KR20090017421A

KR20090017421A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20090017421A
Application number: KR1020080077321A
Authority: KR
Inventors: 유키오 오자키; 테루오 요시노; 사토루 타카하타; 레이조 누노자와
Original assignee: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date: 2007-08-14
Filing date: 2008-08-07
Publication date: 2009-02-18
Also published as: JP5334261B2; JP2010103545A; KR101051027B1; JP2009065113A; JP4684310B2

Abstract

불활성 가스에 의한 이재실의 퍼지가 자동적으로 이루어지도록 한다.

기판을 처리하는 처리실(202)에 연접되는 이재실(102)을 가스로 퍼지하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 이재실(102) 내의 가스의 흐름을 일방향으로 배기시키는 기능과, 상기 이재실(102) 내에 불활성 분위기로 가스를 순환시키는 기능을 절체시키는 절체 수단을 가진다.

퍼지, 불활성 가스, 이재실

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 처리실 내에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 특히, 처리실에 이재실(移載室)이 연접(連接)되어 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

처리실과 이재실이 연접된 기판 처리 장치에는, 기판의 자연 산화를 방지하기 위하여, 이재실이 밀폐 구조로 되어 있고, 이재실 내를 불활성 가스로 치환하여, 산소 농도를 소정치 이하로 보지(保持)시키기 위한 퍼지(purge) 가스 도입관과 배기관이 설치되어 있다.

이재실은 기판 상의 자연 산화막의 부착을 방지하기 위하여, 산소 농도를 소정치 이하로 보지함과 동시에, 불활성 가스를 순환시키고 있다.

그러나, 처리실에서 기판을 처리한 후에, 기판의 표면을 살펴보면, 표면에 유기물이 부착하고 있는 경우가 있다. 이와 같은 유기물은, 고온으로 처리할 때 처리실의 배선이 가열됨으로써 발생하고, 웨이퍼(wafer)를 언로드(unload)할 때의 고 온 분위기와 동시에 유기물이 이재실에 확산함으로써, 기판에 부착하는 것으로 알려져 있다. 유기물을 클리닝(cleaning)하지 않고 성막을 실시한 경우에는, 유기물 등의 오염물질이 부착한 부분으로부터 막이 성장하기 때문에, 결정(結晶) 격자의 국부적인 왜곡이나 면 내의 막 두께의 불균일이 발생하는 경우가 있다.

그러나, 언로드시에, 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 것보다, 기판 상에 유기물이 부착하는 것을 방지하도록 변경하기 위해서는, 장치 구성이나 장치 파라미터(parameter)를 변경할 필요가 있다. 따라서, 장치를 두는 장소도 국한되어 있기 때문에, 동일 장치로 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 기능과 기판 상에 유기물이 부착하는 것을 방지하는 기능을, 처리시마다 절체하여 운용하는 것이 요망되고 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 이재실 내에 있어서, 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 장치로부터 절체하여, 이재실 내를 확산하는 유기물이 기판에 부착하기 전에 이재실로부터 신속하게 배기시키는 장치를 운용할 수 있도록 하고, 또한 그 반대의 운용도 하나의 장치로 실시할 수 있도록 하는데 있다.

이 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 기판을 처리를 수행하는 처리실에 연접되는 이재실을 가스로 퍼지하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 이재실 내의 가스의 흐름을 일방향으로 배기시키는 기능과, 상기 이재실 내에 불활성 분위기에서 가스를 순환시키는 기능을 절체하는 절체 수단을 갖는 기판 처리 장치를 제공한다. 웨이퍼(wafer)의 언로드의 전후 및 언로드 도중에, 이재실 내의 불활성 가스를 일방향으로 배기시키면, 이재실에 확산한 유기물이 이재실로부터 신속하게 배기된다. 유기물이 배기되기 때문에, 기판 표면에 대한 유기물의 부착이 방지된다.

본 발명에 의하면, 적어도 언로드 공정시에, 이재실 내에 있어서 기판 상에 산화막이 부착하는 것보다 유기물의 부착을 방지할 필요가 있는 경우라 하더라도, 동일 장치로 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 기능과 기판 상에 유기물의 부착을 방지하는 기능을 절체하여 운용함으로써, 유기물의 부착을 방지할 수 있다. 또한, 장치 구성이나 장치 파라미터를 변경하는 경우에도, 프로그램 변경을 실시할 필요가 없기 때문에, 동일 장치로 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 기능과 기판 상의 유기물이 부착하는 것을 방지하는 기능을 절체하는 작업을 효율적으로 행할 수 있게 되었다. 그 결과, 막 종류에 따라, 언로드시에 자연 산화막이 기판에 부착하는 것을 방지하는 기능을, 기판 상에 유기물이 부착하는 것을 방지하는 기능으로 절체할 수 있는 운용을 효율적으로 행할 수 있게 되었다.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명하고, 다음에, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 대하여 설명한다.

도 1은 기판 처리 장치의 정면도, 도 2는 도 1의 측면도이다.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 실리콘 등으로 이루어지는 웨이퍼(피처리 기판, 200)를 수납한 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)로서 후프(FOUP, Front Opening Unified Pod, 기판 수용기. 이하, 포드라고 함, 110)가 사용된다. 포드(110)에는, 현재, FOUR라는 타입이 주류로 사용된다. 이 포드(110)는 일측면에 설치된 개구부를 덮개(도시하지 않음)로 막음으로써 웨이퍼(200)를 대기로부터 격리하여 반송하고, 덮개를 제거함으로써 포드(110) 내에 대한 웨이퍼(200)를 출입할 수 있도록 되어 있다.

광체(筐體)(111)의 정면벽(111a)에는 포드 반입 반출구(기판 수용기 반입 반출구)(112)가 광체(111)의 내외를 연통(連通)하도록 개설되어 있고, 포드 반입 반출구(112)는 프론트 셔터(front shutter, 기판 수용기 반입 반출구 개폐 기구)(113)에 의해 개폐되도록 되어 있다.

포드 반입 반출구(112)의 정면 전방 측에는 로드 포트[load port, 기판 수용기 수도대(受渡臺)](114)가 설치된다.

로드 포트(114)는 포드(110)를 재치(載置)하고 위치 맞춤 하도록 구성된다.

포드(110)는 로드 포트(114) 상에 공정 내 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 반입되고 아울러 로드 포트(114) 상으로부터 반출된다.

광체(111) 내의 전후방향의 대략 중앙부에 있어서의 상부에는, 회전식 포드 선반(기판 수용기 재치 선반)(105)이 설치되어 있고, 회전식 포드 선반(105)은 복수 개의 포드(110)를 보관하도록 구성되어 있다. 즉, 회전식 포드 선반(105)은 수직으로 입설(立設)되어 수평면 내에서 간헐적으로 회전되는 지주(支柱)(116)와, 지주(116)에 상중하단의 각 위치에 있어서 방사 형상으로 지지된 복수 매의 선반용 판자(기판 수용기 재치대)(117)를 구비하고 있고, 복수 매의 선반용 판자(117)는 포드(110)를 복수 개씩 각각 재치한 상태로 보지하도록 구성되어 있다.

광체(111) 내에 있어서, 로드 포트(114)와 회전식 포드 선반(105) 사이에는, 포드 반송 장치(기판 수용기 반송 장치)(118)가 설치된다.

포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지한 채 승강할 수 있는 포드 엘리베이터(pod elevator, 기판 수용기 승강 기구)(118a)와 반송 기구로서의 포드 반송 기구(기판 수용기 반송 기구)(118b)로 구성되어 있고, 포드 반송 장치(118)는 포드 엘리베이터(118a)와 포드 반송 기구(118b)의 연속 동작에 의하여, 로드 포트(114), 회전식 포드 선반(105), 포드 오프너(pod opener, 기판 수용기 덮개 개폐 기구)(121) 사이에 포드(110)를 반송하도록 구성된다.

광체(111) 내의 전후방향의 대략 중앙부에 있어서의 하부에는, 서브 광체(119)가 후단에 걸쳐 구축되어 있다.

서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(기판 반입 반출구)(120)가 한 쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 정렬하여 개설되어 있고, 상하단의 웨이퍼 반입 반출구(120, 120)에는 한 쌍의 포드 오프너(121, 121)가 각각 설치되어 있다.

포드 오프너(121)는 포드(110)를 재치(載置)하는 재치대(122, 122)와 포드(110)의 캡(덮개)을 착탈하는 캡 착탈 기구(덮개 착탈 기구)(123, 123)를 구비하고 있다.

포드 오프너(121)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡(cap)을 캡 착탈 기구(123)에 의하여 착탈함으로써, 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성되어 있다.

서브 광체(119)는 포드 반송 장치(118)나 회전식 포드 선반(105)의 설치 공간으로부터 유체적으로 격절(隔絶)된 이재실(102)을 구성하고 있다. 이재실(기밀실)(102)는, 웨이퍼(200)의 반송 구역(area)으로서, 그리고, 후술하는 보트(boat, 기판 보지 수단)(217)의 로딩(loading), 언로딩(unloading) 공간으로서 사용된다.

＜이재실＞

이재실(102)은 웨이퍼(200)의 자연 산화를 방지하기 위하여, 처리실(202)의 감압에 대응하는 밀폐 용기로 되어 있고, 불활성 가스가 충만되어 있다. 불활성 가스에는, 여러 가지 가스를 사용할 수 있는데, 본 실시 형태에서는 저렴한 N₂ 가스가 사용되고 있다.

이재실(102)의 전측(前側) 영역에는 웨이퍼 이재 기구(기판 이재 기구)(125)가 설치되어 있고, 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼(200)를 수평 방향으로 회전 내지 직동 가능한 웨이퍼 이재 장치(기판 이재 장치)(125a) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(기판 이재 장치 승강 기구)(125b)로 구성되어 있다.

도 1에 나타나 있는 바와 같이 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는, 내압성인 광체(111)의 우측 단부와 서브 광체(119) 이재실(102)의 전방 영역 우단부와 의 사이에 설치된다.

이들 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해, 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(tweezer, 기판 보지체)(125c)를 웨이퍼(200)의 재치부로 하여, 트위저(기판 보지체)(125c)에 의해 보트(기판 보지구)(217)에 대한 웨이퍼(200)의 장전(charge) 및 탈장(discharge)이 이루어진다.

이재실(102)의 후방 영역에는, 보트(217)를 수용하여 대기시키는 대기부(126)가 구성되어 있다.

대기부(126)의 상방에는 반응로(201)가 설치되고, 반응로(201)의 하부는 노구(爐口) 셔터(노구 개폐 기구)(147)에 의하여 개폐되도록 구성된다. 반응로(201)에는 처리실(202)이 설치된다. 처리실(202)의 구획벽은 석영(석영 유리 등), 세라믹 등 전기적으로 절연 가능한 유전재료로 구성되어 있다.

처리실(202)은 유전체로 이루어지는 구획벽과 상기 씰 캡(seal cap)(129)으로 기밀하게 구획되어 있고, 히터(13)가 처리실(202) 구획벽을 둘러싸도록 설치된다.

한편, 상기 처리실(202)에는 배기관(도시하지 않음)이 연통하고 있고, 배기관의 하류에 감압 배기 장치로서의 진공 펌프(도시하지 않음)가 접속된다. 또한, 처리실(202)에는, 처리 가스(성막 원료 가스, 산화 가스, 에칭 가스 등)를 도입하기 위한 가스 도입관이 접속된다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 상기 광체(111)의 우측 단부와 서브 광체(119) 의 대기부(126)의 우단부 사이에는 보트(217)를 승강시키기 위한 보트 엘리베이터(기판 보지구 승강 기구)(115)가 설치된다.

보트 엘리베이터(115)의 승강대에 연결된 연결구로서의 엘리베이터 암(elevator arm)(128)에는 상기 씰 캡(129)이 수평으로 설치되어 있다.

씰 캡(129)은 보트(217)를 수직으로 지지하고, 반응로(201)의 하부를 개폐하는 덮개로 구성되어 있다. 이 씰 캡(129)은 상기 보트 엘리베이터(115)의 엘리베이터 암(128)에 지지되어 있다. 보트 엘리베이터(115)에 의해 엘리베이터 암(128)이 상승하고, 씰 캡(129)이 반응로(201) 처리실(202)의 노구를 폐쇄한 단계에서, 보트(217)의 처리실(202) 삽입이 종료한다. 보트 엘리베이터(115)의 엘리베이터 암(128)을 하강시키면, 보트(217)는 처리실(202)로부터 반출된다.

이재실(102)의 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)측 및 보트 엘리베이터(115)측과 반대측인 좌측 단부에는, 청정화된 대기 또는 불활성 가스인 클린 에어(clean air)(133)를 공급하도록, 흡기 덕트(후술함)가 설치되고, 흡기 덕트(후술함)에 공급 팬(fan) 및 필터(도시하지 않음)로 구성된 클린 유닛(134)이 장착되어 있다.

그리고, 웨이퍼 이재 장치(125a)와 클린 유닛(134) 사이에, 웨이퍼(200)(피처리 기판)의 원주 방향의 위치를 정합시키는 기판 정합 장치로서 노치(notch) 맞춤 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.

클린 유닛(134)으로부터 뿜어낸 클린 에어(133)는, 노치 맞춤 장치 및 웨이퍼 이재 장치(125a), 대기부(126)에 있는 보트(217)로 유통된 후, 배기 덕트(후술 한다)로부터 흡입되어, 광체(111) 외부로 배기되거나 또는 후술하는 바와 같이 순환 라인(후술함) 흡입구에 흡입되어 클린 유닛(134)으로부터 다시 이재실(102) 내로 뿜어내어, 이재실(102) 내를 순환한다.

상기 보트(217)에는 후술하는 바와 같이 복수 개의 보지 부재(217c, 217d)가 설치된다.

도 3은 이재실(102)을 소정의 가스로 퍼지하도록 제어하기 위한 일례를 나타내는 해설도이다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 이재실(102)에는, 보트 설치측과 반대측에 흡기 덕트(300)가 구획되어 있고, 흡기 덕트(300)의 도입구에 흡기관(303)이 접속되어 있다. 흡기 덕트(300)의 배기구는 이재실(102)의 저부(底部) 부근에 개구(開口)하고 있다. 흡기 덕트(300)에는, 그 상류측과 하류측에 각각 개폐 밸브(AV65, AV68)가 설치되어 있고, 상류측의 개폐 밸브[AV65(DV1)]와 하류측의 개폐 밸브(AV68) 사이에 분출구(301)가 형성되어 있다.

분출구(301)에는 상기 클린 유닛(134)이 장착되어 있다.

이재실(102)을 퍼지하는 계통은, 배기 덕트(312)와, 퍼지 가스 도입관(302a)으로 구성된다.

퍼지 가스 도입관(302a)은 클린 유닛(134)측과 반대측으로부터 이재실(102)의 구획벽을 관통하여 상기 흡기 덕트(300) 내에 삽입되고, 클린 유닛(134)의 배면부의 접속부에 접속된다.

퍼지 가스 도입관(302a)의 가스 배출구는, 처리실(202)의 노구 부근에 개구 된다.

각 퍼지 가스 도입관(302a)에는, 매스 플로 미터(mass flow meter)에 의하여 유량이 피드백 제어되는 매스 플로 컨트롤러(N2MFC＃1)가 설치된다.

배기 덕트(312)의 도입구는, 상기 보트(217) 및 상기 웨이퍼 이재 장치(125a)를 사이에 두고 그 반대 측에 설치되어 있고, 이재실(102)의 저면 부근에 개구하고 있다.

배기 덕트(312)의 배기구는, 상기 처리실(202)로부터 처리실 내 분위기 내지 처리가 완료된 가스를 배기하기 위한 가스 배출관(313)에 접속되어 있다.

퍼지 가스 도입관(302a) 및 배기 덕트(312)에는, 각각 개폐를 위하여 개폐 밸브[AV56(LA1), AV66(DV2)]가 설치되어 있다. 또한, 배기 덕트(312)에는 산소 농도계(OV1)가 설치되어 있다.

배기 덕트(312)의 도입구가 이재실(102) 저면 부근에 개구하고 있으면, 이재실(102)을 정체됨이 없이 배기시킬 수 있게 된다. 마찬가지로, 흡기 덕트(300)의 도입구가 이재실(102)의 천정 부근에 개구하고, 흡기 덕트(300)의 배기구가, 이재실(102)의 저면 부근에 개구하고 있으면, 이재실(102) 내를 정체됨이 없이 순환시킬 수 있다.

또한, 상기 개폐 밸브(AV56, AV65, AV66, AV68)의 개폐를 조합하면, 이재실(102)을 대기(大氣) 또는 불활성 가스 분위기로 절체할 수 있고, 또한, 불활성 가스를 이재실(102) 내에서 순환시킬 수 있다. 한편, 305는 이재실의 온도를 조절하기 위한 라디에이터(radiator)이다.

＜대기 도입＞

대기 도입의 경우는, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]를 「닫힘」으로, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브[AV65(DV1)], 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브(AV68)를 「열림」으로, 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]를 「닫힘」으로 한다.

이와 같이 하면, 클린 룸(clean room) 내의 대기가 도입되고, 이재실(102)이 대기압으로 되기 때문에, 포드(110)와 웨이퍼 이재 장치(125a) 사이에서 웨이퍼(200) 반송이 가능하게 된다.

＜퍼지＞

퍼지의 경우는, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브[AV65(DV1)]를 「닫힘」으로, 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]를 「열림」으로, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]를 「열림」으로 한다.

이와 같이 하면, 불활성 가스가 불활성 가스 공급원, 예를 들면, 불활성 가스 공급 봄베로부터 이재실(102) 내에 도입되고, 이재실(102)의 분위기가 배기 덕트(312)로부터 배출되기 때문에, 이재실(102) 내가 불활성 가스 분위기, 예를 들면, 질소 가스로 치환된다.

