CN113424294B - 制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质 - Google Patents

制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质 Download PDF

Info

Publication number
CN113424294B
CN113424294B CN201980091910.6A CN201980091910A CN113424294B CN 113424294 B CN113424294 B CN 113424294B CN 201980091910 A CN201980091910 A CN 201980091910A CN 113424294 B CN113424294 B CN 113424294B
Authority
CN
China
Prior art keywords
parameter
editing
time
time chart
edited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980091910.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113424294A (zh
Inventor
关贵敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of CN113424294A publication Critical patent/CN113424294A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113424294B publication Critical patent/CN113424294B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/409—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by using manual input [MDI] or by using control panel, e.g. controlling functions with the panel; characterised by control panel details, by setting parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32095—Text, menu driven editor for batch programming, phase sequence, parameters
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32097—Recipe programming for flexible batch
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Abstract

使具备选择画面区域和参数编辑画面区域的制程编辑画面显示于显示部，受理从显示于选择画面区域的参数的一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作，其中该选择画面区域显示用于对基板处理装置的制程所包含的参数进行选择的参数一览表，该参数编辑画面区域用于编辑参数。使时间图以能够编辑的方式显示于参数编辑画面区域，受理对时间图进行编辑的操作指示，根据操作指示使时间图的显示变化而对作为编辑对象的参数进行编辑，其中该时间图是用于编辑通过选择操作而被选择的作为编辑对象的参数的时间图，且在制造工序所包含的一系列步骤的各步骤的时刻下发生变化。

Description

制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录 介质
技术领域
本公开涉及用于生成基板处理的制程(recipe)(配方)的制程生成方法、基板处理装置、记录有制程生成程序的记录介质、以及使用了所生成的制程的半导体器件的制造方法。
背景技术
在成膜装置等基板处理装置中，有时向处理室供给处理气体并且进行加热，将处理室的压力和温度设定成规定值而在基板表面上进行各种处理。在基板处理装置中，在对基板进行薄膜生成处理的情况下，为了设定该薄膜生成处理的工艺条件而生成制程。
为了对产品基板进行所期望的处理，需要生成最佳的制程。例如，在下述专利文献1中记载有使用共用参数而效率良好地生成制程的内容。另外，例如，在下述专利文献2中记载有在显示制程编辑画面而进行制程生成之际、对所指定的步骤No进行指定而在各步骤中复制所需参数的技术。
然而，有时在编辑中难以把握步骤相对于前后的步骤的变动，担心制程编辑的作业效率降低、产生编辑错误。而且，针对可设定项目全部显示、仅凭一瞥难以知晓哪个项目正被设定的问题，优选的是，一边把握制程整体一边进行编辑，仅确认所设定的项目。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-133595号公报
专利文献2：日本特开2000-077288号公报
发明内容
本公开的目的在于，提供一种能够进行通过改善制程编辑功能来使操作性格外提高的制程编辑的技术。
本公开的一形态提供具备如下工序的技术：画面显示工序，在该画面显示工序中，使具备选择画面区域和参数编辑画面区域的制程编辑画面显示于显示部，该选择画面区域显示用于对基板处理装置的制程所包含的参数进行选择的参数一览表，该参数编辑画面区域用于编辑参数；参数受理工序，在该参数受理工序中，受理从显示于选择画面区域的参数一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作；参数显示工序，在该参数显示工序中，使时间图以能够编辑的方式显示于参数编辑画面区域，该时间图是用于编辑通过选择操作而被选择的作为编辑对象的参数的时间图，且在制造工序所包含的一系列步骤的各步骤的时刻下发生变化；以及参数编辑工序，在该参数编辑工序中，受理对显示于参数编辑画面区域的时间图进行编辑的操作指示，并根据操作指示使时间图的显示变化而对作为编辑对象的参数进行编辑。
其中，“制程”在本说明书中是指记录有针对基板处理装置的命令、设定以及参数的组合等针对基板的处理条件的术语。
发明效果
根据本公开，能够实现制程编辑画面上的编辑作业的效率改善和编辑错误的减少。
附图说明
图1是本公开的实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是本公开的实施方式的基板处理装置的侧面透视图。
图3是本公开的实施方式的基板处理装置的控制部和存储部的构成例。
图4是表示本公开的实施方式的基板处理装置的控制部的功能的框图。
图5A是本公开的实施方式的制程编辑的主要的流程图。
图5B是用于说明本公开的实施方式的制程编辑画面的时间图的显示的变更的流程图。
图5C是用于说明本公开的实施方式的时间图的编辑处理的流程图。
图5D是用于说明本公开的实施方式的制程编辑画面的步骤的编辑处理的流程图。
图6是本公开的实施方式的制程编辑画面的一个例子。
图7A是表示用于对本公开的实施方式的表示目标值的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图7B是表示用于对本公开的实施方式的表示目标值的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图7C是表示用于对本公开的实施方式的表示目标值的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图8A是表示用于对本公开的实施方式的表示零部件的ON/OFF的状态的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图8B是表示用于对本公开的实施方式的表示零部件的ON/OFF的状态的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图9A是表示用于对本公开的实施方式的质量流量控制器的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图9B是表示用于对本公开的实施方式的质量流量控制器的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图9C是表示用于对本公开的实施方式的质量流量控制器的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图10A是表示用于对本公开的实施方式的表示搬送工序的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图10B是表示用于对本公开的实施方式的表示搬送工序的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图10C是表示用于对本公开的实施方式的表示搬送工序的时间图的编辑进行说明的显示画面的一个例子的图。
图11是用于说明本公开的实施方式的选择画面区域与参数编辑画面区域的关系的图。
图12A是说明本公开的实施方式的步骤编辑处理的图。
图12B是说明本公开的实施方式的步骤编辑处理的图。
图12C是说明本公开的实施方式的步骤编辑处理的图。
图12D是说明本公开的实施方式的步骤编辑处理的图。
图13是本公开的实施方式的制程保存处理的流程图。
图14是本公开的实施方式的制程执行处理的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本公开的实施方式中的基板处理装置。在本实施方式中，作为一个例子，基板处理装置构成为实施基板制作中的多个处理工序的装置。此外，在以下的说明中，作为基板处理装置而说明对基板进行氧化、扩散处理以及CVD(化学气相沉积：Chemical Vapor Deposition)处理等的批量式立式半导体制造装置(以下，简称为基板处理装置)。
如图1和图2所示，本实施方式的基板处理装置100具备壳体111，该壳体111用于使用盒(pod)110作为收纳由硅等形成的晶片(基板)200的晶片承载件而对晶片进行多个制造工序的处理。在壳体111的正面壁111a以使壳体111的内外连通的方式开设有盒搬入搬出口112，盒搬入搬出口112由前开闭部件113开闭。在盒搬入搬出口112的正面前方侧设置有加载部114，在加载部114载置盒110。盒110由工序内搬送装置(未图示)搬入到加载部114上，并且，从加载部114上被搬出。
在壳体111内的前后方向的大致中央部的上部设置有旋转架105，旋转架105以图2所示的支柱116为中心旋转，在搁板117上保管多个盒110。在图2所示的壳体111内的加载部114与旋转架105之间设置有盒搬送装置118。盒搬送装置118由能够在保持着盒110的状态下升降的盒升降机118a和作为水平搬送机构的盒搬送机构118b构成，在加载部114、旋转架105以及开盒器121之间搬送盒110。
如图2所示，在壳体111内的前后方向的大致中央部的下部，在整个后端构筑有副壳体119。在副壳体119的正面壁119a开设有一对用于相对于副壳体119内搬入搬出晶片200的晶片搬入搬出口120，该一对晶片搬入搬出口120在垂直方向上排列成上下两层，在上下层的晶片搬入搬出口120分别设置有一对开盒器121。开盒器121具备载置盒110的载置台122和拆装盒110的盖(盖体)的盖拆装机构123。开盒器121通过利用盖拆装机构123拆装载置到载置台122的盒110的盖，从而使盒110的晶片出入口开闭。载置台122是在移载基板之际供基板收容器载置的移载架。
如图2所示，副壳体119构成与盒搬送装置118、旋转架105的设置空间的气氛隔绝开的移载室124。在移载室124的前侧区域设置有晶片移载机构125。晶片移载机构125由将晶片200载置于钳状件125c且能够在水平方向上旋转或直动的晶片移载装置125a、和用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。通过这些晶片移载装置升降机125b和晶片移载装置125a的连续动作，相对于作为基板保持器具的晶舟217装填和卸载晶片200。
如图1所示，在移载室124内设置有由供给风扇和防尘过滤器构成的清洁单元134，以便向移载室124内供给作为清洁化后的气氛气体或者非活性气体的清洁气体133。如图2所示，在晶舟217的上方设置有处理炉202。处理炉202在内部具备处理室，在该处理室的周围设置有对处理室内进行加热的加热器(未图示)。处理炉202的下端部由炉口闸阀147开闭。
如图1所示，设置有用于使晶舟217升降的晶舟升降机115。在与晶舟升降机115连结的臂128上水平地装设有密封盖219，密封盖219构成为，将晶舟217垂直地支承，且能够将处理炉202的下端部封闭。晶舟217构成为，具备多根保持部件，在将多张(例如50张～175张程度)晶片200以使其中心一致的方式沿垂直方向排列的状态下分别水平地保持该多张晶片200。
接着，参照图3对基板处理装置的控制部和存储部的构成进行说明。如图3所示，作为控制器的控制部10具备主控制部11、温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14以及搬送控制部15。在主控制部11电连接有温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14、搬送控制部15、受理来自操作员(操作者)的指示的操作部31、显示操作画面和各种数据等信息的显示部32、以及存储作为基板处理装置100的基板处理顺序(sequence)的制程的存储部20等构成基板处理装置100的构成部。此外，在例如触摸面板等的情况下，操作部31和显示部32能够一体地构成。
主控制部11具备CPU(中央处理单元：Central Processing Unit)和储存主控制部11的动作程序等的存储器作为硬件构成，CPU如下这样动作：基于来自例如操作部31的操作者的指示并依照该动作程序，将存储于存储部20的文件向存储器下载并执行。此时，主控制部11如下这样控制：使温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14以及搬送控制部15等各副控制部测定处理室内的温度、压力、气体流量等，基于其测定数据向各副控制部输出控制信号，各副控制部依照记录有制程的制程文件动作。
控制部10、操作部31、显示部32以及存储部20也可以不是专用于基板处理装置的各部，例如能够使用个人计算机(personal computer)等一般的计算机系统实现。例如，能够通过从储存有用于执行上述处理的程序的规定记录介质(CD-ROM、USB存储器等)将该程序安装于通用计算机，来构成用于执行上述处理的控制部、操作部、显示部、存储部。
另外，用于供给执行上述处理的程序的手段能够任意选择。除了如上述这样经由规定的记录介质供给之外，例如，也能够经由通信线路、通信网络或通信系统等供给。在该情况下，例如，也可以是，在通信网络的公告栏公告该程序，并经由网络进行供给。并且，通过使如此提供的程序起动，并在基板处理装置的OS(操作系统：Operating System)的控制下与其他应用程序同样地执行，从而能够执行上述处理。
存储部20是由EEPROM、闪存或硬盘等构成的辅助存储装置，也包括存储CPU的动作程序的存储介质、存储制程的存储介质。存储于存储部20的动作程序在例如基板处理装置的启动时被向主控制部11的存储器(主存储装置)转送而被执行。
如图3所示，存储部20具备制程存储部21、工艺参数文件存储部22、工艺条件存储部23以及程序存储部24。
制程存储部21储存用于处理基板的制程和与该制程相关联的文件(例如组合文件)。另外，1个制程通常由基板处理工序所包含的一系列的多个步骤构成，在各步骤中包括多个用于实施基板处理的参数。基板处理装置100例如在最初的步骤中将多个产品基板搭载于晶舟217并向处理炉202内搬入，在下一个步骤中在处理炉202内进行处理，在接下来的步骤中从处理炉202内搬出，在最后的步骤中从晶舟217取出产品基板。对于这一系列步骤，通过执行制程，基板处理装置100依照参数而运转。此外，在参数中包括用于处理基板的工艺参数和用于搬送基板的搬送参数。以下，在不区别工艺参数和搬送参数的情况下，简称为参数。
另外，工艺参数文件存储部22能够储存使子制程、警报条件表以及温度修正表等在外部定义的执行条件与制程组合而成的组合文件(combination file)。
而且，工艺条件存储部23将搭载于晶舟217的产品基板的张数、晶舟217、以及堆积到处理炉202的炉壁、仿真基板的累积膜厚等工艺条件作为工艺条件管理信息存储于工艺条件存储部23。该工艺条件管理信息例如能够由操作者从操作部31输入并设定。
程序存储部24储存有其他与后述的制程生成程序相关联的各种程序(制程编辑顺序和制程保存顺序)、与制程执行程序相关联的各种程序(制程检查顺序和制程执行顺序)等程序文件、或者用于使制程编辑画面和主菜单画面等显示于画面的各种画面文件。
在本实施方式中，例如在基板处理装置100的启动时，制程生成程序起动，由此，如图4所示，主控制部11作为画面显示部41、参数受理部42、参数显示部43、参数编辑部45、步骤编辑部46以及匹配性检查部47发挥功能。
接着，使用图5A～图5C的流程图和图6～图12D的显示部32的显示画面的例子对制程编辑处理的流程进行说明。此外，以下，以操作部31和显示部32成为一体的触摸面板的情况为例进行说明。
首先，依照图5A的流程图，对制程编辑处理的整体流程进行说明。构成为，在装置起动时，在显示部32显示主菜单画面，若在该主菜单画面中例如为了生成制程而选择了制程编辑按钮，则使记录有制程的制程文件的一览表画面(未图示)展开(步骤S1)。构成为，若在该一览画表面上选择了作为生成制程的对象的制程文件(步骤S2)，则画面显示部41使作为对象的制程文件的内容显示于制程编辑画面2001(步骤S3)。对于制程文件，过去所使用的制程文件按基板处理装置预先存储于存储部20。或者，也可以复制存储于其他主机、别的基板处理装置中的制程文件而将其存储于存储部20。
画面显示部41使图6所示的制程编辑画面2001显示于显示部。图6所示的制程编辑画面2001构成为包括对构成编辑对象制程的步骤进行编辑的步骤编辑画面区域A、对与基板处理相关联的参数和与基板搬送相关联的参数进行选择的选择画面区域B、以及对所选择的参数进行编辑的参数编辑画面区域C。另外，若显示制程编辑画面2001，则在步骤编辑区域A中依照对象制程文件显示要在基板处理中进行的一系列步骤。
针对图6的步骤编辑区域A的例子，对与图1的基板处理装置的基板处理之间的关系进行说明。“B.LOAD”表示将载置有晶片的晶舟217放入处理炉202内的晶舟加载步骤。“RAMP ON”表示使处理炉202内的温度升温的倾斜升温(ramp-up)步骤，“DEPO”表示成膜步骤，“RAMP OFF”表示使处理炉202内的温度降温的倾斜降温步骤。而且，“ROTATE STOP”表示使晶舟217的旋转停止的旋转停止步骤。“B.UNLD”表示从处理炉202内取出载置有处理完毕晶片的晶舟217的晶舟卸载步骤。虽然在图6中未示出，但作为其他步骤，存在在成膜前将处理炉202内设为非活性气体气氛的“PURG”步骤(吹扫步骤)等。这些步骤是一个例子，基板处理所需的各步骤显示于步骤编辑区域A。
另外，显示于步骤编辑区域A的步骤能够根据基板处理进行步骤的追加、删除而编辑。对步骤编辑区域A进行编辑的详细方法将后述。
接着，参数受理部42从操作部31受理从显示于选择画面区域B的参数一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作(步骤S4)。例如，在操作部31中进行指定设备的操作、触摸面板的操作而从图6所示的显示于选择画面区域B的参数一览表进行作为编辑对象的多个参数的选择操作。另外，在参数编辑画面区域C中显示用于对作为所选择的编辑对象的参数的时间图T进行设定的设定图标2005、2006、2007。
使用图11对从显示于选择画面区域B的参数的一览表选择作为编辑对象的参数的方法的一个例子进行说明。
如图11所示，在选择画面区域B中，例如温度设定或质量流量控制器(MFC)等代表相同类型参数的名称显示为项目名(例如，图11的“温度”、“MFC”等)，在各项目名的下一层级显示详细的参数名(例如，图11的“Ch1”、“Ch2”等)。附加有标志“+”的项目名汇总有多个参数名，通过触摸，能够使隐藏的参数名展开。若进行了展开，则标志“+”的显示切换成标志“-”的显示。
参数显示部43为了编辑通过选择操作所选择的作为编辑对象的参数，而使用于对后述的与各参数相对应的时间图进行设定的图标以能够编辑的方式显示于参数编辑画面区域C(步骤S5)。
若如图11的(A)所示那样进行从画面左侧的选择画面区域B的各参数的一览表中选择作为编辑对象的参数的操作8001、并如图11的(B)所示那样进行拖曳的操作8002而将作为编辑对象的参数向参数编辑画面区域C追加，则如图11的(C)所示，用于对所追加的参数“温度Ch1”的时间图T进行设定的设定图标2005显示于参数编辑画面区域C。该例子是“温度”设定图标2005。
时间图T根据基板处理工序所包含的一系列步骤的各步骤的时刻呈现变化。例如，如图6所示，以步骤编辑区域A的各步骤的分界的时刻与显示于参数编辑画面区域C的时间图T的变化相对应的方式进行显示，通过编辑所显示的各时间图T，从而能够编辑参数。
在参数中存在如下参数：表示例如温度设定值和流量设定值等这样的对由基板处理装置进行的基板处理设为目标的目标值进行设定的设定值(模拟值)的参数；表示用于将例如阀等的开闭等基板处理装置的零部件的状态设为ON或OFF的设定值(数字值)的参数；表示用于将例如控制搬送工序的搬送控制指令向搬送控制部15输出的搬送工序的设定值(指令值)的参数，该搬送工序用于控制晶舟217的动作。另外，定义了用于设定后述的各参数的设定图标。而且，在表示目标值的参数中包括设定目标值的时刻，在将零部件的状态设为ON或OFF的参数中包括将零部件的状态在ON和OFF间进行切换的时刻，在搬送工序的参数中包括输出各搬送工序的搬送控制指令的时刻。
图6所示的设定图标2005显示用于表示各步骤的目标值的变化的模拟值的时间图T，设定图标2006显示用于表示在各步骤中零部件的状态是ON还是OFF的数字值的时间图T，设定图标2007显示用于表示在各步骤中进行哪个搬送工序的指令值的时间图T。另外，通过使位于图6的参数编辑画面区域C之下的滚动条2004横滚，能够连续地确认位于显示画面之外的时间图T的变化。另外，通过使位于参数编辑画面区域C之右的滚动条2003纵滚，能够确认位于显示画面之外的设定图标2005、2006、2007(或各图标内的时间图T)。
本公开的显示方法不是显示以步骤为单位直接编辑温度和流量等的数值这样的编辑画面，而是能够将基板处理工序所包含的全部步骤的参数以时间图T的形式显示于制程编辑画面2001。由此，构成为，能够将制程整体的各参数变化的定时与其他参数的变化的定时进行比较并确认，能够一边把握全体参数的流程一边进行编辑。而且，无需一边考虑步骤前后的数值一边确认的作业，能够观看时间图T而直观地确认，因此，能够期待缩短制程的确认时间。
如图5A所示，若显示了参数编辑画面区域C，则接下来等待用于进行制程的编辑的操作指示的输入(步骤S6)。
在参数编辑画面区域C中按照参数被选择的顺序在设定图标2005、2006、2007内显示作为编辑对象的参数的时间图T。在编辑制程之际，操作者为了易于在选择为编辑对象的参数间进行比较，使显示于参数编辑画面区域C的时间图T中的、进行比较的参数的时间图T并列显示，或将不是比较对象的参数的时间图T设为不显示。若由操作部31进行了这样的显示顺序的变更或设为不显示的操作指示(若步骤S6和步骤S7的判断为肯定)，则执行参数编辑画面区域编辑处理(步骤S8)。在参数编辑画面区域编辑处理中，由参数显示部43依照操作指示改变参数编辑画面区域C的显示。
另外，参数编辑部45从操作部31受理对显示于参数编辑画面区域C的时间图T进行编辑的操作指示而编辑时间图T的显示。即，若判断为是参数编辑操作输入(步骤S9的判断为肯定)，则执行参数编辑处理(步骤S10)，若判断为是步骤编辑操作输入(步骤S11的判断为肯定)，则执行步骤编辑处理(步骤S12)。
依照图5B的流程图对参数编辑画面区域编辑处理(步骤S8)进行说明。若进行了对显示于参数编辑画面区域C的时间图T的显示顺序进行变更的操作指示，则参数显示部43依照操作指示变更时间图T的显示顺序。例如，若在点击着图6的显示有“阀Ch1”的时间图T的设定图标2006内的点的状态下向上方拖动(步骤S20的判断为肯定)，则“阀Ch1”的时间图T移动(步骤S21)，显示于“MFC Ch1”的时间图T之上(步骤S22)。
另外，若进行了将显示于参数编辑画面区域C的时间图T设为不显示的操作指示，则参数显示部43将被进行了操作指示的时间图T设为不显示。例如，若进行了对图11的(C)的显示有“温度Ch1”的时间图T的区域内的交叉标志“×”进行点击的操作8003(步骤S20的判定为否定)，则如图11的(D)所示，“温度Ch1”的时间图T的设定图标2005成为不显示(步骤S23)。
通过进行这样的操作指示，能够使相关联的时间图T相邻地显示或不显示不需要的时间图T，因此，易于看见要编辑的部位。若参数编辑画面区域编辑处理结束，则返回图5A的流程图的步骤S6而再次等待操作指示的输入。
接着，说明编辑显示于参数编辑画面区域C的时间图T而编辑与时间图T相对应的参数的参数编辑处理(步骤S10)。若触摸了图6的参数编辑画面区域C的时间图T的设定图标2005、2006、2007中的任一时间图T，则判断为是参数编辑处理的操作指示(步骤S6的判断为肯定、步骤S7的判断为否定、且步骤S9的判断为肯定)，则执行参数编辑处理(步骤S10)。在参数编辑处理中，由参数编辑部45进行依照操作指示的处理。
参数编辑部45根据使显示于参数编辑画面区域C上的时间图T上的点移动的操作指示，变更时间图T的显示。另外，参数编辑部45依照时间图T的显示的变更来编辑与变更后的时间图T相对应的参数。
(目标值的参数编辑)
使用图5C的流程图和图7A～7C的显示画面的例子说明进行了使表示目标值等模拟值的变化的时间图T上的点移动的操作指示的情况。
如图7A所示，若进行了在表示目标值的时间图T的线上进行触摸的操作4001(步骤S30的判断为肯定)，则参数编辑部45在与距所触摸的部位最近的步骤的开始时刻(或结束时刻)相对应的位置生成点(步骤S31)。能够利用左右拖动操作使所生成的点以步骤为单位移动，移动到想要变更目标值的步骤的开始时刻而生成点。另外，如图7A所示，在模拟值开始变化的时刻(“B.LOAD”与“RAMP ON”之间)也生成点。接着，如图7B所示，若进行了对达到目标值的时刻的点进行上下拖动的操作4002(步骤S32)，则参数编辑部45变更时间图T的目标值。例如，若向上方向拖动，则提高目标值，若向下方向拖动，则降低目标值。也可以预先规定此时的设定的上限值和下限值。另外，如图7C所示，若进行了对在曲线图上生成的点进行单点触摸的操作4003，则参数编辑部45删除时间图T上的点。
在上述内容中，通过使时间图T上的点上下运动而变更目标值，但也可以是，在生成了点时，显示用于输入目标值的输入框，使用键盘、数字键等输入表示点的位置的目标值的数值。
另外，参数编辑部45针对与被进行了设定目标值的指示的时间图T相对应的参数，使直到值开始改变的时刻为止的目标值保持原样，使达到目标值的时刻的目标值从移动前的点所表示的目标值变更成移动后的点所表示的目标值(步骤S33)。
(ON/OFF切换的参数编辑)
接着，使用图5C的流程图和图8A及8B的显示画面的例子，说明进行了对用于表示阀等零部件的状态的时间图T的ON/OFF等数字值进行切换的操作指示的情况。
如图8所示，若进行了对表示零部件的状态的时间图T的线上的点进行单点触摸的操作5001(步骤S30的判断为否定且步骤S34的判断为肯定)，则参数编辑部45与前述同样地在与步骤的开始时刻(或结束时刻)相对应的位置生成点(步骤S35)。而且，在该点处使时间图T从OFF向ON切换(将时间图T变成高电平)而显示(步骤S36)。另一方面，如图8B所示，若进行了对成为ON的状态的线上的点进行单点触摸的操作5002(步骤S35)，则参数编辑部45将时间图T的所触摸的点的状态从ON切换成OFF而显示(使时间图T返回低电平)，并且将点删除(步骤S36)。
另外，参数编辑部45将被进行了切换ON/OFF的指示的时间图T的参数变更成在与所指示的点的位置相对应的时刻切换了ON/OFF状态的值(步骤S37)。
(质量流量控制器的参数编辑)
接着，使用图5C的流程图和图9A～9C的显示画面的例子，说明质量流量控制器(MFC)和多个阀存在于同一气体管线上的情况的时间图T的编辑方法的一例。对于位于同一气体管线的质量流量控制器和多个阀，在设定质量流量控制器的流量的同时自动设定阀的ON/OFF的状态。由此，能够防止阀的设定遗漏。
此外，在质量流量控制器和多个阀存在于同一气体管线上的情况下，优选的是，若利用参数受理部42从显示于选择画面区域B的参数的一览表选择了质量流量控制器的某一个，则参数显示部43不仅使所选择的质量流量控制器的时间图T、也使与所选择的质量流量控制器相关联的阀的参数的时间图T自动地显示于参数编辑画面区域C。
如图9A所示，在参数编辑画面区域C中显示对质量流量控制器MFC1的流量进行设定的参数的时间图T的设定图标2005、和设置于同一气体管线的阀Valve1和阀Valve2的时间图T的设定图标2006。
如图9A所示，若参数编辑部45进行了指示显示于参数编辑画面区域C上的质量流量控制器MFC1的时间图T的线上的点的操作(步骤S30的判断为肯定)，则参数编辑部45与前述同样地，在与值开始改变的时刻和达到目标值的时刻相对应的位置分别生成点(步骤S31)。而且，若进行了拖动与达到目标值的时刻相对应的点的操作7001，则变更质量流量控制器MFC1的流量的目标值(步骤S32)。参数编辑部45将质量流量控制器MFC1的参数变更成时间图T的变更后的目标值(步骤S33)。而且，由于正在编辑的时间图T是质量流量控制器的时间图(步骤S38的判断为肯定)，因此，参数编辑部45使存在于该质量流量控制器所存在的气体配管管线上的阀Valve1和阀Valve2的时间图T联动而变更成ON状态(开状态)(步骤S39)。此外，在质量流量控制器MFC1的值开始改变的时刻、即在与值从“0”开始上升的点相对应的时刻，将阀Valve1和阀Valve2设为ON。而且，参数编辑部45针对变更后的时间图T的阀Valve1和阀Valve2的参数的值，也使其与时间图T相配合地变更(步骤S40)。
相反，如图9B所示，若进行了拖动质量流量控制器MFC1的时间图T的线上的点的操作7002(步骤S32)、且以流量的目标值成为“0”的方式移动了点，则参数编辑部45使阀Valve1和阀Valve2的时间图T联动而变更成OFF状态(闭状态)(步骤S39)。参数编辑部45再次变更时间图T变更后的质量流量控制器MFC1的参数的值以及阀Valve1和阀Valve2的参数的值(步骤S33、步骤S40)。
质量流量控制器存在在维护时等要对内部进行抽真空的情况等，也存在不想使阀的状态与质量流量控制器MFC1联动地动作的情况。在该情况下，也能够对各阀Valve1和阀Valve2单独地设定开闭状态。如图9C所示，若进行了触摸阀Valve1的时间图T的线上的点的操作7003(步骤S35)，则参数编辑部45仅将阀Valve1的时间图T变更成闭状态(OFF)(步骤S36)。而且，参数编辑部45仅使时间图T已变更的阀Valve1的参数变更成OFF(步骤S37)
(搬送工序的参数编辑)
接着，使用图5C的流程图和图10A～10C的显示画面的例子，说明编辑搬送工序的参数(搬送参数)的时间图T的方法的一例。在该情况下，使从多种搬送工序所选择的种类的搬送工序的开始时刻或结束时刻与各步骤的时刻相配合进行变更。
首先，若利用参数受理部42从显示于选择画面区域B的参数的一览表选择了搬送工序，则参数显示部43使搬送工序的时间图T的设定图标2007显示于参数编辑画面区域C。此外，搬送工序的时间图T以表示各搬送工序的开始时刻和结束时刻的方式显示。另外，在搬送工序的时间图T中未设定搬送工序的情况下，显示表示未设定的情况的、例如“NOP”。
如图10A所示，若进行了在搬送工序的设定图标2007中进行触摸的操作6001(步骤S30和步骤S34的判断为否定、且步骤S41的判断为肯定)，则参数编辑部45在进行了该触摸的操作6001的点附近显示能够选择的种类的搬送工序的一览表(例如，晶舟加载、晶舟卸载、晶舟旋转、晶舟旋转停止等)(步骤S42)。若进行了从搬送工序的一览表选择目标搬送工序的操作6002(步骤S43)，则参数编辑部45与设定图标2007上的点所存在的步骤的时间范围相配合地显示所选择的搬送工序“晶舟旋转”的时间图T(步骤S44)。在时间图T上设定的搬送工序“晶舟旋转”的左端和右端以与针对进行了触摸的操作6001的点所存在的制造工序的步骤“RAMP ON”的开始时刻和结束时刻一致的方式显示。
而且，如图10B所示，若在选择了设定于时间图T的搬送工序“晶舟旋转”内的点的状态下进行横向拖动(步骤S45的判断为肯定)，则判断为是使搬送工序“晶舟旋转”的框移动的指示(肯定步骤S46的判断)。若进行了搬送工序“晶舟旋转”的框向右侧拖动的操作6003，则参数编辑部45使该搬送工序“晶舟旋转”的框以搬送工序“晶舟旋转”的左端和右端与拖动后的点所存在的区域的步骤“RAMP OFF”的开始时刻和结束时刻一致的方式移动(步骤S47)。
另外，如图10C所示，若进行了选择设定于时间图T的搬送工序的框的开始时刻(左端)和结束时刻(右端)中的某一个并拖动的操作6004，则判断为是时刻的变更(步骤S45的判断为肯定、且步骤S46的判断为否定)。参数编辑部45使执行搬送工序的时间范围延长或缩短(步骤S48)。在图10C的例子中，参数编辑部45使搬送工序“晶舟旋转”的右端的结束时刻延长到制造工序“RAMP OFF”的结束时刻。
另外，参数编辑部45以根据设定于时间图T的各搬送工序的框的开始时刻(左端)和结束时刻(右端)，与对应于各搬送工序的搬送控制指令和各搬送工序被设定的时刻相配合地向搬送控制部15输出搬送控制指令的方式，变更搬送控制的参数(步骤S49)。
(晶舟旋转中搬送限制功能)
此外，具备在晶舟217旋转的期间内限制装载有晶舟217的机构的上下移动等的动作的晶舟旋转中搬送限制功能。设为在编辑搬送工序的过程中，在例如某步骤中选择了使晶舟217从反应炉向移载室移动的搬送工序。在利用参数编辑部45变更搬送工序、并利用参数编辑部45与搬送工序的时间图T相配合地变更参数之际，起动用于检查制程的匹配性的程序。利用匹配性检查程序从变更了搬送工序的步骤向之前的步骤回溯，在比“晶舟旋转停止”指令先检测到“晶舟旋转”指令的情况下，在显示画面上发出警告。
若各参数的编辑处理结束，则返回图5A的流程图的步骤S6而再次等待操作指示的输入。
(步骤编辑)
接着，对步骤编辑区域A的编辑进行说明。若输入了用于变更步骤编辑区域A的步骤的操作指示(步骤S6的判断为肯定、步骤S7和步骤S9的判断为否定、且步骤S11的判断为肯定)，则执行步骤编辑处理(步骤S12)。在步骤编辑处理中，由步骤编辑部46进行依照操作指示的处理。
步骤编辑部46通过将新的步骤追加于一系列步骤中的某一步骤之前或之后、或者删除一系列步骤中的某一步骤，来编辑步骤编辑区域A。
使用图5D的流程图和图12A～12D的显示画面的例子，说明步骤的追加和删除的步骤编辑处理的一例。如图12A所示，在步骤编辑区域A中显示用于追加步骤的“ADD”按钮和用于删除步骤的“DEL”按钮2008(参照图6)。另外，表示步骤的最初的“STANDBY”和表示最后的“END”始终显示。
如图12A所示，在最初追加步骤的情况下，若进行了按下“ADD”按钮的操作3001(步骤S60的判断为肯定)，则步骤编辑部46接着步骤“STANDBY”之后追加步骤“B.LOAD”作为新的步骤(步骤S61)。或者，也可以构成为，步骤编辑部46在进行了按下“ADD”按钮的操作3001时(步骤S60的判断为肯定)，显示步骤选择清单，在进行了从该选择清单选择步骤“B.LOAD”的操作时，使步骤“B.LOAD”显示于步骤编辑区域A，在选择了所显示的步骤“B.LOAD”的状态下，通过输入数值，从而对选择中的步骤被执行的执行时间进行设定，接着步骤“STANDBY”之后追加步骤“B.LOAD”(步骤S61)作为新的步骤。
如图12B所示，若在进行了预先选择步骤“STANDBY”的操作3002的状态下进行按下“ADD”按钮的操作3003，则步骤编辑部46作为所选择的步骤的下一个步骤而追加步骤“WAIT1”。在追加了步骤时，参数显示部43继承之前步骤的表示目标值的模拟值或表示ON/OFF状态的数字值而更新参数编辑画面区域C的时间图T。在图12B的例子中，设定图标2005将步骤“STANBY”的目标值“0”继承为步骤“WAIT”期间的值，设定图标2006将步骤“STANBY”的OFF状态继承为步骤“WAIT”期间的值。
另外，在删除步骤之际，如图12C所示，若在进行了预先选择步骤的操作3004的状态下进行按下“DEL”按钮的操作3005(步骤S60的判断为否定、且步骤S62的判断为肯定)，则步骤编辑部46从步骤编辑区域A删除作为对象的步骤(步骤S63)。
在删除了步骤时，参数显示部43删除相应的步骤的信息而更新参数编辑画面区域C的时间图T。在图12C的例子中，若删除了步骤“WAIT”，则设定图标2005将步骤“WAIT”的开始时刻之前的值继承为步骤“B.LOAD”的开始时刻的值，设定图标2006使所删除的步骤“WAIT”以后的步骤“B.LOAD”以后的值保持原样。
另外，如图12D所示，若在进行了选择步骤“B.LOAD”的操作3006的状态下进行点击操作(步骤S60和步骤S62的判断为否定、且步骤S64的判断为肯定)，则步骤编辑部46显示步骤选择清单(步骤S65)。若进行了从选择清单选择步骤“RAMP ON”的操作3007，则将步骤“B.LOAD”变更成步骤“RAMP ON”而显示于步骤编辑区域A(步骤S66)。另外，在选择了所显示的任一步骤的状态下，通过输入数值，从而能够对选择中的步骤被执行的执行时间进行设定(步骤S67)。在图12D的例子中，步骤编辑部46与执行时间的变更相配合地变更设定图标2005和2006的时间图T的“RAMP ON”的时间范围。
参数编辑部45根据步骤的追加或删除而变更全部的时间图T的参数所包含的时刻(步骤S68)。例如，在参数表示目标值的变化的情况下，将达到目标值的时刻变更成与步骤的追加或删除相应的时刻，在参数表示零部件的ON/OFF状态的变化的情况下，将切换成零部件的ON/OFF状态的时刻变更成与步骤的追加或删除相应的时刻，在步骤是搬送工序的参数的情况下，将搬送工序被设定的时刻变更成与步骤的追加或删除相应的时刻。
若步骤编辑处理结束，则返回图5A的流程图的步骤S6而再次等待操作指示的输入。通过反复进行上述这样的制程编辑处理，从而生成制程。
若反复进行以上的编辑处理而制程的生成结束，则进行从制程编辑画面2001切换成其他画面的操作。或者，在制程编辑画面2001中按下保存按钮(未图示)，进行保存制程的操作。若输入了这些操作指示(步骤S6的判断为肯定、步骤S7、步骤S9及步骤S11的判断为否定、且步骤S13的判断为肯定)，则显示保存确认画面，若由操作者肯定了保存，则执行匹配性检查部47的匹配性检查处理(步骤S15)。
匹配性检查部47进行由参数编辑部45编辑后的参数的匹配性检查，仅在匹配性检查的结果正常的情况下保存包括编辑后的参数的制程。
接着，依照图13的流程图对匹配性检查部47的处理进行说明。
(制程妥当性检查功能)
匹配性检查部47构成为，确认是否设定有匹配性检查(也称为妥当性检查)功能(步骤S70)，若设定有，则步骤S70的判断为肯定，进行阀的开闭状态是否没有不匹配(阀连锁检查)和步骤的组合是否没有不匹配(步骤的无限循环检查等)的妥当性检查(步骤S71)。
若妥当性检查结果没有异常(不匹配)、检查结果正常(步骤S72的判断为肯定)，则匹配性检查部47执行编辑后的制程的保存。具体而言，在存储部20中保持制程(步骤S73)。另一方面，在发现了异常(不匹配)的情况下(步骤S72的判定为否定)，则在制程编辑画面2001显示存在异常(不匹配)的参数(步骤S74)。然后，构成为从图5A的流程图所示的制程编辑处理的步骤S6起再次执行。具体而言，匹配性检查部47构成为，自动地选择产生了异常(不匹配)的参数而使所选择的参数以能够编辑的方式显示于显示部32(制程编辑画面2001)。如此，优选产生了异常的参数优先显示于显示部32，以便易于进行产生了异常的参数的再编辑。此外，构成为，在产生了不匹配且没有取得匹配的期间内，无法进行按下制程保存按钮等保存所生成的制程的处理。另外，也可以构成为，于在妥当性检查结果中发现了异常(不匹配)的情况下，发出警报而通知未图示的外部控制器或显示于显示部32。
如此，根据本实施方式中的匹配性检查，构成为，即使进行制程生成后的匹配性检查而产生异常(不匹配)，匹配性检查部47也使产生了异常(不匹配)的参数优先显示于制程编辑画面2001(例如参数编辑画面区域C)。由此，仅在制程编辑画面2001(参数编辑画面区域C)上进行编辑直到参数的不匹配完全消除即可。因而，即使产生参数异常(不匹配)，也不依赖于操作者的技能，仅通过在制程编辑画面2001(参数编辑画面区域C)上进行操作就能够生成没有参数设定错误等人为错误的具有匹配性的制程。
此外，根据本实施方式，构成为，在生成制程并执行保存后从制程编辑画面2001切换成其他画面而显示之际，也使保存确认画面显示。由此，即使在生成制程后忘记用于保存的操作，也能够在从制程编辑画面2001转向其他画面时进行保存确认，能够减少编辑错误等人为错误。
接着，对在制程保存后执行制程而执行基板处理的处理进行说明。在保存制程后，通过起动制程执行程序，如图4所示，主控制部11作为执行部48发挥功能。另外，执行部48为了执行制程、利用基板处理装置100对晶片200实施处理，而向温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14以及搬送控制部15等各副控制部输出控制信号。
在执行部48中开始基板处理的处理流程示于图14的流程图。该处理将在基板处理装置100中不存在其他自动运转作业、作业的开始方法为自动作为前提。
首先，检查作为执行对象的制程是否已被认证(步骤S80)。在未认证的情况下(S80的判断为否定)，不生成自动运转作业，执行处理结束(步骤S81)。另外，若已认证完毕(步骤S80的判断为肯定)，则生成自动运转作业(步骤S82)。此时，若自动运转作业生成失败(步骤S86)，则执行处理结束。若自动运转作业生成成功(步骤S83的判断为肯定)，则自动运转作业开始执行(步骤S84)，并且开始制程的执行(步骤S85)。
由于顾客的不同，进行仅能够执行进一步利用认证功能对所生成的制程进行了认证的制程这样的运用。在该情况下，未认证制程不能在自动运转作业中执行，仅认证完毕的制程能够在自动运转作业中执行。在此，自动运转作业是指用于进行如下动作的一系列命令：为了处理晶片200，从顾客的主机、装置画面上进行指示，将晶片200从盒向晶舟217移载，使用于执行制程的基板处理装置100运转。
接着，说明使用本实施方式的基板处理装置100执行所生成的制程、作为半导体器件制造的一工序而对晶片200进行处理的情况下的动作顺序。
(盒搬送工序)
如图1和图2所示，若向加载部114供给了盒110，则盒搬入搬出口112由前开闭部件113打开，从盒搬入搬出口112搬入盒110。由盒搬送装置118将所搬入的盒110向旋转架105的被指定的搁板117自动地搬送而交接。
(晶片供给工序)
盒110在暂时保管到旋转架105之后，从搁板117向一方的开盒器121搬送而载置于载置台122，或者，从加载部114直接向开盒器121搬送而载置于载置台122。此时，开盒器121的晶片搬入搬出口120由盖拆装机构123关闭，清洁气体133向移载室124流通并充满该移载室124。
(晶片移载工序)
如图2所示，载置于载置台122的盒110的盖由盖拆装机构123拆卸，盒110的晶片出入口打开。另外，由晶片移载装置125a从盒110拾取晶片200，向晶舟217移载而装填。将晶片200交接到晶舟217后的晶片移载装置125a返回到盒110，将下一晶片200装填于晶舟217。
在一方(上层或下层)的开盒器121中的由晶片移载装置125a进行的晶片200向晶舟217的装填作业过程中，同时进行由盒搬送装置118将其他的盒110从旋转架105或加载部114向另一方(下层或上层)的开盒器121搬送、并由开盒器121打开盒110的作业。如此一来，预先指定的张数的晶片200装填于晶舟217(晶片装载工序)。
(搬入工序)
若预先指定的张数的晶片200被装填于晶舟217，则处理炉202的下端部由炉口闸阀147打开。接下来，密封盖219通过晶舟升降机115而上升，支承于密封盖219的晶舟217向处理炉202内的处理室搬入(晶片搬入工序)。
在晶舟加载后，对搬入到处理室的晶舟217所保持的未处理状态的晶片200进行规定的处理。具体而言，在进行例如基于热CVD反应的成膜处理的情况下，使用排气装置进行排气，使处理室成为所期望的压力(真空度)。然后，使用加热器单元对处理室进行加热，并且，使旋转机构动作而使晶舟217旋转，与此相伴，也使晶片200旋转。晶片200的旋转持续到晶舟217的搬出为止。另外，从气体导入管向处理室供给原料气体、吹扫气体等。由此，对保持于晶舟217的未处理状态的晶片200的表面进行利用了基于热的分解反应、化学反应等的薄膜形成。
在处理后，晶舟217被晶舟升降机115拉出(晶片搬出工序)。此后，以大致与上述顺序相反的顺序向壳体111的外部送出晶片200和盒110。
以上，根据本实施方式，起到以下效果中的至少一个效果。
(1)根据本实施方式，通过在制程编辑画面上进行参数设定，能够一边确认制程整体的各设定项目的变化的流程一边进行编辑，无需逐步推进操作、一边考虑步骤前后的数值一边进行编辑的作业，因此，能够期待编辑错误的减少。
(2)根据本实施方式，能够在参数编辑中使多个步骤的参数显示于同一画面上，能够一边参照其他步骤的内容一边生成制程，能缩短制程确认时间，谋求作业效率的提高。
(3)根据本实施方式，不对设置于与质量流量控制器相同的气体管线上的阀开闭进行指定，就能够编辑制程，因此，可以不关注连锁发生模式，从而能够大幅度减少编辑操作。因而，能够大幅度地省略由人进行的编辑操作，从而能够减少编辑错误。
(4)根据本实施方式，在保存所生成的制程之际设置检查功能，并且，能够立刻再次编辑在进行了检查的结果中所发现的异常部位，因此，能够抑制即使在制程生成中存在编辑错误也直接执行(存在设定错误的)制程、导致基板处理装置批退(lot-out)的情况。
在立式热处理装置的情况下，通过在将晶片200加载于炉内后将炉内减压成真空状态，从而在去除存在于空气中的杂质后进行工艺。此时，即使是抽真空的顺序不同的制程，也大多是大致相同的步骤顺序，其设定值参数也不变更地使用。另外，存在从真空状态向大气恢复(慢速吹扫)步骤、将搭载有晶片200的晶舟217投入(加载于)炉内的步骤、使炉内温度升温成工艺温度的步骤、将晶舟217从炉内送出(卸载)的步骤等在制程中必须使用的步骤。
另外，在不是新生成制程而是选择成为基础的其他制程、并在复制该制程的基础上进行编辑的情况下，由于是在成为基础的制程中本来就输入有设定值的状态，因此，若不熟悉制程编辑的作业者进行操作，则想到产生忘记编辑本来必须编辑的步骤的错误。然而，在本实施方式中，能够使作为编辑对象的步骤预先显示于编辑参数的制程编辑画面(参数编辑画面区域)，因此，不会产生忘记编辑必须编辑的步骤的错误。
另外，即使是在随着由基板处理装置的改造等导致的膜种变更而新生成制程的情况下，也不仅能够进行参数编辑，还能够在制程编辑画面中编辑构成制程的步骤本身，而且，无需指定阀开闭就能够编辑制程，各搬送机构的搬送参数也能够在制程编辑画面中设定。因而，即使是不熟悉制程编辑的作业者，也能够比较容易地进行制程的生成。
本公开不仅能够适用于半导体制造装置，还能够适用于LCD制造装置这样的处理玻璃基板的装置、其他基板处理装置。基板处理的内容不仅可以是CVD、PVD(物理气相沉积：Physical Vapor Deposition)、形成外延成长膜、氧化膜、氮化膜、含金属膜等的成膜处理，也可以是退火处理、氧化处理、扩散处理、蚀刻处理、曝光处理、平板印刷、涂敷处理、模塑处理、显影处理、切割处理、引线接合处理或检查处理等。
附图标记说明
T：时间图，
10：控制部，
11：主控制部，
20：存储部，
31：操作部，
32：显示部，
41：画面显示部，
42：参数受理部，
43：参数显示部，
44：编辑部，
45：参数编辑部，
46：步骤编辑部，
48：执行部，
100：基板处理装置，
200：晶片。

Claims (15)

1.一种制程生成方法，其具备如下工序：
画面显示工序，在该画面显示工序中，使至少具备选择画面区域和参数编辑画面区域的制程编辑画面显示于显示部，该选择画面区域显示用于对基板处理装置的制程所包含的参数进行选择的参数一览表，该参数编辑画面区域用于编辑所述参数；
参数受理工序，在该参数受理工序中，受理从显示于所述选择画面区域的所述参数一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作；
参数显示工序，在该参数显示工序中，使时间图以能够编辑的方式显示于所述参数编辑画面区域，该时间图是用于编辑通过所述选择操作而被选择的作为编辑对象的参数的时间图，且在基板处理工序所包含的一系列步骤的各步骤的时刻下发生变化；以及
参数编辑工序，在该参数编辑工序中，受理对显示于所述参数编辑画面区域的所述时间图进行编辑的操作指示，并根据该操作指示使所述时间图的显示变化而编辑所述作为编辑对象的参数。
2.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述作为编辑对象的参数表示由所述基板处理装置进行的基板处理设为目标的目标值和达到该目标值的时刻，
所述时间图表示所述各步骤的时刻下的所述目标值的变化，
所述操作指示是使显示于所述参数编辑画面区域的时间图上的点移动的指示，
所述参数编辑工序将与被进行了使所述点移动的指示的时间图相对应的参数的与所述点相对应的时刻的目标值从移动前的所述点所表示的目标值变更成移动后的所述点所表示的目标值。
3.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述作为编辑对象的参数表示将所述基板处理装置的零部件的状态设为ON或OFF的时刻，
所述时间图表示所述各步骤的时刻下的所述零部件的状态是ON还是OFF，
所述操作指示是通过对显示于所述参数编辑画面区域的时间图上的点进行指示、来使所指示的所述时间图上的点的状态在OFF和ON之间进行切换的指示，
所述参数编辑工序对与所述时间图相对应的所述作为编辑对象的参数，将与所述点相对应的时刻下的状态切换成依照所述操作指示的状态。
4.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述操作指示是变更显示于所述参数编辑画面区域的所述时间图的显示顺序的指示，
所述参数显示工序依照变更与所述时间图相对应的作为编辑对象的参数的所述显示顺序的指示而变更时间图的显示顺序。
5.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述操作指示是将显示于所述参数编辑画面区域的所述时间图设为不显示的指示，
所述参数显示工序将被进行了所述设为不显示的指示的时间图设为不显示。
6.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述作为编辑对象的参数表示所述基板处理装置的多种搬送工序的开始时刻和结束时刻，
所述时间图表示与所述各步骤的时刻相配合的各所述搬送工序的开始时刻和结束时刻，
所述操作指示是使从所述多种搬送工序中选择的种类的搬送工序的开始时刻或结束时刻与所述各步骤的时刻相配合地变更的指示，
所述参数编辑工序相应于被变更的所述搬送工序的开始时刻或结束时刻，使被变更的所述搬送工序的参数变更。
7.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
所述参数显示工序以能够识别所述一系列步骤中的各步骤的开始时刻和结束时刻与所述时间图的时刻之间的对应的方式，使从所述各步骤的开始时刻到结束时刻的时间范围显示于所述制程编辑画面上。
8.根据权利要求7所述的制程生成方法，其中，
还具备步骤编辑工序，在该步骤编辑工序中，在所述一系列步骤中的某一步骤之前或之后追加新的步骤，或者，删除所述一系列步骤中的某一步骤，
所述参数显示工序使与所追加的所述步骤相对应的所述参数编辑画面区域的时间图的范围沿着时间轴扩张，或者，使与所删除的所述步骤相对应的所述参数编辑画面区域的时间图的范围沿着时间轴缩小，
