JP2003017384A - 半導体製造装置、液処理装置、及び液処理装置の運転方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 筐体により区画される基板の搬送空間内に飛
散するパーティクルの量を監視し、パーティクルの検出
量に応じて対策をとることで製品の歩留まりを向上させ
る技術を提供すること。 【解決手段】 塗布ユニットの外装体をなす筐体内に、
回転自在なウエハ保持部を設け、該ウエハ保持部にて基
板であるウエハＷを水平保持し、その側周をカップにて
囲い、ウエハＷを回転させると共に上方から塗布液を供
給して該ウエハ表面に塗布膜を形成する。カップ外側に
はパーティクル検出手段６が設けられており、塗布膜形
成時に生じる塗布液成分のパーティクルの量を検出し、
該検出量が設定値以上になるとアラームを発し、その後
排気手段における排気流量を上昇させ飛散したパーティ
クルを塗布ユニットから速やかに排出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを
製造する装置、及び例えば半導体ウエハや液晶ディスプ
レイ用のガラス基板などの基板に対し薬液を供給する液
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）や液
晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを
形成するためのレジストパターン（マスク）は、塗布、
現像装置に露光装置を接続したシステムにより形成され
る。このようなシステムにおいて、基板への液処理例え
ばレジストの塗布は従来より例えば図７に示すような塗
布装置を用いて行われている。

【０００３】このような塗布装置では、先ず被処理体で
あるウエハＷを回転自在なスピンチャック１１により水
平に保持し、ウエハＷの中心部上方に塗布ノズル１２を
位置決めすると共にウエハＷを回転させ、しかる後塗布
ノズル１２から塗布液を供給する。このようにすること
で塗布液はウエハＷの遠心力で径方向全体に広がり、結
果として概ね均一な膜厚の塗布膜が形成されることとな
る。このときウエハＷの回転により側方に振り切られる
余分な塗布液は、ウエハＷ及びスピンチャック１１の周
囲を囲い、且つその上部側が内側上方に傾斜した筒状の
カップ１３の内壁面に当たり、下方側の液受け部１４へ
と流れ落ちて排液管と排気管とを兼用したドレインライ
ン１５から吸引される。

【０００４】また塗布ノズル１２の上方には清浄な空気
を供給するためのフィルタユニット１６が設けられてお
り、上述のドレインライン１５からの排気と相まって、
カップ１３内に下降流を形成している。これにより、高
速回転するウエハＷの表面から塗布液が飛散して、例え
ば点線で示すようにパーティクル（ミスト）が舞い上が
ったとしてもカップ１３の外側には飛び出さず、液受け
部１４側へと回収される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし飛散するパーテ
ィクルの量は常に一定ではなく、加えて例えば用力の変
動によりドレインライン１５における排気出力が変動す
ることや、或いは再現性のない一時的なトラブル等によ
り、ダウンフローの気流が乱れ、通常よりも多くのパー
ティクルが飛散してしまうことがある。このような場
合、飛散したパーティクルがウエハＷ表面に付着し、例
えば後工程として行われる露光時に付着したパーティク
ルが影となり、意図した通りのパターンが形成できない
ことがある。

【０００６】また、このような現象はスピンチャックを
用いる他の装置においても、同様に起こりうる問題であ
る。例えば現像装置であれば露光の終了したウエハＷ表
面に現像液を供給し、しかる後該ウエハＷを回転させる
と共に洗浄液を供給することで振り切るようにして現像
液を外方に洗い流すが、このとき塗布装置と同様にウエ
ハＷ表面の遠心力により現像液と洗浄液とが混じった状
態で飛散してパーティクルが発生し、一旦舞い上がった
パーティクルが既に現像済みの部分に付着する。

【０００７】更にまた、上記のような場合以外にも例え
ば半導体製造装置を構成する各駆動部などで生じたパー
ティクルが飛散し、搬送中のウエハＷ表面に付着するこ
ともあり、歩留まりの低下が問題となっていた。

【０００８】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、筐体により区画される基板
の搬送空間内に飛散するパーティクルの量を監視し、パ
ーティクルの検出量に応じて対策を講じることで製品の
歩留まりを向上させる技術を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、半導体基板が置かれる雰囲気を区画形成する筐
体と、この筐体内に設けられ、半導体基板に対して所定
の処理を行う処理ユニットと、この処理ユニットに対し
て半導体基板の受け渡しを行う搬送手段と、前記雰囲気
に清浄な気体の気流を形成する手段と、前記雰囲気内を
浮遊するパーティクルを検出するためのパーティクル検
出部と、このパーティクル検出部にて検出したパーティ
クルの量が設定値を越えたとき、アラームを発する警報
手段と、を備えることを特徴とする。

【００１０】このような構成によれば、例えば半導体基
板の搬送空間において、当該半導体基板が汚染され得る
状況となったことを、オペレータに対して速やかに知ら
しめることができ、また例えばアラーム発生時刻及び当
該時刻に処理を行っていた半導体基板について記録して
おくことで、パーティクル検出量が増加した原因の究明
が役立てることができる。

【００１１】またアラーム発生を契機に当該雰囲気内に
飛散したパーティクルを排除するような構成としてもよ
く、例えば上記構成に加えて、半導体基板が置かれる雰
囲気から排気を行うための排気手段と、パーティクル検
出部にて検出したパーティクルの量に応じて、前記排気
手段における排気流量を変化させる制御部と、を設ける
ようにすることで、仮に筐体内に急激に大量のパーティ
クルが飛散したとしても、その量に応じて排気流量を高
めることで速やかに清浄化を図ることができる。

【００１２】本発明に係る液処理装置は、筐体内に設け
られる基板保持部により基板を水平保持し、この基板の
表面に薬液の供給を行う液処理装置において、前記筐体
外部から空気を取り込み、この空気を清浄化して前記筐
体内に供給する空気供給手段と、基板から薬液が飛散し
て生じるパーティクルを検出するためのパーティクル検
出部と、このパーティクル検出部にて検出したパーティ
クルの量が設定値を越えたとき、アラームを発する警報
手段と、を備えることを特徴とする。

【００１３】この発明は、上述した半導体製造装置にお
ける筐体を液処理装置における筐体に置き換え、同様に
筐体内に飛散するパーティクルの量に応じてアラームを
発生させようとするものである。このため例えば筐体内
に排気手段を設け、アラームを契機に排気流量を変化さ
せるように構成することで、同様の効果を挙げることが
できる。但し、上述構成による液処理装置では主として
基板を回転させる際にパーティクルが発生することか
ら、基板に薬液を供給するときのみならず、例えば薬液
として塗布液または現像液を用いた場合のように、薬液
供給後に当該基板を回転させて行う洗浄液の供給時にも
効果を上げることができる。

【００１４】また本発明に係る液処理装置の運転方法
は、筐体内に設けられる基板保持部により基板を水平保
持し、この基板の表面に薬液の供給を行う液処理装置に
おいて、前記筐体外部から空気を取り込み、この空気を
清浄化して前記筐体内に供給する空気供給工程と、基板
から薬液が飛散して生じるパーティクルを検出する検出
工程と、この検出工程で検出されたパーティクルの量が
設定値を超えたとき、アラームを発する工程と、を含む
ことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る液処理装置の
実施の形態を、例えば半導体デバイスの製造に際し、基
板に対し所定のレジストパターンを形成するときに用い
るパターン形成装置を例にとって説明する。図１はこの
パターン形成装置を示す平面図であり、図２は同斜視図
である。図中２１は基板であるウエハＷが例えば１３枚
密閉収納されたカセットＣを搬入出するためのカセット
ステーションであり、このカセットステーション２１に
は前記カセットＣを載置する載置部２２と、カセットＣ
からウエハＷを取り出すための受け渡し手段２３とが設
けられている。

【００１６】カセットステーション２１の奥側には筐体
２４にて周囲を囲まれる処理部Ａ１が接続されており、
この処理部Ａ１の中央には主搬送手段２５が設けられ、
これを取り囲むように例えばカセットステーション２１
から奥を見て右側には塗布・現像系のユニットを積み重
ねてなる液処理ユニット３が、左側、手前側、奥側には
加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニッ
トＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。上述した主
搬送手段２５は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛
直軸周りに回転自在に構成されており、液処理ユニット
３及び棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニッ
ト間でウエハＷの受け渡しを行うことが可能となってい
る。また、棚ユニットＵ２及びＵ３には、ウエハＷを受
け渡すための受け渡し台が設けられた図示しない受け渡
しユニットが含まれる。なお、図２では便宜上主搬送手
段２５を描いていない。

【００１７】ところで、液処理ユニット３は例えば図２
に示するように下段に２個の塗布ユニット３Ａを配置
し、その上に２個の現像ユニット３Ｂを積んだ構成とさ
れており、ここで一の液処理ユニット３について塗布ユ
ニット３Ａを例にとり、図３を参照しながらその構成を
説明する。

【００１８】図中３１は塗布ユニット３Ａの外装体をな
す筐体であり、側方には基板であるウエハＷの搬入出用
の開口部３２が形成され、天井部には例えばパターン形
成装置が設置されるクリーンルーム内の空気を取り込
み、これを清浄化して筐体３１内部に供給して下降流を
形成するフィルタユニット３３が設けられている。また
筐体３１の内部にはウエハＷを裏面側から真空吸着して
水平保持する基板保持部をなすウエハ保持部３４と、こ
のウエハ保持部３４を下方側から支持すると共に、塗布
処理時にはウエハ保持部３４を鉛直軸周りに回転させる
回転機構３５とが設けられている。またウエハ保持部３
４の上方には、例えば水平保持されたウエハＷ表面に薬
液である塗布液を供給できるように、塗布ノズルＮが設
けられており、図示しない駆動部により、例えば水平保
持したときにおけるウエハＷの中心部上方から、該ウエ
ハＷの搬入出時に搬送手段と接触しない待避位置まで移
動可能となっている。なお、ここでは便宜上塗布ノズル
Ｎへの塗布液供給系については図示を省略している。

【００１９】ウエハ保持部３４及び回転機構３５の周囲
には、ウエハ保持部３４により保持されるウエハＷを囲
むように共に筒状をなす内カップ３６と外カップ３７と
が設けられており、内カップ３６の上部側はウエハＷの
裏面近傍で外方側に屈曲し、この屈曲部位から先がウエ
ハＷの外縁よりも更に外方且つ下方側に傾斜し、いわば
傘状の液受け部３６ａを形成している。またウエハＷの
裏面近傍には、リンス液を供給してウエハＷの外縁部裏
面側に回り込んだ薬液を洗い流すためのリンス液供給手
段３６ｂが設けられている。

【００２０】一方、外カップ３７は上端がウエハＷ表面
よりも高い位置で内側上方に屈曲し、下方側は大部分が
概ね垂直の垂直壁部３７ａを形成し、一部分が前記液受
け部３６ａの傘の下に入り込むように内側に屈曲する屈
曲部３７ｂを形成する構成となっている。

【００２１】即ち、後述する液処理時においてウエハＷ
表面からこぼれ落ちる塗布液は、内カップ３６と垂直壁
部３７ａとが形成する液溜３８へと貯留され、該液溜３
８に接続する排液管４１へと流れる構成とされている。
また排液管４１の基端側にはバルブ４２及び気液分離装
置４３を介して吸引ポンプ４４が接続されている。一
方、内カップ３６と屈曲部３７ｂとが形成する流路３９
は、液受け部３６ａの傘の下に位置するため塗布液は直
接流れ込むことがなく、排気及び塗布処理時におけるパ
ーティクル吸引用として用いられる。このため流路３９
には排気管４５が接続され、バルブ４６、気液分離装置
４３を介して吸引ポンプ４４から吸引を行い、ウエハＷ
上方から外カップ３７の内側に流れる気流を形成するよ
うに構成されている。なお、パーティクルとは通常微小
粒子のことを表すが、ここでは塗布処理時において塗布
液が飛散して生じる塗布液成分からなるミストや、エッ
ジリンス時におけるリンス液及び塗布液の各々の成分を
含むミストといった液滴等をも含む用語として用いるも
のとする。

