KR20230097959A - 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230097959A
KR20230097959A KR1020220040762A KR20220040762A KR20230097959A KR 20230097959 A KR20230097959 A KR 20230097959A KR 1020220040762 A KR1020220040762 A KR 1020220040762A KR 20220040762 A KR20220040762 A KR 20220040762A KR 20230097959 A KR20230097959 A KR 20230097959A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing space
substrate
purge
processing
bake
Prior art date
Application number
KR1020220040762A
Other languages
English (en)
Inventor
김상림
정도환
최현규
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to US18/065,128 priority Critical patent/US20230207290A1/en
Priority to CN202211664785.3A priority patent/CN116344312A/zh
Publication of KR20230097959A publication Critical patent/KR20230097959A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로파를 인가하여 처리 공간에 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 기판을 상기 플라즈마로 처리하는 플라즈마 처리 단계, 상기 플라즈마 처리 단계가 기 설정 횟수로 진행되고, 상기 장치에 포함되는 부품을 교체하는 교체 단계 및 상기 교체 단계 이후에 상기 장치를 백업하는 단계를 포함하되, 상기 백업 단계는 상기 부품에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 베이크 퍼지 단계를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 방법{A METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로, 식각 공정은 플라즈마에 함유된 라디칼과 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
마이크로파를 발생시켜 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치의 경우, 기판 처리 장치에 포함되는 부품들은 공정을 진행하는 동안 그 내구도가 낮아진다. 이에, 기판에 대한 플라즈마 처리를 기 설정된 횟수만큼 진행한 이후, 부품들을 교체하는 등의 유지 보수 작업이 주기적으로 수행된다. 부품들의 내구성이 임계점에 도달하여 부품들을 교체하는 경우, 원시적으로 존재하는 불순물이 포함된 상태의 교체된 부품이 기판 처리 장치 내부에 장착된다. 교체된 부품의 표면에 불순물(예컨대, 수분 및/또는 파티클 등)이 포함된 상태에서 기판에 대해 플라즈마 처리를 수행하는 경우, 기판 처리를 수행하는 처리 공간 내부의 오염도를 상승시켜 기판의 공정 불량을 야기한다. 또한, 기판의 표면에 불순물이 부착되어 기판에 대한 효율적인 플라즈마 처리를 방해한다.
또한, 부품 표면에 포함된 불순물을 제거하기 위해 퍼지(Purge) 작업을 수행하는 방법을 이용하는 경우, 유지 보수에 소요되는 시간이 길어지는 문제가 있다. 유지 보수 작업이 길어지는 경우, 기판의 처리 효율성이 저하되는 문제로 귀결된다. 나아가, 단순히 퍼지 작업을 수행하는 방법은 부품 표면의 미세한 골에 부착된 불순물을 용이하게 제거하기 어렵다.
본 발명은 기판 처리 장치의 유지 보수 작업을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치의 유지 보수 작업을 신속하게 수행할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치에 포함되는 부품을 교체한 이후 부품의 표면에 포함되는 불순물을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 마이크로파를 인가하여 처리 공간에 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 기판을 상기 플라즈마로 처리하는 플라즈마 처리 단계, 상기 플라즈마 처리 단계가 기 설정 횟수로 진행되고, 상기 장치에 포함되는 부품을 교체하는 교체 단계 및 상기 교체 단계 이후에 상기 장치를 백업하는 단계를 포함하되, 상기 백업 단계는 상기 부품에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 베이크 퍼지 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 베이크 퍼지 단계는 상기 처리 공간의 분위기를 상압으로 형성하고, 상기 처리 공간의 온도를 섭씨 100도 내지 200도로 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 베이크 퍼지 단계는 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 백업 단계는 상기 처리 공간의 퍼지를 수행하는 제1차 퍼지 단계 및 상기 제1차 퍼지 단계 이후에 상기 처리 공간의 2차 퍼지를 수행하는 제2차 퍼지 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 베이크 퍼지 단계는 상기 제1차 퍼지 단계보다 선행적으로 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1차 퍼지 단계는 상온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 1차 퍼지하고, 상기 제2차 퍼지 단계는 상기 처리 공간의 온도를 상승시켜 고온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 2차 퍼지할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 불순물은 상기 부품에 포함된 수분 및/또는 상기 부품에 부착된 파티클을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치에 포함되는 부품을 교체하고 상기 장치를 백업하는 기판 처리 방법을 제공한다. 상기 장치의 백업은 상기 부품에 포함된 수분 및/또는 상기 부품에 부착된 파티클을 포함하는 불순물을 제거하기 위한 베이크 퍼지 단계를 포함하고, 상기 베이크 퍼지 단계는 기판을 처리하는 처리 공간을 고온으로 형성하고, 고온의 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간을 퍼지할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치의 백업은 상온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 1차 퍼지하는 제1차 퍼지 단계를 더 포함하되, 상기 제1차 퍼지 단계는 상기 베이크 퍼지 단계 이후에 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치의 백업은 상기 제1차 퍼지 단계 이후에, 상기 처리 공간의 온도를 상승시켜 고온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 2차 퍼지하는 제2차 퍼지 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 베이크 퍼지 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상압으로 형성되고, 상기 베이크 퍼지 단계에서 상기 처리 공간의 온도는 섭씨 100도 내지 200도로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는 마이크로파를 인가하여 상기 처리 공간에 플라즈마를 생성하여 기판을 처리하는 장치일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 유지 보수 작업을 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 유지 보수 작업을 신속하게 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에 포함되는 부품을 교체한 이후 부품의 표면에 포함되는 불순물을 효율적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대한 순서도이다.
도 3은 도 2의 일 실시예에 따른 유지 보수 단계에서 처리 공간의 온도를 개략적으로 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 2의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 일 실시예에 따른 교체 단계가 완료된 이후 교체된 부품의 표면을 확대한 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 일 실시예에 따른 베이크 퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2의 일 실시예에 따른 제1퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 2의 일 실시예에 따른 제2퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 수행되는 기판 처리 장치에 대해 상세히 설명한다.
기판 처리 장치(10)는 기판(W)을 처리한다. 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭(Etching) 공정, 포토레지스트 막을 제거하는 애싱(Ashing) 공정, 기판(W) 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 또는 드라이 클리닝 공정을 수행하는 장치일 수 있다. 선택적으로, 기판 처리 장치(10)는 수소 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대해 어닐 공정을 수행할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판 처리 장치(10)에서 수행되는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다. 기판 처리 장치(10)에 반입되는 기판(W)은 처리 공정의 일부가 수행된 기판(W)일 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)에 반입되는 기판(W)은 식각 공정 또는 사진 공정 등이 기 수행된 기판(W)일 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(10)에서는 기 설정된 횟수만큼 기판(W)에 대해 플라즈마 처리를 수행한 이후, 유지 보수 공정이 수행될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 기 설정된 매수만큼 기판(W)을 처리한 이후, 유지 보수 공정을 수행할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제어기(20), 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 배기 배플(300), 가스 공급 유닛(400), 마이크로파 인가 유닛(500), 그리고 방사 유닛(600)을 포함할 수 있다.
제어기(20)는 기판 처리 장치(10)의 제어를 실행하는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해서 커맨트 입력 조작 등을 수행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
제어기(20)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(20)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)에 제공되는 구성들을 제어할 수 있다.
공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(101)을 가진다. 처리 공간(101)은 기판(W)의 처리가 수행되는 공간으로 제공된다. 처리 공간(101)은 후술하는 플라즈마 처리 단계(S10)를 수행할 때, 공정 가스(G1)가 공급되어 플라즈마가 형성되는 공간으로 기능할 수 있다. 또한, 처리 공간(101)은 후술하는 유지 보수 단계(S20)를 수행할 때, 퍼지 가스(G2)가 공급되는 퍼지 공간으로 기능할 수 있다.
공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함할 수 있다. 바디(110)는 상면이 개방되고, 내부 공간을 가질 수 있다. 예컨대, 바디(110)는 내부 공간을 갖고, 상면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓일 수 있다. 커버(120)는 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐할 수 있다. 예컨대, 커버(120)는 하면이 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차지게 형성될 수 있다. 바디(110)와 커버(120)는 서로 조합되어 공정 챔버(100)를 정의할 수 있다. 또한, 바디(110)와 커버(120)가 서로 조합되어 바디(110)의 내부 공간은 상술한 처리 공간(101)으로 기능할 수 있다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구(미도시)는 기판(W)이 처리 공간(101)으로부터 반출되거나, 처리 공간(101)으로 기판(W)이 반입되는 통로로 기능한다. 개구(미도시)는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 차폐될 수 있다. 예컨대, 개구(미도시)는 바디(110)의 일 측벽에 형성될 수 있다. 공정 챔버(100)의 내측벽은 코팅될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(100)의 내측벽은 석영(Quartz)을 포함하는 소재로 코팅될 수 있다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기 홀(130)이 형성된다. 예컨대, 배기 홀(130)은 바디(110)의 저면에 형성될 수 있다. 배기 홀(130)은 배기 라인(140)과 연결된다. 배기 라인(140)은 처리 공간(101)의 내부를 유동하는 불순물(Byproduct)을 처리 공간(101)의 외부로 배출한다. 예컨대, 불순물은 수분, 공정 가스 및/또는 파티클을 포함할 수 있다.
배기 라인(140)의 일단은 배기 홀(130)과 연결되고, 배기 라인(140)의 타단은 감압 유닛(150)에 연결된다. 감압 유닛(150)은 처리 공간(101)에 음압을 제공한다. 감압 유닛(150)은 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 감압 유닛(150)은 음압을 제공하는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다. 배기 홀(130) 및 배기 라인(140)을 통한 배기로 인해 공정 챔버(100)의 내부는 플라즈마 처리 단계(S10)에서 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다.
지지 유닛(200)은 처리 공간(101) 내부에 위치한다. 지지 유닛(200)은 처리 공간(101) 내에서 기판(W)을 지지한다. 일 예에 의하면, 지지 유닛(200)은 정전기력(Electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 척킹(Chucking)할 수 있는 ESC일 수 있다. 선택적으로, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑에 의해 기판(W)을 물리적으로 지지할 수 있다. 선택적으로, 지지 유닛(200)은 기판(W)을 고정하는 수단을 제공하지 않고, 기판(W)은 지지 유닛(200) 상에 놓일 수도 있다.
지지 유닛(200)은 몸체(210), 지지 축(220), 그리고 가열 유닛(230)을 포함할 수 있다. 몸체(210)는 기판(W)을 지지한다. 몸체(210)의 상면은 기판(W)을 지지하는 지지면으로 제공된다. 몸체(210)의 상면에는 기판(W)이 안착된다. 일 예에 의하면, 몸체(210)는 유전체(Dielectric substance)로 제공될 수 있다. 몸체(210)는 대체로 원판 형상의 유전판으로 제공될 수 있다. 몸체(210)의 상면의 직경은 기판(W)의 직경보다 상대적으로 크게 제공될 수 있다.
몸체(210)의 내부에는 리프트 핀(미도시)이 이동하는 통로인 핀 홀(미도시)이 형성될 수 있다. 핀 홀(미도시)은 몸체(210)의 내부에 복수 개 형성되고, 몸체(210)의 상단까지 연장되는 홀일 수 있다. 리프트 핀(미도시)은 핀 홀(미도시)과 대응되는 수로 제공되며, 핀 홀(미도시)들의 길이 방향을 따라 상하 방향으로 이동하며, 기판(W)을 몸체(210)에 로딩하거나, 몸체(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
지지 축(220)은 몸체(210)를 지지한다. 지지 축(220)은 몸체(210)의 하부에서 몸체(210)와 결합된다. 지지 축(220)은 공정 챔버(100)에 결합될 수 있다. 예컨대, 지지 축(220)은 바디(110)의 바닥면에 결합될 수 있다.
가열 유닛(230)은 몸체(210) 내부에 제공된다. 가열 유닛(230)은 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(230)은 몸체(210)의 상면에 지지된 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(230)은 몸체(210)의 온도를 상승시켜 기판(W)을 가열한다. 예컨대, 가열 유닛(230)은 외부에서 인가되는 전원으로부터 흐르는 전류에 저항하여 발열하는 발열체로 제공될 수 있다. 가열 유닛(230)은 텅스텐과 같은 발열체일 수 있다. 다만, 가열 유닛(230)의 종류는 이에 한정되는 것은 아니고, 공지된 발열체로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
가열 유닛(230)에 의해 발생된 열은 몸체(210)를 통해 기판(W)으로 전달된다. 가열 유닛(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 공정에 요구되는 설정 온도로 유지될 수 있다. 또한, 가열 유닛(230)은 기판(W)이 처리되는 동안 기판(W)으로부터 분리되는 불순물(예컨대, 각종 산화막)이 기판(W)에 재부착되는 것을 방지할 수 있도록, 몸체(210)의 온도를 상승시킬 수 있다.
비록 도시되지 않았으나, 일 예에 따르면, 가열 유닛(230)은 나선 형상의 코일이 복수 개 제공될 수 있다. 가열 유닛(230)은 몸체(210)의 서로 다른 영역에 각각 제공될 수 있다. 예컨대, 몸체(210)의 중심을 포함하는 영역을 가열하는 가열 유닛(230)과 몸체(210)의 중심을 포함하는 영역을 감싸는 영역(예컨대, 몸체(210)의 가장자리 영역)을 가열하는 가열 유닛(230)이 각각 제공될 수 있고, 이들 가열 유닛(230)들은 서로 간에 독립적으로 발열 정도가 조절될 수 있다.
또한, 가열 유닛(230)은 후술하는 유지 보수 단계(S20)를 수행할 때, 처리 공간(101)의 온도를 조절할 수 있다. 유지 보수 단계(S20)를 수행할 때에는 몸체(210) 상에 기판(W)이 존재하지 않는 상태에서 유지 보수 단계(S20)를 수행하므로, 가열 유닛(230)에서 발생된 열은 몸체(210)를 매개로 처리 공간(101)으로 전달될 수 있다.
배기 배플(300)은 처리 공간(101)의 내부의 기류를 배기 라인(140)으로 균일하게 배기시킨다. 일 예로, 배기 배플(300)은 후술하는 플라즈마 처리 단계(S10)에서 처리 공간(101)에 발생한 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 또한, 배기 배플(300)은 후술하는 유지 보수 단계(S20)에서 교체된 부품에 포함되는 불순물을 배기 라인(140)으로 수월하게 배기시키도록 유도한다.
배기 배플(300)은 상부에서 바라볼 때, 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(300)은 처리 공간(101) 내에서 공정 챔버(100)의 내측벽과 지지 유닛(200) 사이에 위치한다. 일 예로, 배기 배플(300)은 바디(110)의 내측벽과 몸체(210)의 외측면 사이에 위치할 수 있다. 배기 배플(300)에는 복수의 배기 홀(310)들이 형성된다. 배기 홀(310)들은 배기 배플(300)의 상단에서 하단까지 연장되는 관통 홀로 제공된다. 배기 홀(310)들은 배기 배플(300)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열될 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 처리 공간(101)으로 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)은 공정 가스 공급 부재(420)와 퍼지 가스 공급 부재(440)를 포함할 수 있다.
공정 가스 공급 부재(420)는 처리 공간(101) 내로 공정 가스(G1)를 공급한다. 공정 가스 공급 부재(420)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 공정 가스 공급 홀(160)을 통해 처리 공간(101)으로 공정 가스(G1)를 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 가스(G1)는 불소 또는 수소를 포함할 수 있다. 예컨대, 공정 가스(G1)는 삼불화질소(NF3) 또는 암모니아(NH3)일 수 있다.
퍼지 가스 공급 부재(440)는 처리 공간(101) 내로 퍼지 가스(G2)를 공급한다. 퍼지 가스 공급 부재(440)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 퍼지 가스 공급 홀(170)을 통해 처리 공간(101)으로 퍼지 가스(G2)를 공급할 수 있다. 일 예에 의하면, 퍼지 가스(G2)는 아르곤(Ar)을 포함할 수 있다.
상술한 예와 달리, 공정 챔버(100)의 측벽에는 하나의 가스 공급 홀만이 형성되고, 가스 공급 홀에 연결된 가스 공급 라인이 분기되어 처리 공간(101)의 내부로 공정 가스와 퍼지 가스를 각각 공급할 수도 있다.
마이크로파 인가 유닛(500)은 후술하는 방사 유닛(600)으로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(500)은 마이크로파 발생기(510), 제1도파관(520), 제2도파관(530), 위상 변환기(540), 그리고 매칭 네트워크(550)를 포함할 수 있다.
마이크로파 발생기(510)는 마이크로파를 발생시킨다. 마이크로파 발생기(510)는 후술하는 제1도파관(520)과 연결된다. 일 실시예에 의하면, 마이크로파 발생기(510)는 공정 챔버(100)의 외부에 배치될 수 있다.
제1도파관(520)은 마이크로파 발생기(510)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(510)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(520)을 따라 후술하는 위상 변환기(540)로 전달된다.
제2도파관(530)은 외부 도체(532)와 내부 도체(534)를 포함할 수 있다.
외부 도체(532)는 제1도파관(520)의 끝단에서 수직한 아래 방향으로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(532)의 상단은 제1도파관(520)의 하단에 연결되고, 외부 도체(532)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결될 수 있다.
내부 도체(534)는 외부 도체(532) 내부에 위치한다. 내부 도체(534)는 원기둥 형상의 로드(Rod)로 제공되며, 그 길이 방향이 상하 방향과 평행하게 배치될 수 있다. 내부 도체(534)의 상단은 후술하는 위상 변환기(540)의 하단부에 삽입 고정될 수 있다. 내부 도체(534)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치할 수 있다. 내부 도체(534)의 하단은 후술하는 안테나 판()의 중심에 고정 결합될 수 있다. 내부 도체(534)는 안테나 판()의 상면에 수직하게 배치될 수 있다.
내부 도체(534)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적을 코팅되어 제공될 수 있다. 예컨대, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 이 경우, 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나 판()으로 전파될 수 있다. 후술하는 위상 변환기(540)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(530)을 따라 안테나 판()으로 전달될 수 있다.
위상 변환기(540)는 제1도파관(520)과 제2도파관(530)이 서로 접속되는 지점에 제공될 수 있다. 위상 변환기(540)는 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(540)는 아래가 뾰족한 고깔 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(540)는 제1도파관(520)으로부터 전달된 마이크로파를 모드(Mode)가 변환된 상태로 제2도파관(530)에 전파한다. 위상 변환기(540)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(550)는 제1도파관(520)에 제공될 수 있다. 매칭 네트워크(550)는 제1도파관(520)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정의 주파수로 매칭시킨다.
방사 유닛(600)은 마이크로파 인가 유닛(500)으로부터 발생된 마이크로파를 처리 공간(101)으로 전달한다. 방사 유닛(600)은 안테나 판(620), 지파판(640), 그리고 유전판(660)을 포함할 수 있다.
안테나 판(620)은 마이크로파를 방사할 수 있다. 안테나 판(620)은 후술하는 지파판(640)과 유전판(660)의 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 안테나 판(620)은 지파판(640)의 하부에 배치되고, 유전판(660)의 상부에 배치될 수 있다.
안테나 판(620)은 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 예컨대, 안테나 판(620)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나 판(620)은 몸체(210)에 대향되도록 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 안테나 판(620)의 내부에는 복수 개의 슬롯(622)들이 형성될 수 있다. 슬롯(622)들은 일(一)자 형으로 제공될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 슬롯(622)들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다.
지파판(640)은 안테나 판(620)의 상부에 위치할 수 있다. 지파판(640)은 소정의 두게를 갖는 원판으로 제공될 수 있다. 지파판(640)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 내부 도체(534)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(640)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(640)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며 공진된다. 또한, 지파판(640)은 후술하는 유전판(660)으로부터 반사된 마이크로파를 재반사하여 유전판(660)으로 돌려보낼 수 있다.
유전판(660)은 처리 공간(101)의 상벽으로 기능할 수 있다. 예컨대, 유전판(660)은 안테나 판(620)의 하부에 위치하며, 소정의 두께를 갖는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 유전판(660)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공될 수 있다. 유전판(660)의 저면은 커버(120)의 하단과 동일한 높이에 위치할 수 있다. 유전판(660)의 측부는 그 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차지게 형성될 수 있다. 유전판(660)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓일 수 있다. 유전판(660)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지할 수 있다. 유전판(660)은 유전 물질을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
마이크로파는 유전판(660)을 거쳐 처리 공간(101)으로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의해 처리 공간(101) 내에 공급된 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 플라즈마에 포함되는 이온, 전자, 및/또는 라디칼은 처리 공간(101) 내부에 위치하는 기판(W)에 작용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.
이하에서 설명하는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 장치(10)에서 수행될 수 있다. 또한, 제어기(20)는 이하에서 설명하는 기판 처리 장치를 기판 처리 장치(10)가 수행할 수 있도록, 기판 처리 장치(10)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대한 순서도이다. 도 3은 도 2의 일 실시예에 따른 유지 보수 단계에서 처리 공간의 온도를 개략적으로 보여주는 그래프이다. 도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 각 단계를 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 플라즈마 처리 단계(S10)와 유지 보수 단계(S20)를 포함할 수 있다. 유지 보수 단계(S20)는 교체 단계(S30)와 백업 단계(S40)를 포함할 수 있다. 백업 단계(S40)는 베이크 퍼지 단계(S410), 제1차 퍼지 단계(S430), 그리고 제2차 퍼지 단계(S450)를 포함할 수 있다.
플라즈마 처리 단계(S10)는 기판(W)을 처리할 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 처리 단계(S10)에서는 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 유지 보수 단계(S20)에서는 기판 처리 장치(10)에 포함되는 구성(이하, 부품으로 통칭한다.)에 대해 유지 보수 작업을 수행한다. 교체 단계(S30)는 소모 정도가 심한 부품들에 대한 교체 작업을 수행한다. 백업 단계(S40)는 부품들에 대한 교체 작업이 완료된 이후, 기판 처리 장치(10)가 플라즈마 처리 단계(S10)를 수행하기에 적합한 환경으로 조성하는 작업을 수행한다. 백업 단계(S40)에서는 처리 공간(101)의 내부 환경을 플라즈마 처리 단계(S10)가 수행되는 환경으로 조성할 수 있다. 예컨대, 백업 단계(S40)에서는 공정 챔버(100)의 누설 여부 점검 및/또는 처리 공간(101)의 불순물(B) 제거 여부 점검 등을 수행할 수 있다.
도 4는 도 2의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2와 도 4를 참조하면, 플라즈마 처리 단계(S10)에서 공정 가스 공급 부재(420)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 공정 가스 공급 홀(160)을 통해 처리 공간(101)으로 공정 가스(G1)를 공급한다. 처리 공간(101)으로 공급된 공정 가스(G1)는 마이크로파 인가 유닛(500)과 방사 유닛(600)으로부터 처리 공간(101)으로 방사된 마이크로파의 전계에 의해 플라즈마(P) 상태로 여기될 수 있다. 처리 공간(101)에 형성된 플라즈마(P)는 몸체(210)의 상면에 지지된 기판(W)에 작용함으로써 기판(W)을 처리할 수 있다.
플라즈마 처리 단계(S10)는 기 설정된 횟수로 수행될 수 있다. 플라즈마 처리 단계(S10)는 기 설정된 횟수만큼 기판(W)에 대한 플라즈마(P)의 처리가 수행될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 단계(S10)는 기 설정된 매수의 기판(W)들에 대해 플라즈마(P) 처리를 수행할 수 있다. 플라즈마 처리 단계(S10)에서 기 설정된 매수의 기판(W)들을 처리한 이후에 유지 보수 단계(S20)가 수행될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치(10)에서 처리되는 기 설정된 기판(W)의 매수는 대략 5,000매 이상일 수 있다.
도 2를 참조하면, 교체 단계(S30)는 플라즈마 처리 단계(S10) 이후에 수행된다. 교체 단계(S30)는 상술한 바와 같이, 플라즈마 처리 단계(S10)에서 기 설정된 매수의 기판(W)들을 처리한 이후에 수행될 수 있다.
일 실시예에 따른 교체 단계(S30)는 부품의 교체 작업이 수행된다. 예컨대, 교체 단계(S30)에서는 플라즈마 처리 단계(S10)를 수행하는 동안 플라즈마(P)에 노출되어 손상(예컨대, 마모) 정도가 심한 부품에 대한 교체 작업을 수행한다. 일 실시예에 따른 교체 단계(S30)에서 교체되는 부품은 기판 처리 장치(10)에 포함되는 구성 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 예컨대, 교체 단계(S30)에서 교체되는 부품은 가열 유닛(230), 배기 배플(300), 그리고 방사 유닛(600) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 교체 단계(S30)에서 교체되는 부품이 유전판(660)인 것으로 예를 들어 설명한다.
도 5는 도 2의 일 실시예에 따른 교체 단계가 완료된 이후 교체된 부품의 표면을 확대한 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 교체된 유전판(660)의 표면에는 1 마이크로미터 이하의 깊이를 가지는 미세한 골들이 형성될 수 있다. 이와 같은 미세한 골들은 유전판(660)뿐만 아니라, 기판 처리 장치(10)에서 교체되는 부품들에 모두 형성된 상태로, 기판 처리 장치(10)의 내부에 장착될 수 있다. 부품이 가지는 미세한 골들은 부품의 제작 과정(예컨대, 연마 과정) 등에서 발생될 수 있다. 즉, 교체되는 부품의 표면에는 원시적으로 미세한 골들이 형성된 상태로 기판 처리 장치(10)에 장착될 수 있다.
부품의 표면에 형성된 미세한 골들에는 불순물(Byproduct, B)이 부착될 수 있다. 교체 단계(S30)에서 불순물(B)들은 부품에 포함된 상태로 기판 처리 장치(10)에 장착된다. 일 예에 의하면, 불순물(B)들은 수분(Moisture), 파티클(Particle), 및/또는 가스 부산물(Outgassing)을 포함할 수 있다.
도 6은 도 2의 일 실시예에 따른 베이크 퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 베이크 퍼지 단계(S410)는 고온 및 상압으로 형성된 처리 공간(101)의 퍼지(Purge)를 수행한다. 예컨대, 베이크 퍼지 단계(S410)는 고온 및 상압으로 형성된 처리 공간(101)에 퍼지 가스 공급 부재(440)를 이용하여 퍼지 가스(G2)를 공급하고, 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)를 감압 유닛(150)을 이용하여 처리 공간(101)의 외부로 배기할 수 있다. 베이크 퍼지 단계(S410)는 기 설정된 시간 동안 수행될 수 있다. 예컨대, 베이크 퍼지 단계(S410)는 30분 내지 150분 동안 수행될 수 있다.
베이크 퍼지 단계(S410)는 처리 공간(101)의 온도를 고온으로 형성하여 수행될 수 있다. 예컨대, 베이크 퍼지 단계(S410)에서의 처리 공간(101)의 온도는 제1온도(T1)로 형성될 수 있다. 제1온도(T1)는 섭씨 100도 내지 200도 사이의 온도일 수 있다. 베이크 퍼지 단계(S410)에서 가열 유닛(230)은 제1온도(T1)와 같거나 높은 온도로 발열하여 처리 공간(101)의 온도를 제1온도(T1)로 상승시킨다.
베이크 퍼지 단계(S410)는 처리 공간(101)의 분위기를 상압으로 형성하여 수행될 수 있다. 예컨대, 베이크 퍼지 단계(S410)에서의 처리 공간(101)의 압력은 1 내지 600Torr로 형성될 수 있다. 보다 바람직하게는, 베이크 퍼지 단계(S410)에서의 처리 공간(101)의 압력은 200Torr로 형성될 수 있다. 베이크 퍼지 단계(S410)에서 감압 유닛(150)은 처리 공간(101)의 내부 분위기를 배기하여 처리 공간(101)의 압력을 상압으로 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 퍼지 단계(S410)에 의할 때, 처리 공간(101)의 압력을 상압으로 형성하고, 처리 공간(101)의 온도를 고온으로 형성함으로써, 처리 공간(101) 내부의 기류의 유동성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 교체된 부품의 표면에 형성된 미세골에 부착된 불순물(B)이 미세골로부터 처리 공간(101)으로 이탈되도록 유도할 수 있다. 이에, 처리 공간(101)으로 이탈된 불순물(B)은 처리 공간(101)에 퍼지 가스(G2)를 공급하고 이를 배기하는 과정 중에 처리 공간(101) 내부의 퍼지 가스(G2)의 기류에 편승하여 공정 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다. 이에, 교체 단계(S30)에서 교체된 부품에 포함되는 불순물(B)이 부품으로부터 용이하고 신속하게 제거될 수 있다.
도 7은 도 2의 일 실시예에 따른 제1퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2, 도 3, 그리고 도 7을 참조하면, 제1차 퍼지 단계(S430)는 처리 공간(101)을 퍼지한다. 제1차 퍼지 단계(S430)는 베이크 퍼지 단계(S410)가 완료된 이후에 수행될 수 있다. 제1차 퍼지 단계(S430)는 상온으로 형성된 처리 공간(101)의 퍼지를 수행한다. 예컨대, 제1차 퍼지 단계(S430)에서 가열 유닛(230)은 발열 정도를 조절하여 처리 공간(101)의 온도를 제1온도(T1)에서 제2온도(T2)로 낮출 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제2온도(T2)는 상온일 수 있다. 예컨대, 제2온도(T2)는 섭씨 0도 내지 50도 사이의 온도일 수 있다.
제1차 퍼지 단계(S430)에서는 상온의 처리 공간(101)에 퍼지 가스(G2)를 공급한다. 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)는 감압 유닛(150)에 의해 공정 챔버(100)의 외부로 배출된다. 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)에 의해 공정 챔버(100)에서의 리크(leak) 발생 여부를 검출할 수 있다. 또한, 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)에 의해 처리 공간(101)에 퍼지됨으로 인해, 처리 공간(101)의 내부에 배치된 부품들에 부착된 불순물(B)이 2차적으로 제거될 수 있다.
도 8은 도 2의 일 실시예에 따른 제2퍼지 단계가 수행되는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2, 도 3, 그리고 도 8을 참조하면, 제2차 퍼지 단계(S450)는 처리 공간(101)을 퍼지한다. 제2차 퍼지 단계(S450)는 제1차 퍼지 단계(S430)가 수행된 이후에 수행될 수 있다. 제2차 퍼지 단계(S450)는 고온으로 형성된 처리 공간(101)의 퍼지를 수행한다. 예컨대, 제2차 퍼지 단계(S450)에서 가열 유닛(230)은 발열 정도를 조절하여 처리 공간(101)의 온도를 제2온도(T2)보다 상승시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 제2차 퍼지 단계(S450)에서 처리 공간(101)의 온도는 제1온도(T1)일 수 있다. 선택적으로, 제2차 퍼지 단계(S450)에서 처리 공간(101)의 온도는 제2온도(T2)보다는 높고, 제1온도(T1)보다는 낮은 온도로 형성될 수 있다.
제2차 퍼지 단계(S450)에서는 제1차 퍼지 단계(S430)보다 상대적으로 고온의 처리 공간(101)에 퍼지 가스(G2)를 공급한다. 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)는 감압 유닛(150)에 의해 처리 공간(101)의 외부로 배출된다. 처리 공간(101)에 공급된 퍼지 가스(G2)에 의해 공정 챔버(100)에서의 리크 발생 여부를 검출할 수 있고, 처리 공간(101)의 내부에 배치된 부품들에 부착된 불순물(B)을 최종적으로 제거할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이크 퍼지 단계(S410)를 수행하는 동안, 처리 공간(101)을 상압과 고온의 분위기로 형성하여 처리 공간(101)의 내부 기류의 유동성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 교체 단계(S30)에서 교체된 부품들에 원시적으로 포함되는 불순물(B)들을 처리 공간(101)으로 이탈되도록 유도함으로써, 부품들에 원시적으로 포함되는 불순물(B)들을 기판 처리 장치(10)로부터 원활히 제거할 수 있다. 이에, 청정 상태의 처리 공간(101)이 조성되어 기판(W)을 플라즈마 처리할 때 기판(W)의 표면에 간섭되는 불순물이 제거되므로 기판(W)의 불량률이 감소하는 효과를 실현할 수 있다.
또한, 후속 퍼지 단계(S430, S450)를 수행하기에 앞서 부품들에 포함되는 불순물(B)을 기판 처리 장치(10)로부터 선제적으로 제거할 수 있으므로, 후속 퍼지 단계(S430, S450)에서의 공정 환경 조성에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 이에, 기판(W)을 처리하기 위해 필수적으로 수반되는 유지 보수 단계(S20)에 소요되는 시간을 단축시켜 기판(W)의 처리 효율성을 향상시킬 수 있다.
또한, 교체된 유전판(660) 등의 부품들의 표면으로부터 불순물이 제거되어 처리 공간(101)의 내부에 마이크로파의 전계가 균일하게 형성될 수 있다. 이에, 기판(W)에 작용하는 플라즈마의 밀도도 균일하게 형성되므로, 기판(W) 처리의 수율이 향상될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 기판 처리 장치
20 : 제어기
100 : 공정 챔버
200 : 지지 유닛
230 : 가열 유닛
400 : 가스 공급 유닛
500 : 마이크로파 인가 유닛
600 : 방사 유닛
S10 : 플라즈마 처리 단계
S20 : 유지 보수 단계
S30 : 교체 단계
S40 : 백업 단계
S410 : 베이크 퍼지 단계
S430 : 제1차 퍼지 단계
S450 : 제2차 퍼지 단계
G1 : 공정 가스
G2 : 퍼지 가스

Claims (12)

  1. 마이크로파를 인가하여 처리 공간에 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판을 상기 플라즈마로 처리하는 플라즈마 처리 단계;
    상기 플라즈마 처리 단계가 기 설정 횟수로 진행되고, 상기 장치에 포함되는 부품을 교체하는 교체 단계; 및
    상기 교체 단계 이후에 상기 장치를 백업하는 단계를 포함하되,
    상기 백업 단계는,
    상기 부품에 존재하는 불순물을 제거하기 위한 베이크 퍼지 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이크 퍼지 단계는,
    상기 처리 공간의 분위기를 상압으로 형성하고, 상기 처리 공간의 온도를 섭씨 100도 내지 200도로 형성하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 베이크 퍼지 단계는,
    상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 백업 단계는,
    상기 처리 공간의 퍼지를 수행하는 제1차 퍼지 단계; 및
    상기 제1차 퍼지 단계 이후에 상기 처리 공간의 2차 퍼지를 수행하는 제2차 퍼지 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 베이크 퍼지 단계는 상기 제1차 퍼지 단계보다 선행적으로 수행되는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1차 퍼지 단계는,
    상온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 1차 퍼지하고,
    상기 제2차 퍼지 단계는,
    상기 처리 공간의 온도를 상승시켜 고온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 2차 퍼지하는 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 불순물은,
    상기 부품에 포함된 수분 및/또는 상기 부품에 부착된 파티클을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리 장치에 포함되는 부품을 교체하고 상기 장치를 백업하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 장치의 백업은,
    상기 부품에 포함된 수분 및/또는 상기 부품에 부착된 파티클을 포함하는 불순물을 제거하기 위한 베이크 퍼지 단계를 포함하고,
    상기 베이크 퍼지 단계는,
    기판을 처리하는 처리 공간을 고온으로 형성하고, 고온의 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간을 퍼지하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 장치의 백업은,
    상온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 1차 퍼지하는 제1차 퍼지 단계를 더 포함하되,
    상기 제1차 퍼지 단계는 상기 베이크 퍼지 단계 이후에 수행되는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 장치의 백업은,
    상기 제1차 퍼지 단계 이후에, 상기 처리 공간의 온도를 상승시켜 고온으로 형성된 상기 처리 공간으로 퍼지 가스를 공급하여 상기 처리 공간의 리크를 확인하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 퍼지 가스를 배기하여 상기 처리 공간을 2차 퍼지하는 제2차 퍼지 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 베이크 퍼지 단계에서 상기 처리 공간의 압력은 상압으로 형성되고,
    상기 베이크 퍼지 단계에서 상기 처리 공간의 온도는 섭씨 100도 내지 200도로 형성되는 기판 처리 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 장치는,
    마이크로파를 인가하여 상기 처리 공간에 플라즈마를 생성하여 기판을 처리하는 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020220040762A 2021-12-24 2022-03-31 기판 처리 방법 KR20230097959A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/065,128 US20230207290A1 (en) 2021-12-24 2022-12-13 Method of treating substrate
CN202211664785.3A CN116344312A (zh) 2021-12-24 2022-12-23 处理基板方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210186761 2021-12-24
KR20210186761 2021-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230097959A true KR20230097959A (ko) 2023-07-03

Family

ID=87157638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220040762A KR20230097959A (ko) 2021-12-24 2022-03-31 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230097959A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102569911B1 (ko) 포커스 링 및 기판 처리 장치
KR101720670B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체
JP2018186179A (ja) 基板処理装置及び基板取り外し方法
JP2001077088A (ja) プラズマ処理装置
JP2008211099A (ja) プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
JP5461759B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
US8715782B2 (en) Surface processing method
US10553409B2 (en) Method of cleaning plasma processing apparatus
JP2017010993A (ja) プラズマ処理方法
JP2017045849A (ja) シーズニング方法およびエッチング方法
KR102538188B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 세정 방법
TWI831956B (zh) 清潔處理方法及電漿處理裝置
JP7390434B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10672622B2 (en) Etching method and etching apparatus
US20230207290A1 (en) Method of treating substrate
KR20230097959A (ko) 기판 처리 방법
US7569478B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium
JP2020077654A (ja) 載置台及び基板処理装置
JP2019009305A (ja) プラズマ処理装置
JP5638682B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
TW201635330A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之構件之交換判斷方法
JP4885585B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
JP2016058536A (ja) プラズマ処理装置及びクリーニング方法
US20220270862A1 (en) Substrate support, plasma processing system, and plasma etching method
KR101873804B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal