板処理装置1の構成を図解的に示す図である。図2は、基板処理装置1の概略構成を示す平面図である。
基板処理装置1は、たとえば基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)Wの表面に処理液(薬液および純水(脱イオン水))による処理を施すための枚葉式の装置である。
スピンチャック2は、モータ(回転手段)4と、このモータ4の駆動軸と一体化されたスピン軸5と、スピン軸5の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース6と、スピンベース6の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個の挟持部材7とを備えている。
ノズル3には、薬液供給管8および純水供給管9が接続されている。薬液供給管8の途中部には、薬液流量調節バルブ10および薬液バルブ11が、ノズル3側からこの順に介装されている。薬液供給管8に供給される薬液として、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、フッ酸、バファードフッ酸(Buffered HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸およびTMAHなどを例示することができる。純水供給管9の途中部には、純水流量調節バルブ12および純水バルブ13が、ノズル3側からこの順に介装されている。
また、スピンチャック2の上方には、対向部材の一例としての棒状の対向棒14が設けられている。対向棒14は、ウエハWの径の半分の長さを有しており、スピンチャック2の上方で水平に延びるアーム15の先端部に取り付けられている。アーム15の先端部には、また、ノズル3が取り付けられている。アーム15は、スピンチャック2の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸19に支持されている。アーム支持軸19には、サーボモータやボールねじ機構などを含むアーム昇降駆動機構(図1参照)16およびモータなどを含むアーム揺動駆動機構(図1参照)17が結合されている。アーム揺動駆動機構17により、アーム15をスピンチャック2の側方に設定された軸線を中心に水平面内で揺動させることができる。アーム15の揺動に伴って、対向棒14およびノズル3がスピンチャック2の上方で水平移動する。また、アーム昇降駆動機構16により、アーム15を昇降させることができる。アーム15の昇降に伴って、対向棒14およびノズル3が昇降する。このように、アーム昇降駆動機構16は、対向棒14およびノズル3をウエハWに接近/離反させるための接離駆動機構を構成している。
また、基板処理装置1は、マイクロコンピュータで構成される制御部18を備えている。制御部18は、予め定められたプログラムに従って、モータ4、アーム揺動駆動機構17およびアーム昇降駆動機構16の駆動を制御する。また、薬液バルブ11の開閉および純水バルブ13の開閉、ならびに薬液流量調節バルブ10および純水流量調節バルブ12の開度を制御する。
アーム15は、水平方向に延びるアーム本体70と、アーム本体70の先端部に取り付けられて、対向棒14を支持するためのL字状の支持ブラケット(支持部材)20とを備えている。支持ブラケット20は、鉛直姿勢をなす垂直板22と、垂直板22の下端から水平方向に延びる水平板23とを備えている。垂直板22の上端部は、アーム本体70に固定されている。水平板23の下面には、平面視略正方形状の第1上固定板24がボルト25により固定されている。第1上固定板24の中央部には、上下方向に貫通する上貫通孔26が形成されている。
対向棒14は、本体部材30と、本体部材30の下部に取り付けられて、ウエハWの上面に保持された処理液の液膜と接触する接液部材31とを備えている。本体部材30は、水平方向に沿って延びる長尺の棒部材32と、棒部材32の長手方向の中央部から上方に延びるヘッド部33とを備え、PVC(ポリ塩化ビニル)を用いて一体的に形成されている。
接液部材31は、その断面形状が略長方形をなし、本体部材30の長手方向に沿って、当該本体部材30の一端から他端まで延びている。接液部材31は、本体部材30と比較して、長手方向と直交する幅方向の寸法が小さく形成されている。接液部材31の下面には、スピンチャック2に保持されたウエハWの上面と対向するための対向面(基板対向領域)43が形成されている。この対向面43は、長手方向と直交する水平方向の一方(図4で示す左方向)に向かうに従って上方に向かうテーパ面が形成されている。接液部材31は、耐薬液性を付与するために、石英、カーボン、フッ素系樹脂(PCTEF(三フッ化塩化エチレン)、PVDF(ポリフッ化ビニリデン)、PTFT(ポリテトラフルオロエチレン))等を用いて形成されている。
ガイド35は、その上端が水平板23の下面に固定されている。このガイド35の上端部は、ボルト46によって水平板23に固定されている。ガイド35の下端部はボールブッシュ37に内挿されている。ガイド35の下端部は、ボールブッシュ37により上下動自在に保持されている。このため、対向棒14は、ガイド35によって、水平方向への移動が規制されつつ、上下動のみが許容される。ボルト46の頭部は、水平板23の上面に固定される第2上固定板47の下面の中央部に形成された収容凹所48内に収容されている。なお、ガイド46の下端部を対向棒14に対して相対的に上下動自在に保持する構成として、ガイド35およびボールブッシュ37に代えて、ボールスプラインを用いることもできる。
ウエハWに対する処理中は、スピンチャック2の回転によりウエハWが水平姿勢に保持されつつ回転する。
ウエハWへの薬液処理時には、対向棒14の接液部材31の対向面43が、ウエハWの表面に近接する近接位置に対向配置される。この状態では、対向面43はウエハWの回転方向の上流側に向かうに従って、そのウエハWの上面から離反するように傾斜している。
ウエハWの上面に近接して配置された対向棒14は、ウエハW上に供給された薬液に接する。ウエハW上の薬液の液膜の表面張力により、液膜を形成している薬液が対向棒14を伝って回転半径方向の外方に拡がる。これにより、ウエハWの上面の全域に薬液対向面43がウエハWの回転方向の上流側に向かうに従って、そのウエハWの上面から離反しているので、この対向面43によって、薬液の液膜を対向棒14とウエハWの上面との間にスムーズに入り込ませることができる。
この離反方向力によって、対向棒14は、支持ブラケット20に対して鉛直上向きに相対変位する。対向棒14の相対変位によりベローズ45(図3および図4参照)が上下方向に収縮し、対向棒14等に働く重力(接近方向力)に対する抗力は、ベローズ45だけでなく、対向棒14が薬液の液膜から受ける揚力によっても与えられる状態となる。一方、対向棒14に鉛直上向きに作用する離反方向力は、対向棒14の対向面43とウエハWの上面との間の間隔が狭くなればなるほど大きくなる。これは、対向棒14とウエハWの上面との間の間隔が狭いほど、対向棒14が薬液の液膜から受ける揚力が大きくなるからである。そして、対向棒14は、離反方向力と接近方向力とが釣り合う位置に保持される。ベローズ45の材質は、対向棒14とウエハWの上面との間隔Sが微小となるように選定されている。これにより、対向棒14とウエハWの上面との間に、微小な間隔(たとえば、0.1mm程度)を確実に確保することができ、このような微小な間隔Sを隔てて対向棒14とウエハWの上面とを対向配置させることができる。
対向棒14が近接位置にあるときは、対向棒14の対向面43が、ウエハWの回転中心CからウエハWの周縁部まで、当該ウエハWの回転半径方向に沿って延びている。
ウエハWの上面に供給された薬液は、ウエハWの回転に伴って、ウエハWの回転方向に沿いつつも、ウエハWの外方に向かって移動する。このため、対向面43の延びる方向は、薬液の流れの向きと交差する。そのため、対向棒14は、その長手方向の全域で、薬液の液膜から揚力を受ける。これにより、対向棒14に大きな離反作用力を作用させることができる。
図8は、基板処理装置1の処理例を示す工程図であり、図9は、図8の処理の様子を説明するための側面図である。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって処理室80に搬入されて(ステップS1)、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック2に保持される。また、制御部18は、アーム揺動駆動機構17を制御してアーム15を揺動させる(ステップS2)。このアーム15の揺動により、ノズル3および対向棒14が、退避位置(図2に二点鎖線で図示)から、ウエハWの上面に対向しつつ、かつ当該上面から上面に離間する所定の上位置(図2に実線で図示。図9(a)に示す位置)まで移動される。
また、薬液の吐出流量が前記小流量であっても、また、ウエハWの回転速度が低速であっても、ウエハWの上面に保持される薬液の液膜の厚みが極めて微小なので、ウエハWの上面の全域に薬液を行き渡らせることができる。その結果、ウエハWの上面に付着しているパーティクル等の異物がウエハWの上面全域から物理的に除去される。
また、制御部18は、純水流量調節バルブ12の開度を大きくなるように制御して、ノズル3からの純水量の吐出流量を大流量(たとえば2L/min)とする(ステップS10)。ウエハWの上面に供給された純水が、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの周縁に向けて流れ、この純水によってウエハWの上面に付着している薬液が洗い流される。
純水の吐出開始から所定の純水処理時間が経過すると、制御部18は、純水バルブ13を閉じて、ウエハWへの純水の供給を停止する(ステップS11)。また、制御部18は、スピンチャック2をスピンドライ回転速度(たとえば2500rpm程度)まで加速する。これにより、純水によるリンス後のウエハWの上面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライが実施される(ステップS12)。スピンドライが所定のスピンドライ時間にわたって行われると、スピンチャック2の回転が停止される(ステップS13)。また、アーム15が揺動されて、ノズル3および対向棒14がスピンチャック2の側方の退避位置に戻される(ステップS14)。その後、搬送ロボット(図示しない)によってウエハWが搬出される(ステップS15)。
この図10の実施形態が、第1実施形態と相違するのは、弾性体としてベローズ45に代えて、複数個のコイルばね(引張コイルばね)101を用いた点にある。
たとえば、ウエハWの上面に処理液を供給するためのノズル3は、対向棒14を支持するアーム15に支持されている必要はない。したがって、アーム15とは異なる他のアームに支持されていてもよい。また、ノズル3は、いわゆるスキャンノズルの形態である必要はなく、スピンチャック2に対して固定的に配置された構成であってもよい。
さらに、弾性体として板ばねや皿ばねなど板材を用いた構成とすることもできる。この場合、第2実施形態のコイルばね101に代えて、これら板ばねや皿ばねが介装される。対向棒14が軽量である場合は弾性体を用いない構成とすることもできる。
また、接液部材31の対向面43(下面)を水平面とすることもできるが、この場合、対向棒14が薬液の液膜からの揚力を受けることができるように、当該対向面43にスリットや溝、孔などの凹部が形成されていることが望ましい。
また、対向棒14とは別に、ウエハW上に処理液を供給するノズル3を設ける構成としたが、対向棒14の内部にノズルが挿通し、対向棒14の対向面43から処理液が吐出される構成であってもよい。
また、上記2つの実施形態においては、ウエハWに対して薬液および純水を順に供給しウエハWに洗浄処理を施す基板処理装置1,101を例に挙げたが、ウエハWに対して純水のみを供給してウエハWに洗浄処理を施す基板処理装置にも適用可能である。
2 スピンチャック(基板保持手段)
3 ノズル
4 モータ(回転手段)
14 対向部材
20 支持ブラケット(支持部材)
43 対向面(基板対向領域)
44 対向棒保持機構(対向部材保持機構)
45 ベローズ
100 基板処理装置
101 コイルばね
S 間隔
W ウエハ(基板)
Claims (5)
- 基板を水平姿勢に保持するための基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を鉛直軸線まわりに回転させる回転手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の上面に形成される前記処理液の液膜に接して当該液膜から揚力を受け得るように当該上面から間隔を隔てて対向配置される対向部材と、
前記対向部材を支持するための支持部材と、
前記対向部材を、鉛直方向に沿う相対変位が可能な状態で前記支持部材に保持させる対向部材保持機構とを含み、
前記対向部材が、前記基板保持手段に保持された基板の回転半径方向に沿って延びる棒状の基板対向領域を有し、
前記基板対向領域が、前記基板保持手段に保持された基板の上面と対向し、当該基板の回転方向の上流側に向かうに従って当該基板の上面から離反する傾斜面を有する、基板処理装置。 - 前記対向部材保持機構が、前記支持部材と前記対向部材との間に介装された弾性体を含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板対向領域が、前記基板保持手段に保持された基板の回転中心から当該基板の周縁部まで延びている、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給手段が、前記基板保持手段に保持される基板の上面において前記対向部材が対向する領域の上流側に向けて処理液を吐出するノズルを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を水平姿勢に保持して回転させる基板保持回転工程と、
基板の上面に処理液を供給する処理液供給工程と、
鉛直方向に沿う相対変位が可能な状態で支持部材に保持された対向部材の、傾斜面を有する基板対向領域を、当該基板対向領域が基板の回転半径方向に沿って延びるように、前記傾斜面が基板の回転方向の上流側に向かうに従って基板の上面から離反するように、かつ当該基板対向領域が基板の上面に形成される前記処理液の液膜に接して当該液膜から揚力を受け得るように、対向配置させる対向部材配置工程とを含む、基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009082841A JP5355179B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR1020100015099A KR101067608B1 (ko) | 2009-03-30 | 2010-02-19 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
TW099105272A TWI453859B (zh) | 2009-03-30 | 2010-02-24 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US12/722,135 US8899172B2 (en) | 2009-03-30 | 2010-03-11 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US14/539,475 US9630200B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-11-12 | Substrate treatment apparatus with elongating treatment liquid supply pipe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009082841A JP5355179B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010238780A JP2010238780A (ja) | 2010-10-21 |
JP5355179B2 true JP5355179B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=43092872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009082841A Expired - Fee Related JP5355179B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5355179B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10672640B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-06-02 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor processing apparatus and semiconductor processing method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6649837B2 (ja) * | 2016-04-13 | 2020-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7000622B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
JP2003119600A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Toyo Kohan Co Ltd | 電解処理装置 |
JP2003209039A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Ebara Corp | 基板処理装置及び処理方法 |
JP4255459B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2009-04-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
-
2009
- 2009-03-30 JP JP2009082841A patent/JP5355179B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10672640B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-06-02 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor processing apparatus and semiconductor processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010238780A (ja) | 2010-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101067608B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
CN101499418B (zh) | 基板处理装置及其所使用的基板支撑构件 | |
EP1583137B1 (en) | Substrate meniscus interface and methods for operation | |
JP6674679B2 (ja) | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 | |
JP5698487B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4719051B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101838418B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6660202B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4255459B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP2007273608A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6660628B2 (ja) | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 | |
JP5208666B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3704260B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP6143589B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5355179B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008060299A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4719052B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4679479B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5270263B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007273611A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5355180B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009182257A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102562264B1 (ko) | 플로팅 가스 가변 유량 제어 기능이 구비된 스핀 척 장치 | |
JP2009238860A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2000117200A (ja) | 基板洗浄方法およびその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5355179 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |