JP2008053489A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させる。
【解決手段】下側容器12と上側容器13とで処理室14を形成した処理容器11と、処理室14内に設置されてウエハ1を保持するサセプタ21と、サセプタ21上のウエハ1を加熱するヒータ41と、反応ガスをウエハ1に向けて供給するシャワーヘッド26と、反応ガスを励起させる筒状電極15と、磁界を形成する筒状磁石19とを備えているMMT装置において、上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成する。ヒータおよびウエハから入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ上のウエハに向けて反射させることができるので、ヒータの発熱を全て活用して、ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。
【選択図】図1
【解決手段】下側容器12と上側容器13とで処理室14を形成した処理容器11と、処理室14内に設置されてウエハ1を保持するサセプタ21と、サセプタ21上のウエハ1を加熱するヒータ41と、反応ガスをウエハ1に向けて供給するシャワーヘッド26と、反応ガスを励起させる筒状電極15と、磁界を形成する筒状磁石19とを備えているMMT装置において、上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成する。ヒータおよびウエハから入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ上のウエハに向けて反射させることができるので、ヒータの発熱を全て活用して、ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化や窒化等の拡散処理を施したり薄膜を形成したりエッチングしたりする等の各種のプラズマ処理を施すMMT(Modified Magnetron Typed)装置に利用して有効な技術に関する。
ICの製造方法において、ウエハに酸化や窒化等の拡散処理を施したり薄膜を形成したりエッチングしたりするのに、電界と磁界とによって高密度プラズマを生成可能な変形マグネトロン型プラズマ源(Modified Magnetron Typed Plasma Source)を用いてウエハをプラズマ処理するMMT装置が使用される場合がある。
従来のこの種のMMT装置は、石英等によって形成された処理容器と、処理容器内に設置されてウエハを保持するサセプタと、サセプタに内蔵されてウエハを500℃程度にまで加熱するヒータと、反応ガスをウエハに向けてシャワー状に供給するシャワーヘッドと、反応ガスを励起させる放電手段としての筒状電極と、磁界形成手段としての筒状磁石とを備えている。
そして、サセプタの上に載置したウエハをヒータによって500℃程度にまで加熱するとともに、処理容器内を所定の圧力に維持しつつ、反応ガスをウエハにシャワーヘッドによってシャワー状に供給し、筒状電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、筒状磁石によって磁界をかけてマグネトロン放電を起こすことにより、ウエハに所望のプラズマ処理が施される。
この際に、筒状電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるために、高密度プラズマを生成することができる。
そして、サセプタの上に載置したウエハをヒータによって500℃程度にまで加熱するとともに、処理容器内を所定の圧力に維持しつつ、反応ガスをウエハにシャワーヘッドによってシャワー状に供給し、筒状電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、筒状磁石によって磁界をかけてマグネトロン放電を起こすことにより、ウエハに所望のプラズマ処理が施される。
この際に、筒状電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるために、高密度プラズマを生成することができる。
しかし、従来のMMT装置においては、ウエハを高温度に加熱するためにヒータの出力を最大限に高めた場合に、ウエハの温度が所期の値に上昇しないという問題点があることが本発明者によって究明された。
本発明の目的は、基板の温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)熱を透過する処理容器と、
前記処理容器内に設けた基板を載置するサセプタと、
前記サセプタに設けられ、基板を加熱するヒータと、
前記処理容器の外部に設けられ、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板と、を備える基板処理装置。
(2)熱を透過する材料によって形成された処理容器と、この処理容器内に設置されて基板を保持するサセプタと、前記基板を加熱するヒータと、反応ガスを前記基板に向けて供給するシャワーヘッドと、反応ガスを励起させる放電手段と、磁界を形成する磁界形成手段と、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板とを備えている基板処理装置。
(3)前記シャワーヘッドに前記ヒータの熱を前記基板に反射する反射鏡面が形成されている前記(2)に記載の基板処理装置。
(1)熱を透過する処理容器と、
前記処理容器内に設けた基板を載置するサセプタと、
前記サセプタに設けられ、基板を加熱するヒータと、
前記処理容器の外部に設けられ、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板と、を備える基板処理装置。
(2)熱を透過する材料によって形成された処理容器と、この処理容器内に設置されて基板を保持するサセプタと、前記基板を加熱するヒータと、反応ガスを前記基板に向けて供給するシャワーヘッドと、反応ガスを励起させる放電手段と、磁界を形成する磁界形成手段と、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板とを備えている基板処理装置。
(3)前記シャワーヘッドに前記ヒータの熱を前記基板に反射する反射鏡面が形成されている前記(2)に記載の基板処理装置。
前記(1)によれば、ヒータの熱を反射板によって基板に反射させて活用することができるので、基板の温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図1に示されているように、MMT装置として構成されている。
図1に示されたMMT装置10は処理容器11を備えている。処理容器11は下側容器12と上側容器13とによって形成されており、処理室14を形成している。
下側容器12はアルミニウムが使用されて碗形状に形成されており、上側容器13は石英や酸化アルミニウム等の熱を透過する非金属材料が使用されてドーム形状に形成されている。上側容器13は下側容器12の上に被せられている。
図1に示されたMMT装置10は処理容器11を備えている。処理容器11は下側容器12と上側容器13とによって形成されており、処理室14を形成している。
下側容器12はアルミニウムが使用されて碗形状に形成されており、上側容器13は石英や酸化アルミニウム等の熱を透過する非金属材料が使用されてドーム形状に形成されている。上側容器13は下側容器12の上に被せられている。
処理容器11の上側容器13の外周には、反応ガスを励起させる放電手段としての筒状電極15が設置されており、筒状電極15は処理室14内のプラズマ生成領域16を囲んでいる。筒状電極15は筒状、例えば円筒状に形成されている。
筒状電極15には高周波電力を印加する高周波電源17が、インピーダンスの整合を行う整合器18を介して接続されている。
筒状電極15には高周波電力を印加する高周波電源17が、インピーダンスの整合を行う整合器18を介して接続されている。
筒状電極15の外側表面には磁界形成手段としての筒状磁石19が上下で一対、筒状電極15の上端部および下端部の近傍にそれぞれ設置されている。
筒状磁石19は筒状、例えば円筒状の永久磁石によって構成されている。
上下の筒状磁石19、19は、処理室14の半径方向に沿った両端(内周端と外周端)に磁極を持ち、上下の筒状磁石19、19の磁極の向きが逆向きに設定されている。
したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極15の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
筒状磁石19は筒状、例えば円筒状の永久磁石によって構成されている。
上下の筒状磁石19、19は、処理室14の半径方向に沿った両端(内周端と外周端)に磁極を持ち、上下の筒状磁石19、19の磁極の向きが逆向きに設定されている。
したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極15の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
筒状電極15および筒状磁石19の周囲には、筒状電極15および筒状磁石19によって形成された電界や磁界を遮蔽する遮蔽板20が設けられている。
遮蔽板20は筒状電極15および筒状磁石19によって形成された電界や磁界が外部環境や他の基板処理装置等の装置に悪影響を及ぼさないようになっている。
遮蔽板20は筒状電極15および筒状磁石19によって形成された電界や磁界が外部環境や他の基板処理装置等の装置に悪影響を及ぼさないようになっている。
処理室14の底側中央には、基板であるウエハ1を保持するための基板保持具(基板保持手段)としてのサセプタ21が配置されており、サセプタ21の内部には加熱機構(加熱手段)としてのヒータ41が埋め込まれている。すなわち、サセプタ21はウエハ1を保持するとともに、加熱することができるように構成されている。
ヒータ41は電力が印加されることにより、ウエハ1を500℃程度にまで加熱することができるように構成されている。
サセプタ21は例えば石英や窒化アルミニウムやセラミックス等の非金属材料によって形成されている。このような非金属材料によってサセプタ21を形成することにより、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減することができる。
ヒータ41は電力が印加されることにより、ウエハ1を500℃程度にまで加熱することができるように構成されている。
サセプタ21は例えば石英や窒化アルミニウムやセラミックス等の非金属材料によって形成されている。このような非金属材料によってサセプタ21を形成することにより、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減することができる。
さらに、サセプタ21の内部には、インピーダンスを変化させるためのインピーダンス用電極(図示せず)が装備されており、インピーダンス用電極がインピーダンス可変機構22を介して接地されている。
インピーダンス可変機構22はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、インピーダンス用電極およびサセプタ21を介してウエハ1の電位を制御することができるようになっている。
インピーダンス可変機構22はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、インピーダンス用電極およびサセプタ21を介してウエハ1の電位を制御することができるようになっている。
サセプタ21は下側容器12と絶縁されており、サセプタ21を昇降させるサセプタ昇降機構(昇降手段)23が設けられている。
サセプタ21には貫通孔21aが設けられており、下側容器12の底面上にはウエハ1を突上げるためのウエハ突上げピン24が少なくとも3箇所に設けられている。
そして、貫通孔21aおよびウエハ突上げピン24は、サセプタ昇降機構23によってサセプタ21が下降させられた時には、ウエハ突上げピン24がサセプタ21と非接触な状態で貫通孔21aを突き抜けるような位置関係となるように配置されている。
サセプタ21には貫通孔21aが設けられており、下側容器12の底面上にはウエハ1を突上げるためのウエハ突上げピン24が少なくとも3箇所に設けられている。
そして、貫通孔21aおよびウエハ突上げピン24は、サセプタ昇降機構23によってサセプタ21が下降させられた時には、ウエハ突上げピン24がサセプタ21と非接触な状態で貫通孔21aを突き抜けるような位置関係となるように配置されている。
下側容器12の側壁には仕切弁となるゲートバルブ25が設けられている。
ゲートバルブ25が開いている時には、図示しない搬送機構(搬送手段)により処理室14に対してウエハ1を搬入または搬出することができ、また、ゲートバルブ25が閉まっている時には、処理室14を気密に閉じることができる。
ゲートバルブ25が開いている時には、図示しない搬送機構(搬送手段)により処理室14に対してウエハ1を搬入または搬出することができ、また、ゲートバルブ25が閉まっている時には、処理室14を気密に閉じることができる。
処理室14の上部にはシャワーヘッド26が設けられている。シャワーヘッド26はキャップ状の蓋体27とガス導入口28とバッファ室29と開口30と遮蔽プレート31とガス吹出口32とを備えている。バッファ室29はガス導入口28より導入されたガスを分散するための分散空間を構成している。
便宜上、図示は省略するが、シャワーヘッド26のウエハ1に対向する面には金メッキが施されており、反射鏡面を構成するようになっている。すなわち、遮蔽プレート31の下面は金メッキ被膜をコーティングされることにより、反射鏡面を構成している。
便宜上、図示は省略するが、シャワーヘッド26のウエハ1に対向する面には金メッキが施されており、反射鏡面を構成するようになっている。すなわち、遮蔽プレート31の下面は金メッキ被膜をコーティングされることにより、反射鏡面を構成している。
ガス導入口28にはガスを供給するガス供給管33が接続されており、ガス供給管33は開閉弁であるバルブ34および流量制御器(流量制御手段)であるマスフローコントローラ35を介して反応ガスのガスボンベ(図示せず)に接続されている。
下側容器12の側壁にはガスを排気するガス排気口36が設けられており、ガス排気口36にはガスを排気するガス排気管37が接続されている。ガス排気管37は圧力調整器であるAPC38、開閉弁であるバルブ39を介して排気装置である真空ポンプ40に接続されている。
ガス排気口36は、シャワーヘッド26から処理室14に供給された反応ガスが基板処理後にサセプタ21の周囲から処理室14の底方向へ流れるように、設定されている。
ガス排気口36は、シャワーヘッド26から処理室14に供給された反応ガスが基板処理後にサセプタ21の周囲から処理室14の底方向へ流れるように、設定されている。
処理容器11の上側容器13の外側には、ヒータ41の熱(赤外線や遠赤外線等の熱線)をウエハ1へ反射する反射板42がシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置されている。
また、処理容器11の上側容器13の外側には、さらに反射板43が設けられている。この反射板43はリング電極15の下部に設けられている。
反射板42、43は上側容器13または蓋体27または遮蔽板20と同質の材料が使用されて、ヒータ41およびウエハ1から上側容器13を透過して入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ21上のウエハ1に向けて反射するように形成されており、その反射面の表面には反射効率を高めるために、金メッキ被膜(図示せず)がコーティングされている。
ここでは、反射板42を蓋体27と同心円状に設置し、また、反射板43は電極15の下部に設けたことを説明したが、それに限るものではなく、熱が透過される箇所であればよい。
また、処理容器11の上側容器13の外側には、さらに反射板43が設けられている。この反射板43はリング電極15の下部に設けられている。
反射板42、43は上側容器13または蓋体27または遮蔽板20と同質の材料が使用されて、ヒータ41およびウエハ1から上側容器13を透過して入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ21上のウエハ1に向けて反射するように形成されており、その反射面の表面には反射効率を高めるために、金メッキ被膜(図示せず)がコーティングされている。
ここでは、反射板42を蓋体27と同心円状に設置し、また、反射板43は電極15の下部に設けたことを説明したが、それに限るものではなく、熱が透過される箇所であればよい。
MMT装置10は制御部(制御手段)としてのコントローラ50を備えている。
コントローラ50はAPC38、バルブ39、真空ポンプ40を信号線Aを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50はサセプタ昇降機構23を信号線Bを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50はゲートバルブ25を信号線Cを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50は整合器18、高周波電源17を信号線Dを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50は、バルブ34、マスフローコントローラ35を信号線Eを通じて制御するように構成されている。
さらに、コントローラ50はサセプタに埋め込まれたヒータ41やインピーダンス可変機構22を、図示しない信号線を通じて制御するよう構成されている。
コントローラ50はAPC38、バルブ39、真空ポンプ40を信号線Aを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50はサセプタ昇降機構23を信号線Bを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50はゲートバルブ25を信号線Cを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50は整合器18、高周波電源17を信号線Dを通じて制御するように構成されている。
コントローラ50は、バルブ34、マスフローコントローラ35を信号線Eを通じて制御するように構成されている。
さらに、コントローラ50はサセプタに埋め込まれたヒータ41やインピーダンス可変機構22を、図示しない信号線を通じて制御するよう構成されている。
次に、前記構成に係るMMT装置10の作用を説明する。
ウエハ1は処理室14の外部からウエハを搬送する図中省略の搬送機構によって処理室14に搬入され、サセプタ21の上に移載される。
この搬送動作の詳細は、次の通りである。
サセプタ21がウエハ搬送位置まで下降すると、ウエハ突上げピン24の先端がサセプタ21の貫通孔21aを通過する。これにより、サセプタ21の表面よりも所定の高さ分だけ、突き上げピン24が突き出された状態となる。
次に、下側容器12に設けられたゲートバルブ25が開かれ、図中省略の搬送機構によってウエハ1をウエハ突上げピン24の先端に移載する。
搬送機構が処理室14の外へ退避すると、ゲートバルブ25が閉じられる。
サセプタ21がサセプタ昇降機構23によって上昇されると、サセプタ21の上面にウエハ1が移載される。
その後に、サセプタ21はサセプタ昇降機構23によって、ウエハ1を処理する位置まで上昇される。
この搬送動作の詳細は、次の通りである。
サセプタ21がウエハ搬送位置まで下降すると、ウエハ突上げピン24の先端がサセプタ21の貫通孔21aを通過する。これにより、サセプタ21の表面よりも所定の高さ分だけ、突き上げピン24が突き出された状態となる。
次に、下側容器12に設けられたゲートバルブ25が開かれ、図中省略の搬送機構によってウエハ1をウエハ突上げピン24の先端に移載する。
搬送機構が処理室14の外へ退避すると、ゲートバルブ25が閉じられる。
サセプタ21がサセプタ昇降機構23によって上昇されると、サセプタ21の上面にウエハ1が移載される。
その後に、サセプタ21はサセプタ昇降機構23によって、ウエハ1を処理する位置まで上昇される。
サセプタ21に内蔵されたヒータ41は予め加熱されており、サセプタ21に移載されたウエハ1を室温〜700℃の範囲内の所定の温度に加熱する。
処理室14内の圧力は0.1〜100Paの範囲内の所定の圧力に、真空ポンプ40およびAPC38によって維持される。
処理室14内の圧力は0.1〜100Paの範囲内の所定の圧力に、真空ポンプ40およびAPC38によって維持される。
ウエハ1の温度が所定の処理温度(例えば、400℃)に達し、安定すると、所定の反応ガスGがガス導入口28から遮蔽プレート31のガス吹出口32を介して処理室14に配置されたウエハ1の上面(処理面)に向けて導入される。
他方、高周波電力が筒状電極15に高周波電源17から整合器18を介して印加される。印加する電力は150〜200Wの範囲内の所定の出力値を投入する。このとき、インピーダンス可変機構22は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。
筒状磁石19、19の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ1の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域16に高密度プラズマが生成される。
処理室14内へ導入された反応ガスGはプラズマ生成領域16において乖離し、活性化粒子を生成し、ウエハ1に所定のプラズマ処理を施す。
筒状磁石19、19の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ1の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域16に高密度プラズマが生成される。
処理室14内へ導入された反応ガスGはプラズマ生成領域16において乖離し、活性化粒子を生成し、ウエハ1に所定のプラズマ処理を施す。
予め設定された処理時間が経過すると、バルブ34が閉じられてガス吹出口32からの水素ガスおよび酸素ガスの供給が停止されるとともに、筒状電極15への高周波電力の印加が停止される。
次いで、処理室14内の圧力が搬送機構の設置室である真空搬送室(図示せず)と同圧化された後に、処理済みのウエハ1は前述したウエハ搬入時と逆の手順で処理室14外へ搬送される。
ところで、ウエハ1を輻射および熱伝導によって加熱したヒータ41の熱(熱線)の一部は、処理容器11の上側容器13の壁を透過して処理室14の外部に逃げるために、ウエハ1の温度がヒータ41の出力に見合うように上昇しないことが本発明者によって究明された。
そこで、本実施の形態においては、上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成し、ヒータ41およびウエハ1から入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ21上のウエハ1に向けて反射することにより、ヒータ41の発熱を全て活用することができるようにして、ウエハ1の温度がヒータ41の出力に見合うように上昇させるものとした。
図2は反射板の有無によるウエハの温度相違を示すグラフである。
図2において、縦軸にはウエハ温度(℃)が取られ、横軸にはIN/OUTヒータパワー比率が取られている。
図2において、実線折れ線は反射板が有る場合を(本発明に相当)を示しており、破線折れ線は反射板が無い場合(従来例に相当)を示している。
図2によれば、いずれのヒータパワー比率においても、反射板によってウエハの温度が上昇されていることが判る。
図2において、縦軸にはウエハ温度(℃)が取られ、横軸にはIN/OUTヒータパワー比率が取られている。
図2において、実線折れ線は反射板が有る場合を(本発明に相当)を示しており、破線折れ線は反射板が無い場合(従来例に相当)を示している。
図2によれば、いずれのヒータパワー比率においても、反射板によってウエハの温度が上昇されていることが判る。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成することにより、ヒータ41およびウエハ1から入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ21上のウエハ1に向けて反射させることができるので、ヒータ41の発熱を全て活用して、ウエハ1の温度がヒータ41の出力に見合うように上昇させることができる。
1) 上側容器13の外側に反射板42をシャワーヘッド26のキャップ状の蓋体27と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド26の遮蔽プレート31の下面に反射鏡面を形成することにより、ヒータ41およびウエハ1から入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ21上のウエハ1に向けて反射させることができるので、ヒータ41の発熱を全て活用して、ウエハ1の温度がヒータ41の出力に見合うように上昇させることができる。
2) ヒータの発熱を全て活用することにより、ヒータの最大出力の仕様を増加させずにウエハの温度を所期の通りに上昇させることができるので、ヒータやサセプタの仕様を変更せずに済み、ヒータやサセプタひいてはMMT装置の製造コストの増加を回避することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
反射鏡面は金メッキ被膜のコーティング処理によって構成するに限らず、他の表面処理を使用して構成してもよい。
1…ウエハ、10…MMT装置(基板処理装置)、11…処理容器、12…下側容器、13…上側容器、14…処理室、15…筒状電極(放電手段)、16…プラズマ生成領域、17…高周波電源、18…整合器、19…筒状磁石(磁界形成手段)、20…遮蔽板、21…サセプタ、21a…貫通孔、22…インピーダンス可変機構、23…サセプタ昇降機構、24…ウエハ突き上げピン、25…ゲートバルブ、26…シャワーヘッド、27…キャップ状の蓋体、28…ガス導入口、29…バッファ室、30…開口、31…遮蔽プレート、32…ガス吹出口、33…ガス供給管、34…バルブ、35…マスフローコントローラ、36…ガス排気口、37…ガス排気管、38…APC、39…バルブ、40…真空ポンプ、41…ヒータ、42、43…反射板、50…コントローラ。
Claims (1)
- 熱を透過する処理容器と、
前記処理容器内に設けた基板を載置するサセプタと、
前記サセプタに設けられ、基板を加熱するヒータと、
前記処理容器の外部に設けられ、前記ヒータの熱を前記基板へ反射する反射板と、を備える基板処理装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2006
- 2006-08-25 JP JP2006228647A patent/JP2008053489A/ja active Pending
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JP7227350B2 (ja) | 2019-03-20 | 2023-02-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、処理容器、反射体及び半導体装置の製造方法 |
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