JPH06228757A - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH06228757A JPH06228757A JP4206693A JP4206693A JPH06228757A JP H06228757 A JPH06228757 A JP H06228757A JP 4206693 A JP4206693 A JP 4206693A JP 4206693 A JP4206693 A JP 4206693A JP H06228757 A JPH06228757 A JP H06228757A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- gas supply
- wafer
- film
- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハ間の堆積膜の均一性の向上を図る。
【構成】ボート７によりウェーハ８を水平姿勢で多段に
保持して炉内１に装入し、該炉内に反応ガスを供給して
ウェーハ表面に膜を堆積させる縦型ＣＶＤ装置に於い
て、ボートに沿って所要数の反応ガス供給ノズル１３，
１８を立設し、該反応ガス供給ノズルに複数の反応ガス
供給孔１４，１５，１６，１７，１９，２０，２１を穿
設し、反応ガスを垂直方向に分散して炉内に供給し、ウ
ェーハ間の膜均一性を向上する。
保持して炉内１に装入し、該炉内に反応ガスを供給して
ウェーハ表面に膜を堆積させる縦型ＣＶＤ装置に於い
て、ボートに沿って所要数の反応ガス供給ノズル１３，
１８を立設し、該反応ガス供給ノズルに複数の反応ガス
供給孔１４，１５，１６，１７，１９，２０，２１を穿
設し、反応ガスを垂直方向に分散して炉内に供給し、ウ
ェーハ間の膜均一性を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある縦型ＣＶＤ装置、特に反応ガスの供給の改良に関す
るものである。
ある縦型ＣＶＤ装置、特に反応ガスの供給の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に於いて、従来の縦型ＣＶＤ装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００３】図３はウェーハ表面に薄膜を化学気相蒸着
（ＣＶＤ）する縦型ＣＶＤ装置の特に反応炉１を示して
いる。
（ＣＶＤ）する縦型ＣＶＤ装置の特に反応炉１を示して
いる。
【０００４】図示しないヒータで囲まれたアウタチュー
ブ２の内部はインナチューブ３によって中心部４と周辺
部５に区画されている。該中心部４にはキャップ６に立
設されたボート７が図示しないボートエレベータによっ
て装入される様になっており、該ボート７には水平姿勢
のウェーハ８が所要のピッチで多段に収納されている。
ブ２の内部はインナチューブ３によって中心部４と周辺
部５に区画されている。該中心部４にはキャップ６に立
設されたボート７が図示しないボートエレベータによっ
て装入される様になっており、該ボート７には水平姿勢
のウェーハ８が所要のピッチで多段に収納されている。
【０００５】前記インナチューブ３の下方には水平にス
トレートノズル９が挿設され、又ストレートノズル９と
対向する位置に前記インナチューブ３に沿って起立する
Ｌノズル１０が設けられている。前記ストレートノズル
９の先端は開放され、又前記Ｌノズル１０の先端近傍に
は反応ガス供給口１１が設けられている。
トレートノズル９が挿設され、又ストレートノズル９と
対向する位置に前記インナチューブ３に沿って起立する
Ｌノズル１０が設けられている。前記ストレートノズル
９の先端は開放され、又前記Ｌノズル１０の先端近傍に
は反応ガス供給口１１が設けられている。
【０００６】前記反応炉１内部は気密構造となってお
り、図示しない真空ポンプによって真空排気する。真空
排気後前記ストレートノズル９、Ｌノズル１０より反応
ガスを供給する。該反応ガスは図中矢印の様に、下から
上に流れた後、アウタチューブ２の上端で反転し、アウ
タチューブ２とインナチューブ３との間（周辺部５）を
下降して排気される。
り、図示しない真空ポンプによって真空排気する。真空
排気後前記ストレートノズル９、Ｌノズル１０より反応
ガスを供給する。該反応ガスは図中矢印の様に、下から
上に流れた後、アウタチューブ２の上端で反転し、アウ
タチューブ２とインナチューブ３との間（周辺部５）を
下降して排気される。
【０００７】尚、成膜中前記ボート７は図示しない回転
機構によって垂直軸心を中心に回転し、ウェーハ面内の
均一性を向上させている。
機構によって垂直軸心を中心に回転し、ウェーハ面内の
均一性を向上させている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の縦型Ｃ
ＶＤ装置では反応ガスの供給位置がストレートノズル９
先端、Ｌノズル１０先端に限られており、反応ガスの供
給位置に近いウェーハ８の膜堆積速度が大きく、特にＬ
ノズル１０の反応ガス供給口１１の近くのウェーハ８は
堆積速度が極端に大きくなる。又、反応ガスの供給位置
から離れると反応ガスの分圧が低くなるので膜堆積速度
が小さくなる。この為、ウェーハ８間の堆積膜の均一性
が悪いという不具合があった。
ＶＤ装置では反応ガスの供給位置がストレートノズル９
先端、Ｌノズル１０先端に限られており、反応ガスの供
給位置に近いウェーハ８の膜堆積速度が大きく、特にＬ
ノズル１０の反応ガス供給口１１の近くのウェーハ８は
堆積速度が極端に大きくなる。又、反応ガスの供給位置
から離れると反応ガスの分圧が低くなるので膜堆積速度
が小さくなる。この為、ウェーハ８間の堆積膜の均一性
が悪いという不具合があった。
【０００９】本考案は斯かる実情に鑑み、反応ガス供給
の改良をし、ウェーハ間の堆積膜の均一性の向上を図る
ものである。
の改良をし、ウェーハ間の堆積膜の均一性の向上を図る
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボートにより
ウェーハを水平姿勢で多段に保持して炉内に装入し、該
炉内に反応ガスを供給してウェーハ表面に膜を堆積させ
る縦型ＣＶＤ装置に於いて、ボートに沿って所要数の反
応ガス供給ノズルを立設し、該反応ガス供給ノズルに複
数の反応ガス供給孔を穿設したことを特徴とするもので
ある。
ウェーハを水平姿勢で多段に保持して炉内に装入し、該
炉内に反応ガスを供給してウェーハ表面に膜を堆積させ
る縦型ＣＶＤ装置に於いて、ボートに沿って所要数の反
応ガス供給ノズルを立設し、該反応ガス供給ノズルに複
数の反応ガス供給孔を穿設したことを特徴とするもので
ある。
【００１１】
【作用】反応ガス供給ノズルより反応ガスが垂直方向に
分散して炉内に供給され、ウェーハ間の堆積膜の均一性
が向上する。
分散して炉内に供給され、ウェーハ間の堆積膜の均一性
が向上する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】図１中、図３と同一のものには同符号を付
してある。
してある。
【００１４】中心部４に第１Ｌノズル１３をインナチュ
ーブ３の下方より該インナチューブ３に沿って立設さ
せ、前記第１Ｌノズル１３に反応ガス供給口１４，１
５，１６，１７を穿設する。又、前記第１Ｌノズル１３
と対向させ、該第１Ｌノズル１３より低い第２Ｌノズル
１８を、中心部４に該インナチューブ３に沿って立設さ
せ、該第２Ｌノズル１８に反応ガス供給口１９，２０，
２１を穿設する。
ーブ３の下方より該インナチューブ３に沿って立設さ
せ、前記第１Ｌノズル１３に反応ガス供給口１４，１
５，１６，１７を穿設する。又、前記第１Ｌノズル１３
と対向させ、該第１Ｌノズル１３より低い第２Ｌノズル
１８を、中心部４に該インナチューブ３に沿って立設さ
せ、該第２Ｌノズル１８に反応ガス供給口１９，２０，
２１を穿設する。
【００１５】前記反応ガス供給口１４，１５，１６，１
７及び前記反応ガス供給口１９，２０，２１の向きは円
周方向、即ち紙面に対して垂直な方向に穿設してあり、
供給した反応ガスが直接ウェーハ８の方向に流れない様
にしてある。
７及び前記反応ガス供給口１９，２０，２１の向きは円
周方向、即ち紙面に対して垂直な方向に穿設してあり、
供給した反応ガスが直接ウェーハ８の方向に流れない様
にしてある。
【００１６】又、前記反応ガス供給口１４，１５，１
６，１７及び前記反応ガス供給口１９，２０，２１の孔
径は上方に向かって大径となる傾向を持たせる。例え
ば、前記反応ガス供給口１４と１５とを同一径とし、反
応ガス供給口１６を反応ガス供給口１５より大きく、更
に反応ガス供給口１７が反応ガス供給口１６よりも大き
くする。
６，１７及び前記反応ガス供給口１９，２０，２１の孔
径は上方に向かって大径となる傾向を持たせる。例え
ば、前記反応ガス供給口１４と１５とを同一径とし、反
応ガス供給口１６を反応ガス供給口１５より大きく、更
に反応ガス供給口１７が反応ガス供給口１６よりも大き
くする。
【００１７】以上の如く、反応ガスを分散させて供給す
る様にしたので、表１で示す様に、従来ウェーハ間の膜
均一性が±５％以上あったのが上記実施例では±１．５
％程度迄向上した。
る様にしたので、表１で示す様に、従来ウェーハ間の膜
均一性が±５％以上あったのが上記実施例では±１．５
％程度迄向上した。
【００１８】
【表１】
【００１９】又、図２はボート７に装填されたウェーハ
８の位置と膜堆積速度との関係を示しており、図中実線
で示す本実施例は図中破線で示す従来例に対して膜堆積
速度が均一化されたことを示している。
８の位置と膜堆積速度との関係を示しており、図中実線
で示す本実施例は図中破線で示す従来例に対して膜堆積
速度が均一化されたことを示している。
【００２０】尚、上記実施例では反応ガス供給孔を円周
方向に穿設したが、ウェーハと対向する様に穿設しても
同様にウェーハ間膜均一性は向上する。このウェーハと
対向する様に反応ガス供給孔を穿設した他の実施例のウ
ェーハ間膜均一性を前掲した表１に示してある。
方向に穿設したが、ウェーハと対向する様に穿設しても
同様にウェーハ間膜均一性は向上する。このウェーハと
対向する様に反応ガス供給孔を穿設した他の実施例のウ
ェーハ間膜均一性を前掲した表１に示してある。
【００２１】又、前記反応ガス供給孔の穿設位置はどこ
でもウェーハ間膜均一性は向上するが、円周方向の接線
に対して±４５°の範囲が好ましい。
でもウェーハ間膜均一性は向上するが、円周方向の接線
に対して±４５°の範囲が好ましい。
【００２２】更に、反応ガス供給ノズルの本数は２本以
外でもよく、該反応ガス供給ノズルに穿設する反応ガス
供給口の数も上記実施例に限定されるものではない。
外でもよく、該反応ガス供給ノズルに穿設する反応ガス
供給口の数も上記実施例に限定されるものではない。
【００２３】又、反応ガス供給孔の径は、同一であって
もよく、或は反応ガス供給孔の穿設ピッチを上方に位置
するほど小さくする等、適宜変更することも可能であ
る。更に、反応ガス供給ノズルの高さ、反応ガス供給孔
の高さも適宜選択することができることも勿論である。
もよく、或は反応ガス供給孔の穿設ピッチを上方に位置
するほど小さくする等、適宜変更することも可能であ
る。更に、反応ガス供給ノズルの高さ、反応ガス供給孔
の高さも適宜選択することができることも勿論である。
【００２４】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ウェー
ハ間の膜均一性を向上させ得、ウェーハＣＶＤ処理の品
質の向上を図ることができる。
ハ間の膜均一性を向上させ得、ウェーハＣＶＤ処理の品
質の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面概略図である。
【図２】膜堆積速度とウェーハの位置関係を示す線図で
ある。
ある。
【図３】従来例を示す断面図である。
１ 反応炉 ７ ボート ８ ウェーハ １３ 第１Ｌノズル １８ 第２Ｌノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 直人 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 柴田 英治 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ボートによりウェーハを水平姿勢で多段
に保持して炉内に装入し、該炉内に反応ガスを供給して
ウェーハ表面に膜を堆積させる縦型ＣＶＤ装置に於い
て、ボートに沿って所要数の反応ガス供給ノズルを立設
し、該反応ガス供給ノズルに複数の反応ガス供給孔を穿
設したことを特徴とする縦型ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応ガス供給孔を円周方向に向けて穿設
した請求項１の縦型ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 反応ガス供給孔の大きさを位置に応じて
変更した請求項１の縦型ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206693A JPH06228757A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206693A JPH06228757A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228757A true JPH06228757A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=12625724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206693A Pending JPH06228757A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228757A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014236129A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| WO2020194433A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP4206693A patent/JPH06228757A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014236129A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| WO2020194433A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| JPWO2020194433A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-12-16 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
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