CN116344312A - 处理基板方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。

Description

处理基板方法

技术领域

本发明涉及基板处理方法，并且更特别地涉及通过使用等离子体来处理基板的方法。

背景技术

等离子体由非常高的温度、强电场或高频电磁场(RF电磁场)产生，并且等离子体是指由离子、电子、自由基等组成的电离气体状态。在半导体装置制造过程中，使用等离子体执行各种过程。例如，蚀刻过程通过使等离子体中包含的自由基和离子颗粒与基板碰撞来执行。

在通过产生微波来产生等离子体的基板处理设备的情况下，在基板处理设备中包括的部件的耐久性在过程期间降低。因此，在执行基板的等离子体处理预定次数之后，维护工作、诸如更换部件被定期地执行。当部件的耐久性达到临界点并更换部件时，包含原始存在的副产物的所更换部件安置在基板处理设备内侧。当在所更换部件的表面上包括副产物(例如，水分和/或颗粒)的状态下对基板执行等离子体处理时，在其中执行基板处理的处理空间内侧的污染水平增加，从而导致基板处理缺陷。此外，副产物粘附到基板的表面，从而阻止对基板进行有效等离子体处理。

此外，当使用执行吹扫操作以移除在部件表面中包括的副产物的方法时，存在维护所需的时间变长的问题。当维护工作长时，它导致基板的处理效率降低的问题。此外，难以通过简单地执行吹扫操作来容易地移除粘附到部件表面上的微小凹处的副产物。

发明内容

本发明致力于提供一种能够有效地执行基板处理设备的维护工作的基板处理方法。

本发明还致力于提供一种能够快速地执行基板处理设备的维护工作的基板处理方法。

本发明还致力于提供一种能够在更换基板处理设备中包括的部件之后有效地移除在部件表面中包括的副产物的基板处理方法。

本发明的目的不限于此，并且本领域的普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。

本发明的示例性实施方案提供一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。

根据示例性实施例，在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的气氛可以形成为大气压，并且所述处理空间的温度形成为100摄氏度至200摄氏度。

根据示例性实施例，在所述烘烤吹扫操作中，可以将吹扫气体供应到所述处理空间。

根据示例性实施例，所述后备操作可以包括：吹扫所述处理空间的一次吹扫操作；以及在所述一次吹扫操作之后，对所述处理空间执行二次吹扫的二次吹扫操作。

根据示例性实施例，所述烘烤吹扫操作可以在所述一次吹扫操作之前执行。

根据示例性实施例，在所述一次吹扫操作中，可以将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，并且将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且在所述二次吹扫操作中，通过增加所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，并且将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。

根据示例性实施例，副产物可以包括在部件中包含的水分和/或附着到部件的颗粒。

本发明的另一个示例性实施例提供一种更换基板处理设备中包括的部件并且后备所述基板处理设备的基板处理方法，其中所述基板处理设备的后备包括用于移除包括在所述部件中包含的水分和/或附着到所述部件的颗粒的副产物的烘烤吹扫操作，并且所述烘烤吹扫操作包括形成用于在高温度下处理基板的处理空间，以及通过在高温度下将吹扫气体供应到所述处理空间来吹扫所述处理空间。

根据示例性实施例，所述基板处理设备的所述后备还可以包括一次吹扫操作，所述一次吹扫操作将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且所述一次吹扫操作可以在所述烘烤吹扫操作之后执行。

根据示例性实施例，所述基板处理设备的所述后备还可以包括二次吹扫操作，所述二次吹扫操作通过升高所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。

根据示例性实施例，在烘烤吹扫操作中，所述处理空间中的压力可以形成为大气压，并且在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的温度可以形成为100摄氏度至200摄氏度。

根据示例性实施例，所述基板处理设备可以是用于通过施加微波以在所述处理空间中产生等离子体来处理基板的设备。

根据本发明的示例性实施例，可以有效地执行基板处理设备的维护工作。

此外，根据本发明的示例性实施例，可以快速执行所述基板处理设备的维护工作。

此外，根据本发明的示例性实施例，可以在更换基板处理设备中包括的部件之后有效地移除在部件表面中包括的副产物。

本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员从本说明书和附图中可以清楚地理解未提及的效果。

附图说明

图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的图解。

图2是根据本发明的示例性实施例的基板处理方法的流程图。

图3是示意性地示出根据图2的示例性实施方案的在维护操作中处理空间的温度的图。

图4是其中根据图2的示例性实施例执行等离子体处理操作的基板处理设备的示意性图解。

图5是示意性地示出在根据图2的示例性实施例完成更换操作之后所更换部件的表面的放大图。

图6是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行烘烤吹扫操作的基板处理设备的图解。

图7是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行一次吹扫操作的基板处理设备的图解。

图8是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行二次吹扫操作的基板处理设备的图解。

具体实施方式

在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施例。可以各种形式修改本发明的示例性实施例，并且本发明的范围不应被解释为由下面描述的示例性实施例限制。将提供本示例性实施例以向本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。

诸如第一和第二的术语用于描述各种组成元件，但是所述组成元件不受术语的限制。术语仅仅是用于将一个组成元件与另一个组成元件进行区分。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组成元件可以称为第二组成元件，并且类似地，第二组成元件可以称为第一组成元件。

在下文中，将参考图1至图8详细地描述本发明的示例性实施例。

图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的图解。在下文中，参考图1，将详细地描述基板处理设备，其中执行根据本发明的示例性实施例的基板处理方法。

基板处理设备10处理基板W。根据示例性实施例的基板处理设备10可以通过使用等离子体来处理基板W。例如，基板处理设备1可以执行用于通过使用等离子体来移除基板W上的薄膜的蚀刻过程、用于移除光致抗蚀剂膜的灰化过程、用于在基板W上形成薄膜的沉积过程、或干洗过程。任选地，基板处理设备10可以通过使用氢等离子体对基板W执行退火过程。然而，本发明不限于此，并且在基板处理设备10中执行的等离子体处理过程可以被各种修改为已知的等离子体处理过程。装载在基板处理设备10中的基板W可以是已对其执行处理过程的一部分的基板W。例如，装载在基板处理设备10中的基板W可以是已先前对其执行蚀刻过程或光学过程的基板W。

另外，在基板处理设备10中，可以在对基板W执行等离子体处理预定次数之后执行维护过程。例如，基板处理设备10可以在处理预定数量的基板W之后执行维护过程。稍后将给出其的详细描述。

参考图1，基板处理设备10可以包括控制器20、过程腔室100、支撑单元200、排放挡板300、气体供应单元400、微波施加单元500和辐射单元600。

另外，控制器20可以包括由执行对基板处理设备10的控制的微处理器(计算机)形成的过程控制器、由操作员通过其执行命令输入操纵等以用于管理基板处理设备10的键盘形成的用户接口、用于可视化并显示基板处理设备10的操作状况等的显示器以及在其中存储用于在过程控制器的控制下执行在基板处理设备10中执行的处置的控制程序或用于根据处置条件在每个配置上执行处置的各种数据和程序(即，处置方案)的存储单元。此外，用户接口和存储单元可以连接到过程控制器。处置方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘，并且也可以是便携式盘，诸如CD-ROM或DVD，或者半导体存储器，诸如闪存。

控制器20可以控制基板处理设备10以便执行下面描述的基板处理方法。例如，控制器20可以控制设置在基板处理设备10中的部件以便执行下面描述的基板处理方法。

在过程腔室100中具有处理空间101。处理空间101设置为在其中执行基板W的处理的空间。处理空间101可以用作当执行稍后将描述的等离子体处理操作S10时在其中供应过程气体G1并且形成等离子体的空间。此外，处理空间101可以用作当执行维护操作S20时向其供应吹扫气体G2的吹扫空间。

过程腔室100可以包括主体110和盖120。主体110可以具有开放的上表面和内部空间。例如，主体110可以具有内空间和具有开放上表面的圆柱形形状。盖120可以放置在主体110的顶部上。盖120可以密封主体110的开放上表面。例如，盖120可以设置为具有开放下表面的圆柱形形状。盖120的内侧和下端可以是阶梯式的，使得上空间与下空间相比具有更大半径。主体110和盖120可以彼此组合以限定过程腔室100。此外，由于主体110和盖120彼此组合，因此主体110的内空间可以用作上述处理空间101。

可以在过程腔室100的一个侧壁中形成开口(未示出)。开口(未示出)用作基板W从处理空间101取出或装载在处理空间101中所通过的通道。开口(未示出)可以由门(未示出)选择性地打开/关闭。例如，可以在主体110的一个侧壁上形成开口(未示出)。过程腔室100的内壁可以被涂覆。例如，过程腔室100的内壁可以涂覆有包括石英的材料。

在过程腔室100的底表面上形成排放孔130。例如，可以在主体110的底表面上形成排放孔130。排放孔130连接到排放管线140。排放管线140将在处理空间101内侧流动的副产物排放到处理空间101的外侧。例如，副产物可以包括水分、过程气体和/或颗粒。

排放管线140的一端连接到排放孔130，并且排放管线140的另一端连接到解压缩单元150。解压缩单元150向处理空间101提供负电压。减压单元150可以是泵。然而，本发明不限于此，并且解压缩单元150可以被各种修改和提供为提供负电压的已知装置。由于通过排放孔130和排放管线140进行排放，因此在等离子体处理操作S10中过程腔室100的内侧可以保持在低于大气压的压力下。

支撑单元200位于处理空间101内侧。支撑单元200在处理空间101内支撑基板W。例如，支撑单元200可以是能够通过使用静电力夹紧基板W的ESC。任选地，支撑单元200可以通过机械夹持来物理支撑基板W。任选地，支撑单元200并未提供用于固定基板W的装置，而基板W可以放置在支撑单元200上。

支撑单元200可以包括主体210、支撑轴220和加热单元230。主体210支撑基板W。主体210的上表面设置为用于支撑基板W的支撑表面。基板W位于主体210的上表面上。根据一个示例，主体210可以设置有介电质。主体210可以设置为具有基本上盘形状的介电板。主体210的上表面的直径可以设置为相对大于基板W的直径。

可以在主体210内侧形成作为供升降销(未示出)移动通过的通道的销孔(未示出)。可以在主体210内侧并且延伸至主体210的上端形成多个销孔(未示出)。升降销(未示出)以对应于销孔(未示出)数量的数量设置，并且在沿着销孔(未示出)的纵向方向的竖直方向上移动，并且将基板W装载到主体210或将放置在主体210上的基板W取出。

支撑轴220支撑主体210。支撑轴220在主体210的下部分处联接到主体210。支撑轴220可以联接到过程腔室100。例如，支撑轴220可以联接到主体110的底表面。

加热单元230设置在主体210内侧。加热单元230加热基板W。加热单元230加热支撑在主体210的上表面上的基板W。加热单元230通过增加主体210的温度来加热基板W。例如，加热单元230可以设置为加热元件，所述加热元件通过抵抗从外部施加的电源流动的电流来产生热量。加热单元230可以是加热元件，诸如钨。然而，加热单元230的类型不限于此，并且可以进行各种修改并设置为已知的加热元件。

由加热单元230产生的热量通过主体210传递到基板W。基板W可以通过加热单元230产生的热量保持在过程所需的设定温度下。此外，加热单元230可以增加主体210的温度以便防止在处理基板W时从基板W分离的副产物(例如，各种氧化膜)重新附着到基板W。

尽管没有说明，但根据示例，加热单元230可以设置有多个螺旋线圈。加热单元230可以分别设置在主体210的不同区域中。例如，可以分别提供加热包括主体210中心的区域的加热单元230和加热围绕包括主体210中心的区域的区域(例如，主体210的边缘区域)的加热单元230，并且加热单元230的加热水平可以彼此独立地控制。

此外，当执行稍后将描述的维护操作S20时，加热单元230可以调整处理空间101的温度。当执行维护操作S20时，由于维护操作S20在基板W不存在于主体210上的状态下执行，因此由加热单元230产生的热量可以经由主体210传递到处理空间101。

排放挡板300将处理空间101内侧的气流均匀地排放到排放管线140。例如，排放挡板300将在稍后将描述的等离子体处理操作S10中在处理空间101中针对每个区域产生的等离子体均匀地排放。此外，排放挡板300诱导在稍后将描述的维护操作S20中在所更换部件中包括的副产物容易地排放到排放管线140。

从顶部观看时，排放挡板300具有环形状。排放挡板300位于过程腔室100的内壁与处理空间101中的支撑单元200之间。例如，排放挡板300可以定位在主体110的内壁与主体210的外表面之间。在排放挡板300中形成多个排放孔310。排放孔310设置为从排放挡板300的上端延伸到下端的通孔。排放孔310可以布置成沿着排放挡板300的圆周方向彼此间隔开。

气体供应单元400将气体供应到处理空间101中。气体供应单元400可以包括过程气体供应构件420和吹扫气体供应构件440。

过程气体供应构件420将过程气体G1供应到处理空间101中。过程气体供应构件420可以通过在过程腔室100的侧壁上形成的过程气体供应孔160将过程气体G1供应到过程空间101中。根据示例，过程气体G1可以包括氟气或氢气。例如，过程气体G1可以是三氟化氮(NF₃)或氨气(NH₃)。

吹扫气体供应构件440将吹扫气体G2供应到处理空间101中。吹扫气体供应构件440可以通过在过程腔室100的侧壁上形成的吹扫气体供应孔170将吹扫气体G2供应到处理空间101。根据示例，吹扫气体G2可以包括氩气(Ar)。

与以上示例不同，在过程腔室100的侧壁上仅形成一个气体供应孔，并且连接到气体供应孔的气体供应管线可以被分支以将过程气体和吹扫气体的每一种供应到处理空间101中。

微波施加单元500向稍后将描述的辐射单元600施加微波。微波施加单元500可以包括微波发生器510、第一波导520、第二波导530、移相器540和匹配网络550。

微波发生器510产生微波。微波发生器510连接到稍后将描述的第一波导520。根据示例性实施例，微波发生器510可以设置在过程腔室100外侧。

第一波导520连接到微波发生器510，并且其中形成有通道。由微波发生器510产生的微波沿着第一波导520传递到稍后将描述的相转换器540。

第二波导530可以包括外导体532和内导体534。

外导体532从第一波导520的远端在竖直向下方向上延伸，并且其中形成有通道。外导体532的上端可以连接到第一波导520的下端，并且外导体532的下端可以连接到盖120的上端。

内导体534位于外导体532的内侧。内导体534设置为圆柱形杆，并且其纵向方向可以与竖直方向平行。内导体534的上端可以插入并固定到稍后将描述的相移器540的下端。内导体534在向下方向上延伸，使得其下端可以位于过程腔室100的内侧。内导体534的下端可以固定地联接到稍后将描述的天线板620的中心。内导体534可以设置成垂直于天线板620的上表面。

内导体534可以通过在由铜制成的杆上顺序地涂覆第一电镀膜和第二电镀膜来提供。例如，第一电镀层可以由镍(Ni)材料制成。例如，第二电镀层可以由金(Au)材料制成。在这种情况下，微波可以主要通过第一电镀膜传播到天线板620。通过以下描述的相移器540相移的微波可以沿着第二波导530传递到天线板620。

相移器540可以设置在第一波导520和第二波导530彼此连接的点处。相移器540改变微波炉的相位。相移器540可以设置为具有尖的底部的锥形状。相移器540在模式转换状态下传播从第一波导520传输到第二波导530的微波。相移器540可以将微波从TE模式转换为TEM模式。

可以向第一波导520提供匹配网络550。匹配网络550将通过第一波导520传播的微波匹配到预定频率。

辐射单元600将从微波施加单元500产生的微波传递到处理空间101。辐射单元600可以包括天线板620、慢波板640和介电板660。

天线板620可以发出微波。天线板620可以设置在稍后将描述的慢波板640与介电板660之间。例如，天线板620可以设置在慢波板640下方和介电板660上方。

天线板620可以设置为板形状。例如，天线板620可以设置为具有薄厚度的圆形板。天线板620设置在支撑单元200上方以面对主体210。在天线板620内侧可以形成多个狭槽622。狭槽622可以设置为单个(一)形状，但不限于此，并且狭槽622的形状和布置可以各种改变。

慢波板640可以定位在天线板620上方。慢波板640可以设置为具有预定厚度的盘。慢波板640可以具有对应于盖120的内侧的半径。通过内导体534在竖直方向上传播的微波在慢波板640的径向方向上传播。传播到慢波板640的微波的波长被压缩和谐振。此外，慢波板640可以重新反射从介电板660反射的微波，并且将所反射微波返回到介电板660。

介电板660可以用作处理空间101的上壁。例如，介电板660位于天线板620下方，并且可以设置为具有预定厚度的盘形状。介电板660的底表面可以设置为向内凹入的凹表面。介电板660的下表面可以位于与盖120的下端相同的高度处。介电板660的侧部分可以形成为阶梯式的，使得其上端与下端相比具有更大半径。介电板660的上端可以放置在盖120的阶梯式下端上。介电板660的下端与盖120的下端相比具有更小半径，并且可以与盖120的下端保持预定距离。介电板660可以由包含介电材料的材料制成。

微波经由介电板660辐射到处理空间101中。供应到处理空间101中的过程气体可以由所辐射微波的电场激发为等离子体状态。在等离子体中包括的离子、电子和/或自由基可以作用于定位在处理空间101内侧的基板W上，以处理基板W。

下述根据本发明的示例性实施例的基板处理方法可以在上述基板处理设备10中执行。此外，控制器20可以控制基板处理设备10的配置，使得基板处理设备10可以执行下述基板处理方法。

图2是根据本发明的示例性实施例的基板处理方法的流程图。图3是示意性地示出根据图2的示例性实施方案的在维护操作中处理空间的温度的图。图4至图8是顺序地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理方法的每个操作的图解。

参考图2，根据本发明的示例性实施例的基板处理方法可以包括等离子体处理操作S10和维护操作S20。维护操作S20可以包括更换操作S30和后备操作S40。后备操作S40可以包括烘烤吹扫操作S410、一次吹扫操作S430和二次吹扫操作S450。

在等离子体处理操作S10中，可以处理基板W。根据示例，在等离子体处理操作S10中，可以通过使用等离子体P来处理基板W。在维护操作S20中，维护操作针对基板处理设备10中包括的配置(在下文中统称为部件)执行。在更换操作S30中，针对严重损坏的部件执行更换操作。在后备操作S40中，在部件更换工作完成之后，基板处理设备10执行创建适于执行等离子体处理操作S10的环境的任务。在后备操作S40中，处理空间101的内部环境可以被创建为在其中执行等离子体处理操作S10的环境。例如，在后备操作S40中，可以检查过程腔室100是否泄漏和/或处理空间101中的副产物B是否被移除。

图4是在其中根据图2的示例性实施例执行等离子体处理操作的基板处理设备的示意性图解。参考图2和图4，在等离子体处理操作S10中，过程气体供应构件420通过在过程腔室100的侧壁上形成的过程气体供应孔160将过程气体G1供应到过程空间101中。供应到处理空间101的过程气体G1可以由从微波施加单元500和辐射单元600辐射到处理空间101中的微波的电场激发为等离子体P状态。在处理空间101中形成的等离子体P可以通过作用于支撑在主体210的上表面上的基板W来处理基板W。

等离子体处理操作S10可以执行预定次数。在等离子体处理操作S10中，可以用等离子体P处理基板W预定次数。例如，在等离子体处理操作S10中，等离子体P处理可以对预定数量的基板W执行。在等离子体处理操作S10中处理预定数量的基板W之后，可以执行维护操作S20。根据示例性实施例，待在基板处理设备10中处理的预定数量的基板W可以为大约5,000个或更多。

参考图2，更换操作S30在等离子体处理操作S10之后执行。如上所述，可以在等离子体处理操作S10中处理预定数量的基板W后进行更换操作S30。

在根据示例性实施例的更换操作S30中，执行部件更换工作。例如，在更换操作S30中，对在等离子体处理操作S10期间暴露于等离子体P并且严重损坏(例如，磨损)的部件执行更换工作。在根据示例性实施例的更换操作S30中，所更换部件可以是在基板处理设备10中包括的部件中的至少一个。例如，在更换操作S30中待更换的部件可以是加热单元230、排放挡板300和辐射单元600中的至少一者。在下文中，为了便于描述，将在更换操作S30中待更换的部件是介电板660的情况作为示例描述。

图5是示意性地示出在根据图2的示例性实施例完成更换操作之后所更换部件的表面的放大图。参考图5，可以在所更换介电板660的表面上形成具有1微米或更小深度的细微凹处。此类微小凹处可以在微小凹处不仅形成于介电板660上，而且形成于基板处理设备10中待更换的部件上的状态下安置在基板处理设备10的内侧。部件的微小凹处可以在部件的制造过程(例如，抛光过程)期间产生。即，待更换的部件可以微小凹处原始形成于待更换的部件的表面上的状态下安置在基板处理设备10上。

副产物B可以附着到形成于部件表面上的微小凹处。在更换操作S30中，副产物B以被包括在部件中的状态下安置在基板处理设备10上。根据一个示例，副产物B可以包括水分、颗粒和/或渗气。

图6是示出其中根据图2的示例性实施例执行烘烤吹扫操作的基板处理设备的示意性图解。参考图2、图3和图6，在根据示例性实施例的烘烤吹扫操作S410中，吹扫在高温度和大气压下形成的处理空间101。例如，在烘烤吹扫操作S410中，可以通过使用吹扫气体供应构件440来将吹扫气体G2供应到在高温度和大气压下形成的处理空间101中，并且可以通过使用解压缩单元150来将供应到处理空间101中的吹扫气体G2排放到处理空间101的外侧。烘烤吹扫操作S410可以执行达预设时间。例如，烘烤吹扫操作S410可以执行达30分钟至150分钟。

烘烤吹扫操作S410可以通过将处理空间101的温度设定到高温度来执行。例如，在烘烤吹扫操作S410中处理空间101的温度可以设定到第一温度T1。第一温度T1可以是介于100与200摄氏度之间的温度。在烘烤吹扫操作S410中，加热单元230产生等于或高于第一温度T1的温度的热量，以将处理空间101的温度升高到第一温度T1。

烘烤吹扫操作S410可以通过在大气压下形成处理空间101的气氛来执行。例如，在烘烤吹扫操作S410中烘烤空间101的压力可以形成为1至600托。更优选地，在烘烤吹扫操作S410中烘烤空间101的压力可以设定为200托。在烘烤吹扫操作S410中，解压缩单元150可以排放处理空间101的内部气氛，以将处理空间101中的压力设定到大气压。

在根据本发明的示例性实施例的烘烤吹扫操作S410中，可以通过将处理空间101的压力形成为大气压并且将处理空间101的温度形成为高温度来改进处理空间101的内部气流的流动性。因此，附着到在所更换部件的表面上形成的微小凹处的副产物B可以被诱导从微小凹处分离到处理空间101中。因此，分离到处理空间101中的副产物B在将吹扫气体G2供应到处理空间101以及将待排出的吹扫气体G2排放到过程腔室100外侧的过程期间搭载于处理空间101内侧的吹扫气体G2的气流上。因此，在更换操作S30中进行更换的部件中包括的副产物B可以容易且快速地从部件移除。

图7是示意性地示出其中根据图2的示例性实施例执行一次吹扫操作的基板处理设备的图解。参考图2、图3和图7，一次吹扫操作S430吹扫处理空间101。可以在完成烘烤吹扫操作S410之后执行一次吹扫操作S430。在一次吹扫操作S430中，吹扫在室温下形成的处理空间101。例如，在一次吹扫操作S430中，加热单元230可以通过调整热量产生水平来将处理空间101的温度从第一温度T1下降到第二温度T2。根据示例性实施例，第二温度T2可以是室温。例如，第二温度T2可以是介于0与50摄氏度之间的温度。

在一次吹扫操作S430中，在室温下将吹扫气体G2供应到处理空间101。供应到处理空间101的吹扫气体G2由解压缩单元150排出到过程腔室100的外侧。在过程腔室100中是否发生泄漏可以通过供应到处理空间101的吹扫气体G2来检测。此外，由于处理空间101由供应到处理空间101中的吹扫气体G2吹扫，因此附着到设置在处理空间101内侧的部件的副产物B被二次移除。

图8是示意性地示出在其中根据图2的示例性实施例执行二次吹扫操作的基板处理设备的图解。参考图2、图3和图8，在二次吹扫操作S450中，吹扫处理空间101。可以在执行一次吹扫操作S430之后执行二次吹扫操作S450。在二次吹扫操作S450中，吹扫在高温度下形成的处理空间101。例如，在二次吹扫操作S450中，加热单元230可以通过调整热量产生水平来将处理空间101的温度增加到高于第二温度T2的温度。根据示例，在二次吹扫操作S450中，处理空间101的温度可以是第一温度T1。任选地，在二次吹扫操作S450中，处理空间101的温度可以高于第二温度T2且低于第一温度T1。

在二次吹扫操作S450中，将吹扫气体G2供应到与在一次吹扫操作S430中相比具有相对更高温度的处理空间101。供应到处理空间101的吹扫气体G2由解压缩单元150排出到处理空间101的外侧。在过程腔室100中是否发生泄露可以由供应到过程空间101的吹扫气体G2检测，并且附着到设置在处理空间101内侧的部件的副产物B可以最终被移除。

根据本发明的上述示例性实施例，可以通过在执行烘烤吹扫操作S410时形成具有大气压和高温度气氛的处理空间101来改进处理空间101内侧气流的流动性。因此，通过诱导原始包括于在更换操作S30中更换的部件中的副产物B分离到处理空间101中，可以将原始包括于部件中的副产物B从基板处理设备10顺利地移除。因此，由于形成干净状态下的处理空间101并且当用等离子体处理基板W时干扰基板W的表面的副产物被移除，因此可以实现降低基板W的缺陷率的效果。

此外，由于在部件中包括的副产物B可以在执行随后的吹扫操作S430和S450之前从基板处理设备10事先被移除，因此可以缩短在随后的吹扫操作S430和S450中创建过程环境所需的时间。因此，可以通过缩短在处理基板W中必然涉及的维护操作S20所需的时间来改进基板W的处理效率。

此外，可以将副产物从部件(诸如所更换的介电板660)的表面移除，使得微波的电场可以在处理空间101的内侧均匀地形成。因此，由于作用在基板W上的等离子体的密度均匀地形成，因此可以改进处理基板W的产率。

前述详细描述示出了本发明。此外，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施例，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。也就是说，在本说明书所公开的发明构思的范围、与本公开等同的范围和/或本领域技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施例描述了用于实现本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的特定应用领域和用途所需要的各种变化都是可能的。因此，以上本发明的详细描述并不旨在将本发明限于所公开的示例性实施例。此外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施例。

Claims (12)

1.一种通过使用基板处理设备处理基板的方法，所述基板处理设备通过施加微波来在处理空间中产生等离子体，所述方法包括：

等离子体处理操作，其中用所述等离子体处理基板；

更换操作，其中以预设次数执行所述等离子体处理操作并且更换所述基板处理设备中包括的部件；以及

后备操作，其中在所述更换操作之后后备所述基板处理设备，

其中所述后备操作包括用于移除在所述部件中存在的副产物的烘烤吹扫操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的气氛形成为大气压，并且所述处理空间的温度形成为100摄氏度至200摄氏度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述烘烤吹扫操作中，将吹扫气体供应到所述处理空间中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述后备操作包括：

吹扫所述处理空间的一次吹扫操作；以及

在所述一次吹扫操作之后，对所述处理空间执行二次吹扫的二次吹扫操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烘烤吹扫操作在所述一次吹扫操作之前执行。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述一次吹扫操作中，将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间中的泄漏，并且将供应到所述处理空间中的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且

在所述二次吹扫操作中，通过增加所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间中的泄漏，并且将供应到所述处理空间中的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述副产物包括在所述部件中包含的水分和/或附着到所述部件的颗粒。

8.一种更换基板处理设备中包括的部件并且后备所述基板处理设备的基板处理方法，

其中所述基板处理设备的所述后备包括用于移除包括在所述部件中包含的水分和/或附着到所述部件的颗粒的副产物的烘烤吹扫操作，并且

所述烘烤吹扫操作包括形成用于在高温度下处理基板的处理空间，以及通过在高温度下将吹扫气体供应到所述处理空间来吹扫所述处理空间。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中所述基板处理设备的所述后备还包括一次吹扫操作，所述一次吹扫操作将吹扫气体供应到在室温下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间中的所述吹扫气体排放以一次吹扫所述处理空间，并且

所述一次吹扫操作在所述烘烤吹扫操作之后执行。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中所述基板处理设备的所述后备还包括二次吹扫操作，所述二次吹扫操作通过升高所述处理空间的温度来将吹扫气体供应到在高温度下形成的所述处理空间以检查所述处理空间的泄漏，以及将供应到所述处理空间的所述吹扫气体排放以二次吹扫所述处理空间。

11.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间中的压力形成为大气压，并且

在所述烘烤吹扫操作中，所述处理空间的温度形成为100摄氏度至200摄氏度。

12.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中所述基板处理设备是用于通过施加微波以在所述处理空间中产生等离子体来处理基板的设备。

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