JP2016178257A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016178257A JP2016178257A JP2015058922A JP2015058922A JP2016178257A JP 2016178257 A JP2016178257 A JP 2016178257A JP 2015058922 A JP2015058922 A JP 2015058922A JP 2015058922 A JP2015058922 A JP 2015058922A JP 2016178257 A JP2016178257 A JP 2016178257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- processing chamber
- disposed
- radical source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
上記実施例のプラズマ処理装置においては、ラジカル源3が処理室2の上部に、ラジカル源3から供給されるラジカルにより処理されるウエハ5が載置されるウエハステージ6が処理室2の下部に、これらの間にランプユニットが配置される構成を有している。このようなプラズマ処理装置の構成では、プラズマ16を生成するため構成として高周波電力が供給されるコイル状アンテナ13を用いた誘導結合方式のものに限られず、所望のラジカルを生成するための最適な方式を選択することができる。例えば、マイクロ波によるECRを用いてプラズマ16を形成するラジカル源3を用いることも可能である。
次に、実施例のさらに別の変形例について図6を用いて説明する。図6は、図1に示す実施例の別の変形例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
本発明の実施例のさらに別の変形例を図7を用いて説明する。図7は、図1に示す実施例の別の変形例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本例のラジカル源3、ウエハステージ6に関しては図1に示されるものと同一または同等と見做せる程度に近似した構成であり説明を省略する。
2…処理室
3…ラジカル源
4…ランプ室
5…ウエハ
6…ウエハステージ
7…真空ポンプ
8…可変コンダクタンスバルブ
9…外光照射用ランプ
10…ガス供給システム
11…第1のガス供給手段
12…第2のガス供給手段
13…コイル状アンテナ
14…高周波電源
15…ガス分散板
16…プラズマ
17…ラジカル導入路
18…ウエハ搬送口
19…ステージ支持アーム
20…ランプ支持アーム
21…石英ガラス板
22…給電点
23…接地点
24…ガス仕切板
25…導波管
26…石英天板
27…コイル
28…シャワープレート
29…ガス供給リング
30…石英多孔板。
Claims (5)
- 減圧可能な真空容器と、当該真空容器内部の処理室内側に配置され活性種を生成するラジカル源と、前記処理室内において前記ラジカル源の下方に配置されウエハが上面に載置されるウエハステージと、前記処理室内の前記ラジカル源と前記ウエハステージとの間に配置されウエハを加熱するランプユニットとを備え、
前記処理室内の前記ランプユニットの外周側及び中央部に配置され活性種が下方に流れる流路と、前記ラジカル源の中央部分及び外周側部分に処理用ガスを供給する複数のガス供給手段からの当該ガスの供給を調節する制御ユニットとを備えたプラズマ処理装置。
- 減圧可能な真空容器と、当該真空容器内部の処理室内側に配置され活性種を生成するラジカル源と、前記処理室内において前記ラジカル源の下方に配置されウエハが上面に載置されるウエハステージと、前記処理室内の前記ラジカル源と前記ウエハステージとの間に配置されウエハを加熱するランプユニットとを備え、
前記処理室内の前記ランプユニットの外周側または中央部に配置され活性種が下方に流れる流路と、前記ラジカル源に処理用ガスを供給する複数のガス供給手段と、複数の貫通孔を備えて前記ランプユニットと前記ウエハステージとの間で前記ウエハステージを覆って配置され前記ランプからの光または電磁波が透過する材料から構成された板部材とを備え、前記複数の貫通孔のうち前記板部材の中央部での貫通孔の面積は外周側部分の貫通孔の面積より大きくされたプラズマ処理装置。
- 減圧可能な真空容器と、当該真空容器内部の処理室内側に配置され活性種を生成するラジカル源と、前記処理室内において前記ラジカル源の下方に配置されウエハが上面に載置されるウエハステージと、前記処理室内の前記ラジカル源と前記ウエハステージとの間に配置されウエハを加熱するランプユニットとを備え、
前記処理室内の前記ランプユニットの中央部に配置され活性種が下方に流れる流路と、前記ラジカル源に処理用のガスを供給する第1のガス供給手段と、前記ランプユニットの下方に配置され前記処理室内にガスを供給する第2のガス供給手段と、第1および第2のガス供給手段によるガスの供給を調節する制御ユニットとを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
前記ラジカル源から前記ウエハに向けて活性種を予め定めた第1の時間だけ供給した後にこれを停止して前記ランプユニットにより前記ウエハを予め定めた第2の時間だけ加熱する動作を複数回繰り返して前記ウエハの上面に配置された膜構造をエッチングするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至4の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
前記ウエハステージの温度を調節する冷却装置と、前記ウエハが前記ウエハステージに載せられた状態で当該ウエハとウエハステージとの間に熱伝達用のガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015058922A JP6488164B2 (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015058922A JP6488164B2 (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016178257A true JP2016178257A (ja) | 2016-10-06 |
JP6488164B2 JP6488164B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=57069332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015058922A Active JP6488164B2 (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6488164B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180046860A (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 |
JP2018157047A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
CN109786287A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 应用材料公司 | 用于校正基板变形的方法和设备 |
KR20190099965A (ko) * | 2018-02-20 | 2019-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
CN110277296A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理方法以及等离子处理装置 |
JPWO2020157954A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2021-02-18 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびプラズマ処理装置 |
CN112534552A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-03-19 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
JP2021157943A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
US12051574B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-07-30 | Hitachi High-Tech Corporation | Wafer processing method and plasma processing apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6191930A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体基板の清浄方法 |
JPH04120730A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Hitachi Ltd | クリーニング方法とその装置 |
JPH07263424A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Yasuhiro Horiike | デジタルエッチング方法及び装置 |
JPH10121252A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-05-12 | Applied Materials Inc | Rtpチャンバ内への新規なガス導入手段 |
JP2008166848A (ja) * | 1998-11-11 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法及びその装置 |
