JP6084298B2 - 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する第1ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種を前記処理室内へ供給する第2ノズルと、を備え、
前記第2ノズルの側面には、前記複数の基板のうち中央部に配列される基板に対応するように、1つ以上のガス供給孔が中央部にのみ開設されている基板処理装置が提供される。
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記酸化種を供給する工程では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給する基板処理方法が提供される。
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記酸化種を供給する工程では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給する半導体装置の製造方法が提供される。
以下に、本発明の一実施形態について、図1〜図4を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は、加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を成膜するシーケンス例について説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
複数の基板を収容した処理室内へ第1ノズルから原料ガスを供給する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある第2ノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを第2ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を処理室内へ供給する工程と、を交互に所定回数行い、複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、
を順に実施する。
複数のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示すように、複数のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内の圧力、すなわち、ウエハ200が存在する空間の圧力が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップ1〜4を順次実行する。
バルブ243aを開き、ガス供給管232a内にHCDSガスを流す。HCDSガスは、MFC241aにより流量調整され、ガス供給孔248aから、加熱された減圧状態の処理室201内へ供給される。その後、HCDSガスは、排気孔204cを介して排気空間205内に流れ、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給されることとなる(HCDSガス供給)。このとき、同時にバルブ243hを開き、ガス供給管232h内にN2ガスを流す。N2ガスは、MFC241hにより流量調整され、HCDSガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気孔204c、排気空間205を介して排気管231から排気される。
Si含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはSi含有層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する(残留ガス除去)。このとき、バルブ243h〜243lは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはSi含有層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ243d〜243gを開き、ガス供給管232d,232e内にO2ガスを、ガス供給管232f,232g内にH2ガスをそれぞれ流す。O2ガスおよびH2ガスは、MFC241d〜241gにより流量調整され、加熱された減圧状態のノズル233d,233e内にそれぞれ供給される。O2ガスおよびH2ガスは、ノズル233d,233e内においてノンプラズマで熱的に活性化(励起)されて反応し、それにより、原子状酸素(O)等の酸素を含む水分(H2O)非含有の酸化種が生成される。ノズル233d,233e内で生成された酸化種は、未反応のO2ガス、H2ガス等と共にガス供給孔248d,248eから処理室201内へ供給され、排気孔204cを介して排気空間205内に流れ、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対して酸化種を含む反応ガスが供給されることとなる(酸化種供給)。このとき、同時にバルブ243k,243lを開き、ガス供給管232k,232l内にN2ガスを流す。N2ガスは、MFC241k,241lにより流量調整され、ノズル233d,233e内で生成された酸化種と一緒に処理室201内へ供給され、排気孔204c、排気空間205を介して排気管231から排気される。
Si含有層をSiO層へと変化させた後、バルブ243d〜243gを閉じ、ノズル233d,233e内へのO2ガスおよびH2ガスの供給、つまり、処理室201内への酸化種の供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する酸化種や反応副生成物等を処理室201内から排除する(残留ガス除去)。また、バルブ243h〜243lは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはSiO層形成に寄与した後の酸化種や反応副生成物等を処理室201内から排除する効果を更に高めることができる。
上述したステップ1〜4を1サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回(n回)繰り返すことにより、ウエハ200上に所定膜厚のSiO膜を成膜することが出来る。
所定膜厚のSiO膜が成膜されると、バルブ243h〜243lを開き、ガス供給管232h〜232lのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気孔204c、排気空間205を介して排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスが処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済の複数のウエハ200がボート217に保持された状態でマニホールド209の下端から処理室201の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済みの複数のウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する第1ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種(を含む反応ガス)を前記処理室内へ供給する第2ノズルと、を備え、
前記第2ノズルの側面には、前記複数の基板のうち中央部に配列される基板に対応するように、1つ以上のガス供給孔が中央部にのみ開設されている基板処理装置が提供される。
付記1に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1ノズルに接続され、前記第1ノズル内に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記第2ノズルに接続され、前記第2ノズル内に酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
複数の基板を収容した前記処理室内へ原料ガスを供給する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記第2ノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記第2ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を前記処理室内へ供給する処理と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される制御部と、をさらに備える。
付記2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
複数の基板を収容した前記処理室内へ原料ガスを供給して初期層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記第2ノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記第2ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を用いて前記初期層を酸化層に変化させる処理と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御するよう構成される。
付記1に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種(を含む反応ガス)を前記処理室内へ供給する第3ノズルと、
前記第2ノズルおよび前記第3ノズルに接続され、前記第2ノズル内および前記第3ノズル内に酸素含有ガスおよび水素含有ガスをそれぞれ供給する反応ガス供給系と、を備え、
前記第3ノズルには、前記複数の基板のうち上部および下部に配列される基板に対応するように、それぞれ1つ以上のガス供給孔が上部および下部にのみ開設されており、
酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第2ノズル内に供給する際、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第3ノズル内にも供給し、このとき、前記第3ノズルの上部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量、および、前記第3ノズルの下部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量が、それぞれ、前記第2ノズルの中央部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量よりも小さくなるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成される制御部をさらに備える。
付記4に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第2ノズル内および前記第3ノズル内にそれぞれ供給する際、前記第3ノズルの上部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量、および、前記第3ノズルの下部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量が、それぞれ、前記第2ノズルの中央部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種(を含む反応ガス)の合計流量の半分以下(1/2以下)の流量となるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成されている。
付記2〜5のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第2ノズル内に供給する際の前記第2ノズル内の温度および圧力(第2ノズル内の全圧あるいは第2ノズル内における酸素含有ガスおよび水素含有ガスの分圧)が、酸素含有ガスと水素含有ガスとが前記第2ノズル内で反応して酸化種が生成されるような温度および圧力となるように、前記反応ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御する。
付記2〜6のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第3ノズル内に供給する際の前記第3ノズル内の温度および圧力(第2ノズル内の全圧あるいは第2ノズル内における酸素含有ガスおよび水素含有ガスの分圧)が、酸素含有ガスと水素含有ガスとが前記第3ノズル内で反応して酸化種が生成されるような温度および圧力となるように、前記反応ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御する。
付記2〜7のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、酸化種を前記処理室内に供給する際の前記処理室内の温度および圧力(処理室内の全圧あるいは処理室内における酸化種の分圧)が、前記処理室内に供給された酸化種が基板に到達する前に失活することのないような温度および圧力となるように、前記反応ガス供給系、前記ヒータおよび前記圧力調整器を制御する。
付記4,5,7のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第3ノズルは、
前記複数の基板のうち上部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を上部の側面にのみ備える上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち下部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を下部の側面にのみ備える下部開口ノズルと、
を備え、
前記反応ガス供給系は、前記上部開口ノズルと前記下部開口ノズルとにそれぞれ接続され、前記上部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、前記下部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能なように構成されている。
付記1〜9のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルは、
前記複数の基板のうち中央領域上部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を中央領域上部の側面にのみ備える中央領域上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち中央領域下部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を中央領域下部の側面にのみ備える中央領域下部開口ノズルと、
を備え、
前記反応ガス供給系は、前記中央領域上部開口ノズルと前記中央領域下部開口ノズルとにそれぞれ接続され、前記中央領域上部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、前記中央領域下部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能なように構成されている。
付記2〜10のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第4ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第5ノズルと、を備え、
前記反応ガス供給系は、前記第4ノズルと前記第5ノズルとにそれぞれ接続され、前記第4ノズル内に酸素含有ガスを、前記第5ノズル内に水素含有ガスをそれぞれ供給するよう構成され、
前記制御部は、前記第2ノズル内で生成した酸化種を前記処理室内へ供給する際、前記第4ノズルおよび前記第5ノズルから酸素含有ガスと水素含有ガスとをそれぞれ互いに混合させることなく前記処理室内へ供給し、これらを前記処理室内において反応させて酸化種を生成し、この前記処理室内で生成した酸化種と前記第2ノズル内で生成した酸化種とを用いて前記初期層を酸化層に変化させるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成されている。
付記1〜11のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理室が内部に形成されたインナチューブと、
前記インナチューブを取り囲むアウタチューブと、
前記インナチューブの側壁に開設された排気孔と、
前記アウタチューブと前記インナチューブとに挟まれる空間を排気する排気系と、
を備える。
本発明の他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理するインナチューブと、
前記インナチューブを取り囲むアウタチューブと、
前記インナチューブ内に原料ガスを供給する第1ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記インナチューブ内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種(を含む反応ガス)を前記インナチューブ内へ供給する第2ノズルと、
前記インナチューブの側壁に開設された排気孔と、
前記アウタチューブと前記インナチューブとに挟まれる空間を排気する排気系と、を備え、
前記第2ノズルの側面には、前記複数の基板のうち中央部に配列される基板に対応するように、1つ以上の第2ガス供給孔が中央部にのみ開設されている基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記酸化種を供給する工程では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給する基板処理方法および半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する手順と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する手順と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する手順と、をコンピュータに実行させ、
前記酸化種を供給する手順では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給させるプログラム、及び該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 アウタチューブ
204 インナチューブ
209 マニホールド
210 反応管
207 ヒータ
231 排気管
233a ノズル(第1ノズル)
233b ノズル(第4ノズル)
233c ノズル(第5ノズル)
233d ノズル(第2ノズル)
233e ノズル(第3ノズル)
232a〜232g ガス供給管
Claims (8)
- 間隔を空けて配列された複数の基板を収容して処理する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する第1ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種を前記処理室内へ供給する第2ノズルと、を備え、
前記第2ノズルの側面には、前記複数の基板のうち中央部に配列される基板に対応するように、1つ以上のガス供給孔が中央部にのみ開設されている基板処理装置。 - 前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて生成した酸化種を前記処理室内へ供給する第3ノズルと、
前記第2ノズルおよび前記第3ノズルに接続され、前記第2ノズル内および前記第3ノズル内に酸素含有ガスおよび水素含有ガスをそれぞれ供給する反応ガス供給系と、を備え、
前記第3ノズルには、前記複数の基板のうち上部および下部に配列される基板に対応するように、それぞれ1つ以上のガス供給孔が上部および下部にのみ開設されており、
酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第2ノズル内に供給する際、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第3ノズル内にも供給し、このとき、前記第3ノズルの上部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量、および、前記第3ノズルの下部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量が、それぞれ、前記第2ノズルの中央部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量よりも小さくなるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成される制御部をさらに備える請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、酸素含有ガスと水素含有ガスとを前記第2ノズル内および前記第3ノズル内にそれぞれ供給する際、前記第3ノズルの上部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量、および、前記第3ノズルの下部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量が、それぞれ、前記第2ノズルの中央部に開設されたガス供給孔から供給される酸化種の合計流量の半分以下の流量となるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成されている請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第3ノズルには、前記複数の基板のうち上部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を上部の側面にのみ備える上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち下部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を下部の側面にのみ備える下部開口ノズルと、を備え、
前記反応ガス供給系は、前記上部開口ノズルと前記下部開口ノズルとにそれぞれ接続され、前記上部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、前記下部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能なように構成されている請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第2ノズルは、前記複数の基板のうち中央領域上部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を中央領域上部の側面にのみ備える中央領域上部開口ノズルと、
前記複数の基板のうち中央領域下部に配列した基板に対応するように、1つ以上の前記ガス供給孔を中央領域下部の側面にのみ備える中央領域下部開口ノズルと、を備え、
前記反応ガス供給系は、前記中央領域上部開口ノズルと前記中央領域下部開口ノズルとにそれぞれ接続され、前記中央領域上部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、前記中央領域下部開口ノズルから供給する酸化種の流量と、をそれぞれ独立して制御することが可能なように構成されている請求項2〜4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ酸素含有ガスを供給する第4ノズルと、
前記基板の配列方向に沿って延在するように配設され、前記処理室内へ水素含有ガスを供給する第5ノズルと、を備え、
前記反応ガス供給系は、前記第4ノズルと前記第5ノズルとにそれぞれ接続され、前記第4ノズル内に酸素含有ガスを、前記第5ノズル内に水素含有ガスをそれぞれ供給するよう構成され、
前記制御部は、前記第2ノズル内で生成した酸化種を前記処理室内へ供給する際、前記第4ノズルおよび前記第5ノズルから酸素含有ガスと水素含有ガスとをそれぞれ互いに混合させることなく前記処理室内へ供給し、これらを前記処理室内において反応させて酸化種を生成し、この前記処理室内で生成した酸化種と前記第2ノズル内で生成した酸化種とを用いて前記第1ノズルから供給された原料ガスによって前記基板上に形成された初期層を酸化層に変化させるように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成されている請求項2〜5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記酸化種を供給する工程では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給する基板処理方法。 - 間隔を空けて配列された複数の基板を処理室内に収容する工程と、
前記処理室内の前記基板へ原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板へ酸化種を供給する工程と、を交互に所定回数行い、前記複数の基板上に酸化膜を形成する工程と、を有し、
前記酸化種を供給する工程では、
前記基板の配列方向に沿って延在するように前記処理室内に配設され、加熱された大気圧未満の圧力下にあるノズル内へ酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し、これらを前記ノズル内において反応させて酸化種を生成し、この酸化種を、前記複数の基板のうち中央部に配列された基板に対応するように前記ノズル側面の中央部にのみ開設された1つ以上のガス供給孔から前記処理室内に供給する半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200011022A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 |
KR20200118181A (ko) * | 2018-03-23 | 2020-10-14 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
KR20210042980A (ko) * | 2018-10-31 | 2021-04-20 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6820793B2 (ja) | 2017-04-27 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法 |
KR102480740B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2022-12-23 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
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WO2020008682A1 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN113614881A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-05 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 |
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JP7365973B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481214A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Vapor growth apparatus |
JPH01220434A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 熱処理炉 |
JPH11121389A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉および拡散方法 |
JPH11345777A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2012221978A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481214A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Vapor growth apparatus |
JPH01220434A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 熱処理炉 |
JPH11121389A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉および拡散方法 |
JPH11345777A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2012221978A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200118181A (ko) * | 2018-03-23 | 2020-10-14 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
US11261528B2 (en) | 2018-03-23 | 2022-03-01 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
KR102559965B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2023-07-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
US11967501B2 (en) | 2018-03-23 | 2024-04-23 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
KR20200011022A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 |
US11066744B2 (en) | 2018-07-23 | 2021-07-20 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
KR102308807B1 (ko) * | 2018-07-23 | 2021-10-05 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 |
KR20210042980A (ko) * | 2018-10-31 | 2021-04-20 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
KR102630574B1 (ko) | 2018-10-31 | 2024-01-30 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
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