CN116918033A - 处理装置、程序及半导体器件的制造方法 - Google Patents

处理装置、程序及半导体器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。具备：存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对上述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及执行上述工艺配方的控制部，上述控制部构成为，根据与上述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在上述温度控制表中进行检索，将针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为上述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。

Description

处理装置、程序及半导体器件的制造方法
技术领域
本公开涉及处理装置、程序及半导体器件的制造方法。
背景技术
存在作为半导体器件的制造工序的一个工序而对衬底进行加热以进行氮化、氧化、退火等处理的衬底处理装置。
在专利文献1中，公开了一种并用基座的加热器和灯加热单元来使处理室的温度升温的衬底处理装置。
在专利文献2中，公开了一种通过电阻加热的加热器对衬底进行加热、并且将灯加热器用作辅助加热器的衬底处理装置。
在专利文献3中，公开了一种以能够在设定画面上进行灯的温度设定和加热器的温度设定的方式构成的衬底处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-231001号公报
专利文献2：日本特开2007-311618号公报
专利文献3：日本特开2008-288282号公报
发明内容
在上述那样的衬底处理装置中，在对衬底进行加热时，需要加热器、灯单元、高频电源等多个温度控制客体(item)的设定值的组合的设定。
根据本公开，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
根据本公开的一个方案，提供如下技术，具备：存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对上述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及执行上述工艺配方的控制部，上述控制部构成为，根据与上述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在上述温度控制表中进行检索，将针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为上述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
发明效果
根据本公开，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
附图说明
图1是表示适合在本公开的一个实施方式中使用的衬底处理装置100的纵剖视图。
图2是适合在本公开的一个实施方式中使用的衬底处理装置100的控制器121的概略构成图，是用框图表示控制器的控制系统的图。
图3是表示对衬底进行加热时的温度控制客体和各温度控制客体中的设定项目的设定值的一例的图。
图4是表示存储装置或外部存储装置中存储的温度控制表的一例的图。
图5是表示存储装置或外部存储装置中存储的工艺配方的一例的图。
图6是用于说明工艺配方开始时的工艺配方和温度控制表的下载处理的图。
图7是用于说明各步骤中的温度控制动作的流程图。
图8是用于说明在操作画面上进行配方编辑处理时的顺序的流程图。
图9是用于说明温度控制表的数据计算方法的图。
具体实施方式
以下，使用附图来说明本公开的一个实施方式。此外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的附图，附图中所示的各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在各个附图的相互之间也是，各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必一致。
(1)衬底处理装置的结构
衬底处理装置100具有处理容器203，该处理容器203由作为第1容器的拱顶型的上侧容器210和作为第2容器的碗型的下侧容器211形成，上侧容器210覆盖于下侧容器211之上。上侧容器210由氧化铝或石英等非金属材料形成，下侧容器211由例如铝形成。另外，在处理容器203的上表面配设有透光性窗部278，在与该透光性窗部278对应的处理容器203外侧设有灯单元(光源)280。另外，通过利用氮化铝、陶瓷或石英等非金属材料构成后述的加热器一体型的作为衬底保持件(衬底保持单元)的基座217，从而减少在处理时进入到膜中的金属污染。
喷头236设于处理室(反应室)201的上部，具备环状的框体233、透光性窗部278、气体导入口234、缓冲室237、开口238、遮蔽板240和气体吹出口239。缓冲室237作为用于使从气体导入口234导入的气体分散的分散空间而设置。
在气体导入口234连接有供给气体的气体供给管232，气体供给管232经由作为开闭阀的阀243a、作为流量控制器(流量控制单元)的质量流量控制器241而与图中省略的反应气体230的气瓶相连。从喷头236向处理室201供给反应气体230，另外，以衬底处理后的气体从基座217的周围向处理室201的底方向流动的方式在下侧容器211的侧壁上设有将气体排出的气体排出口235。在气体排出口235连接有排出气体的气体排出管231，气体排出管231经由作为压力调节器的APC242、作为开闭阀的阀243b而与作为排气装置的真空泵246连接。
作为使所供给的反应气体230激发的放电机构(放电用电极)，设有形成为筒状、例如圆筒状的作为第1电极的筒状电极215。筒状电极215设置于处理容器203(上侧容器210)的外周并包围处理室201内的等离子体生成区域224。在筒状电极215经由进行阻抗匹配的匹配器272连接有施加高频电力的高频电源273。
另外，形成为筒状、例如圆筒状的作为磁场形成机构(磁场形成单元)的筒状磁铁216为筒状的永磁铁。筒状磁铁216配置于筒状电极215的外表面的上下端附近。上下的筒状磁铁216、216在处理室201的沿着半径方向的两端(内周端和外周端)具有磁极，上下的筒状磁铁216、216的磁极的方向设定为相反方向。因此，内周部的磁极彼此为异极，由此，沿着筒状电极215的内周面在圆筒轴向上形成磁力线。
在处理室201的底侧中央，作为用于对作为衬底的晶片200进行保持的衬底保持件(衬底保持单元)而配置有基座217。基座217例如由氮化铝、陶瓷或石英等非金属材料形成，在内部一体地埋入有作为加热机构(加热单元)的加热器217b，能够对晶片200进行加热。加热器217b构成为被施加电力而能够对晶片200进行加热。加热器217b构成为在基座217上载置晶片200并对其进行加热的第1加热装置。
另外，在基座217的内部还装配有作为用于使阻抗变化的电极的第2电极，该第2电极经由阻抗可变机构274而接地。阻抗可变机构274由线圈或可变电容器构成，通过控制线圈的匝数或可变电容器的电容值，能够经由上述电极及基座217控制晶片200的电位。
用于利用磁控管型等离子体源中的磁控管放电对晶片200进行处理的处理炉202至少由处理室201、处理容器203、基座217、筒状电极215、筒状磁铁216、喷头236及排气口235构成，能够在处理室201中对晶片200进行等离子体处理。
在筒状电极215及筒状磁铁216的周围设有有效地屏蔽电场和磁场的屏蔽板223，以使得由该筒状电极215及筒状磁铁216形成的电场和磁场不会对外部环境和其他处理炉等装置带来不良影响。
基座217与下侧容器211绝缘，设有使基座217升降的基座升降机构(升降单元)268。另外，在基座217设有贯穿孔217a，在下侧容器211底面的至少三处设有用于顶起晶片200的晶片顶起销266。而且，以成为在利用基座升降机构268使基座217下降时晶片顶起销266以与基座217不接触的状态穿过贯穿孔217a那样的位置关系的方式，配置贯穿孔217a及晶片顶起销266。
另外，在下侧容器211的侧壁上设有成为隔离阀的闸阀244，在闸阀244打开时能够利用图中省略的搬送机构(搬送单元)相对于处理室201搬入或搬出晶片200，在闸阀244关闭时能够将处理室201气密地封闭。
接下来，说明灯单元280的周边构造。
灯单元280配设于框体233上，具有至少一个(在本实施方式中为四个)加热灯。透光性窗部278形成为圆柱状，经由未图示的密封部件支承于框体233。该透光性窗部278由使从灯单元280照射的光和热透过的透过性部件构成。灯单元280构成为从处理容器203的外侧对晶片200进行加热的第2加热装置。
另外，在框体233内设有作为冷却单元的冷却通路(未图示)。构成为通过使冷却介质(例如冷却水)在该冷却通路中流通，而使密封部件周边的环境温度降低。
(2)控制部的结构
如图2所示，作为控制部(控制单元)的控制器121构成为具备CPU(CentralProcessing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、作为存储部的存储装置121c、I/O端口121d构成为能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换。在控制器121连接有构成为例如触摸面板等的输入输出装置402。
存储装置121c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置121c内以能够读出的方式保存有控制衬底处理装置的动作的控制程序、记载有规定的处理顺序(以后，也称为步骤)和条件等的配方等。主要由多个步骤构成的工艺配方以使控制器121执行规定处理中的各步骤并得到规定结果的方式组合而成，作为程序发挥功能。以下，也将包含工艺配方在内的配方和控制程序等仅总称为程序。另外，以后，也将工艺配方仅称为配方。在本说明书中使用了程序这一术语的情况存在仅包含配方单方的情况、仅包含控制程序单方的情况、或者包含它们双方的情况。RAM121b构成为暂时保持由CPU121a读出的程序、数据等的存储区域(工作区)。
I/O端口121d与上述的阀243a、243b、质量流量控制器241、APC242、真空泵46、匹配器272、高频电源273、加热器217b、基座升降机构268、阻抗可变机构274、闸阀244、灯单元280等连接。
CPU121a构成为从存储装置121c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置402的操作指令的输入等从存储装置121c读出工艺配方。如图1所示，CPU121a构成为，以遵照所读出的工艺配方的内容的方式，通过I/O端口121d及信号线A而控制APC242、阀243b、真空泵46，通过信号线B而控制基座升降机构268，通过信号线C而控制闸阀244，通过信号线D而控制匹配器272、高频电源273，通过信号线E而控制质量流量控制器241、阀243a，并通过信号线F而控制加热器217b、阻抗可变机构274、灯单元280。
控制器121能够通过将保存在作为存储部的外部存储装置403中的上述程序安装到计算机而构成。外部存储装置403包括例如USB存储器等半导体存储器等。存储装置121c和外部存储装置403构成为计算机可读记录介质。以下，也将它们仅总称为记录介质。在本公开中使用了记录介质这一术语的情况存在仅包含存储装置121c单方的情况、仅包含外部存储装置403单方的情况、或者包含它们双方的情况。此外，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置403而是使用网络或专用线路等通信单元进行。
(3)衬底处理工序
接下来，说明利用上述那样构成的衬底处理装置，作为半导体器件的制造工序的一个工序而对晶片200表面或对形成于晶片200上的基底膜的表面实施规定处理的方法。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置100的各部分的动作由控制器121控制。
晶片200通过从构成处理炉202的处理室201的外部搬送晶片的图中省略的搬送机构而被搬入至处理室201，并被搬送到基座217上。该搬送动作的详情如下所述。基座217下降至衬底搬送位置，晶片顶起销266的顶端从基座217的贯穿孔217a通过。此时，成为顶起销266与基座217表面相比以规定高度突出的状态。接着，打开设于下侧容器211的闸阀244，利用图中省略的搬送机构将晶片200载置于晶片顶起销266的顶端。若搬送机构退避到了处理室201外，则关闭闸阀244。若基座217通过基座升降机构268而上升，则能够在基座217上表面载置晶片200，基座217进一步上升至对晶片200进行处理的位置。
埋入至基座217的加热器217b预先加热，根据需要灯单元280也加热，将被搬入的晶片200加热到作为规定的处理温度的晶片温度(衬底温度)。利用真空泵46及APC242将处理室201的压力维持在规定压力。
在晶片200的温度达到晶片温度并稳定化后，从气体导入口234经由屏蔽板240的气体喷出孔239向配置于处理室201的晶片200的上表面(处理面)导入反应气体。此时的气体流量设为规定流量。同时，从高频电源273经由匹配器272对筒状电极215施加高频电力。所施加的电力投入规定的输出功率值。此时，阻抗可变机构274预先进行控制以成为所期望的阻抗值。
受到筒状磁铁216、216的磁场的影响而产生磁控管放电，在晶片200的上方空间捕获电荷而在等离子体生成区域224生成高密度等离子体。并且，利用所生成的高密度等离子体对基座217上的晶片200的表面实施等离子体处理。等离子体处理结束后的晶片200利用图示省略的搬送机构以与衬底搬入相反的顺序被向处理室201外搬送。
(4)基于控制部进行的温度控制
接下来，说明本公开的一个实施方式中的基于控制器121进行的温度控制。在本公开中，控制器121构成为，在上述的衬底处理工序中执行工艺配方时，使用存储装置121c或外部存储装置403中所保存的温度控制表中的加热器217b的设定值和灯单元280的设定值来控制晶片温度。
在此，对晶片200进行处理时的晶片温度例如如图3所示，受到加热器、灯单元、高频电源、微波产生器、冷却器等多个温度控制客体的多个设定项目中的设定值的影响。
在本公开中，在存储装置121c或外部存储装置403中存储有温度控制表和由用于在上述的衬底处理工序中对晶片200进行处理的多个步骤构成的工艺配方，其中，该温度控制表针对作为晶片200的目标温度的晶片温度，将对晶片200进行加热的加热器217b的多个设定项目中的设定值与对晶片200进行加热的灯单元280的多个设定项目中的设定值建立了关联。图4表示温度控制表的一例，图5表示工艺配方的一例。
如图4所示，温度控制表针对在工艺配方的各步骤中进行设定时的成为目标温度的晶片温度(℃)，将作为对加热器217b进行控制的加热器控制值的加热器217b的温度设定值(℃)、作为加热器217b的输入侧与输出侧的功率比率的温度比率、作为对灯单元280进行控制的灯控制值的使灯单元280升温时的升温工序的升温时间(秒)、灯单元280的升温工序的功率设定值(％)、灯单元280的升温工序的灯速率(％/秒)、使灯单元280稳定为升温后所设定的晶片温度时的工艺工序的功率设定值(％)、灯单元280的工艺工序的灯速率(％/秒)建立对应(建立关联)而设定。即，灯控制值具有升温至工艺配方内所设定的晶片温度时的控制值即第1控制值、和稳定为工艺配方内所设定的晶片温度时的控制值即第2控制值。另外，第1控制值和第2控制值能够针对作为一个目标温度的晶片温度设定，构成为能够在工艺配方的多个步骤中的一个步骤中设定第1控制值和第2控制值。由此，能够利用加热器217b和灯单元280进行晶片200的温度控制，能够使晶片200稳定在所期望的温度而对晶片进行处理。
如图5所示，工艺配方将各步骤中的事件名、事件时间、晶片温度、高频电源的通断(ON/OFF)和功率设定值(W)、灯单元280的控制模式、基座217的位置、气体的流量、处理压力等分别建立对应地保存。
图6是表示工艺配方开始时的工艺配方和温度控制表的下载处理的图。
操作部601具备编辑画面，构成为能够进行工艺配方的编辑和温度控制表的编辑。另外，操作部601构成为向控制器121进行发送。另外，操作部601构成为在操作画面上显示工艺配方的执行状态等。
另外，控制器121构成为，请求工艺配方、温度控制表的下载，或与加热器217b、灯单元280、高频电源273等多个温度控制客体进行通信。
首先，在操作部601中，若输入了配方的开始操作，则向控制器121通知。然后，从控制器121向操作部601发送工艺配方和温度控制表的下载请求。由此，从操作部601向控制器121下载工艺配方和温度控制表，控制器121能够利用温度控制表控制工艺配方。
接下来，使用图7说明工艺配方的各步骤中的控制器121使用了灯加热的温度控制动作S100。
控制器121在开始工艺配方的各步骤(事件)时，判断工艺配方内的温度功能选择标志是否为ON(S101)。
而且，在温度功能选择标志为ON的情况下，控制器121判断温度控制模式是否为晶片温度设定(S102)。
而且，控制器121在温度控制模式是晶片温度设定的情况下，根据与该工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度在温度控制表内进行检索(S103)，判断与工艺配方的晶片温度一致的数据即目标温度是否存在于温度控制表内(S104)。
而且，在温度控制表中不存在一致的数据的情况下结束处理，在存在一致的数据的情况下，将针对一致的与晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、在灯单元280中进行了升温设定的情况下的灯单元280的升温工序中的灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个(S105)，执行工艺配方的规定步骤。
具体而言，在图5中的工艺配方的步骤No.1～No.5、No.9中，根据灯单元280的功率设定值为0、灯速率为0，成为没有灯控制的设定，因此，控制器121仅控制加热器217b，执行该步骤No.1～No.5、No.9的温度控制。
另外，在图5中的工艺配方内的步骤No.6中，根据与步骤No.6中所设定的晶片温度800℃相当的目标温度在图4的温度控制表中进行检索，获取图4的温度控制表的No.7中的针对晶片温度800℃设定的、加热器217b的温度设定值927℃、加热器217b的温度比率0.57、灯单元280的升温时间40秒、灯单元280的升温工序中的功率设定值74％、灯单元280的升温工序中的灯速率10％/秒、灯单元280的工艺工序中的功率设定值64％、灯单元280的工艺工序中的灯速率0.2％/秒。
而且，控制器121设定从图4的温度控制表获取到的针对晶片温度800℃设定的、加热器217b的温度设定值927℃、加热器217b的温度比率0.57、灯单元280的升温时间40秒、灯单元280的升温工序中的功率设定值74％、灯单元280的升温工序中的灯速率10％/秒而控制加热器217b和灯单元280，执行步骤No.6的事件。在灯单元280的升温开始40秒后，根据灯单元280的工艺工序中的功率设定值64％、灯单元280的工艺工序中的灯速率0.2％/秒来控制加热器217b和灯单元280，执行步骤No.7的事件。步骤No.7的事件是将高频电源接通而生成等离子体的步骤，是在下一步骤No.8中对晶片200进行处理之前使该等离子体稳定化的步骤。
而且，在温度稳定于800℃之后，控制器121根据在步骤No.7中设定的灯单元280中的工艺工序中的灯单元280的功率设定值、灯速率值，控制加热器217b和灯单元280，执行步骤No.8的事件。步骤No.8的事件是对晶片200进行处理的步骤。
即，控制器121构成为将温度控制表内的针对与晶片温度相当的目标温度设定的设定值分别设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值。由此，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
此外，当使用了图4所示的温度控制表时，在工艺配方的各步骤中进行设定时的晶片温度为700℃以下的情况下，仅设定加热器控制值而仅控制加热器217b，在高于700℃的情况下，在加热器控制值的基础上还设定灯控制值而控制加热器217b和灯单元280。在各步骤中进行设定时的晶片温度为700℃以下的情况下，若在加热器217b的基础上还使用灯单元280对晶片200进行加热，则会急剧升温，存在产生晶片200的翘曲、晶片200的破损的情况。因此，在温度控制表中，以在各步骤中进行设定时的晶片温度高于700℃的情况下，在加热器217b的设定值的基础上还使用灯单元280的设定值的方式进行控制，由此，能够防止因设定错误导致的晶片200的翘曲、破损等。
另外，灯单元280从开始加热到达到目标温度需要一定的升温时间。因此，在各步骤中进行设定时的晶片温度高于700℃的情况下，当使灯单元280升温至工艺配方内所设定的晶片温度时，控制器121设定灯单元280的升温工序中的各设定项目中的设定值，当使灯单元280稳定为工艺配方内所设定的晶片温度时，控制器121设定灯单元280的工艺工序中的各设定项目中的设定值，执行各步骤。
接下来，使用图8来说明操作部601在操作画面(也称为编辑画面)上进行配方编辑处理S200时的顺序。
操作部601构成为根据规定的画面事件，执行温度控制表的下载、温度控制表的变更、温度控制表内的设定值变更、温度控制表内设定的温度控制模式变更、温度控制表内设定的功能选择按钮变更中的某一个事件。由此，用户能够一边在操作画面上确定当前的设定值一边进行操作。
例如，操作部601在温度控制表为OK的情况下(S201)，接收以OK结束的事件(步骤)，重新加载温度控制表(S202)。
然后，操作部601判断所加载的温度控制表是否为OK(S203)。
然后，操作部601根据与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度在温度控制表内进行检索，针对与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度，判断在温度控制表内是否存在一致的数据(S204)。
而且，在温度控制表内不存在一致的数据的情况下，控制器121将工艺配方的加热器217b的温度设定值、温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个设为0(未设定)(S205)。即，在通过控制器121无法从温度控制表提取出与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度的情况下，将工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个设定为0或者设为未设定。然后，控制器121使配方编辑处理(S200)结束。由此，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，在创建工艺配方时就能立即设定0或设为未设定，由此，成为等待设定状态，能够减少设定错误。
此外，在温度控制表内不存在一致的数据的情况下，控制器121也可以根据与和工艺配方内所设定的晶片温度最接近的晶片温度相当的目标温度在温度控制表中进行检索，将针对与最接近的晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个。由此，即使在温度控制表内不存在作为目标温度的晶片温度的情况下，也能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
而且，在温度控制表内存在一致的数据的情况下，控制器121将针对与工艺配方的晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个(S206)。由此，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
而且，控制器121在工艺配方内所设定的晶片温度为规定温度以上的情况下，将温度功能选择标志设为ON(S207)。通过将温度功能选择标志设为ON，操作部601能够将灯功能选择标志设为ON。由此，在温度功能选择标志为ON的情况下，能够设定灯控制值，能够控制灯单元280的照射定时。而且，通过将灯功能选择标志设为ON，可设定包含灯单元280的功率设定值、灯速率值在内的灯控制值。由此，在晶片温度为规定温度以上的情况下，能够设定灯控制值，能够利用准确的定时来控制灯单元280。
然后，判断温度控制模式是否为晶片温度设定(S208)。
而且，在温度控制模式是晶片温度设定的情况下，将灯功能选择设为ON，将控制模式设为ON，使得能够通过晶片温度设定的控制模式进行控制(S209)。
另外，在温度控制模式不是晶片温度设定的情况下，将灯功能选择设为OFF，将控制模式设为OFF(S210)。
接下来，使用图9来说明温度控制表的数据计算方法。作为温度控制表的数据计算方法，存在1点检测和2点检测。
在1点检测中，如图9所示，在作为工艺配方中的晶片温度而设定了600℃的情况下，控制器121从温度控制表获取与晶片温度600℃相对应的加热器217b的温度设定值609℃和温度比率0.440。另外，在温度控制表中不存在与工艺配方中所设定的晶片温度相当的目标温度的情况下，设为错误。
另外，在2点检测中，如图9所示，在作为工艺配方中的晶片温度而设定了600℃的情况下，控制器121从温度控制表获取与晶片温度600℃相对应的加热器217b的温度设定值609℃和温度比率0.440。另外，在温度控制表中不存在与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度的情况下，控制器121判断温度控制表内的在范围内包含与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度的2点的晶片温度。具体而言，在作为工艺配方中的晶片温度而设定了630℃的情况下，从温度控制表中检测出晶片温度620℃和640℃，作为晶片温度而判断620℃和640℃这2点。
然后，基于温度控制表中的与晶片温度620℃相对应的加热器217b的温度设定值618℃、和与晶片温度640℃相对应的加热器217b的温度设定值639℃，使用比例式计算出加热器217b的温度设定值628.5℃。另外，基于与晶片温度620℃相对应的加热器217b的温度比率0.500、和与晶片温度640℃相对应的加热器217b的温度比率0.490，使用比例式计算出温度比率0.495。
也就是说，控制器121构成为，在温度控制表中不存在与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度的情况下，判断温度控制表内的在范围内包含与工艺配方内所设定的晶片温度相当的目标温度的2点的晶片温度，关于对与所判断出的2点的晶片温度相当的目标温度分别设定的设定值，针对工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个，基于针对与2点的晶片温度相当的目标温度设定的设定值并利用比例式进行计算并设定。由此，即使在温度控制表内不存在作为目标温度的晶片温度的情况下，也能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。另外，由于能够检索规定的温度控制表，所以成为编辑错误而无法进行编辑、无法创建工艺配方的情况变得极少。因此，能够抑制装置运转率的降低。
此外，在上述实施方式中，说明了在温度控制表中具有加热器217b和灯单元280中的设定值的结构，但不限于此，也可以包含高频电源、微波单元、冷却单元等温度控制客体中的设定值。由此，能够利用多个温度控制客体进行温度控制。
另外，在上述实施方式中，说明了作为灯单元280中的灯控制值而具有第1控制值和第2控制值的结构，其中，该第1控制值是升温至工艺配方内所设定的晶片温度时的控制值，该第2控制值是稳定为工艺配方内所设定的晶片温度时的控制值，但不限于此，也可以仅利用第2控制值，该情况下，控制器121构成为能够在多个步骤中的升温工序和衬底处理工序(也称为工艺工序)中连续地设定第2控制值。由此，能够利用加热器217b和灯单元280进行晶片200的温度控制，使晶片200稳定于所期望的温度而对晶片进行处理。
另外，在上述实施方式中，说明了使用能够针对晶片的目标温度而设定加热器217b的设定值和灯单元280的设定值的温度控制表的结构，但不限于此，也可以使用包含第1温度控制表和第2温度控制表的温度控制表，其中，该第1温度控制表能够针对晶片的目标温度设定加热器217b的设定值和灯单元280的设定值，该第2温度控制表能够针对晶片的目标温度设定灯单元280的设定值。该情况下，若工艺配方内所设定的晶片温度不足规定温度，则控制器121在第1温度控制表中进行检索，将第1温度控制表内的针对与晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率中的至少一个。而且，若工艺配方内所设定的晶片温度为规定温度以上，则在第1温度控制表和第2温度控制表中进行检索，将第1温度控制表内的针对与晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率中的至少一个，将第2温度控制表内的针对与晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个。即使在该情况下也是，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
另外，也可以使用包含如下第1温度控制表和第2温度控制表的温度控制表，其中，该第1温度控制表能够设定对晶片进行加热的加热器217b的设定值，该第2温度控制表能够设定加热器217b的设定值和灯单元280的设定值。即使在该情况下也是，仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。
该情况下，若工艺配方内所设定的晶片温度不足规定温度，则控制器121选择第1温度控制表，将第1温度控制表内的针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率中的至少一个。
另外，若工艺配方内所设定的晶片温度为规定温度以上，则控制器121选择第2温度控制表，将第2温度控制表内的针对与晶片温度相当的目标温度设定的设定值设定为工艺配方内的加热器217b的温度设定值、加热器217b的温度比率、灯单元280的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
此外，本公开的实施方式中的衬底处理装置10不仅能够在制造半导体的半导体制造装置中适用，在LCD装置那样的对玻璃衬底进行处理的装置中也能够适用。另外，自不待言，也能够适用于曝光装置、光刻装置、涂敷装置、利用了等离子体的处理装置等各种衬底处理装置。
以上，说明了本公开的各种典型的实施方式，但本公开不限定于这些实施方式，也能够适当组合而使用。
附图标记说明
100衬底处理装置
121控制器(控制部)
200晶片(衬底)。

Claims (16)

1.一种处理装置，其特征在于，具备：
存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对所述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及
执行所述工艺配方的控制部，
所述控制部构成为，
根据与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在所述温度控制表中进行检索，
将针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在无法从所述温度控制表提取出与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度的情况下，将所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个设定0或设为未设定。
3.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，
在所述温度控制表中不存在与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度的情况下，
根据与和所述工艺配方内所设定的衬底温度最接近的衬底温度相当的目标温度在所述温度控制表中进行检索，
将针对与所述最接近的衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
4.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，
在所述温度控制表中不存在与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度的情况下，
判断所述温度控制表内的、在范围内包含与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度的2点的衬底温度，
关于对与所述2点的衬底温度相当的目标温度分别设定的设定值，针对所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个，基于针对与所述2点的衬底温度相当的目标温度设定的设定值并利用比例式进行计算。
5.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在所述工艺配方内所设定的衬底温度为规定温度以上的情况下，将温度功能选择标志设为ON，设定至少包含所述灯的功率设定值和所述灯速率值的灯控制值。
6.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，能够在所述温度功能选择标志为ON的情况下将灯功能选择标志设为ON。
7.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于，
所述灯控制值具有：
第1控制值，其是升温至所述工艺配方内所设定的衬底温度时的控制值；和
第2控制值，其是稳定为所述工艺配方内所设定的衬底温度时的控制值。
8.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述温度控制表包含加热器单元、灯单元、高频电源、微波单元、冷却单元中的至少一个客体中的设定值。
9.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
进一步地，包含所述灯的功率设定值、所述灯速率值的灯控制值具有：
第1控制值，其是升温至所述工艺配方内所设定的衬底温度时的控制值；和
第2控制值，其是稳定为所述工艺配方内所设定的衬底温度时的控制值，
所述控制部构成为，能够在所述多个步骤中的一个步骤中设定所述第1控制值和所述第2控制值。
10.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
进一步地，包含所述灯的功率设定值、所述灯速率值的灯控制值至少具有第2控制值，该第2控制值是稳定为所述工艺配方内所设定的衬底温度时的控制值，
所述控制部构成为能够在所述多个步骤中的升温步骤和衬底处理步骤中连续地设定所述第2控制值。
11.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，将所述温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值分别设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值。
12.一种处理装置，其特征在于，具备：
存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表包含第1温度控制表和第2温度控制表，该第1温度控制表能够针对衬底的目标温度设定对衬底进行加热的加热器的设定值和对所述衬底进行加热的灯的设定值，该第2温度控制表能够针对衬底的目标温度设定所述灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及
执行所述工艺配方的控制部，
所述控制部构成为，
若所述工艺配方内所设定的衬底温度不足规定温度，则在所述第1温度控制表中进行检索，将所述第1温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率中的至少一个，
若所述工艺配方内所设定的衬底温度为规定温度以上，则在所述第1温度控制表和所述第2温度控制表中进行检索，将所述第1温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率中的至少一个，将所述第2温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
13.一种处理装置，其特征在于，具备：
存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表包含能够设定对衬底进行加热的加热器的设定值的第1温度控制表、和能够设定所述加热器的设定值及对所述衬底进行加热的灯的设定值的第2温度控制表，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及
执行所述工艺配方的控制部，
所述控制部构成为，
若所述工艺配方内所设定的衬底温度不足规定温度，则选择所述第1温度控制表，将所述第1温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率中的至少一个，
若所述工艺配方内所设定的衬底温度为规定温度以上，则选择所述第2温度控制表，将所述第2温度控制表内的针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
14.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
还具有操作部，该操作部具备对所述工艺配方进行编辑的编辑画面，
所述操作部构成为，根据规定的画面事件，执行所述温度控制表的下载、所述温度控制表的变更、所述温度控制表内的设定值变更、所述温度控制表内所设定的温度控制模式变更、所述温度控制表内所设定的功能选择按钮变更中的某一个事件。
15.一种程序，其由具备控制部的衬底处理装置执行，该控制部设定多个温度控制客体并创建配方，通过执行所创建的该配方而对衬底进行处理，该程序的特征在于，通过计算机使所述衬底处理装置执行以下步骤：
至少存储温度控制表和用于对衬底进行处理的工艺配方的步骤，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对所述衬底进行加热的加热器的设定值和对所述衬底进行加热的灯的设定值；
根据与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在所述温度控制表中进行检索的步骤；
将针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个的步骤；以及
执行所述工艺配方的步骤。
16.一种半导体器件的制造方法，其设定多个温度控制客体并创建配方，通过执行所创建的该配方而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：
至少存储温度控制表和用于对衬底进行处理的工艺配方的工序，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对所述衬底进行加热的加热器的设定值和对所述衬底进行加热的灯的设定值；
根据与所述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在所述温度控制表中进行检索的工序；
将针对与所述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为所述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个的工序；以及
执行所述工艺配方的工序。
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