이재실 내가 불활성 가스로 치환되면, 산소 농도가 저하하므로, 이재실(102) 내에서의 웨이퍼(200)의 자연 산화가 방지된다.

＜이재실 내 분위기의 순환＞

불활성 가스를 순환시키는 경우는, 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]를 「열림」으로, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브(AV68)를 「열림」으로, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브[AV65(DV1)]를 「닫힘」으로 하여, 클린 유닛(134)의 공급 팬을 구동한다. 또한, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]를 「닫힘」으로 한다.

이재실 내는, 이재실(102) 내를 순환하는 동안에, 클린 유닛(134)의 필터에 의해 청정화되기 때문에, 먼지에 의한 웨이퍼(200)의 오염이 억제된다.

도 4는 기판 처리를 실행하기 위한 제어 수단으로서의 장치 컨트롤러(321)의 일례를 나타내는 블럭도이다.

장치 컨트롤러(321)는 CPU, 메모리, 하드 디스크, I/O(모두 도시하지 않음) 등을 주요부로 하는 주지의 컴퓨터로 구성되어 있다.

본 실시 형태에서는, 장치 컨트롤러(321)는 각각 조작부(321a)와 제어부(321b)로 분산하고, LAN를 개재하여 상호 접속한 예를 나타내고 있는데 조작부와 제어부를 하나로 구성해도 된다.

조작부(321a)에는 모니터(324)(표시 수단) 이외에, 필요한 유저 인터페이스가 접속된다.

제어부(321b)의 출력부에는, 상기 불활성 가스 도입관에 부착된 매스 플로 컨트롤러(mass flow controller)(N2MFC＃1) 및 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브(AV68), 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)], 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)], 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브[AV65(DV1)] 이외에, 설정치를 참조하여 기판 반송계, 기판 반송계의 액튜에이터(actuator)나 각종 메커니즘을 동작시 키기 위한 서브 컨트롤러 등이 접속된다.

또한, 제어부(321b)의 입력부에는, 후술하는 매스 플로 컨트롤러(N2MFC＃1)의 매스 플로 미터와, 이재실(102)의 산소 농도를 검출하기 위한 산소 농도 센서(OV1) 등이 접속된다.

본 실시 형태에서는, 각 개폐 밸브[AV56(LA1), AV65(DV1), AV66(DV2), AV68]가 장치 컨트롤러(321)에 의해 직접 제어되도록 하고 있는데 서브 컨트롤러의 일종인 밸브 컨트롤러(도시하지 않음)에 의해 제어되도록 해도 된다.

또한, 상기 조작부(321a) 또는 제어부(321b)에는, 고정 기억장치로서, 예를 들면, 하드 디스크(306)가 탑재되어 있다. 이 하드 디스크(306)에는, 컨피규래이션 파일(configuration file), 막 종류마다의 프로세스 레시피(process recipe)나 이재실(102)을 퍼지하기 위한 레시피(이하, 총칭해서 레시피라고 함), 각종 제어 테이블이나 각종 파라미터 조작 화면, 설정 화면을 포함하는 화면 파일 등의 필요한 데이터가 격납되어 있다.

장치 컨트롤러(321)를 기동하고, 레시피를 실행하면, 레시피를 구성하는 스텝마다의 설정이 기판 반송계 및 기판 처리계의 서브 컨트롤러에 참조되고, 기판 반송계의 서브 컨트롤러에 의해 프런트 셔터(113), 포드 반송 장치(118), 회전식 포드 선반, 포드 오프너(121), 캡 착탈 기구(123), 웨이퍼 이재 장치(125a), 트위저(125c), 노치 맞춤 장치가 제어되고, 기판 처리계의 서브 컨트롤러에 의하여, 노구 셔터(147), 보트 엘리베이터(115), 히터, 진공 펌프, 처리 가스 공급계가 제어된다.

도 6에 상기 장치 컨트롤러(321)에 있어서의 레시피 작성시의 조작 화면을 나타낸다.

한편, 이 조작 화면은 이재실(102)을 퍼지하기 위한 레시피(이하, 퍼지 레시피라고 한다)의 일례로서, 화면의 레이아웃(layout)이나 항목, 버튼(button) 종류의 배치에 의하여 본 발명이 국한되는 것은 아니다. 또한, 프로세스 레시피와 퍼지 레시피는 각각 개별적으로 실행된다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 화면의 왼쪽 하란에는, 밸브 배치도(512)가 표시되고, 화면의 오른쪽 하란에 설정 항목이, 화면의 상란에 파일 정보가 표시된다. 밸브 배치도(512)의 구성은 도 3에서 설명한 구성과 합치하기 때문에 여기에서는 설명을 생략한다.

밸브 배치도(512)의 상란에는, 예를 들면, 「NAME」버튼(513)과 「No.」 버튼(514)의 2개의 프로그램 버튼이 표시된다.

「NAME」 버튼(513)은 누르면 밸브 배치도(512)에 표시되는 부호 표시를 부품 명칭의 표시로 절체하고, 「No.」 버튼(514)을 누르면, 반대로, 부품 명칭의 표시를 부호 표시로 절체한다. 이 때문에, 장치 작업자는 「NAME」 버튼(513), 「No.」 버튼(514)을 선택하여 누르기만 하면, 어느 부품이 배관의 어디에 배치되는지를 조작 화면 상에서 파악할 수 있다. 이들 버튼에는 각각 제어부(321b)에 의하여 실행되는 프로그램이 관련지어져 있고, 버튼이 손가락이나 터치 펜(touch pen) 등의 입력 디바이스(device)로 누르면, 대응하는 프로그램을 동작시킬 수 있도록 되어 있다.

파일 정보로서는, 예를 들면, 「파일」 명칭 입력 셀(515)과 레시피의 「스텝 No.」를 표시하는 「스텝 No.」 표시 셀(516)이 표시된다.

이 경우, 「파일」 명칭 입력 셀(515)은 이 화면의 테이블 명칭을 입력하기 위한 셀이며, 「스텝 No.」 표시 셀(516)은 레시피의 스텝수에 대응하는 스텝 번호를 입력하기 위한 셀이다. 입력에는, 같은 화면에 표시하는 문자 입력 시스템을 조작하는 문자/숫자/기호 테이블(모두 도시하지 않음)을 사용하는데, 상기 조작부(321a)에 접속하는 키보드를 사용하도록 해도 된다.

또한, 「밸브 설정」 버튼(517)을 누르면, 도 7에 나타내는 밸브 설정 화면이 표시된다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 밸브 설정 화면상에는, 복수의 버튼이 표시된다.

버튼의 상방 측에는, 문자/기호 표시가 표시된다. 문자/기호 표시의 문자나 기호는, 도 3에서 설명한 각 개폐 밸브의 부호와 대응하고 있다.

버튼 상의 OPEN, CLOSE의 문자는, 각각 밸브의 개폐를 나타내고 있다. 이들 버튼은 누르면 OPEN, CLOSE의 문자가 실선 표시로부터 파선 표시로 절체되고, 다시 한 번 누르면 파선 표시로부터 실선 표시로 절체된다.

화면 상의 「66：DV2」는 상기 개폐 밸브(AV66)에, 「65：DV1」는 AV65에, 「56：LA1」는 AV56에 대응한다.

따라서, 「66：DV2」 표시의 바로 밑의 버튼을 누르면, 버튼 상의 CLOSE의 문자가 파선 표시로부터 실선 표시로 되고, 「66：DV2」의 개폐 밸브, 즉, 개폐 밸 브(AV66)가 「닫힘」으로 설정된다.

한 번 더, 「66：DV2」가 표시된 밑의 버튼을 누르면, 이번에는, 버튼 상의 CLOSE 문자가 실선 표시로부터 파선 표시로 절체되고, 「66：DV2」의 표시에 대응하는 개폐 밸브[AV66(DV2)]가 「열림」으로 설정된다. 한편, 이 경우에, 같은 실선 표시로 문자가 OPEN으로부터 CLOSE로, 또는 그 반대로 절체되는 표시 형태로 해도 된다.

상기 개폐 밸브[AV56(LA1), AV65(DV1), AV66(DV2), AV68]에 대한 개폐의 설정을 종료하면, 이 화면의 하부의 「SET」 버튼(518)을 눌러, 설정을 확정한다. 　설정을 취소하는 경우는, 화면상에 표시된 「CANCEL」 버튼(519)을 누른다.

「SET」 버튼(518)을 누르면, 설정이 상기 레시피에 반영되고, 레시피를 실행하면, 이 설정에서 개폐 밸브[AV56(LA1), AV65(DV1), AV66(DV2), AV68]가 개폐된다. 한편, 본 실시 형태에서는, 상술한 이재실(102) 내를 불활성 가스로 순환시키는 경우의 설정이 실시된다.

또한, 「SET」 버튼(518)을 눌러, 화면상의 「되돌아가기」 버튼(도시하지 않음)을 누르면, 화면은 원래의 조작 화면으로 복귀한다.

도 5는 개폐 밸브[AV65(DV1]), 개폐 밸브[AV66(DV2)], 개폐 밸브[AV56(LA1)]의 개폐 및 산소 농도 센서 검출치의 유효·무효를 설정하기 위한 설정 화면을 조작 화면에 표시하는 표시예를 나타낸다.

구체적으로는, 도 3(A)의 N₂ 퍼지 모드와 도 3(B)의 1 패스 모드의 절체 설 정을 수행하는 화면이다. 설정은, 상기한 바와 같이, 도 7에 나타낸 밸브 설정 화면을 사용하여 설정해도 된다. 또한, 화면 파일은 설정 테이블로서의 도 5(A), (B)가, 하드 디스크(306)에 격납되어도 된다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 설정은 언로드, 로드에 의해 구분된다.

여기에서, 로드, 언로드는, 웨이퍼(200)를 보지한 보트(217)의 로드, 언로드를 의미하고 있다.

도 5(A)와 같이 1 PASS　S/W(스위치)가 ON인 경우, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브[AV65)(DV1)]가 「열림」으로, 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]가 「열림」으로, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]가 「열림」으로 설정된다.

　이 때문에, 언로드시는, 퍼지 가스 도입관(302a)으로부터 이재실(102)에 도입되는 불활성 가스, 예를 들면, 질소 가스 및 흡기관(303)으로부터의 대기에 의해 유기물이 웨이퍼(200)에 부착하기 전에 모두 배기되기 때문에, 웨이퍼(200) 표면에 유기물이 부착하는 것이 방지된다.

또한, 이 경우에, 이재실(102)의 산소 농도가 대기 도입으로 인하여 산소 농도의 감시치(監視値)보다도 상승하고 소정의 시간을 경과해 버리지만, 도 5에 나타내는 바와 같이, 산소 농도 센서(OV1)에 의한 감시가 무효로 되기 때문에, 이와 같은 문제도 발생하지 않는다.

또한, 1 PASS　S/W 기능으로 동작시키면, 웨이퍼(200)에 유기물이 부착하는 것이 방지되고, 그 후의 성막 처리에 있어서의 성막의 결합 격자의 국부적인 왜곡, 면내 막 두께의 불균일함이 방지되기 때문에, 웨이퍼(200)를 클리닝할 필요가 없다.

기판 처리(예를 들면, 산화 처리) 후, 웨이퍼(200)는 별도의 처리 장치에서 성막 처리가 이루어지고, 피처리면 상에, 예를 들면, Si₃N₄가 성막된다.

여기에서, 1 PASS　S/W가 ON이 되는 조건으로, 처리실(202)의 배선으로부터 유기물이 발생하는 처리 온도를 넣으면, 그 이하의 처리 온도에서는, 1 PASS　S/W가 OFF가 되기 때문에, 불활성 가스의 소비량을 저감할 수 있다.

한편, 1 PASS　S/W가 ON인 경우는, 퍼지 가스 도입관(302a)으로부터 공급되는 불활성 가스의 유량은, 바람직하게는, 800 slm 이상으로 설정된다.

한편, 1 PASS　S/W가 OFF인 경우는, 흡기관(303)의 개폐 밸브[AV65(DV1)]가 「닫힘」으로, 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]가 「열림」으로, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]가 「닫힘」으로 설정된다. 또한, 산소 농도 센서(OV1)의 검출치는 유효로 된다.

이 때문에, 로드시 이재실 분위기는, 산소 농도 센서(OV1)의 검출치와 이재실(102)의 산소 농도의 감시치를 토대로 불활성 가스의 도입에 의한 퍼지가 실행되고, 배기 덕트(312)의 바이패스(bypass) 라인으로부터, 적절히 이재실 분위기가 배출된다.

또한, 로드시는, 이재실(102)에서 유기물이 생성되지 않기 때문에, 이와 같이 하면, 적절히 유량의 불활성 가스에 의해, 이재실(102)의 산소 농도가 감시치, 예를 들면, 20 ppm 이하로 보지된다.

한편, 이 경우에, 불활성 가스의 유량은 400~800 slm 미만의 범위 내에서 결정된다.

또한, 이재실(102)의 산소 농도가 감시치에 합치하면, 흡기관(303)의 개폐 밸브[AV65(DV1)]가 「닫힘」으로, 흡기 덕트(300)의 개폐 밸브(AV68)가 「열림」으로 되고, 클린 유닛(134)의 공급 팬에 의한 이재실 내의 순환이 실행되는 것으로 한다.

이와 같이, 개폐 밸브[AV65(DV1), AV66(DV2), AV56(LA1)], 개폐 밸브(AV68)의 개폐 설정을 하여, 퍼지 레시피를 실행하면, 기판 처리시에 발생하는 유기물이 모두 배기되기 때문에, 종래와 같이, 웨이퍼(200) 표면에 유기물이 부착하는 것이 방지되고, 그 후 성막 처리시의 결정 격자의 왜곡이나 면 내의 막 두께의 불균일 발생이 방지된다. 또한, 웨이퍼(200)에 부착한 유기물의 클리닝 공정을 생략할 수 있어 생산성이 향상한다.

또한, 도 5와 같이 개폐 밸브를 설정하는 수단을 설치함으로써, 장치에 범용성을 갖도록 할 수 있다. 또한, 1 PASS　S/W를 ON/OFF 하는 버튼을 조작 화면상에 설치하고, 프로세스 레시피 실행 중에 눌러, 1 PASS　S/W 기능으로 절체하도록 해도 된다. 그 결과, 언로드시에만 1 PASS　S/W 기능으로 절체할 수 있기 때문에, 막 종류에 따라 운용을 효율적으로 수행할 수 있다. 당연히, 1 PASS　S/W 기능의 해제도 가능함은 말할 나위도 없다.

다음에, 본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 설 명한다.

본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 기판을 기판 보지구로서의 상기 보트(217)에 장전(charge) 또는 처리실(202)의 기판 지지구에 지지하는 공정과, 상기 처리실(202) 내에서 소정의 온도, 압력을 일정하게 유지한 상태에서, 소정의 처리 가스를 공급하여, 웨이퍼(200)를 처리하는 공정과, 처리 후의 웨이퍼(200)를 상기 처리실(202)로부터 반출하는 공정을 이 순서에 따라 실시한다. 그리고, 처리 후의 웨이퍼(200)를 반출하는 공정, 즉, 웨이퍼(200) 또는 보트(217)의 언로드 공정에서는, 상기 이재실(102)의 분위기, 즉, 불활성 가스를 포함하는 클린 에어(133)를 일방향으로 배기시키고(1　PASS), 웨이퍼(200)에 유기물이 부착하는 것을 방지한다.

그 후에는, 별도의 처리 장치에서 기판 처리(예를 들면, 성막 처리)를 실행한다.

이러한 방법을 실시하면, 언로드시에 발생하는 유기물이 모두 배기되어, 웨이퍼(200)에 대한 유기물의 부착이 방지된다. 따라서, 기판 처리 후, 성막을 실행하는데, 성막의 결정 격자의 국부적인 왜곡의 발생이나 면내 막두께가 불균일하게 되는 것이 방지된다.

한편, 본 실시 형태에서는, 1 PASS　S/W의 ON, OFF를 토대로 개폐 밸브[AV65(DV1), AV66(DV2), AV56(LA1)]의 개폐를 설정하는 설명을 했는데, 도 5를 토대로 언로드시에 참조하는 1 PASS　S/W(스위치)가 ON인 퍼지 레시피와, 로드시에 참조하는 1 PASS　S/W(스위치)가 OFF인 퍼지 레시피를 작성해 두고, 프로세스 레시 피의 로드, 언로드시에, 각각 이들 레시피를 실행시켜, 각 개폐 밸브[AV65(DV1), AV66(DV2), AV56(LA1)]의 개폐를, 상기한 바와 같이 제어함으로써, 웨이퍼(200)에 유기물이 부착하는 것을 방지시키도록 해도 된다. 또한, 상기 작성한 퍼지 레시피를 프로세스 레시피에 편입시켜도 된다.

또한, 마찬가지로, 조작 화면상에 1 PASS　S/W(스위치)의 ON/OFF 버튼을 설치하고, 해당 조작 화면상의 버튼 조작에 의해, 1 PASS　S/W(스위치)가 ON인 퍼지 레시피와, 로드시에 참조하는 1 PASS　S/W(스위치)가 OFF인 퍼지 레시피를 선택할 수 있도록 하고, 언로드시에는 1 PASS　S/W(스위치)를 ON, 로드시에는 1 PASS　S/W(스위치)를 OFF로 하여, 메뉴얼 조작에 의하여, 유기물에 의한 웨이퍼(200)의 오염을 방지하도록 해도 된다.

다음에, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 실시 형태에 관련되는 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다.

AGV, OHT를 포함한 공정 내 반송 대차에 의하여, 포드(110)가 로드 포트(114)에 공급되면, 포드 반입 반출구(112)가 프런트 셔터(113)에 의해 개방되고, 로드 포트(114) 상의 포드(110)는 포드 반송 장치(118)에 의해 포드 반입 반출구(112)로부터 광체(111) 내부에 반입된다.

반입된 포드(110)는 회전식 포드 선반(105)의 지정된 선반용 판자(117)에 포드 반송 장치(118)에 의해 자동적으로 반송되어 수도(受渡)되고, 일시적으로 보관된 후, 선반용 판자(117)로부터 한 쪽의 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재되거나, 또는 직접, 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재된다.

이 때, 포드(110)의 웨이퍼 출입구는 캡 착탈 기구(123)에 의해 닫혀져 있고, 이재실(102)에는, 후술하는 레시피의 실행에 의하여, 클린 에어로서 불활성 가스(133)가 유통되고, 충만되어 있다. 예를 들면, 이재실(102)에는 클린 에어(133)로서 질소 가스가 충만됨으로써, 산소 농도가 20 ppm 이하로, 광체(111) 내부(대기 분위기)의 산소 농도보다 훨씬 낮게 설정되어 있다.

재치대(122)에 재치된 포드(110)는 그 개구측 단면이 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에 있어서의 웨이퍼 반입 반출구(120)의 개구 연변부(緣邊部)에 밀어붙여짐과 동시에, 그 캡이 캡 착탈 기구(123)에 의하여 떼어내지고, 포드(110) 웨이퍼 출입구가 개방되어 있다.

포드(110)가 포드 오프너(121)에 의해 개방되면, 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 웨이퍼 이재 장치(125a)의 트위저(125c)에 의해 웨이퍼 출입구를 통하여 픽업(pickup)되고, 노치 맞춤 장치에서 웨이퍼(200)를 정합한 후, 이재실(102)의 후방에 있는 대기부(126)로 반입되어, 보트(217)에 장전(charge)된다. 웨이퍼 이재 장치(125a)는 보트(217)에 웨이퍼(200)를 수도한 후에는, 포드(110)로 되돌아오고 다음의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전된다.

한 쪽(상단 또는 하단)의 포드 오프너(121)에 있어서의 웨이퍼 이재 기구(125)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)에 대한 장전 작업 중에, 다른 쪽(하단 또는 상단)의 포드 오프너(121)에는 회전식 포드 선반(105)으로부터 별도의 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 반송되어 이재되고, 포드 오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시에 진행된다.

미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 노구 셔터(147)에 의해 닫혀져 있던 반응로(201)의 노구가, 노구 셔터(147)의 개방 동작에 의해 개방된다. 이어서, 웨이퍼(200) 군(群)을 보지한 보트(217)는 씰 캡(129)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승됨으로써, 처리실(202) 내에 반입(loading)되어 간다.

로딩 후는, 레시피의 설정치에 따른 히터의 가열과, 감압 배기 장치로서의 진공 펌프(도시하지 않음)의 처리실 내 분위기의 배기에 의하여, 기판 처리에 적절한 온도, 압력으로 보지된다. 그 후, 처리실(202)에 처리 가스가 공급된다.

처리 가스가 산화 가스인 경우는, 웨이퍼(200)의 표면과의 반응에 의하여, 웨이퍼(200)의 피처리 면에 산화막이 형성된다. 처리 가스가 성막 가스인 경우는, 열 CVD 반응에 의하여 웨이퍼(200)의 피처리 면에 성막이 형성된다.

처리를 종료하면, 보트 엘리베이터(115)의 하강으로, 보트(217)의 언로드가 실시된다.

이 때, 레시피에 의하여, 1 PASS　S/W(스위치)가 ON으로 되고, 흡기관(303)의 개폐 밸브[AV65(DV1)], 퍼지 가스 도입관(302a)의 개폐 밸브[AV56(LA1)]가 「열림」으로, 배기 덕트(312)의 개폐 밸브[AV66(DV2)]가 「열림」으로 되어, 퍼지 가스 도입관(302a)으로부터 이재실(102)에 도입되는 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스) 및 흡기관(303)으로부터의 대기에 의하여, 유기물이 웨이퍼(200)에 부착하기 전에 모두 배기된다. 이에 따라, 웨이퍼(200)의 표면에 유기물 부착이 방지된다.

처리 후는, 노치 맞춤 장치(135)에서의 웨이퍼(200)의 정합(整合) 공정을 제외하고, 이미 상술한 반대의 순서로, 웨이퍼(200) 및 포드(110)가 광체(111) 외부 로 반출된다.

본원 발명에 있어서의 다른 실시 형태에 대하여 설명한다. 본원 발명에 있어서의 이재실이 밀폐성을 갖지 않는 대기실인 경우에도 마찬가지로 1 Pass 기능을 사용하면, 기판의 유기 오염 저감을 도모할 수 있다. 도 8에, 그 경우의 설정 화면예를 나타낸다. 이 경우, 본 실시 형태에 있어서의 대기실에서는, 산소가 존재하더라도(자연 산화막이 부착하더라도) N₂ 퍼지가 불필요하기 때문에, 언로드시 뿐만 아니라 로드시에도 1 Pass 기능을 실시할 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 부기한다.

＜실시 형태 1＞

기판 처리를 행하는 처리실에 연접(連接)되는 이재실을 불활성 가스로 퍼지하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 이재실에 불활성 가스를 순환시키는 기능과, 상기 이재실 내의 불활성 가스를 일방향으로 배기시키는 기능을 포함하는 기판 처리 장치.

＜실시 형태 2＞

상기 이재실을 퍼지하는 복수의 레시피를 포함하고, 상기 각 기능은 상기 레시피를 선택시킴으로써, 실행되는 기판 처리 장치.

＜실시 형태 3＞

상기 불활성 가스를 일방향으로 배기시키는 기능과 불활성 가스를 순환시키는 기능의 실시를 조작 화면에 의해 절체 가능한 기판 처리 장치.

＜실시 형태 4＞

상기 이재실을 불활성 가스로 퍼지하는 레시피 실행 중에, 조작 화면상의 절체 수단을 누르도록 한 기판 처리 장치.

＜실시 형태 5＞

기판을 기판 보지구에 장전하는 공정과, 상기 기판 보지구를 노내에 삽입하는 공정과, 상기 노내에서 기판을 처리하는 공정과, 처리 후의 기판을 노내로부터 반출하는 공정을 포함하고, 상기 기판을 노내로부터 반출하는 공정에서는, 상기 이재실 내의 불활성 가스를 일방향으로 배기시키고, 상기 기판 보지구를 노내에 삽입하는 공정에서는, 상기 이재실 내의 불활성 가스를 순환시키는 기판 처리 장치.

＜실시 형태 6＞

기판을 노내에 삽입하여 기판 보지구에 지지하는 공정과, 상기 노내에서 기판을 처리하는 공정과, 처리 후의 기판을 노내로부터 반출하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 기판을 노내로부터 반출하는 공정에서는, 상기 이재실 내의 불활성 가스를 일방향으로 배기시키고, 상기 기판 보지구를 노내에 삽입하는 공정에서는, 상기 이재실 내의 불활성 가스를 순환시키는 반도체 장치의 제조 방법.

한편, 본 실시 형태의 설명에 있어서, 본 발명을 종형의 처리 장치에 적용하는 설명을 했는데, 횡형의 처리 장치에도 적용할 수 있고, 매엽(枚葉)장치에 적용하는 것도 가능하다.

또한, 본 발명에 따른 처리 장치는, CVD, 산화, 아닐 등의 기판 처리에 적용 할 수 있고, 처리 대상으로 하는 기판의 경우도 수정, 액정, 반도체 등 여러 가지의 기판을 대상으로 한다.

또한, 상기 배기 덕트(312)와는 다른 불활성 가스 도입관을 상기 각 포드(110)에 접속하고, 이들에 개폐 밸브를 설치하여 각 포드(110) 내의 분위기를 불활성 가스로 치환함으로써, 각 포드(110) 내 기판의 자연 산화를 방지하도록 해도 된다.

또한, 개폐 밸브, 매스 플로 컨트롤러 및 퍼지 가스 도입관을 구비하는 퍼지계는, 유량의 확보나 응답성의 향상을 위하여, 필요에 따라서 2 계통 이상 설치하도록 해도 된다.

이와 같이 본 발명은 여러 가지의 개변이 가능하며, 본 발명이 이 개변된 발명을 포함하는 것은 당연하다.

도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 정면도.

도 2는 도 1의 측면도.

도 3은 본 발명의 일실시 형태에 따른 이재실의 퍼지계와 순환계의 구성을 나타내는 해설도.

도 4는 본 발명의 일실시 형태에 따른 장치 컨트롤러의 일례를 나타내는 블럭도.

도 5는 본 발명의 일실시 형태에 따라, 보트 또는 웨이퍼의 로드시, 언로드시 개폐 밸브의 개폐 설정의 일례를 나타내는 도면.

도 6은 본 발명의 일실시 형태에 따른 장치 컨트롤러의 조작 화면의 일례를 나타내는 도면.

도 7은 본 발명의 일실시 형태에 따라, 밸브 설정 다이얼로그 화면의 일례를 나타내는 도면.

도 8은 본 발명의 일실시 형태에 따라, 보트 또는 웨이퍼의 로드시, 언로드시 개폐 밸브의 개폐 설정의 일례를 나타내는 도면.

<도면 주요 부호의 설명>

102 : 이재실 134 : 클린 유니트

200 : 웨이퍼(기판) 202 : 처리실

217 : 보트 300 : 덕트

302a : 퍼지 가스 도입관 303 : 흡입관

321 : 장치 컨트롤러(제어 수단) 400 : 순환 라인

AV56 : 개폐 밸브 AV65 : 개폐 밸브

AV66 : 개폐 밸브 AV68 : 개폐 밸브

Claims

기판을 처리하는 처리실에 연접(連接)되는 이재실을 가스로 퍼지하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치에 있어서,

상기 제어 수단은 상기 이재실 내부의 가스의 흐름을 일방향으로 배기시키는 기능과, 상기 이재실 내부에 불활성 분위기로 가스를 순환시키는 기능을 절체(切體)하는 절체 수단을 포함하는 것인 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 절체 수단은, 언로드시에, 상기 이재실 내부의 가스를 일방향으로 배기시키는 기능과 상기 이재실 내부에 불활성 가스 분위기로 가스를 순환시키는 기능을 조작 화면상에서 선택하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서, 상기 절체 수단은, 상기 이재실을 불활성 가스로 퍼지하는 레시피 또는 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피의 실행 중에 상기 조작 화면상에서 설정되도록 구성되는 것인 기판 처리 장치.
제2항에 있어서, 상기 절체 수단은 상기 이재실 내부의 가스의 흐름을 일방향으로 배기시키는 기능과 상기 이재실을 불활성 가스 분위기에서 가스를 순환시키는 기능에 관련하는 밸브를 설정하는 것인 기판 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 절체 수단은, 언로드시에, 상기 이재실 내부의 가스를 일방향으로 배기시키는 기능을 구비한 레시피와, 상기 이재실 내부에 불활성 가스 분위기에서 가스를 순환시키는 기능을 구비한 레시피를 조작 화면상에서 선택하도록 구성되는 것인 하는 기판 처리 장치.
제5항에 있어서, 상기 이재실 내부의 가스를 일방향으로 배기시키는 기능을 구비한 상기 레시피 또는 상기 이재실 내부에 불활성 가스 분위기에서 가스를 순환시키는 기능을 구비한 상기 레시피는, 프로세스 레시피와 병행하여 실행되는 것인 기판 처리 장치.
제5항에 있어서, 상기 이재실 내부의 가스를 일방향으로 배기시키는 기능을 구비한 상기 레시피 또는 상기 이재실 내부에 불활성 가스 분위기에서 가스를 순환시키는 기능을 구비한 상기 레시피는, 프로세스 레시피와 병합되는 것인 기판 처리 장치.