JP6488164B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
上記実施例のプラズマ処理装置においては、ラジカル源3が処理室2の上部に、ラジカル源3から供給されるラジカルにより処理されるウエハ5が載置されるウエハステージ6が処理室2の下部に、これらの間にランプユニットが配置される構成を有している。このようなプラズマ処理装置の構成では、プラズマ16を生成するため構成として高周波電力が供給されるコイル状アンテナ13を用いた誘導結合方式のものに限られず、所望のラジカルを生成するための最適な方式を選択することができる。例えば、マイクロ波によるECRを用いてプラズマ16を形成するラジカル源3を用いることも可能である。
次に、実施例のさらに別の変形例について図6を用いて説明する。図6は、図1に示す実施例の別の変形例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
本発明の実施例のさらに別の変形例を図7を用いて説明する。図7は、図1に示す実施例の別の変形例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本例のラジカル源3、ウエハステージ6に関しては図1に示されるものと同一または同等と見做せる程度に近似した構成であり説明を省略する。
2…処理室
3…ラジカル源
4…ランプ室
5…ウエハ
6…ウエハステージ
7…真空ポンプ
8…可変コンダクタンスバルブ
9…外光照射用ランプ
10…ガス供給システム
11…第1のガス供給手段
12…第2のガス供給手段
13…コイル状アンテナ
14…高周波電源
15…ガス分散板
16…プラズマ
17…ラジカル導入路
18…ウエハ搬送口
19…ステージ支持アーム
20…ランプ支持アーム
21…石英ガラス板
22…給電点
23…接地点
24…ガス仕切板
25…導波管
26…石英天板
27…コイル
28…シャワープレート
29…ガス供給リング
30…石英多孔板。
Claims (5)
- 減圧可能な真空容器と、当該真空容器内部の上部に配置された空間であって内側に供給される処理用ガスを用いて活性種が生成されるラジカル源と、前記真空容器内部の前記ラジカル源の下方で当該ラジカル源と連通して配置された空間の下部に配置されウエハが上面に載置されるウエハステージと、前記真空容器内部で前記ラジカル源と前記ウエハステージとの間に配置され前記ウエハを加熱するランプユニットとを備え、
前記真空容器内部の前記ランプユニットの外周側でこれを囲んで配置された少なくとも1つの流路及び前記ランプユニットの中央部を貫通して配置された流路であって前記活性種が前記ラジカル源から下方のウエハステージに向けて流れる複数の流路と、前記ラジカル源内部の前記ランプユニットの外周側及び中央部の流路の上方でこれらに対応した位置に複数のガス供給口を有した複数のガス供給手段と、これらガス供給手段からの前記処理用ガスの供給を調節する制御ユニットとを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記真空容器上部の側壁の外周であって前記ラジカル源の外周を囲んで配置され当該ラジカル源内部に前記処理ガスを用いたプラズマを形成するため高周波電力が供給されるコイルアンテナを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記ランプユニットの前記中央部の流路は前記ウエハステージの中心部の上方に配置され、前記ランプユニット内部で前記中央部の流路を囲んで配置され前記ウエハを加熱する赤外光を放射するランプが収納された円筒形のランプ室を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
前記ラジカル源から前記ウエハに向けて活性種を予め定めた第1の時間だけ供給した後にこれを停止して前記ランプユニットにより前記ウエハを予め定めた第2の時間だけ加熱する動作を複数回繰り返して前記ウエハの上面に配置された膜構造をエッチングするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至4の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
前記ウエハステージの温度を調節する冷却装置と、前記ウエハが前記ウエハステージに載せられた状態で当該ウエハとウエハステージとの間に熱伝達用のガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置。
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