【００２２】また外カップ３７の外方には、例えば外カ
ップ３７から飛び出た塗布液のミストや筐体３１内のパ
ーティクル等を回収できるように、外カップ３７の周囲
を囲む上向き且つリング状の開口部５１を有する排気ユ
ニット５が設けられている。この排気ユニット５の基端
側には吸引管５２が接続されており、ダンパー５３及び
気液分離装置４３を介して吸引ポンプ４４へと配管され
ている。

【００２３】ところで排気ユニット５における排気流量
は、例えば制御部５４からダンパー５３内に設けられる
図示しないバタフライ弁の開度を変えることで調節可能
となっており、その調節のタイミングを例えば筐体３１
内に飛散したパーティクルの量に応じて決定できるよう
に、制御部５４にはパーティクル検出部６が接続されて
いる。また制御部５４にはパーティクル検出部６にて一
定量以上のパーティクルが検出されたとき、アラームを
発生させるための警報手段５５が接続されている。この
警報手段５５におけるアラームの発生方法としては、例
えばブザー音の鳴動、警報ランプの点灯或いは操作画面
へのアラーム表示といったものが挙げられる。

【００２４】このパーティクル検出部６の本体は例えば
塗布ユニット３Ａの外部に設けられ、例えば先端の吸引
口６１ａが筐体３１内におけるウエハＷの搬送経路近傍
となるように位置決めされる採取管６１から、塗布ユニ
ット３Ａ内を浮遊する塗布液のパーティクルを取り込
み、これをサンプルとしてカウントすることで、飛散す
るパーティクルの全体量を把握する構成とされている。
図４はパーティクル検出部６の一例を示したものであ
り、半外部ミラー型レーザーを用いたレーザーパーティ
クルカウンターを示す概略縦断面図である。このような
装置において、塗布液のパーティクルは採取管６１を介
して計測室６２内に吸引され、この計測室６２に側方側
のレーザー発振器６３から光線を当てて、パーティクル
の散乱光に基づいて、当該パーティクルの数をカウント
する構成とされている。なお図中６４、６５、６６はミ
ラーである。

【００２５】ここで再び図１及び図２に戻り説明を続け
ると、上述塗布ユニット３Ａの含まれる処理部Ａ１は、
インターフェイス部Ａ２を介して露光装置Ａ３と接続さ
れている。インターフェイス部Ａ２は、受け渡し手段２
６により前記処理部Ａ１と露光装置Ａ３とバッファカセ
ットＣ０との間でウエハＷの受け渡しを行うものであ
る。また、図２に示すように天井部２７には空気供給手
段であるファンフィルターユニット２８（２８ａ，２８
ｂ，２８ｃ）が設けられており、カセットステーション
２１、処理部Ａ１及びインターフェイス部Ａ２の夫々に
おいて区画形成されるウエハＷの搬送空間に向け、装置
外部から取り込んだ空気を清浄化して供給するように構
成されている。

【００２６】次いで上述実施の形態の作用について説明
を行うが、要部の説明に先立ち、ウエハＷの流れについ
て簡単に説明する。先ずウエハＷはカセットＣに収納さ
れた状態で載置台２２に搬入され、受け渡し手段２３に
よりカセットステーション２１内へ取り出される。そし
て受け渡し手段２３から棚ユニットＵ２の中の受け渡し
ユニットを介して主搬送手段２５へと受け渡され、塗布
ユニット３Ａでレジスト液の塗布が行われた後、主搬送
手段２５から棚ユニットＵ３の中の受け渡しユニット及
びインターフェイス部Ａ２内の受け渡し手段２６を経て
露光装置Ａ３へと搬送され、露光が行われる。なおウエ
ハＷにレジストを塗布する前には、必要に応じて棚ユニ
ットＵ１（Ｕ２、Ｕ３）に含まれる各ユニットにて疎水
化処理、冷却処理が行われ、レジストを塗布した後は、
加熱処理及び冷却処理が行われる。露光後、ウエハＷは
逆の経路で主搬送手段２５まで搬送され、現像ユニット
３Ｂにて現像され、こうして所定のレジストパターンが
形成される。

【００２７】次に本実施の形態における要部の作用につ
いて、塗布ユニット３Ａ内の排気ユニット５における排
気流量の調節に着目し、図５に示すタイムチャートを参
照しながら説明を進める。ここで図５(a)は警報手段５
５におけるアラームのＯＮ、ＯＦＦの切り替えタイミン
グを、図５(b)はパーティクル検出部６において検出さ
れるパーティクルの量の変化を、図５(c)は排気ユニッ
ト５における排気流量の変化を夫々表すものである。

【００２８】先ず塗布ユニット３Ａ内ではウエハＷが搬
入される以前から、天井に設けられるフィルタユニット
３３から清浄な空気の供給を行うと共に、排気路４５及
び排気ユニット５を介して排気を行っているため、筐体
３１内には天井部から外カップ３７内外の二手に分かれ
るダウンフローが形成されている。また、これと同時に
パーティクル検出部６では筐体３１内に浮遊する塗布液
のパーティクル量の監視が行われ、制御部５４ではパー
ティクル検出部６から送信される検出データに基づき、
パーティクルの検出値が設定値Ｐ１を越えたか否かの判
断を行っている。そしてウエハＷの搬入が行われるｔ１
時点では、当然のことながら塗布処理は開始されていな
いため、例えば図５(b)に示すようにパーティクルは検
出されず、排気ユニット５における排気流量は例えば図
５(c)に示すようにＱ１に維持されている。

【００２９】そして塗布処理を開始し、ウエハＷを回転
させながら塗布液の供給を行うと、塗布液はウエハＷ表
面の遠心力により中央部から外縁側へと広がり、ウエハ
Ｗ表面に塗布液の薄膜が形成されると共に、余分な塗布
液は外カップ３７上方の傾斜面に当たって、或いは液受
け部３６ａの斜面を伝って液溜３８へと流れ落ちる。

【００３０】ここでウエハＷは例えば２５００ｒｐｍ〜
５０００ｒｐｍ程度の速さで回転するため、塗布液の一
部はパーティクル（ミスト）となってウエハＷ上方に飛
散する。このときウエハＷ表面には既述のように、外縁
側に向きを変え、該ウエハＷと外カップとの間から下降
していく気流が形成されているため、パーティクルの大
部分は外カップ３７から飛び出ることなく排気路４５ま
たは排液管４１を介して気液分離装置４３側へと排出さ
れる。

【００３１】ところが、塗布ユニット３Ａに係る用力に
変動が生じた場合、またはフィルタユニット３３の劣
化、或いは再現性のない一時的なトラブル等により例え
ば突発的な電圧変化が生じ、吸引ポンプ４４の出力、ウ
エハＷの回転数等がオペレータの設定した通りの動作を
行わないときには、ダウンフローが乱れたり、外カップ
３７内の吸引力だけではすべてのパーティクルを回収で
きなくなってしまい、結果としてパーティクルの一部が
外カップ３７の外部に飛び出てしまうことがある。する
と、飛散したパーティクルの粒子は吸引口６１ａから吸
引され、パーティクル検出部６にてカウントされていく
ため、図５(b)のｔ２に示すようにパーティクルの検出
量が徐々に増加していく。

【００３２】そしてｔ３時点、即ちパーティクル検出部
６におけるパーティクルの検出値が設定値Ｐ１を越えた
とき、制御部５４は警報手段５５によりアラームを発し
（図５(a)参照）、同時にアラーム発生時刻及び当該時
刻において処理を行っていたウエハＷを記録する。こう
することで後にウエハＷの表面検査を行ったときに、例
えばあるウエハＷについてパーティクルの付着量が多
く、そのウエハＷの処理時にアラームが発生していれ
ば、パーティクルの付着量が多いこととアラーム発生と
の因果関係に着目して原因究明にあたることができる
等、後の解析に役立てることができる。

【００３３】アラームがＯＮになるとダンパー５３を開
いて図５(c)に示すように排気流量をＱ２まで上昇させ
る。するとパーティクルの検出量は例えば一旦Ｐ２まで
上昇した後Ｐ１以下まで急激に下降していくが、ここで
制御部５４では排気流量Ｑ２の状態を維持すると共に、
パーティクルの検出量がＰ１を下回ったか否かの判断を
行っており、検出量がＰ１を下回ればダンパー５３の開
度を元に戻し、排気流量をＱ１とする（ｔ４時点）。以
後パーティクルの検出量は緩やかに減少していく。なお
アラームは、オペレータによりＯＦＦにするようにして
もよいし、所定時間発生した後に自動的にＯＦＦとなる
ようにしてもよい。

【００３４】こうしてウエハＷ表面に塗布膜が形成され
ると、次はウエハＷ外縁から裏面側に回り込んだ塗布液
を洗い流す、いわゆるエッジリンスが行われる。このエ
ッジリンスにおいても、塗布処理と同様にウエハＷを回
転させながらリンス液供給手段からリンス液の供給を行
うため、ウエハＷの遠心力で振り切られた塗布液とリン
ス液との混じり合った液分がパーティクルとなって飛散
する場合がある。そして例えば、ｔ５時点において検出
された上記液分のパーティクルがＰ１に達すると再度排
気流量をＱ２としてパーティクルの検出量がＰ１を下回
るまでその状態を維持し、ｔ６時点でパーティクルの検
出量がＰ１まで低下すると排気流量をＱ１に戻す。こう
して例えば筐体３１内のパーティクルが一定量以下まで
排出された後、ウエハＷは搬入時と逆の経路で塗布ユニ
ット３Ａから搬出される。

【００３５】これまで述べてきたように、本実施の形態
によれば塗布ユニット３Ａにおける開口部３２からウエ
ハ保持部３４に至るまでの搬送経路近傍に塗布液のパー
ティクルを検出するパーティクル検出部６を設け、外カ
ップ３７の上方から飛び出した塗布液のパーティクルの
量を監視すると共に、パーティクルの検出量が設定値を
越えたときにアラームを発するようにしているため、例
えばオペレータに装置異常の発生を速やかに知らしめる
ことができ、更には上述したように当該異常の原因究明
に役立てることができる。

【００３６】具体例を挙げると、パーティクルの飛散は
塗布ユニット３Ａの用力変動に基づくダウンフローの乱
れや、或いはフィルタユニット３３の劣化等が主な原因
として考えられるため、アラーム発生を契機に用力関連
部位の調査を行うようにすれば、パーティクル飛散の原
因究明が容易に行える。

【００３７】また、本実施の形態ではパーティクル検出
部６にて検出したパーティクルの量に応じて排気流量を
高くする制御を行っているため、ウエハＷの搬送空間に
飛散した塗布液のパーティクルを迅速に排除することが
できる。これにより塗布膜形成後のウエハＷに対し、飛
散したパーティクルが付着するおそれが軽減し、製品の
歩留まりが向上する。

【００３８】なお、本実施の形態では、排気ユニット５
における排気流量のみを調節するようにしたが、例えば
制御部５４からバルブ５３と併せてバルブ４６またはバ
ルブ４２の開度調節を行うようにしてもよいし、或いは
排気ユニット５を設けず、カップ内側における排気調節
のみでパーティクル飛散を防ぐようにしても良い。また
パーティクルの検知量が設定値を越えたとき、制御部５
４は必ずしも排気流量の制御を行う必要はなく、アラー
ムの発生のみを行うようにしてもよい。

【００３９】また本実施の形態は、塗布ユニット３Ａを
例に説明を行ったが、他の液処理時或いは洗浄時にウエ
ハＷを回転させるような、液滴のパーティクルが飛散す
るユニットでも同様の運用が可能である。例えば現像ユ
ニット３Ｂでは洗浄時にパーティクルが発生するが、こ
のとき発生するパーティクルには現像液成分が含まれる
ため、ウエハＷ表面に付着すると現像欠陥が生じるおそ
れがあり、本実施の形態の手法にてミストの排出を行え
ば歩留まりの向上に効果的である。

【００４０】更にまた、パーティクル検出部６の用途は
塗布液などの液滴からなるパーティクル（ミスト）の検
出に限定されるものではなく、例えば駆動部位から生じ
るパーティクルの検出に用いることも可能であるため、
例えば上述実施の形態であれば筐体３１内に飛散する上
記双方のパーティクルの総量によって排気ユニット５の
排気流量を調節するようにすることも可能となる。この
場合例えば塗布液のパーティクルが飛散していないとき
であっても、回転機構３５のような駆動箇所から生じる
パーティクルの量に応じて排気流量を高めることができ
るし、またフィルタユニット３３から供給されるダウン
フローに含まれるパーティクルを検知することで、該フ
ィルタユニット３３の汚染度をも知ることが可能とな
る。このため夫々の場合におけるパーティクルの検出値
に応じて、排気出力を高めることができるため、ミスト
のみを検出していた場合に比べ、ウエハＷが汚染される
可能性をより低くすることができる。

【００４１】上述のようにパーティクル検出部は塗布液
のパーティクルのみならず、他のパーティクルについて
も検出が可能であるため、ウエハＷの搬送空間であれば
パターン形成装置内のいずれの部位であっても、パーテ
ィクル検出部と排気手段とを組み合わせ、パーティクル
の検出を行う箇所における汚染度に応じた排気流量の調
節を行う運用が可能である。具体例を挙げれば、例えば
棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３内に設けられる加熱ユニッ
トであってもよいし、処理部Ａ１における主搬送手段２
５近傍部位であってもよく、以下に後者の場合について
簡単に説明を行う。

【００４２】図６は処理部Ａ１の概略縦断面図を示すも
のであり、この第２の実施の形態においてパーティクル
検出部６から延びる採取管６１’先端の吸引口６１ａ’
は主搬送手段２５近傍に設けられる。また図１及び図２
では省略したが筐体２４の底面には排気手段７１が設け
られており、ファンフィルタユニット２８ｂとの間で気
流を形成することが可能となっている。なお図中７２は
加熱ユニット、７３は冷却ユニット、７４は受け渡しユ
ニットである。

【００４３】即ち、本実施の形態においても第１の実施
の形態と同様に、ウエハＷの搬送空間をなす主搬送手段
２５近傍に飛散するパーティクルの量を検出し、その検
出量が設定値を超えたときには警報手段５５にてアラー
ムを発し、排気手段７１における排気流量を高めるよう
な制御を行うことができる。このため例えば塗布ユニッ
ト３Ａから搬出されたウエハＷが、加熱ユニット７２へ
と搬送される際にも表面にパーティクルが付着すること
を抑えることができる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、筐体によ
り区画される基板の搬送空間内に飛散するパーティクル
の量を監視し、パーティクルの検出量に応じて対策を講
じることで製品の歩留まりを向上させる技術を提供する
ことにある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に用いられるパターン形成
装置の外観を示す平面図である。

【図２】本発明の実施の形態に用いられるパターン形成
装置の外観を示す斜視図である。

【図３】塗布ユニット及びその関連部位について示す縦
断面図である。

【図４】パーティクル検出部を説明するための概略断面
図である。

【図５】本実施の形態における作用を説明するための作
用説明図である。

【図６】第２の実施の形態における処理部Ａ１の構成を
示す概略断面図である。

【図７】従来発明に係る液処理装置を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ ３Ａ 塗布ユニット ３１ 筐体 ３３ フィルタユニット ３４ ウエハ保持部 ３５ 回転機構 ４２ 排液管 ４３ 排気管 ４４ 吸引ポンプ ５ 排気ユニット ５２ 吸引管 ４２，４６，５３ バルブ ５４ 制御部 ５５ 警報手段 ６ パーティクル検出部 ６１ 採取管 ６１ａ 吸引口

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 FA15 2H096 AA25 CA14 GA29 LA16 4D075 AC64 AC73 AC79 AC94 AC97 CA47 DA08 DB13 DB14 DC22 DC24 EA45 4F042 AA02 AA07 AA10 BA13 BA16 BA22 DE01 DE10 DH02 EB04 EB24 5F046 JA06 JA08 JA15 JA16 LA07 LA08

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板が置かれる雰囲気を区画形成
   する筐体と、 この筐体内に設けられ、半導体基板に対して所定の処理
   を行う処理ユニットと、 この処理ユニットに対して半導体基板の受け渡しを行う
   搬送手段と、 前記雰囲気に清浄な気体の気流を形成する手段と、 前記雰囲気内を浮遊するパーティクルを検出するための
   パーティクル検出部と、 このパーティクル検出部にて検出したパーティクルの量
   が設定値を越えたとき、アラームを発する警報手段と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】半導体基板が置かれる雰囲気から排気を行
   うための排気手段と、 パーティクル検出部にて検出したパーティクルの量に応
   じて、前記排気手段における排気流量を変化させる制御
   部と、を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体
   製造装置。
3. 【請求項３】 筐体内に設けられる基板保持部により基
   板を水平保持し、この基板の表面に薬液の供給を行う液
   処理装置において、 前記筐体外部から空気を取り込み、この空気を清浄化し
   て前記筐体内に供給する空気供給手段と、 基板から薬液が飛散して生じるパーティクルを検出する
   ためのパーティクル検出部と、 このパーティクル検出部にて検出したパーティクルの量
   が設定値を越えたとき、アラームを発する警報手段と、
   を備えることを特徴とする液処理装置。
4. 【請求項４】 筐体内の排気を行うための排気手段と、 パーティクル検出部にて検出したパーティクルの量に応
   じて、排気手段における排気流量を変化させる制御部
   と、を備えることを特徴とする請求項３記載の液処理装
   置。
5. 【請求項５】 薬液の供給後、基板を回転させた状態で
   基板に洗浄液の供給を行う洗浄液供給手段を備えること
   を特徴とする請求項３または４記載の液処理装置。
6. 【請求項６】 薬液は、レジストまたは現像液であるこ
   とを特徴とする請求項３、４または５記載の液処理装
   置。
7. 【請求項７】 筐体内には水平保持された基板の側方を
   囲う筒状のカップが設けられ、排気手段は、該カップの
   内側及び／または該カップの外側から前記筐体内雰囲気
   の排気を行うものであることを特徴とする請求項３ない
   し６のいずれかに記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 筐体内に設けられる基板保持部により基
   板を水平保持し、この基板の表面に薬液の供給を行う液
   処理装置において、 前記筐体外部から空気を取り込み、この空気を清浄化し
   て前記筐体内に供給する空気供給工程と、 基板から薬液が飛散して生じるパーティクルを検出する
   検出工程と、 この検出工程で検出されたパーティクルの量が設定値を
   超えたとき、アラームを発する工程と、を含むことを特
   徴とする液処理装置の運転方法。
9. 【請求項９】筐体内の排気を行う排気工程と、 検出工程にて検出したパーティクルの量に応じて、排気
   工程における排気流量を変化させる工程と、を含むこと
   を特徴とする請求項８記載の液処理装置の運転方法。