JP2014082471A - 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給できる処理液供給装置および処理液供給方法を提供すること。基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック４と、スピンチャック４に保持されている基板Ｗの表面（上面）に対向して配置されて、基板Ｗの表面に水の一例としてのＤＩＷ（脱イオン水）を供給するとともに、基板Ｗの表面に軟Ｘ線を照射するための一体型ヘッド６とを備えている。一体型ヘッド６は、鉛直方向に延びる水ノズル６１と、水ノズル６１に向けて横向きに軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット６２とを一体的に備えた構成である。水ノズル６１には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給される水供給配管１３が接続されている。
【選択図】図１

Description

この発明は、処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法に関する。処理液を用いた処理の対象物（処理対象物）には、基板や収容器等が含まれる。処理対象物として用いられる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面を処理液で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する基板処理装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するための処理液ノズルとを備えている。

基板の処理に際しては、スピンチャックによって基板が回転される。そして、ノズルから回転中の基板の表面に薬液が供給される。基板の表面上に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域に薬液が行き渡り、基板の表面に対する薬液による処理が達成される。そして、この薬液による処理後には、基板に付着した薬液を純水で洗い流すためのリンス処理が行われる。すなわち、処理液ノズルからスピンチャックによって回転されている基板の表面に純水が供給されて、その純水が基板の回転による遠心力を受けて拡がることにより、基板の表面に付着している薬液が洗い流される。このリンス処理後は、スピンチャックによる基板の回転速度が上昇されて、基板に付着している純水を振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。

特開２００５−１９１５１１号公報

ところが、このような従来の基板処理装置では、リンス処理時に、回転状態の基板の表面と純水との間に接触分離が生じ、基板が流動帯電することがあった。基板がガラス基板やシリコンウエハである場合には、基板が正に帯電する。基板が電荷を帯びると、その電荷の放電が生じたときに、基板の表面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。

洗浄処理（リンス処理）時における帯電防止の課題は、処理対象物が基板である場合に限られず、処理対象物が収容器等である場合にも共通する課題である。
そこで、この発明の目的は、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給できる処理液供給装置および処理液供給方法を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、吐出口（５３；２０２Ａ；２１６；２７６；３０６Ａ；４０９Ａ；５３１Ａ）から処理液を吐出して、この処理液を処理対象物（Ｗ；２３２；２６２；６０２）に供給するための処理液供給装置（１００；２００；２２０；２３０；２５０；２６０；３００；３１０；４００；５００；６００）であって、処理液が内部を流通可能な第１配管（５１；５１Ａ，２０４；２２２；３０７；３１２；４１０；５３３）であって、当該内部が前記吐出口に連通する第１配管と、前記第１配管内に存在する処理液に、Ｘ線を照射するＸ線照射手段（６２；２０３；２２３；３０９；３１９；４１２；５３４）とを含む、処理液供給装置である。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、第１配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。また、第１配管の内部に連通する吐出口から吐出された処理液が処理対象物に供給される。処理液のうちＸ線が照射される部分（以下、「処理液の照射部分」という。）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。

吐出口から吐出された処理液は、処理対象物に供給され、当該処理対象物に接液する。以下、吐出口から吐出される処理液が、吐出口と処理対象物との間で液状に繋がっている場合について考える。この場合、処理対象物と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。
このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している処理対象物との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、処理対象物に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、処理対象物に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している処理対象物が除電される。

一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、負に帯電している処理対象物が除電される。
したがって、処理液の供給時における処理対象物の帯電の発生を防止できる。
また、処理液の供給前から処理対象物が正または負に帯電している場合にも、前述した原理により、液状に繋がっている処理液を介して、当該処理対象物を除電できる。

以上により、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給することができる。
なお、本明細書および特許請求の範囲において「Ｘ線」とは０．００１nm〜１０nm程度の波長を有する電磁波をいい、波長が比較的長い「軟Ｘ線」（０．１nm〜１０nm程度）と、波長が比較的短い「硬Ｘ線」（０．００１nm〜０．１nm程度）とを含む趣旨である。

請求項２に記載の発明は、前記第１配管は、その管壁に開口（５２；５２Ａ）を有し、前記開口は、Ｘ線が透過可能な材料を用いて形成された窓部材（７１）にて閉塞されており、前記Ｘ線照射手段は、前記第１配管内に存在している処理液に、前記窓部材を介してＸ線を照射する、請求項１に記載の処理液供給装置である。
この構成によれば、Ｘ線が透過可能な材料を用いて、窓部材が形成されている。そして、Ｘ線照射手段から照射されたＸ線は、窓部材を介して、前記第１配管内に存在する処理液に照射される。これにより、処理液の照射部分において、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態を、良好に形成できる。

請求項３に記載のように、前記窓部材は、ベリリウムまたはポリイミド樹脂を用いて形成されていてもよい。
ベリリウムのような原子量の小さい物質であれば、透過力の弱いＸ線でも透過できる。したがって、ベリリウムを用いて窓部材を形成することにより、窓部材をＸ線に透過させることができる。

また、窓部材がポリイミド樹脂を用いて形成される場合、窓部材にＸ線を透過させることができる。また、ポリイミド樹脂は化学安定性に優れているので、窓部材を長期にわたって使用し続けることができる。
また、窓部材における処理液が存在する側の壁面は、親水性であることが好ましい。この場合、当該壁面と処理液との間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、第１配管に存在する処理液に対してＸ線を良好に照射することができる。

請求項４に記載のように、前記窓部材における処理液が存在する側の壁面（７１Ｂ）は、皮膜（３８）によりコーティングされていてもよい。これにより、照射窓を保護することができる。とくに、窓部材が耐酸性の劣るベリリウムを用いて形成されている場合、窓部材を酸性の処理液から良好に守ることができる。
この皮膜は、親水性材料を用いて形成されていることが好ましい。この場合、当該皮膜と処理液との間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、第１配管に存在する処理液に対してＸ線を良好に照射することができる。

この場合、請求項５に記載のように、前記皮膜は、ポリイミド樹脂、ダイヤモンドライクカーボン、フッ素樹脂および炭化水素樹脂のうちの１つ以上の材質を含む皮膜であってもよい。
請求項６記載の発明は、前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材に対向して配置される照射窓（３５）を有し、Ｘ線を発生するとともに、発生したＸ線を前記照射窓から照射するＸ線発生器（２５）を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、Ｘ線発生器によって発生されたＸ線が、Ｘ線発生器の照射窓から第１配管内を流通している処理液に照射される。
請求項７に記載の発明は、前記Ｘ線照射手段は、前記Ｘ線発生器の周囲を、当該Ｘ線発生器と間隔を空けて取り囲むカバー（２６）と、前記カバーの内部に気体を供給する気体供給手段（２７，３７）とをさらに含む、請求項６に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、Ｘ線発生器の駆動により当該Ｘ線発生器が発熱するおそれがある。カバー内に気体を供給することにより、Ｘ線発生器を冷却し、Ｘ線発生器の周囲雰囲気の昇温を抑制することができる。
請求項８に記載のように、前記第１配管は、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管（５１；５１Ａ；２０４；３０７；４１０；５３３）を含み、前記Ｘ線照射手段（６２；２０３；３０９；４１２；５３４）は、前記第１配管内を流通している処理液に前記Ｘ線を照射していてもよい。

また、請求項９に記載のように、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管（２０４；３０７）をさらに含み、前記第１配管は、前記処理液配管から分岐する分岐配管（２２２；３１２）を含んでいてもよい。この場合、分岐配管に存在する処理液に前記Ｘ線が照射される。
また、請求項１０に記載の発明は、前記吐出口に配置され、当該吐出口から吐出される処理液が伝って流れることが可能な繊維状物質（６５）をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、吐出口から吐出される処理液が繊維状物質を伝って流れるので、吐出口からの処理液の吐出流量が少流量である場合でも、吐出口から吐出される処理液の態様を、当該吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状とすることができる。したがって、簡単な構成で、処理対象物と処理液の照射部分とを処理液を介して繋げることができる。

吐出口からの処理液の吐出により、処理対象物に処理液の液膜が形成される場合、繊維状物質の先端は、当該処理液の液膜または処理対象物に接触していてもよい。この場合、吐出口から吐出される処理液の態様を、前記のような連続流状に維持し易い。
請求項１１記載の発明は、前記第１配管における前記Ｘ線の照射位置（５２；５２Ａ）よりも、処理液流通方向の下流側に配置された電極（５６）と、前記電極に対して電圧を印加する電源（５７）とをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、第１配管内に存在している処理液に対するＸ線の照射に併せて、電源が電極に対し電圧を印加する。電極への電圧の印加により、電極に、正電荷や負電荷を発生させることができる。
電極に正電荷を発生させることにより、処理液の照射部分（プラズマ状態）に存在する電子が、電極の正電荷に引っ張られて電極に向けて移動する。これにより、基板側に向かう電子の移動を促進させることができる。

請求項１２に記載のように、前記電極は、前記第１配管の先端部に配置されていてもよい。
この構成によれば、電極が第１配管の先端部に配置されている。そのため、処理液の照射部分（プラズマ状態）に存在する電子が、電極の正電荷に引っ張られて、第１配管の先端部まで移動する。すなわち、多量の電子を、第１配管の先端部まで引っ張ることができる。これにより、基板側に向かう電子の移動をより一層促進させることができる。

請求項１３に記載の発明は、前記第１配管において、前記Ｘ線の前記照射位置における処理液の有無を検出するための処理液検出手段（１０１）と、前記照射位置に処理液が存在するときには、前記Ｘ線照射手段によるＸ線の照射を実行するとともに、前記照射位置に処理液が存在しないときには、前記Ｘ線照射手段によるＸ線の照射を行わないＸ線照射制御手段（４０）とをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の処理液供給装置である。

第１配管におけるＸ線の照射位置に処理液が存在しない状態でＸ線が照射されると、当該Ｘ線が第１配管外に漏れるおそれがある。
この構成によれば、第１配管におけるＸ線の照射位置に処理液が存在しないときには、当該Ｘ線の照射位置に対するＸ線の照射が禁止される。これにより、第１配管外へのＸ線の漏れを抑制または防止できる。

請求項１４に記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（４；４０２；５０４）と、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の処理液供給装置（１００；２００；２２０；２３０；２５０；２６０；３００；３１０；４００；５００；６００）とを含み、前記吐出口から吐出された処理液を前記基板の主面に供給する、基板処理装置（１；２０１；２１１；２２１；２３１；２５１；２６１；３０１；３１１；４０１；５０１）である。

この構成によれば、処理液供給装置の第１配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。また、第１配管の内部に連通する吐出口から吐出された処理液が基板の主面に供給される。処理液の照射部分では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。
吐出口から吐出された処理液は、基板の主面に供給され、当該基板の主面に接液する。以下、吐出口から吐出される処理液が、吐出口と基板の主面との間で液状に繋がっている場合について考える。この場合、基板の主面と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、基板が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、基板に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、基板に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している基板が除電される。
これにより、処理液との接触分離による基板の帯電を生じない。したがって、処理液の供給時における基板の帯電の発生を防止できる。

また、処理液の供給前から基板が正に帯電している場合にも、前述した原理により、液状に繋がっている処理液を介して、当該処理対象物を除電できる。その結果、基板の帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。
以上により、基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる。

請求項１５に記載の発明は、前記基板保持手段は、基板を水平姿勢に保持しつつ、鉛直な所定の回転軸線（Ｃ）周りに回転させる基板保持回転手段（４）を含み、前記基板処理装置は、前記基板保持回転手段の周囲を包囲する筒状の液受け部材（１７）をさらに含み、前記処理液供給装置は、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管（２０４；３０７）をさらに含み、前記処理液供給装置の前記第１配管は、前記処理液配管から分岐する分岐配管（２２２；３１２）を含み、前記分岐配管は、前記液受け部材に向けて処理液を吐出するための液受け用吐出口（２２４Ａ；３１３Ａ）を有する、請求項１４に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、液受け用吐出口から液受け部材に向けて処理液を吐出させながら、分岐配管内を流通している処理液に対し、Ｘ線照射手段からＸ線を照射させる。分岐配管内における処理液の照射部分では、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。
液受け用吐出口から吐出された処理液は、液受け部材に供給され、当該液受け部材に接液する。液受け用吐出口から吐出される処理液が、液受け用吐出口と液受け部材との間で液状に繋がっている場合には、液受け部材と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、液受け部材が正に帯電していると、処理液の照射部分と、正に帯電している液受け部材との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、液受け部材に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、液受け部材に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している液受け部材が除電される。

一方、液受け部材が負に帯電していると、液受け部材からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、負に帯電している液受け部材が除電される。
したがって、基板の帯電防止や除電だけではなく、液受け部材の帯電の発生防止を図ることができる。

請求項１６に記載の発明は、前記基板保持手段は、基板を水平姿勢に保持しつつ、鉛直な所定の回転軸線（Ｃ）周りに回転させる基板保持回転手段（４０２）を含み、前記基板保持回転手段は、前記基板の下面の少なくとも一部と接触して、当該基板を水平姿勢に支持する支持部材（４０５，４０６）を有し、前記支持部材は多孔質材料を用いて形成されており、前記吐出口から吐出された処理液が前記支持部材に供給される、請求項１４または１５に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、支持部材に供給された処理液は、当該支持部材の内部に含浸される。支持部材の内部に含浸されている処理液が、支持部材から染み出して、支持部材上に処理液の液膜を形成する。この処理液の液膜が基板の下面（下側の主面）に接液することにより、基板の下面が処理される。
このとき、吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と支持部材との双方に繋がる連続流状をなしている場合、支持部材の内部に含浸されている処理液を介して吐出口と基板の下面とが液状に繋がっており、そのため、基板の下面と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

これにより、基板の帯電防止や除電を図りつつ、当該基板の下面に処理液を用いた処理を施すことができる。
請求項１７に記載の発明は、前記基板保持手段は、前記基板を保持しながら、当該基板を所定の搬送方向（Ｘ）に向けて搬送する基板保持搬送手段（５０４）を含む、請求項１４に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、吐出口から吐出された処理液が、基板保持搬送手段によって搬送される基板の主面（上側の主面（上面））に供給され、当該基板の主面（上面）に接液する。
吐出口から吐出される処理液が、吐出口と基板の主面との間で液状に繋がっている場合について考える。この場合、基板の主面と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、基板が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、基板に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、基板に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している基板が除電される。
この場合、請求項１８に記載のように、前記基板保持搬送手段は、前記基板を、前記搬送方向に沿い、かつ水平面に対し傾斜する姿勢に保持しつつ搬送されていることが好ましい。

この構成によれば、基板が傾斜姿勢に保持されているので、吐出口から吐出された処理液は基板上を傾斜面に沿って流れる。そのため、処理液が基板上に滞留することがないから、処理液の重量によって、基板の所定の一箇所に荷重が集中するのを防止または抑制できる。また、処理液は基板上をスムーズに流れるから、広範囲に広がる処理液の液膜を基板の上面に形成することができる。これにより、基板の広範囲において、帯電防止や除電を図ることができる。

請求項１９に記載の発明は、処理液供給装置（１００；２００；２２０；２３０；２５０；２６０；３００；３１０；４００；５００；６００）の吐出口（５３；２０２Ａ；２１６；３０６Ａ；４０９Ａ；５３１Ａ）から処理液を吐出させ、この処理液を処理対象物（Ｗ；２３２；２６２；６０２）に供給する処理液供給方法であって、前記吐出口を、前記処理対象物に対向して配置する対向配置工程と、前記吐出口に連通する第１配管（５１；５１Ａ；２０４；２２２；３０７；３１２；４１０；５３３）の内部に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射工程と、前記Ｘ線照射工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理対象物との間で処理液が液状に繋がっている、処理液供給方法である。

この方法によれば、第１配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。また、第１配管の内部に連通する吐出口から吐出された処理液が処理対象物に供給される。処理液のうちＸ線が照射される部分では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。
吐出口から吐出される処理液は、吐出口と処理対象物との間で液状に繋がっている。この場合、処理対象物と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している処理対象物との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、処理対象物に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、処理対象物に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している処理対象物が除電される。

一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物からの電子が、処理液の照射部分の正イオンに向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、負に帯電している処理対象物が除電される。
したがって、処理液の供給時における処理対象物の帯電の発生を防止できる。
また、処理液の供給前から処理対象物が正または負に帯電している場合にも、前述した原理により、液状に繋がっている処理液を介して、当該処理対象物を除電できる。

以上により、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給することができる。
この場合、請求項２０に記載のように、前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなしていることが好ましい。この場合、処理対象物と処理液の照射部分とを処理液を介して、簡単に繋げることができる。

前記処理対象物は、請求項２１に記載のように内部を液が流通する第２配管（２３２；２６２）であってもよいし、請求項２２に記載のように物品を収容するための収容器（６０２）であってもよい。
請求項２３に記載の発明は、処理液供給装置（１００；２００；２２０；２３０；２５０；２６０；３００；３１０；４００；５００）の吐出口（５３；２０２Ａ；２１６；３０６Ａ；４０９Ａ；５３１Ａ）から吐出される処理液を用いて基板（Ｗ）を処理する基板処理方法であって、前記吐出口を、基板保持手段（４；４０２；５０４）に保持されている基板の主面に対向して配置する対向配置工程と、前記吐出口に連通する第１配管（５１；５１Ａ，２０４；２２２；３０７；３１２；４１０；５３３）の内部に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射工程と、前記Ｘ線照射工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記基板の主面との間で処理液が液状に繋がっている、基板処理方法である。

この方法によれば、第１配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。また、第１配管の内部に連通する吐出口から吐出された処理液が基板の主面に供給される。処理液のうちＸ線が照射される部分では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出され、その結果、水分子の正イオンと電子とが混在するプラズマ状態が形成される。
吐出口から吐出された処理液は、基板の上面に供給され、当該基板の上面に接液する。吐出口から吐出される処理液は、吐出口と基板の主面との間で液状に繋がっている。この場合、基板の主面と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、基板が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、基板に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、基板に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している基板が除電される。
これにより、処理液との接触分離による基板の帯電を生じない。したがって、処理液の供給時における基板の帯電の発生を防止できる。

また、処理液の供給前から基板が正に帯電している場合にも、前述した原理により、液状に繋がっている処理液を介して、当該処理対象物を除電できる。その結果、基板の帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。
以上により、基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる。

この場合、請求項２４に記載のように、前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記基板の主面との双方に繋がる連続流状をなしていることが好ましい。これにより、基板の主面と処理液の照射部分とを処理液を介して、簡単に繋げることができる。
請求項２５に記載の発明は、前記基板は、前記基板保持手段によって水平姿勢に保持されており、前記対向配置工程は、前記吐出口を、前記基板保持手段に保持されている基板の上面に対向するように配置する工程を含む、請求項２３または２４に記載の基板処理方法である。

この方法によれば、吐出口から吐出された処理液は、基板の上面に供給され、当該基板の上面に接液する。吐出口から吐出される処理液が、吐出口と基板上面との間で液状に繋がっており、処理対象物と処理液の照射部分とが、処理液を介して繋がっている。そのため、基板の上面が正に帯電すると、処理液の照射部分と、正に帯電している基板の上面との間の電位差で、処理液の照射部分からの電子が、基板の上面に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、基板の上面に接液している処理液が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している基板の上面を除電できる。

請求項２６に記載の発明は、前記基板は、前記基板保持手段によって水平姿勢に保持されており、前記対向配置工程は、前記吐出口を、前記基板保持手段に保持されている基板の下面に対向するように配置する工程を含み、前記基板処理方法は、前記処理液吐出工程に並行して実行され、前記基板を、鉛直な所定の回転軸線（Ｃ）まわりに回転させる基板回転工程と、前記処理液吐出工程および前記基板回転工程に並行して、前記基板の上面に処理液を供給する上面処理液供給工程とをさらに含む、請求項２３または２４に記載の基板処理方法である。

この方法によれば、吐出口から吐出された処理液は、基板の下面に供給され、当該基板の下面に接液する。基板の下面に接液した処理液は、基板の下面を伝って周縁部へと拡がり、基板の下面の全域に処理液の液膜が形成される。基板の下面の周縁部に至った処理液は、基板の周端面を回り込んで基板の上面の周縁部に至る。
また、基板の上面に処理液が供給される。基板に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の上面を周縁部に向けて拡がり、これにより、基板の上面の全域に処理液の液膜が形成される。そして、基板下面側から回り込んできた処理液が、基板上面側の処理液の液膜に合流し、その結果、基板上面側の処理液の液膜と、基板下面側の処理液の液膜とが繋がるようになる。

これにより、基板の上面と基板の下面の双方が、処理液の照射部分を処理液を介して繋がるようになる。ゆえに、基板の上下両面の帯電防止や除電を図ることができる。
請求項２７に記載の発明は、前記処理液吐出工程の終了後に実行される液切り処理または乾燥処理に並行して実行され、前記基板の主面にＸ線を照射する第２Ｘ線照射工程をさらに含む、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載の基板処理方法である。

この方法によれば、液切り処理または乾燥処理により、基板の主面から処理液が除去される。処理液が除去された直後の基板の主面にＸ線が照射される。これにより、基板の帯電防止および除電を、より一層確実に達成できる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図１に示す一体型ヘッドの図解的な縦断面図である。 図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 図１に示す基板処理装置において実行される処理例を示す工程図である。 水ノズル内への軟Ｘ線の照射状態を示す図解的な断面図である。 基板にリンス処理を施している状態を示す図である。 図４に示す処理例の変形例を説明するためのフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る一体型ヘッドの構成を模式的に示す図である。 図８の切断面線IX−IXから見た断面図である。 本発明の第３実施形態に係る一体型ヘッドの構成を説明するための図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第５実施形態における処理液の吐出について説明する図である。 本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第７実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第８実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第９実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第１０実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図１８に示す基板処理装置において、リンス処理時のＤＩＷの流れを示す図である。 本発明の第１１実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図２０に示す水供給ユニットがカップ上部の傾斜部にＤＩＷを供給している状態を示す図である。 本発明の第１２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図２２に示す水供給ユニットが外筒部にＤＩＷを供給している状態を示す図である。 本発明の第１３実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な斜視図である。 図２４に示すコロ搬送ユニットの構成を示す斜視図である。 図２４に示す水供給ユニットが基板にＤＩＷを供給している状態を示す断面図である。 図２４に示す軟Ｘ線照射装置が、基板の上面に軟Ｘ線を照射している状態を示す断面図である。 本発明の第１４実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図２８に示す基板収容器の構成を示す斜視図である。 除電試験に用いられる試験装置を説明するための図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。
基板処理装置１は、基板（処理対象物）Ｗの一例としての円形の半導体ウエハ（シリコンウエハ）の表面（処理対象面）に処理液（薬液および水）による処理を施すために用いられる枚葉式の装置である。この実施形態では、薬液処理後に行われる基板Ｗのリンスのために水が用いられる。

基板処理装置１は、隔壁（図示しない）により区画された処理室３内に、基板Ｗを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック（基板保持回転手段）４と、基板Ｗの上面（上側の主面。表面）に、水の一例としてのＤＩＷ（脱イオン水：deionized water）を供給し、かつ基板Ｗに供給する前のＤＩＷに軟Ｘ線を照射するための水供給ユニット（処理液供給装置）１００と、スピンチャック４に保持されている基板Ｗの上面に薬液を供給するための薬液ノズル７とを備えている。

スピンチャック４として、たとえば挟持式のものが採用されている。具体的には、スピンチャック４は、スピンモータ８と、このスピンモータ８の駆動軸と一体化されたスピン軸９と、スピン軸９の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個の挟持部材１１とを備えている。これにより、スピンチャック４は、複数個の挟持部材１１によって基板Ｗを挟持した状態で、スピンモータ８の回転駆動力によってスピンベース１０を回転させることにより、その基板Ｗを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース１０とともに鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転させることができる。

なお、スピンチャック４としては、挟持式のものに限らず、たとえば基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Ｗを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
スピンチャック４は、カップ（液受け部材）１７内に収容されている。カップ１７は、カップ下部１８と、カップ下部１８の上方に昇降可能に設けられたカップ上部１９とを備えている。

カップ下部１８は、中心軸線が回転軸線Ｃと一致する有底円筒状をなしている。カップ下部１８の底面には、排気口（図示しない）が形成されており、基板処理装置１の稼働中は、常時、カップ１７内の雰囲気が排気口から排気されている。
カップ上部１９は、カップ下部１８と中心軸線を共通とする円筒状の円筒部２０と、この円筒部２０の上端から円筒部２０の中心軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部２１とを一体的に備えている。カップ上部１９には、カップ上部１９を昇降（上下動）させるためのカップ昇降ユニット２２が結合されている。カップ昇降ユニット２２により、カップ上部１９は、円筒部２０がスピンベース１０の側方に配置される位置と、傾斜部２１の上端がスピンベース１０の下方に配置される位置とに移動される。

カップ上部１９およびカップ下部１８は、それぞれ、樹脂材料（たとえばＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene））を用いて形成されている。
薬液ノズル７は、たとえば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方で、その吐出口を基板Ｗの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。薬液ノズル７には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管１５が接続されている。薬液供給管１５の途中部には、薬液ノズル７からの薬液の供給／供給停止を切り換えるための薬液バルブ１６が介装されている。

また、薬液ノズル７は、スピンチャック４に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、カップ１７上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの表面における薬液の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
なお、薬液としては、基板Ｗの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、基板Ｗの表面からパーティクルを除去するための洗浄処理を行うときは、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）などが用いられる。また、基板Ｗの表面から酸化膜などをエッチングするための洗浄処理を行うときは、フッ酸やBHF（Bufferd HF）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）などが用いられ、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理や、レジスト剥離後の基板Ｗの表面にポリマーとなって残留しているレジスト残渣を除去するためのポリマー除去処理を行うときは、ＳＰＭ（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）やＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）などのレジスト剥離液やポリマー除去液が用いられる。金属汚染物を除去する洗浄処理には、フッ酸やＨＰＭ（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）やＳＰＭ（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）などが用いられる。

水供給ユニット１００は、スピンチャック４の上方に対向して配置された一体型ヘッド６を有している。一体型ヘッド６は、水の一例としてのＤＩＷを吐出するための水ノズル（処理液ノズル）６１と、水ノズル６１内を流通する水に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）６２とを一体的に備えた構成である。軟Ｘ線照射ユニット６２は、水ノズル６１に取り付けられている。水ノズル６１は、たとえば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口５３を下方に向けた状態で配置されている。水ノズル６１には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給される水供給配管１３が接続されている。水供給配管１３の途中部には、水ノズル６１からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるための水バルブ１４が介装されている。軟Ｘ線照射ユニット６２については後述する。

図２は、一体型ヘッド６の図解的な縦断面図である。
一体型ヘッド６の水ノズル６１は、鉛直方向に延びる丸管状（円筒状）の第１ノズル配管５１を有している。第１ノズル配管５１は、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。第１ノズル配管５１の先端部（下端部）には、丸型の吐出口５３が開口している。第１ノズル配管５１には、途中部の管壁に、たとえば円形の第１開口５２が形成されている。第１ノズル配管５１には、第１開口５２を塞ぐように軟Ｘ線照射ユニット６２が取り付けられている。一体型ヘッド６は、スピンチャック４による基板Ｗの回転軸線Ｃの上方で、その吐出口５３を下方（基板Ｗの回転中心付近）に向けて固定的に配置されている。

第１ノズル配管５１の先端部には、円環状の電極５６が外嵌固定されている。この電極５６には、電源５７（図３参照）によって装置グラウンドに対する電圧が印加され、これによって電極５６付近を通過する処理液に対して電界が印加されるようになっている。
軟Ｘ線照射ユニット６２は、軟Ｘ線発生器（Ｘ線発生器）２５と、軟Ｘ線発生器２５の周囲を取り囲むように覆うたとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)製のカバー２６と、カバー２６の内部に気体を供給するための気体ノズル（気体供給手段）２７とを備え、横向きに軟Ｘ線を照射する。カバー２６は、軟Ｘ線発生器２５の周囲を、軟Ｘ線発生器２５と間隔を空けて取り囲む横長の矩形箱状のものであり、鉛直板状の横壁２６Ａにおいて、軟Ｘ線発生器２５の次に述べる照射窓３５に対向する部分に、第１開口５２と同径を有するたとえば円形の第２開口２８を形成している。軟Ｘ線照射ユニット６２は、カバー２６の第２開口２８が、第１ノズル配管５１の第１開口５２に一致し、かつ横壁２６Ａが第１ノズル配管５１の外周に密着するように、ノズル配管５１に取り付けられる。

第２開口２８は、円板状の窓部材７１によって閉塞されている。窓部材７１は、カバー２６の内側から第２開口２８を閉塞する。窓部材７１により、第２開口２８だけでなく、第１開口５２も閉塞される。窓部材７１の材料として、透過力の弱い軟Ｘ線が透過し易いように原子量の小さい物質が使用され、たとえばベリリウム（Ｂｅ）が採用されている。窓部材７１の厚みは、たとえば0.3mm程度に設定されている。

軟Ｘ線発生器２５は、第１ノズル配管５１を通る処理液を電離させるために用いられる軟Ｘ線を射出（放射）する。軟Ｘ線発生器２５は、ケース体２９と、軟Ｘ線を発生させるための左右に長い軟Ｘ線管３０と、軟Ｘ線管３０に高電圧を供給する高電圧ユニット３１とを備えている。ケース体２９は、その内部に、軟Ｘ線管３０および高電圧ユニット３１を収容する横長の矩形筒状のものであり、導電性および熱伝導性を有する材料（たとえばアルミニウム等の金属材料）を用いて形成されている。

高電圧ユニット３１は、たとえば−９．５ｋＶという高電位の駆動電圧を軟Ｘ線管３０に入力する。高電圧ユニット３１には、カバー２６に形成された貫通孔４２を通してカバー２６外に引き出された給電線４３を介して電源（図示しない）からの電圧が供給されている。
軟Ｘ線管３０は、ガラス製または金属製の円筒形状の真空管からなり、管方向が水平となるように配置されている。軟Ｘ線管３０の一端部（開口端部。図２に示す左端部）は円形開口４１を形成している。軟Ｘ線管３０の他端部（図２に示す右端部）は閉じており、ステム３２となっている。軟Ｘ線管３０内には、陰極であるフィラメント３３と、陽極であるターゲット３６とが対向するように配置されている。軟Ｘ線管３０は、フィラメント３３およびフォーカス３４を収容している。具体的には、ステム３２に、カソードとしてのフィラメント３３が配置されている。フィラメント３３は、高電圧ユニット３１と電気的に接続されている。フィラメント３３は円筒状のフォーカス３４によって取り囲まれている。

軟Ｘ線管３０の開口端部は、鉛直姿勢をなす板状の照射窓３５によって閉塞されている。照射窓３５はたとえば円板状をなし、銀ロウ付けによって軟Ｘ線管３０の開口端部の壁面に固定されている。照射窓３５の材料として、透過力の弱い軟Ｘ線が透過し易いように原子量の小さい物質が使用され、たとえばベリリウム（Ｂｅ）が採用されている。照射窓３５の厚みは、たとえば0.3mm程度に設定されている。照射窓３５は、窓部材７１の内面７１Ａに対向して、当該窓部材７１と微小の間隔を空けて配置されている。

照射窓３５の内面３５Ａには、金属製のターゲット３６が蒸着によって形成されている。ターゲット３６には、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）等の原子量の大きく融点の高い金属が用いられる。
高電圧ユニット３１からの駆動電圧が陰極であるフィラメント３３に印加されることにより、フィラメント３３が電子を放出する。フィラメント３３から放出された電子は、フォーカス３４で収束されて電子ビームとなり、ターゲット３６に衝突することによって軟Ｘ線が発生する。発生した軟Ｘ線は照射窓３５から横方向（図２に示す左方）に向けて射出（放射）され、窓部材７１および第１開口５２を通して第１ノズル配管５１の内部を照射する。照射窓３５からの軟Ｘ線の照射角（照射範囲）は、図５に示すように広角（たとえば130°）である。照射窓３５から第１ノズル配管５１の内部に照射される軟Ｘ線は、その波長がたとえば0.13〜0.4nmである。

窓部材７１の外表面（閉塞窓における処理液が流通する側の壁面）７１Ｂの全域は、親水性皮膜（皮膜）３８によって被覆されている。親水性皮膜３８は、たとえばポリイミド樹脂皮膜である。窓部材７１の外表面７１Ｂを親水性皮膜３８で覆ったのは、耐酸性の劣るベリリウム製の窓部材７１を、水等の処理液に含まれる酸から守るためのものである。親水性皮膜３８の膜厚は、50μm以下であり、とくに10μm程度であることが好ましい。親水性皮膜３８が親水性を有しているので、皮膜３８とＤＩＷとの間に気泡が混入するのを、抑制または防止することができる。これにより、照射窓３５からの軟Ｘ線を、第１ノズル配管５１を流通しているＤＩＷに対して良好に照射できる。

気体ノズル２７の吐出口は、カバー２６の上壁に開口している。気体ノズル２７には気体バルブ（気体供給手段）３７を介して気体供給源（図示しない）からの気体が供給されている。気体ノズル２７が吐出する気体として、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）や窒素ガスの不活性ガスを例示できる。気体ノズル２７から吐出された気体は、カバー２６の内部に供給される。軟Ｘ線発生器２５の駆動により当該軟Ｘ線発生器２５が発熱するおそれがあるが、カバー２６の内部に気体を供給することにより、軟Ｘ線発生器２５を冷却し、軟Ｘ線発生器２５の周囲雰囲気の昇温を抑制できる。

図３は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置（Ｘ線照射制御手段）４０を備えている。制御装置４０には、カップ昇降ユニット２２、スピンモータ８、高電圧ユニット３１、薬液バルブ１４、水バルブ１６、電源５７ 、気体バルブ３７等が制御対象として接続されている。

なお、カバー２６内の熱を逃がすために、基板処理装置１に電源が投入されている間、気体バルブ３７は常に開放されている。
図４は、基板処理装置１において実行される基板Ｗの処理例を示す工程図である。この処理例では、薬液処理の実行後、リンス処理が実行される。図１、図３および図４を参照しながら、基板処理装置１における基板Ｗの処
理について説明する。

基板Ｗの処理に際して、搬送ロボット（図示しない）によって、未処理の基板Ｗが処理室３内に搬入されて（ステップＳ１）、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に受け渡される。
スピンチャック４に基板Ｗが保持された後、制御装置４０はスピンモータ８を制御して、スピンチャック４による基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２）。基板Ｗの回転速度が所定の液処理速度（たとえば500rpm）まで上げられ、その後、その液処理速度に維持される。

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置４０は薬液バルブ１６を開いて、薬液ノズル７から基板Ｗの上面の回転中心に向けて薬液を吐出する。基板上面Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの表面の全域に薬液による処理が施される（Ｓ３：薬液処理）。

薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過すると、制御装置４０は薬液バルブ１６が閉じ、薬液ノズル７からの薬液の供給を停止する。
また、制御装置４０は水バルブ１４を開いて、回転状態にある基板Ｗの上面の回転中心に向けて、一体型ヘッド６の水ノズル６１からＤＩＷを吐出する（ステップＳ４）。
水バルブ１４を開成してから所定時間（たとえば２秒間）経過すると、軟Ｘ線照射タイミングになる。この所定時間は、第１ノズル配管５１の内部に十分にＤＩＷが充たされてから、軟Ｘ線の照射が開始されるように設けられている。軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は高電圧ユニット３１を制御して、軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、照射窓３５から窓部材７１を介して、第１ノズル配管５１の内部に向けて照射させる（ステップＳ５）。これにより、第１ノズル配管５１内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

図５は、水ノズル６１内への軟Ｘ線の照射状態を示す図解的な断面図である。
リンス処理中は、水ノズル６１の第１ノズル配管５１内を流通しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射される。また、吐出口５３から吐出された処理液が基板Ｗの上面に供給される。第１ノズル配管５１内のＤＩＷのうち軟Ｘ線が照射される部分（第１ノズル配管５１内の第１開口５２に対向する部分。図５に示す網掛け部分。以下、「ＤＩＷの照射部分５４」という。）では、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、ＤＩＷの照射部分５４に形成される。

図６は、基板Ｗにリンス処理を施している状態を示す図である。
基板Ｗの上面に供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁部に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの上面の全域に、当該上面に接液するＤＩＷの液膜６３が形成される。ＤＩＷの液膜６３によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。

リンス処理中における、水ノズル６１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル６１の吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口５３と基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜６３との双方に繋がる連続流状をなしており、また、第１ノズル配管５１内では、ＤＩＷが液密状態にある。このとき、ＤＩＷの液膜６３とＤＩＷの照射部分５４とが、ＤＩＷを介して繋がっている。

図５および図６に示すように、基板Ｗが正に帯電すると、ＤＩＷの照射部分５４と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、ＤＩＷの照射部分５４からの電子が、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜６３に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜６３が多量の電子を有するようになるので、正に帯電している基板Ｗが除電される。

これにより、回転状態の基板ＷにＤＩＷが供給されても、処理液との接触分離による基板の帯電を生じない。したがって、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。
以上により、基板Ｗの帯電防止または除電を図りつつ、当該基板Ｗにリンス処理を施すことができる。

また、軟Ｘ線の照射によってＤＩＷの液性は変化しないので、炭酸水等の酸性の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合とは異なり、基板Ｗ上のデバイスに悪影響を与えるおそれがない。
また、軟Ｘ線照射ユニット６２による軟Ｘ線の照射に併せて、電源５７の電極５６に対し印加する。この場合、電極５６は正電荷に帯電されることが好ましい。この場合、電極５６の正電荷によって、軟Ｘ線の照射によりＤＩＷの照射部分５４中に発生した電子は、電極５６側に引っ張られ、電極５６のある第１ノズル配管５１（水ノズル６１）の先端部まで移動するようになる。すなわち、多量の電子を、水ノズル６１の吐出口５３に向けて引っ張ることができる。これにより、基板Ｗ側への電子の移動を促進させることができる。

図１、図３および図４に示すように、ＤＩＷの供給開始から所定のリンス時間が経過すると、制御装置４０は、水バルブ１４を閉じてＤＩＷを供給停止し（ステップＳ６）、かつ高電圧ユニット３１を制御して、軟Ｘ線照射ユニット６２の照射窓３５からの軟Ｘ線の照射を停止させる（ステップＳ７）。また、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット６２からの軟Ｘ線の照射停止に併せて、電極５６への電界の印加も停止する。

その後、制御装置４０は、スピンモータ８を制御して、基板Ｗの回転速度をスピンドライ回転速度（たとえば2500rpm）に上昇させる。これにより、リンス処理後の基板Ｗの上面に付着しているＤＩＷが遠心力で振り切られて乾燥される（Ｓ８：スピンドライ（乾燥処理））。
スピンドライが所定の乾燥時間にわたって行われると、スピンチャック４の回転が停止される。その後、処理済の基板Ｗが搬送ロボット（図示しない）によって処理室３から搬出される（ステップＳ９）。

以上により第１実施形態によれば、水ノズル６１の第１ノズル配管５１内を流通しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射される。これにより、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、ＤＩＷの照射部分５４に形成される。これらの電子が、連続流状のＤＩＷを伝ってＤＩＷの液膜６３に移動し、その結果、当該ＤＩＷの液膜６３が多量の電子を有するようになる。そのため、回転状態の基板ＷにＤＩＷが供給されても、ＤＩＷとの接触分離による基板Ｗの帯電を生じない。したがって、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

また、軟Ｘ線の照射によってＤＩＷの液性は変化しないので、炭酸水等の酸性の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合とは異なり、基板Ｗ上のデバイスに悪影響を与えるおそれがない。
図７は、図４に示す処理例の変形例を説明するためのフローチャートである。
図７に示す変形例では、前述の軟Ｘ線照射タイミングになったとき、第１ノズル配管５１の第１開口５２付近にＤＩＷが存在するときには、軟Ｘ線照射ユニット６２による軟Ｘ線の照射を実行し、第１ノズル配管５１の第１開口５２付近にＤＩＷが存在しないときには、軟Ｘ線照射ユニット６２による軟Ｘ線の照射を行わない。以下、具体的に説明する。

図１に二点鎖線で示すように、水供給ユニット１００では、水ノズル６１の第１ノズル配管５１に、第１ノズル配管５１内のＤＩＷの存否を所定の水検出位置１０２で検出するための液検出センサ（処理液検出手段）１０１が配置されている。水検出位置１０２は、第１ノズル配管５１の流通方向に関し、第１開口（開口、軟Ｘ線の照射位置）５２（図２参照）と同じ位置かあるいは第１開口５２に近い位置に設定されている。

液検出センサ１０１は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されており、第１ノズル配管５１の外周壁（図示しない）に直付け配置または近接配置されている。液検出センサ１０１は、水検出位置１０２の周囲の第１ノズル配管５１内のＤＩＷの存否を検出し、その検出結果に応じた信号を出力するものである。第１ノズル配管５１の第１開口５２付近にＤＩＷが存在するとき、ＤＩＷが検出され、一方、第１ノズル配管５１の第１開口５２付近にＤＩＷが存在しないとき、ＤＩＷが検出されないことになる。

また、液検出センサ１０１として、光学式（例えば発光ダイオードと受光素子を組み合わせ、気体と液体の屈折率差を利用した）センサや導電率センサが採用されても良い。
前述の軟Ｘ線照射タイミングになったとき（ステップＳ１１でＹＥＳ）、制御装置４０は、液検出センサ１０１の検出出力を参照して、第１開口５２付近にＤＩＷがあるか否か（液ありか液なしか）を調べる（ステップＳ１２）。第１開口５２付近にＤＩＷがある場合には（ステップＳ１２でＹＥＳ）、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット６２によるＸ線照射を開始する（ステップＳ１３）。一方、第１開口５２付近にＤＩＷが存在しない場合（ステップＳ１２でＮＯ）や、軟Ｘ線照射タイミングになっていない場合（ステップＳ１１でＮＯ）には、軟Ｘ線照射ユニット６２によるＸ線照射が開始されないまま、その後図７の処理がリターンされる。

この場合、第１開口５２付近にＤＩＷが存在しないときには、第１開口５２に対する軟Ｘ線の照射が禁止される。これにより、第１ノズル配管５１外への軟Ｘ線の漏れを抑制または防止できる。
なお、液検出センサ１０１は、水供給ユニット１００と同等の構成が採用される水供給ユニット２３０，２５０，６００（図１５（ａ），１５（ｂ）、図１６、図２８参照）においても採用可能である。この場合、図７に示す処理を実行できる。

図８は、本発明の第２実施形態に係る一体型ヘッド６Ａの構成を模式的に示す図である。図９は、図８の切断面線IX−IXから見た断面図である。
一体型ヘッド６Ａが、第１実施形態に係る一体型ヘッド６と共通する部分には、図１〜図６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。一体型ヘッド６Ａが一体型ヘッド６と相違する主たる点は、水ノズル６１に、先端部が扁平状をなす第１ノズル配管５１Ａを用いた点である。先端部を除く領域の第１ノズル配管５１Ａは、第１ノズル配管５１と同様、丸管状（円筒状）を有している。また、第１ノズル配管５１Ａは第１ノズル配管５１と同様、鉛直方向に延び、また塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。

第１ノズル配管５１Ａの先端部には、その断面略長方形の扁平部１５１が形成されている。扁平部１５１は、丸管を熱成形により変形させたものである。一対の平坦壁部１５２，１５３間の幅Ｗ１はたとえば5〜10mm程度に設定されている。一方の平坦壁部１５２には、第１ノズル配管５１Ａの途中部には、たとえば円形の第３開口（開口、Ｘ線の照射位置）５２Ａが形成されている。第１ノズル配管５１Ａには、第３開口５２Ａを塞ぐように軟Ｘ線照射ユニット６２が取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット６２は、カバー２６Ａの第２開口２８が、第１ノズル配管５１Ａの第３開口５２Ａに一致し、かつ横壁２６Ａが第１ノズル配管５１Ａの外周に密着するように、第１ノズル配管５１Ａに取り付けられている。

扁平部１５１の幅Ｗ１は、扁平部１５１にＤＩＷが満たされている状態で、軟Ｘ線照射ユニット６２の照射窓３５から照射される軟Ｘ線が、他方の平坦壁部１５３まで届く程度の幅に設定されている。そのため、軟Ｘ線照射ユニット６２からの軟Ｘ線が、第１ノズル配管５１Ａの扁平部１５１を流通するＤＩＷの全てに照射される。これにより、ＤＩＷの照射部分５４を広範囲に保つことができるから、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜６３に含まれる電子の量を、より一層増やすことができる。これにより、ＤＩＷとの接触分離による基板Ｗの帯電の発生をより確実に抑制することができ、また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗをより確実に除電できる。

図１０（ａ），１０（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る一体型ヘッド６Ｂの構成を説明するための図である。図１０（ａ）は、リンス処理中における一体型ヘッド６Ｂの要部の断面図を示し、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）を下方から見た図である。
一体型ヘッド６Ｂでは、水ノズル６１の第１ノズル配管５１の吐出口５３に、多数本の紐状繊維を束ねて構成した繊維束（繊維状物質）６５が取り付けられている。繊維束６５は、第１ノズル配管５１の長手方向に沿う中心軸線を有する円柱状をなしている。第１ノズル配管５１の吐出口５３からの繊維束６５の突出長さは、スピンチャック４に保持された基板Ｗと吐出口５３との間の間隔と同程度に設定されている。

リンス処理時には、第１ノズル配管５１の吐出口５３から吐出されるＤＩＷは、繊維束６５に含まれる多数本の繊維を伝って下方に向けて流れる。繊維束６５の先端は、基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜６３に接触し、当該液膜６３中を漂っている。繊維束６５が、吐出口５３からＤＩＷの液膜６３までＤＩＷを良好に導くので、吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様を、吐出口５３とＤＩＷの液膜６３との双方に繋がる連続流状に維持し易い。

そして、吐出口５３からのＤＩＷの吐出流量が少流量である場合でも、吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様を、前記の連続流状に維持できる。これにより、ＤＩＷの消費量を低減しつつ、基板Ｗの帯電防止や基板Ｗの除電を図ることができる。なお、リンス処理時において、繊維束６５の先端が、液膜６３だけでなく、基板Ｗの上面に接触していてもよい。

なお、第１ノズル配管５１Ａ（図８参照）の先端部に、繊維束６５を設けることも可能である。また、水供給ユニット１００と同等の構成が採用される水供給ユニット２３０，２５０，６００（図１５（ａ），１５（ｂ）、図１６、図２８参照）において、第１ノズル配管５１の先端部に、繊維束６５を設けることも可能である。
また、第３実施形態において、水ノズル６１の第１ノズル配管５１の吐出口５３に取り付けられる繊維状物質として、多数本の紐状繊維を束ねて構成した繊維束６５を例に挙げて説明したが、繊維状物質は、多数本の紐状繊維を束ねて構成するものに限られるものではなく、たとえば１本の太い紐状繊維から構成されていてもよいし、紐状ではなく布状の繊維によって構成されていてもよい。

図１１は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置２０１の構成を示す図である。
第４実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置２０１では、第１実施形態に係る水供給ユニット１００（図１参照）に代えて、ノズルと軟Ｘ線照射ユニットとが別個に設けられた水供給ユニット（処理液供給装置）２００が設けられている。

水供給ユニット２００は、水ノズル２０２と、水ノズル２０２に対し、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷ（水の一例）を供給する水供給配管（処理液配管）２０４と、水供給配管２０４内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）２０３とを含む。軟Ｘ線照射ユニット２０３は、水供給配管２０４に取り付けられている。

水ノズル２０２は、丸管状（円筒状）のノズル配管を有しており、水供給配管２０４の先端に取り付けられている。水ノズル２０２は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されていて、その吐出口２０２Ａを、基板Ｗの上面中央部に向けた状態で、処理室３内に固定的に配置されている。水ノズル２０２は、第１開口５２（図２参照）が形成されていない点を除いて、第１実施形態の水ノズル６１（図２参照）と同等の構成を採用している。すなわち、水ノズル２０２のノズル配管の先端部には、円環状の電極５６が外嵌固定されており、かつ電極５６には、電源５７（図３参照）によって装置グラウンドに対する電圧が印加されるようになっている。

水供給配管２０４は、丸管状（円筒状）をなしている。水供給配管２０４は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。水供給配管２０４の途中部の管壁には、開口（図示しない）が形成されている。
軟Ｘ線照射ユニット２０３は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット２０３は、水供給配管２０４の開口を塞ぐように水供給配管２０４に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット２０３のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当する開口）が水供給配管２０４の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット２０３のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が水供給配管２０４の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット２０３の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

水供給配管２０４には、水供給配管２０４を開閉するための水バルブ２０５が介装されている。水バルブ２０５が開かれると、水供給配管２０４から水ノズル２０２にＤＩＷが供給され、また、水バルブ２０５が閉じられると、水供給配管２０４から水ノズル２０２へのＤＩＷの供給が停止される。水バルブ２０５は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

基板処理装置２０１では、図４に示す処理例の場合と同様の処理が実施される。リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、水バルブ２０５を開く。これにより、水供給配管２０４を流通するＤＩＷが水ノズル２０２に供給される。水ノズル２０２の吐出口２０２Ａから、回転状態にある基板Ｗの上面の回転中心に向けて、ＤＩＷが吐出される。

また、水バルブ２０５の開成後所定時間経過して軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット２０３の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット２０３の軟Ｘ線発生器（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、水供給配管２０４の内部に向けて照射させる。これにより、水供給配管２０４内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

基板Ｗの上面に供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの上面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。ＤＩＷの液膜によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。
リンス処理中における、水ノズル２０２に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル２０２の吐出口２０２Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口２０２Ａと基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。また、水ノズル２０２のノズル配管内および水供給配管２０４内では、ＤＩＷが液密状態にある。

リンス処理中に、水供給配管２０４内を流通しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等の部分）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの上面に形成されたＤＩＷの液膜と、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。
以上により、第４実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。

図１２は、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置２１１の構成を示す図である。
基板処理装置２１１が、第４実施形態に係る基板処理装置２０１と共通する部分には、図１１の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置２１１が基板処理装置２０１と相違する点は、水ノズル２０２（図１１参照）に代えて、複数の吐出口２１６を有する水ノズル２１２を設けた点である。

水ノズル２１２は、丸管状（円筒状）のノズル配管からなる本体部２１３と、本体部２１３の先端部に、水平方向に並んで配置された複数（図１２ではたとえば３つ）の吐出口部２１５と、本体部２１３の内部空間と個々の吐出口部２１５の内部空間とを連通する連通部２１４とを含む。個々の吐出口部２１５は、吐出口２１６を有している。個々の吐出口部２１５は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されている。各吐出口部２１５には、電極５６が外嵌固定されている。水ノズル２１２は、複数の吐出口２１６を、基板Ｗの上面中央部に向けた状態で、処理室３内に固定的に配置されている。水ノズル２１２の本体部２１３に、水供給配管２０４が接続されている。

リンス処理中は、水ノズル２１２にＤＩＷ（水の一例）が供給され、水ノズル２１２の各吐出口２１６から、ＤＩＷが吐出される。リンス処理中には、基板Ｗの上面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。また、リンス処理中には、図１２に示すように、個々の吐出口２１６から吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口２１６Ａと基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。また、水ノズル２１２のノズル配管内および水供給配管２０４内では、ＤＩＷが液密状態にある。

ところで、基板処理装置２１１では、少なくとも１つの吐出口２１６から吐出されるＤＩＷの態様が、当該吐出口２１６と基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状をなしていればよい。換言すると、水ノズル２１２のノズル配管内と、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜とが、少なくとも１本の連続流６４Ａ（図１３参照）によって繋がっていればよい。

具体的には、図１３に示すように、複数の吐出口２１６のうち１つの吐出口２１６Ａにおいて、当該吐出口２１６と基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状をなしているが、その他の吐出口２１６Ｂ，２１６Ｃでは連続流状をなしていない場合を考える。このとき、吐出口２１６Ｂや吐出口２１６Ｃからは、ＤＩＷが液滴の態様で吐出されているか、あるいはＤＩＷが吐出されていない。

図１３に示すような場合であっても、水ノズル２１２のノズル配管内と、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜とが、少なくとも１本の連続流６４Ａによって繋がっている。そのため、基板Ｗが正に帯電すると、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜６３に向けて、この１本の連続流６４Ａを伝って移動する。これにより、基板Ｗの帯電防止や基板Ｗの除電を図ることができる。

図１４は、本発明の第６実施形態に係る基板処理装置２２１の構成を示す図である。
基板処理装置２２１が、第４実施形態に係る基板処理装置２０１と共通する部分には、図１１の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置２２１では、水供給ユニット２００に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）２２０が設けられている。
水供給ユニット２２０は、水ノズル２０２と、水供給配管２０４と、水供給配管２０４の途中部から分岐する第１分岐配管（分岐配管）２２２と、第１分岐配管２２２内に存在しているＤＩＷ（水の一例）に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）２２３とを含む。軟Ｘ線照射ユニット２２３は、第１分岐配管２２２に取り付けられている。すなわち、水供給ユニット２２０では、水供給配管２０４ではなく第１分岐配管２２２に、軟Ｘ線照射ユニット２２３が取り付けられている。

第１分岐配管２２２は、水供給配管２０４において水バルブ２０５よりも上流側の部分から分岐している。第１分岐配管２２２は、丸管状（円筒状）をなし、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。第１分岐配管２２２の途中部には、第１分岐配管２２２を開閉するための分岐バルブ２２５が介装されている。分岐バルブ２２５は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。第１分岐配管２２２には、分岐バルブ２２５よりも上流側の所定部分の管壁に開口（図示しない）が形成されている。

第１分岐配管２２２の下流端には、第１カップ用ノズル２２４が取り付けられている。第１カップ用ノズル２２４は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されていて、その吐出口（液受け用吐出口）２２４Ａを、カップ上部１９の外壁（たとえば傾斜部２１の上面）に向けた状態で、処理室３内におけるカップ上部１９の上方に、固定的に配置されている。

軟Ｘ線照射ユニット２２３は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット２２３は、第１分岐配管２２２の開口を塞ぐように第１分岐配管２２２に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット２２３のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当）が第１分岐配管２２２の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット２２３のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が第１分岐配管２２２の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット２２３の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

分岐バルブ２２５が閉じられた状態で水バルブ２０５を開くと、水供給配管２０４から水ノズル２０２にＤＩＷが供給されて、水ノズル２０２の吐出口２０２ＡからＤＩＷが吐出される。水バルブ２０５が閉じられた状態で分岐バルブ２２５を開くと、第１分岐配管２２２から第１カップ用ノズル２２４にＤＩＷが供給されて、第１カップ用ノズル２２４の吐出口２２４ＡからＤＩＷが吐出される。

ところで、カップ昇降ユニット２２によりカップ上部１９が昇降するため、カップ１７（とくにカップ上部１９）が帯電していることが考えられる。そのため、基板Ｗに対する処理の実行に先立って、カップ上部１９を除電する必要がある。
基板処理装置２２１では、図４に示す処理例の場合と同様の処理が実施されるが、図４のステップＳ１の基板Ｗの搬入に先立って、カップ１７に対して除電が行われる。具体的には、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット２２３の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット２２３の軟Ｘ線発生器（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、第１分岐配管２２２の内部に向けて照射させる。これにより、第１分岐配管２２２に存在しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

また、制御装置４０は、水バルブ２０５を閉じながら分岐バルブ２２５を開く。これにより、第１分岐配管２２２を流通するＤＩＷは第１カップ用ノズル２２４に供給される。第１カップ用ノズル２２４の吐出口２２４Ａから、カップ上部１９の傾斜部２１の上面に向けてＤＩＷが吐出される。供給されたＤＩＷは、傾斜部２１の上面を伝って下方に向けて流れる。そのため、傾斜部２１の上面には、ＤＩＷの液膜が形成される。このとき、第１カップ用ノズル２２４に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、第１カップ用ノズル２２４の吐出口２２４Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口２２４Ａと傾斜部２１の上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。また、第１カップ用ノズル２２４のノズル配管内および第１分岐配管２２２内では、ＤＩＷが液密状態にある。

カップ上部１９が正に帯電しているときには、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電しているカップ上部１９との間の電位差で、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、傾斜部２１の上面のＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、傾斜部２１の上面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになるので、正に帯電しているカップ上部１９のうち、ＤＩＷの液膜に接する部分が除電される。

一方、カップ上部１９が負に帯電しているときには、カップ上部１９からの電子が、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分の正イオンに向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。そのため、負に帯電しているカップ上部１９のうち、ＤＩＷの液膜に接する部分が除電される。
カップ上部１９に対する除電が行われた後、未処理の基板Ｗが処理室３に搬入され、スピンチャック４に受け渡される。

スピンチャック４に基板Ｗが保持された後、制御装置４０はスピンモータ８を制御して、スピンチャック４による基板Ｗの回転を開始させる（図４のステップＳ２）。基板Ｗの回転速度が所定の液処理速度（たとえば500rpm）まで上げられ、その後、その液処理速度に維持される。
リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、分岐バルブ２２５を閉じつつ水バルブ２０５を開く。

また、水バルブ２０５の開成後所定時間経過して軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット２２３の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット２２３の軟Ｘ線発生器に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、第１分岐配管２２２の内部に向けて照射させる。これにより、第１分岐配管２２２内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

水ノズル２０２の吐出口２０２Ａから、回転状態にある基板Ｗの上面の回転中心に向けて、ＤＩＷが吐出される。リンス処理中には、基板Ｗの上面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。水ノズル２０２の吐出口２０２Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口２０２Ａと基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。また、水ノズル２０２のノズル配管内、水供給配管２０４内および第１分岐配管２２２内では、ＤＩＷが液密状態にある。

リンス処理中に、第１分岐配管２２２内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの上面に形成されたＤＩＷの液膜と、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、第１分岐配管２２２内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜に向けて、水供給配管２０４および連続流状のＤＩＷの双方を伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。

以上により、第６実施形態では、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果に加えて、カップ上部１９の除電を良好に行える作用効果を奏することができる。
また、Ｘ線照射ユニット２２３の窓部材の外表面（窓部材７１の外表面７１Ｂ（図２参照）に相当）から親水性皮膜（親水性皮膜３８（図２参照）に相当）が剥がれると、当該窓部材に含まれるベリリウムがＤＩＷ等の処理液に溶け出すおそれがある。このような場合であっても、Ｘ線照射ユニット２２３が第１分岐配管２２２に設けられているので、そのようなベリリウムを含むＤＩＷは、水ノズル２０２ではなく第１カップ用ノズル２２４に供給される。これにより、ベリリウムを含むＤＩＷが基板Ｗに供給されるのを、確実に防止できる。

第１〜第６実施形態では、水ノズル６１，２０２から吐出されるＤＩＷ（水の一例）を用いて、リンス処理時における基板Ｗの帯電防止や除電を図る場合を説明したが、水ノズル６１，２０２から吐出されるＤＩＷ（水の一例）を用いて、内部を処理液が流通する第２ノズル配管（第２配管）２３２，２６２の除電を図る場合を、次に述べる第７〜第９実施形態に係る基板処理装置２３１，２５１，２６１において説明する。

図１５（ａ），１５（ｂ）は、本発明の第７実施形態に係る基板処理装置２３１の構成を示す図である。
基板処理装置２３１が、第１実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、スピンチャック４に保持されている基板Ｗに処理液を供給するための第２ノズル配管２３２を備える点、および水供給ユニット２３０によって第２ノズル配管２３２に水の一例としてのＤＩＷを供給する点である。水供給ユニット２３０は、水供給ユニット１００（図１参照）と同等の構成を採用しているので、水供給ユニット１００の場合と同一の参照符号を付して説明を省略している。図１５（ａ），１５（ｂ）には、水供給ユニット２３０に関連する構成のみを記載し、その他の部分の図示は省略する。図１５（ａ）は、第２ノズル配管２３２が、次に述べる待機ポッド２３７に収容された状態を示す断面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の切断面線Ｂ−Ｂから見た断面図である。

第２ノズル配管２３２は、水平方向に延びる円筒状の水平部２３３と、この水平部２３３の先端から垂下する円筒状の垂下部２３４とを一体的に備えている。第２ノズル配管２３２は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。

第２ノズル配管２３２の内部には処理液流通路２３５が形成されている。処理液流通路２３５は、垂下部２３４の下端において、吐出口２３６として円形状に開口している。第２ノズル配管２３２には、処理液供給源からの処理液（薬液や水）が、処理液バルブ（図示しない）を介して供給されている。この処理液バルブが開かれると、第２ノズル配管２３２の水平部２３３の上流端に処理液が供給される。第２ノズル配管２３２に導入された処理液は、処理液流通路２３５を流通した後、吐出口２３６から吐出される。

第２ノズル配管２３２は、カップ１７（図１参照）の側方でほぼ鉛直に延びた支持軸（図示しない）によって支持されており、この支持軸に回転力を入力して当該支持軸を回動させることにより、スピンチャック４（図１参照）の上方で第２ノズル配管２３２を揺動させることができる。すなわち、第２ノズル配管２３２は、スキャンノズルとしての形態を有している。基板Ｗ（図１参照）に対する処理液の供給が行われないときには、第２ノズル配管２３２は、カップ１７（図１参照）の側方に設置されたホームポジションに退避している。基板Ｗ（図１参照）に対する処理液の供給時には、第２ノズル配管２３２は、基板Ｗの上方へと移動させられる。

図１５（ａ），１５（ｂ）に示すように、基板処理装置２３１は、ホームポジションにある第２ノズル配管２３２を収容するための樋状の待機ポッド２３７を含む。待機ポッド２３７は、第２ノズル配管２３２の長手方向に沿う断面略矩形のポッド本体２３８を有している。ポッド本体２３８の上面には、第２ノズル配管２３２の長手方向に沿って延びる液溜め溝２３９が形成されている。液溜め溝２３９は、長手方向の両端を除く、長手方向の全域に亘って形成されている。液溜め溝２３９は、断面略Ｕ字状をなしている。液溜め溝２３９の幅および深さは、第２ノズル配管２３２を収容可能なサイズに設定されている。

ポッド本体２３８の長手方向の両端には、それぞれ端壁２４０が設けられている。各端壁２４０には、第２ノズル配管２３２とほぼ整合する丸孔からなる挿通孔２４１が形成されている。液溜め溝２３９の底部には、廃液配管２４２が接続されている。廃液配管２４２の途中部には、廃液配管２４２を開閉するための廃液バルブ２４３が介装されている。第２ノズル配管２３２がホームポジションにあるときには、第２ノズル配管２３２が液溜め溝２３９に収容配置される。このとき、第２ノズル配管２３２は、両方の端壁２４０の挿通孔２４１を挿通している。

水供給ユニット２３０の水ノズル６１は、その吐出口５３を液溜め溝２３９に向けた状態で、待機ポッド２３７の上方に固定的に配置されている
第２ノズル配管２３２がホームポジションに配置された状態で、廃液バルブ２４３が閉じられた状態で、水供給ユニット２３０の水ノズル６１からＤＩＷが吐出される。これにより、待機ポッド２３７の液溜め溝２３９にＤＩＷが溜められる。そして、液溜め溝２３９に溜められたＤＩＷによって、第２ノズル配管２３２（の水平部２３３）の周方向の全域が浸漬される。

第２ノズル配管２３２がホームポジションにある期間（待機時）中は、水ノズル６１から吐出されるＤＩＷの吐出は続行される。このときにおける、水ノズル６１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル６１の吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口５３と液溜め溝２３９に溜められたＤＩＷとの双方に繋がる連続流状の態様をなしている。すなわち、吐出口５３から吐出されるＤＩＷが、吐出口５３と第２ノズル配管２３２の外周壁との間で液状に繋がっている。第１ノズル配管５１内では、ＤＩＷが液密状態にある。

また、第２ノズル配管２３２がホームポジションにある期間（待機時）中は、水ノズル６１（第１ノズル配管５１）の内部に、軟Ｘ線照射ユニット６２からの軟Ｘ線が照射される。第１ノズル配管５１内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射される結果、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）において、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が形成される。このとき、ＤＩＷの照射部分５４と、第２ノズル配管２３２の外周壁に接液しているＤＩＷとが、ＤＩＷを介して繋がっている。

ところで、第２ノズル配管２３２に対する処理液の供給停止中には、第２ノズル配管２３２の内部（とくに水平部２３３）に処理液が残留している。このとき、第２ノズル配管２３２の外周壁が正または負に帯電すると、誘導帯電により、第２ノズル配管２３２内の残留処理液までもが、正または負に帯電するおそれがある。このような帯電状態にある処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗまでもが電荷を帯びてしまい、その電荷の放電が生じたときに、基板Ｗの上面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。

第２ノズル配管２３２が正に帯電しているときには、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）と、正に帯電している第２ノズル配管２３２の外周壁との間の電位差で、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）からの電子が第２ノズル配管２３２の外周壁に向けて、連続流状のＤＩＷ、および液溜め溝２３９に溜められたＤＩＷを伝って移動する。これにより、正に帯電している第２ノズル配管２３２の外周壁が除電される。

一方、第２ノズル配管２３２が負に帯電しているときには、第２ノズル配管２３２の外周壁からの電子が、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）の正イオンに向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、負に帯電している第２ノズル配管２３２が除電される。
図１６は、本発明の第８実施形態に係る基板処理装置２５１の構成を示す図である。

基板処理装置２５１が、第７実施形態に係る基板処理装置２３１（図１５（ａ），１５（ｂ）参照）と相違する点は、液溜め溝２３９に溜められたＤＩＷに第２ノズル配管２３２を浸漬するのではなく、水供給ユニット（処理液供給装置）２５０の水ノズル６１の吐出口５３からのＤＩＷを、第２ノズル配管２３２の外周壁に直接供給することにより、第２ノズル配管２３２を除電するようにした点である。水供給ユニット２５０は、次に述べる移動ユニット２５２の構成を除き、水供給ユニット１００（図１参照）と同等の構成を採用している。そのため、水供給ユニット１００の場合と同一の参照符号を付して説明を省略している。水供給ユニット２５０では、一体型ヘッド６に、当該一体型ヘッド６を水平方向に移動させるための移動ユニット２５２が結合されている。移動ユニット２５２はボールナットやモータを用いて構成されており、制御装置４０（図３参照）に制御対象として接続されている。

第２ノズル配管２３２がホームポジションにある期間（待機時）中は、制御装置４０は、水ノズル６１（第１ノズル配管５１）にＤＩＷ（水の一例）を供給するとともに、水ノズル６１（第１ノズル配管５１）の内部に軟Ｘ線照射ユニット６２からの軟Ｘ線を照射する。一体型ヘッド６の水ノズル６１から吐出されるＤＩＷは、第２ノズル配管２３２の外周壁に供給され、第２ノズル配管２３２の外周壁を伝って下方に流れ落ちる。

このときにおける、水ノズル６１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル６１の吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口５３と第２ノズル配管２３２の外周壁との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。第１ノズル配管５１内では、ＤＩＷが液密状態にある。
また、第２ノズル配管２３２がホームポジションにある期間（待機時）中は、水ノズル６１（第１ノズル配管５１）の内部に、軟Ｘ線照射ユニット６２からの軟Ｘ線が照射される。第１ノズル配管５１内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射される結果、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）において、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が形成される。このとき、ＤＩＷの照射部分５４と、第２ノズル配管２３２の外周壁に接液しているＤＩＷとが、ＤＩＷを介して繋がっている。

第２ノズル配管２３２が正に帯電しているときには、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）と、正に帯電している第２ノズル配管２３２との間の電位差で、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）からの電子が、第２ノズル配管２３２におけるＤＩＷの接液位置に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、第２ノズル配管２３２におけるＤＩＷの着液部位が除電される。

一方、第２ノズル配管２３２が負に帯電しているときには、第２ノズル配管２３２からの電子が、ＤＩＷの照射部分５４（図５参照）の正イオンに向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、第２ノズル配管２３２におけるＤＩＷの着液部位が除電される。
そして、制御装置４０は、移動ユニット２５２を制御して、第２ノズル配管２３２（水平部２３３）の外周壁におけるＤＩＷの着液部位を、第２ノズル配管２３２の長手方向に沿って一方向移動または往復移動させる。これにより、除電される第２ノズル配管２３２の位置を、第２ノズル配管２３２（水平部２３３）の長手方向に沿って移動させることができ、ゆえに、第２ノズル配管２３２（水平部２３３）の外周壁の略全域を良好に除電できる。

図１７（ａ），１７（ｂ）は、本発明の第９実施形態に係る基板処理装置２６１の構成を示す図である。
基板処理装置２６１は、第１実施形態に係る水供給ユニット１００（図１参照）に代えて水供給ユニット（処理液供給装置）２６０を備える点で、第１実施形態に係る基板処理装置１（図１参照）と相違しており、その他の構成は、基板処理装置１と共通している。図１７（ａ），１７（ｂ）には、水供給ユニット２６０に関連する構成のみを記載し、その他の部分の図示は省略する。図１７（ａ）は、次に述べる第２ノズル配管２６２および第３ノズル配管２７２の縦断面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）の切断面線Ｂ１−Ｂ１から見た断面図である。

水供給ユニット２６０は、第２ノズル配管２６２と、第３ノズル配管２７２とを備えている。第２ノズル配管２６２および第３ノズル配管２７２は、第３ノズル配管２７２内に第２ノズル配管２６２が挿通されることにより二重配管構造を形成している。
第２ノズル配管２６２は、水平方向に延びる円筒状の水平部２６３と、この水平部２６３の先端から垂下する円筒状の垂下部２６４とを一体的に備えている。第２ノズル配管２６２は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。

第２ノズル配管２６２の内部には処理液流通路２６５が形成されている。処理液流通路２６５は、垂下部２６４の下端において、吐出口２６６として円形状に開口している。第２ノズル配管２６２には、処理液供給源からの処理液（薬液または水）が、処理液バルブ（図示しない）を介して供給されている。
水供給ユニット２６０は、第４実施形態に係る水供給ユニット２００（図１１参照）の構成の一部を含む。すなわち、水供給ユニット２６０は、水供給配管２０４と、軟Ｘ線照射ユニット２０３と、水バルブ２０５を含む。水供給配管２０４が第３ノズル配管２７２に対し、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷ（水の一例）を供給する点を除き、軟Ｘ線照射ユニット２０３および水供給配管２０４は、第４実施形態で説明した通りの構成であるので、詳細な説明は省略する。

第３ノズル配管２７２は、水平方向に延びる円筒状の水平部２７３と、この水平部２７３の先端から垂下する円筒状の垂下部２７４とを一体的に備えている。第３ノズル配管２７２は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料によって形成されている。第３ノズル配管２７２の水平部２７３内を、第２ノズル配管２６２の水平部２６３が挿通し、第３ノズル配管２７２の垂下部２７４の管壁を貫通して、その下流端が第２ノズル配管２６２の垂下部２６４に接続されている。第３ノズル配管２７２の内壁と第２ノズル配管２６２の外壁との間の空間には、水流通路２７５が形成されている。水流通路２７５は、垂下部２７４の下端において、吐出口２７６として円環状に開口している。

基板Ｗに対して処理液を用いた処理液処理を施す際には、前記の処理液バルブが開かれる。処理液バルブが開かれると、第２ノズル配管２６２の水平部２６３の上流端に、処理液が供給される。第２ノズル配管２６２に導入された処理液は、処理液流通路２６５を流通した後、吐出口２６６から吐出される。処理液の供給停止タイミングになると、前記の処理液バルブが閉じられるが、その後、第２ノズル配管２６２の内部（とくに水平部２６３）に処理液が残留する。

基板Ｗに対してＤＩＷを供給する際には、水バルブ２０５が開かれる。第３ノズル配管２７２の水流通路２７５の上流端に、ＤＩＷが供給される。第３ノズル配管２７２に導入されたＤＩＷは、水流通路２７５を流通した後、吐出口２７６から吐出される。ＤＩＷの供給停止タイミングになると、水バルブ２０５が閉じられるが、その後も、第３ノズル配管２７２の内壁と第２ノズル配管２６２の外壁との間の空間にＤＩＷが残留する。

ところで、第２ノズル配管２６２の外周壁が正または負に帯電すると、誘導帯電により、第２ノズル配管２６２内の残留処理液までもが、正または負に帯電するおそれがある。このような帯電状態にある処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗまでもが電荷を帯びてしまい、その電荷の放電が生じたときに、基板Ｗの上面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。

このような第２ノズル配管２６２の外周壁の帯電メカニズムとしては、まず、第３ノズル配管２７２の外周壁が先に帯電し、次いで、第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間の残留ＤＩＷを介して第２ノズル配管２６２の外周壁が帯電することが考えられる。
基板処理装置２６１では、第３ノズル配管２７２により基板ＷにＤＩＷを供給しないとき（つまり、リンス処理時以外）であっても、軟Ｘ線照射ユニット２０３による、水供給配管２０４の内部への軟Ｘ線の照射を続行している。

このとき、第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間に残留するＤＩＷと、水供給配管２０４内に存在しているＤＩＷとが液密状態で（連続流の形で）繋がっている。
第３ノズル配管２７２が正に帯電しているときには、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している第３ノズル配管２７２との間の電位差で、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、水供給配管２０４内のＤＩＷおよび第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間に残留するＤＩＷを伝って、第３ノズル配管２７２に向けて移動する。これにより、正に帯電している第３ノズル配管２７２が除電される。

一方、第３ノズル配管２７２が負に帯電しているときには、第３ノズル配管２７２からの電子が、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分の正イオンに向けて、水供給配管２０４内のＤＩＷおよび第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間に残留するＤＩＷを伝って移動する。これにより、第３ノズル配管２７２が除電される。

すなわち、第３ノズル配管２７２の除電が達成されるので、第２ノズル配管２６２が帯電することがない。
また、仮に、第２ノズル配管２６２が正に帯電しているときには、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、水供給配管２０４内のＤＩＷおよび第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間に残留するＤＩＷを伝って、第２ノズル配管２６２に向けて移動する。仮に、第２ノズル配管２６２が負に帯電しているときには、第２ノズル配管２６２からの電子が、水供給配管２０４内におけるＤＩＷの照射部分の正イオンに向けて、水供給配管２０４内のＤＩＷおよび第２ノズル配管２６２の外壁と第３ノズル配管２７２の内壁との間に残留するＤＩＷを伝って移動する。つまり、仮に、第２ノズル配管２６２が帯電したとしても、このように、第２ノズル配管２６２の除電を達成できる。

図１８は、本発明の第１０実施形態に係る基板処理装置３０１の構成を示す図である。
第１０実施形態において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置３０１は、基板Ｗの下面に対してＤＩＷ（水の一例）を供給するための水供給ユニット（処理液供給装置）３００を備える点、および基板Ｗの上面に対し、水供給ユニット１００（図１参照）に代えて水ノズル３０２でＤＩＷ（水の一例）を供給する点の主に２点において、第１実施形態に係る基板処理装置１（図１参照）と相違している。

水ノズル３０２は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されていて、その吐出口を、基板Ｗの上面中央部に向けた状態で、処理室３内に固定的に配置されている。水ノズル３０２には、ＤＩＷ供給源からＤＩＷが供給される水供給配管３０３が接続されている。水供給配管３０３には、水供給配管３０３を開閉するための水バルブ３０４が介装されている。

基板処理装置３０１では、スピン軸９は中空軸とされている。スピン軸９の内部には、下側処理液供給管３０５が非接触状態で挿通されている。
水供給ユニット３００は、下側処理液供給管３０５と、下側処理液供給管３０５の上端に取り付けられた下面ノズル３０６と、下側処理液供給管３０５に対し、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷを供給する水供給配管（処理液配管）３０７と、水供給配管３０７内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）３０９とを含む。軟Ｘ線照射ユニット３０９は、水供給配管３０７に取り付けられている。下面ノズル３０６は、その吐出口３０６Ａ（図１９参照）が、挟持部材１１により支持された基板Ｗの下面中央部に近接するように配置されている。

下側処理液供給配管３０５に、水供給配管３０７が接続されている。これにより、下側処理液供給配管３０５から下面ノズル３０６にＤＩＷを供給して、下面ノズル３０６の吐出口３０６Ａ（図１９参照）から基板Ｗの下面中央部に向けてＤＩＷを吐出させることができる。
水供給配管３０７は、丸管状（円筒状）をなしている。水供給配管３０７は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。水供給配管３０７の途中部の管壁には、開口（図示しない）が形成されている。

軟Ｘ線照射ユニット３０９は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット３０９は、水供給配管３０７の開口を塞ぐように水供給配管３０７に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット３０９のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当）が水供給配管３０７の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット３０９のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が水供給配管３０７の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット３０９の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

水供給配管３０７には、水供給配管３０７を開閉するための水バルブ３０８が介装されている。水バルブ３０８は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。
基板処理装置３０１では、図４に示す処理例の場合と同様の処理が実施される。
リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、水バルブ３０４を開く。これにより、水ノズル３０２から、基板Ｗの上面中央部に向けてＤＩＷが吐出される。また、制御装置４０（図３参照）は、水バルブ３０８を開く。これにより、水供給配管３０７を流通するＤＩＷが下面ノズル３０６に供給される。下面ノズル３０６の吐出口３０６Ａから、基板Ｗの下面中央部に向けて上向きにＤＩＷが吐出される。

水バルブ３０８の開成後所定時間経過して軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット３０９の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット３０９の軟Ｘ線発生器（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、水供給配管３０７の内部に向けて照射させる。これにより、水供給配管３０７内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

図１９は、基板処理装置３０１におけるリンス処理のＤＩＷの流れを示す図である。
基板Ｗの上面中央部に供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面上を、中央部から周縁部に向けて拡がる。これにより、基板Ｗの上面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。ＤＩＷの液膜によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。

一方、基板Ｗの下面中央部に供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの下面を伝って回転半径外方側へと拡がり、基板Ｗの下面周縁部３２１に至る。そのため、基板Ｗの下面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。このとき、下面周縁部３２１に達したＤＩＷは、基板Ｗの周端面３２２を回り込んで基板Ｗの上面周縁部３２３に至る。そして、基板Ｗの上面を伝ってきたＤＩＷと、基板Ｗの周端面３２２から回り込んだＤＩＷとが、図１９に示すように、基板Ｗの上面周縁部３２３において合流するようになる。そのため、基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜と、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜とが互いに繋がった状態になる。

リンス処理時における、下面ノズル３０６に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、下面ノズル３０６の吐出口３０６Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口３０６Ａと基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。前述のように基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜と、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜が互いに繋がっているので、吐出口３０６Ａから吐出されるＤＩＷが、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜だけでなく、基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜とも液状に繋がっている。また、下面ノズル３０６のノズル配管内、下側処理液供給管３０５内、水供給配管３０７内で、ＤＩＷが液密状態にある。

リンス処理中に、水供給配管３０７内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、水供給配管３０７内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、水供給配管３０７内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの下面に形成されたＤＩＷの液膜および基板Ｗの上面に形成されたＤＩＷの液膜と、それぞれ、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗの下面が正に帯電とすると、水供給配管３０７内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水供給配管３０７内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面および下面のＤＩＷの液膜に向けて、下側処理液供給管３０５、水供給配管３０７および連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの下面および上面に形成されているＤＩＷの液膜が、それぞれ多量の電子を有するようになる。

以上により、基板Ｗの上下両面に同時リンス処理を施す場合において、回転状態の基板Ｗの上下面にＤＩＷが供給されても、ＤＩＷとの接触分離による基板Ｗの帯電を生じないから、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

図２０は、本発明の第１１実施形態に係る基板処理装置３１１の構成を示す図である。
基板処理装置３１１が、第１０実施形態に係る基板処理装置３０１と共通する部分には、図１８の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置３１１では、水供給ユニット３００（図１８参照）に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）３１０が設けられている。また、軟Ｘ線照射装置３１４が、処理室３内に配置されている。第１１実施形態では、これらの点が第１０実施形態と相違している。

水供給ユニット３１０は、下側処理液供給管３０５と、下面ノズル３０６と、水供給配管３０７と、水供給配管３０７の途中部から分岐する第２分岐配管（分岐配管）３１２と、第２分岐配管３１２内に存在しているＤＩＷ（水の一例）に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）３１９とを含む。軟Ｘ線照射ユニット３１９は、第２分岐配管３１２に取り付けられている。

第２分岐配管３１２は、水供給配管３０７における水バルブ３０８よりも上流側の部分から分岐している。第２分岐配管３１２は、丸管状（円筒状）をなし、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。第２分岐配管３１２の途中部には、第２分岐配管３１２を開閉するための分岐バルブ３１８が介装されている。分岐バルブ３１８は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。第２分岐配管３１２には、分岐バルブ３１８よりも上流側の所定部分の管壁に開口（図示しない）が形成されている。

第２分岐配管３１２の下流端には、第２カップ用ノズル３１３が取り付けられている。第２カップ用ノズル３１３は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されていて、その吐出口３１３Ａ（図２１参照。液受け用吐出口）を、カップ上部１９の内壁（たとえば傾斜部２１の下面）に向けた状態で、たとえばスピンチャック４の外壁に、固定的に配置されている。

軟Ｘ線照射ユニット３１９は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット３１９は、第２分岐配管３１２の開口を塞ぐように第２分岐配管３１２に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット３１９のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当）が第２分岐配管３１２の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット３１９のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が第２分岐配管３１２の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット３１９の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

分岐バルブ３１８が閉じられた状態で水バルブ３０８を開くと、水供給配管３０７から、下側処理液供給管３０５を介して下面ノズル３０６にＤＩＷが供給されて、下面ノズル３０６の吐出口３０６ＡからＤＩＷが吐出される。水バルブ３０８が閉じられた状態で分岐バルブ３１８を開くと、第２分岐配管３１２から第２カップ用ノズル３１３にＤＩＷが供給されて、第２カップ用ノズル３１３の吐出口３１３ＡからＤＩＷが吐出される。

軟Ｘ線照射装置３１４は、照射窓３１６を有する軟Ｘ線発生器３１５を内蔵している。照射窓３１６で発生する軟Ｘ線が、軟Ｘ線照射装置３１４の外部に射出（放射）されるようになっている。照射窓３１６からの軟Ｘ線の照射角（照射範囲）はたとえば130°であり、照射窓３１６から照射される軟Ｘ線は、その波長がたとえば0.13〜0.41nmである。軟Ｘ線発生器３１５は、軟Ｘ線照射ユニット３０９に含まれる軟Ｘ線発生器２５（図２参照）と同等の構成を採用しており、照射窓３１６が照射窓３５（図２参照）に相当する。軟Ｘ線照射装置３１４は、照射窓３１６がカップ上部１９の傾斜部２１の上面に対向するように、カップ上部１９の上方に配置されている。

基板処理装置３１１では、図４に示す処理例の場合と同様の処理が実施されるが、図４のステップＳ１の基板Ｗの搬入に先立って、カップ１７に対して除電が行われる。
第１１実施形態は、カップ１７に対して除電を行う点で第６実施形態の場合と共通しているが、カップ上部１９へのＤＩＷの供給だけでなく、このＤＩＷの供給に並行して軟Ｘ線照射装置３１４から軟Ｘ線を照射してカップ１７を除電している点で第６実施形態の場合と相違している。

具体的には、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット３１９の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット３１９の軟Ｘ線発生器（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、第２分岐配管３１２の内部に向けて照射させる。また、制御装置４０は、水バルブ３０８を閉じながら分岐バルブ３１８を開く。これにより、第２分岐配管３１２を流通したＤＩＷが第２カップ用ノズル３１３の吐出口３１３Ａ（図２１参照）から吐出される。

図２１は、図２０に示す水供給ユニット３１０がカップ上部１９の傾斜部２１にＤＩＷを供給している状態を示す図である。
図２１に示すように、吐出口３１３Ａから吐出されたＤＩＷは、カップ上部１９の傾斜部２１の下面に供給され、傾斜部２１の下面を伝って下方に向けて流れる。そのため、傾斜部２１の下面には、ＤＩＷの液膜が形成される。

このとき、第２カップ用ノズル３１３に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、第２カップ用ノズル３１３の吐出口３１３Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口３１３Ａと傾斜部２１の下面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。また、第２カップ用ノズル３１３のノズル配管内および第２分岐配管３１２内では、ＤＩＷが液密状態にある。

カップ上部１９が正に帯電しているときには、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電しているカップ上部１９との間の電位差で、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、傾斜部２１の下面のＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、傾斜部２１の下面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになるので、正に帯電しているカップ上部１９のうち、ＤＩＷの液膜に接する部分が除電される。

一方、カップ上部１９が負に帯電しているときには、カップ上部１９からの電子が、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分の正イオンに向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。そのため、負に帯電しているカップ上部１９のうち、ＤＩＷの液膜に接する部分が除電される。
また、制御装置４０は、軟Ｘ線照射装置３１４の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射装置３１４の軟Ｘ線発生器３１５に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、カップ上部１９の傾斜部２１の上面に照射させる。カップ上部１９の傾斜部２１は処理中に基板Ｗの周囲に配置される部材であるが、軟Ｘ線照射装置３１４からの軟Ｘ線の照射により、傾斜部２１の帯電防止および除電を達成できる。

カップ上部１９に対する除電が行われた後、未処理の基板Ｗが処理室３に搬入され、スピンチャック４に受け渡される。
スピンチャック４に基板Ｗが保持された後、制御装置４０はスピンモータ８を制御して、スピンチャック４による基板Ｗの回転を開始させる（図４のステップＳ２）。基板Ｗの回転速度が所定の液処理速度（たとえば500rpm）まで上げられ、その後、その液処理速度に維持される。

リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、分岐バルブ３１８を閉じつつ水バルブ３０８を開く。また、水バルブ３０８の開成後所定時間経過して軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット３１９の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット３１９の軟Ｘ線発生器に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、第２分岐配管３１２の内部に向けて照射させる。これにより、下面ノズル３０６から、基板Ｗの下面中央部に向けてＤＩＷが吐出される。

基板Ｗの下面中央部に供給されたＤＩＷは、第１０実施形態の場合と同様、基板Ｗの下面を伝って回転半径外方側へと拡がり、基板Ｗの周端面３２２（図１９参照）を回り込んで基板Ｗの上面周縁部に至る。そして、基板Ｗの上面を伝ってきたＤＩＷと、基板Ｗの周端面３２２から回り込んだＤＩＷとが、基板Ｗの上面周縁部において合流し、その結果、基板Ｗの上面全域に形成されるＤＩＷの液膜と、基板Ｗの下面全域に形成されるＤＩＷの液膜とが互いに繋がった状態になる。

また下面ノズル３０６の吐出口３０６Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口３０６Ａと基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜と、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜が互いに繋がっているので、吐出口３０６Ａから吐出されるＤＩＷが、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜だけでなく、基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜とも液状に繋がっている。また、下面ノズル３０６のノズル配管内、下側処理液供給管３０５内、水供給配管３０７内および第２分岐配管３１２内で、ＤＩＷが液密状態にある。

リンス処理中に、第２分岐配管３１２内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの下面に形成されたＤＩＷの液膜および基板Ｗの上面に形成されたＤＩＷの液膜と、それぞれ、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、第２分岐配管３１２内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面および下面のＤＩＷの液膜に向けて、下側処理液供給管３０５、水供給配管３０７、第２分岐配管３１２および連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面および下面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。

以上により、第１１実施形態においても、第１０実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果に加えて、カップ上部１９の除電を良好に行えるという作用効果を奏することができる。
軟Ｘ線照射ユニット３１９の窓部材の外表面（窓部材７１の外表面７１Ｂ（図２参照）に相当）から親水性皮膜（親水性皮膜３８（図２参照）に相当）が剥がれると、当該窓部材に含まれるベリリウムが処理液（たとえば、ＤＩＷ等の水）に溶け出すおそれがある。このような場合であっても、軟Ｘ線照射ユニット３１９が第２分岐配管３１２に設けられているので、そのようなベリリウムを含むＤＩＷは、下面ノズル３０６ではなく第２カップ用ノズル３１３に供給される。これにより、ベリリウムを含むＤＩＷが基板Ｗに供給されるのを、確実に防止できる。

なお、前述の説明では、軟Ｘ線照射装置３１４による軟Ｘ線の照射を、基板Ｗの搬入に先立って実行するものと説明したが、基板Ｗの搬入前だけでなく、スピンドライ（図４のステップＳ８）時にも軟Ｘ線照射装置３１４による軟Ｘ線の照射を行うようにしてもよい。この場合、基板Ｗの表面（上面）に軟Ｘ線を照射することが好ましく、これにより、処理液が振り切られた直後の基板Ｗの表面に軟Ｘ線が照射されるから、基板Ｗの帯電防止および除電を、より一層確実に達成できる。

なお、第１１実施形態の構成として、第１０実施形態の構成と比較して、第２カップ用ノズル３１３を含む構成の水供給ユニット３１０と軟Ｘ線照射装置３１４との２つを設けたが、第１０実施形態の構成に加え、水供給ユニット３１０および軟Ｘ線照射装置３１４の一方のみが設けられた構成であってもよい。
図２２は、本発明の第１２実施形態に係る基板処理装置４０１の構成を示す図である。

第１２実施形態において、第１０実施形態と共通する部分には、図１８および図１９の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置４０１は、スピンチャック４に代えてスピンチャック（基板保持回転手段）４０２を備える点、およびスピンチャック４０２を介して基板Ｗの下面にＤＩＷ（水の一例）を供給する点の主に２点において、第１０実施形態に係る基板処理装置３０１（図１８参照）と相違している。基板処理装置４０１は、水供給ユニット（処理液供給装置）４００を備えている。

スピンチャック４０２は、挟持式のものである。具体的には、スピンチャック４０２は、スピンモータ４０３と、このスピンモータ４０３の駆動軸と一体化されたスピン軸（支持部材）４０４と、スピン軸４０４の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース（支持部材）４０５と、スピンベース４０５の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個の挟持部材４０６とを備えている。

スピン軸４０４は、樹脂や鋼材等を用いて形成された内軸部４０７と、多孔質材料を用いて形成された外筒部４０８とを含み、内軸部４０７を外筒部４０８に挿通した状態で一体化している。すなわち、内軸部４０７の外周が外筒部４０８に密着状態で包囲されている。
スピンベース４０５は、多孔質材料を用いて形成されている。スピンベース４０５の下面４０５Ｂには、外筒部４０８の上端面が密着状態で接続されている。

挟持部材４０６は鋼材等を用いて形成されている。複数の挟持部材４０６により基板Ｗを挟持した状態で、基板Ｗの下面の全域がスピンベース４０５の上面に接触するように、挟持部材４０６の諸元や、スピンベース４０５の高さ方向の厚みが、それぞれ設定されている。
スピン軸４０４の外筒部４０８やスピンベース４０５の材質である多孔質材料は、たとえばＰＶＡ（polyvinyl alcohol）製のスポンジであり、多数の空孔を有している。多孔質材料の空孔は、ＤＩＷ（水の一例）が通過可能な大きさ（たとえば、０．０５〜１００μmの径）を有している。そのため、多孔質材料の空孔を介してＤＩＷを通過させることが可能であり、ゆえに、外筒部４０８の内部やスピンベース４０５の内部を、ＤＩＷを移動させることが可能である。

なお、多孔質材料の原材料としては、ＰＶＡの他に、ウレタン樹脂、フッ素系樹脂(ＰＴＦＥ(poly tetra-fluoro ethylene))、ＰＥＥＫ(polyether-ether-ketone)、ＰＶＣ(poly-vinyl chloride)、およびＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)を例示できる。
水供給ユニット４００は、水ノズル４０９と、水ノズル４０９に対し、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷ（水の一例）を供給する水供給配管（処理液配管）４１０と、水供給配管４１０内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）４１２とを含む。軟Ｘ線照射ユニット４１２は、水供給配管４１０に取り付けられている。

水ノズル４０９は、丸管状（円筒状）のノズル配管を有しており、水供給配管４１０の先端に取り付けられている。水ノズル４０９は、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルによって構成されていて、その吐出口４０９Ａを、スピン軸４０４の外筒部４０８に向けた状態で、処理室３内に固定的に配置されている。
水供給配管４１０は、丸管状（円筒状）をなしている。水供給配管４１０は、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。水供給配管４１０の途中部の管壁には、開口（図示しない）が形成されている。

軟Ｘ線照射ユニット４１２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット４１２は、水供給配管４１０の開口を塞ぐように水供給配管４１０に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット４１２のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当）が水供給配管４１０の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット４１２のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が水供給配管４１０の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット４１２の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。

水供給配管４１０には、水供給配管４１０を開閉するための水バルブ４１１が介装されている。水バルブ４１１は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。水バルブ４１１が開かれると、水供給配管４１０から水ノズル４０９にＤＩＷが供給され、水バルブ４１１が閉じられると、水ノズル４０９へのＤＩＷの供給が停止される。
図２３は、水供給ユニット４００が外筒部４０８にＤＩＷを供給している状態を示す図である。

基板処理装置４０１では、図４に示す処理例の場合と同様の処理が実施される。
リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、水バルブ３０４を開く。これにより、水ノズル３０２の吐出口３０２Ａから、基板Ｗの上面中央部に向けてＤＩＷが吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給されたＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面上を、中央部から周縁部に向けて拡がる。これにより、基板Ｗの上面の全域にＤＩＷの液膜が形成される。ＤＩＷの液膜によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。

リンス処理（図４のステップＳ４〜Ｓ６）では、制御装置４０（図３参照）は、水バルブ３０４の開成に併せて、水バルブ４１１を開く。これにより、水供給配管４１０を流通するＤＩＷが水ノズル４０９に供給される。水ノズル４０９の吐出口４０９Ａから、スピン軸４０４の外筒部４０８に向けて横向きにＤＩＷが吐出される。
外筒部４０８の外周面に供給されたＤＩＷは、外筒部４０８の内部に浸透し、外筒部４０８の内部を通って、スピンベース４０５の下面４０５Ｂに供給される。スピンベース４０５の下面４０５Ｂに供給されたＤＩＷは、スピンベース４０５の内部に浸透し、外筒部４０８の内部を通って、スピンベース４０５の上面４０５Ａに供給される。スピンベース４０５の内部に含浸されているＤＩＷが上面４０５Ａから染み出し、図２３に示すように、上面４０５ＡにＤＩＷの液膜が形成される。このＤＩＷの液膜が基板Ｗの下面に接液されることにより、基板Ｗの下面に付着している薬液がＤＩＷによって洗い流されていく。これにより、基板Ｗの下面の全域にリンス処理を施すことができる。

水ノズル４０９は、その吐出口４０９Ａが、外筒部４０８の外周面と微小な間隔Ｓ１を隔てて配置されている。また、リンス処理中における、水ノズル６１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（たとえば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル４０９の吐出口４０９Ａから吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口４０９Ａとスピン軸４０４の外筒部４０８の外周面との双方に繋がる連続流状をなしている。そのため、吐出口４０９Ａから吐出されるＤＩＷが、基板Ｗの下面に形成されるＤＩＷの液膜に液状に繋がっている。また、水ノズル４０９のノズル配管内および水供給配管４１０内で、ＤＩＷが液密状態にある。

水バルブ４１１の開成後所定時間経過して軟Ｘ線照射タイミングになると、制御装置４０は、軟Ｘ線照射ユニット４１２の高電圧ユニットを制御して、軟Ｘ線照射ユニット４１２の軟Ｘ線発生器（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、水供給配管４１０の内部に向けて照射させる。これにより、水供給配管４１０内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

リンス処理中に、水供給配管４１０内を流通しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、水供給配管４１０内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、水供給配管４１０内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの下面に形成されたＤＩＷの液膜と、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗの下面が正に帯電しているとすると、水供給配管４１０内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗの下面との間の電位差で、水供給配管４１０内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの下面に接液しているＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの下面に接液しているＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。

以上により、第１２実施形態においても、第１０実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
以上、第１〜第１２実施形態では、本発明を、円形の基板Ｗを処理するための枚葉型の基板処理装置１，２０１，２１１，２２１，２３１，２５１，２６１，３０１，３１１，４０１に適用する場合を例に挙げて説明したが、本発明は、角形（シート状）の基板を処理するための基板搬送型の基板処理装置に本発明を適用することもできる。

図２４は、本発明の第１３実施形態に係る基板処理装置５０１の構成を示す図解的な斜視図である。基板処理装置５０１は、基板Ｗの一例としての角形の液晶表示装置用ガラス基板の表面（処理対象面）を、水等の処理液を用いて洗浄するために用いられる装置である。処理対象となる角形の基板の一辺の長さは、例えば数十ｃｍ〜２ｍ程度の範囲であり、その板厚は０．５〜１．２mm程度である。

以下、次に述べる、基板Ｗの搬送方向に沿う水平方向をＸ方向とし、Ｘ方向に直交する水平方向をＹ方向とし、上下方向をＺ方向とする。
基板処理装置５０１は、基板ＷをＸ方向に沿って搬送するためのコロ搬送ユニット５０４（基板保持搬送手段）と、コロ搬送ユニット５０４によって搬送されている基板Ｗの表面に処理液としてのＤＩＷ（水の一例）を供給する水供給ユニット（処理液供給装置）５００と、コロ搬送ユニット５０４によって搬送されている基板Ｗの表面に不活性ガスの一例としての窒素ガスを吹き付けるガスナイフノズル５１９と、コロ搬送ユニット５０４によって搬送されている基板Ｗの表面に軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射装置５１２とを含む。

基板処理装置５０１は、基板Ｗの表面にＤＩＷを供給して、基板Ｗの表面に洗浄処理を施すための洗浄処理室５０２と、基板Ｗの表面に付着したＤＩＷを液切りする液切り処理を施すための液切り室５０３とを含む。洗浄処理室５０２および液切り室５０３は、互いに隣接して配置されている。洗浄処理室５０２内には、コロ搬送ユニット５０４の上方に、供給ユニット５００が配置されている。液切り室５０３内には、コロ搬送ユニット５０４の上方に、ガスナイフノズル５１９および軟Ｘ線照射装置５１２が搬送方向にこの順で配置されている。

コロ搬送ユニット５０４は、洗浄処理室５０２の内部空間と、液切り室５０３の内部空間との間を跨るように、左右方向に延びた状態で配置されている。洗浄処理室５０２の上流側の側壁に形成された基板搬入口５２３から搬入された基板Ｗは、コロ搬送ユニット５０４により搬送させられ、洗浄処理室５０２と液切り室５０３とを仕切る仕切り壁５２１に形成された基板通過口５２２を介して、液切り室５０３に移される。そして、コロ搬送ユニット５０４により液切り室５０３内を搬送させられ、液切り室５０３の下流側の側壁に形成された基板搬出口５２４から搬出させられる。

基板Ｗは、その表面を上方に向けてコロ搬送ユニット５０４上に載置される。基板ＷをＸ方向に沿って搬送することにより、基板Ｗの表面が、水供給位置Ｐ１および不活性ガス噴射位置Ｐ２によって順次走査される。これにより、基板Ｗの表面において、まずＤＩＷが供給され、その後所定の時間だけ遅れて窒素ガスが噴射される。
図２５は、コロ搬送ユニット５０４の構成を示す斜視図である。

コロ搬送ユニット５０４は、搬送コロ５０５が、Ｘ方向にほぼ等ピッチで並設されている。各搬送コロ５０５は、駆動ユニット（図示しない）の駆動により同一方向に同期回転されるようになっている。
各搬送コロ５０５は、Ｘ方向に直交する面（Ｙ−Ｚ面）内で、水平面に対し傾斜したコロ軸５１５を備える。そのため、コロ搬送ユニット５０４により実現される搬送路は、水平面に対して全体的にＹ方向に傾斜している。基板Ｗは、傾斜姿勢を保ちながら搬送される。なお、基板Ｗの水平面に対する傾斜角度α（図２６参照）は、たとえば約５°に設定されている。

各搬送コロ５０５は、たとえば、コロ軸５１５の左右両側部にコロ軸５１５と同伴回転可能に外嵌された左右一対の側部ローラ５１６と、コロ軸５１５の中央部に設けられた中央ローラ５１７とを含む、いわゆる部分支持型搬送コロである。
個々の各側部ローラ５１６は、外方側部に、側部ローラ５１６と一体的に設けられた鍔部５１６Ａを有している。鍔部５１６Ａは、搬送される基板Ｗの横ずれを防止するとともに、下側の鍔部５１６Ａによって基板Ｗが傾斜面に沿って滑落するのを防止している。また、各ローラ５１６，５１７には、ゴム等からなるＯリング（図示しない）が外嵌されており、このＯリングの滑り止め作用により、基板Ｗの滑落をより確実に防止している。

図２４に示すように、水供給ユニット５００は、洗浄処理室５０２内に配置された複数（図２４では、たとえば３つ）の水ノズル５３１と、個々の水ノズル５３１にＤＩＷを供給するための水供給配管（処理液配管）５３３と、個々の水供給配管５３３の上流端が接続される水集合配管５３２とを含む。複数の水ノズル５３１は、Ｘ方向に沿ってたとえば等間隔を隔てて配置されている。各水ノズル５３１は、その吐出口５３１Ａを、コロ搬送ユニット５０４によって搬送される基板Ｗの上部に対向する位置で下に向けた状態で、固定的に配置されている。水集合配管５３２は、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷ（水の一例）を、複数の水供給配管５３３にＤＩＷを供給するための配管である。各水ノズル５３１の先端部には、円環状の電極５６が外嵌固定されており、かつ電極５６には、電源５７（図３参照）によって装置グラウンドに対する電圧が印加されるようになっている。

図２４に示すように、水供給ユニット５００は、さらに、水集合配管５３２内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）５３４を含む。軟Ｘ線照射ユニット５３４は、水集合配管５３２に取り付けられている。
水集合配管５３２は、丸管状（円筒状）をなし、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)を用いて形成されている。水集合配管５３２の途中部には、水集合配管５３２を開閉するための集合バルブ５３５が介装されている。水集合配管５３２には、集合よりも下流側の所定部分の管壁に開口（図示しない）が形成されている。

図２４に示すように、軟Ｘ線照射ユニット５３４は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２（図２参照）と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット５３４は、水集合配管５３２の開口を塞ぐように水集合配管５３２に取り付けられている。具体的には、軟Ｘ線照射ユニット５３４のカバーの開口（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の第２開口２８（図２参照）に相当）が水集合配管５３２の前記の開口に一致し、かつ軟Ｘ線照射ユニット５３４のカバーの壁面（軟Ｘ線照射ユニット６２のカバー２６の横壁２６Ａ（図２参照）に相当）が水集合配管５３２の外周に密着している。軟Ｘ線照射ユニット５３４の高電圧ユニット（第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２の高電圧ユニット３１（図２参照）に相当）は、制御装置４０（図３参照）に接続されている。集合バルブ５３５が開かれると、水集合配管５３２から個々の水供給配管５３３にＤＩＷが供給されて、各水ノズル５３１の吐出口５３１ＡからＤＩＷが吐出される。

図２４に示すように、ガスナイフノズル５１９は、基板Ｗの上面に付着しているＤＩＷを吹き飛ばすために、コロ搬送ユニット５０４によって搬送される基板Ｗの上面に不活性ガスの一例としての窒素ガスを噴射するためのノズルである。不活性ガスの他の例として、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）を挙げることができる。ガスナイフノズル５１９は、Ｙ方向に長いスリット噴射口５１９Ａを先端に有し、コロ搬送ユニット５０４によって搬送される基板ＷのＹ方向全幅にわたる範囲に窒素ガスを供給できるものである。ガスナイフノズル５１９は、スリット噴射口５１９Ａが基板Ｗの上面に微小間隔を隔てて対向するように、液切り室５０３内に固定的に配置されている。

ガスナイフノズル５１９には、窒素ガス供給源からの窒素ガスが、不活性ガスバルブ５１１を介して供給されている。ガスナイフノズル５１９は、窒素ガスをＹ方向に沿う帯状に噴射する。
基板Ｗの上面に対する、ガスナイフノズル５１９のスリット噴射口５１９Ａからの不活性ガスの吹付け方向は、鉛直方向に対し、基板Ｗの搬送方向と逆方向（図２４に示す左側）に傾斜している。その傾斜角度θ（図２７参照）は、たとえば２０°〜７０°の範囲内である。

図２４に示すように、軟Ｘ線照射装置５１２は、照射窓５１４を有する軟Ｘ線発生器５１３を内蔵している。照射窓５１４で発生する軟Ｘ線が、軟Ｘ線照射装置５１２の外部に射出（放射）されるようになっている。照射窓５１４からの軟Ｘ線の照射角（照射範囲）はたとえば130°であり、照射窓５１４から照射される軟Ｘ線は、その波長がたとえば0.13〜0.41nmである。軟Ｘ線発生器５１３は、軟Ｘ線照射ユニット５３４に含まれる軟Ｘ線発生器２５（図２参照）と同等の構成を採用しており、照射窓５１４が照射窓３５（図２参照）に相当する。軟Ｘ線照射装置５１２は、コロ搬送ユニット５０４によって搬送される基板Ｗの上方において、ガスナイフノズル５１９よりも下流側に配置されている。具体的には、軟Ｘ線照射装置５１２は、不活性ガス噴射位置Ｐ２に照射窓５１４が対向するように配置されている。

図２６は、水供給ユニット５００が基板ＷにＤＩＷを供給している状態を示す断面図である。図２７は、軟Ｘ線照射装置５１２が、基板Ｗの上面に軟Ｘ線を照射している状態を示す断面図である。
図２６および図２７に示すように、各吐出口５３１Ａから吐出されたＤＩＷは、基板Ｗの上面の水供給位置Ｐ１に供給され、基板Ｗの上面を傾斜面に沿って流れる。これにより、基板Ｗの上面にＤＩＷの液膜が形成される。また、各水ノズル５３１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（ガラス基板の大きさや洗浄程度に応じて例えば１〜数十L/min）に設定されている。そのため、各吐出口５３１Ａから吐出されるＤＩＷが、水ノズル５３１の吐出口５３１Ａと、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜との双方に繋がる連続流の態様をなしている。また、水ノズル５３１のノズル配管内、水集合配管５３２内および水供給配管５３３内では、ＤＩＷが液密状態にある。

一連の処理中は、水集合配管５３２の内部に、軟Ｘ線照射ユニット５３４からの軟Ｘ線が照射される。水集合配管５３２内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、水集合配管５３２内におけるＤＩＷの照射部分（図５に示す、第１実施形態に係るＤＩＷの照射部分５４と同等）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、水集合配管５３２内におけるＤＩＷの照射部分に形成される。ＤＩＷの照射部分は、基板Ｗの上面に形成されたＤＩＷの液膜と、ＤＩＷを介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると水集合配管５３２内におけるＤＩＷの照射部分と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水集合配管５３２内におけるＤＩＷの照射部分からの電子が、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面のＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。
これにより、ＤＩＷを用いた処理によって、基板Ｗの帯電を防止できる。また、洗浄処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

また、不活性ガス噴射位置Ｐ２では、ガスナイフノズル５１９のスリット噴射口５１９Ａからの窒素ガスが、基板Ｗの上面に形成されるＤＩＷの液膜（ＤＩＷの連続流を介して吐出口５３１Ａと繋がっている液膜）に吹き付けられる。また、不活性ガス噴射位置Ｐ２において、基板Ｗの上面には、軟Ｘ線照射装置５１２の軟Ｘ線発生器５１３で発生された軟Ｘ線が照射される。

窒素ガスの吹付けにより、基板Ｗの上面からＤＩＷが吹き飛ばされ、基板Ｗの上面に付着したＤＩＷが除去される。そして、不活性ガス噴射位置Ｐ２において、軟Ｘ線が照射される。基板Ｗの上面におけるＤＩＷが切れた（吹き飛ばされた）直後の部分に軟Ｘ線が照射されるので、基板Ｗの帯電防止および除電を、より一層確実に達成できる。
第１３実施形態において、洗浄処理室５０２内で水（たとえばＤＩＷ）を用いて基板Ｗを処理する場合を例に挙げて説明したが、洗浄処理室５０２内で薬液および水を用いた処理を用いて基板Ｗを処理することもできる。この場合、図２４に二点鎖線で示すように、水供給ユニット５００よりも上流側に、薬液ノズル５０６が配置される。薬液ノズル５０６には、薬液バルブ５０８を介して薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。つまり、水供給位置Ｐ１よりも上流側に、薬液供給位置Ｐ０が設定される。

第１３実施形態において、基板Ｗを傾斜姿勢で搬送するコロ搬送ユニット５０４を例に挙げて説明したが、コロ搬送ユニット５０４は、基板Ｗを水平姿勢に保ちつつ搬送するものであってもよい。
また、第１３実施形態の基板処理装置５０１は、基板Ｗの上面（上側の主面）を洗浄するものを例に挙げて説明したが、基板の両面に洗浄処理を施すタイプの基板処理装置にも本願発明を適用できる。この場合、洗浄処理室５０２および液切り室５０３において、コロ搬送ユニット５０４の下方側にも、水供給ユニット５００およびガスナイフノズル５１９をそれぞれ配置し、水供給位置Ｐ１において、下方側の水供給ユニット５００によって基板Ｗの下面にＤＩＷを供給するとともに、不活性ガス噴射位置Ｐ２において、下方側のガスナイフノズル５１９によって、基板Ｗの下面に窒素ガスを噴射する。

第１〜第１３実施形態では、処理対象物が基板Ｗとする基板処理装置１，２０１，２１１，２２１，２３１，２５１，２６１，３０１，３１１，４０１，５０１に搭載される処理液供給ユニット１００，２００，２２０，２３０，２５０，２６０，３００，３１０，４００，５００を例に挙げて説明したが、本発明は、基板Ｗ以外を処理対象物とする処理ユニットにも適用できる。以下、処理対象物を基板収容器（収容器）６０２とし、処理対象物を洗浄液（処理液）を用いて洗浄するための収容器洗浄装置６０１を例に挙げて説明する。

図２８は、本発明の第１４実施形態に係る物品洗浄装置６０１の構成を示す図である。図２９は、基板収容器６０２の構成を示す斜視図である。
図２９に示すように、基板収容器６０２は、基板Ｗを密閉した状態で収容する容器である。基板収容器６０２の一例として、ＦＯＳＢ（Front Opening Shipping Box）を挙げることができる。ＦＯＳＢは、専ら、半導体ウエハメーカから半導体装置メーカに、基板Ｗを納入するために用いられる。ＦＯＳＢは、未処理の複数枚の基板Ｗを収容し、これらの基板Ｗの清浄度を維持しつつ、基板Ｗへの損傷を防止する。

図２８に示すように、物品洗浄装置６０１は、基板収容器６０２の収容器本体６０３を載置するための載置台６０７と、基板収容器６０２に対して洗浄液の一例としてのＤＩＷを供給する水供給ユニット（処理液供給装置）６００を備えている。水供給ユニット６００は、第１実施形態に係る水供給ユニット１００（図１参照）と同等の構成を採用している。そのため、図２８には同一の参照符号を付し、説明を省略する。水供給ユニット６００の水ノズル６１は、載置台６０７に載置された収容器本体６０３の上方で、その吐出口５３を下方に向けて配置されている。

基板収容器６０２は、側方に開口６０３Ａを有する有底箱状の収容器本体６０３と、収容器本体６０３の開口６０３Ａを開閉するための蓋６０４（図２８では、蓋６０４の閉状態を示している）と、収容器本体６０３の内壁に取り付けられた多段の収容器支持棚６０６と、蓋６０４に取り付けられた多段の蓋支持棚６０５とを含む。開口６０３Ａを介して収容器本体６０３の内部に対し、基板Ｗの出し入れが行われる。収容器本体６０３および蓋６０４は、それぞれ、たとえば塩ビ(poly-vinyl-chloride)等の樹脂材料を用いて形成されている。収容器本体６０３は、略立方形状の外郭形状を有し、図２８に示すように、開口側が底部側に比べてやや大径を有していてもよい。この場合、収容器本体６０３の上面は傾斜面を有している。

洗浄処理では、水供給ユニット６００から基板収容器６０２の収容器本体６０３の外壁に対してＤＩＷが供給される。具体的には、水バルブ１４が開かれ、水供給配管１３を流通するＤＩＷが水ノズル６１に供給される。これにより、水ノズル６１の吐出口５３から、収容器本体６０３の外壁の上面に向けて下向きにＤＩＷが吐出される。また、制御装置４０は、軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に軟Ｘ線を発生させて、この軟Ｘ線を、水ノズル６１の第１ノズル配管５１の内部に向けて照射させる。これにより、第１ノズル配管５１内を流通しているＤＩＷに、軟Ｘ線が照射される。

収容器本体６０３の外壁の上方の側面に供給されたＤＩＷは、傾斜面からなる当該上方の側面および底面を伝って流下する。これにより、収容器本体６０３の外壁にＤＩＷの液膜が形成される。この液膜によって、収容器本体６０３の外壁に付着している汚れやゴミなどが洗い流される。
洗浄処理中に、第１ノズル配管５１内に存在しているＤＩＷに軟Ｘ線が照射されると、第１ノズル配管５１内におけるＤＩＷの照射部分５４（図５参照）において、水分子の励起により当該水分子から電子が放出される。その結果、多量の電子と、水分子の多量の正イオンとが混在するプラズマ状態が、ＤＩＷの照射部分５４に形成される。

洗浄処理中における、水ノズル６１に対するＤＩＷの供給流量は、比較的大流量（基板収容器６０２の大きさ等に応じてたとえば１〜１０L/min）に設定されている。そのため、水ノズル６１の吐出口５３から吐出されるＤＩＷの態様が、吐出口５３と収容器本体６０３の外壁との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。そのため、収容器本体６０３の外壁にＤＩＷの液膜が形成される。この液膜によって、収容器本体６０３の外壁に形成された液膜６３とＤＩＷの照射部分５４とが、ＤＩＷを介して繋がっている。また、水ノズル６１のノズル配管内では、ＤＩＷが液密状態にある。

収容器本体６０３の外壁が正に帯電しているとすると、ＤＩＷの照射部分５４と、正に帯電している基板Ｗの下面との間の電位差で、ＤＩＷの照射部分５４からの電子が、基板Ｗの下面に接液しているＤＩＷの液膜に向けて、連続流状のＤＩＷを伝って移動する。これにより、収容器本体６０３の外壁に接液しているＤＩＷの液膜が多量の電子を有するようになる。
このとき、ＤＩＷの液膜６３とＤＩＷの照射部分５４とが、ＤＩＷを介して繋がっている。

以上により、第１４実施形態によれば、洗浄処理時における収容器本体６０３の帯電を防止できる。また、洗浄処理前から収容器本体６０３が帯電していても、その収容器本体６０３に帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。
なお、第１４実施形態では、収容器本体６０３を洗浄する場合を例に挙げて説明したが、蓋６０４や、支持棚６０５，６０６を洗浄する場合にも、同様に洗浄方法を採用することにより、蓋６０４や支持棚６０５，６０６の除電を図りつつ、蓋６０４や支持棚６０５，６０６に洗浄処理を施すことができる。

また、基板収容器６０２として、ＦＯＳＢを例に挙げて説明したが、専ら、半導体ウエハメーカの工場内で基板Ｗを搬送するために用いられ、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を挙げることもできる。その他、基板収容器６０２として、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）や、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を例示することもできる。

また、収容器は、基板Ｗを収容するものに限られず、収容器として、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーディスク等の円盤状のメディアを収容するメディア収容器や、レンズ、ミラー、回折格子等の光学部品を収容する部品収容器を、処理対象物とすることができる。
次に、軟Ｘ線照射ユニットを内蔵する水供給ユニットからのＤＩＷ（水の一例）の供給によって、シリコンウエハ、ガラス基板、収容器等の処理対象物を除電できることを確認するための除電試験を行った。この除電試験の内容および結果について、以下説明する。

図３０は、除電試験に用いられる試験装置６５１を説明するための図である。
試験装置６５１は、樹脂製の有底状の容器６５２と、容器６５２内で、帯電体Ｅを保持する帯電体保持台６５３と、帯電体保持台６５３に保持されている帯電体Ｅに対して、処理液を供給するための水供給ユニット６５４と、帯電体保持台６５３に保持されている帯電体Ｅを帯電させつつ、当該帯電体Ｅの帯電量を計測するための帯電プレートモニタ６５５と、帯電プレートモニタ６５５にて計測された帯電量を記録するためのレコーダ６５６とを含む。帯電プレートモニタ６５５は、帯電体Ｅと導通する金属プレート６７１を有している。帯電プレートモニタ６５５の一例としてイオンシステムズ社製CPM210を例示でき、また、レコーダ６５６の一例として日置電機株式会社製HIOKI8841を例示できる。

水供給ユニット６５４は、水ノズル６６１と、水ノズル６６１内を流通するＤＩＷ（水の一例）に軟Ｘ線を照射するための軟Ｘ線照射ユニット６６２と、水ノズル６６１に対し、ＤＩＷタンク６７０からのＤＩＷを供給する水供給配管６６３とを含む。軟Ｘ線照射ユニット６６２は、水供給配管６６３に取り付けられている。水供給配管６６３には、水供給配管６６３の開閉および開度を調節するためのバルブ６６４が介装されている。

水ノズル６６１は、電離チャンバ６６５と、電離チャンバ６６５内にＤＩＷを流入させるための入口６６６Ａを有する流入口部６６６と、電離チャンバ６６５内を流通したＤＩＷの出口６６７Ａを有する流出口部６６７とを有する。電離チャンバ６６５は矩形扁平状に形成されており、電離チャンバ６６５の内部空間は、流通方向の長さ約100mm×流通方向の幅約5mm×流通方向の奥行約60mm の矩形空間に設定されている。

軟Ｘ線照射ユニット６６２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線照射ユニット６２と同等の構成を採用している。軟Ｘ線照射ユニット６６２は、第１実施形態に係る軟Ｘ線発生器２５（図２参照）に相当する軟Ｘ線発生器を有している。この軟Ｘ線発生器として軟Ｘ線イオナイザー（L9490。浜松ホトニクス（株）製）を例示できる。軟Ｘ線照射ユニット６６２において、第２開口２８（図２参照）に相当する丸型開口の直径はたとえば17mmである。

この除電試験では、計測対象の帯電体Ｅとして、角形の金属板（130mm×93 mm×厚み1mm）が用いられる。基板保持台６５３は、帯電体Ｅを、水平面に対し所定角度傾斜する傾斜姿勢に保持する。帯電体Ｅが基板保持台６５３によって保持された状態では、基板保持台６５３に含まれるＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）製のブロック６６８により、帯電体Ｅが容器６５２と絶縁されている。帯電体Ｅの上端部と、出口６６７Ａとの間の間隔は、たとえば55mmである。

この試験装置６５１において、以下の手順で実験を行う。
第１工程：バルブ６６４を調節して、水ノズル６６１の出口６６７ＡからＤＩＷ（この場合、導電率：1μS/cm以下）を、液滴状（非連続流状）で滴下させる。液滴状とは、液滴と次の液滴とが繋がらない状態をいう。
第２工程：帯電プレートモニタ６５５の金属プレート６７１を介して帯電体Ｅを帯電させ、軟Ｘ線照射ユニット６６２の軟Ｘ線発生器をオン／オフさせて、そのときに帯電体Ｅの電位が+/-4.5kV →+/-3.5kVまで減衰する時間（除電時間）を、帯電プレートモニタ６５５と、レコーダ６５６とを用いて計測した。
第３工程：次いで、バルブ６６４を調節して、水ノズル６６１の出口６６７ＡからＤＩＷを一定流量（0.77L/minまたは0.08L/min）で連続流状（液柱状に流れている状態）で流下させる。このとき、水ノズル６６１の高さを可変とし、水ノズル６６１の出口６６７Ａから帯電体Ｅの上端までの距離が、55mm、1000mmおよび3000mmである場合をそれぞれ計測
した。距離が1000mmおよび3000mmの場合は、コイル状に巻回されたφ6×4mm塩化ビニールチューブを水ノズル６６１の先端に取り付けた。
第４工程：帯電プレートモニタ６５５の金属プレート６７１を介して容器６５２内の帯電体Ｅを帯電させ、軟Ｘ線発生器をオン／オフさせて、そのときに帯電体Ｅの電位がが+/-1kV →+/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）を、帯電プレートモニタ６５５と、レコーダ６５６とを用いて計測した。この実験結果を、表１〜表３に示す。

ＤＩＷを液滴状に滴下した場合の実験結果を表１に示す。表１に示すように、軟Ｘ線発生器のオン／オフに拘らず、帯電体Ｅの電位が+/-4.5kV → +/-3.0kVまで減衰する時間（除電時間）がほぼ一定であった。表１に示す実験結果から、ＤＩＷを液滴状に滴下した場合は、帯電体Ｅがほとんど除電されていないことがわかる。

ＤＩＷを連続流状に流下させた場合の実験結果を表２に示す。表２に示すように、ＤＩＷの流量が0.774L/minのときおよび0.08L/minのときの双方において、軟Ｘ線発生器のオンにより帯電体Ｅの電位が+/-1kV → +/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）が短くなった。この場合の除電時間は1秒間強である。表２に示す実験結果から、ＤＩＷを連続流状に流下させた場合には、除電性能が向上することがわかる。

ＤＩＷを連続流状に流下させさせながら、水ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離の影響を変化させた場合の実験結果を表３に示す。表３に示すように、水ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離が長くなるに従って、帯電体Ｅの電位が+/-1kV → +/-0.1kVまで減衰する時間（除電時間）が僅かに長くなるが、この距離が3000mmの場合であっても1〜2秒間で除電できる。このことから、水ノズル６６１の出口から帯電体Ｅまでの距離は、除電性能に大きな影響を及ぼさないことがわかる。

これらの実験結果から、軟Ｘ線照射ユニットを内蔵する水供給ユニットからのＤＩＷの供給によって処理対象物を除電する除電原理は以下のように推定される。すなわち、軟Ｘ線照射により励起された水分子から電子が放出され、この照射部分は、軟Ｘ線により励起された水分子の正イオンと電子が混在したプラズマ状態になっている。
処理対象物が正に帯電しているときは、ＤＩＷの照射部分と帯電している処理対象物との間の電位差で、電離部の電子が正に帯電している処理対象物に向かって移動し、正に帯電している処理対象物は除電される。また、処理対象物が負に帯電しているときは、帯電している処理対象物から電離部の正イオンに向かって電子が移動し、負に帯電している処理対象物は除電される。

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
第１〜第８、第１３および第１４実施形態において、水ノズル６１，２０２，２１２，５３１のノズル配管の先端部にそれぞれ電極５６（図１、図８、図１０（ａ）、図１１、図１２、図１４、図１５（ａ）、図１６、図２４および図２８参照）が設けられているとして説明したが、この電極５６をノズル配管に設けない構成であってもよい。この場合、電源５７（図３参照）も省略される。

逆に、第１２実施形態の水ノズル４０９の先端部や第６および第１１実施形態のカップ用ノズル２２４，３１３の先端部に電極５６を設け、電極５６に、電源５７（図３参照）によって装置グラウンドに対する電圧が印加されるようになってもよい。
また、図４、図１８、図２２、図２４、図１４、図２０に二点鎖線で示すように、第４、第１０、第１２および第１３実施形態の水供給配管２０４，３０７，４１０，５３３や第６および第１１実施形態の分岐配管２２２，３１２に、液検出センサ（処理液検出手段）１０１が配置されていてもよい。液検出センサ１０１は、水供給配管２０４，３０７，４１０，５３３や分岐配管２２２，３１２内の所定の水検出位置１０２でのＤＩＷの存否を検出するためのセンサである。この場合、水検出位置１０２は、水供給配管２０４，３０７，４１０，５３３や分岐配管２２２，３１２に形成される開口（軟Ｘ線が照射される開口）と同じ位置あるいは近い位置に設定されている。また、この場合には、図７の処理と同等の処理を実行することもできる。

また、第４、第５、第１２および第１３実施形態において、水ノズル２０２，２１２，４０９，５３１の吐出口２０２Ａ，２１６，４０９Ａ，５３１Ａならびに第６および第１１実施形態のカップ用ノズル２２４，３１３の吐出口２２４Ａ，３１３Ａに、第３実施形態に係る繊維状物質をそれぞれ設けることもできる。
また、第６および第１１実施形態では、分岐配管２２２，３１２の先端に設けられたノズル２２４，３１３からのＤＩＷを用いてカップ１７の除電を行うとしたが、このようなノズル２２４，３１３からのＤＩＷを用いて、第２ノズル配管２３２（図１５（ａ），１５（ｂ）参照）の除電を行うようにしてもよい。

また、第６および第１１実施形態において、分岐配管２２２，３１２に軟Ｘ線照射ユニット２２３，３１９を配置するとして説明したが、軟Ｘ線照射ユニット２２３，３１９が水供給配管２０４，３０７にそれぞれ配置されていてもよい。
また、第７、第８および第１４実施形態に係る水供給ユニット２３０，２５０，６００ では、第１実施形態に係る水供給ユニット１００と同等の構成を採用するとして説明したが、第４実施形態に係る水供給ユニット２００（図１参照）、第５実施形態に係る水供給ユニット２２０と同等の構成を採用することもできる。

また、第１０〜第１２実施形態において、水ノズル３０２から基板Ｗの上面に水を供給するとして説明したが、水ノズル３０２に代えて、第１〜第３実施形態に係る水供給ユニット１００（図１参照）や、第４実施形態に係る水供給ユニット２００（図１参照）、第５実施形態に係る水供給ユニット２２０を採用することもできる。
また、第１０〜第１２実施形態において、基板Ｗに両面リンスを施す場合を例に挙げて説明したが、第１０〜第１２実施形態において、基板Ｗの下面のみをリンス処理するようにしてもよい。この場合、図１８、図２０および図２２に示す構成から、水ノズル３０２、水供給配管３０３および水バルブ３０４をそれぞれ取り除いた構成を採用することが可能である。

また、第１１実施形態に係る軟Ｘ線照射装置３１４を、第１〜第１０および第１２実施形態において、処理室３内に配置することもできる。この場合、軟Ｘ線照射装置３１４からの軟Ｘ線がカップ上部１９に照射されるようになっていてもよい。
また、第１〜第１２および第１４実施形態において、１つのノズル６１，２０２，２１２，３０６，４０９から処理対象物（基板Ｗや基板収容器６０２、第２ノズル配管２３２）に、ＤＩＷ（水の一例）を供給する場合を例に挙げて説明したが、複数のノズルからＤＩＷを供給するようにしてもよい。この場合、第１３実施形態の水供給ユニット５００のように、ノズル６１，２０２，２１２，３０６，４０９にＤＩＷを供給するための複数の水供給配管の上流端が水集合配管に接続されており、かつ当該水集合配管内に存在しているＤＩＷに、軟Ｘ線照射ユニットからの軟Ｘ線が照射されるようになっていることが好ましい。

また、第１〜第１４実施形態では、たとえば、窓部材７１の外表面７１Ｂを覆う親水性皮膜３８として、親水性を有するＤＬＣ（Diamond Like Carbon）皮膜や、親水性を有するフッ素樹脂皮膜、炭化水素樹脂皮膜などを用いることができる。
また、窓部材７１を、ポリイミド樹脂を用いて形成することもできる。この場合、窓部材７１に軟Ｘ線を透過させることができる。また、ポリイミド樹脂は化学安定性に優れているので、窓部材７１を長期にわたって使用し続けることができる。この場合、外表面７１Ｂを親水性皮膜３８で覆う必要はない。

前述の第１〜第１４実施形態では、軟Ｘ線が照射され、かつ吐出口から吐出される水の一例としてＤＩＷを挙げたが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれか水として採用することもできる。
また、軟Ｘ線が照射され、かつ吐出口から吐出される処理液として、薬液（希釈薬液）を採用することもできる。この場合、薬液としては、所定濃度に希釈されたフッ酸、BHF（Bufferd HF）、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、アンモニア水、ＨＰＭ（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）等を用いることができる。

さらには、処理液を供給しつつ、基板Ｗの表面や周縁部をブラシやスクラバで洗浄する処理において、処理液の供給と並行して、第１配管内を流通する処理液に軟Ｘ線を照射することもできる。
また、第１〜第１４実施形態においては、Ｘ線のなかでも比較的波長が長い「軟Ｘ線」を照射するものをＸ線照射手段として用いたが、これに限らず、比較的波長が短い「硬Ｘ線」（０．００１nm〜０．１nm）を用いることもできる。この場合、装置のオペレータ等の人体に対する安全のため、例えば装置のオペレータ側の面を相当の厚みを有する鉛板で覆うなど、Ｘ線の装置外への漏洩を遮蔽する遮蔽構造を設けるか、あるいはＸ線照射時におけるオペレータの装置周辺への立ち入りを禁止するなどの対応をとることが望ましい。なお、各実施形態にある軟Ｘ線を照射するものを用いれば、硬Ｘ線を照射するものとくらべ、装置が小型で安価ですみ、また人体等に対する遮蔽も比較的容易である。

なお、基板Ｗとして、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板を例に挙げて説明したが、基板Ｗにはその他に、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコンやガラスの他、ＳｉＣ、石英、サファイヤ、プラスチック、セラミック等を例示することができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 基板処理装置
４ スピンチャック（基板保持回転手段）
６ 一体型ヘッド
６Ａ 一体型ヘッド
６Ｂ 一体型ヘッド
１７ カップ（液受け部材）
２５ 軟Ｘ線発生器（Ｘ線発生器）
２６ カバー
２７ 気体ノズル（気体供給手段）
３５ 照射窓
３７ 気体バルブ（気体供給手段）
３８ 親水性皮膜（皮膜）
４０ 制御装置（Ｘ線照射制御手段）
５１ 第１ノズル配管（処理液配管）
５１Ａ 第１ノズル配管（処理液配管）
５２ 第１開口（開口、Ｘ線の照射位置）
５２Ａ 第３開口（開口、Ｘ線の照射位置）
５３ 吐出口
５６ 電極
５７ 電源
６１ 水ノズル（処理液ノズル）
６２ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
６５ 繊維束（繊維状物質）
７１ 窓部材
７１Ｂ 外表面（閉塞窓における処理液が流通する側の壁面）
１００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
１０１ 液検出センサ（処理液検出手段）
２００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２０１ 基板処理装置
２０２Ａ 吐出口
２０３ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
２０４ 水供給配管（処理液配管）
２１１ 基板処理装置
２１６ 吐出口
２２０ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２２１ 基板処理装置
２２２ 第１分岐配管（分岐配管）
２２４Ａ 吐出口（液受け用吐出口）
２３０ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２３１ 基板処理装置
２３２ 第２ノズル配管（第２配管）
２５０ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２５１ 基板処理装置
２６０ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２６１ 基板処理装置
２６２ 第２ノズル配管（第２配管）
２７６ 吐出口
３００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
３０１ 基板処理装置
３０６Ａ 吐出口
３０７ 水供給配管（処理液配管）
３０９ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
３１０ 水供給ユニット（処理液供給装置）
３１１ 基板処理装置
３１２ 第２分岐配管（分岐配管）
３１３Ａ 吐出口（液受け用吐出口）
４００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
４０１ 基板処理装置
４０２ スピンチャック（基板保持回転手段）
４０４ スピン軸（支持部材）
４０５ スピンベース（支持部材）
４０９Ａ 吐出口
４１０ 水供給配管（処理液配管）
４１２ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
５００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
５０１ 基板処理装置
５０４ コロ搬送ユニット（基板保持搬送手段）
５３１Ａ 吐出口
５３３ 水供給配管（処理液配管）
５３４ 軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射手段）
６００ 水供給ユニット（処理液供給装置）
６０２ 基板収容器（収容器）
Ｃ 回転軸線
Ｗ 基板

Claims (27)

1. 吐出口から処理液を吐出して、この処理液を処理対象物に供給するための処理液供給装置であって、
   処理液が内部を流通可能な第１配管であって、当該内部が前記吐出口に連通する第１配管と、
   前記第１配管内に存在する処理液に、Ｘ線を照射するＸ線照射手段とを含む、処理液供給装置。
2. 前記第１配管は、その管壁に開口を有し、
   前記開口は、Ｘ線が透過可能な材料を用いて形成された窓部材にて閉塞されており、
   前記Ｘ線照射手段は、前記第１配管内に存在している処理液に、前記窓部材を介してＸ線を照射する、請求項１に記載の処理液供給装置。
3. 前記窓部材は、ベリリウムまたはポリイミド樹脂を用いて形成されている、請求項２記載の処理液供給装置。
4. 前記窓部材における処理液が存在する側の壁面は、皮膜によりコーティングされている、請求項２または３に記載の処理液供給装置。
5. 前記皮膜は、ポリイミド樹脂、ダイヤモンドライクカーボン、フッ素樹脂および炭化水素樹脂のうちの１つ以上の材質を含む皮膜である、請求項４に記載の処理液供給装置。
6. 前記Ｘ線照射手段は、前記窓部材に対向して配置される照射窓を有し、Ｘ線を発生するとともに、発生したＸ線を前記照射窓から照射するＸ線発生器を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
7. 前記Ｘ線照射手段は、
   前記Ｘ線発生器の周囲を、当該Ｘ線発生器と間隔を空けて取り囲むカバーと、
   前記カバーの内部に気体を供給する気体供給手段とをさらに含む、請求項６に記載の処理液供給装置。
8. 前記第１配管は、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管を含み、
   前記Ｘ線照射手段は、前記第１配管内を流通している処理液に前記Ｘ線を照射する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
9. 前記処理液供給装置は、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管をさらに含み、
   前記第１配管は、前記処理液配管から分岐する分岐配管を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
10. 前記吐出口に配置され、当該吐出口から吐出される処理液が伝って流れる繊維状物質をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
11. 前記第１配管における前記Ｘ線の照射位置よりも、処理液流通方向の下流側に配置された電極と、
    前記電極に対して電圧を印加する電源とをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
12. 前記電極は、前記第１配管の先端部に配置されている、請求項１１に記載の処理液供給装置。
13. 前記第１配管において、前記Ｘ線の前記照射位置における処理液の有無を検出するための処理液検出手段と、
    前記照射位置に処理液が存在するときには、前記Ｘ線照射手段によるＸ線の照射を実行するとともに、前記照射位置に処理液が存在しないときには、前記Ｘ線照射手段によるＸ線の照射を行わないＸ線照射制御手段とをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
14. 基板を保持する基板保持手段と、
    請求項１〜１３のいずれか一項に記載の処理液供給装置とを含み、
    前記吐出口から吐出された処理液を前記基板の主面に供給する、基板処理装置。
15. 前記基板保持手段は、基板を水平姿勢に保持しつつ、鉛直な所定の回転軸線周りに回転させる基板保持回転手段を含み、
    前記基板処理装置は、前記基板保持回転手段の周囲を包囲する筒状の液受け部材をさらに含み、
    前記処理液供給装置は、前記吐出口に向けて処理液が内部を流通する処理液配管をさらに含み、
    前記処理液供給装置の前記第１配管は、前記処理液配管から分岐する分岐配管を含み、
    前記分岐配管は、前記液受け部材に向けて処理液を吐出するための液受け用吐出口を有する、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記基板保持手段は、基板を水平姿勢に保持しつつ、鉛直な所定の回転軸線周りに回転させる基板保持回転手段を含み、
    前記基板保持回転手段は、前記基板の下面の少なくとも一部と接触して、当該基板を水平姿勢に支持する支持部材を有し、
    前記支持部材は多孔質材料を用いて形成されており、
    前記吐出口から吐出された処理液が前記支持部材に供給される、請求項１４または１５に記載の基板処理装置。
17. 前記基板保持手段は、前記基板を保持しながら、当該基板を所定の搬送方向に向けて搬送する基板保持搬送手段を含む、請求項１４に記載の基板処理装置。
18. 前記基板保持搬送手段は、前記基板を、前記搬送方向に沿い、かつ水平面に対し傾斜する姿勢に保持しつつ搬送する、請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 処理液供給装置の吐出口から処理液を吐出させ、この処理液を処理対象物に供給する処理液供給方法であって、
    前記吐出口を、前記処理対象物に対向して配置する対向配置工程と、
    前記吐出口に連通する第１配管の内部に存在する処理液にＸ線を照射する第１Ｘ線照射工程と、
    前記第１Ｘ線照射工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、
    前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理対象物との間で処理液が液状に繋がっている、処理液供給方法。
20. 前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなしている、請求項１９に記載の処理液供給方法。
21. 前記処理対象物は、内部を液が流通する第２配管である、請求項１９または２０に記載の処理液供給方法。
22. 前記処理対象物は、物品を収容するための収容器である、請求項１９または２０に記載の処理液供給方法。
23. 処理液供給装置の吐出口から吐出される処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
    前記吐出口を、基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置する対向配置工程と、
    前記吐出口に連通する第１配管の内部に存在する処理液にＸ線を照射する第１Ｘ線照射工程と、
    前記第１Ｘ線照射工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、
    前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記基板の主面との間で処理液が液状に繋がっている、基板処理方法。
24. 前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記基板の主面との双方に繋がる連続流状をなしている、請求項２３に記載の基板処理方法。
25. 前記基板は、前記基板保持手段によって水平姿勢に保持されており、
    前記対向配置工程は、前記吐出口を、前記基板保持手段に保持されている基板の上面に対向するように配置する工程を含む、請求項２３または２４に記載の基板処理方法。
26. 前記基板は、前記基板保持手段によって水平姿勢に保持されており、
    前記対向配置工程は、前記吐出口を、前記基板保持手段に保持されている基板の下面に対向するように配置する工程を含み、
    前記基板処理方法は、
    前記処理液吐出工程に並行して実行され、前記基板を、鉛直な所定の回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
    前記処理液吐出工程および前記基板回転工程に並行して、前記基板の上面に処理液を供給する上面処理液供給工程とをさらに含む、請求項２３または２４に記載の基板処理方法。
27. 前記処理液吐出工程の終了後に実行される液切り処理または乾燥処理に並行して実行され、前記基板の主面にＸ線を照射する第２Ｘ線照射工程をさらに含む、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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