JP2023012321A - 部品の予熱処理方法、および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ステージに配置される部品を適切に予熱して、基板に対する処理の均一性を高めることができる技術を提供する。【解決手段】部品の予熱処理方法は、基板処理装置の基板を載置するステージに対して接触可能かつ相対移動可能な部品を予熱する。部品の予熱処理方法は、ステージに対して非接触となる予熱位置に部品を位置決めして、ステージからの放射熱により部品を予熱する工程と、部品を予熱する工程で予熱した部品をステージに接触させる工程と、を有する。これによって、部品を適切に予熱して、基板に対する処理の均一性を高めることができる。【選択図】図３

Description

本開示は、部品の予熱処理方法、および基板処理装置に関する。
特許文献１には、基板受台（ステージ）に基板を載置する前に、ステージから浮いた状態で基板の上下面を加熱することで、基板の熱歪みによる変形を抑制する基板加熱装置（基板処理装置）が開示されている。
また、基板処理装置の一つである成膜装置は、基板の周縁の成膜を抑制するために、当該基板の周縁に枠状の部品（枠部材）を配置する場合がある。枠部材は、ステージに対して相対移動可能に設けられ、基板処理時に、ステージに接触して基板の周縁を覆う。
特開平５―１６００４６号公報
本開示は、ステージに配置される部品を適切に予熱して、基板に対する処理の均一性を高めることができる技術を提供する。
本開示の一態様によれば、基板処理装置の基板を載置するステージに対して接触可能かつ相対移動可能な部品の予熱処理方法であって、前記ステージに対して非接触となる予熱位置に前記部品を位置決めして、前記ステージからの放射熱により前記部品を予熱する工程と、前記部品を予熱する工程で予熱した前記部品を前記ステージに接触させる工程と、を有することを特徴とする部品の予熱処理方法が提供される。
一態様によれば、ステージに配置される部品を適切に予熱して、基板に対する処理の均一性を高めることができる。
一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。 基板処理装置のステージと枠部材を示す図である。 予熱位置に枠部材を配置した状態を示す断面図である。 予熱処理方法を実施する制御部の機能ブロックを示すブロック図である。 表示装置に表示される枠部材画面情報を例示する図である。 予熱無効を監視する際の位置情報領域および予熱情報を例示する図である。 枠部材の予熱処理方法を示すフローチャートである。 基板処理ルーチンを示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面図である。図１に示すように、一実施形態に係る基板処理装置１は、ＦＰＤ用基板（以下、単に基板Ｗという）に対して各種の基板処理を行う誘導結合プラズマ（Inductive Coupled Plasma:ＩＣＰ）の処理装置である。
基板処理が行われるＦＰＤは、例えば、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display:ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence:ＥＬ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）等があげられる。この場合、基板Ｗの材料としては、ガラスまたは合成樹脂等が適用される。基板Ｗは、表面に回路がパターニングされたもの、あるいは回路を備えない支持基板等を含み得る。基板Ｗの平面寸法は、長辺が１８００ｍｍ～３４００ｍｍ程度の範囲であり、短辺が１５００ｍｍ～３０００ｍｍ程度の範囲であるとよい。また、基板Ｗの厚みは、０．２ｍｍ～４．０ｍｍ程度の範囲であるとよい。基板処理装置１が行う基板処理としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いた成膜処理やエッチング処理等があげられる。以下では、成膜処理を行う基板処理装置１について説明する。
基板処理装置１は、直方体状の箱型の処理容器１０を備える。処理容器１０は、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属によって形成される。なお、処理容器１０は、基板Ｗの形状に応じて適切な形状に形成されるとよく、例えば、基板Ｗが円板や楕円板である場合に、処理容器１０は円筒状や楕円筒状等に形成されることが好ましい。
処理容器１０は、鉛直方向の所定位置に、当該処理容器１０の内側に突出する矩形状の支持枠１１を備え、この支持枠１１により誘電体板１２を水平方向に支持している。処理容器１０は、誘電体板１２を挟んで上チャンバ１３と下チャンバ１４とに分かれている。上チャンバ１３は、アンテナ室１３ａを内側に形成している。下チャンバ１４は、基板Ｗが載置されるとともに、基板処理を行う処理空間１４ａを内側に形成している。
下チャンバ１４の側壁１５は、ゲートバルブ１６によって開閉する搬出入口１７を備える。基板処理装置１は、ゲートバルブ１６の開放時に、図示しない搬送装置により、搬出入口１７を介して基板Ｗの搬出入を行う。
また、下チャンバ１４の側壁１５は、接地線１８を介して接地（接地電位に接続）されている。下チャンバ１４の四方の側壁１５は、無端状に周回するシール溝１９を上端に有する。シール溝１９にＯリング等のシール部材２０が配置されることにより、支持枠１１および下チャンバ１４は、処理空間１４ａを気密にシールしている。
支持枠１１は、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属によって形成されている。また、誘電体板１２は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスや石英によって形成されている。
支持枠１１の内側には、当該支持枠１１に連結され、処理空間１４ａにガスを吐出するシャワーヘッド２１が設けられている。誘電体板１２は、シャワーヘッド２１の上面に支持されている。シャワーヘッド２１は、アルミニウム等の金属によって形成され、陽極酸化による表面処理が施されていることが好ましい。シャワーヘッド２１の内部には、水平方向に沿ってガス流路２１ａが形成されている。また、シャワーヘッド２１は、ガス流路２１ａとシャワーヘッド２１の下面（処理空間１４ａ）を連通する複数のガス吐出孔２１ｂを有する。
シャワーヘッド２１の上面には、ガス流路２１ａに連通するガス導入管２２が接続されている。ガス導入管２２は、上チャンバ１３内を上方向に延在して当該上チャンバ１３を気密に貫通し、処理容器１０の外部に設けられたガス供給部２３に接続されている。
ガス供給部２３は、ガス導入管２２に結合されるガス供給管２４を有するとともに、ガス供給管２４の上流から下流に向かって順に、ガス供給源２５、マスフローコントローラ２６および開閉バルブ２７を備える。基板処理において、ガスは、ガス供給源２５から供給され、マスフローコントローラ２６により流量が制御されるとともに、開閉バルブ２７により供給タイミングが制御される。このガスは、ガス供給管２４からガス導入管２２を通ってガス流路２１ａに流入し、各ガス吐出孔２１ｂを通って処理空間１４ａにシャワー状に放出される。
アンテナ室１３ａを形成する上チャンバ１３内には、高周波アンテナ２８が設置されている。高周波アンテナ２８は、銅等の導電性の金属から形成されるアンテナ線を、環状もしくは渦巻き状に配線して形成される。あるいは、高周波アンテナ２８は、環状のアンテナ線を多重に設置したものでもよい。高周波アンテナ２８の端子には、上チャンバ１３内を上方向に延在する給電部材２９が接続されている。
給電部材２９は、処理容器１０の外部に突出する上端を有し、この上端に給電線３０が接続されている。給電線３０は、インピーダンス整合を行う整合器３１を介して高周波電源３２に接続されている。高周波電源３２は、基板処理に応じた周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力を高周波アンテナ２８に印加する。これにより、高周波アンテナ２８は、下チャンバ１４内に誘導電界を形成する。基板処理装置１は、下チャンバ１４内に形成した誘導電界によって、シャワーヘッド２１から処理空間１４ａに供給したガスをプラズマ化して、プラズマ中のプリカーサを基板Ｗに提供する。
また、下チャンバ１４の底壁３３には、複数の排気口３３ａが形成されており、各排気口３３ａにはガスの排気部３４が設けられている。排気部３４は、ガス排気管３５を有するとともに、このガス排気管３５に排気機構３７を備える。排気機構３７は、ガス排気管３５の上流から下流に向かって順に、開閉バルブ３６および真空ポンプ３８を備える。真空ポンプ３８は、ターボ分子ポンプ等を適用することができ、基板処理時に下チャンバ１４内を、予め設定された真空度まで真空引きする。
そして、処理容器１０は、搬出入口１７から搬入された基板Ｗを載置するステージ４０（載置台）を下チャンバ１４内に備える。
ステージ４０は、ステージ本体４１、絶縁部材４２、複数のリフトピン４３および複数のリフトピン昇降機構４４を有する。下チャンバ１４に搬入された基板Ｗは、各リフトピン昇降機構４４により上昇された各リフトピン４３に受け渡されて、各リフトピン４３を下降させることで、ステージ本体４１上に載置される。
ステージ本体４１は、平面視で長方形状に形成され、基板Ｗと同程度の平面寸法の載置面４１１を有する。例えば、載置面４１１の平面寸法は、長辺が１８００ｍｍ～３４００ｍｍ程度の範囲であり、短辺が１５００ｍｍ～３０００ｍｍ程度の範囲であるとよい。ステージ本体４１は、載置面４１１よりも低い段差面４１２を、載置面４１１の外側に有する。段差面４１２は、ステージ本体４１の外縁全周を周回しており、後記の枠部材５０を支持する。また、ステージ本体４１は、載置面４１１と段差面４１２の間に、鉛直方向に略平行な側周面４１３を有する。
ステージ本体４１は、アルミニウムやアルミニウム合金等によって形成され、抵抗体であるヒータ線４５を内部に備える。ヒータ線４５は、載置面４１１全体を均一に昇温するように配線されている。また、ヒータ線４５は、段差面４１２の下方位置にも設けられ、段差面４１２の温度を載置面４１１の温度と同じにする構成であることが好ましい。ヒータ線４５は、タングステン、モリブデン、ニッケルやクロム、もしくはこれらの金属のいずれか一種とアルミナやチタン等との化合物から形成される。
ヒータ線４５は、ヒータ駆動部４６に接続され、ヒータ駆動部４６の電力供給に基づき昇温する。ヒータ駆動部４６は、基板処理装置１の制御部７０に接続され、制御部７０の温度指令に応じた電力を出力する。例えば、基板処理装置１は、基板処理（成膜処理）を行う際に、ステージ４０の載置面４１１を、３００℃程度に加熱してその温度状態を維持する。このステージ本体４１により、載置面４１１に載置された基板Ｗも３００℃に加熱される。なお、基板処理装置１は、ヒータ線４５の代わりに、蛇行した流路（不図示）をステージ本体４１の内部に備え、温調媒体を流路に流通させることにより、加熱および冷却を含む温調を行ってもよい。
ステージ本体４１には、熱電対等の温度センサ４７が設けられており、温度センサ４７は、ステージ本体４１の測定温度を制御部７０に随時送信する。制御部７０は、送信された測定温度に基づき、ステージ本体４１の温度を目標温度に調整する。
絶縁部材４２は、絶縁材料により形成され、下チャンバ１４の底壁３３の複数箇所に設けられる。絶縁部材４２は、底壁３３に対してステージ本体４１を若干浮かせた状態で、ステージ本体４１を固定および支持している。
そして、基板処理装置１は、ステージ４０の周囲に、ステージ４０に接触可能かつ相対移動可能な部品である枠部材５０と、ステージ４０に対して枠部材５０を鉛直方向（高さ方向）に昇降させる枠部材昇降部６０と、を備える。図２は、基板処理装置１のステージ４０と枠部材５０を示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）はステージ４０の段差面４１２に枠部材５０が接触した状態を示す断面図である。
図２に示すように、枠部材５０は、基板Ｗの周縁ｗｐの上方を非接触に覆うことにより、プリカーサによる基板Ｗの周縁ｗｐの成膜、基板Ｗの裏面へのプリカーサの回り込み等を防止する部品である。枠部材５０は、シャドウリングとも呼ばれる。枠部材５０は、平面視で、ステージ４０の段差面４１２に重なる長方形状に形成されている。なお、枠部材５０は、基板Ｗの外形に応じて適宜の形状に形成されればよく、正方形、円形等であってもよい。
枠部材５０は、アルミニウムやその合金、アルミナ等のセラミックス、ガラス等の材料を適用することが好ましく、この中でも、可及的に軽量であり、弾性（可撓性）と剛性を備えたアルミニウムもしくはその合金によって形成されるとよい。アルミニウムもしくはその合金である場合、枠部材５０は、腐食対策やプラズマ耐性の向上のために、アルマイト処理が施される、またはイットリア等の溶射膜を有することが好ましい。
枠部材５０は、枠の外側を周回する外周部５１と、外周部５１の内側面５１２の上部から内側に突出する庇部５２と、を有する。また、枠部材５０は、長辺と短辺が交わる角部の庇部５２上面に、当該庇部５２同士の連結を補強する補強部５３を備える。本実施形態において、外周部５１と庇部５２は、同じ材料により一体成形されている。なお、外周部５１と庇部５２は、別材料により形成されてもよく、また枠部材５０は、補強部５３を備えない構成でもよい。
図２(ｂ）に示すように、外周部５１は、枠部材昇降部６０により図１の状態から下方向に移動した際に、ステージ本体４１の段差面４１２に接触して、当該段差面４１２に支持される。段差面４１２による外周部５１の支持状態で、庇部５２は、載置面４１１に載置された基板Ｗよりも上方向に離間した位置（基板Ｗに対して非接触）に配置される。庇部５２は、鉛直方向に沿って基板Ｗの外周側全周にわたって基板Ｗの周縁ｗｐに重なることで、基板Ｗの周縁ｗｐの成膜を遮断する。
外周部５１の厚みＴ１は、ステージ本体４１の載置面４１１と段差面４１２との間隔Ｄよりも厚い。本体部の厚みＴ１は、枠部材５０（基板Ｗ）のサイズにもよるが、例えば、枠部材５０の長辺が３０００ｍｍ以上の場合は、２０ｍｍ以上に設定されることが好ましい。これにより、枠部材５０の剛性が高められ、枠部材昇降部６０により枠部材５０を直線的に支持することが可能となる。
外周部５１の下面５１１は、段差面４１２に対して面接触するために、平坦状に形成されている。外周部５１の内側面５１２は、段差面４１２の支持状態で、載置面４１１と段差面４１２との間の側周面４１３に対して非接触に対向する。逆に、外周部５１の外側面５１３は、段差面４１２の支持状態で、段差面４１２よりも水平方向外側に突出している。枠部材昇降部６０は、この外周部５１の突出部分の下面５１１を支持する。また、外周部５１の上面５１４は、水平方向に沿って平坦状に形成され、内側面５１２との境界において庇部５２の上面に滑らかに連続している。
庇部５２は、外周部５１の厚みＴ１に対して充分に薄く形成され、外周部５１から枠部材５０の内側に向かって短く突出している。外周部５１の厚みＴ１に対する庇部５２の厚みＴ２（外周部５１に連なる根本部分の厚み）の比は、例えば、１／１０～１／３程度の範囲であるとよい。また、外周部５１に対する庇部５２の突出量は、載置面４１１と外周部５１の相対距離にもよるが、例えば、２０ｍｍ～５０ｍｍ程度の範囲に設定されることが好ましい。
庇部５２の上面５２１の内縁５２３側は、枠部材５０が段差面４１２に配置されたときに水平方向内側に向かって徐々に下方に傾斜した傾斜面となっている。一方、庇部５２の下面５２２は、枠部材５０が段差面４１２に配置されたときに外周部５１の内側面５１２から水平方向に沿った平坦状に形成され、内縁５２３に至っている。庇部５２の下面５２２は、段差面４１２による外周部５１の支持状態で、載置面４１１に対して、基板Ｗの厚みに所定の余裕高さ分を加えたクリアランスＣで離間している。クリアランスＣは、例えば、０．３ｍｍ～５ｍｍ程度に設定されるとよい。このように、枠部材５０は、クリアランスＣをもって（非接触で）基板Ｗの周縁ｗｐを庇部５２で覆うことにより、基板Ｗに対する庇部５２の干渉を回避しつつ、基板Ｗの周縁ｗｐにプリカーサが向かうことを効果的に抑制できる。
図１に戻り、枠部材昇降部６０は、枠部材５０の外周部５１の下面を支持する単位昇降機構６１を複数備え、制御部７０の制御下に、各単位昇降機構６１を相互に連動して動作させる。これにより、枠部材昇降部６０は、枠部材５０を水平方向に支持した状態で、当該枠部材５０を鉛直方向（高さ方向）に昇降させる。例えば、枠部材昇降部６０は、枠部材５０の一方の長辺において所定間隔あけた２箇所と、枠部材５０の他方の長辺において所定間隔あけた２箇所と、を支持するため、合計４つの単位昇降機構６１を有する。
各単位昇降機構６１は、枠部材５０に離脱可能に接触する支柱６２（可動部）と、支柱６２の昇降をガイドするガイド筒６３と、支柱６２を昇降させる機構本体６４と、を有する。
支柱６２は、枠部材５０の外周部５１の下面に対して接触する支持盤６５を上端に有する。支持盤６５は、枠部材５０に接触する上面が平坦状に形成された円盤状を呈している。支持盤６５は、機構本体６４により、載置面４１１よりも高く、シャワーヘッド２１に近接した上限位置（搬出入待機位置）と、段差面４１２よりも低く、底壁３３に近接した下限位置（基準位置）との間を昇降する。支持盤６５は、段差面４１２よりも高い位置を変位する際に、枠部材５０の外周部５１を支持する一方で、段差面４１２よりも低い位置を変位する際に、段差面４１２に支持された枠部材５０から離間する。ガイド筒６３は、底壁３３に設けられた開孔３３ｂに固定され、軸心側の内壁において支柱６２の昇降をガイドする。
機構本体６４は、支柱６２を昇降可能な種々の機構（シリンダ機構、ボールねじ機構、モータとラックによる機構等）を適用し得る。例えば、機構本体６４としてシリンダ機構を適用した場合は、油圧シリンダやエアシリンダによりロッドである支柱６２をスライドさせる。機構本体６４としてボールねじ機構を適用した場合は、モータの駆動によりボールねじを回転させ、ボールねじに設けられたナットに連結された支柱６２をスライドさせる。機構本体６４としてモータとラックによる機構を適用した場合は、モータの駆動によりラックからなる支柱６２をスライドさせる。
枠部材昇降部６０は、各機構本体６４と配電駆動部６６とを電気的に接続している。配電駆動部６６は、制御部７０からの指令信号に応じた電力パルスを各機構本体６４に供給することで、各機構本体６４を動作（連動）させる。また、配電駆動部６６は、各機構本体６４に供給する電力パルスを監視することで、枠部材５０（各支持盤６５）の高さ位置を認識し、認識結果に基づき枠部材５０を目標位置に移動させる。
基板処理装置１の制御部７０は、１以上のプロセッサ７１、メモリ７２、図示しない入出力インタフェースおよび電子回路を有する制御用コンピュータである。また、制御部７０は、コマンドの入力操作等を行うキーボードやマウス等の入力装置、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等の表示装置、及びプリンタ等の出力装置といったユーザインターフェイスを有している（共に不図示）。
制御部７０は、基板処理装置１の各構成部（例えば、高周波電源３２、ガス供給部２３、排気部３４、リフトピン昇降機構４４、ヒータ駆動部４６、枠部材昇降部６０等）の動作を制御して、基板処理を行う。１以上のプロセッサ７１は、ＣＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものである。メモリ７２は、不揮発性メモリおよび揮発性メモリを含み、制御部７０の記憶部を形成している。なお、メモリ７２の一部は、１以上のプロセッサ７１に内蔵されていてもよい。
プロセッサ７１は、メモリ７２に格納されたプログラムおよびレシピ（プロセスレシピ）に従って予め設定された処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する基板処理装置１の制御内容が設定されている。制御内容には、例えば、ガス流量や処理容器１０内の圧力、処理容器１０内の温度やステージ本体４１の温度、プロセス時間等が含まれる。なお、レシピ等は、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、メモリカード等のコンピュータによる読み取りが可能な記憶媒体に収容された状態で制御部７０にセットされ、読み出される形態であってもよい。
図３は、予熱位置ＨＰに枠部材５０を配置した状態を示す断面図である。以下、図２および図３を参照して、ステージ４０の熱による枠部材５０の影響について説明する。
基板処理装置１の部品である枠部材５０は、ステージ４０からの熱の影響を受ける。例えば、ヒータ線４５によりステージ本体４１が加熱される一方で、ステージ本体４１と相対的に枠部材５０の温度が低い状態である場合、枠部材５０（外周部５１および庇部５２）は、ステージ４０から熱の影響を受けて水平方向外側に伸びるように変形する。これにより、ステージ本体４１と相対的に温度が低く、温度差が大きい枠部材５０によって基板Ｗの周縁ｗｐを遮蔽した遮蔽域と、ステージ本体との温度差がない枠部材５０によって基板Ｗの周縁ｗｐを遮蔽した遮蔽域とでは、遮蔽域が不均一になる。仮に、ステージ４０上で枠部材５０の温度変化により変形が生じると、遮蔽域の変化によって、成膜が不均一になる等、基板処理の精度が低下することになる。
また仮に、ステージ４０に枠部材５０を接触した状態で枠部材５０が変形すると、ステージ４０と枠部材５０の材質の違いによってはステージ４０と枠部材５０の間に擦れが生じる。この擦れにより、ステージ４０または枠部材５０に傷や凹凸等が生じると、基板Ｗに対する庇部５２の相対位置（例えば、クリアランスＣ）が変化して基板処理に影響を及ぼす可能性がある。また場合によっては、庇部５２が基板Ｗに接触する要因ともなる。枠部材５０側にヒータを配置することも考えられるが、枠部材５０がステージ４０に接触し、支持盤６５が段差面４１２よりも低い位置を変位する際に、支持盤６５は枠部材５０から離間する構造のため、枠部材５０側にヒータを取り付けることが困難な構造である。
そこで、本実施形態に係る制御部７０は、基板処理装置１の成膜前に、ステージ４０に対して枠部材５０を非接触かつ近接した予熱位置ＨＰに位置決めして、ステージ４０の放射熱により枠部材５０を予熱する予熱処理方法を実施する。予熱された枠部材５０は、ステージ４０に接触する前に、水平方向外側への変形が促されることで、ステージ４０との接触後の変形が回避される。
以下、この予熱処理方法を実施する制御部７０の機能部について、図４を参照して説明していく。図４は、予熱処理方法を実施する制御部７０の機能ブロックを示すブロック図である。
制御部７０は、ステージ温調部８０、イニシャル制御部８１、予熱条件判定部８２、予熱実行部８３、予熱無効監視部８４、インターロック部８５、基板処理判定部８６および基板処理制御部８７を有する。
ステージ温調部８０は、ユーザやレシピにおいて設定されたステージ４０の目標温度に基づき、ステージ４０の温度調整を行う。この際、ステージ温調部８０は、温度センサ４７から取得した測定温度に基づき、ステージ４０の温度を目標温度に合わせるようにヒータ駆動部４６の電力供給を調整する。
イニシャル制御部８１は、基板処理装置１の基板処理前における各構成のイニシャル動作を行う機能部である。イニシャル制御部８１は、枠部材５０および枠部材昇降部６０のイニシャル動作において、各単位昇降機構６１の機構本体６４を駆動して下限位置（基準位置）に支柱６２を下降し、基準位置に対する支持盤６５の高さ位置を合わせる（ゼロ点校正する）。
なお、下限位置に支柱６２が到達したゼロ点校正後、イニシャル制御部８１は、枠部材５０を直ちに上昇することが好ましい。これにより、枠部材昇降部６０のイニシャル動作時は、枠部材昇降部６０の下降に伴って、枠部材５０が段差面４１２に接触するが、このイニシャル動作の実施時間は僅かとなる。例えば、接触後から３秒程度後に、イニシャル制御部８１は、枠部材昇降部６０を動作させて支柱６２を上昇させることで、枠部材５０を段差面４１２から浮上させる。これにより、基板処理装置１は、イニシャル制御時において、ステージ本体４１と、このステージ本体４１と温度差のある枠部材５０が接触している間に、枠部材５０の変形を抑制することができる。
イニシャル制御部８１は、ゼロ点校正後に他の構成がイニシャル動作を実行している最中は、枠部材５０を段差面４１２に接触させなければ、枠部材５０をどの高さ位置に配置していてもよい。あるいは、イニシャル制御部８１は、他の構成のイニシャル動作時に、予熱位置ＨＰ（図３参照）に枠部材５０を配置して待機させてもよい。これにより、基板処理装置１は、予熱処理の時間を短縮化することができる。なお、制御部７０は、イニシャル動作の最後にゼロ点校正を行うことで、ゼロ点校正後に予熱実行部８３の動作（枠部材５０の予熱）に直ちに移行してもよい。
予熱条件判定部８２は、枠部材５０の予熱を行うか否かを判定する。例えば、制御部７０は、枠部材５０の予熱処理方法を実施するための枠部材画面情報９０を、制御部７０の表示装置に出力し、ユーザの手動操作に基づき枠部材５０の予熱を実施する。
図５は、表示装置に表示される枠部材画面情報９０を例示する図である。図５に示すように、枠部材画面情報９０は、基板処理時の枠部材５０の動作設定のボタン９１と、搬出入待機位置を設定するためのボタン９２と、枠部材５０の各種位置を指定するためのボタン９３と、予熱を手動で実施するためのボタン９４と、を有する。制御部７０は、枠部材５０の位置を指定するためのボタン９３が操作されると、予熱位置ＨＰ等の設定画面情報（不図示）を表示する。また、予熱を手動で実施するためのボタン９４が操作されると、制御部７０は、後記の予熱実行部８３の制御下に枠部材５０の予熱を行う。
図４に戻り、予熱条件判定部８２は、枠部材５０の予熱を行う際の複数の予熱条件を予め保有しており、複数の予熱条件の何れかが成立した場合に枠部材５０の予熱を自動的に実施し、複数の予熱条件全てが不成立の場合に枠部材５０の予熱を非実施とする。例えば、複数の予熱条件としては、以下の［ａ］～［ｃ］があげられる。
［ａ］基板処理装置１の動作開始時（起動時）または動作再開時によりイニシャル動作を実施した。
［ｂ］ユーザ操作、基板処理装置１の動作または異常発生等のイベントに基づき、ステージ４０の温度が変更された。
［ｃ］枠部材５０の予熱無効を認識した（ステータスレジスタの予熱無効フラグＦ２が１となった）。
また、予熱実行部８３は、段差面４１２に対し枠部材５０を相対移動して、設定された予熱位置ＨＰに枠部材５０を位置決めする（図３も参照）。予熱位置ＨＰは、枠部材５０が変形してもステージ４０に干渉しない位置であり、かつ枠部材５０がステージ４０の放射熱を良好に受けることが可能な位置である。ステージ本体４１の段差面４１２に対する予熱位置ＨＰの離間距離Ｘは、載置面４１１と段差面４１２の間隔Ｄよりも短い。予熱位置ＨＰの実際の離間距離Ｘは、実験やシミュレーション等により予め設定されることが好ましく、例えば、０．３ｍｍ～３ｍｍ程度の範囲に設定されることが好ましい。あるいは上記したように、予熱位置ＨＰの離間距離Ｘは、設定画面情報を介してユーザにより設定されてもよい。
予熱実行部８３は、ステージ４０の温度に応じて予熱位置ＨＰを自動的に変化させる構成とすることもできる。例えば、予熱実行部８３は、ステージ４０の温度と予熱位置ＨＰを対応づけしたマップ情報（不図示）を保有し、温度センサ４７が測定したステージ４０の温度とマップ情報を参照して、予熱位置ＨＰを設定する。つまり、ステージ４０の温度が高い場合には、段差面４１２に対して第１距離だけ離間した予熱位置ＨＰとする一方で、ステージ４０の温度が低い場合には、段差面４１２に対して第１距離よりも短い第２距離だけ離間した予熱位置ＨＰに変化させる。
予熱実行部８３は、予熱条件判定部８２による予熱条件の成立（例えば、イニシャル動作の終了の情報）を受信することにより自動的に動作を開始して、枠部材昇降部６０を動作させて枠部材５０を予熱位置ＨＰに配置する。この際、制御部７０は、枠部材昇降部６０の動作状態を取得することで、枠部材５０の現在の高さ位置をモニタリングしている。そして、制御部７０は、図５に示す枠部材画面情報９０における位置情報領域９５に、支持盤６５の位置および段差面４１２に対する枠部材５０の位置を表示する。なお図５中において、位置情報領域９５の軸位置欄９５１は、基準位置に対する支持盤６５の相対距離であり、位置情報領域９５の枠部材位置欄９５２は、段差面４１２に対する枠部材５０の相対距離である。
枠部材５０を予熱位置ＨＰに配置した後に、予熱実行部８３は、枠部材５０が十分に昇温することができる予熱完了時間に達するまで、予熱位置ＨＰに枠部材５０を待機させる。予熱完了時間は、ステージ４０の温度や予熱位置ＨＰにもよるが、例えば、３秒～６０秒程度に設定されることが好ましい。予熱完了時間は、ステージ４０の温度や予熱位置ＨＰに応じて自動的に変更されてもよい。例えば、予熱実行部８３は、ステージ４０の温度と予熱位置ＨＰとを予熱完了時間で関連づけしたマップ情報（不図示）を保有し、マップ情報を参照して予熱完了時間を設定し、予熱完了時間までの計時を行う。
また、予熱実行部８３は、枠部材５０の予熱中に、枠部材５０の状態情報を示すステータスレジスタの予熱未完了フラグＦ１を立ち上げる（予熱未完了フラグＦ１を０から１にする）一方で、枠部材５０の予熱完了後に、予熱未完了フラグＦ１を１から０にする。さらに予熱中に、予熱実行部８３は、予熱状態（経過時間）状態をモニタリングし、例えば、図５に示す枠部材画面情報９０における予熱情報領域９６に、経過時間を表示する。予熱情報領域９６は、実行中（予熱未完了）、予熱完了、予熱未実行等の現在のステータスを表示する状態欄９６１、枠部材５０の予熱の経過時間を示す予熱時間欄９６２、枠部材５０の温度低下の経過時間を示す冷却時間欄９６３等を含む。
なお、基板処理装置１は、枠部材５０の温度を検出する検出部（不図示）を備え、検出部の検出温度に基づき枠部材５０の予熱の実施判定、終了判定等を行ってもよい。また、制御部７０は、基板処理装置１の動作時（生産運用中）に、ステージ４０への基板Ｗの搬送がなされない場合に、予熱位置ＨＰに配置した枠部材５０については予熱完了時間を過ぎても予熱位置ＨＰに待機させたままとするのが好ましい。つまり、予熱未完了フラグＦ１が０でも予熱位置ＨＰに枠部材５０を配置しておく。これにより、予熱が完了した後に、枠部材５０の温度が不用意に下がることを抑制できる。
予熱無効監視部８４は、基板処理装置１の動作時に、一旦予熱した枠部材５０の温度が低下した状態となる予熱無効を監視する。予熱無効監視部８４は、例えば、配電駆動部６６等から枠部材５０の高さ位置（鉛直方向位置）を取得し、ステージ４０に対して予熱位置ＨＰよりも高く枠部材５０の温度低下が生じる位置（例えば、搬出入待機位置等）に枠部材５０が位置している時間を計測する。
図６は、予熱無効を監視する際の位置情報領域および予熱情報を例示する図である。図６に示す位置情報領域９５では、枠部材位置欄９５２の枠部材位置欄９５２が大きな値となっており、枠部材５０の温度低下が生じる位置であることを示している。また、図６に示す予熱情報領域９６の冷却時間欄９６３では、予熱無効の時間を計測していることを示している。
予熱無効監視部８４は、予め設定されている予熱無効時間よりも経過時間が長くなったことを認識すると、枠部材５０の温度が低下した、すなわち枠部材５０の予熱が無効になったと判定する。予熱無効時間は、処理空間１４ａ内の温度（ステージ４０の温度）にもよるが、例えば、３分以上の値に設定される。なお、予熱無効時間は、処理容器１０内またはステージ４０の温度に応じて自動的に変更してもよい。予熱無効監視部８４は、枠部材５０の予熱が無効になったと判定した場合に、予熱無効フラグＦ２を立ち上げる（予熱無効フラグＦ２を０から１にする）。
制御部７０は、予熱無効フラグＦ２を１とした場合に、予熱情報領域９６の状態欄９６１において、予熱完了のステータス表示を、予熱未実行のステータス表示に切り替える。そして、制御部７０は、予熱実行部８３を再び動作させることで、枠部材５０の再予熱を行う。例えば、制御部７０は、基板Ｗの搬入出を実施していないタイミングで、予熱実行部８３の制御下に、枠部材昇降部６０を動作させて枠部材５０を予熱位置ＨＰに配置する。そして、予熱無効監視部８４は、予熱実行部８３が予熱を開始すると、予熱無効フラグＦ２を１から０にする。その一方で、予熱実行部８３は、予熱未完了フラグＦ１を０から１にする。
図４に戻り、制御部７０のインターロック部８５は、予熱未完了フラグＦ１または予熱無効フラグＦ２が１となっている場合（予熱未完了、予熱無効等）に、予熱時インターロックを実施する。例えば、予熱時インターロックにおいて、インターロック部８５は、イニシャル動作以外で、枠部材５０がステージ４０の段差面４１２に接触することを禁止する。一例として、インターロック部８５は、ソフトウェア上で予熱実行部８３以外の機能部の動作を停止することにより、段差面４１２への枠部材５０の接触を禁止する。あるいは、インターロック部８５は、介在部材等を枠部材５０に接触させて段差面４１２への枠部材５０の接触を機械的に遮断してもよい。
さらに、インターロック部８５は、予熱未完了フラグＦ１または予熱無効フラグＦ２が１となっている場合に、基板処理（レシピの実行）を禁止する。例えば、基板処理の禁止において、基板処理装置１は、基板Ｗの搬入の禁止、処理容器１０内へのガスの供給禁止、高周波電源３２の操作禁止等を行う。
またさらに、インターロック部８５は、ステージ４０に枠部材５０を接触させている状態で、ステージ４０の温度変更を禁止する接触時インターロックを行うとよい。ステージの温度変更とは、ヒータ線４５の加熱を停止する、処理容器１０内を真空にする等があげられる。これにより、ステージ４０の段差面４１２から枠部材５０に受ける温度変化によって、枠部材５０が段差面４１２に接触したまま変形することを回避できる。
なお、制御部７０は、ステージ４０の温度変更が必要な場合に、段差面４１２から枠部材５０を浮上させる逃がし動作を行い、その後にステージ４０の温度変更を実施してもよい。この逃がし動作によって、基板処理装置１は、ステージ４０と枠部材５０の擦れを確実に回避しつつ、ステージ４０の温度変更をスムーズに行うことができる。
制御部７０の基板処理判定部８６は、基板処理の実施条件の成立または非成立を判定して、基板処理の実施を判定する。例えば、基板処理判定部８６は、インターロック部８５がインターロックを行っていない（予熱未完了フラグＦ１が０および予熱無効フラグＦ２が０である）ことを、基板処理の実施条件とする。また、他の基板処理の実施条件としては、レシピ上で基板処理が実施となっている、搬送装置が搬送する基板Ｗが用意されている、異常等のイベントが発生していない等があげられる。
制御部７０の基板処理制御部８７は、基板処理判定部８６により実施条件が成立した場合に、基板処理装置１の各構成を制御して基板処理を実施する。具体的には、基板処理制御部８７は、予熱した枠部材５０を上昇させて搬出入待機位置に配置し、載置面４１１への基板Ｗの搬入した後、枠部材５０を下降させてステージ４０の段差面４１２に接触させる。そして、基板処理制御部８７は、処理容器１０内を予め設定した真空雰囲気とし、処理空間１４ａにガスを供給してプラズマ化することにより、プラズマ中のプリカーサを基板Ｗに提供する実際の基板処理を行う。この基板処理には、ＣＶＤ法を用いた成膜処理やエッチング処理等が含まれる。
一実施形態に係る基板処理装置１は、基本的には以上のように形成されるものであり、以下その動作について図７および図８を参照して説明する。図７は、枠部材５０の予熱処理方法を示すフローチャートである。図８は、基板処理ルーチンを示すフローチャートである。
基板処理装置１は、動作時（例えば、起動時や運転中）に、枠部材５０を予熱する予熱処理方法を実施する。予熱処理方法の実施において、制御部７０のステージ温調部８０は、ユーザやレシピにおいて設定されたステージ４０の目標温度となるように、ヒータ駆動部４６を制御して、ステージ４０の温度を調整する（ステップＳ１）。
また、制御部７０のイニシャル制御部８１は、基板処理装置１の各構成のイニシャル動作を制御する（ステップＳ２）。枠部材昇降部６０のイニシャル動作において、イニシャル制御部８１は、各単位昇降機構６１の支柱６２を下限位置まで下降することにより、支持盤６５のゼロ位置を合わせる。なお、基板処理装置１は、イニシャル動作の制御（ステップＳ２）と、ステージ４０の温度の調整（ステップＳ１）とを同じタイミングで行ってもよい。
そして、制御部７０の予熱条件判定部８２は、枠部材５０の予熱を行う上記した予熱条件を確認し、予熱条件が成立しているか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３において、予熱条件が不成立の場合（ステップＳ３：ＮＯ）、ステップＳ４～Ｓ９を飛ばしてステップＳ１０に進み、枠部材５０の予熱を非実施とする。
ステップＳ３において予熱条件が成立した場合（ステップＳ３：ＹＥＳ）、制御部７０の予熱実行部８３は、予熱未完了フラグＦ１を１とする（ステップＳ４）。インターロック部８５は、予熱未完了フラグＦ１が１であることを認識すると、予熱時インターロックを行う。インターロック部８５は、予熱時インターロックにおいて、上記したように動作の制限として、ステージ４０に対する枠部材５０の接触を禁止する、基板Ｗの処理を禁止する等のインターロックを行う（ステップＳ５）。
さらに、予熱実行部８３は、枠部材昇降部６０の動作を制御して、ステージ４０の段差面４１２から離間した予熱位置ＨＰに枠部材５０を配置する（ステップＳ６）。
そして、予熱実行部８３は、予熱位置ＨＰに枠部材５０を配置した状態を維持することで、ステージ４０の放熱を枠部材５０に給熱させることで、枠部材５０を予熱する（ステップＳ７）。
このステップＳ７の実施中に、予熱実行部８３は、予熱位置ＨＰに枠部材５０を配置した時点から計時を行い、予熱位置ＨＰでの待機時間が予熱完了時間に達したか否かを判定する（ステップＳ８）。そして、待機時間が予熱完了時間に達していない場合（ステップＳ８：ＮＯ）、予熱実行部８３は、ステップＳ７に戻り枠部材５０の予熱を継続する。一方、待機時間が予熱完了時間に達した場合（ステップＳ８：ＹＥＳ）、予熱実行部８３は、ステージ４０と枠部材５０との温度差がなくなったと認識し、予熱未完了フラグＦ１を０に戻して予熱を完了する（ステップＳ９）。この予熱未完了フラグＦ１が０になることに基づき、インターロック部８５は、枠部材５０が段差面４１２に接触する動作および基板処理のインターロックを解除する。
予熱完了後、制御部７０の基板処理判定部８６は、レシピ、搬送装置への基板Ｗのセット状態、トラブルの状態等を確認して、基板処理に移行するか否かを判定する（ステップＳ１０）。基板処理に移行しない場合（ステップＳ１０：ＮＯ）、制御部７０は、予熱位置ＨＰでの枠部材５０の待機を継続し（ステップＳ１１）、ステップＳ１０に戻る。
一方、基板処理に移行する場合（ステップＳ１０：ＮＯ）、制御部７０の基板処理制御部８７は、上記した基板処理の動作（基板処理ルーチン）を行う（ステップＳ１２）。
図８に示すように、基板処理制御部８７は、基板処理ルーチンにおいて、まず枠部材昇降部６０の動作を制御して枠部材５０を搬出入待機位置へ配置する（ステップＳ２１）。この状態で、基板処理制御部８７は、搬送装置と連動して、処理容器１０内への基板Ｗの搬入、およびステージ４０の載置面４１１への基板Ｗの載置を行う（ステップＳ２２）。
その後、基板処理制御部８７は、枠部材昇降部６０の動作を制御して、ステージ４０及び基板Ｗに対して枠部材５０を下降させ、枠部材５０の外周部５１の下面５１１をステージ４０の段差面４１２に接触させる（ステップＳ２３）。これにより、枠部材５０の庇部５２は、基板Ｗに対して非接触の状態で、基板Ｗの縁部の上方を覆う。
その後、基板処理制御部８７は、処理容器１０内を予め設定した真空雰囲気とし、処理空間１４ａにガスを供給してプラズマ化することにより、プラズマ中のプリカーサを基板Ｗに提供する実際の基板処理を行う（ステップＳ２４）。
さらに、基板処理制御部８７は、基板処理後に、枠部材昇降部６０を動作して枠部材５０を搬出入待機位置に上昇させ（ステップＳ２５）、処理した基板Ｗを処理容器１０から搬出する（ステップＳ２６）。そして、基板処理判定部８６は、基板処理をさらに継続するか否かを判定し（ステップＳ２７）、基板処理の完了を判定すると（ステップＳ２７：ＮＯ）、処理フローを終了する。一方、基板処理を継続する場合（ステップＳ２７：ＹＥＳ）、基板処理判定部８６は、処理容器１０内に基板Ｗを搬送可能か否かについて判定する（ステップＳ２８）。基板Ｗが搬送可能な場合（ステップＳ２８：ＹＥＳ）、基板処理制御部８７は、枠部材５０を搬出入待機位置に配置したまま、ステップＳ２２に戻り、上記の基板Ｗの搬入から以下同様の動作を繰り返す。載置面４１１への基板Ｗの搬出および搬入を行う動作の時間は、枠部材５０の温度が大きく低下するほど長い時間ではなく（予熱無効時間よりも短い時間であり）、例えば、数十秒～２分程度である。
一方、基板Ｗの搬送がすぐにできない場合（ステップＳ２８：ＮＯ）、予熱無効監視部８４により計時を行い、予熱無効時間よりも計測時間が長くなったか否かを判定する（ステップＳ２９）。予熱無効時間よりも計測時間よりも短い場合（ステップＳ２９：ＮＯ）、ステップＳ２８に戻り、基板Ｗの搬送の監視を繰り返す。そして、予熱無効時間よりも計測時間が長くなった場合（ステップＳ２９：ＹＥＳ）、予熱無効監視部８４は、予熱が無効になったと判定し、予熱無効フラグＦ２を１とする（ステップＳ３０）。
予熱無効フラグＦ２が１の場合に、ステップＳ３の予熱条件が成立することになる。このため、制御部７０の予熱実行部８３は、ステップＳ４以降の処理フローを再び実施する。ステップＳ４に戻った場合に、制御部７０は、予熱無効フラグを０とする一方で、予熱未完了フラグを１となる。なお、処理容器１０内に基板Ｗの搬送が不能な場合に、制御部７０は、予熱無効時間を待つことなく、枠部材５０を予熱位置ＨＰへ移動させて待機させることで、枠部材５０の予熱を行ってもよい。これにより、枠部材５０の温度低下を良好に抑制することができる。そして、制御部７０は、基板Ｗの搬送が可能になった場合に、予熱位置ＨＰの枠部材５０を搬出入待機位置に再び上昇させる。
以上のように、部品の予熱処理方法、および基板処理装置１は、ステージ４０に対して接触可能かつ相対移動可能な部品である枠部材５０を適切に予熱することが可能となる。そして、部品の予熱処理方法及び基板処理装置１は、枠部材５０の予熱により、温度変化に伴う枠部材５０の変形を先に促しておくことで、ステージ４０に枠部材５０を接触させた状態で、枠部材５０を変形させないようにすることができる。このため、枠部材５０は、ステージ４０上の基板Ｗとの相対位置が安定になり、基板Ｗに対する処理の均一性を高めることができる。
また、部品を予熱する工程では、予め設定された予熱完了時間を経過するまで予熱位置ＨＰに部品（枠部材５０）を待機させる。これにより、部品の予熱処理方法は、予熱処理において、ステージ４０との温度差が充分になくなるまで枠部材５０の温度を調整することができる。
また、部品を予熱する工程後に、予熱位置ＨＰよりもステージ４０から離間した位置に部品（枠部材５０）が位置する時間を計測し、計測時間が予熱無効時間を経過したか否かを判定する工程を有し、計測時間が予熱無効時間を経過した場合に、部品の予熱を無効と認識して、部品を予熱する工程を再び実施する。これにより、部品の予熱処理方法は、部品の予熱を一旦行った場合でも、必要に応じて部品の再予熱を簡単に行うことができる。
また、基板処理装置１は、部品（枠部材５０）を離脱可能に支持する可動部（支持盤６５）を昇降させることで、部品を昇降させる部品昇降部（枠部材昇降部６０）を備え、部品を予熱する工程前に、可動部を下降してステージ４０に部品を接触させることで部品を可動部から離脱させて、可動部を基準位置に合わせるイニシャル動作を行う。これにより、部品の予熱処理方法は、枠部材５０が昇降した際の部品の位置を精度よく制御することが可能となり、部品を一層適切に予熱することができる。
また、ステージ４０は、部品（枠部材５０）が接触する接触面（段差面４１２）を有し、予熱位置ＨＰは、接触面に対して０．３ｍｍ～３ｍｍの範囲に設定される。これにより、部品の予熱処理方法は、予熱位置ＨＰに位置決めした部品の温度を効率的に調整することができる。
また、部品を予熱する工程の実施中に、基板処理装置１の動作の制限を行う予熱時インターロック工程を有する。これにより、部品の予熱処理方法は、予熱工程をより安全に行うことができる。
また、予熱時インターロックは、動作の制限として、ステージ４０に対する部品（枠部材５０）の接触を禁止する。これにより、部品の予熱処理方法は、予熱が完了していない部品がステージ４０に接触することを確実に防止できる。
また、予熱時インターロックは、動作の制限として、基板Ｗの処理を禁止する。これにより、部品（枠部材５０）の予熱処理方法は、予熱が完了していない部品がある場合に、基板Ｗの処理を行わずに済み、ステージ４０や基板Ｗに対する部品の擦れ等を回避することができる。
また、部品（枠部材５０）をステージに接触させる実施中に、ステージ４０の温度変更を禁止する接触時インターロックを行う。これにより、部品の予熱処理方法は、ステージ４０の温度変更に伴ってステージ４０に接触している部品が変形することを抑制することが可能となる。
また、部品は、ステージ４０に接触した状態で、ステージ４０に載置された基板Ｗの周縁ｗｐの上方を覆う庇部５２を有する枠部材５０である。これにより、部品の予熱処理方法は、予熱後の枠部材５０の庇部５２により基板Ｗの周縁を安定して覆うことができる。
また、本開示の一態様は、基板Ｗを載置するステージ４０と、ステージ４０に対して接触可能かつ相対移動可能な部品（枠部材５０）と、を有する基板処理装置１であって、部品の移動を制御する制御部７０を有し、制御部７０は、ステージ４０に対して非接触となる予熱位置ＨＰに部品を位置決めして、ステージ４０からの放射熱により部品を予熱し、予熱した部品をステージ４０に接触させる。これにより、基板処理装置１は、部品を適切に予熱して、基板Ｗに対する処理の均一性を高めることができる。
今回開示された実施形態に係る枠部材５０の予熱処理方法および基板処理装置１は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置１は、ＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)装置、ＣＣＰ(Capacitively Coupled Plasma)、ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)、ＲＬＳＡ (Radial Line Slot Antenna)、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance Plasma)、ＨＷＰ（Helicon Wave Plasma）のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
１ 基板処理装置
１０ 処理容器
４０ ステージ
５０ 枠部材
６０ 枠部材昇降部
７０ 制御部
ＨＰ 予熱位置
Ｗ 基板

Claims (11)

  1. 基板処理装置の基板を載置するステージに対して接触可能かつ相対移動可能な部品の予熱処理方法であって、
    前記ステージに対して非接触となる予熱位置に前記部品を位置決めして、前記ステージからの放射熱により前記部品を予熱する工程と、
    前記部品を予熱する工程で予熱した前記部品を前記ステージに接触させる工程と、を有する
    ことを特徴とする部品の予熱処理方法。
  2. 前記部品を予熱する工程では、予め設定された予熱完了時間を経過するまで前記予熱位置に前記部品を待機させる
    ことを特徴とする請求項１に記載の部品の予熱処理方法。
  3. 前記部品を予熱する工程後に、前記予熱位置よりも前記ステージから離間した位置に前記部品が位置する時間を計測し、計測時間が予熱無効時間を経過したか否かを判定する工程を有し、
    前記計測時間が前記予熱無効時間を経過した場合に、前記部品の予熱を無効と認識して、前記部品を予熱する工程を再び実施する
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の部品の予熱処理方法。
  4. 前記基板処理装置は、前記部品を離脱可能に支持する可動部を昇降させることで、前記部品を昇降させる部品昇降部を備え、
    前記部品を予熱する工程前に、前記可動部を下降して前記ステージに前記部品を接触させることで前記部品を前記可動部から離脱させて、前記可動部を基準位置に合わせるイニシャル動作を行う
    ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の部品の予熱処理方法。
  5. 前記ステージは、前記部品が接触する接触面を有し、
    前記予熱位置は、前記接触面に対して０．３ｍｍ～３ｍｍの範囲に設定される
    ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の部品の予熱処理方法。
  6. 前記部品を予熱する工程の実施中に、前記基板処理装置の動作の制限する予熱時インターロックを行う
    ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の部品の予熱処理方法。
  7. 前記予熱時インターロックは、前記動作の制限として、前記ステージに対する前記部品の接触を禁止する
    ことを特徴とする請求項６に記載の部品の予熱処理方法。
  8. 前記予熱時インターロックは、前記動作の制限として、前記基板の処理を禁止する
    ことを特徴とする請求項６または７に記載の部品の予熱処理方法。
  9. 前記部品を前記ステージに接触させる工程の実施中に、前記ステージの温度変更を禁止する接触時インターロックを行う
    ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の部品の予熱処理方法。
  10. 前記部品は、前記ステージに接触した状態で、前記ステージに載置された前記基板の周縁の上方を覆う庇部を有する枠部材である
    ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の部品の予熱処理方法。
  11. 基板を載置するステージと、前記ステージに対して接触可能かつ相対移動可能な部品と、を有する基板処理装置であって、
    前記部品の移動を制御する制御部を有し、
    前記制御部は、
    前記ステージに対して非接触となる予熱位置に前記部品を位置決めして、前記ステージからの放射熱により前記部品を予熱し、
    予熱した前記部品を前記ステージに接触させる
    ことを特徴とする基板処理装置。
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