-
2015
- 2015-03-23 JP JP2015058922A patent/JP6488164B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6191930A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体基板の清浄方法 |
JPH04120730A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Hitachi Ltd | クリーニング方法とその装置 |
JPH07263424A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Yasuhiro Horiike | デジタルエッチング方法及び装置 |
JPH10121252A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-05-12 | Applied Materials Inc | Rtpチャンバ内への新規なガス導入手段 |
JP2008166848A (ja) * | 1998-11-11 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法及びその装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11915951B2 (en) | 2016-10-28 | 2024-02-27 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
JP2018073962A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR102040567B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2019-11-06 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 |
KR20180046860A (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 |
JP2018157047A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
CN109786287A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 应用材料公司 | 用于校正基板变形的方法和设备 |
CN109786287B (zh) * | 2017-11-13 | 2023-05-12 | 应用材料公司 | 用于校正基板变形的方法和设备 |
KR20190099965A (ko) * | 2018-02-20 | 2019-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
JP2019145761A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理方法及び装置 |
KR102636427B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
JP7250442B2 (ja) | 2018-02-20 | 2023-04-03 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理方法及び装置 |
CN110277296A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理方法以及等离子处理装置 |
KR20190109239A (ko) | 2018-03-16 | 2019-09-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 |
US11515167B2 (en) | 2019-02-01 | 2022-11-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma etching method and plasma processing apparatus |
JPWO2020157954A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2021-02-18 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法およびプラズマ処理装置 |
CN112534552A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-03-19 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
CN112534552B (zh) * | 2019-07-18 | 2024-04-12 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置 |
US12051574B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-07-30 | Hitachi High-Tech Corporation | Wafer processing method and plasma processing apparatus |
JP7382877B2 (ja) | 2020-03-26 | 2023-11-17 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
JP2021157943A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6488164B2 (ja) | 2019-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6488164B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101948592B1 (ko) | 플라스마 처리 장치의 운전 방법 | |
JP6202701B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP5973731B2 (ja) | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 | |
WO2015060185A1 (ja) | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 | |
US20150118858A1 (en) | Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device | |
KR102523730B1 (ko) | 이중 주파수 표면파 플라즈마 소스 | |
US20120305191A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP2017157778A (ja) | 基板処理装置 | |
US9786528B2 (en) | Substrate supporting table, substrate processing apparatus, and manufacture method for semiconductor device | |
KR20160075302A (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
KR20190038414A (ko) | 온도 제어 방법 | |
WO2018061235A1 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US20210366791A1 (en) | Plasma processing device and method for processing sample using same | |
JP7339396B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2008053489A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5793028B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6085106B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2023001073A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2010267708A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JP5171584B2 (ja) | 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
TW201523703A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
KR102668439B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR102398674B1 (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7471810B2 (ja) | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170117 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6488164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |