JP6212819B2 - 処理液処理装置および処理液処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板、収容器、光学部品等の処理対象物に、処理液を用いた処理を施すための処理液処理装置および処理液処理方法に関する。処理液処理装置および処理液処理方法の処理対象物となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に処理液を供給して、当該基板を処理する基板処理装置が用いられる。
たとえば、半導体ウエハ等の基板に対して薬液を用いた処理を施す基板処理装置には、複数枚の基板に対して一括して処理を施すバッチ式のものがある。
たとえば特許文献１には、バッチ型の基板処理装置は、たとえば、薬液が貯留された薬液処理槽および水が貯留されたリンス処理槽を含む複数の処理槽を備えている（たとえば特許文献１参照）。複数枚の基板に対して一括して処理が行われる場合には、薬液処理槽およびリンス処理槽に基板が順次浸漬されていく。

特開２０１１−７７１３５号公報

リンス処理槽におけるリンス処理において基板に帯電が生じるおそれがある。基板がシリコンウエハやガラス基板である場合には、基板が正に帯電する。一連の処理後の基板が電荷を帯びていると、その電荷の放電が生じたときに、基板の表面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。また、処理槽への搬入前から処理対象物が帯電している場合にも、同様の問題が生じるおそれがある。したがって、基板の帯電防止および除電を図りつつリンス処理（処理液を用いた処理）を行うことが求められている。

処理液を用いた処理における帯電防止および除電は、処理対象物が基板である場合に限られず、処理対象が収容器や他の光学部品等である場合にも共通する課題である。
そこで、この発明の目的は、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に、処理液を用いた処理を施すことができる処理液処理装置および処理液処理方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、処理液中に処理対象物（Ｗ；Ｌ；６０２）を浸漬して処理を行う処理液処理装置（１；２０１；３０１；４０１）であって、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる処理槽（２）と、前記処理槽に貯留された処理液、または処理液が内部を流通可能な配管（１６；１９；４２３）であって、当該内部が前記処理槽内に連通する配管内に存在する処理液にＸ線を照射し、当該処理液を電離するＸ線照射手段（１７；２１７；３１７；４１７）とを含む、処理液処理装置である。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、処理槽に貯留されている処理液、または内部が前記処理槽内に連通する配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。当該処理液のうちＸ線が照射される部分（以下、「処理液の照射部分」という。）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。

処理槽に貯留されている処理液にＸ線が照射される場合、処理槽に貯留されている処理液に浸漬されている処理対象物と処理液の照射部分とが、処理槽に貯留されている処理液を介して繋がっている。このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している処理対象物との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が処理対象物に向けて、処理槽に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、処理対象物に多量の電子が供給される結果、正に帯電している処理対象物が除電される。一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、処理槽に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、処理対象物から電子が除去される結果、負に帯電している処理対象物が除電される。

また、前記配管内に存在している処理液にＸ線が照射される場合、処理槽に貯留されている処理液に浸漬されている処理対象物と処理液の照射部分とが、処理槽に貯留されている処理液および配管内の処理液を介して繋がっている。このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している処理対象物との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が処理対象物に向けて、処理槽に貯留されている処理液および配管内の処理液を介して移動する。これにより、処理対象物に多量の電子が供給される結果、正に帯電している処理対象物が除電される。一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、処理槽に貯留されている処理液および配管内の処理液を介して移動する。これにより、処理対象物から電子が除去される結果、負に帯電している処理対象物が除電される。

また、処理液への浸漬の前から処理対象物が正または負に帯電している場合にも、前述した原理により、処理槽内の処理液や配管内の処理液を介して、当該処理対象物を除電できる。
以上により、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に、処理液を用いた処理を施すことができる。

なお、本明細書および特許請求の範囲において「Ｘ線」とは０．００１nm〜１０nm程度の波長を有する電磁波をいい、波長が比較的長い「軟Ｘ線」（０．１nm〜１０nm程度）と、波長が比較的短い「硬Ｘ線」（０．００１nm〜０．１nm程度）とを含む趣旨である。
また、本明細書および特許請求の範囲において「処理対象物」には、基板、収容器、光学部品等が含まれる。

請求項２に記載の発明は、前記配管の管壁または前記処理槽の壁は、開口（５２；３２１；４２１）を有し、前記開口は、Ｘ線が透過可能な材料を用いて形成された窓部材（７１）にて閉塞されており、前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材を介してＸ線を照射する、請求項１に記載の処理液処理装置である。
この構成によれば、Ｘ線が透過可能な材料を用いて、窓部材が形成されている。そして、Ｘ線照射手段から照射されたＸ線は、窓部材を介して、前記配管内に存在する処理液に照射される。これにより、処理液の照射部分において、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態を、良好に形成できる。

請求項３に記載のように、前記窓部材は、ベリリウムまたはポリイミド樹脂を用いて形成されていてもよい。
ベリリウムのような原子量の小さい物質であれば、透過力の弱いＸ線でも透過できる。したがって、ベリリウムを用いて窓部材を形成することにより、窓部材をＸ線に透過させることができる。

また、窓部材がポリイミド樹脂を用いて形成される場合、窓部材にＸ線を透過させることができる。また、ポリイミド樹脂は化学安定性に優れているので、窓部材を長期にわたって使用し続けることができる。
また、窓部材における処理液が存在する側の壁面は、親水性であることが好ましい。この場合、当該壁面と処理液との間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、配管に存在する処理液に対してＸ線を良好に照射することができる。

請求項４に記載のように、前記窓部材における処理液が存在する側の壁面（７１Ｂ）は、皮膜（３８）によりコーティングされていてもよい。これにより、照射窓を保護することができる。とくに、窓部材が耐酸性の劣るベリリウムを用いて形成されている場合、窓部材を酸性の処理液から良好に守ることができる。
この皮膜は、親水性材料を用いて形成されていることが好ましい。この場合、当該皮膜と処理液との間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、配管に存在する処理液に対してＸ線を良好に照射することができる。

この場合、請求項５に記載のように、前記皮膜は、ポリイミド樹脂、ダイヤモンドライクカーボン、フッ素樹脂および炭化水素樹脂のうちの１つ以上の材質を含む皮膜であってもよい。
請求項６記載の発明は、前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材に対向して配置される照射窓（３５）を有し、Ｘ線を発生するとともに、発生したＸ線を前記照射窓から照射するＸ線発生器（２５）を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の処理液処理装置である。

この構成によれば、Ｘ線発生器によって発生されたＸ線が、Ｘ線発生器の照射窓から配管内を流通している処理液に照射される。
請求項７に記載の発明は、前記Ｘ線照射手段は、前記Ｘ線発生器の周囲を、当該Ｘ線発生器と間隔を空けて取り囲むカバー（２６）と、前記カバーの内部に気体を供給する気体供給手段（２７，３７）とをさらに含む、請求項６に記載の処理液処理装置である。

この構成によれば、Ｘ線発生器の駆動により当該Ｘ線発生器が発熱するおそれがある。カバー内に気体を供給することにより、Ｘ線発生器を冷却し、Ｘ線発生器の周囲雰囲気の昇温を抑制することができる。
この発明の一実施形態では、請求項８に記載のように、前記配管は、前記処理槽内と連通し、前記処理槽内に処理液を供給するための処理液供給配管（１６）を含み、前記Ｘ線照射手段は、前記処理液供給配管を流通している処理液に前記Ｘ線を照射してもよい。

この発明の他の実施形態では、請求項９に記載のように、前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽（７）と、前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽（８）とを含み、前記配管は、前記外槽に回収された処理液が流通するオーバーフロー配管（１９）を含み、前記Ｘ線照射手段は、前記オーバーフロー配管内を流通している処理液に前記Ｘ線を照射してもよい。

この発明のさらに他の実施形態では、請求項１０に記載のように、前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽（３０７；４０７）と、前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽（８）とを含み、前記Ｘ線照射手段は、前記内槽に貯留されている処理液に前記Ｘ線を照射してもよい。
この発明のさらに他の実施形態では、請求項１１に記載のように、前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽（７）と、前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽（８）とを含み、前記配管は、前記内槽内に内部が連通する配管（１６，４２３）を含んでいてもよい。

前記の課題を解決するための請求項１２に記載の発明は、処理槽（２）に貯留された処理液中に処理対象物（Ｗ；Ｌ；６０２）を浸漬させる処理対象物浸漬工程（Ｓ４）と、前記処理対象物浸漬工程に並行して、前記処理槽に貯留された処理液、または処理液が内部を流通可能な配管（１６；１９；４２３）であって、当該内部が前記処理槽内に連通する配管内に存在する処理液にＸ線を照射し、当該処理液を電離するＸ線照射工程（Ｓ５）とを含む、処理液処理方法である。

この方法によれば、請求項１に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。
前記の課題を解決するための請求項１３に記載の発明は、処理槽に貯留された処理液中に処理対象物を浸漬して処理を行うための処理液処理方法であって、前記処理槽に貯留された処理液中に処理対象物を浸漬させる処理対象物浸漬工程（Ｓ４）と、前記処理対象物浸漬工程に並行して、前記処理槽内に向けて吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程と、前記処理液吐出工程に並行して、前記吐出口に連通する配管の内部に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射工程（Ｓ５）とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理槽に溜められている処理液の液面との間で処理液が液状に繋がっている、処理液処理方法である。

この方法によれば、配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。また、配管の内部に連通する吐出口から吐出された処理液が処理対象物に供給される。処理液のうちＸ線が照射される部分では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。
吐出口から吐出される処理液は、処理液の液面との間で液状に繋がっている。この場合、処理対象物と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がるようになる。

このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している処理対象物との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が処理対象物に向けて、液状に繋がっている処理液および処理槽に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、処理対象物に多量の電子が供給される結果、正に帯電している処理対象物が除電される。一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、液状に繋がっている処理液および処理槽に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、処理対象物から電子が除去される結果、負に帯電している処理対象物が除電される。

以上により、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に、処理液を用いた処理を施すことができる。

本発明の第１実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 図１に示す分岐配管および軟Ｘ線照射ユニットの構成をそれぞれ示す図解的な断面図である。 図１に示す基板処理装置において実行される基板処理の処理例を示す工程図である。 図１に示す分岐配管内への軟Ｘ線の照射状態を示す図解図である。 本発明の第２実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 処理液が内槽の上端部からオーバーフローしている状態を示す模式的な断面図である。 本発明の第３実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第５実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第６実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第７実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第８実施形態に係る処理液処理装置が適用された物品洗浄装置の構成を示す図である。 本発明の第９実施形態に係る処理液処理装置が適用された物品洗浄装置の構成を示す図である。 図１２に示す基板収容器の構成を示す斜視図である。 除電試験に用いられる試験装置を説明するための図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置１の構成を示す図である。
基板処理装置１は、たとえば、複数枚の基板Ｗに対し、一括して処理液処理（洗浄処理）を施すバッチ式の基板処理装置である。基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２と、処理槽２に処理液を供給する処理液ノズル３と、処理槽２に貯留されている処理液に基板Ｗを浸漬させるリフター４と、処理槽２に貯留されている処理液を循環させる循環機構５と、基板処理装置１に備えられた各機器やバルブを制御する制御装置６とを含む。

処理槽２は、上向きに開いた上部開口を有する内槽７および外槽８を含む二重槽構造を有している。内槽７は、処理液を貯留し、複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。外槽８は、内槽７の上部開口の外側面に設けられており、その上縁の高さが内槽７の上縁の高さよりも高く設定されている。
内槽７の底壁には排液バルブ２０が介装されている。排液バルブ２０は、ピストン（図示しない）が進退移動を行うことによって内槽７の底壁の一部を開閉するいわゆるピストンバルブによって構成されている。ピストン（図示しない）の後退により、内槽７の底面の一部が離脱して内槽７の底面に排液口が形成され、これにより、処理液が急速に排液されるようになっている。すなわち、処理槽２はＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス）機能を備えている。内槽７の底部から排出された処理液は、廃液装置へと送られ、処理されるようになっている。

処理液ノズル３は、処理液バルブ９が介装された処理液配管１０に接続されている。処理液ノズル３は、多数の微細な吐出口（図示しない）を有し、たとえば液を液滴の態様で吐出するシャワーノズルによって構成されている。制御装置６が処理液バルブ９を開くと、処理液ノズル３からシャワー状に吐出された処理液が、内槽７内に供給される。そして、内槽７の上縁から処理液が溢れると、溢れた処理液は、外槽８によって受け止められ、回収される。

処理液として、水や希釈薬液が採用される。水としては、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することもできる。希釈薬液としては、所定濃度に希釈されたフッ酸、BHF（Bufferd HF）、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、アンモニア水、ＨＰＭ（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）等を用いることができる。

リフター４によって保持されている基板Ｗは、内槽７に貯留されている処理液に浸漬される。
リフター４は、水平に延びる複数の保持棒１１を含む。複数枚の基板Ｗは、紙面の奥手前方向に複数枚の基板Ｗを整列した状態で、複数の保持棒１１によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。

リフター４は、昇降機構２２を含む。昇降機構２２は、リフター４に保持されている基板Ｗが内槽７内に位置する処理位置（図１に示す位置）と、リフター４に保持されている基板Ｗが内槽７の上方に位置する退避位置（図示しない）との間でリフター４を昇降させる。したがって、昇降機構２２によってリフター４が処理位置に移動させられることにより、リフター４に保持されている複数枚の基板Ｗが処理液に浸漬される。これにより、基板Ｗに対する処理液を用いた処理が施される。

循環機構５は、処理槽２から排出された処理液を再び処理槽２に導く循環配管１２と、循環配管１２の下流側の端部にそれぞれ接続された複数の循環ノズル１３と、循環配管１２から循環ノズル１３に処理液を送る循環ポンプ１４とを含む。循環配管１２は、上流側の端部が外槽８の底部に接続された帰還配管（オーバーフロー配管）１９と、帰還配管１９の下流側の端部から複数に分岐する分岐配管（処理液供給配管）１６とを含む。各分岐配管１６の先端に、循環ノズル１３が取り付けられている。各循環ノズル１３は、一または複数の吐出口を有し、内槽７内に向けて処理液を吐出する。帰還配管１９には、上流側から順に、循環ポンプ１４、フィルタ１５、循環バルブ２１が介装されている。フィルタ１５は、循環配管１２を流れる処理液をろ過するフィルタ１５であり、循環バルブ２１は帰還配管１９を開閉するためのバルブである。

複数の分岐配管１６のうちの少なくとも１つ（この実施形態では１つ）には、軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）１７が取り付けられている。軟Ｘ線照射ユニット１７は、分岐配管１６内に存在している処理液に軟Ｘ線を照射するためのユニットである。
図２Ａは、分岐配管１６および軟Ｘ線照射ユニット１７の構成をそれぞれ示す図解的な断面図である。

分岐配管１６は、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。分岐配管１６には、途中部の管壁に、たとえば円形の第１開口５２が形成されている。分岐配管１６には、第１開口５２を塞ぐように軟Ｘ線照射ユニット１７が取り付けられている。

軟Ｘ線照射ユニット１７は、軟Ｘ線発生器（Ｘ線発生器）２５と、軟Ｘ線発生器２５の周囲を取り囲むように覆うたとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)製のカバー２６と、カバー２６の内部に気体を供給するための気体ノズル（気体供給手段）２７とを備え、横向きに軟Ｘ線を照射する。カバー２６は、軟Ｘ線発生器２５の周囲を、軟Ｘ線発生器２５と間隔を空けて取り囲む横長の矩形箱状のものであり、鉛直板状の横壁２６Ａにおいて、軟Ｘ線発生器２５の次に述べる照射窓３５に対向する部分に、第１開口５２と同径を有するたとえば円形の第２開口２８を形成している。軟Ｘ線照射ユニット１７は、カバー２６の第２開口２８が、分岐配管１６の第１開口５２に一致し、かつ横壁２６Ａが分岐配管１６の外周に密着するように、分岐配管１６に取り付けられる。

第２開口２８は、円板状の窓部材７１によって閉塞されている。窓部材７１は、カバー２６の内側から第２開口２８を閉塞する。窓部材７１により、第２開口２８だけでなく、第１開口５２も閉塞される。窓部材７１の材料として、透過力の弱い軟Ｘ線が透過し易いように原子量の小さい物質が使用され、たとえばベリリウム（Ｂｅ）が採用されている。窓部材７１の厚みは、たとえば0.3mm程度に設定されている。

軟Ｘ線発生器２５は、分岐配管１６を通る処理液を電離させるために用いられる軟Ｘ線を射出（放射）する。軟Ｘ線発生器２５は、ケース体２９と、軟Ｘ線を発生させるための左右に長い軟Ｘ線管３０と、軟Ｘ線管３０に高電圧を供給する高電圧ユニット３１とを備えている。ケース体２９は、その内部に、軟Ｘ線管３０および高電圧ユニット３１を収容する横長の矩形筒状のものであり、導電性および熱伝導性を有する材料（たとえばアルミニウム等の金属材料）を用いて形成されている。

高電圧ユニット３１は、たとえば−９．５ｋＶという高電位の駆動電圧を軟Ｘ線管３０に入力する。高電圧ユニット３１には、カバー２６に形成された貫通孔４２を通してカバー２６外に引き出された給電線４３を介して電源（図示しない）からの電圧が供給されている。
軟Ｘ線管３０は、ガラス製または金属製の円筒形状の真空管からなり、管方向が水平となるように配置されている。軟Ｘ線管３０の一端部（開口端部。図２Ａに示す左端部）は円形開口４１を形成している。軟Ｘ線管３０の他端部（図２Ａに示す右端部）は閉じており、ステム３２となっている。軟Ｘ線管３０内には、陰極であるフィラメント３３と、陽極であるターゲット３６とが対向するように配置されている。軟Ｘ線管３０は、フィラメント３３およびフォーカス３４を収容している。具体的には、ステム３２に、カソードとしてのフィラメント３３が配置されている。フィラメント３３は、高電圧ユニット３１と電気的に接続されている。フィラメント３３は円筒状のフォーカス３４によって取り囲まれている。

軟Ｘ線管３０の開口端部は、鉛直姿勢をなす板状の照射窓３５によって閉塞されている。照射窓３５はたとえば円板状をなし、銀ロウ付けによって軟Ｘ線管３０の開口端部の壁面に固定されている。照射窓３５の材料として、透過力の弱い軟Ｘ線が透過し易いように原子量の小さい物質が使用され、たとえばベリリウム（Ｂｅ）が採用されている。照射窓３５の厚みは、たとえば0.3mm程度に設定されている。照射窓３５は、窓部材７１の内面７１Ａに対向して、当該窓部材７１と微小の間隔を空けて配置されている。

照射窓３５の内面３５Ａには、金属製のターゲット３６が蒸着によって形成されている。ターゲット３６には、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）等の原子量の大きく融点の高い金属が用いられる。
高電圧ユニット３１からの駆動電圧が陰極であるフィラメント３３に印加されることにより、フィラメント３３が電子を放出する。フィラメント３３から放出された電子は、フォーカス３４で収束されて電子ビームとなり、ターゲット３６に衝突することによって軟Ｘ線が発生する。発生した軟Ｘ線は照射窓３５から横方向（図２Ａに示す左方）に向けて射出（放射）され、窓部材７１および第１開口５２を通して分岐配管１６の内部を照射する。照射窓３５からの軟Ｘ線の照射角（照射範囲）は、図３に示すように広角（たとえば130°）である。照射窓３５から分岐配管１６の内部に照射される軟Ｘ線は、その波長がたとえば0.13〜0.4nmである。

窓部材７１の外表面（閉塞窓における処理液が流通する側の壁面）７１Ｂの全域は、親水性皮膜（皮膜）３８によって被覆されている。親水性皮膜３８は、たとえばポリイミド樹脂皮膜である。窓部材７１の外表面７１Ｂを親水性皮膜３８で覆ったのは、耐酸性の劣るベリリウム製の窓部材７１を、水等の処理液に含まれる酸から守るためのものである。親水性皮膜３８の膜厚は、50μm以下であり、とくに10μm程度であることが好ましい。親水性皮膜３８が親水性を有しているので、皮膜３８とＤＩＷとの間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、照射窓３５からの軟Ｘ線を、分岐配管１６を流通しているＤＩＷに対して良好に照射できる。

気体ノズル２７の吐出口は、カバー２６の上壁に開口している。気体ノズル２７には気体バルブ（気体供給手段）３７を介して気体供給源（図示しない）からの気体が供給されている。気体ノズル２７が吐出する気体として、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）や窒素ガスの不活性ガスを例示できる。気体ノズル２７から吐出された気体は、カバー２６の内部に供給される。軟Ｘ線発生器２５の駆動により当該軟Ｘ線発生器２５が発熱するおそれがあるが、カバー２６の内部に気体を供給することにより、軟Ｘ線発生器２５を冷却し、軟Ｘ線発生器２５の周囲雰囲気の昇温を抑制できる。

図１に示すように、制御装置６はマイクロコンピュータを含む構成を有し、予め定められたプログラムに従って、昇降機構２２および循環ポンプ１４等の動作を制御する。さらに、制御装置６は、処理液バルブ９、排液バルブ２０等の開閉動作を制御する。
図２Ｂは、基板処理装置１において実行される基板処理の処理例を示す工程図である。図１、図２Ａおよび図２Ｂを参照しながら、基板処理の処理例について説明する。

処理槽２にて基板Ｗの処理を行っていないときであっても、循環機構５において、処理液の循環が継続して行われている。すなわち、処理液の交換や装置メンテナンス等の特定の状況を除き、処理槽２内には常時処理液が貯留されており、処理液は処理槽２内で滞留せずに循環配管１２を通って循環している。このような循環の際には、循環バルブ２１が開放されている。その結果、外槽８から流出した処理液が循環配管１２を通って、循環ノズル１３から内槽７の内部に供給される。内槽７の内部が処理液で満たされている状態にて循環ノズル１３からさらに処理液が供給されることにより、余った処理液が内槽７の上端部からオーバーフローして外槽８に流れ込む。そして、外槽８から流出した処理液が循環配管１２を通って循環ノズル１３から内槽７の内部に供給される。

基板浸漬処理の開始に伴って、循環バルブ２１が閉じられかつ循環ポンプ１４の駆動が停止させられるとともに、排液バルブ２０が開かれて、内槽７に貯留されていた処理液が急速に排液される（ステップＳ１）。
内槽７から処理液を排液して、内槽７内が空になった後、制御装置６は、リフター４を制御して、受渡位置にて受け取った複数枚の基板Ｗを内槽７の内部の処理位置にまで降下させる。これにより、基板Ｗが処理槽２内に投入される（ステップＳ２）。基板Ｗは、空となっている内槽７の内部に保持される。

未処理の基板Ｗが空の処理槽２に投入されて処理位置に保持された後、制御装置６は、処理液バルブ９を開放して、処理液ノズル３から処理液をシャワー状に吐出する（ステップＳ３）。このとき、排液バルブ２０は開かれたままであり、排液口（図示しない）が開放されているため、汚染物質を含んだ処理液は溜められない。
その後、予め定めるシャワー洗浄時間が過ぎると、制御装置６は、排液バルブ２０を閉じる。このとき、処理液ノズル３からの処理液の吐出は継続されているので、内槽７に処理液が溜められる。これにより、基板Ｗが処理液に浸漬される基板浸漬処理が実行される。

内槽７に処理液が満タンに溜められると、制御装置６は処理液バルブ９を閉じて、処理液ノズル３からの処理液の吐出を停止する。また、制御装置６は、循環ポンプ１４の駆動を開始させるとともに、循環バルブ２１を開く。これにより、処理液は処理槽２内で滞留せずに循環配管１２を通って循環する（ステップＳ４）。具体的には、外槽８から流出した処理液が循環配管１２を通って循環ノズル１３から内槽７の内部に供給される。内槽７の内部が処理液で満たされている状態にて循環ノズル１３からさらに処理液が供給されることにより、余った処理液が内槽７の上端部からオーバーフローして外槽８に流れ込む。そして、外槽８から流出した処理液が循環配管１２を通って循環ノズル１３から内槽７の内部に供給される。循環する処理液がフィルタ１５を通過するときにパーティクル等の汚染物質は除去される。このため、循環ノズル１３からは汚染物質が取り除かれた清浄な処理液が内槽７内に向けて吐出される。この状態で、循環ノズル１３のノズル配管内および分岐配管１６内では、処理液が液密状態にある。

また、制御装置６は、高電圧ユニット３１（図２Ａ参照）を制御して、軟Ｘ線照射ユニット１７の軟Ｘ線発生器２５（図２Ａ参照）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、照射窓３５（図２Ａ参照）から窓部材７１を介して、分岐配管１６の内部に向けて照射させる（ステップＳ５）。これにより、分岐配管１６内を流通している処理液に、軟Ｘ線が照射される。

図３は、図１に示す分岐配管１６内への軟Ｘ線の照射状態を示す図解図である。
基板浸漬処理に並行して、分岐配管１６内を流通している処理液に軟Ｘ線が照射される。分岐配管１６内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（分岐配管１６内の第１開口５２に対向する部分。図３に示す網掛け部分（以下、「処理液の照射部分５４」という））では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分５４に形成される。

この場合、前述のように循環ノズル１３のノズル配管内および分岐配管１６内で処理液が液密状態であるので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分５４とが、内槽７に貯留されている処理液および分岐配管１６内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分５４と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分５４からの電子が基板Ｗに向けて、内槽７に貯留されている処理液および分岐配管１６内の処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

また、処理液への浸漬の前から基板Ｗが正に帯電している場合にも、同様の原理により、内槽７内の処理液や分岐配管１６内の処理液を介して当該基板Ｗを除電できる。
図２Ｂに示すように、浸漬処理の開始から予め定める浸漬処理時間が経過すると、制御装置６は、軟Ｘ線照射ユニット１７からの軟Ｘ線の照射を停止させる（ステップＳ６）。
その後、処理済みの基板Ｗが内槽７から搬出される（ステップＳ７）。基板Ｗの搬出は、複数の基板Ｗを一括保持するリフター４が内槽７の内部の処理位置から上方の受渡位置にまで上昇されることによって行われる。受渡位置に上昇した複数の基板Ｗからなるロットは次工程の処理槽へと搬送される。

そして、引き続いて処理を行う後続の基板Ｗが存在している場合、ステップＳ１に戻って前述の一連の処理が繰り返し実行される。
以上により、第１実施形態によれば、処理液の浸漬処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、浸漬処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

図４は、本発明の第２実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置２０１の構成を示す図である。
第２実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第２実施形態に係る基板処理装置２０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）２１７が、帰還配管１９における循環ポンプ１４よりも上流側に介装されている点である。軟Ｘ線照射ユニット２１７は、帰還配管１９に取り付けられている。

帰還配管１９は、丸管状（円筒状）をなしており、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。帰還配管１９の途中部には、循環ポンプ１４よりも上流側の管壁に、開口（図示しない）が形成されている。
軟Ｘ線照射ユニット２１７は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７（図２Ａ参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット２１７は、帰還配管１９の開口を塞ぐように帰還配管１９に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット２１７のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の第２開口２８（図２Ａ参照）に相当する開口）が帰還配管１９の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット２１７のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の横壁２６Ａ（図２Ａ参照）に相当）が帰還配管１９の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット２１７の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７の高電圧ユニット３１（図２Ａ参照）に相当）は、制御装置６に接続されている。

基板処理装置２０１では、図２Ｂに示す処理例の場合と同様の処理が実施される。基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）では、処理液は処理槽２内で滞留せずに循環配管１２を通って循環している。内槽７の内部が処理液で満たされている状態で循環ノズル１３からさらに処理液が供給されることにより、余った処理液が内槽７の上端部からオーバーフローして（溢れて）外槽８に流れ込む。

図５は、処理液が内槽７の上端部からオーバーフローしている状態を示す模式的な断面図である。
外槽８は、内槽７の外周を取り囲む円環板状の底壁８１と、底壁８１の外周縁から鉛直上方に向けて立ち上がる立上壁８２とを有している。底壁８１の周方向のたとえば一箇所には、底壁８１を厚み方向に貫通する貫通孔より構成されるオーバーフロー口８３が形成されている。オーバーフロー口８３に、帰還配管１９の上流側端部が接続されている。

基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）において、循環ノズル１３からの処理液の供給が断続的に続行されるから、帰還配管１９内が処理液で液密状態にされる。また、図５に示すように、処理液の液塊８０が内槽７の上端部を乗り越える状態が常時続くから、内槽７に貯留されている処理液と外槽８に貯留されている処理液とが、このような処理液の液塊８０によって常時繋がっている。

基板浸漬処理に並行して、帰還配管１９内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット２１７から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。
帰還配管１９内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、前述のように帰還配管１９内で処理液が液密状態であり、かつ内槽７に貯留されている処理液と外槽８に貯留されている処理液とが処理液の液塊８０によって常時繋がっているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、外槽８に貯留されている処理液、および帰還配管１９内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗに向けて、内槽７に貯留されている処理液および帰還配管１９内の処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第２実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
図６は、本発明の第３実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置３０１の構成を示す図である。
第３実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第３実施形態に係る基板処理装置３０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、内槽７に代えて、略箱状の第１膨出部分３１８を有する内槽３０７を備えた点、および軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）３１７が第１膨出部分３１８の壁に取り付けられている点である。

第１膨出部分３１８は、内槽３０７の円筒状の周壁３０７Ａから、水平に沿って外方に向けて膨出しており、内槽３０７の周壁３０７Ａと一体的に形成されている。第１膨出部分３１８の上壁または下壁（図６では上面）には、開口３２１が形成されている。
軟Ｘ線照射ユニット３１７は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７（図２Ａ参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット３１７は、第１膨出部分３１８の開口３２１を塞ぐように取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット３１７のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の第２開口２８（図２Ａ参照）に相当する開口）が第１膨出部分３１８の開口３２１に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット３１７のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の横壁２６Ａ（図２Ａ参照）に相当）が第１膨出部分３１８の上壁に密着している。軟Ｘ線照射ユニット３１７の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７の高電圧ユニット３１（図２Ａ参照）に相当）は、制御装置６に接続されている。

基板処理装置３０１では、図２Ｂに示す処理例の場合と同様の処理が実施される。基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）では、内槽３０７内に処理液が溜められ、これにより、第１膨出部分３１８内が処理液により液密状態になる。
基板浸漬処理に並行して、第１膨出部分３１８内の処理液に、軟Ｘ線照射ユニット３１７から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。

第１膨出部分３１８内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。
この場合、内槽３０７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分とが、内槽３０７に貯留されている処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗに向けて、内槽３０７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第３実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
図７は、本発明の第４実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置４０１の構成を示す図である。
第４実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第４実施形態に係る基板処理装置４０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、内槽７に代えて、底部に略箱状の第２膨出部分４１８を有する内槽４０７を備えた点、および第２膨出部分４１８に接続された配管４２３に、軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）４１７が取り付けられている点である。

なお、図７では、基板処理装置４０１は、循環機構５（図１参照）と同等の構成の循環機構を備えているが、その図示を省略している。
第２膨出部分４１８は、内槽４０７の底壁４０７Ａから、水平に沿って外方に向けて膨出しており、内槽４０７の底壁４０７Ａと一体的に形成されている。第２膨出部分４１８の下壁の所定位置には、排液バルブ４２０が介装されている。排液バルブ４２０は排液バルブ２０（図１参照）と同等の構成を有する。すなわち、第２膨出部分４１８はＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス）設置用の部分である。内槽４０７の底部から排出された処理液は、廃液装置または回収装置へと送られ、処理されるようになっている。

第２膨出部分４１８のたとえば上壁には、配管４２３の一端が接続されている。配管４２３の内部は、第２膨出部分４１８の内部と連通している。第２膨出部分４１８における配管４２３の接続位置は、第２膨出部分４１８における排液バルブ４２０の配設位置と平面視において異なる位置であることが望ましい。
配管４２３は、丸管状（円筒状）をなしており、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。配管４２３の途中部には、開口４２１が形成されている。

軟Ｘ線照射ユニット４１７は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７（図２Ａ参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット４１７は、配管４２３の開口４２１を塞ぐように配管４２３に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット４１７のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の第２開口２８（図２Ａ参照）に相当する開口）が配管４２３の開口４２１に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット４１７のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の横壁２６Ａ（図２Ａ参照）に相当）が配管４２３の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット４１７の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７の高電圧ユニット３１（図２Ａ参照）に相当）は、制御装置６に接続されている。

基板処理装置４０１では、図２Ｂに示す処理例の場合と同様の処理が実施される。基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）では、内槽４０７内に処理液が溜められ、これにより、第２膨出部分４１８内や配管４２３内も、処理液により液密状態になる。
基板浸漬処理に並行して、配管４２３内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット４１７から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。

配管４２３内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。
この場合、前述のように配管４２３内で処理液が液密状態であり、また第２膨出部分４１８内も処理液により液密とされているので、内槽４０７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分とが、内槽４０７（第２膨出部分４１８を含む）に貯留されている処理液および配管４２３内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗに向けて、配管４２３内の処理液および内槽４０７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第４実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
図８は、本発明の第５実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置５０１の構成を示す図である。
第５実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第５実施形態に係る基板処理装置５０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、循環機構５（図１参照）を設けずに、外槽８から流出した処理液がドレイン配管５１９を通って廃液または回収される点、および処理液ノズル３（図１参照）に代えて、処理液ノズル５６１を設けた点である。処理液ノズル５６１には、処理液ノズル５６１内を流通する処理液に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット５６２が取り付けられている。処理液ノズル５６１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口５５３を内槽７の内部に向けた状態で配置されている。処理液ノズル５６１には、処理液供給源からの処理液が供給される処理液配管５１３が接続されている。処理液配管５１３の途中部には、処理液ノズル５６１からの処理液の供給／供給停止を切り換えるための処理液バルブ５１４が介装されている。

処理液ノズル５６１は、鉛直方向に延びる丸管状（円筒状）のノズル配管５５１を有している。ノズル配管５５１は、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。ノズル配管５５１の先端部（下端部）には、丸型の吐出口５５３が開口している。ノズル配管５５１には、途中部の管壁に、たとえば円形の開口５５２が形成されている。

軟Ｘ線照射ユニット５６２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７（図２Ａ参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット５６２は、ノズル配管５５１の開口５５２を塞ぐようにノズル配管５５１に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット５６２のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の第２開口２８（図２Ａ参照）に相当する開口）が開口５５２に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット５６２のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット１７のカバー２６の横壁２６Ａ（図２Ａ参照）に相当）がノズル配管５５１の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット５６２の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７の高電圧ユニット３１（図２Ａ参照）に相当）は、制御装置６に接続されている。

基板処理装置５０１では、処理槽５０２に処理液が溜められた後、リフター４により基板Ｗが一括して処理槽５０２内に投入される。その後、基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）が実行される。但し、基板処理装置５０１には循環機構５（図１参照）が設けられていないので、基板浸漬処理では、処理槽５０２に貯留されている処理液は循環されない。その代わりに、基板浸漬処理中において、処理液ノズル５６１からの処理液の供給が断続的に続行される。基板浸漬処理では、処理液ノズル５６１の吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしており、また、処理液ノズル５６１のノズル配管５５１内では、処理液が液密状態にある。

基板浸漬処理に並行して、ノズル配管５５１内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。
ノズル配管５５１内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、前述のように、ノズル配管５５１内で処理液が液密状態であり、かつ吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗに向けて、ノズル配管５５１内の処理液、前記の連続流状の処理液および内槽７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第５実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
なお、第５実施形態では、ノズル配管５５１内を流通している処理液に軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線を照射する場合を例に挙げて説明したが、ノズル配管５５１内に内部が連通する配管に軟Ｘ線照射ユニット５６２を設け、当該配管内を流通している処理液に軟Ｘ線照射ユニット５６２からの軟Ｘ線を照射させるようにしてもよい。

図９は、本発明の第６実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置６０１の構成を示す図である。
第６実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第６実施形態に係る基板処理装置６０１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、循環機構５（図１参照）を設けずに、外槽８から流出した処理液がドレイン配管５１９を通って廃液または回収される点、および外槽８に向けて処理液を吐出する処理液ノズル５６１を設けた点である。

処理液ノズル５６１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口５５３を外槽８の内部に向けた状態で配置されている。処理液ノズル５６１には、処理液ノズル５６１内を流通する処理液に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット５６２が取り付けられている。処理液ノズル５６１および軟Ｘ線照射ユニット５６２に関する一連の構成は第５実施形態の場合と同一であるので、第５実施形態の場合と同一参照符号を付して説明を省略する。

基板処理装置６０１では、図２Ｂに示す処理例の場合と同様の処理が実施される。但し、基板処理装置６０１には循環機構５（図１参照）が設けられていないので、基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）中に、処理槽５０２に貯留されている処理液が循環されない。その代わりに、基板浸漬処理中において、処理液ノズル３からの処理液の供給が断続的に続行される。内槽７の内部が処理液で満たされている状態で処理液ノズル３からさらに処理液が供給されることにより、余った処理液が内槽７の上端部からオーバーフローして（溢れて）外槽８に流れ込む。このとき、処理液の液塊（図５の処理液の液塊８０と同様の液塊）が内槽７の上端部を乗り越える状態が常時続くから、内槽７に貯留されている処理液と外槽８に貯留されている処理液とが、処理液の液塊によって常時繋がっている。

基板浸漬処理に並行して、処理液バルブ５１４が開かれて、処理液ノズル５６１の吐出口５５３から処理液が外槽８の内部に向けて吐出される。処理液ノズル５６１の吐出口５５３から吐出される処理液の態様は、吐出口５５３と外槽８に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。このとき、処理液ノズル５６１のノズル配管５５１内では、処理液が液密状態にある。

また、基板浸漬処理に並行して、ノズル配管５５１内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。
ノズル配管５５１内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、ノズル配管５５１内で処理液が液密状態であり、吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と外槽８に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしており、かつ内槽７に貯留されている処理液と外槽８に貯留されている処理液とが処理液の液塊によって常時繋がっているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗと処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、外槽８に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗが正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗに向けて、ノズル配管５５１内の処理液、前記の連続流状の処理液、外槽８に貯留されている処理液および内槽７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第６実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
また、軟Ｘ線照射ユニット５６２の窓部材の外表面（窓部材７１の外表面７１Ｂ（図２Ａ参照）に相当）から親水性皮膜（親水性皮膜３８（図２参照）に相当）が剥がれると、当該窓部材に含まれるベリリウムが処理液に溶け出すおそれがある。このような場合であっても、ベリリウムを含む処理液がドレイン配管５１９を介して排液されるので、これにより、ベリリウムを含む処理液が基板Ｗに供給されるのを確実に回避することができる。

図１０は、本発明の第７実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置７０１の構成を示す図である。
第７実施形態において、第５実施形態と共通する部分には、図８の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第７実施形態に係る基板処理装置７０１が、第５実施形態に係る基板処理装置５０１と相違する点は、複数枚の基板Ｗを一括して保持するカセット７０２ごと複数枚の基板Ｗを処理槽５０２内に浸漬させた点である。図１０では図示していないが、基板処理装置７０１には、第５実施形態のリフター４や昇降機構２２などの構成が設けられている。このリフター４によって、複数枚の基板Ｗが一括して保持されたカセット７０２が保持され、昇降される。

カセット７０２は、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。
基板処理装置７０１では、処理槽５０２に処理液が溜められた後、複数枚の基板Ｗおよびカセット７０２が処理槽５０２内に投入される。その後、基板浸漬処理（図２ＢのステップＳ４〜Ｓ６）が実行される。

基板浸漬処理中には、第５実施形態の場合と同様、処理液ノズル５６１からの処理液の供給が断続的に続行される。基板浸漬処理では、処理液ノズル５６１の吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしており、また、処理液ノズル５６１のノズル配管５５１内では、処理液が液密状態にある。

また、基板浸漬処理に並行して、ノズル配管５５１内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。ノズル配管５５１内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）に、前述のプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、前述のように、ノズル配管５５１内で処理液が液密状態であり、かつ吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板Ｗやカセット７０２と、処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板Ｗやカセット７０２が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板Ｗやカセット７０２との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板Ｗやカセット７０２に向けて、ノズル配管５５１内の処理液、前記の連続流状の処理液および内槽７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板Ｗが除電される。

また、カセット７０２の材質によっては、カセット７０２が負に帯電することも考えられるが、この場合、カセット７０２からの電子が、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して、処理液の照射部分の正イオンに向けて移動する。これにより、カセット７０２から電子が除去される結果、負に帯電しているカセット７０２が除電される。

以上により、第７実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
また、処理液の浸漬処理時におけるカセット７０２の帯電をも防止できる。また、浸漬処理前からカセット７０２が帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。

第１〜第７実施形態では、処理対象物を基板Ｗとする基板処理装置１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１に本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、基板Ｗ以外を処理対象物とする処理液処理装置（物品洗浄装置）にも適用できる。
図１１は、本発明の第８実施形態に係る処理液処理装置が適用された物品洗浄装置８０１の構成を示す図である。

物品洗浄装置８０１は、たとえばレンズＬなどの光学部品を処理対象物とし、光学部品を、処理液（洗浄液）を用いて洗浄するための装置である。物品洗浄装置８０１は、処理槽５０２にレンズＬを浸漬させることにより、当該レンズＬを洗浄する。複数個のレンズＬがカセット８０２に一括して収容された状態で、処理槽５０２内に浸漬される。物品洗浄装置８０１には、処理槽５０２に貯留されている処理液に超音波振動を発生させる超音波発生装置（図示しない）が設けられている。

超音波発生装置（図示しない）を設ける点を除いて、物品洗浄装置８０１の概略構成は、第７実施形態に係る基板処理装置７０１の構成と同等であるので、第８実施形態において、第７実施形態と共通する部分には、図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
物品洗浄装置８０１では、レンズＬおよびカセット８０２が処理槽５０２内に投入された後、処理槽５０２に処理液が溜められる。これにより、レンズＬおよびカセット８０２が処理液に浸漬され、このような浸漬処理が予め定める期間の間続行されることによりレンズＬが洗浄される。

浸漬処理中には、第５実施形態の場合と同様、処理液ノズル５６１からの処理液の供給が断続的に続行される。浸漬処理では、処理液ノズル５６１の吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしており、また、処理液ノズル５６１のノズル配管５５１内では、処理液が液密状態にある。

また、浸漬処理に並行して、ノズル配管５５１内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。ノズル配管５５１内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）に、前述のプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、前述のように、ノズル配管５５１内で処理液が液密状態であり、かつ吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されているレンズＬやカセット８０２と、処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して繋がっている。このとき、レンズＬやカセット８０２が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電しているレンズＬやカセット８０２との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子がレンズＬやカセット８０２に向けて、ノズル配管５５１内の処理液、前記の連続流状の処理液および内槽７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電しているレンズＬが除電される。

また、カセット８０２の材質によっては、カセット８０２が負に帯電することも考えられるが、この場合、カセット８０２からの電子が、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して、処理液の照射部分の正イオンに向けて移動する。これにより、カセット８０２から電子が除去される結果、負に帯電しているカセット８０２が除電される。

以上により、第８実施形態によれば、処理液の浸漬処理時におけるレンズＬの帯電を防止できる。また、浸漬処理前からレンズＬが帯電していても、そのレンズＬに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。
なお、前述の説明では複数個のレンズＬがカセット８０２に収容された状態で処理液に浸漬されるとして説明したが、レンズＬが直接（カセット８０２に収容されずに）処理液に浸漬されるようになっていてもよい。

また、光学部品としてレンズＬ（図１１参照）を例に挙げて説明したが、ミラー、回折格子等の光学部品を収容する部品収容器を処理対象とすることができる。光学部品以外の部品を洗浄対象（処理対象）とすることもできる。
また、第８実施形態に係る物品洗浄装置８０１において、第１〜第４および第６実施形態の場合と同様の構成が採用されていてもよい。この場合、第１〜第４および第６実施形態で説明したものと同様の処理が施される。すなわち、処理槽２に貯留されている処理液に光学部品（レンズＬ）等の部品が浸漬され、それと並行して、当該処理槽２に貯留された処理液、または内部が処理槽２内に連通する配管１６，１９，４２３内に存在する処理液に、軟Ｘ線ユニット１７，２１７，３１７，４１７からの軟Ｘ線が照射される。

図１２は、本発明の第９実施形態に係る処理液処理装置が適用された物品洗浄装置９０１の構成を示す図である。
物品洗浄装置９０１は、たとえば基板収容器（収容器）６０２を処理対象物とし、基板収容器６０２を、処理液（洗浄液）を用いて洗浄するための装置である。物品洗浄装置９０１は、処理槽５０２に基板収容器６０２を浸漬させることにより、当該基板収容器６０２を洗浄する。

図１３は、基板収容器６０２の構成を示す斜視図である。
図１３に示すように、基板収容器６０２は、基板Ｗを密閉した状態で収容する容器である。基板収容器６０２の一例として、ＦＯＳＢ（Front Opening Shipping Box）を挙げることができる。ＦＯＳＢは、専ら、半導体ウエハメーカから半導体装置メーカに、基板Ｗを納入するために用いられる。ＦＯＳＢは、未処理の複数枚の基板Ｗを収容し、これらの基板Ｗの清浄度を維持しつつ、基板Ｗへの損傷を防止する。

基板収容器６０２は、側方に開口６０３Ａを有する有底箱状の収容器本体６０３と、収容器本体６０３の開口６０３Ａを開閉するための蓋６０４と、収容器本体６０３の内壁に取り付けられた多段の収容器支持棚６０６と、蓋６０４に取り付けられた多段の蓋支持棚６０５とを含む。開口６０３Ａを介して収容器本体６０３の内部に対し、基板Ｗの出し入れが行われる。収容器本体６０３および蓋６０４は、それぞれ、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)等の樹脂材料を用いて形成されている。

図１２に示すように物品洗浄装置９０１の概略構成は、第７実施形態に係る基板処理装置７０１の構成と同等であるので、第９実施形態において、第７実施形態と共通する部分には、図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
基板処理装置９０１では、基板収容器６０２（収容器本体６０３）が処理槽５０２内に投入された後、処理槽５０２に処理液が溜められる。これにより、基板収容器６０２が処理液に浸漬され、このような浸漬処理が予め定める期間の間続行されることにより基板収容器６０２が洗浄される。

浸漬処理中には、第７実施形態の場合と同様、処理液ノズル５６１からの処理液の供給が断続的に続行される。浸漬処理では、処理液ノズル５６１の吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしており、また、処理液ノズル５６１のノズル配管５５１内では、処理液が液密状態にある。

また、浸漬処理に並行して、ノズル配管５５１内を流通している処理液に、軟Ｘ線照射ユニット５６２から軟Ｘ線が照射される（図２ＢのステップＳ５）。ノズル配管５５１内の処理液のうち軟Ｘ線が照射される部分（処理液の照射部分。図３に示す、第１実施形態に係る処理液の照射部分５４と同等の部分）に、前述のプラズマ状態が、処理液の照射部分に形成される。

この場合、前述のように、ノズル配管５５１内で処理液が液密状態であり、かつ吐出口５５３から吐出される処理液の態様が、吐出口５５３と内槽７に貯留されている処理液の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしているので、内槽７に貯留されている処理液に浸漬されている基板収容器６０２と、処理液の照射部分とが、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して繋がっている。このとき、基板収容器６０２が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板収容器６０２との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が基板収容器６０２に向けて、ノズル配管５５１内の処理液、前記の連続流状の処理液および内槽７に貯留されている処理液を介して移動する。これにより、基板Ｗに多量の電子が供給される結果、正に帯電している基板収容器６０２（収容器本体６０３）が除電される。

また、基板収容器６０２の材質によっては、基板収容器６０２が負に帯電することも考えられるが、この場合、基板収容器６０２からの電子が、内槽７に貯留されている処理液、前記の連続流状の処理液およびノズル配管５５１内の処理液を介して、処理液の照射部分の正イオンに向けて移動する。これにより、基板収容器６０２から電子が除去される結果、負に帯電している基板収容器６０２が除電される。

以上により、第９実施形態によれば、処理液の浸漬処理時における基板収容器６０２の帯電を防止できる。また、浸漬処理前から基板収容器６０２が帯電していても、その基板収容器６０２に帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。
なお、図１２では、基板収容器６０２のうち収容器本体６０３を洗浄する場合を例に挙げて説明したが、蓋６０４や、支持棚６０５，６０６を洗浄する場合にも、同様に洗浄方法を採用することにより、蓋６０４や支持棚６０５，６０６の除電を図りつつ、蓋６０４や支持棚６０５，６０６に洗浄処理を施すことができる。

また、基板収容器６０２として、ＦＯＳＢを例に挙げて説明したが、専ら、半導体ウエハメーカの工場内で基板Ｗを搬送するために用いられ、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を挙げることもできる。その他、基板収容器６０２として、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドや、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を例示することもできる。

また、収容器は、基板Ｗを収容するものに限られず、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーディスク等の円盤状のメディアを収容するメディア収容器や、レンズＬ（図１１参照）、ミラー、回折格子等の光学部品を収容する部品収容器を処理対象とすることができる。
また、第９実施形態に係る物品洗浄装置９０１において、第１〜第４および第６実施形態の場合と同様の構成が採用されていてもよい。この場合、第１〜第４および第６実施形態で説明したものと同様の処理が施される。すなわち、処理槽２に貯留されている処理液に基板収容器６０２等の収容器が浸漬され、それと並行して、当該処理槽２に貯留された処理液、または内部が処理槽２内に連通する配管１６，１９，４２３内に存在する処理液に、軟Ｘ線ユニット１７，２１７，３１７，４１７からの軟Ｘ線が照射される。

次に、軟Ｘ線が照射された処理液（たとえば水）の供給によって、シリコンウエハ、ガラス基板、収容器等の処理対象物を除電できることを確認するための除電試験を行った。この除電試験の内容および結果について、以下説明する。
図１４は、除電試験に用いられる試験装置６５１を説明するための図である。
試験装置６５１は、樹脂製の有底状の容器６５２と、容器６５２内で、帯電体Ｅを保持する帯電体保持台６５３と、帯電体保持台６５３に保持されている帯電体Ｅに対して、処理液を供給するための水供給ユニット６５４と、帯電体保持台６５３に保持されている帯電体Ｅを帯電させつつ、当該帯電体Ｅの帯電量を計測するための帯電プレートモニタ６５５と、帯電プレートモニタ６５５にて計測された帯電量を記録するためのレコーダ６５６とを含む。帯電プレートモニタ６５５は、帯電体Ｅと導通する金属プレート６７１を有している。帯電プレートモニタ６５５の一例としてイオンシステムズ社製CPM210を例示でき、また、レコーダ６５６の一例として日置電機株式会社製HIOKI8841を例示できる。

水供給ユニット６５４は、処理液ノズル６６１と、処理液ノズル６６１内を流通するＤＩＷ（処理液の一例）に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット６６２と、処理液ノズル６６１に対し、ＤＩＷタンク６７０からのＤＩＷを供給する処理液配管６６３とを含む。軟Ｘ線照射ユニット６６２は、処理液配管６６３に取り付けられている。処理液配管６６３には、処理液配管６６３の開閉および開度を調節するためのバルブ６６４が介装されている。

処理液ノズル６６１は、電離チャンバ６６５と、電離チャンバ６６５内にＤＩＷを流入させるための入口６６６Ａを有する流入口部６６６と、電離チャンバ６６５内を流通したＤＩＷの出口６６７Ａを有する流出口部６６７とを有する。電離チャンバ６６５は矩形扁平状に形成されており、電離チャンバ６６５の内部空間は、流通方向の長さ約100mm×流通方向の幅約5mm×流通方向の奥行約60mm の矩形空間に設定されている。

軟Ｘ線照射ユニット６６２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット１７と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット６６２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当する軟Ｘ線発生器を有している。この軟Ｘ線発生器として軟Ｘ線イオナイザー（L9490。浜松ホトニクス（株）製）を例示できる。軟Ｘ線照射ユニット６６２において、第２開口２８（図２参照）に相当する丸型開口の直径はたとえば17mmである。

この除電試験では、計測対象の帯電体Ｅとして、角形の金属板（130mm×93 mm×厚み1mm）が用いられる。基板保持台６５３は、帯電体Ｅを、水平面に対し所定角度傾斜する傾斜姿勢に保持する。帯電体Ｅが基板保持台６５３によって保持された状態では、基板保持台６５３に含まれるＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）製のブロック６６８により、帯電体Ｅが容器６５２と絶縁されている。帯電体Ｅの上端部と、出口６６７Ａとの間の間隔は、たとえば55mmである。

この試験装置６５１において、以下の手順で実験を行う。
第１工程：バルブ６６４を調節して、処理液ノズル６６１の出口６６７ＡからＤＩＷ（この場合、導電率：1μS/cm以下）を、液滴状（非連続流状）で滴下させる。液滴状とは、液滴と次の液滴とが繋がらない状態をいう。
第２工程：帯電プレートモニタ６５５の金属プレート６７１を介して帯電体Ｅを帯電させ、軟Ｘ線照射ユニット６６２の軟Ｘ線発生器をオン／オフさせて、そのときに帯電体Ｅの電位が+/-4.5kV →+/-3.5kVまで減衰する時間（除電時間）を、帯電プレートモニタ６５５と、レコーダ６５６とを用いて計測した。
第３工程：次いで、バルブ６６４を調節して、処理液ノズル６６１の出口６６７ＡからＤＩＷを一定流量（0.77L/minまたは0.08L/min）で連続流状（液柱状に流れている状態）で流下させる。このとき、処理液ノズル６６１の高さを可変とし、処理液ノズル６６１の出口６６７Ａから帯電体Ｅの上端までの距離が、55mm、1000mmおよび3000mmである場合をそれぞれ計測した。距離が1000mmおよび3000mmの場合は、コイル状に巻回されたφ6×4mm塩化ビニールチューブを処理液ノズル６６１の先端に取り付けた。
第４工程：帯電プレートモニタ６５５の金属プレート６７１を介して容器６５２内の帯電体Ｅを帯電させ、軟Ｘ線発生器をオン／オフさせて、そのときに帯電体Ｅの電位がが+/-1kV →+/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）を、帯電プレートモニタ６５５と、レコーダ６５６とを用いて計測した。この実験結果を、表１〜表３に示す。

ＤＩＷを液滴状に滴下した場合の実験結果を表１に示す。表１に示すように、軟Ｘ線発生器のオン／オフに拘らず、帯電体Ｅの電位が+/-4.5kV → +/-3.0kVまで減衰する時間（除電時間）がほぼ一定であった。表１に示す実験結果から、ＤＩＷを液滴状に滴下した場合は、帯電体Ｅがほとんど除電されていないことがわかる。

ＤＩＷを連続流状に流下させた場合の実験結果を表２に示す。表２に示すように、ＤＩＷの流量が0.774L/minのときおよび0.08L/minのときの双方において、軟Ｘ線発生器のオンにより帯電体Ｅの電位が+/-1kV → +/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）が短くなった。この場合の除電時間は1秒間強である。表２に示す実験結果から、ＤＩＷを連続流状に流下させた場合には、除電性能が向上することがわかる。

ＤＩＷを連続流状に流下させさせながら、処理液ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離を変化させた場合の実験結果を表３に示す。表３に示すように、処理液ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離が長くなるに従って、帯電体Ｅの電位が+/-1kV → +/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）が僅かに長くなるが、この距離が3000mmの場合であっても1〜2秒間で除電できる。このことから、処理液ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離は、除電性能に大きな影響を及ぼさないことがわかる。

これらの実験結果から、軟Ｘ線照射ユニットが照射されているＤＩＷの供給によって処理対象物を除電する除電原理は以下のように推定される。すなわち、軟Ｘ線照射により励起された水分子から電子が放出され、この照射部分は、軟Ｘ線により励起された水分子の正イオンと電子が混在したプラズマ状態になっている。
処理対象物が正に帯電しているときは、ＤＩＷの照射部分と帯電している処理対象物との間の電位差で、電離部の電子が正に帯電している処理対象物に向かって移動し、正に帯電している処理対象物は除電される。また、処理対象物が負に帯電しているときは、帯電している処理対象物から電離部の正イオンに向かって電子が移動し、負に帯電している処理対象物は除電される。

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
第１〜第７実施形態において、基板浸漬処理の後に処理槽２内の全ての処理液を排出し、処理液ノズル３から基板Ｗに処理後のシャワーリンスを行うようにしてもよい。この場合、浸漬処理後もなお基板Ｗに付着したままとなっている汚染物質を洗い流すことができる。
基板Ｗに再付着することは防止される。

また、第１〜第５実施形態において、図１、図４および図６に破線で示すように、循環機構５の循環配管１２（帰還配管１９）の途中部に、循環配管１２を流れる処理液を加熱するためのヒータ２５が介装されていてもよい。
また、第２〜第５実施形態において、循環機構５（図１参照）を設けない構成とすることもできる。この場合、処理槽２に貯留されている処理液は循環されず、外槽８に回収された処理液は、廃液または回収される。

また、第６〜第９実施形態において、循環機構５（図１参照）を設けた構成とすることもできる。この場合、処理槽２に貯留されている処理液が循環され、外槽８に回収された処理液は、再び処理槽２内へと供給される。
また、第８および第９実施形態では、浸漬処理に並行して、処理液に浸漬されている処理対象物をブラシで擦って洗浄する処理を並行して実行することもできる。

また、第１および第３〜第９実施形態において、外槽８は必須のものではない。とくに、処理槽２に貯留されている処理液を循環させない場合には、外槽８の構成を省くこともできる。
また、第１〜第９実施形態では、たとえば、窓部材７１の外表面７１Ｂを覆う親水性皮膜３８として、親水性を有するＤＬＣ（Diamond Like Carbon）皮膜や、親水性を有するフッ素樹脂皮膜、炭化水素樹脂皮膜などを用いることができる。

また、窓部材７１を、ポリイミド樹脂を用いて形成することもできる。この場合、窓部材７１に軟Ｘ線を透過させることができる。また、ポリイミド樹脂は化学安定性に優れているので、窓部材７１を長期にわたって使用し続けることができる。この場合、外表面７１Ｂを親水性皮膜３８で覆う必要はない。
また、第１〜第９実施形態においては、Ｘ線のなかでも比較的波長が長い「軟Ｘ線」を照射するものをＸ線照射手段として用いたが、これに限らず、比較的波長が短い「硬Ｘ線」（０．００１nm〜０．１nm）を用いることもできる。この場合、装置のオペレータ等の人体に対する安全のため、例えば装置のオペレータ側の面を相当の厚みを有する鉛板で覆うなど、Ｘ線の装置外への漏洩を遮蔽する遮蔽構造を設けるか、あるいはＸ線照射時におけるオペレータの装置周辺への立ち入りを禁止するなどの対応をとることが望ましい。なお、各実施形態にある軟Ｘ線を照射するものを用いれば、硬Ｘ線を照射するものとくらべ、装置が小型で安価ですみ、また人体等に対する遮蔽も比較的容易である。

また、第５〜第９実施形態において、軟Ｘ線照射ユニット５６２による軟Ｘ線の照射に併せて、電源５５７の電極５５６に対し電圧を印加するようにしてもよい。この場合、たとえば電極５５６は正電荷に帯電されることが好ましい。この場合、電極５５６の正電荷によって、軟Ｘ線の照射により処理液の照射部分中に発生した電子は、電極５５６側に引っ張られ、電極５５６のあるノズル配管５５１の先端部まで移動するようになる。すなわち、多量の電子を、処理液ノズル５６１の吐出口５５３に向けて引っ張ることができる。これにより、基板Ｗ側への電子の移動を促進させることができる。

なお、基板Ｗとして、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板を例に挙げて説明したが、基板Ｗにはその他に、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコンやガラスの他、ＳｉＣ、石英、サファイヤ、プラスチック、セラミック等を例示することができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 基板処理装置（処理液処理装置）
２ 処理槽
７ 内槽
８ 外槽
１６ 分岐配管（処理液供給配管）
１７ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
１９ 帰還配管（オーバーフロー配管）
２５ 軟Ｘ線発生器（Ｘ線発生器）
２６ カバー
２７ 気体ノズル（気体供給手段）
３５ 照射窓
３７ 気体バルブ（気体供給手段）
３８ 親水性皮膜（皮膜）
５２ 開口
７１ 窓部材
７１Ｂ 外表面（壁面）
２０１ 基板処理装置（処理液処理装置）
２１７ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
３０１ 基板処理装置（処理液処理装置）
３０７ 内槽
３１７ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
３２１ 開口
４０１ 基板処理装置（処理液処理装置）
４０７ 内槽
４１７ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
４２１ 開口
４２３ 配管
６０２ 基板収容器（処理対象物）
Ｌ レンズ（処理対象物）
Ｗ 基板（処理対象物）

Claims (13)

1. 処理液中に処理対象物を浸漬して処理を行う処理液処理装置であって、
   処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる処理槽と、
   前記処理槽に貯留された処理液、または処理液が内部を流通可能な配管であって、当該内部が前記処理槽内に連通する配管内に存在する処理液にＸ線を照射し、当該処理液を電離するＸ線照射手段とを含む、処理液処理装置。
2. 前記配管の管壁または前記処理槽の壁は、開口を有し、
   前記開口は、Ｘ線が透過可能な材料を用いて形成された窓部材にて閉塞されており、
   前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材を介してＸ線を照射する、請求項１に記載の処理液処理装置。
3. 前記窓部材は、ベリリウムまたはポリイミド樹脂を用いて形成されている、請求項２記載の処理液処理装置。
4. 前記窓部材における処理液が存在する側の壁面は、皮膜によりコーティングされている、請求項２または３に記載の処理液処理装置。
5. 前記皮膜は、ポリイミド樹脂、ダイヤモンドライクカーボン、フッ素樹脂および炭化水素樹脂のうちの１つ以上の材質を含む皮膜である、請求項４に記載の処理液処理装置。
6. 前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材に対向して配置される照射窓を有し、Ｘ線を発生するとともに、発生したＸ線を前記照射窓から照射するＸ線発生器を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の処理液処理装置。
7. 前記Ｘ線照射手段は、
   前記Ｘ線発生器の周囲を、当該Ｘ線発生器と間隔を空けて取り囲むカバーと、
   前記カバーの内部に気体を供給する気体供給手段とをさらに含む、請求項６に記載の処理液処理装置。
8. 前記配管は、前記処理槽内と連通し、前記処理槽内に処理液を供給するための処理液供給配管を含み、
   前記Ｘ線照射手段は、前記処理液供給配管を流通している処理液に前記Ｘ線を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液処理装置。
9. 前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽と、 前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽とを含み、
   前記配管は、前記外槽に回収された処理液が流通するオーバーフロー配管を含み、
   前記Ｘ線照射手段は、前記オーバーフロー配管内を流通している処理液に前記Ｘ線を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液処理装置。
10. 前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽と、 前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽とを含み、
    前記Ｘ線照射手段は、前記内槽に貯留されている処理液に前記Ｘ線を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液処理装置。
11. 前記処理槽は、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる内槽と、 前記内槽から溢れる処理液を回収する外槽とを含み、
    前記配管は、前記内槽内に内部が連通する配管を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液処理装置。
12. 処理槽に貯留された処理液中に処理対象物を浸漬させる処理対象物浸漬工程と、
    前記処理対象物浸漬工程に並行して、前記処理槽に貯留された処理液、または処理液が内部を流通可能な配管であって、当該内部が前記処理槽内に連通する配管内に存在する処理液にＸ線を照射し、当該処理液を電離するＸ線照射工程とを含む、処理液処理方法。
13. 処理槽に貯留された処理液中に処理対象物を浸漬させる処理対象物浸漬工程と、
    前記処理対象物浸漬工程に並行して、前記処理槽内に向けて吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程に並行して、前記吐出口に連通する配管の内部に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射工程とを含み、
    前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理槽に溜められている処理液の液面との間で処理液が液状に繋がっている、処理液処理方法。

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