JP2023001073A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023001073A JP2023001073A JP2022096377A JP2022096377A JP2023001073A JP 2023001073 A JP2023001073 A JP 2023001073A JP 2022096377 A JP2022096377 A JP 2022096377A JP 2022096377 A JP2022096377 A JP 2022096377A JP 2023001073 A JP2023001073 A JP 2023001073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- space
- plasma
- ion blocker
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 78
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 8
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N iridium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- -1 electrons Chemical class 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32311—Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/72—Radiators or antennas
- H05B6/725—Rotatable antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/80—Apparatus for specific applications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/72—Radiators or antennas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明一目的は設備のフットプリントを減少させることができる基板処理装置を提供することにある。
200 基板支持ユニット
400 マイクロ波印加ユニット
410 マイクロ波電源
420 導波管
430 マイクロ波アンテナ
431 アンテナ板
433 アンテナロード
434 外部導体
436 マイクロ波アダプター
441 コネクタ
443 冷却板
445 アンテナ高さ調節部
470 誘電体板
480 冷却板
490 透過板
520 プラズマ発生空間
530 イオンブロッカー
600 制御器
700 排気バッフル
Claims (20)
- 基板を処理する装置において、
基板を処理する内部空間が形成される工程チャンバーと、
前記内部空間をプラズマ発生空間と処理空間に分割するイオンブロッカーと、
前記処理空間で基板を支持する基板支持ユニットと、
前記処理空間を排気する排気ユニットと、
前記イオンブロッカーより上部に位置され、前記イオンブロッカーを透過して前記基板にアニールのためのエネルギーを伝達するアニールソースと、
前記プラズマ発生空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、を含み、
前記イオンブロッカーは、
円板形状のマイクロ波が透過可能である素材で提供され、複数の貫通ホールが形成された本体と、
前記本体の上面又は下面の中でいずれか1つ以上に第1厚さ以下に提供される透明伝導膜と、を含む基板処理装置。 - 前記透明伝導膜は、
ITO(indium tin oxide)、AZO、FTO、ATO、SnO2、ZnO、IrO2、RuO2、グラフェン、metal nanowire、及びCNTの中でいずれか1つであるか、或いはそれ以上の混合物質、又は多重重畳によって成される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記イオンブロッカーは、接地される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記本体は、クォーツ素材で提供される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記アニールソースは、
前記プラズマ発生空間の一側に配置されるアンテナ、前記アンテナと前記プラズマ発生空間との間に位置する透過板を有するアンテナユニットと、
前記アンテナユニットに設定されたマイクロ波を印加するマイクロ波印加ユニットと、で成される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記アニールソースは、
ランプ又はレーザーを伝達するための光学系である請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記プラズマ発生空間に印加された工程ガスをプラズマに励起させるエネルギーを前記プラズマ発生空間に印加するプラズマソースと、
制御器と、をさらに含み、
前記制御器は、
前記基板が前記処理空間が搬入され、前記処理空間が第1雰囲気に転換されれば、前記ガス供給ユニット及び前記プラズマソースを制御して、前記プラズマ発生空間で前記工程ガスをプラズマに励起させて第1工程を遂行する請求項1に記載の基板処理装置。 - 制御器をさらに含み、
前記制御器は、
前記基板が前記基板支持ユニットに続いて維持される状態で、前記ガス供給ユニットによる工程ガス供給を遮断し、前記アニールソースを制御して前記基板に前記アニールのためのエネルギーを印加する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記アニールのためのエネルギーは、第1マイクロ波である請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記透明伝導膜がITO(indium tin oxide)素材で提供される場合、前記第1厚さは1μmである請求項9に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する方法において、
工程ガスをプラズマに励起し、前記プラズマの中でイオンをブロッキングするイオンブロッカーを通過したラジカルで基板を処理する第1工程と、
前記イオンブロッカーを透過した第1エネルギーを前記基板に印加する第2工程と、を含み、
前記イオンブロッカーは、光透過、熱透過、及びマイクロ波透過が可能である素材で提供する基板処理方法。 - 前記第1工程と前記第2工程は、1つのチャンバーで行われる請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記イオンブロッカーは、接地される請求項11に記載の基板処理方法。
- 円板形状の光透過、熱透過、及びマイクロ波透過可能である素材で提供される本体と、
前記本体の上面又は下面の中でいずれか1つ以上に第1厚さ以下にコーティングされる透明伝導膜を含む請求項11に記載の基板処理方法。 - 前記透明伝導膜は、
ITO(indium tin oxide)、AZO、FTO、ATO、SnO2、ZnO、IrO2、RuO2、グラフェン、metal nanowire、及びCNTの中でいずれか1つであるか、或いはそれ以上の混合物質、又は多重重畳によって成される請求項14に記載の基板処理方法。 - 前記透明伝導膜がITO(indium tin oxide)素材で提供される場合、前記第1厚さは1μmである請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記第1エネルギーの印加は、前記工程ガスの供給が遮断された状態で行われる請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記第1エネルギーは、前記基板をアニールする請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記本体は、クォーツ素材で提供される請求項14に記載の基板処理方法。
- 基板を処理する装置において、
基板を処理する内部空間が形成される工程チャンバーと、
円板形状に複数の貫通ホールが形成され、接地され、前記内部空間をプラズマ発生空間と処理空間に分割するイオンブロッカーと、
前記処理空間で基板を支持する基板支持ユニットと、
前記処理空間を排気する排気ユニットと、
前記イオンブロッカーより上部に配置されるアンテナ板、前記アンテナ板の下部に位置する透過板を有するアンテナユニットと、
前記アンテナユニットに設定されたマイクロ波を印加するマイクロ波印加ユニットと、
前記プラズマ発生空間に工程ガスを供給するガス供給ユニットと、を含み、
前記イオンブロッカーは、
クォーツ素材で提供される本体と、
前記本体の上面又は下面の中でいずれか1つ以上に第1厚さ以下にコーティングされITO(indium tin oxide)、AZO、FTO、ATO、SnO2、ZnO、IrO2、RuO2、グラフェン、metal nanowire、及びCNTの中でいずれか1つであるか、或いはそれ以上の混合物質、又は多重重畳によって成された透明伝導膜と、を含む基板処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0078399 | 2021-06-17 | ||
KR1020210078399A KR20220169010A (ko) | 2021-06-17 | 2021-06-17 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023001073A true JP2023001073A (ja) | 2023-01-04 |
JP7390434B2 JP7390434B2 (ja) | 2023-12-01 |
Family
ID=84464103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022096377A Active JP7390434B2 (ja) | 2021-06-17 | 2022-06-15 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220406571A1 (ja) |
JP (1) | JP7390434B2 (ja) |
KR (1) | KR20220169010A (ja) |
CN (1) | CN115497801A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023158445A (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-30 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63161622A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Fujitsu Ltd | 光異方性エツチング装置 |
JP2010177065A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理装置用のスロット板付き誘電体板及びその製造方法 |
JP2015128108A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ドーピング方法、ドーピング装置及び半導体素子の製造方法 |
JP2015185594A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置 |
WO2018055730A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
JP2018125373A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
-
2021
- 2021-06-17 KR KR1020210078399A patent/KR20220169010A/ko not_active Application Discontinuation
-
2022
- 2022-06-15 JP JP2022096377A patent/JP7390434B2/ja active Active
- 2022-06-16 US US17/842,222 patent/US20220406571A1/en active Pending
- 2022-06-17 CN CN202210693269.7A patent/CN115497801A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63161622A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Fujitsu Ltd | 光異方性エツチング装置 |
JP2010177065A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理装置用のスロット板付き誘電体板及びその製造方法 |
JP2015128108A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ドーピング方法、ドーピング装置及び半導体素子の製造方法 |
JP2015185594A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置 |
WO2018055730A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
JP2018125373A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023158445A (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-30 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
JP7389845B2 (ja) | 2022-04-18 | 2023-11-30 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220169010A (ko) | 2022-12-27 |
US20220406571A1 (en) | 2022-12-22 |
JP7390434B2 (ja) | 2023-12-01 |
CN115497801A (zh) | 2022-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11404281B2 (en) | Method of etching silicon containing films selectively against each other | |
JP6014661B2 (ja) | プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 | |
US7442274B2 (en) | Plasma etching method and apparatus therefor | |
JP4677918B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US8419859B2 (en) | Method of cleaning plasma-treating apparatus, plasma-treating apparatus where the cleaning method is practiced, and memory medium memorizing program executing the cleaning method | |
JP6488164B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006244891A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
KR20180054495A (ko) | 이중 주파수 표면파 플라즈마 소스 | |
JP7390434B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2008235611A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR102330281B1 (ko) | 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
JP2019009305A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7339396B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2010267708A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
KR20230000480A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5559505B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20240212995A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
US20240290625A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20230207290A1 (en) | Method of treating substrate | |
KR102126979B1 (ko) | 샤워 헤드 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20230015625A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2007194257A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20240094745A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20230097959A (ko) | 기판 처리 방법 | |
TW202338900A (zh) | 處理基板之設備及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7390434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |