JPH05206106A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH05206106A JPH05206106A JP194292A JP194292A JPH05206106A JP H05206106 A JPH05206106 A JP H05206106A JP 194292 A JP194292 A JP 194292A JP 194292 A JP194292 A JP 194292A JP H05206106 A JPH05206106 A JP H05206106A
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- Japan
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- vapor phase
- phase growth
- wafer boat
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】バッチ式のＬＰＣＶＤ装置によるＢＰＳＧ膜の
絶縁膜の形成時のバッチ内における不純物Ｂ，Ｐ濃度調
整を簡単に行えること。 【構成】不純物添加の為のインジェクター（図中の７及
び８）をバッチ内の位置（例えば上，中，下）で分割し
て設けることにより位置毎の不純物ガスの流量調節が可
能となる。 【効果】バッチ内の不純物濃度調整が簡単になることに
より、パイロット回数が減って装置の稼働率が向上す
る。
絶縁膜の形成時のバッチ内における不純物Ｂ，Ｐ濃度調
整を簡単に行えること。 【構成】不純物添加の為のインジェクター（図中の７及
び８）をバッチ内の位置（例えば上，中，下）で分割し
て設けることにより位置毎の不純物ガスの流量調節が可
能となる。 【効果】バッチ内の不純物濃度調整が簡単になることに
より、パイロット回数が減って装置の稼働率が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に用い
る減圧気相成長装置に関する。
る減圧気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧気相成長（以下、ＬＰＣＶＤ
という）装置は、図２に示すようにウェハーボート１上
の半導体ウェハー全体をカバーするようガス噴出孔の設
けられたＰ（リン）を導入するためのＰＨ3 用石英管
（以下、インジェクタという）７及びＢ（ホウ素）を導
入するためのＴＭＢ（トリメメルボレート）用インジェ
クター８各１本を有している。次に動作について説明す
ると、インナー管２内をヒーター４にて５００〜６００
℃程度に加熱し、内圧を排気口６を通して真空ポンプに
より０．５〜２．０Ｔｏｒｒ程度とした後ＴＥＯＳ（テ
トラエチルオルソシリケート）導入管９及びＯ2 導入管
１０から導入されたＴＥＯＳ及びＯ2 ガスによりウェハ
ーボート１上の半導体ウェハーにＳｉＯ2 が形成され、
ＰＨ3 用インジェクーター７及びＴＭＢ用インジェクタ
ー８から導入されたＰＨ3 及びＴＭＢガスによりウェハ
ーボート１上のの半導体ウェハー全体にＰ（リン）及び
Ｂ（ホウ素）の添加がなされてリフロー性の高い層間絶
縁膜の形成が行われている。
という）装置は、図２に示すようにウェハーボート１上
の半導体ウェハー全体をカバーするようガス噴出孔の設
けられたＰ（リン）を導入するためのＰＨ3 用石英管
（以下、インジェクタという）７及びＢ（ホウ素）を導
入するためのＴＭＢ（トリメメルボレート）用インジェ
クター８各１本を有している。次に動作について説明す
ると、インナー管２内をヒーター４にて５００〜６００
℃程度に加熱し、内圧を排気口６を通して真空ポンプに
より０．５〜２．０Ｔｏｒｒ程度とした後ＴＥＯＳ（テ
トラエチルオルソシリケート）導入管９及びＯ2 導入管
１０から導入されたＴＥＯＳ及びＯ2 ガスによりウェハ
ーボート１上の半導体ウェハーにＳｉＯ2 が形成され、
ＰＨ3 用インジェクーター７及びＴＭＢ用インジェクタ
ー８から導入されたＰＨ3 及びＴＭＢガスによりウェハ
ーボート１上のの半導体ウェハー全体にＰ（リン）及び
Ｂ（ホウ素）の添加がなされてリフロー性の高い層間絶
縁膜の形成が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＬＰＣＶＤ
装置では、ＰＨ3 ，ＴＭＢ等の不純物添加用ガスのイン
ジェクターは各１本であり等間隔のガス噴出孔が固定で
設けられていたため、インジェクターのガス噴出孔の状
態が変わった場合や、インジェクターの交換を行った場
合のウェハーボート上の半導体ウェハー間における不純
物濃度の均一性を得るためには、全体のガス流量を調節
するしかなく、非常に困難であった。従って、濃度の均
一性を出すためのパイロットが多くなり装置の稼働率が
低下するという問題点があった。
装置では、ＰＨ3 ，ＴＭＢ等の不純物添加用ガスのイン
ジェクターは各１本であり等間隔のガス噴出孔が固定で
設けられていたため、インジェクターのガス噴出孔の状
態が変わった場合や、インジェクターの交換を行った場
合のウェハーボート上の半導体ウェハー間における不純
物濃度の均一性を得るためには、全体のガス流量を調節
するしかなく、非常に困難であった。従って、濃度の均
一性を出すためのパイロットが多くなり装置の稼働率が
低下するという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＰＣＶＤ装置
は、ＰＨ3 ，ＴＭＢ等の不純物添加用ガスのインジェク
ターをそれぞれの不純物に対して複数有しており、各イ
ンジェクター毎にガス噴出孔の位置を違えてウェハーボ
ート全体をカバーする構造となっている。
は、ＰＨ3 ，ＴＭＢ等の不純物添加用ガスのインジェク
ターをそれぞれの不純物に対して複数有しており、各イ
ンジェクター毎にガス噴出孔の位置を違えてウェハーボ
ート全体をカバーする構造となっている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の縦型ＬＰＣＶＤ装置の断
面図である。
る。図１は本発明の一実施例の縦型ＬＰＣＶＤ装置の断
面図である。
【０００６】半導体ウェハーの載置されたウェハーボー
ト１はハッチ５によりインナー間２内に挿入される。こ
の後、ウェハーをヒーター４により５００〜６００℃程
度に加熱し、内圧をアウター間３の排気口６を通して真
空ポンプにより０．５〜２．０Ｔｏｒｒ程度とする。そ
れから、ＴＥＯＳ導入管９，Ｏ2 導入管１０，ＰＨ3用
インジュクター７，ＴＭＢ７用インジェクター８より２
００〜５００ＳＣＣＭのＴＥＯＳ，５０〜２．０Ｔｏｒ
ｒ程度とする。それから、ＴＥＯＳ導入管９，Ｏ2 ，５
００〜１０００ＳＣＣＭの４％ＰＨ3 ／Ｎ2 ，１０〜５
０ＳＣＣＭのＴＭＢを導入し、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）
を半導体ウェハー上に形成する。この時、ウェハーボー
ト１内の膜厚均一性は、ヒーター４の上，中，下の温度
を調節することによって均一性の調整を行い、ウェハー
ボート１内のＢ（ボロン），Ｐ（リン）濃度均一性につ
いては、ガス噴出孔の位置が上，中，下と違えてあるＰ
Ｈ3 用インジェクター７及びＴＭＢ用インジェクター８
の上，中，下の流量調節を行うことによってＢ，Ｐ濃度
均一性の調整を行う。
ト１はハッチ５によりインナー間２内に挿入される。こ
の後、ウェハーをヒーター４により５００〜６００℃程
度に加熱し、内圧をアウター間３の排気口６を通して真
空ポンプにより０．５〜２．０Ｔｏｒｒ程度とする。そ
れから、ＴＥＯＳ導入管９，Ｏ2 導入管１０，ＰＨ3用
インジュクター７，ＴＭＢ７用インジェクター８より２
００〜５００ＳＣＣＭのＴＥＯＳ，５０〜２．０Ｔｏｒ
ｒ程度とする。それから、ＴＥＯＳ導入管９，Ｏ2 ，５
００〜１０００ＳＣＣＭの４％ＰＨ3 ／Ｎ2 ，１０〜５
０ＳＣＣＭのＴＭＢを導入し、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）
を半導体ウェハー上に形成する。この時、ウェハーボー
ト１内の膜厚均一性は、ヒーター４の上，中，下の温度
を調節することによって均一性の調整を行い、ウェハー
ボート１内のＢ（ボロン），Ｐ（リン）濃度均一性につ
いては、ガス噴出孔の位置が上，中，下と違えてあるＰ
Ｈ3 用インジェクター７及びＴＭＢ用インジェクター８
の上，中，下の流量調節を行うことによってＢ，Ｐ濃度
均一性の調整を行う。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、不純物添
加用のインジェクターをガス噴出孔の位置を違えたもの
を複数設置してあるため、バッチ内の任意の位置につい
て流量調節が可能であり、不純物濃度のバッチ内の調整
を比較的簡単に行うことが出来、パイロットの回数を削
減し（従来は５〜１０回が、１〜２回となる）、装置の
稼働率の向上が出来る。
加用のインジェクターをガス噴出孔の位置を違えたもの
を複数設置してあるため、バッチ内の任意の位置につい
て流量調節が可能であり、不純物濃度のバッチ内の調整
を比較的簡単に行うことが出来、パイロットの回数を削
減し（従来は５〜１０回が、１〜２回となる）、装置の
稼働率の向上が出来る。
【図１】本発明の一実施例の縦型ＬＰＣＶＤ装置の断面
図。
図。
【図２】従来例の縦型ＬＰＶＤ装置の断面図である。
１ ウェハーボート ２ インナー管 ３ アウター管 ４ ヒーター ５ バッチ ６ 排気口 ７ ＰＨ3 用インジェクター ８ ＴＭＢ用インジェクター ９ ＴＥＯＳ導入管 １０ Ｏ2 導入管
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハーの半導体素子上に絶縁膜
を形成するバッチ式の減圧気相成長装置において、１種
類の不純物につき不純物添加のための導入用石英管を複
数本設け、該複数本の導入用石英管はたがいにガス噴出
位置が少しずつ異なっていることを特徴とする減圧気相
成長装置。 - 【請求項２】 不純物はリンとホウ素であり、このリン
とホウ素のそれぞれについて前記複数本の導入用石英管
が設けられている請求項１に記載の減圧気相成長装置。 - 【請求項３】 絶縁膜は層間絶縁膜である請求項１もし
くは請求項２に記載の減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194292A JPH05206106A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP194292A JPH05206106A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206106A true JPH05206106A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11515672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP194292A Withdrawn JPH05206106A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206106A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028409A (ja) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP2009200298A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2010062528A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8652258B2 (en) | 2006-11-10 | 2014-02-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate treatment device |
| JP2014123616A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP194292A patent/JPH05206106A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8652258B2 (en) | 2006-11-10 | 2014-02-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate treatment device |
| JP2008028409A (ja) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP4561793B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
| JP2009200298A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2010062528A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US10290494B2 (en) | 2008-08-06 | 2019-05-14 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and method of processing substrate |
| JP2014123616A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |