WO2024024544A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2024024544A1
WO2024024544A1 PCT/JP2023/026053 JP2023026053W WO2024024544A1 WO 2024024544 A1 WO2024024544 A1 WO 2024024544A1 JP 2023026053 W JP2023026053 W JP 2023026053W WO 2024024544 A1 WO2024024544 A1 WO 2024024544A1
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WO
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side wall
gas supply
inert gas
supply pipe
line
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PCT/JP2023/026053
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English (en)
French (fr)
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和也 ▲高▼橋
訓康 坂下
篤史 遠藤
淳也 小島
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東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • the present disclosure provides techniques for improving processing uniformity.
  • a substrate processing apparatus includes a processing container that accommodates a plurality of substrates arranged in multiple stages, and a processing container that extends along the arrangement direction of the plurality of substrates and supplies a processing gas into the processing container.
  • an active gas supply pipe, and the pair of inert gas supply pipes are configured to inject the inert gas toward the inner surface of the side wall of the processing container.
  • the uniformity of processing is improved.
  • FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the direction of gas holes.
  • FIG. 4 is a diagram showing horizontal gas flow.
  • FIG. 5 is a diagram showing horizontal gas flow.
  • FIG. 6 is a diagram showing horizontal gas flow.
  • FIG. 7 is a diagram showing the flow of gas in the vertical direction.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the direction of the gas holes.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the direction of gas holes.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating the direction of gas holes.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the direction of gas holes.
  • a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7.
  • the substrate processing apparatus 1 is a batch type apparatus that processes a plurality of (for example, 5 to 100) substrates W at once.
  • the substrate W may be, for example, a semiconductor wafer.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a processing container 10, a gas supply section 30, an exhaust section 40, a heating section 50, and a control section 90.
  • the inside of the processing container 10 can be depressurized.
  • the processing container 10 accommodates a plurality of substrates W arranged in multiple stages along the vertical direction.
  • the processing container 10 has an inner tube 11 and an outer tube 12.
  • the inner tube 11 has a cylindrical shape with a ceiling and an open lower end.
  • the outer tube 12 has a cylindrical shape with a ceiling that is open at the lower end and covers the outside of the inner tube 11 .
  • the inner tube 11 and the outer tube 12 have a coaxially arranged double tube structure.
  • the inner tube 11 and the outer tube 12 are made of quartz, for example.
  • the inner tube 11 has a first side wall 11a, a second side wall 11b, a third side wall 11c, and a fourth side wall 11d.
  • the first side wall 11a, the second side wall 11b, the third side wall 11c, and the fourth side wall 11d are formed integrally, for example.
  • the first side wall 11a extends along the circumferential direction of the substrate W.
  • the first side wall 11a has an arc shape in a horizontal cross section that is perpendicular to the arrangement direction of the plurality of substrates W.
  • a rectangular exhaust slit 15 is formed in a circumferential portion of the first side wall 11a along its longitudinal direction (vertical direction).
  • the gas in the inner tube 11 passes through the exhaust slit 15 and is discharged into the space P1 between the inner tube 11 and the outer tube 12.
  • the length of the exhaust slit 15 in the vertical direction is the same as the length of the boat 16 in the vertical direction, or is formed so as to extend in the vertical direction longer than the length of the boat 16 in the vertical direction.
  • the second side wall 11b is located further outward in the radial direction of the substrate W than the first side wall 11a, and extends along the circumferential direction of the substrate W.
  • the second side wall 11b is provided at a different position from the first side wall 11a in the circumferential direction of the substrate W.
  • the second side wall 11b has an arc shape in a horizontal cross section. In the horizontal cross section, the radius R2 of the arc of the second side wall 11b is larger than the radius R1 of the arc of the first side wall 11a.
  • the difference in length between radius R2 and radius R1 is, for example, larger than the diameter of each gas supply pipe (first inert gas supply pipe 31a, processing gas supply pipe 32a, second inert gas supply pipe 33a) described later. .
  • each gas supply pipe can be accommodated in a nozzle accommodating section 13, which will be described later. Therefore, since it is not necessary to provide a gas supply pipe between the first side wall 11a and the substrate W, the gap between the inner surface of the first side wall 11a and the outer end of the substrate W can be narrowed. As a result, it is possible to suppress the film thickness from increasing at the peripheral edge of the substrate W. Furthermore, since the volume inside the inner tube 11 is reduced, the amount of gas consumed can be reduced.
  • the length of the second side wall 11b in the circumferential direction is, for example, shorter than the length of the first side wall 11a in the circumferential direction.
  • the circumferential length of the second side wall 11b is determined, for example, according to the number of gas supply pipes accommodated in the nozzle accommodating portion 13.
  • the second side wall 11b is provided at a position facing the exhaust slit 15 across the center O of the inner tube 11 (substrate W).
  • the third side wall 11c connects one end of the first side wall 11a and one end of the second side wall 11b.
  • the third side wall 11c is continuous with one end of the first side wall 11a and one end of the second side wall 11b.
  • the angle ⁇ 1 between the second side wall 11b and the third side wall 11c may be, for example, an obtuse angle.
  • the inert gas injected from the first inert gas supply pipe 31a described later tends to form a flow along the inner surface of the first side wall 11a (flow along the circumferential direction of the substrate W).
  • the angle ⁇ 1 may be, for example, 100 degrees or more and 150 degrees or less.
  • the third side wall 11c can function as a rectifying plate toward the peripheral edge of the substrate W.
  • the inert gas injected from the first inert gas supply pipe 31a described later can be efficiently introduced in the circumferential direction of the substrate W, and the amount of inert gas used in a predetermined process can be reduced.
  • the angle ⁇ 1 may be, for example, 120 degrees or more and 130 degrees or less.
  • the third side wall 11c can further enhance the rectifying effect toward the peripheral edge of the substrate W.
  • the fourth side wall 11d connects the other end of the first side wall 11a and the other end of the second side wall 11b.
  • the fourth side wall 11d is continuous with the other end of the first side wall 11a and the other end of the second side wall 11b.
  • the angle ⁇ 2 between the second side wall 11b and the fourth side wall 11d may be, for example, an obtuse angle.
  • the inert gas injected from the second inert gas supply pipe 33a described later tends to form a flow along the inner surface of the first side wall 11a (flow along the circumferential direction of the substrate W).
  • the angle ⁇ 2 may be, for example, 100 degrees or more and 150 degrees or less.
  • the fourth side wall 11d can function as a rectifying plate toward the peripheral edge of the substrate W.
  • the inert gas injected from the second inert gas supply pipe 33a described later can be efficiently introduced in the circumferential direction of the substrate W, and the amount of inert gas used in a predetermined process can be reduced.
  • the angle ⁇ 2 may be more preferably, for example, 120 degrees or more and 130 degrees or less.
  • the fourth side wall 11d can further enhance the rectifying effect toward the peripheral edge of the substrate W.
  • the second side wall 11b, the third side wall 11c, and the fourth side wall 11d form a nozzle accommodating portion 13 that accommodates each gas supply pipe by protruding outward in the radial direction of the substrate W from the first side wall 11a. do.
  • Manifold 17 is made of stainless steel, for example.
  • a flange 18 is formed at the upper end of the manifold 17.
  • Flange 18 supports the lower end of outer tube 12.
  • a sealing member 19 such as an O-ring is provided between the flange 18 and the lower end of the outer tube 12. Thereby, the inside of the outer tube 12 is maintained airtight.
  • An annular support portion 20 is provided on the upper inner wall of the manifold 17.
  • the support part 20 supports the lower end of the inner tube 11.
  • a lid body 21 is airtightly attached to the opening at the lower end of the manifold 17 via a sealing member 22 such as an O-ring. Thereby, the opening at the lower end of the processing container 10, ie, the opening of the manifold 17, is airtightly closed.
  • the lid body 21 is made of stainless steel, for example.
  • a rotating shaft 24 is provided through the center of the lid 21 with a magnetic fluid seal 23 interposed therebetween.
  • the lower part of the rotating shaft 24 is rotatably supported by an arm 25A of a lifting mechanism 25 consisting of a boat elevator.
  • a rotating plate 26 is provided at the upper end of the rotating shaft 24.
  • a boat 16 that holds a substrate W is placed on the rotating plate 26 via a heat retaining table 27 made of quartz.
  • the boat 16 rotates by rotating the rotating shaft 24.
  • the boat 16 moves up and down integrally with the lid 21 by raising and lowering the lifting mechanism 25. Thereby, the boat 16 is inserted into and removed from the processing container 10.
  • the boat 16 can be accommodated within the processing container 10.
  • the boat 16 holds a plurality of substrates W substantially horizontally with intervals in the vertical direction.
  • the gas supply section 30 includes a first inert gas supply section 31 , a processing gas supply section 32 , and a second inert gas supply section 33 .
  • the first inert gas supply section 31 includes a first inert gas supply pipe 31 a inside the processing container 10 and a first inert gas supply path 31 b outside the processing container 10 .
  • the first inert gas supply path 31b is provided with a first inert gas source 31c, a mass flow controller 31d, and a valve 31e in this order from the upstream side to the downstream side in the gas flow direction. Thereby, the supply timing of the inert gas from the first inert gas source 31c is controlled by the valve 31e, and the flow rate is adjusted to a predetermined flow rate by the mass flow controller 31d.
  • the inert gas flows into the first inert gas supply pipe 31a from the first inert gas supply path 31b, and is injected into the processing container 10 from the first inert gas supply pipe 31a.
  • the inert gas is, for example, nitrogen (N 2 ) gas.
  • the inert gas may be, for example, argon (Ar) gas.
  • the processing gas supply unit 32 includes a processing gas supply pipe 32 a inside the processing container 10 and a processing gas supply path 32 b outside the processing container 10 .
  • the processing gas supply path 32b is provided with a processing gas source 32c, a mass flow controller 32d, and a valve 32e in this order from the upstream side to the downstream side in the gas flow direction.
  • the supply timing of the processing gas from the processing gas source 32c is controlled by the valve 32e, and the flow rate is adjusted to a predetermined flow rate by the mass flow controller 32d.
  • the processing gas flows into the processing gas supply pipe 32a from the processing gas supply path 32b, and is injected into the processing container 10 from the processing gas supply pipe 32a.
  • the processing gas is, for example, silicon source gas.
  • the processing gas may be, for example, a metal raw material gas.
  • the processing gas may be, for example, an oxidizing gas or a nitriding gas.
  • the second inert gas supply section 33 includes a second inert gas supply pipe 33a inside the processing container 10 and a second inert gas supply path 33b outside the processing container 10.
  • the second inert gas supply path 33b is provided with a second inert gas source 33c, a mass flow controller 33d, and a valve 33e in this order from the upstream side to the downstream side in the gas flow direction.
  • the supply timing of the inert gas from the second inert gas source 33c is controlled by the valve 33e, and the flow rate is adjusted to a predetermined flow rate by the mass flow controller 33d.
  • the inert gas flows into the second inert gas supply pipe 33a from the second inert gas supply path 33b, and is injected into the processing container 10 from the second inert gas supply pipe 33a.
  • the inert gas may be the same as the inert gas of the first inert gas source 31c, for example.
  • Each gas supply pipe (first inert gas supply pipe 31a, processing gas supply pipe 32a, second inert gas supply pipe 33a) is fixed to the manifold 17.
  • Each gas supply pipe is made of quartz, for example.
  • Each gas supply pipe extends linearly in the vicinity of the second side wall 11b in the nozzle accommodating portion 13 along the vertical direction, and is bent in an L-shape in the manifold 17 and extends in the horizontal direction. This is an L-shaped gas supply pipe that passes through the manifold 17.
  • the respective gas supply pipes are provided side by side along the circumferential direction of the substrate W at intervals, and are formed at the same height.
  • the first inert gas supply pipe 31a, the processing gas supply pipe 32a, and the second inert gas supply pipe 33a are provided in this order along the circumferential direction of the substrate W from near the exhaust port 41.
  • a pair of inert gas supply pipes (the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a) are provided along the circumferential direction of the substrate W at positions sandwiching the processing gas supply pipe 32a.
  • the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a are configured to inject inert gas toward the inner surface of the second side wall 11b, the third side wall 11c, or the fourth side wall 11d.
  • the inert gas bounces off the inner surface of the second side wall 11b, the third side wall 11c, or the fourth side wall 11d, thereby efficiently filling the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the first side wall 11a. is supplied. Therefore, the pressure in the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the first side wall 11a can be relatively increased by using a small flow rate of the inert gas, and it is possible to suppress the processing gas from flowing into the gap.
  • the first inert gas supply pipe 31a injects inert gas, for example, so that the inert gas is supplied into the inner pipe 11 along the inner surface of the third side wall 11c.
  • the second inert gas supply pipe 33a injects inert gas, for example, so that the inert gas is supplied into the inner tube 11 along the inner surface of the fourth side wall 11d.
  • the processing gas supply pipe 32a is configured to inject processing gas toward the inner surface of the second side wall 11b, for example.
  • the processing gas supply pipe 32a may be configured to directly inject the processing gas toward the center O of the substrate W, for example, without injecting the processing gas toward the second side wall 11b.
  • a plurality of gas holes 31f are provided at a portion of the first inert gas supply pipe 31a located inside the inner pipe 11.
  • a plurality of gas holes 32f are provided in a portion of the processing gas supply pipe 32a located inside the inner pipe 11.
  • a plurality of gas holes 33f are provided in a portion of the second inert gas supply pipe 33a located inside the inner tube 11.
  • Each gas hole (gas hole 31f, gas hole 32f, gas hole 33f) is provided at predetermined intervals along the extending direction of each gas supply pipe.
  • Each gas hole injects gas horizontally.
  • the distance between each gas hole is set to be the same as the distance between the substrates W held on the boat 16, for example.
  • the position of each gas hole in the height direction is set, for example, to the same position as each substrate W.
  • a half-line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a toward the outside in the radial direction of the substrate W is defined as a half-line L1.
  • a half line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a to the boundary between the second side wall 11b and the third side wall 11c is defined as a half line L2.
  • a half line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a to the boundary between the first side wall 11a and the third side wall 11c is defined as a half line L3.
  • each gas hole 31f is located in the second side wall 11b between the half straight line L1 and the half straight line L2 of the pipe wall (first pipe wall) of the first inert gas supply pipe 31a. (the side opposite to the substrate W side). That is, each gas hole 31f may be located in a region sandwiched between the half straight line L1 and the half straight line L2 in the tube wall (first tube wall) of the first inert gas supply tube 31a. Thereby, the first inert gas supply pipe 31a can inject the inert gas toward the region sandwiched between the half straight line L1 and the half straight line L2 of the second side wall 11b (solid line arrow in FIG. 4).
  • the inert gas injected from each gas hole 31f bounces off the inner surface of the second side wall 11b, thereby forming a gas flow F11 that flows along the inner surface of the third side wall 11c and the inner surface of the first side wall 11a. be able to.
  • the inert gas can be efficiently introduced to the periphery of the substrate W.
  • the concentration of the processing gas can be selectively diluted while optimizing the amount of inert gas used.
  • each gas hole 31f on the tube wall (first tube wall) is in the area sandwiched between the half straight line L1 and the half straight line L2
  • the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a F12 can be formed. Since the gas flow F12 can dilute the processing gas in the processing gas injection region, the processing gas concentration within the plane of the substrate W can be diluted as a whole. This makes it possible to gently adjust the in-plane film thickness distribution.
  • the gas flow F11 can be formed more actively, so that the substrate W can be efficiently
  • the concentration of process gas at the periphery can be selectively diluted.
  • the gas flow F12 can be formed more actively, which reduces the overall processing gas concentration.
  • the dilution effect can be enhanced.
  • the injected inert gas when injecting inert gas into a region between each gas hole 31f between half-line L1 and half-line L2, as shown in FIG. 7, the injected inert gas must also be diffused in the vertical direction. Can be done. By forming inert gas diffusion regions in the vertical direction (inter-plane direction) on both sides where the processing gas is injected in this way, inter-plane uniformity can also be improved.
  • FIG. 4 also shows a case where each gas hole 31f is located at an intersection with the half straight line L1 in the tube wall of the first inert gas supply pipe 31a (dashed line arrow in FIG. 4).
  • the inert gas injected from each gas hole 31f bounces off the inner surface of the second side wall 11b, thereby improving the diffusivity in the vertical direction. Therefore, uniformity of the processing across surfaces is improved.
  • each gas hole 31f may be located on the third side wall 11c between the half straight line L2 and the half straight line L3 in the tube wall of the first inert gas supply pipe 31a.
  • the inert gas injected from each gas hole 31f bounces off the inner surface of the third side wall 11c, thereby forming a gas flow F13 that flows along the inner surface of the third side wall 11c and the inner surface of the first side wall 11a.
  • almost no gas flow toward the processing gas supply pipe 32a is formed.
  • the gas flow F13 selectively dilutes the concentration of the processing gas at the periphery of the substrate W. Thereby, the in-plane distribution of processing can be sharply adjusted.
  • the inert gas injected from each gas hole 31f bounces off the inner surface of the third side wall 11c, thereby improving the diffusivity in the vertical direction. Therefore, uniformity of the processing across surfaces is improved.
  • each gas hole 31f may be located at the intersection with the half straight line L2 in the wall of the first inert gas supply pipe 31a. In this case, an intermediate effect between the case shown in FIG. 4 and the case shown in FIG. 5 is obtained.
  • a half-line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a toward the outside in the radial direction of the substrate W is defined as a half-line L4.
  • a half line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a to the boundary between the second side wall 11b and the fourth side wall 11d is defined as a half line L5.
  • a half line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a to the boundary between the first side wall 11a and the fourth side wall 11d is defined as a half line L6.
  • each gas hole 33f is located in the second side wall 11b between the half straight line L4 and the half straight line L5 of the pipe wall (second pipe wall) of the second inert gas supply pipe 33a. (the side opposite to the substrate W side). That is, each gas hole 33f may be located in a region sandwiched between the half straight line L4 and the half straight line L5 in the tube wall (second tube wall) of the second inert gas supply tube 33a. Thereby, the second inert gas supply pipe 33a can inject the inert gas toward the region sandwiched between the half straight line L4 and the half straight line L5 of the second side wall 11b (solid line arrow in FIG. 4).
  • the inert gas injected from each gas hole 33f bounces off the inner surface of the second side wall 11b, thereby forming a gas flow F21 that flows along the inner surface of the fourth side wall 11d and the inner surface of the first side wall 11a. be able to.
  • the inert gas can be efficiently introduced to the periphery of the substrate W.
  • the concentration of the processing gas can be selectively diluted while optimizing the amount of inert gas used.
  • each gas hole 33f on the tube wall (second tube wall) is in the area sandwiched between the half straight line L4 and the half straight line L5
  • the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a F22 can be formed. Since the gas flow F22 can dilute the processing gas in the processing gas injection region, the processing gas concentration within the plane of the substrate W can be diluted as a whole. This makes it possible to gently adjust the in-plane film thickness distribution.
  • the direction of gas injection from each gas hole 33f is set closer to the half-line L5 than the half-line L4, the flow of the gas flow F21 can be formed more actively, so that the substrate W can be efficiently
  • the concentration of process gas at the periphery can be selectively diluted.
  • the gas flow F22 can be formed more actively, which reduces the overall processing gas concentration.
  • the dilution effect can be enhanced.
  • the injected inert gas when injecting inert gas into a region between each gas hole 33f and half line L1 and half line L2, as shown in FIG. 7, the injected inert gas must also be diffused in the vertical direction. Can be done. By forming inert gas diffusion regions in the vertical direction (inter-plane direction) on both sides where the processing gas is injected in this way, inter-plane uniformity can also be improved.
  • FIG. 4 also shows a case where each gas hole 33f is located at an intersection with the half straight line L4 in the wall of the second inert gas supply pipe 33a (dashed line arrow in FIG. 4).
  • the inert gas injected from each gas hole 33f bounces off the inner surface of the second side wall 11b, thereby improving the diffusivity in the vertical direction. Therefore, uniformity of the processing across surfaces is improved.
  • each gas hole 33f may be located on the fourth side wall 11d between the half straight line L5 and the half straight line L6 in the tube wall of the second inert gas supply pipe 33a.
  • the inert gas injected from each gas hole 33f bounces off the inner surface of the fourth side wall 11d, thereby forming a gas flow F23 that flows along the inner surface of the fourth side wall 11d and the inner surface of the first side wall 11a.
  • almost no gas flow toward the processing gas supply pipe 32a is formed.
  • the gas flow F23 selectively dilutes the concentration of the processing gas at the peripheral edge of the substrate W. Thereby, the in-plane distribution of processing can be sharply adjusted.
  • the inert gas injected from each gas hole 33f bounces off the inner surface of the fourth side wall 11d, thereby improving the diffusivity in the vertical direction. Therefore, uniformity of the processing across surfaces is improved.
  • each gas hole 33f may be located at the intersection with the half straight line L5 in the wall of the second inert gas supply pipe 33a. In this case, an intermediate effect between the case shown in FIG. 4 and the case shown in FIG. 5 is obtained.
  • FIGS. 4 to 6 when the processing gas is injected from each gas hole 32f toward the inner surface of the second side wall 11b, the diffusion range of the gas immediately after being injected from each gas hole 31f, 32f, and 33f is shown. are indicated by areas A11, A12, and A13, respectively.
  • the gas supply unit 30 may mix multiple types of gas and inject the mixed gas from one supply pipe.
  • Each gas supply pipe (first inert gas supply pipe 31a, processing gas supply pipe 32a, second inert gas supply pipe 33a) may have a mutually different shape or arrangement.
  • one or both of the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a is a folded type in which the lower part is bent in an L shape, and the upper part is folded back in a U shape and extends downward. It may be a gas supply pipe.
  • the processing gas supply pipe 32a may be a folded gas supply pipe.
  • the gas supply section 30 may further include another gas supply pipe in addition to the first inert gas supply pipe 31a, the processing gas supply pipe 32a, and the second inert gas supply pipe 33a.
  • a plurality of processing gas supply pipes may be provided between the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a.
  • the plurality of processing gas supply pipes may be gas supply pipes that supply the same processing gas, or may be gas supply pipes that supply different processing gases.
  • one or more inert gas supply pipes may be further provided between the first inert gas supply pipe 31a and the processing gas supply pipe 32a.
  • one or more inert gas supply pipes may be further provided between the processing gas supply pipe 32a and the second inert gas supply pipe 33a.
  • the exhaust part 40 is exhausted from the inner tube 11 through the exhaust slit 15, and reaches the exhaust port 41 through the space P1 between the inner tube 11 and the outer tube 12. Exhaust the gas.
  • the exhaust port 41 is formed in the upper side wall of the manifold 17 and above the support portion 20 .
  • An exhaust passage 42 is connected to the exhaust port 41 .
  • a pressure regulating valve 43 and a vacuum pump 44 are sequentially provided in the exhaust passage 42 so that the inside of the processing container 10 can be evacuated.
  • the heating section 50 is provided around the outer tube 12.
  • the heating unit 50 is provided, for example, on the base plate 28.
  • the heating unit 50 has a cylindrical shape so as to cover the outer tube 12.
  • the heating unit 50 includes, for example, a heater, and heats each substrate W in the processing container 10.
  • the control unit 90 processes a plurality of substrates W housed in the processing container 10 at once by controlling the operation of each part of the substrate processing apparatus 1.
  • the control unit 90 may be, for example, a computer.
  • a computer program for operating each part of the substrate processing apparatus 1 is stored in a storage medium.
  • the storage medium may be, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a flash memory, a DVD, or the like.
  • the substrate processing method according to the embodiment is performed by the control section 90 controlling the operation of each section of the substrate processing apparatus 1.
  • the boat 16 holding a plurality of substrates W is raised and carried into the processing container 10 whose temperature has been adjusted to a predetermined temperature from below, and the opening at the lower end of the processing container 10 is closed with the lid body 21.
  • the inside of the processing container 10 is sealed.
  • the exhaust section 40 evacuates the inside of the processing container 10 to maintain the process pressure
  • the heating section 50 raises the substrate temperature and maintains it at the process temperature
  • the rotation shaft 24 rotates the boat 16.
  • control unit 90 injects the processing gas into the processing container 10 from the processing gas supply pipe 32a, while injecting the processing gas from the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a to the second side wall 11b and the second side wall 11b.
  • Inert gas is injected toward the inner surface of the third side wall 11c or the fourth side wall 11d.
  • each substrate W is processed at once.
  • the inert gas flows along the third side wall 11c or the fourth side wall 11d, so that the inert gas is efficiently supplied to the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the first side wall 11a.
  • the pressure in the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the first side wall 11a can be relatively increased by using a small flow rate of the inert gas, and it is possible to suppress the processing gas from flowing into the gap.
  • the pressure in the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the first side wall 11a can be relatively increased by using a small flow rate of the inert gas, and it is possible to suppress the processing gas from flowing into the gap.
  • the flow rate of the inert gas injected from the first inert gas supply pipe 31a may be smaller than the flow rate of the processing gas injected from the processing gas supply pipe 32a, for example.
  • the flow rate of the inert gas injected from the second inert gas supply pipe 33a may be smaller than the flow rate of the processing gas injected from the processing gas supply pipe 32a, for example. That is, according to the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, due to the inert gas rectification effect of the third side wall 11c or the fourth side wall 11d, the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a are The flow rate of each inert gas can be set lower than the process gas flow rate.
  • the pressure inside the processing container 10 is increased to atmospheric pressure, and the temperature inside the processing container 10 is lowered to an unloading temperature, and then the boat 16 holding the plurality of processed substrates W is unloaded from the inside of the processing container 10. .
  • a substrate processing apparatus 1X according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 12.
  • the substrate processing apparatus 1X differs from the substrate processing apparatus 1 in that it does not have a nozzle housing section 13. Note that the other configurations may be the same as the substrate processing apparatus 1. Hereinafter, the differences from the substrate processing apparatus 1 will be mainly explained.
  • the substrate processing apparatus 1X includes a processing container 10X having an inner tube 11X and an outer tube 12 instead of the processing container 10.
  • the inner tube 11X has a fifth side wall 11e.
  • the fifth side wall 11e extends along the circumferential direction of the substrate W.
  • the fifth side wall 11e has a cylindrical shape.
  • a rectangular exhaust slit 15 is formed in a part of the fifth side wall 11e in the circumferential direction along the longitudinal direction (vertical direction).
  • the radius R1X of the fifth side wall 11e is larger than the radius R1 of the arc of the first side wall 11a of the substrate processing apparatus 1.
  • the first inert gas supply pipe 31a and the second inert gas supply pipe 33a are each configured to inject inert gas toward the inner surface of the fifth side wall 11e.
  • the inert gas bounces off the inner surface of the fifth side wall 11e, so that the inert gas is efficiently supplied to the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the fifth side wall 11e. Therefore, the pressure in the gap between the outer end of the substrate W and the inner surface of the fifth side wall 11e can be relatively increased by using a small flow rate of the inert gas, and it is possible to suppress the processing gas from flowing into the gap.
  • the inert gas injected from each gas hole 31f and each gas hole 33f bounces off the inner surface of the fifth side wall 11e, causing a gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e. , and a gas flow toward the processing gas supply pipe 32a.
  • the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e selectively dilutes the concentration of the processing gas at the peripheral edge of the substrate W.
  • the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a dilutes the overall concentration of the processing gas within the plane of the substrate W.
  • a half-line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a toward the outside in the radial direction of the substrate W is defined as a half-line L7.
  • a half line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a to the center of the processing gas supply pipe 32a is defined as a half line L8.
  • a half line extending from the center of the first inert gas supply pipe 31a perpendicular to the half line L7 and toward the side opposite to the processing gas supply pipe 32a is defined as a half line L9.
  • each gas hole 31f is located on the side of the fifth side wall 11e (substrate It may be located on the side opposite to the W side). That is, each gas hole 31f may be located in a region sandwiched between the half straight line L7 and the half straight line L8 in the tube wall (first tube wall) of the first inert gas supply tube 31a.
  • the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a becomes larger than the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e. Therefore, the in-plane distribution of processing can be adjusted gently.
  • each gas hole 31f is located on the side of the fifth side wall 11e between the half line L7 and the half line L9 (substrate W may be located on the opposite side). That is, each gas hole 31f may be located in a region sandwiched between the half straight line L7 and the half straight line L9 in the tube wall (first tube wall) of the first inert gas supply tube 31a.
  • the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e becomes larger than the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a. Therefore, the in-plane distribution of processing can be sharply adjusted. Therefore, it is particularly effective when it is desired to suppress the film thickness from increasing at the peripheral edge of the substrate W.
  • each gas hole 31f may be located at the intersection with the half straight line L7 in the wall of the first inert gas supply pipe 31a.
  • the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e and the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a are approximately the same. Therefore, an intermediate effect between the case shown in FIG. 10 and the case shown in FIG. 11 can be obtained.
  • a half-line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a toward the outside in the radial direction of the substrate W is defined as a half-line L10.
  • a half line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a to the center of the processing gas supply pipe 32a is defined as a half line L11.
  • a half line extending from the center of the second inert gas supply pipe 33a perpendicular to the half line L10 and toward the opposite side from the processing gas supply pipe 32a is defined as a half line L12.
  • each gas hole 33f is located on the side of the fifth side wall 11e (substrate It may be located on the side opposite to the W side). That is, each gas hole 33f may be located in a region sandwiched between the half straight line L10 and the half straight line L11 in the tube wall (second tube wall) of the second inert gas supply tube 33a.
  • the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a becomes larger than the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e. Therefore, the in-plane distribution of processing can be adjusted gently.
  • each gas hole 33f is located on the side of the fifth side wall 11e between the half line L10 and the half line L12 (substrate W may be located on the opposite side). That is, each gas hole 33f may be located in a region sandwiched between the half straight line L10 and the half straight line L12 in the tube wall (second tube wall) of the second inert gas supply tube 33a.
  • the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e becomes larger than the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a.
  • the in-plane distribution of processing can be sharply adjusted. Therefore, it is particularly effective when it is desired to suppress the film thickness from increasing at the peripheral edge of the substrate W.
  • each gas hole 33f may be located at an intersection with the half straight line L10 in the tube wall of the second inert gas supply tube 33a.
  • the gas flow in the direction away from the processing gas supply pipe 32a along the inner surface of the fifth side wall 11e and the gas flow toward the processing gas supply pipe 32a are approximately the same. Therefore, an intermediate effect between the case shown in FIG. 10 and the case shown in FIG. 11 can be obtained.
  • FIGS. 10 to 12 show an example in which the processing gas is injected from each gas hole 32f toward the inner surface of the fifth side wall 11e.
  • the present invention is not limited thereto, and the processing gas supply pipe 32a may be configured to directly inject the processing gas toward the center O of the substrate W, for example, without injecting the processing gas toward the fifth side wall 11e.

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Abstract

本開示の一態様による基板処理装置は、多段に配列された複数の基板を収容する処理容器と、前記複数の基板の配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、前記基板の周方向に沿って前記処理ガス供給管を挟む位置に設けられると共に前記配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給管と、を備え、前記一対の不活性ガス供給管は、前記処理容器の側壁の内面に向けて前記不活性ガスを噴射するよう構成される。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　縦型の熱処理装置において、基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように一対の不活性ガス供給ノズルを配置した技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００９－２０６４８９号公報
　本開示は、処理の均一性を向上させる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理装置は、多段に配列された複数の基板を収容する処理容器と、前記複数の基板の配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、前記基板の周方向に沿って前記処理ガス供給管を挟む位置に設けられると共に前記配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給管と、を備え、前記一対の不活性ガス供給管は、前記処理容器の側壁の内面に向けて前記不活性ガスを噴射するよう構成される。
　本開示によれば、処理の均一性を向上させる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置を示す横断面図である。 図３は、ガス孔の向きを説明する図である。 図４は、水平方向のガスの流れを示す図である。 図５は、水平方向のガスの流れを示す図である。 図６は、水平方向のガスの流れを示す図である。 図７は、鉛直方向のガスの流れを示す図である。 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置を示す横断面図である。 図９は、ガス孔の向きを説明する図である。 図１０は、ガス孔の向きを説明する図である。 図１１は、ガス孔の向きを説明する図である。 図１２は、ガス孔の向きを説明する図である。
　以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
　〔第１実施形態〕
　図１～図７を参照し、第１実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１に示されるように、基板処理装置１は、複数（例えば５枚～１００枚）の基板Ｗに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハであってよい。
　基板処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、排気部４０と、加熱部５０と、制御部９０とを備える。
　処理容器１０は、内部が減圧可能である。処理容器１０は、鉛直方向に沿って多段に配列された複数の基板Ｗを収容する。処理容器１０は、内管１１と、外管１２とを有する。内管１１は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。外管１２は、下端が開放されて内管１１の外側を覆う有天井の円筒形状を有する。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置された２重管構造を有する。内管１１及び外管１２は、例えば石英により形成される。
　内管１１は、図２に示されるように、第１側壁１１ａと、第２側壁１１ｂと、第３側壁１１ｃと、第４側壁１１ｄとを有する。第１側壁１１ａ、第２側壁１１ｂ、第３側壁１１ｃ及び第４側壁１１ｄは、例えば一体として形成される。
　第１側壁１１ａは、基板Ｗの周方向に沿って延在する。第１側壁１１ａは、複数の基板Ｗの配列方向と直交する断面である水平断面において円弧形状を有する。第１側壁１１ａの周方向の一部には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の排気スリット１５が形成される。内管１１内のガスは、排気スリット１５を通って内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１に排出される。排気スリット１５の上下方向の長さは、ボート１６の上下方向の長さと同じであるか、又は、ボート１６の上下方向の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成される。
　第２側壁１１ｂは、第１側壁１１ａよりも基板Ｗの半径方向の外方に位置し、基板Ｗの周方向に沿って延在する。第２側壁１１ｂは、基板Ｗの周方向において第１側壁１１ａと異なる位置に設けられる。第２側壁１１ｂは、水平断面において円弧形状を有する。水平断面において、第２側壁１１ｂの円弧の半径Ｒ２は第１側壁１１ａの円弧の半径Ｒ１よりも大きい。半径Ｒ２と半径Ｒ１との長さの差は、例えば後述する各ガス供給管（第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ、第２不活性ガス供給管３３ａ）の直径よりも大きい。この場合、後述するノズル収容部１３内に各ガス供給管を収容できる。このため、第１側壁１１ａと基板Ｗとの間にガス供給管を設けなくてよいので、第１側壁１１ａの内面と基板Ｗの外端との隙間を狭くできる。その結果、基板Ｗの周縁部で膜厚が厚くなることを抑制できる。また、内管１１内の容積が小さくなるので、ガスの消費量を低減できる。第２側壁１１ｂの周方向の長さは、例えば第１側壁１１ａの周方向の長さよりも短い。第２側壁１１ｂの周方向の長さは、例えばノズル収容部１３に収容されるガス供給管の本数に応じて定められる。第２側壁１１ｂは、内管１１（基板Ｗ）の中心Ｏを挟んで排気スリット１５と対向する位置に設けられる。
　第３側壁１１ｃは、第１側壁１１ａの一端と第２側壁１１ｂの一端とを連結する。第３側壁１１ｃは、第１側壁１１ａの一端及び第２側壁１１ｂの一端と連なる。図３に示されるように、第２側壁１１ｂと第３側壁１１ｃとのなす角度θ１は、例えば鈍角であってよい。この場合、後述する第１不活性ガス供給管３１ａから噴射される不活性ガスが第１側壁１１ａの内面に沿った流れ（基板Ｗの周方向に沿った流れ）を形成しやすい。角度θ１は、例えば１００度以上１５０度以下であってよい。この場合、第３側壁１１ｃは基板Ｗの周縁方向への整流板として機能することができる。その結果、後述する第１不活性ガス供給管３１ａから噴射される不活性ガスを基板Ｗの周方向に効率的に導入し、所定プロセスにおける不活性ガス使用量の低減を図ることができる。
　角度θ１は、より好ましくは、例えば１２０度以上１３０度以下であってよい。この場合、第３側壁１１ｃは基板Ｗの周縁方向への整流効果をより高めることができる。
　第４側壁１１ｄは、第１側壁１１ａの他端と第２側壁１１ｂの他端とを連結する。第４側壁１１ｄは、第１側壁１１ａの他端及び第２側壁１１ｂの他端と連なる。図３に示されるように、第２側壁１１ｂと第４側壁１１ｄとのなす角度θ２は、例えば鈍角であってよい。この場合、後述する第２不活性ガス供給管３３ａから噴射される不活性ガスが第１側壁１１ａの内面に沿った流れ（基板Ｗの周方向に沿った流れ）を形成しやすい。角度θ２は、例えば１００度以上１５０度以下であってよい。この場合、第４側壁１１ｄは基板Ｗの周縁方向への整流板として機能することができる。その結果、後述する第２不活性ガス供給管３３ａから噴射される不活性ガスを基板Ｗの周方向に効率的に導入し、所定プロセスにおける不活性ガス使用量の低減を図ることができる。
　角度θ２は、より好ましくは、例えば１２０度以上１３０度以下であってよい。この場合、第４側壁１１ｄは基板Ｗの周縁方向への整流効果をより高めることができる。
　第２側壁１１ｂ、第３側壁１１ｃ及び第４側壁１１ｄは、第１側壁１１ａから基板Ｗの半径方向の外方に向けて張り出すことにより、各ガス供給管を収容するノズル収容部１３を形成する。
　処理容器１０の下端は、円筒形状のマニホールド１７によって支持される。マニホールド１７は、例えばステンレス鋼により形成される。マニホールド１７の上端には、フランジ１８が形成される。フランジ１８は、外管１２の下端を支持する。フランジ１８と外管１２との下端との間には、Ｏリング等のシール部材１９が設けられる。これにより、外管１２内が気密に維持される。
　マニホールド１７の上部の内壁には、円環状の支持部２０が設けられる。支持部２０は、内管１１の下端を支持する。マニホールド１７の下端の開口には、蓋体２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられる。これにより、処理容器１０の下端の開口、すなわち、マニホールド１７の開口が気密に塞がれる。蓋体２１は、例えばステンレス鋼により形成される。
　蓋体２１の中心部には、磁性流体シール２３を介して回転軸２４が貫通させて設けられる。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構２５のアーム２５Ａに回転自在に支持される。
　回転軸２４の上端には、回転プレート２６が設けられる。回転プレート２６上には、石英製の保温台２７を介して基板Ｗを保持するボート１６が載置される。ボート１６は、回転軸２４を回転させることにより回転する。ボート１６は、昇降機構２５を昇降させることにより蓋体２１と一体として上下動する。これにより、ボート１６は処理容器１０内に対して挿脱される。ボート１６は、処理容器１０内に収容可能である。ボート１６は、複数の基板Ｗを上下方向に間隔を有して略水平に保持する。
　ガス供給部３０は、第１不活性ガス供給部３１と、処理ガス供給部３２と、第２不活性ガス供給部３３とを含む。
　第１不活性ガス供給部３１は、処理容器１０内に第１不活性ガス供給管３１ａを備えると共に、処理容器１０の外部に第１不活性ガス供給経路３１ｂを備える。第１不活性ガス供給経路３１ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、第１不活性ガス源３１ｃ、マスフローコントローラ３１ｄ、バルブ３１ｅが設けられる。これにより、第１不活性ガス源３１ｃの不活性ガスは、バルブ３１ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３１ｄにより所定の流量に調整される。不活性ガスは、第１不活性ガス供給経路３１ｂから第１不活性ガス供給管３１ａに流入して、第１不活性ガス供給管３１ａから処理容器１０内に噴射される。不活性ガスは、例えば窒素（Ｎ２）ガスである。不活性ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスであってもよい。
　処理ガス供給部３２は、処理容器１０内に処理ガス供給管３２ａを備えると共に、処理容器１０の外部に処理ガス供給経路３２ｂを備える。処理ガス供給経路３２ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、処理ガス源３２ｃ、マスフローコントローラ３２ｄ、バルブ３２ｅが設けられる。これにより、処理ガス源３２ｃの処理ガスは、バルブ３２ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３２ｄにより所定の流量に調整される。処理ガスは、処理ガス供給経路３２ｂから処理ガス供給管３２ａに流入して、処理ガス供給管３２ａから処理容器１０内に噴射される。処理ガスは、例えばシリコン原料ガスである。処理ガスは、例えば金属原料ガスであってもよい。処理ガスは、例えば酸化ガス、窒化ガスであってもよい。
　第２不活性ガス供給部３３は、処理容器１０内に第２不活性ガス供給管３３ａを備えると共に、処理容器１０の外部に第２不活性ガス供給経路３３ｂを備える。第２不活性ガス供給経路３３ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、第２不活性ガス源３３ｃ、マスフローコントローラ３３ｄ、バルブ３３ｅが設けられる。これにより、第２不活性ガス源３３ｃの不活性ガスは、バルブ３３ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３３ｄにより所定の流量に調整される。不活性ガスは、第２不活性ガス供給経路３３ｂから第２不活性ガス供給管３３ａに流入して、第２不活性ガス供給管３３ａから処理容器１０内に噴射される。不活性ガスは、例えば第１不活性ガス源３１ｃの不活性ガスと同じであってよい。
　各ガス供給管（第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ、第２不活性ガス供給管３３ａ）は、マニホールド１７に固定される。各ガス供給管は、例えば石英により形成される。各ガス供給管は、ノズル収容部１３において第２側壁１１ｂの近傍位置を鉛直方向に沿って直線状に延在すると共に、マニホールド１７内においてＬ字状に屈曲して水平方向に延在することでマニホールド１７を貫通するＬ字型のガス供給管である。各ガス供給管同士は、基板Ｗの周方向に沿って間隔をあけて並んで設けられ、互いに同じ高さに形成される。
　第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａは、基板Ｗの周方向に沿って排気ポート４１の近くからこの順に設けられる。一対の不活性ガス供給管（第１不活性ガス供給管３１ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａ）は、基板Ｗの周方向に沿って処理ガス供給管３２ａを挟む位置に設けられる。第１不活性ガス供給管３１ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａは、第２側壁１１ｂ、第３側壁１１ｃ又は第４側壁１１ｄの内面に向けて不活性ガスを噴射するように構成される。この場合、不活性ガスが第２側壁１１ｂ、第３側壁１１ｃ又は第４側壁１１ｄの内面で跳ね返ることで、基板Ｗの外端と第１側壁１１ａの内面との隙間に効率的に不活性ガスが供給される。このため、少ない流量の不活性ガスにより基板Ｗの外端と第１側壁１１ａの内面との隙間の圧力を相対的に高くでき、該隙間に処理ガスが流れ込むことを抑制できる。その結果、不活性ガスの使用量を低減することによって環境負荷を低減しつつ、各基板Ｗの中心付近への処理ガスの供給を促進して各基板Ｗの周縁部と中心部とにおける処理ガスの供給量の差を小さくできる。結果として、処理の面内均一性が向上する。
　第１不活性ガス供給管３１ａは、例えば不活性ガスが第３側壁１１ｃの内面に沿って内管１１内に供給されるように不活性ガスを噴射する。第２不活性ガス供給管３３ａは、例えば不活性ガスが第４側壁１１ｄの内面に沿って内管１１内に供給されるように不活性ガスを噴射する。処理ガス供給管３２ａは、例えば第２側壁１１ｂの内面に向けて処理ガスを噴射するように構成される。処理ガス供給管３２ａは、第２側壁１１ｂ側に処理ガスを噴射せず、例えば基板Ｗの中心Ｏに向けて処理ガスを直接噴射するように構成されてもよい。
　第１不活性ガス供給管３１ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のガス孔３１ｆ（第１ガス孔）が設けられる。処理ガス供給管３２ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のガス孔３２ｆが設けられる。第２不活性ガス供給管３３ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のガス孔３３ｆ（第２ガス孔）が設けられる。各ガス孔（ガス孔３１ｆ、ガス孔３２ｆ、ガス孔３３ｆ）は、それぞれのガス供給管の延在方向に沿って所定の間隔ごとに設けられる。各ガス孔は、水平方向に向けてガスを噴射する。各ガス孔同士の間隔は、例えばボート１６に保持される基板Ｗの間隔と同じに設定される。各ガス孔の高さ方向の位置は、例えば各基板Ｗと同じ位置に設定される。
　図３に示されるように、第１不活性ガス供給管３１ａの中心から基板Ｗの半径方向の外方に向かう半直線を半直線Ｌ１とする。第１不活性ガス供給管３１ａの中心から第２側壁１１ｂと第３側壁１１ｃとの境界に向かう半直線を半直線Ｌ２とする。第１不活性ガス供給管３１ａの中心から第１側壁１１ａと第３側壁１１ｃとの境界に向かう半直線を半直線Ｌ３とする。
　図４に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁（第１管壁）のうち、半直線Ｌ１と半直線Ｌ２との間の第２側壁１１ｂの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁（第１管壁）のうち、半直線Ｌ１と半直線Ｌ２とに挟まれる領域に位置してよい。これにより、第１不活性ガス供給管３１ａは第２側壁１１ｂの半直線Ｌ１と半直線Ｌ２とに挟まれる領域に向けて不活性ガスを噴射することができる（図４の実線矢印）。この場合、各ガス孔３１ｆから噴射される不活性ガスは、第２側壁１１ｂの内面で跳ね返ることで、第３側壁１１ｃの内面及び第１側壁１１ａの内面に沿って流れるガス流Ｆ１１を形成することができる。
　ガス流Ｆ１１は、基板Ｗ周縁方向への整流効果を備える第３側壁１１ｃに沿って流れるため、基板Ｗの周縁部に対して不活性ガスを効率的に導入することができる。その結果、不活性ガスの使用量を最適化しつつ、処理ガスの濃度を選択的に希釈することができる。
　また、各ガス孔３１ｆの管壁（第１管壁）における配置を、半直線Ｌ１と半直線Ｌ２とに挟まれる領域とした場合、ガス流Ｆ１１に加えて処理ガス供給管３２ａに向かうガス流Ｆ１２を形成することができる。ガス流Ｆ１２は、処理ガス噴射領域で処理ガスを希釈することができるため、基板Ｗの面内における処理ガス濃度を全体的に希釈することができる。これにより、膜厚面内分布を緩やかに調整することが可能となる。
　ここで、各ガス孔３１ｆからのガスの噴射方向を半直線Ｌ１よりも半直線Ｌ２側とした場合、より積極的にガス流Ｆ１１の流れを形成することができるため、効率的に基板Ｗの周縁部における処理ガスの濃度を選択的に希釈することができる。
　また、各ガス孔３１ｆからのガスの噴射方向を半直線Ｌ２よりも半直線Ｌ１側とした場合、より積極的にガス流Ｆ１２の流れを形成することができるため、処理ガス濃度の全体的な希釈効果を高めることができる。
　加えて、各ガス孔３１ｆが半直線Ｌ１と半直線Ｌ２とに挟まれる領域に不活性ガスを噴射する場合、図７に示されるように、噴射される不活性ガスを鉛直方向でも拡散させることができる。このように処理ガスが噴射される両サイドにおいて鉛直方向（面間方向）での不活性ガスの拡散領域を形成することにより、面間均一性も向上させることができる。
　なお、図４では、各ガス孔３１ｆが第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ１との交点に位置する場合も示す（図４の破線矢印）。この場合、図７に示されるように、各ガス孔３１ｆから噴射される不活性ガスは、第２側壁１１ｂの内面で跳ね返ることで、鉛直方向での拡散性が向上する。このため、処理の面間均一性が向上する。
　図５に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ２と半直線Ｌ３との間の第３側壁１１ｃの側に位置してよい。この場合、各ガス孔３１ｆから噴射される不活性ガスは、第３側壁１１ｃの内面で跳ね返ることで、第３側壁１１ｃの内面及び第１側壁１１ａの内面に沿って流れるガス流Ｆ１３を形成する。一方、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流はほとんど形成されない。ガス流Ｆ１３は、基板Ｗの周縁部における処理ガスの濃度を選択的に希釈する。これにより、処理の面内分布を急峻に調整できる。このため、基板Ｗの周縁部の膜厚が厚くなることを抑制したい場合に特に有効である。また、図７に示されるように、各ガス孔３１ｆから噴射される不活性ガスは、第３側壁１１ｃの内面で跳ね返ることで、鉛直方向での拡散性が向上する。このため、処理の面間均一性が向上する。
　図６に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ２との交点に位置してよい。この場合、図４に示される場合と図５に示される場合の中間の効果が得られる。
　図３に示されるように、第２不活性ガス供給管３３ａの中心から基板Ｗの半径方向の外方に向かう半直線を半直線Ｌ４とする。第２不活性ガス供給管３３ａの中心から第２側壁１１ｂと第４側壁１１ｄとの境界に向かう半直線を半直線Ｌ５とする。第２不活性ガス供給管３３ａの中心から第１側壁１１ａと第４側壁１１ｄとの境界に向かう半直線を半直線Ｌ６とする。
　図４に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁（第２管壁）のうち、半直線Ｌ４と半直線Ｌ５との間の第２側壁１１ｂの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁（第２管壁）のうち、半直線Ｌ４と半直線Ｌ５とに挟まれる領域に位置してよい。これにより、第２不活性ガス供給管３３ａは第２側壁１１ｂの半直線Ｌ４と半直線Ｌ５とに挟まれる領域に向けて不活性ガスを噴射することができる（図４の実線矢印）。この場合、各ガス孔３３ｆから噴射される不活性ガスは、第２側壁１１ｂの内面で跳ね返ることで、第４側壁１１ｄの内面及び第１側壁１１ａの内面に沿って流れるガス流Ｆ２１を形成することができる。
　ガス流Ｆ２１は、基板Ｗ周縁方向への整流効果を備える第４側壁１１ｄに沿って流れるため、基板Ｗの周縁部に対して不活性ガスを効率的に導入することができる。その結果、不活性ガスの使用量を最適化しつつ、処理ガスの濃度を選択的に希釈することができる。
　また、各ガス孔３３ｆの管壁（第２管壁）における配置を、半直線Ｌ４と半直線Ｌ５とに挟まれる領域とした場合、ガス流Ｆ２１に加えて処理ガス供給管３２ａに向かうガス流Ｆ２２を形成することができる。ガス流Ｆ２２は、処理ガス噴射領域で処理ガスを希釈することができるため、基板Ｗの面内における処理ガス濃度を全体的に希釈することができる。これにより、膜厚面内分布を緩やかに調整することが可能となる。
　ここで、各ガス孔３３ｆからのガスの噴射方向を半直線Ｌ４よりも半直線Ｌ５側とした場合、より積極的にガス流Ｆ２１の流れを形成することができるため、効率的に基板Ｗの周縁部における処理ガスの濃度を選択的に希釈することができる。
　また、各ガス孔３３ｆからのガスの噴射方向を半直線Ｌ５よりも半直線Ｌ４側とした場合、より積極的にガス流Ｆ２２の流れを形成することができるため、処理ガス濃度の全体的な希釈効果を高めることができる。
　加えて、各ガス孔３３ｆが半直線Ｌ１と半直線Ｌ２とに挟まれる領域に不活性ガスを噴射する場合、図７に示されるように、噴射される不活性ガスを鉛直方向でも拡散させることができる。このように処理ガスが噴射される両サイドにおいて鉛直方向（面間方向）での不活性ガスの拡散領域を形成することにより、面間均一性も向上させることができる。
　なお、図４では、各ガス孔３３ｆが第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ４との交点に位置する場合も示す（図４の破線矢印）。この場合、図７に示されるように、各ガス孔３３ｆから噴射される不活性ガスは、第２側壁１１ｂの内面で跳ね返ることで、鉛直方向での拡散性が向上する。このため、処理の面間均一性が向上する。
　図５に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ５と半直線Ｌ６との間の第４側壁１１ｄの側に位置してよい。この場合、各ガス孔３３ｆから噴射される不活性ガスは、第４側壁１１ｄの内面で跳ね返ることで、第４側壁１１ｄの内面及び第１側壁１１ａの内面に沿って流れるガス流Ｆ２３を形成する。一方、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流はほとんど形成されない。ガス流Ｆ２３は、基板Ｗの周縁部における処理ガスの濃度を選択的に希釈する。これにより、処理の面内分布を急峻に調整できる。このため、基板Ｗの周縁部の膜厚が厚くなることを抑制したい場合に特に有効である。図７に示されるように、各ガス孔３３ｆから噴射される不活性ガスは、第４側壁１１ｄの内面で跳ね返ることで、鉛直方向での拡散性が向上する。このため、処理の面間均一性が向上する。
　図６に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ５との交点に位置してよい。この場合、図４に示される場合と図５に示される場合の中間の効果が得られる。
　なお、図４～図６では、各ガス孔３２ｆから第２側壁１１ｂの内面に向けて処理ガスが噴射される場合において、各ガス孔３１ｆ，３２ｆ，３３ｆから噴射された直後のガスの拡散範囲をそれぞれ領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３で示す。
　ガス供給部３０は、複数種類のガスを混合して１つの供給管から混合したガスを噴射してもよい。各ガス供給管（第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ、第２不活性ガス供給管３３ａ）は、互いに異なる形状や配置であってもよい。例えば、第１不活性ガス供給管３１ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａのうちの一方又は両方が、下部においてＬ字状に屈曲し、上部においてＵ字状に折り返されて下方に延びる折り返し型のガス供給管であってもよい。例えば、処理ガス供給管３２ａが折り返し型のガス供給管であってもよい。
　ガス供給部３０は、第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａの他に別のガス供給管を更に有してもよい。例えば、第１不活性ガス供給管３１ａと第２不活性ガス供給管３３ａとの間に複数の処理ガス供給管が設けられてもよい。複数の処理ガス供給管は、同じ処理ガスを供給するガス供給管であってもよく、異なる処理ガスを供給するガス供給管であってもよい。例えば、第１不活性ガス供給管３１ａと処理ガス供給管３２ａとの間に１又は２以上の不活性ガス供給管が更に設けられてもよい。例えば、処理ガス供給管３２ａと第２不活性ガス供給管３３ａとの間に１又は２以上の不活性ガス供給管が更に設けられてもよい。
　排気部４０は、図２の矢印で示されるように、内管１１内から排気スリット１５を介して排出され、内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１を介して排気ポート４１に至るガスを排気する。排気ポート４１は、マニホールド１７の上部の側壁であって、支持部２０の上方に形成される。排気ポート４１には、排気通路４２が接続される。排気通路４２には、圧力調整弁４３及び真空ポンプ４４が順次介設されて、処理容器１０内を排気できるようになっている。
　加熱部５０は、外管１２の周囲に設けられている。加熱部５０は、例えばベースプレート２８上に設けられる。加熱部５０は、外管１２を覆うように円筒形状を有する。加熱部５０は、例えばヒータを含み、処理容器１０内の各基板Ｗを加熱する。
　制御部９０は、基板処理装置１の各部の動作を制御することにより、処理容器１０内に収容された複数の基板Ｗに対して一度に処理を行う。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。基板処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
　次に、実施形態に係る基板処理装置１を用いて行われる基板処理方法について説明する。実施形態に係る基板処理方法は、制御部９０が基板処理装置１の各部の動作を制御することにより行われる。
　まず、複数の基板Ｗを保持したボート１６を予め所定の温度の調整された処理容器１０の内部にその下方より上昇させて搬入し、蓋体２１により処理容器１０の下端の開口を閉じることにより処理容器１０の内部を密閉する。続いて、排気部４０により処理容器１０の内部を真空引きしてプロセス圧力に維持すると共に、加熱部５０により基板温度を上昇させてプロセス温度に維持し、回転軸２４の回転によりボート１６を回転させる。
　続いて、制御部９０は、処理ガス供給管３２ａから処理容器１０内に処理ガスを噴射しながら、第１不活性ガス供給管３１ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａから第２側壁１１ｂ、第３側壁１１ｃ又は第４側壁１１ｄの内面に向けて不活性ガスを噴射する。これにより、各基板Ｗに対して一度に処理が施される。このとき、不活性ガスが第３側壁１１ｃ又は第４側壁１１ｄに沿って流れることで、基板Ｗの外端と第１側壁１１ａの内面との隙間に効率的に不活性ガスが供給される。このため、少ない流量の不活性ガスにより基板Ｗの外端と第１側壁１１ａの内面との隙間の圧力を相対的に高くでき、該隙間に処理ガスが流れ込むことを抑制できる。その結果、不活性ガスの使用量を低減することによって環境負荷を低減しつつ、各基板Ｗの中心付近への処理ガスの供給を促進して各基板Ｗの周縁部と中心部とにおける処理ガスの供給量の差を小さくできる。
　第１不活性ガス供給管３１ａから噴射される不活性ガスの流量は、例えば処理ガス供給管３２ａから噴射される処理ガスの流量よりも少なくてよい。第２不活性ガス供給管３３ａから噴射される不活性ガスの流量は、例えば処理ガス供給管３２ａから噴射される処理ガスの流量よりも少なくてよい。つまり、本実施形態に係る基板処理装置１によれば、第３側壁１１ｃ又は第４側壁１１ｄの不活性ガス整流効果により、第１不活性ガス供給管３１ａ、第２不活性ガス供給管３３ａのそれぞれの不活性ガスの流量を処理ガス流量よりも低くする設定することができる。
　次に、処理容器１０内を大気圧に昇圧すると共に、処理容器１０内を搬出温度に降温させた後、処理が施された複数の基板Ｗを保持したボート１６を処理容器１０内から搬出する。
　〔第２実施形態〕
　図８～図１２を参照し、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｘについて説明する。基板処理装置１Ｘは、ノズル収容部１３を有していない点で、基板処理装置１と異なる。なお、その他の構成については、基板処理装置１と同様であってよい。以下、基板処理装置１と異なる点を中心に説明する。
　図８に示されるように、基板処理装置１Ｘは、処理容器１０に代えて、内管１１Ｘと外管１２とを有する処理容器１０Ｘを備える。内管１１Ｘは、第５側壁１１ｅを有する。
　第５側壁１１ｅは、基板Ｗの周方向に沿って延在する。第５側壁１１ｅは、円筒形状を有する。第５側壁１１ｅの周方向の一部には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の排気スリット１５が形成される。第５側壁１１ｅの半径Ｒ１Ｘは、基板処理装置１の第１側壁１１ａの円弧の半径Ｒ１よりも大きい。これにより、各ガス供給管（第１不活性ガス供給管３１ａ、処理ガス供給管３２ａ、第２不活性ガス供給管３３ａ）を、基板Ｗの外端と第５側壁１１ｅの内面との間に配置できる。
　第１不活性ガス供給管３１ａ及び第２不活性ガス供給管３３ａは、それぞれ第５側壁１１ｅの内面に向けて不活性ガスを噴射するように構成される。この場合、不活性ガスが第５側壁１１ｅの内面で跳ね返ることで、基板Ｗの外端と第５側壁１１ｅの内面との隙間に効率的に不活性ガスが供給される。このため、少ない流量の不活性ガスにより基板Ｗの外端と第５側壁１１ｅの内面との隙間の圧力を相対的に高くでき、該隙間に処理ガスが流れ込むことを抑制できる。その結果、不活性ガスの使用量を低減することによって環境負荷を低減しつつ、各基板Ｗの中心付近への処理ガスの供給を促進して各基板Ｗの周縁部と中心部とにおける処理ガスの供給量の差を小さくできる。
　各ガス孔３１ｆ及び各ガス孔３３ｆから噴射される不活性ガスは、第５側壁１１ｅの内面で跳ね返ることで、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流と、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流とを形成する。第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流は、基板Ｗの周縁部における処理ガスの濃度を選択的に希釈する。処理ガス供給管３２ａに向かうガス流は、基板Ｗの面内における処理ガスの濃度を全体的に希釈する。
　図９に示されるように、第１不活性ガス供給管３１ａの中心から基板Ｗの半径方向の外方に向かう半直線を半直線Ｌ７とする。第１不活性ガス供給管３１ａの中心から処理ガス供給管３２ａの中心に向かう半直線を半直線Ｌ８とする。第１不活性ガス供給管３１ａの中心から半直線Ｌ７に垂直かつ処理ガス供給管３２ａと反対側に向かう半直線を半直線Ｌ９とする。
　このとき、図１０に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ７と半直線Ｌ８との間の第５側壁１１ｅの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁（第１管壁）のうち、半直線Ｌ７と半直線Ｌ８とに挟まれる領域に位置してよい。この場合、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流が、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流よりも大きくなる。このため、処理の面内分布を緩やかに調整できる。
　また、図１１に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ７と半直線Ｌ９との間の第５側壁１１ｅの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁（第１管壁）のうち、半直線Ｌ７と半直線Ｌ９とに挟まれる領域に位置してよい。この場合、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流が、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流よりも大きくなる。これにより、処理の面内分布を急峻に調整できる。このため、基板Ｗの周縁部の膜厚が厚くなることを抑制したい場合に特に有効である。
　また、図１２に示されるように、各ガス孔３１ｆは、第１不活性ガス供給管３１ａの管壁のうち、半直線Ｌ７との交点に位置してよい。この場合、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流と、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流とが同程度になる。このため、図１０に示される場合と図１１に示される場合の中間の効果が得られる。
　図９に示されるように、第２不活性ガス供給管３３ａの中心から基板Ｗの半径方向の外方に向かう半直線を半直線Ｌ１０とする。第２不活性ガス供給管３３ａの中心から処理ガス供給管３２ａの中心に向かう半直線を半直線Ｌ１１とする。第２不活性ガス供給管３３ａの中心から半直線Ｌ１０に垂直かつ処理ガス供給管３２ａと反対側に向かう半直線を半直線Ｌ１２とする。
　このとき、図１０に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ１０と半直線Ｌ１１との間の第５側壁１１ｅの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁（第２管壁）のうち、半直線Ｌ１０と半直線Ｌ１１とに挟まれる領域に位置してよい。この場合、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流が、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流よりも大きくなる。このため、処理の面内分布を緩やかに調整できる。
　また、図１１に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ１０と半直線Ｌ１２との間の第５側壁１１ｅの側（基板Ｗ側とは反対側）に位置してよい。つまり、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁（第２管壁）のうち、半直線Ｌ１０と半直線Ｌ１２とに挟まれる領域に位置してよい。この場合、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流が、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流よりも大きくなる。これにより、処理の面内分布を急峻に調整できる。このため、基板Ｗの周縁部の膜厚が厚くなることを抑制したい場合に特に有効である。
　また、図１２に示されるように、各ガス孔３３ｆは、第２不活性ガス供給管３３ａの管壁のうち、半直線Ｌ１０との交点に位置してよい。この場合、第５側壁１１ｅの内面に沿って処理ガス供給管３２ａから離れる方向のガス流と、処理ガス供給管３２ａに向かうガス流とが同程度になる。このため、図１０に示される場合と図１１に示される場合の中間の効果が得られる。
　なお、図１０～図１２では、各ガス孔３２ｆから第５側壁１１ｅの内面に向けて処理ガスが噴射される場合を例に挙げて示す。しかしながらこれに限定されず、処理ガス供給管３２ａは、第５側壁１１e側に処理ガスを噴射せず、例えば基板Ｗの中心Ｏに向けて処理ガスを直接噴射するように構成されてもよい。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　本国際出願は、２０２２年７月２８日に出願した日本国特許出願第２０２２－１２０７７６号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容を本国際出願に援用する。
　１、１Ｘ　　　基板処理装置
　１０、１０Ｘ　処理容器
　１１、１１Ｘ　内管
　３１ａ　　　　第１不活性ガス供給管
　３２ａ　　　　処理ガス供給管
　３３ａ　　　　第２不活性ガス供給管
　Ｗ　　　　　　基板

Claims (15)

  1. 　多段に配列された複数の基板を収容する処理容器と、
    　前記複数の基板の配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、
    　前記基板の周方向に沿って前記処理ガス供給管を挟む位置に設けられると共に前記配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給管と、
    　を備え、
    　前記一対の不活性ガス供給管は、前記処理容器の側壁の内面に向けて前記不活性ガスを噴射するよう構成される、
    　基板処理装置。
  2. 　前記処理ガス供給管は、前記側壁の内面に向けて前記処理ガスを噴射するよう構成される、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記側壁は、
    　前記周方向に沿って延在する第１側壁と、
    　前記第１側壁よりも前記基板の半径方向の外方に位置し、前記周方向における前記第１側壁と異なる位置において前記周方向に沿って延在する第２側壁と、
    　前記第１側壁の一端及び前記第２側壁の一端と連なる第３側壁と、
    　前記第１側壁の他端及び前記第２側壁の他端と連なる第４側壁と、
    　を有し、
    　前記処理ガス供給管及び前記一対の不活性ガス供給管は、前記第２側壁と前記第３側壁と前記第４側壁とにより囲まれる領域に設けられる、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記第２側壁と前記第３側壁とのなす角度及び前記第２側壁と前記第４側壁とのなす角度は鈍角である、
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記一対の不活性ガス供給管は、
    　前記処理ガス供給管よりも前記第３側壁の近くに位置し、前記配列方向に沿って複数の第１ガス孔が形成された第１管壁を有する第１不活性ガス供給管と、
    　前記処理ガス供給管よりも前記第４側壁の近くに位置し、前記配列方向に沿って複数の第２ガス孔が形成された第２管壁を有する第２不活性ガス供給管と、
    　を有し、
    　前記第１不活性ガス供給管は、前記複数の第１ガス孔から前記第２側壁又は前記第３側壁に向けて前記不活性ガスを噴射するよう構成され、
    　前記第２不活性ガス供給管は、前記複数の第２ガス孔から前記第２側壁又は前記第４側壁に向けて前記不活性ガスを噴射するよう構成される、
    　請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記半径方向の外方に向かう半直線を第１半直線とし、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第３側壁との境界に向かう半直線を第２半直線としたとき、
    　前記複数の第１ガス孔は、前記第１管壁のうち、前記第１半直線と前記第２半直線とに挟まれる領域に位置する、
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記半径方向の外方に向かう半直線を第１半直線としたとき、
    　前記複数の第１ガス孔は、前記第１管壁のうち、前記第１半直線との交点に位置する、
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  8. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第３側壁との境界に向かう半直線を第２半直線としたとき、
    　前記複数の第１ガス孔は、前記第１管壁のうち、前記第２半直線との交点に位置する、
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  9. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第３側壁との境界に向かう半直線を第２半直線とし、前記第１不活性ガス供給管の中心から前記第１側壁と前記第３側壁との境界に向かう半直線を第３半直線としたとき、
    　前記複数の第１ガス孔は、前記第１管壁のうち、前記第２半直線と前記第３半直線とに挟まれる領域に位置する、
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  10. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記半径方向の外方に向かう半直線を第４半直線とし、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第４側壁との境界に向かう半直線を第５半直線としたとき、
    　前記複数の第２ガス孔は、前記第２管壁のうち、前記第４半直線と前記第５半直線とに挟まれる領域に位置する、
    　請求項５乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記半径方向の外方に向かう半直線を第４半直線としたとき、
    　前記複数の第２ガス孔は、前記第２管壁のうち、前記第４半直線との交点に位置する、
    　請求項５乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第４側壁との境界に向かう半直線を第５半直線としたとき、
    　前記複数の第２ガス孔は、前記第２管壁のうち、前記第５半直線との交点に位置する、
    　請求項５乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 　前記配列方向と直交する断面において、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記第２側壁と前記第４側壁との境界に向かう半直線を第５半直線とし、前記第２不活性ガス供給管の中心から前記第１側壁と前記第４側壁との境界に向かう半直線を第６半直線としたとき、
    　前記複数の第２ガス孔は、前記第２管壁のうち、前記第５半直線と前記第６半直線とに挟まれる領域に位置する、
    　請求項５乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 　多段に配列された複数の基板を収容する処理容器と、
    　前記複数の基板の配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、
    　前記基板の周方向に沿って前記処理ガス供給管を挟む位置に設けられると共に前記配列方向に沿って延在し、前記処理容器内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給管と、
    　を備える基板処理装置において、前記処理容器内に収容された前記複数の基板に対して処理を行う基板処理方法であって、
    　前記処理ガス供給管から前記処理容器内に前記処理ガスを噴射しながら、前記一対の不活性ガス供給管から前記処理容器の側壁の内面に向けて前記不活性ガスを噴射することを含む、
    　基板処理方法。
  15. 　前記一対の不活性ガス供給管の各々から噴射される前記不活性ガスの流量は、前記処理ガス供給管から噴射される前記処理ガスの流量よりも少ない、
    　請求項１４に記載の基板処理方法。
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