JP2006278631A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
下部容器と上部容器の位置合せが作業者の勘に頼らず簡単に行え、下部容器と上部容器の組立て作業性を向上させ、又位置合せ精度を向上させた。
【解決手段】
誘電体から成り周囲にフランジ41が形成された上部容器7と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器6と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押え42と、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板3を載置する基板載置台10と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段22,26と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管13と、前記基板処理室から排気するガス排気管17とを具備した。
【選択図】 図1
下部容器と上部容器の位置合せが作業者の勘に頼らず簡単に行え、下部容器と上部容器の組立て作業性を向上させ、又位置合せ精度を向上させた。
【解決手段】
誘電体から成り周囲にフランジ41が形成された上部容器7と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器6と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押え42と、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板3を載置する基板載置台10と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段22,26と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管13と、前記基板処理室から排気するガス排気管17とを具備した。
【選択図】 図1
Description
本発明は、プラズマを利用してシリコンウェーハ等の基板を処理して半導体装置を製造する半導体製造装置に関するものである。
ウェーハ等の基板を処理する方法として、プラズマを発生させることで処理ガスを活性化させ、気相反応により基板に薄膜を生成する方法、プラズマにより基板表面をエッチングする方法があり、又電界と磁界により高密度プラズマを生成する変形マグネトロン放電型の処理炉を具備したプラズマ処理装置(MMT装置)がある。
斯かるMMT装置としては、例えば特許文献1に示されるものがあり、MMT装置では、プラズマを発生させる反応室を形成する反応容器を具備し、該反応容器は石英等の誘電材質から成る上部容器とステンレス鋼或はアルミニウム合金等の金属から成る下部容器によって構成され、該下部容器に前記上部容器が気密に設置される。
前記上部容器は下端部にフランジを有し、該フランジに外嵌するフランジ押えを前記下部容器にボルトにより固定することで、前記上部容器を前記下部容器に固定していた。
該下部容器に前記上部容器を載置し固定する前作業として、前記下部容器と前記上部容器との位置合せ作業がある。従来の位置合せ作業では、前記下部容器に前記上部容器を載置した後、作業者の勘により前記下部容器と前記上部容器との位置合せを行い、前記フランジ押えを前記フランジに外嵌し、前記フランジ押えに設けた取付け孔と下部容器に設けた螺子穴との中心を合わせていた。
上記従来の設置作業では、前記下部容器と前記上部容器との位置合せを作業者の勘に頼っているので、一度で正確な位置合せができるとは限らず、位置合せが充分でない場合は、その都度作業者が前記上部容器を正確な位置となる迄移動調整を繰返していた。
前記上部容器は重量物であると共に石英等損傷し易いものであり、又煩雑であると共に作業者の負担が大きいものであった。
更に、処理状態では、前記下部容器と前記上部容器とが加熱されるが、材質の相違により熱膨張差が発生する。従って、前記下部容器と前記上部容器とは熱膨張が考慮された構造となっており、前記下部容器と前記上部容器との芯合せは作業者の勘に頼っている。従って、前記下部容器と前記上部容器とは偏心して取付けられる場合もあり、基板処理の均一性に影響を及す虞れもあった。
本発明は斯かる実情に鑑み、下部容器と上部容器の位置合せが作業者の勘に頼らず簡単に行え、下部容器と上部容器の組立て作業性を向上させ、又位置合せ精度を向上させた半導体製造装置に係るものである。
本発明は、誘電体から成り周囲にフランジが形成された上部容器と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押えと、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板を載置する基板載置台と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管と、前記基板処理室から排気するガス排気管とを具備した半導体製造装置に係り、又前記上部容器の周方向に対して180°未満となる範囲に前記位置決め部を複数設けた半導体製造装置に係るものである。
本発明によれば、誘電体から成り周囲にフランジが形成された上部容器と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押えと、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板を載置する基板載置台と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管と、前記基板処理室から排気するガス排気管とを具備したので、前記下部容器に対する前記上部容器の位置決め作業性が向上すると共に正確な位置決めが可能となり、前記基板載置台、処理される基板、前記上部容器との位置関係を正確に保てるので、基板処理の均一性が向上する。特に、前記上部容器の周囲にはプラズマ発生手段が設けられているので、微小な位置ずれがプラズマ発生に及す影響を解消できる等の優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
先ず、本発明が実施される半導体製造装置の一例であるMMT装置について、図1により説明する。
MMT装置は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源(Modified Magnetron Typed Plasma Source)を用いてウェーハ等の基板をプラズマ処理する基板処理炉1を具備している。
該基板処理炉1は、気密性を確保した基板処理室2にウェーハ等の基板3を設置し、シャワープレート4を介して反応ガス5を前記基板処理室2に導入し、該基板処理室2をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成すると共に磁界をかけてマグネトロン放電を起こす。前記放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回し、高密度プラズマが生成される。
前記反応ガス5が励起分解され、前記基板3の表面が酸化され、又は窒化等が拡散され、又は該基板3表面に薄膜が生成され、又は該基板3表面がエッチングされる。
以下、具体的に説明する。
第2の容器である下部容器6と、該下部容器6の上に被せられる第1の容器である上部容器7とから前記基板処理室2が形成されている。前記上部容器7はドーム型に形成されており、該上部容器7は酸化アルミニウム又は石英等の誘電材質から成り、前記下部容器6はアルミニウム等の金属で形成されている。又後述するヒータ一体型の基板載置台であるサセプタ10をセラミックス又は石英等の誘電材質で構成することによって、処理の際に膜中に取込まれる金属汚染を低減している。
前記上部容器7の下部にはフランジ41が形成されており、該フランジ41にはステンレス鋼等の金属製のリング状のフランジ押え42が外嵌し、該フランジ押え42をボルト49により前記下部容器6の上端フランジ43に固着することで、前記上部容器7が前記下部容器6に気密に設置される。
前記上部容器7の上部にはガス分散空間であるバッファ室8を形成するシャワーヘッド9が設けられ、該シャワーヘッド9の上壁にはガス導入用の導入口であるガス導入口11が設けられ、下壁はガスを噴出する噴出孔であるガス噴出孔12を有する前記シャワープレート4から成っている。前記ガス導入口11は、ガスを供給する供給管であるガス供給管13により反応ガスの供給源(図示せず)に接続され、ガス供給管13には開閉弁であるバルブ14、流量制御手段であるマスフローコントローラ15が設けられている。
前記シャワーヘッド9から前記反応ガス5が前記基板処理室2に供給され、又、前記サセプタ10の周囲から前記基板処理室2の底方向へ基板処理後のガスが流れる様に前記下部容器6の側壁にガスを排気するガス排気口16が設けられている。該ガス排気口16はガスを排気するガス排気管17により排気装置である真空ポンプ18に接続され、該真空ポンプ18には圧力調整器19、開閉弁20が設けられている。
供給される前記反応ガス5を励起させる放電手段として、断面が筒状であり、好ましくは円筒状の第1の電極である筒状電極22が前記上部容器7の外周に設けられる。前記筒状電極22は前記基板処理室2内のプラズマ生成領域23を囲んでいる。前記筒状電極22にはインピーダンスの整合を行う整合器24を介して高周波電力を印加する高周波電源25が接続されている。
又、断面が筒状であり、好ましくは円筒状の磁界形成手段(永久磁石)26を用いることができる。該磁界形成手段26は、前記筒状電極22の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成する様になっている。
前記基板処理室2の底側中央には、前記基板3を保持する為の基板保持手段として前記サセプタ10が配置され、該サセプタ10は前記基板3を加熱できる様になっている。
前記サセプタ10の内部には、加熱手段としてのヒータ(図示せず)、バイアス電圧印加手段としての高周波電極(図示せず)が一体的に埋設されている。前記ヒータ、前記高周波電極は石英に覆われ、前記基板処理室2には露出していない状態となっている。前記ヒータにはヒータ電力フィード線27を介してヒータ電力が供給されることで前記基板3を800℃程度に迄加熱できる様になっている。尚、前記ヒータの材質としては、例えばSiC、又はMoSi2 等が用いられる。
前記高周波電極は高周波フィード線28を介してインピーダンス可変機構29に接続され、又該インピーダンス可変機構29を介して接地されている。該インピーダンス可変機構29は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記高周波電極及び前記サセプタ10を介して前記基板3のバイアス電位を制御できる様になっている。
前記筒状電極22及び前記磁界形成手段26の周囲には、前記筒状電極22及び前記磁界形成手段26で形成される電界や磁界を外部環境や他の処理炉等の装置に悪影響を及ぼさない様に、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板31が設けられている。
前記サセプタ10は前記下部容器6と絶縁され、該下部容器6には前記サセプタ10を昇降させる昇降手段であるサセプタ昇降機構32が設けられている。又前記サセプタ10は貫通孔33を有し、前記下部容器6底面には前記基板3を突上げる為の基板突上げ手段である基板支持ピン34が少なくとも3箇所に設けられている。前記サセプタ昇降機構32により前記サセプタ10が下降させられた時には前記基板支持ピン34が前記サセプタ10と非接触な状態で前記貫通孔33を挿通可能となっている。
又、前記下部容器6の側壁には仕切弁となるゲートバルブ35が設けられ、該ゲートバルブ35を介して図示しない搬送室が連設されており、前記ゲートバルブ35が開いている時には図中省略の搬送手段により前記基板処理室2へ前記基板3が搬入、又は搬出され、閉まっている時には前記基板処理室2を気密に閉じることができる。
又、制御手段であるコントローラ36は前記高周波電源25、前記整合器24、前記バルブ14、前記マスフローコントローラ15、前記圧力調整器19、前記開閉弁20、前記真空ポンプ18、前記サセプタ昇降機構32、前記ゲートバルブ35、前記サセプタ10に埋込まれたヒータに電力を供給する電源(図示せず)と接続され、それぞれを制御している。
以下、前記基板3表面を、又は該基板3上に生成された下地膜の表面に所定のプラズマ処理する方法について説明する。
該基板3は、前記基板処理室2の外部から搬送手段(図示せず)によって前記基板処理室2に搬入され、前記サセプタ10上に搬送される。この搬送動作の詳細は、先ず該サセプタ10が下った状態になっており、前記基板支持ピン34の先端が前記サセプタ10の貫通孔33を通過して前記サセプタ10表面よりも所定の高さ分だけ突出された状態で、前記下部容器6に設けられた前記ゲートバルブ35が開き、図中省略の搬送手段によって前記基板3を前記基板支持ピン34の先端に載置し、前記搬送手段は前記基板処理室2外へ退避すると、前記ゲートバルブ35が閉まり、前記サセプタ10が前記サセプタ昇降機構32により上昇すると、前記サセプタ10上面に前記基板3を載置することができ、更に該基板3を処理する位置迄上昇する。
前記サセプタ10に埋込まれた前記ヒータには端子部(図示せず)、前記ヒータ電力フィード線27を介して電力が供給され、予め加熱されており、搬入された前記基板3を室温〜800℃の範囲内で基板処理温度に加熱する。前記真空ポンプ18、及び前記圧力調整器19を用いて前記基板処理室2の圧力を0.1〜200Paの範囲内に維持する。
前記基板3を処理温度に加熱し、前記ガス導入口11から前記シャワープレート4の前記ガス噴出孔12を介して、反応ガス(例えば、N2 ,O2 ,NH3 ,NF3 ,PH3 )を前記基板3の上面(処理面)に向けて分散して導入する。この時のガス流量は100〜1000sccmの範囲である。同時に前記筒状電極22に前記高周波電源25から前記整合器24を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、100〜500Wの範囲内の出力値を投入する。前記インピーダンス可変機構29は予め所望のインピーダンス値に制御しておく。
前記磁界形成手段26の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、前記基板3の上方空間に電荷をトラップして前記プラズマ生成領域23に高密度プラズマが生成される。生成された高密度プラズマにより、前記サセプタ10上の前記基板3の表面にプラズマ処理が施される。表面処理が終わった該基板3は、図示しない搬送手段を用いて、基板搬入と逆の手順で前記基板処理室2外へ搬送される。
尚、前記コントローラ36により前記ヒータへの電流供給の制御、前記高周波電源25の電力ON・OFF、前記整合器24の調整、前記バルブ14の開閉、前記マスフローコントローラ15の流量、前記圧力調整器19の弁開度、前記開閉弁20の開閉、前記真空ポンプ18の起動・停止、前記サセプタ昇降機構32の昇降動作、前記ゲートバルブ35の開閉、前記サセプタ10のヒータに電力を供給する電源(図示せず)への電力ON・OFFをそれぞれ制御している。
次に、図2、図3は図1のA部詳細を示しており、図2、図3、図5により前記下部容器6と前記上部容器7との取付けについて説明する。尚、図2は図5中のB部、D矢視相当図である。尚、図5は前記上部容器7を示し、図中シャワーヘッド9は省略している。
前記上端フランジ43の上面には、前記下部容器6と同心に環状溝44が形成され、該環状溝44の底面は前記上端フランジ43の上面と並行であり、前記環状溝44の中心側端部はあり溝形状となっている。該環状溝44にOリング45、断面が平板状のリングスペーサ46が嵌装される。
前記上部容器7は前記フランジ41より下方に延出する延出部47を有し、該延出部47は前記下部容器6に対して隙間48を形成する様に前記下部容器6に内嵌する。前記フランジ41は前記Oリング45を圧縮した状態で前記リングスペーサ46に当接し、該リングスペーサ46を介して前記上端フランジ43に載置される。
前記フランジ押え42は隙間51を介在して前記フランジ41に外嵌し、又スペーサ52を介して前記フランジ41上面に当接し、前記フランジ押え42に挿通したボルト49を前記上端フランジ43に螺着することで、前記フランジ押え42と上端フランジ43間に前記フランジ41を挾持する。前記Oリング45は前記フランジ41により押圧され、前記環状溝44の底面、内径側の斜面、前記フランジ41の下面に圧接する。
前記隙間48、前記隙間51の大きさは、基板処理時に前記上部容器7、前記下部容器6が加熱された場合の前記上部容器7、前記下部容器6、前記フランジ押え42間の熱膨張差以上に設定される。
前記環状溝44の所要の複数箇所、例えば同一円周上の90°の間隔で位置決めピン53が2箇所に立設される。該位置決めピン53は、前記フランジ41の外周より外側に食出さない様に設けられ、好ましくは前記フランジ41の外周より内側に設けられる。前記リングスペーサ46は前記位置決めピン53と干渉しない様に、該位置決めピン53と対応する位置に逃げ孔、或は切欠が設けられる。前記位置決めピン53の材質としては、適宜なものでよく、例えば弗素樹脂、石英、或はステンレス鋼等の金属が用いられる。
尚、前記位置決めピン53が設けられる位置は、該位置決めピン53が前記フランジ41の側面に当接することで、水平2方向の移動が拘束されればよく、該フランジ41の中心に関して(周方向に対して)180°未満の範囲に設けられていればよい。
該フランジ41が2つの前記位置決めピン53に当接して水平2方向の位置決めがなされ、前記フランジ41の前記位置決めピン53に当接する部分には、図5のB部に示される様な位置決め当接部54が形成される。該位置決め当接部54は前記フランジ41の一部が直線的に半月状に切除されたものであり、切除された半月部分の高さは前記位置決めピン53の直径よりも大きくなっている。
又、図5のC部に示される様に、前記位置決め当接部54は、湾曲線で切除された湾曲凹部としてもよい。該湾曲凹部の深さは前記前記位置決めピン53の直径よりも大きくなっている。
前記位置決め当接部54の形状は種々考えられ、要は該位置決め当接部54を形成することで応力集中が生じない形状となっていればよい。即ち、該位置決め当接部54を凹部とした場合、ノッチ形状となっていないこと、或は凹部を形成する切除線に、曲率の不連続部分がないこと、或は曲率が大きく変更する部分がないこと、前記位置決めピン53の直径に比して曲率が大きくなっていないこと等である。
前記上部容器7を設置する場合、前記位置決め当接部54を前記位置決めピン53の方向に向けて前記下部容器6上に載置し、前記位置決め当接部54を前記位置決めピン53に押付ける。前記位置決め当接部54を前記位置決めピン53に押付けるのみで、前記上部容器7の前記下部容器6に対する位置決めが略なされる。正確な位置決めは、前記位置決め当接部54を前記位置決めピン53に押付けた状態で、前記上部容器7を適宜回転させればよい。
位置決め後、前記リングスペーサ46を介在させて、前記フランジ押え42を前記フランジ41に外嵌し、前記ボルト49により前記フランジ押え42を固定する。
前記フランジ41は前記リングスペーサ46と前記スペーサ52を介在して挾持されるので、前記フランジ41には前記ボルト49の締付けにより局部的な荷重が発生することが防止される。
基板処理を行うことで、前記上部容器7、前記下部容器6が加熱され、又前記上部容器7、前記下部容器6と前記基板処理室2外にある前記フランジ押え42とは温度差が生ずる。
上記した様に、前記上部容器7は石英製(熱膨張率6.8−12.2×10−6)であり、前記下部容器6はアルニミウム製(熱膨張率23.1×10−6)であり、前記フランジ押え42はステンレス鋼製(熱膨張率14.7×10−6)であり、それぞれの部材間で熱膨張率差、温度差により熱膨張による偏差が生じる。
前記フランジ押え42と前記フランジ41、前記上端フランジ43と前記フランジ41間に弗素樹脂等耐熱合成樹脂製の前記スペーサ52、及び前記リングスペーサ46が介在し、更に前記隙間48、前記隙間51が形成されているので、熱膨張による前記フランジ押え42と前記フランジ41、前記上端フランジ43と前記フランジ41間での相対変位が許容され、前記フランジ41を固定した場合の熱膨張による応力発生が抑制される。
図4に示す実施の形態では、フランジ押え42に冷却路55を形成し、該冷却路55に冷却水等冷媒を流すことで、フランジ41を介してOリング45を冷却し、該Oリング45の熱による劣化を防止したものである。
図6は他の実施の形態を示すものであり、該他の実施の形態ではフランジ41の位置決め当接部54について特に凹部を形成しない場合を示している。
位置決めピン53は前記フランジ41の外周円筒面に当接する様にしたものである。又、前記位置決めピン53とフランジ押え42との干渉を避ける為、該フランジ押え42に逃げ部56が形成される。又、前記位置決めピン53は前記フランジ41に当接して、該フランジ41の変位を拘束すればよいので、形状については限定されるものではなく、上端フランジ43の上面より突出した突部であればよい。
更に、前記下部容器6と前記上端フランジ43とは一体である必要はなく、該上端フランジ43は前記下部容器6とは別部材、例えば該下部容器6に設けられる上蓋等であってもよい。
1 基板処理炉
2 基板処理室
3 基板
6 下部容器
7 上部容器
10 サセプタ
13 ガス供給管
17 ガス排気管
22 筒状電極
26 磁界形成手段
41 フランジ
42 フランジ押え
43 上端フランジ
53 位置決めピン
54 位置決め当接部
2 基板処理室
3 基板
6 下部容器
7 上部容器
10 サセプタ
13 ガス供給管
17 ガス排気管
22 筒状電極
26 磁界形成手段
41 フランジ
42 フランジ押え
43 上端フランジ
53 位置決めピン
54 位置決め当接部
Claims (2)
- 誘電体から成り周囲にフランジが形成された上部容器と、該上部容器が設置され該上部容器と基板処理室を画成する金属製の下部容器と、前記フランジを上方から押えて前記下部容器に固定するフランジ押えと、前記フランジ側面に当接して前記上部容器の位置決めを行う位置決め部と、前記下部容器に設けられ基板を載置する基板載置台と、前記上部容器の周囲に設けたプラズマ発生手段と、前記基板処理室に処理ガスを導入するガス供給管と、前記基板処理室から排気するガス排気管とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。
- 前記上部容器の周方向に対して180°未満となる範囲に前記位置決め部を複数設けた請求項1の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005094351A JP2006278631A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005094351A JP2006278631A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006278631A true JP2006278631A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=37213089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005094351A Pending JP2006278631A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006278631A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008156031A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置 |
JP2014056959A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
CN112967958A (zh) * | 2021-04-02 | 2021-06-15 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 一种外延膜生长设备及分离方法 |
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2005
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