所述参数编辑工序根据所述步骤的追加或删除而变更所述时间图的参数所包含的时刻。
9.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
还具备匹配性检查工序，在该匹配性检查工序中，进行在所述参数编辑工序中进行了编辑的参数的匹配性检查，仅在匹配性检查的结果正常的情况下保存包括所述进行了编辑的参数的制程。
10.根据权利要求1所述的制程生成方法，其中，
构成为，
在所述参数受理工序中，受理选择操作，该选择操作用于选择从由与基板处理相关联的参数和与基板搬送相关联的参数构成的组中选择的作为编辑对象的参数，
在所述参数显示工序中，使对通过所述选择操作而被选择的所述作为编辑对象的参数进行设定的设定图标以能够编辑的方式显示于参数编辑画面区域，
在所述参数编辑工序中，受理用于对设定显示于所述参数编辑画面区域的所述作为编辑对象的参数的设定图标进行编辑的操作指示，并根据该操作指示使所述设定图标内的显示变化而编辑所述作为编辑对象的参数。
11.根据权利要求10所述的制程生成方法，其中，
所述设定图标构成为从由如下设定图标构成的组中选择：设定所述作为编辑对象的参数的设定值是模拟值的情况下的设定图标；设定所述作为编辑对象的参数的设定值是数字值的情况下的设定图标；以及设定所述作为编辑对象的参数的设定值是指令值的情况下的设定图标。
12.一种半导体器件的制造方法，还具备执行工序，在该执行工序中，通过将执行权利要求1～11中任一项所述的制程生成方法而获得的制程在所述基板处理装置中执行，从而处理基板。
13.一种基板处理装置，其具备：
画面显示部，其使具备选择画面区域和参数编辑画面区域的制程编辑画面显示于显示部，该选择画面区域显示用于对用于处理基板的制程所包含的参数进行选择的参数一览表，该参数编辑画面区域用于编辑所述参数；
参数受理部，其受理从显示于所述选择画面区域的所述参数一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作；
参数显示部，其使时间图以能够编辑的方式显示于所述参数编辑画面区域，该时间图是用于编辑通过所述选择操作而被选择的作为编辑对象的参数的时间图，且在基板处理所包含的一系列步骤的各步骤的时刻下发生变化；
参数编辑部，其受理对显示于所述参数编辑画面区域的所述时间图进行编辑的操作指示，并根据该操作指示使所述时间图的显示变化而编辑所述作为编辑对象的参数；
操作部，其构成为，利用所述参数受理部、所述参数显示部、所述参数编辑部选择所述作为编辑对象的参数，使与所选择的所述作为编辑对象的参数相对应的时间图显示于所述参数编辑画面区域，编辑所显示的所述时间图，依照编辑后的时间图编辑与所述编辑后的时间图相对应的参数，生成所述制程；以及
控制部，其执行所述制程而处理所述基板。
14.一种记录介质，其为计算机可读记录介质，记录有用于使计算机执行如下步骤的制程生成程序：
画面显示步骤，在该画面显示步骤中，使具备选择画面区域和参数编辑画面区域的制程编辑画面显示于显示部，该选择画面区域显示用于对基板处理装置的制程所包含的参数进行选择的参数一览表，该参数编辑画面区域用于编辑所述参数；
参数受理步骤，在该参数受理步骤中，受理从显示于所述选择画面区域的所述参数一览表选择作为编辑对象的参数的选择操作；
参数显示步骤，在该参数显示步骤中，使时间图以能够编辑的方式显示于所述参数编辑画面区域，该时间图是用于编辑通过所述选择操作而被选择的作为编辑对象的参数的时间图，且在基板处理工序所包含的一系列步骤的各步骤的时刻下发生变化；以及
参数编辑步骤，在该参数编辑步骤中，受理对显示于所述参数编辑画面区域的所述时间图进行编辑的操作指示，并根据该操作指示使所述时间图的显示变化而编辑所述作为编辑对象的参数。
15.根据权利要求14所述的记录介质，其中，
构成为，
在所述参数显示步骤中，使对通过所述选择操作而被选择的与基板处理相关联的参数和与基板搬送相关联的参数进行设定的设定图标以能够编辑的方式显示于参数编辑画面区域，
在所述参数编辑步骤中，受理对设定显示于所述参数编辑画面区域的所述参数的设定图标进行编辑的操作指示，并根据该操作指示使所述设定图标内的显示变化而编辑所述作为编辑对象的参数。
CN201980091910.6A 2019-03-20 2019-03-20 制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质 Active CN113424294B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/011897 WO2020188820A1 (ja) 2019-03-20 2019-03-20 レシピ作成方法、作成されたレシピを用いた半導体装置の製造方法、及び基板処理装置、並びにレシピ作成プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113424294A CN113424294A (zh) 2021-09-21
CN113424294B true CN113424294B (zh) 2024-01-23

Family

ID=72520628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980091910.6A Active CN113424294B (zh) 2019-03-20 2019-03-20 制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220004172A1 (zh)
JP (1) JP7270029B2 (zh)
KR (1) KR102476974B1 (zh)
CN (1) CN113424294B (zh)
SG (1) SG11202110248VA (zh)
WO (1) WO2020188820A1 (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622587A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 富士胶片株式会社 图像编辑装置及其方法和程序
JP2008004737A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20080031624A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
KR20080066677A (ko) * 2006-04-27 2008-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 군 관리 시스템, 프로세스 정보 관리 장치, 제어 장치 및, 프로그램이 기록된 기록 매체
KR20080083594A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
JP2014067936A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd レシピ作成装置、レシピ作成方法および基板処理装置
JP2014138158A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びその制御方法並びに編集プログラム
CN104821286A (zh) * 2014-01-31 2015-08-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、编辑装置以及编辑方法
JP2017002353A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6000830A (en) * 1997-04-18 1999-12-14 Tokyo Electron Limited System for applying recipe of semiconductor manufacturing apparatus
JP4489853B2 (ja) 1998-09-01 2010-06-23 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP3985922B2 (ja) 1998-10-22 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US6907308B1 (en) * 2002-08-02 2005-06-14 Advanced Micro Devices, Inc. Remote wafer flow and recipe editor for simiconductor processing control
JP2006093615A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム
US20070038324A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Asm Japan K.K. Recipe operation using group function and/or subroutine function
JP2007194446A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5015015B2 (ja) * 2006-01-27 2012-08-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、レシピ表示方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びレシピ遷移表示方法
JP5283352B2 (ja) * 2007-06-26 2013-09-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4555881B2 (ja) * 2008-03-18 2010-10-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び表示方法
KR101132291B1 (ko) * 2008-03-18 2012-04-05 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
US20130014251A1 (en) * 2010-03-19 2013-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP6368453B2 (ja) * 2011-06-24 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び基板処理装置のデータ解析方法並びにプログラム
US20130053996A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Chung-Yuan Wu Method of programming recipe through gui and media recording the same
WO2013146595A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及び記録媒体
JP2018067626A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 東京エレクトロン株式会社 半導体システム及びデータ編集支援方法
JP6771418B2 (ja) * 2017-03-30 2020-10-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、制御装置、群コントローラ及びホストコンピュータ
KR20220151032A (ko) * 2017-09-20 2022-11-11 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622587A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 富士胶片株式会社 图像编辑装置及其方法和程序
KR20080066677A (ko) * 2006-04-27 2008-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 군 관리 시스템, 프로세스 정보 관리 장치, 제어 장치 및, 프로그램이 기록된 기록 매체
JP2008004737A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20080031624A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
KR20080083594A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
JP2014067936A (ja) * 2012-09-27 2014-04-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd レシピ作成装置、レシピ作成方法および基板処理装置
JP2014138158A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びその制御方法並びに編集プログラム
CN104821286A (zh) * 2014-01-31 2015-08-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、编辑装置以及编辑方法
JP2017002353A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7270029B2 (ja) 2023-05-09
WO2020188820A1 (ja) 2020-09-24
CN113424294A (zh) 2021-09-21
SG11202110248VA (en) 2021-10-28
US20220004172A1 (en) 2022-01-06
KR20210127988A (ko) 2021-10-25
JPWO2020188820A1 (ja) 2021-12-02
KR102476974B1 (ko) 2022-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5361094B2 (ja) 基板処理装置及びその表示方法並びにセットアップ方法、集中管理装置及びその表示方法
CN108885969B (zh) 基板处理装置、控制器以及记录介质
US20150371914A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP5275641B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の表示方法、基板処理装置の制御方法及び半導体装置の製造方法
JP5254779B2 (ja) 基板処理装置システム
CN113424294B (zh) 制程生成方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质
US8510790B2 (en) Substrate processing apparatus
US20090225048A1 (en) Substrate processing apparatus, display method, storage medium, and program
JP2014138158A (ja) 基板処理装置及びその制御方法並びに編集プログラム
JP4734185B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
JP6872667B2 (ja) レシピ作成方法、半導体装置の製造方法及び処理装置並びにプログラム
JP2006093494A (ja) 基板処理装置
JP4577889B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のデータ解析方法
JP5295208B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の運用方法
CN117747479A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
JP7224482B2 (ja) システム、基板処理装置及びプログラム
TW202414652A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
CN117747477A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质
JP2009295664A (ja) 基板処理装置
JP2013102037A (ja) 基板処理装置
JP2010183068A (ja) 基板処理装置
JP2011003914A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
JP2011135090A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant