KR20230161437A - 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20230161437A
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마사코 스에요시
마코토 노무라
다쿠 히사다
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다. 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값이 기판의 목표 온도에 대하여 설정된 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 기억부와, 상기 프로세스 레시피를 실행하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하여, 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있다.

Description

처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
본 개시는, 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판을 가열하여, 질화, 산화, 어닐 등의 처리를 행하는 기판 처리 장치가 있다.
특허문헌 1에는, 서셉터의 히터와 램프 가열 유닛을 병용해서 처리실의 온도를 승온시키는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 2에는, 저항 가열 히터에 의해 기판을 가열하고, 또한 램프 히터를 보조 히터로서 사용하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 3에는, 설정 화면 상에서 램프의 온도 설정과 히터의 온도 설정이 가능하게 구성된 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-231001호 공보 일본 특허 공개 제2007-311618호 공보 일본 특허 공개 제2008-288282호 공보
상술한 바와 같은 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 가열할 때, 히터나, 램프 유닛이나, 고주파 전원 등의 복수의 온도 제어 아이템의 설정값 조합의 설정이 필요하게 되어 있다.
본 개시에 의하면, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
본 개시의 일 양태에 의하면, 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값이 기판의 목표 온도에 대하여 설정된 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 기억부와, 상기 프로세스 레시피를 실행하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하고, 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있는 기술이 제공된다.
본 개시에 의하면, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스를 저감할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 적합하게 사용되는 기판 처리 장치(100)를 도시하는 종단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에 적합하게 사용되는 기판 처리 장치(100)의 컨트롤러(121)의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 나타내는 도면이다.
도 3은 기판을 가열할 때의 온도 제어 아이템과, 각 온도 제어 아이템에서의 설정 항목의 설정값의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 기억 장치 또는 외부 기억 장치에 기억되는 온도 제어 테이블의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 기억 장치 또는 외부 기억 장치에 기억되는 프로세스 레시피의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 프로세스 레시피 개시 시의 프로세스 레시피와 온도 제어 테이블의 다운로드 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 각 스텝에서의 온도 제어 동작에 대해서 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 조작 화면 상에서 레시피 편집 처리를 행할 때의 수순에 대해서 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 온도 제어 테이블의 데이터 산출 방법에 대해서 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 도면은 모두 모식적인 것이며, 도면에 도시되는, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실의 것과 반드시 일치하는 것은 아니다. 또한, 복수의 도면의 상호간에 있어서도, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 반드시 일치하는 것은 아니다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
기판 처리 장치(100)는, 처리 용기(203)를 갖고, 이 처리 용기(203)는, 제1 용기인 돔형의 상측 용기(210)와 제2 용기인 사발형의 하측 용기(211)에 의해 형성되고, 상측 용기(210)는 하측 용기(211) 위에 씌워져 있다. 상측 용기(210)는 산화알루미늄 또는 석영 등의 비금속 재료로 형성되어 있고, 하측 용기(211)는 예를 들어 알루미늄으로 형성되어 있다. 또한, 처리 용기(203)의 상면에는 광투과성 창부(278)가 배치되고, 이 광투과성 창부(278)에 대응하는 처리 용기(203) 외측에 램프 유닛(광원)(280)이 마련되어 있다. 또한 후술하는 히터 일체형의 기판 보유 지지구(기판 보유 지지 수단)인 서셉터(217)를 질화알루미늄이나 세라믹스 또는 석영 등의 비금속 재료로 구성함으로써, 처리 시에 막 중에 도입되는 금속 오염을 저감하고 있다.
샤워 헤드(236)는, 처리실(반응실)(201)의 상부에 마련되고, 링상의 프레임체(233)와, 광투과성 창부(278)와, 가스 도입구(234)와, 버퍼실(237)과, 개구(238)와, 차폐 플레이트(240)와, 가스 분출구(239)를 구비하고 있다. 버퍼실(237)은, 가스 도입구(234)로부터 도입된 가스를 분산시키기 위한 분산 공간으로서 마련된다.
가스 도입구(234)에는, 가스를 공급하는 가스 공급관(232)이 접속되어 있고, 가스 공급관(232)은, 개폐 밸브인 밸브(243a), 유량 제어기(유량 제어 수단)인 매스 플로 컨트롤러(241)를 통해서 도면 중 생략된 반응 가스(230)의 가스 봄베에 연결되어 있다. 샤워 헤드(236)로부터 반응 가스(230)가 처리실(201)에 공급되고, 또한, 서셉터(217)의 주위로부터 처리실(201)의 바닥 방향으로 기판 처리 후의 가스가 흐르도록 하측 용기(211)의 측벽에 가스를 배기하는 가스 배기구(235)가 마련되어 있다. 가스 배기구(235)에는 가스를 배기하는 가스 배기관(231)이 접속되어 있고, 가스 배기관(231)은, 압력 조정기인 APC(242), 개폐 밸브인 밸브(243b)를 통해서 배기 장치인 진공 펌프(246)에 접속되어 있다.
공급되는 반응 가스(230)를 여기시키는 방전 기구(방전용 전극)로서, 통 형상, 예를 들어 원통상으로 형성된 제1 전극인 통 형상 전극(215)이 마련된다. 통 형상 전극(215)은, 처리 용기(203)(상측 용기(210))의 외주에 설치되어 처리실(201) 내의 플라스마 생성 영역(224)을 둘러싸고 있다. 통 형상 전극(215)에는 임피던스의 정합을 행하는 정합기(272)를 통해서 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원(273)이 접속되어 있다.
또한, 통 형상, 예를 들어 원통상으로 형성된 자계 형성 기구(자계 형성 수단)인 통 형상 자석(216)은, 통 형상의 영구 자석으로 되어 있다. 통 형상 자석(216)은, 통 형상 전극(215)의 외표면의 상하단 근방에 배치된다. 상하의 통 형상 자석(216, 216)은, 처리실(201)의 반경 방향을 따른 양단(내주단과 외주단)에 자극을 갖고, 상하의 통 형상 자석(216, 216)의 자극 배향이 역배향으로 설정되어 있다. 따라서, 내주부의 자극끼리 이극으로 되어 있으며, 이에 의해, 통 형상 전극(215)의 내주면을 따라 원통 축방향으로 자력선을 형성하도록 되어 있다.
처리실(201)의 바닥측 중앙에는, 기판인 웨이퍼(200)를 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지구(기판 보유 지지 수단)로서 서셉터(217)가 배치되어 있다. 서셉터(217)는, 예를 들어 질화알루미늄이나 세라믹스, 또는 석영 등의 비금속 재료로 형성되고, 내부에 가열 기구(가열 수단)로서의 히터(217b)가 일체적으로 매립되어 있어, 웨이퍼(200)를 가열할 수 있도록 되어 있다. 히터(217b)는, 전력이 인가되어 웨이퍼(200)를 가열할 수 있도록 구성되어 있다. 히터(217b)는, 서셉터(217)에 웨이퍼(200)를 적재해서 가열하는 제1 가열 장치로서 구성되어 있다.
또한, 서셉터(217)의 내부에는, 또한 임피던스를 변화시키기 위한 전극인 제2 전극도 장비되어 있고, 이 제2 전극이 임피던스 가변 기구(274)를 통해서 접지되어 있다. 임피던스 가변 기구(274)는, 코일이나 가변 콘덴서로 구성되어, 코일의 패턴수나 가변 콘덴서의 용량값을 제어함으로써, 상기 전극 및 서셉터(217)를 통해서 웨이퍼(200)의 전위를 제어할 수 있도록 되어 있다.
웨이퍼(200)를 마그네트론형 플라스마원에서의 마그네트론 방전에 의해 처리하기 위한 처리로(202)는, 적어도 처리실(201), 처리 용기(203), 서셉터(217), 통 형상 전극(215), 통 형상 자석(216), 샤워 헤드(236) 및 배기구(235)로 구성되어 있어, 처리실(201)에서 웨이퍼(200)를 플라스마 처리하는 것이 가능하게 되어 있다.
통 형상 전극(215) 및 통 형상 자석(216)의 주위에는, 이 통 형상 전극(215) 및 통 형상 자석(216)으로 형성되는 전계나 자계가 외부 환경이나 타 처리로 등의 장치에 악영향을 미치지 않도록, 전계나 자계를 유효하게 차폐하는 차폐판(223)이 마련되어 있다.
서셉터(217)는 하측 용기(211)와 절연되고, 서셉터(217)를 승강시키는 서셉터 승강 기구(승강 수단)(268)가 마련되어 있다. 또한 서셉터(217)에는 관통 구멍(217a)이 마련되고, 하측 용기(211) 저면에는 웨이퍼(200)를 밀어올리기 위한 웨이퍼 밀어올림 핀(266)이 적어도 3군데에 마련되어 있다. 그리고, 서셉터 승강 기구(268)에 의해 서셉터(217)가 하강되었을 때는 웨이퍼 밀어올림 핀(266)이 서셉터(217)와 비접촉인 상태에서 관통 구멍(217a)를 뚫고 나가는 위치 관계가 되도록, 관통 구멍(217a) 및 웨이퍼 밀어올림 핀(266)이 배치된다.
또한, 하측 용기(211)의 측벽에는 구획 밸브가 되는 게이트 밸브(244)가 마련되어, 개방되어 있을 때는 도면 중 생략된 반송 기구(반송 수단)에 의해 처리실(201)에 대하여 웨이퍼(200)를 반입 또는 반출할 수 있고, 닫혀 있을 때는 처리실(201)을 기밀하게 닫을 수 있다.
이어서 램프 유닛(280)의 주변 구조를 설명한다.
램프 유닛(280)은, 프레임체(233) 상에 배치되어, 적어도 하나(본 실시 형태에서는 4개)의 가열 램프를 갖는다. 광투과성 창부(278)는, 원주상으로 형성되어 있고, 도시하지 않은 시일 부재를 개재해서 프레임체(233)에 지지되어 있다. 이 광투과성 창부(278)는, 램프 유닛(280)으로부터 조사된 광이나 열을 투과시키는 투과성 부재로 구성되어 있다. 램프 유닛(280)은, 웨이퍼(200)를 처리 용기(203)의 외측으로부터 가열하는 제2 가열 장치로서 구성되어 있다.
또한, 프레임체(233) 내에는, 냉각 수단으로서의 냉각로(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 냉각로에 냉각 매체(예를 들어 냉각수)를 유통시킴으로써, 시일 부재 주변의 환경 온도를 저하시키도록 구성되어 있다.
(2) 제어부의 구성
도 2에 도시하는 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억부인 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서 CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(402)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 소정의 처리 수순(이후, 스텝이라고도 함)이나 조건 등이 기재된 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 주로, 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피는, 소정의 처리에서의 각 스텝을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 프로세스 레시피를 포함하는 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 단순히 프로그램이라고도 한다. 또한, 이후, 프로세스 레시피를, 단순히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 밸브(243a, 243b), 매스 플로 컨트롤러(241), APC(242), 진공 펌프(246), 정합기(272), 고주파 전원(273), 히터(217b), 서셉터 승강 기구(268), 임피던스 가변 기구(274), 게이트 밸브(244), 램프 유닛(280) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(402)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이, CPU(121a)는, 판독한 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, I/O 포트(121d) 및 신호선(A)을 통해서 APC(242), 밸브(243b), 진공 펌프(246)를, 신호선(B)을 통해서 서셉터 승강 기구(268)를, 신호선(C)을 통해서 게이트 밸브(244)를, 신호선(D)을 통해서 정합기(272), 고주파 전원(273)을, 신호선(E)을 통해서 매스 플로 컨트롤러(241), 밸브(243a)를, 또한 신호선(F)을 통해서 히터(217b), 임피던스 가변 기구(274), 램프 유닛(280)을 각각 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 기억부인 외부 기억 장치(403)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 외부 기억 장치(403)는, 예를 들어 USB 메모리 등의 반도체 메모리 등을 포함한다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(403)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 본 개시에 있어서 기록 매체라는 말을 사용한 경우는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(403) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(403)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(3) 기판 처리 공정
이어서 상기와 같은 구성의 기판 처리 장치를 사용하여, 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정으로서, 웨이퍼(200) 표면에 대하여, 또는 웨이퍼(200) 상에 형성된 하지막의 표면에 대하여 소정의 처리를 실시하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
웨이퍼(200)는 처리로(202)를 구성하는 처리실(201)의 외부로부터 웨이퍼를 반송하는 도면 중 생략된 반송 기구에 의해 처리실(201)에 반입되어, 서셉터(217) 상에 반송된다. 이 반송 동작의 상세는 다음과 같다. 서셉터(217)가 기판 반송 위치까지 하강하고, 웨이퍼 밀어올림 핀(266)의 선단이 서셉터(217)의 관통 구멍(217a)을 통과한다. 이때 서셉터(217) 표면보다도 소정의 높이분만큼 밀어올림 핀(266)이 돌출된 상태로 된다. 이어서, 하측 용기(211)에 마련된 게이트 밸브(244)가 개방되어, 도면 중 생략된 반송 기구에 의해 웨이퍼(200)를 웨이퍼 밀어올림 핀(266)의 선단에 적재한다. 반송 기구가 처리실(201) 밖으로 퇴피하면, 게이트 밸브(244)가 폐쇄된다. 서셉터(217)가 서셉터 승강 기구(268)에 의해 상승하면, 서셉터(217) 상면에 웨이퍼(200)를 적재할 수 있고, 또한 웨이퍼(200)를 처리하는 위치까지 상승한다.
서셉터(217)에 매립된 히터(217b)는 미리 가열되며, 필요에 따라 램프 유닛(280)도 가열되어서, 반입된 웨이퍼(200)를 소정의 처리 온도인 웨이퍼 온도(기판 온도)로 가열한다. 진공 펌프(246) 및 APC(242)를 사용해서 처리실(201)의 압력을 소정의 압력으로 유지한다.
웨이퍼(200)의 온도가 웨이퍼 온도에 달하여, 안정화하면, 가스 도입구(234)로부터 차폐 플레이트(240)의 가스 분출 구멍(239)을 통해서, 반응 가스를 처리실(201)에 배치되어 있는 웨이퍼(200)의 상면(처리면)을 향해서 도입한다. 이때의 가스 유량은 소정의 유량으로 한다. 동시에 통 형상 전극(215)에 고주파 전원(273)으로부터 정합기(272)를 통해서 고주파 전력을 인가한다. 인가하는 전력은, 소정의 출력값을 투입한다. 이때 임피던스 가변 기구(274)는 미리 원하는 임피던스값으로 되도록 제어해 둔다.
통 형상 자석(216, 216)의 자계의 영향을 받아서 마그네트론 방전이 발생하고, 웨이퍼(200)의 상방 공간에 전하를 포획해서 플라스마 생성 영역(224)에 고밀도 플라스마가 생성된다. 그리고, 생성된 고밀도 플라스마에 의해, 서셉터(217) 상의 웨이퍼(200)의 표면에 플라스마 처리가 실시된다. 플라스마 처리가 끝난 웨이퍼(200)는, 도시 생략된 반송 기구를 사용하여, 기판 반입과 역의 수순으로 처리실(201) 밖으로 반송된다.
(4) 제어부에 의한 온도 제어
이어서, 본 개시의 일 실시 형태에서의 컨트롤러(121)에 의한 온도 제어에 대해서 설명한다. 본 개시에서는, 컨트롤러(121)가, 상술한 기판 처리 공정에서 프로세스 레시피를 실행할 때, 기억 장치(121c) 또는 외부 기억 장치(403)에 저장된 온도 제어 테이블에서의 히터(217b)의 설정값과 램프 유닛(280)의 설정값을 사용해서 웨이퍼 온도를 제어하도록 구성되어 있다.
여기서, 웨이퍼(200)를 처리할 때의 웨이퍼 온도는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 히터나 램프 유닛이나 고주파 전원이나 마이크로파 발생기나 칠러 등의 복수의 온도 제어 아이템의 복수의 설정 항목에서의 설정값에 의해 영향을 받는다.
본 개시에 있어서, 기억 장치(121c) 또는 외부 기억 장치(403)에는, 웨이퍼(200)의 목표 온도인 웨이퍼 온도에 대하여, 웨이퍼(200)를 가열하는 히터(217b)의 복수의 설정 항목에서의 설정값과, 웨이퍼(200)를 가열하는 램프 유닛(280)의 복수의 설정 항목에서의 설정값을 관련지은 온도 제어 테이블과, 상술한 기판 처리 공정에서 웨이퍼(200)를 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피가 기억되어 있다. 도 4는, 온도 제어 테이블의 일례를 나타내고, 도 5는, 프로세스 레시피의 일례를 나타내고 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 온도 제어 테이블은, 프로세스 레시피의 각 스텝에 설정할 때의 목표 온도가 되는 웨이퍼 온도(℃)에 대하여, 히터(217b)를 제어하는 히터 제어값인 히터(217b)의 온도 설정값(℃)과, 히터(217b)의 입력측과 출력측의 파워 비율인 온도 비율과, 램프 유닛(280)을 제어하는 램프 제어값인 램프 유닛(280)을 승온시킬 때의 승온 공정의 승온 시간(초)과, 램프 유닛(280)의 승온 공정의 파워 설정값(％)과, 램프 유닛(280)의 승온 공정의 램프 레이트(％/초)와, 램프 유닛(280)을 승온 후에 설정된 웨이퍼 온도로 안정시킬 때의 프로세스 공정의 파워 설정값(％)과, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정의 램프 레이트(％/초)를 대응지어서(관련지어서) 설정된 것이다. 즉, 램프 제어값은, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도로 승온시킬 때의 제어값인 제1 제어값과, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도로 안정시킬 때의 제어값인 제2 제어값을 갖는다. 또한, 제1 제어값과 제2 제어값은, 하나의 목표 온도인 웨이퍼 온도에 대하여 설정 가능하고, 프로세스 레시피의 복수의 스텝 중 하나의 스텝에, 제1 제어값과 제2 제어값을 설정 가능하게 구성되어 있다. 이에 의해, 히터(217b)와 램프 유닛(280)에 의해 웨이퍼(200)의 온도 제어를 행할 수 있어, 웨이퍼(200)를 원하는 온도로 안정시켜서, 웨이퍼를 처리할 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 프로세스 레시피는, 각 스텝에서의 이벤트명, 이벤트 시간, 웨이퍼 온도, 고주파 전원의 온/오프와 파워 설정값(W), 램프 유닛(280)의 제어 모드, 서셉터(217)의 위치, 가스의 유량, 처리 압력 등이 각각 대응지어서 저장되어 있다.
도 6은, 프로세스 레시피 개시 시의 프로세스 레시피와 온도 제어 테이블의 다운로드 처리에 대해서 도시한 도면이다.
조작부(601)는, 편집 화면을 구비하여, 프로세스 레시피의 편집이나 온도 제어 테이블의 편집을 행하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 또한, 조작부(601)는, 컨트롤러(121)에 송신하도록 구성되어 있다. 또한, 조작부(601)는, 조작 화면 상에, 프로세스 레시피의 실행 상태 등을 표시하도록 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피나 온도 제어 테이블의 다운로드를 요구하거나, 히터(217b)나 램프 유닛(280)이나 고주파 전원(273) 등의 복수의 온도 제어 아이템과 통신을 행하도록 구성되어 있다.
우선, 조작부(601)에 있어서, 레시피의 개시 조작이 입력되면, 컨트롤러(121)에 통지된다. 그리고, 컨트롤러(121)로부터 조작부(601)에 프로세스 레시피와 온도 제어 테이블의 다운로드 요구가 송신된다. 이에 의해, 조작부(601)로부터 컨트롤러(121)에 프로세스 레시피와 온도 제어 테이블이 다운로드되고, 컨트롤러(121)가 온도 제어 테이블을 사용해서 프로세스 레시피를 제어하는 것이 가능하게 된다.
이어서, 프로세스 레시피의 각 스텝에서의 컨트롤러(121)의 램프 가열을 사용한 온도 제어 동작 S100에 대해서 도 7을 사용해서 설명한다.
컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피의 각 스텝(이벤트)을 개시할 때, 프로세스 레시피 내의 온도 기능 선택 플래그가 온인지 여부를 판정한다(S101).
그리고, 컨트롤러(121)는, 온도 기능 선택 플래그가 온일 경우에는, 온도 제어 모드가 웨이퍼 온도 설정인지 여부를 판정한다(S102).
그리고, 컨트롤러(121)는, 온도 제어 모드가 웨이퍼 온도 설정일 경우에는, 그 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 온도 제어 테이블 내를 검색하고(S103), 프로세스 레시피의 웨이퍼 온도에 일치하는 데이터인 목표 온도가, 온도 제어 테이블 내에 있는지 여부를 판정한다(S104).
그리고, 온도 제어 테이블에 일치하는 데이터가 없을 경우에는 처리를 종료하고, 일치하는 데이터가 있을 경우에는, 일치한 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)에 있어서 승온 설정되어 있는 경우에는, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정해서(S105), 프로세스 레시피의 소정 스텝을 실행한다.
구체적으로는, 도 5에서의 프로세스 레시피의 스텝 No.1 내지 No.5, No.9에서, 램프 유닛(280)의 파워 설정값 0, 램프 레이트 0에 의해 램프 제어 없음의 설정으로 되어 있기 때문에, 컨트롤러(121)는, 히터(217b)만을 제어하여, 이 스텝 No.1 내지 No.5, No.9의 온도 제어를 실행한다.
또한, 도 5에서의 프로세스 레시피 내의 스텝 No.6에서, 스텝 No.6에 설정된 웨이퍼 온도 800℃에 상당하는 목표 온도에 의해 도 4의 온도 제어 테이블을 검색하여, 도 4의 온도 제어 테이블의 No.7에서의 웨이퍼 온도 800℃에 대하여 설정되어 있는, 히터(217b)의 온도 설정값 927℃, 히터(217b)의 온도 비율 0.57, 램프 유닛(280)의 승온 시간 40초, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 파워 설정값 74％, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 램프 레이트 10％/초, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정에서의 파워 설정값 64％, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정에서의 램프 레이트 0.2％/초를 취득한다.
그리고, 컨트롤러(121)는, 도 4의 온도 제어 테이블로부터 취득한 웨이퍼 온도 800℃에 대하여 설정되어 있는, 히터(217b)의 온도 설정값 927℃, 히터(217b)의 온도 비율 0.57, 램프 유닛(280)의 승온 시간 40초, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 파워 설정값 74％, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 램프 레이트 10％/초를 설정해서 히터(217b)와 램프 유닛(280)을 제어하고, 스텝 No.6의 이벤트를 실행한다. 램프 유닛(280)의 승온 개시 40초 후에, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정에서의 파워 설정값 64％, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정에서의 램프 레이트 0.2％/초에 의해 히터(217b)와 램프 유닛(280)을 제어하고, 스텝 No.7의 이벤트를 실행한다. 스텝 No.7의 이벤트는, 고주파 전원을 온으로 해서 플라스마를 생성하는 스텝이며, 다음의 스텝 No.8에서 웨이퍼(200)를 처리하기 전에, 이 플라스마를 안정화하는 스텝이다.
그리고, 컨트롤러(121)는, 온도가 800℃로 안정되면, 스텝 No.7에서 설정된 램프 유닛(280)에서의 프로세스 공정에서의 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값에 의해, 히터(217b)와 램프 유닛(280)을 제어하고, 스텝 No.8의 이벤트를 실행한다. 스텝 No.8의 이벤트는, 웨이퍼(200)를 처리하는 스텝이다.
즉, 컨트롤러(121)는, 온도 제어 테이블 내의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값 각각에 설정하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
또한, 도 4에 도시한 온도 제어 테이블을 사용한 경우, 프로세스 레시피의 각 스텝에 설정할 때의 웨이퍼 온도가 700℃ 이하일 경우에는, 히터 제어값만을 설정해서 히터(217b)만을 제어하고, 700℃보다 높은 경우에는, 히터 제어값에 더하여 램프 제어값을 설정해서 히터(217b)와 램프 유닛(280)을 제어한다. 각 스텝에 설정할 때의 웨이퍼 온도가 700℃ 이하일 경우에, 히터(217b)에 더하여 램프 유닛(280)을 사용해서 웨이퍼(200)를 가열하면, 급승온으로 되어, 웨이퍼(200)의 휨이나, 웨이퍼(200)의 파손이 발생해버리는 경우가 있다. 따라서, 온도 제어 테이블에 있어서, 각 스텝에 설정할 때의 웨이퍼 온도가 700℃보다 높은 경우에, 히터(217b)의 설정값에 더하여 램프 유닛(280)의 설정값을 사용하도록 제어함으로써, 설정 미스에 의한 웨이퍼(200)의 휨이나 파손 등을 방지할 수 있다.
또한, 램프 유닛(280)은, 가열을 개시하고 나서 목표 온도에 도달할 때까지 일정 승온 시간이 필요하게 된다. 이 때문에, 컨트롤러(121)는, 각 스텝에 설정할 때의 웨이퍼 온도가 700℃보다 높은 경우이며, 램프 유닛(280)을 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도로 승온시킬 때에 있어서는, 램프 유닛(280)의 승온 공정에서의 각 설정 항목에서의 설정값을 설정하고, 램프 유닛(280)을 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도로 안정시킬 때에 있어서는, 램프 유닛(280)의 프로세스 공정에서의 각 설정 항목에서의 설정값을 설정하여, 각 스텝을 실행한다.
이어서, 조작부(601)가 조작 화면(편집 화면이라고도 함) 상에서 레시피 편집 처리 S200을 행할 때의 수순에 대해서, 도 8을 사용해서 설명한다.
조작부(601)는, 소정의 화면 이벤트에 따라, 온도 제어 테이블의 다운로드, 온도 제어 테이블의 변경, 온도 제어 테이블 내의 설정값 변경, 온도 제어 테이블 내에 설정되어 있는 온도 제어 모드 변경, 온도 제어 테이블 내에 설정되어 있는 기능 선택 버튼 변경 중, 어느 하나의 이벤트를 실행하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 유저가 조작 화면 상에서 현재의 설정값을 확인하면서 조작을 행할 수 있다.
예를 들어, 조작부(601)는, 온도 제어 테이블이 OK일 경우(S201)에, OK로 종료한 이벤트(스텝)를 수신하여, 온도 제어 테이블을 재로드한다(S202).
그리고, 조작부(601)는, 로드한 온도 제어 테이블이 OK인지 여부를 판정한다(S203).
그리고, 조작부(601)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 온도 제어 테이블을 검색하여, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가, 온도 제어 테이블 내에 일치하는 데이터가 있는지 여부를 판정한다(S204).
그리고, 온도 제어 테이블 내에 일치하는 데이터가 없을 경우에는, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피의 히터(217b)의 온도 설정값, 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값 중 적어도 하나를 0(미설정)으로 한다(S205). 즉, 컨트롤러(121)에 의해, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도를 온도 제어 테이블로부터 추출할 수 없는 경우, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값 중 적어도 하나에 0을 설정하거나, 또는 미설정으로 한다. 그리고, 컨트롤러(121)는, 레시피 편집 처리(S200)를 종료시킨다. 이에 의해, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로 프로세스 레시피를 작성할 때, 우선 0을 설정하거나 미설정으로 해 둠으로써 설정 대기 상태가 되고, 설정 미스가 저감된다.
또한, 온도 제어 테이블 내에 일치하는 데이터가 없을 경우에, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 가장 가까운 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 온도 제어 테이블을 검색하여, 가장 가까운 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 해도 된다. 이에 의해, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도가 온도 제어 테이블 내에 없는 경우라도, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
그리고, 온도 제어 테이블 내에 일치하는 데이터가 있을 경우에는, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정한다(S206). 이에 의해, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
그리고, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도가 소정 온도 이상일 경우, 온도 기능 선택 플래그를 온으로 한다(S207). 온도 기능 선택 플래그가 온으로 됨으로써, 조작부(601)는, 램프 기능 선택 플래그를 온으로 하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 온도 기능 선택 플래그가 온일 경우에, 램프 제어값을 설정하는 것이 가능하게 되어, 램프 유닛(280)의 조사 타이밍을 제어할 수 있다. 그리고, 램프 기능 선택 플래그를 온으로 함으로써, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값을 포함하는 램프 제어값이 설정된다. 이에 의해, 웨이퍼 온도가 소정 온도 이상일 경우에, 램프 제어값을 설정하는 것이 가능하게 되어, 정확한 타이밍에 의해 램프 유닛(280)을 제어할 수 있다.
그리고, 온도 제어 모드가 웨이퍼 온도 설정인지 여부를 판정한다(S208).
그리고, 온도 제어 모드가 웨이퍼 온도 설정일 경우에는, 램프 기능 선택을 온으로 하고, 제어 모드를 온으로 해서, 웨이퍼 온도 설정의 제어 모드에 의해 제어 가능하게 된다(S209).
또한, 온도 제어 모드가 웨이퍼 온도 설정이 아닐 경우에는, 램프 기능 선택을 오프로 하고, 제어 모드를 오프로 한다(S210).
이어서, 온도 제어 테이블의 데이터 산출 방법에 대해서, 도 9를 사용해서 설명한다. 온도 제어 테이블의 데이터 산출 방법으로서, 1점 검지와 2점 검지가 있다.
1점 검지에서는, 컨트롤러(121)는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 프로세스 레시피에서의 웨이퍼 온도로서 600℃를 설정한 경우는, 온도 제어 테이블로부터 웨이퍼 온도 600℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 설정값 609℃와 온도 비율 0.440을 취득한다. 또한, 프로세스 레시피에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가 온도 제어 테이블에 없을 경우는, 에러로 한다.
또한, 2점 검지에서는, 컨트롤러(121)는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 프로세스 레시피에서의 웨이퍼 온도로서 600℃를 설정한 경우는, 온도 제어 테이블로부터 웨이퍼 온도 600℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 설정값 609℃와 온도 비율 0.440을 취득한다. 또한, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가 온도 제어 테이블에 없을 경우, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가 범위에 포함되는 온도 제어 테이블 내의 2점의 웨이퍼 온도를 판정한다. 구체적으로는, 프로세스 레시피에서의 웨이퍼 온도로서 630℃를 설정한 경우는, 온도 제어 테이블로부터 웨이퍼 온도 620℃와 640℃를 검출하여, 웨이퍼 온도로서, 620℃와 640℃의 2점을 판정한다.
그리고, 온도 제어 테이블에서의 웨이퍼 온도 620℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 설정값 618℃와, 웨이퍼 온도 640℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 설정값 639℃에 기초하여 비례식을 사용해서 히터(217b)의 온도 설정값 628.5℃를 산출한다. 또한, 웨이퍼 온도 620℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 비율 0.500과, 웨이퍼 온도 640℃에 대응하는 히터(217b)의 온도 비율 0.490에 기초하여 비례식을 사용해서 온도 비율 0.495를 산출한다.
즉, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가 온도 제어 테이블에 없을 경우, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도가 범위에 포함되는 온도 제어 테이블 내의 2점의 웨이퍼 온도를 판정하고, 판정된 2점의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 각각 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나에 대해서, 2점의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값에 기초하여 비례식으로 산출해서 설정하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도가 온도 제어 테이블 내에 없는 경우라도, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다. 또한, 소정의 온도 제어 테이블을 검색할 수 있으므로, 편집 에러로 되어 편집이 불가능해져서 프로세스 레시피를 작성할 수 없게 되는 경우가 극히 적어진다. 따라서, 장치 가동률의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 온도 제어 테이블에, 히터(217b)와, 램프 유닛(280)에서의 설정값을 갖는 구성에 대해서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 고주파 전원, 마이크로파 유닛, 냉각 유닛 등의 온도 제어 아이템에서의 설정값을 포함해도 된다. 이에 의해, 복수의 온도 제어 아이템을 사용해서 온도 제어를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 램프 유닛(280)에서의 램프 제어값으로서, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도를 승온시킬 때의 제어값인 제1 제어값과, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도로 안정시킬 때의 제어값인 제2 제어값을 갖는 구성에 대해서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 제2 제어값만을 사용하도록 해도 되며, 그 경우, 컨트롤러(121)는, 복수의 스텝 중 승온 공정과 기판 처리 공정(프로세스 공정이라고도 함)에 연속해서, 제2 제어값을 설정 가능하게 구성되어 있다. 이에 의해, 히터(217b)와 램프 유닛(280)에 의해 웨이퍼(200)의 온도 제어를 행할 수 있어, 웨이퍼(200)를 원하는 온도로 안정시켜서 웨이퍼를 처리할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 히터(217b)의 설정값과 램프 유닛(280)의 설정값을 웨이퍼의 목표 온도에 대하여 설정 가능한 온도 제어 테이블을 사용하는 구성에 대해서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 히터(217b)의 설정값과, 램프 유닛(280)의 설정값을 웨이퍼의 목표 온도에 대하여 설정 가능한 제1 온도 제어 테이블과, 램프 유닛(280)의 설정값을 웨이퍼의 목표 온도에 대하여 설정 가능한 제2 온도 제어 테이블을 포함하는 온도 제어 테이블을 사용하도록 해도 된다. 이 경우, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도가 소정 온도 미만이면 제1 온도 제어 테이블을 검색하여, 제1 온도 제어 테이블 내의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율의 적어도 하나로 설정한다. 그리고, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도가 소정 온도 이상이면, 제1 온도 제어 테이블과 제2 온도 제어 테이블을 검색하여, 제1 온도 제어 테이블 내의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율의 적어도 하나로 설정하고, 제2 온도 제어 테이블 내의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정한다. 이 경우에도 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
또한, 웨이퍼를 가열하는 히터(217b)의 설정값을 설정 가능한 제1 온도 제어 테이블과, 히터(217b)의 설정값과 램프 유닛(280)의 설정값을 설정 가능한 제2 온도 제어 테이블을 포함하는 온도 제어 테이블을 사용해도 된다. 이 경우에도 목표 온도로 하는 웨이퍼 온도의 지정만으로, 프로세스 레시피를 작성해서 온도 제어가 가능하게 되어, 설정 미스가 저감된다.
이 경우, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도가 소정 온도 미만이면 제1 온도 제어 테이블을 선택하여, 제1 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율의 적어도 하나로 설정한다.
또한, 컨트롤러(121)는, 프로세스 레시피 내에 설정된 웨이퍼 온도가 소정 온도 이상이면, 제2 온도 제어 테이블을 선택하여, 제2 온도 제어 테이블 내의 웨이퍼 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 프로세스 레시피 내의 히터(217b)의 온도 설정값, 히터(217b)의 온도 비율, 램프 유닛(280)의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정한다.
또한, 본 개시의 실시 형태에서의 기판 처리 장치(10)는, 반도체를 제조하는 반도체 제조 장치뿐만 아니라, LCD 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치에서도 적용 가능하다. 또한, 노광 장치, 리소그래피 장치, 도포 장치, 플라스마를 이용한 처리 장치 등의 각종 기판 처리 장치에도 적용 가능한 것은 물론이다.
이상, 본 개시의 다양한 전형적인 실시 형태를 설명해 왔지만, 본 개시는 그러한 실시 형태에 한정되지 않고, 적절히 조합해서 사용할 수도 있다.
100: 기판 처리 장치
121: 컨트롤러(제어부)
200: 웨이퍼(기판)

Claims (16)

  1. 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값이 기판의 목표 온도에 대하여 설정된 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 기억부와,
    상기 프로세스 레시피를 실행하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하고,
    상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도를 상기 온도 제어 테이블로부터 추출할 수 없는 경우, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값 중 적어도 하나에 0을 설정하거나 또는 미설정으로 하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도가 상기 온도 제어 테이블에 없을 경우,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 가장 가까운 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하고,
    상기 가장 가까운 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도가 상기 온도 제어 테이블에 없을 경우,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도가 범위에 포함되는 상기 온도 제어 테이블 내의 2점의 기판 온도를 판정하고,
    상기 2점의 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 각각 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나에 대해서, 상기 2점의 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값에 기초하여 비례식으로 산출하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도가 소정 온도 이상일 경우, 온도 기능 선택 플래그를 온으로 해서, 적어도 상기 램프의 파워 설정값과 상기 램프 레이트값을 포함하는 램프 제어값을 설정하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 온도 기능 선택 플래그가 온일 경우, 램프 기능 선택 플래그를 온으로 하는 것이 가능하게 구성되어 있는, 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 램프 제어값은,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도로 승온시킬 때의 제어값인 제1 제어값과,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도로 안정시킬 때의 제어값인 제2 제어값
    을 갖는, 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 온도 제어 테이블은, 히터 유닛, 램프 유닛, 고주파 전원, 마이크로파 유닛, 냉각 유닛 중 적어도 하나의 아이템에서의 설정값을 포함하는, 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 또한, 상기 램프의 파워 설정값, 상기 램프 레이트값을 포함하는 램프 제어값은,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도로 승온시킬 때의 제어값인 제1 제어값과,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도로 안정시킬 때의 제어값인 제2 제어값을 갖고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 스텝 중 하나의 스텝에, 상기 제1 제어값과 상기 제2 제어값을 설정 가능하게 구성되어 있는, 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 또한, 상기 램프의 파워 설정값, 상기 램프 레이트값을 포함하는 램프 제어값은,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도로 안정시킬 때의 제어값인 제2 제어값을 적어도 갖고,
    상기 제어부는, 상기 복수의 스텝 중 승온 스텝과 기판 처리 스텝에 연속해서, 상기 제2 제어값을 설정 가능하게 구성되어 있는, 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값 각각에 설정하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  12. 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값을 기판의 목표 온도에 대하여 설정 가능한 제1 온도 제어 테이블과, 상기 램프의 설정값을 기판의 목표 온도에 대하여 설정 가능한 제2 온도 제어 테이블을 포함하는 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 기억부와,
    상기 프로세스 레시피를 실행하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도가 소정 온도 미만이면 상기 제1 온도 제어 테이블을 검색하여, 상기 제1 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율의 적어도 하나로 설정하고,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도가 소정 온도 이상이면, 상기 제1 온도 제어 테이블과 상기 제2 온도 제어 테이블을 검색하여, 상기 제1 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율의 적어도 하나로 설정하고, 상기 제2 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있는,
    처리 장치.
  13. 기판을 가열하는 히터의 설정값을 설정 가능한 제1 온도 제어 테이블과, 상기 히터의 설정값과 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값을 설정 가능한 제2 온도 제어 테이블을 포함하는 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 복수의 스텝으로 구성되는 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 기억부와,
    상기 프로세스 레시피를 실행하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도가 소정 온도 미만이면 상기 제1 온도 제어 테이블을 선택하여, 상기 제1 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율의 적어도 하나로 설정하고,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도가 소정 온도 이상이면 상기 제2 온도 제어 테이블을 선택하여, 상기 제2 온도 제어 테이블 내의 상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하도록 구성되어 있는,
    처리 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 프로세스 레시피를 편집하는 편집 화면을 구비한 조작부를 더 갖고,
    상기 조작부는, 소정의 화면 이벤트에 따라, 상기 온도 제어 테이블의 다운로드, 상기 온도 제어 테이블의 변경, 상기 온도 제어 테이블 내의 설정값 변경, 상기 온도 제어 테이블 내에 설정되어 있는 온도 제어 모드 변경, 상기 온도 제어 테이블 내에 설정되어 있는 기능 선택 버튼 변경 중, 어느 하나의 이벤트를 실행하도록 구성되어 있는, 처리 장치.
  15. 복수의 온도 제어 아이템을 설정해서 레시피를 작성하고, 해당 작성된 레시피를 실행함으로써 기판을 처리하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치에서 실행되는 프로그램이며,
    상기 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값이 기판의 목표 온도에 대하여 설정된 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 수순과,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하는 수순과,
    상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하는 수순과,
    상기 프로세스 레시피를 실행하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램.
  16. 복수의 온도 제어 아이템을 설정해서 레시피를 작성하고, 해당 작성된 레시피를 실행함으로써 기판을 처리하는 반도체 장치의 제조 방법이며,
    상기 기판을 가열하는 히터의 설정값과, 상기 기판을 가열하는 램프의 설정값이 기판의 목표 온도에 대하여 설정된 온도 제어 테이블과, 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피를 적어도 기억하는 공정과,
    상기 프로세스 레시피 내에 설정된 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 의해 상기 온도 제어 테이블을 검색하는 공정과,
    상기 기판 온도에 상당하는 목표 온도에 대하여 설정되어 있는 설정값을, 상기 프로세스 레시피 내의 히터의 온도 설정값, 히터의 온도 비율, 램프의 파워 설정값, 램프 레이트값의 적어도 하나로 설정하는 공정과,
    상기 프로세스 레시피를 실행하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
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