JPWO2020194433A1 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
処理室内に複数の基板を積載して収容する工程と、
前記処理室内に前記複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多い第1のノズルと、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第2のノズルとから、前記複数の基板に対して原料ガスを供給する工程と、前記複数の基板に対して反応ガスを供給する工程と、
を有する技術が提供される。
以下、本開示の第1の実施形態について、図1〜図7を参照しながら説明する。基板処理装置10は半導体装置の製造工程において使用される装置の一例として構成されている。
基板処理装置10は、加熱手段(加熱機構、加熱系)としてのヒータ207が設けられた処理炉202を備える。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。
φ:A(n)>A(1)、A(2)、A(3)、・・・、A(n-1)
例えば、孔径φの絶対値が、0.5mmから3.0mmの範囲において、A(n)とA(1)との相対的な比率は、1:1.01−1:6の範囲とするのが良い。ガス供給孔411a,の孔径はガス供給孔411aからのガスの流量が上流側から下流側へ向かうにつれて大きくなるように設定される。
φ:B(1)>B(2)、B(3)、・・・、B(n-1)、B(n)
例えば、孔径φの絶対値が、0.5mmから3.0mmの範囲において、B(1)とB(n)との相対的な比率は、1:1.01−1:6の範囲とするのが良い。ガス供給孔411bの孔径はガス供給孔411bからのガスの流量が下流側から上流側へ向かうにつれて大きくなるように設定される。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、ウエハ200上に、金属膜を形成する工程の一例について、図7を用いて説明する。金属膜を形成する工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介してアウタチューブ203の下端開口を閉塞した状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
続いて、第1の金属層として例えば金属窒化層であるTiN層を形成するステップを実行する。
バルブ314aを開き、ガス供給管310a内に原料ガスであるTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、MFC312a,312bによりTiCl4ガスの分圧バランスがウエハ200の積載方向に沿って所定値となるよう流量調整され、ノズル410a,410bのガス供給孔411a,411bから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514a,514bを開き、ガス供給管510a,510b内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510a,510b内を流れたN2ガスは、MFC512a,512bにより流量調整され、TiCl4ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420a内へのTiCl4ガスの侵入を防止するために、バルブ524aを開き、ガス供給管520a内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320a、ノズル420aを介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
Ti含有層が形成された後、バルブ314a,314bを閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。このときバルブ514a,514b,524aは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324aを開き、ガス供給管320a内に、反応ガスとしてN含有ガスであるNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC322aにより流量調整され、ノズル420aのガス供給孔421aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスが供給されることとなる。このとき、バルブ524aは閉じた状態として、N2ガスがNH3ガスと一緒に処理室201内に供給されないようにする。すなわち、NH3ガスはN2ガスで希釈されることなく、処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410a,410b内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514a,514bを開き、ガス供給管510a,510b内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310a,310b、ノズル410a,410bを介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。この場合、反応ガス(NH3ガス)を、N2ガスで希釈することなく、処理室201内へ供給するので、TiN層の成膜レートを向上させることが可能である。なお、ウエハ200近傍におけるN2ガスの雰囲気濃度も調整可能である。
TiN層を形成した後、バルブ324aを閉じて、NH3ガスの供給を停止する。そして、ステップS11と同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。
上記したステップS10〜ステップS13を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(n回))行うことにより、ウエハ200上に、所定の厚さ(例えば0.1〜2nm)のTiN層を形成する。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましく、例えば10〜80回ほど行うことが好ましく、より好ましくは10〜15回ほど行う。
ガス供給管510a,510b,520aのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、アウタチューブ203の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態でアウタチューブ203の下端からアウタチューブ203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
上述の第1の実施形態では、吹き出し特性が異なる2本のノズルに原料ガスを供給し、1本のノズルに反応ガスを供給する例を示した。第1の実施形態の変形例では、吹き出し特性が異なる2本のノズルに反応ガスを供給し、1本のノズルに原料ガスを供給する。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
上述の第1の実施形態では、同種の処理ガスを供給される吹き出し特性が異なる2本のノズルと、別の処理ガスを供給する1本のノズルと、を設ける例を示した。第2の実施形態では、同種のガスを供給し吹き出し特性が異なる2本のノズルを2組設ける。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
バルブ314a,314bを開き、ガス供給管310a,310b内に原料ガスであるTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、MFC312a,312bにより流量調整され、ノズル410a,410bのガス供給孔411a,411b410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ514a,514bを開き、ガス供給管510a,510b内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510a,510b内を流れたN2ガスは、MFC512a,512bにより流量調整され、TiCl4ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき、ノズル420a,420b内へのTiCl4ガスの侵入を防止すると共に処理ガスの濃度分布を調整するために、バルブ524a,524bを開き、ガス供給管520a,520b内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320a,320b、ノズル420a,420bを介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324a,324bを開き、ガス供給管320a,320b内に、反応ガスとしてN含有ガスであるNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC322a,322bによりNH3ガスの分圧バランスがウエハ200の積載方向に沿って所定値となるよう流量調整され、ノズル420a,420bのガス供給孔421a,421bから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスが供給されることとなる。このとき、バルブ524a,524bは閉じた状態として、N2ガスがNH3ガスと一緒に処理室201内に供給されないようにする。すなわち、NH3ガスはN2ガスで希釈されることなく、処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410a,410b内へのNH3ガスの侵入を防止すると共に反応ガスの濃度分布を調整するために、バルブ514a,514bを開き、ガス供給管510a,510b内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310a,310b、ノズル410a,410bを介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。この場合、反応ガス(NH3ガス)を、N2ガスで希釈することなく、処理室201内へ供給するので、TiN層の成膜レートを向上させることが可能である。なお、ウエハ200近傍におけるN2ガスの雰囲気濃度も調整可能である。
200・・・ウエハ(基板)
201・・・処理室
410a・・・ノズル(第1のノズル)
410b・・・ノズル(第2のノズル)
420a・・・ノズル(第3のノズル)
Claims (18)
- 処理室内に複数の基板を積載して収容する工程と、
前記処理室内に前記複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多い第1のノズルと、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第2のノズルとから、前記複数の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記複数の基板に対して反応ガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記原料ガスを供給する工程では、前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第1のノズルの前記複数の供給口および前記基板積載方向の上部から下部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第2のノズルの前記複数の供給口から、前記原料ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるように調整しつつ前記原料ガスを供給する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記処理室に前記基板積載方向に沿って設けられる第3のノズルから前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多い前記第3のノズルおよび前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第4のノズルから前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第3のノズルの前記複数の供給孔および前記基板積載方向の上部から下部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第4のノズルの前記複数の供給孔から、前記反応ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるように調整しつつ前記反応ガスを供給する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の基板を積載して収容する処理室と、
前記処理室内に前記複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給するガスの流量が多い第1のノズルと、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第2のノズルと、を備え、前記複数の基板に対して原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記複数の基板に対して反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
を有する基板処理装置。 - 前記処理室内の前記複数の基板に対して、前記第1のノズルおよび前記第2のノズルから供給する前記原料ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるよう調整しつつ前記原料ガスを供給する処理を行うことが可能なように、前記原料ガス供給系を制御するよう構成される制御部を有する請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記第1のノズルは前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備え、前記第2のノズルは前記基板積載方向の上部から下部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記反応ガス供給系は、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する第3のノズルを有する請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記反応ガス供給系は、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する第4のノズルを更に備え、
前記第3のノズルは、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多いノズルであり、前記第4のノズルは、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多いノズルである請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記処理室内の前記複数の基板に対して、前記第3のノズルおよび前記第4のノズルから供給する前記反応ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるよう調整しつつ前記反応ガスを供給する処理を行うことが可能なように、前記反応ガス供給系を制御するよう構成される制御部を有する請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記第3のノズルは前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備え、前記第4のノズルは前記基板積載方向の上部から前記下部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える請求項10に記載の基板処理装置。
- 複数の基板を積載して収容する処理室と、
前記複数の基板に対して処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内に前記複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給するガスの流量が多い第1のノズルと、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第2のノズルと、を備え、前記複数の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記第1のノズルおよび前記第2のノズルから供給される不活性ガスにより、前記処理ガスの濃度分布を前記基板積載方向に沿って所定の濃度分布となるように、前記処理ガス供給系および前記不活性ガス供給系とを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内に複数の基板を積載して収容する手順と、
前記処理室内に前記複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多い第1のノズルと、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第2のノズルとから、前記複数の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記複数の基板に対して反応ガスを供給する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 前記原料ガスを供給する手順では、前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第1のノズルの前記複数の供給孔および前記基板積載方向の上部から下部に向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第2のノズルの前記複数の供給孔から、前記前記原料ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるように調整しつつ前記原料ガスを供給する請求項14に記載のプログラム。
- 前記反応ガスを供給する手順では、前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられる第3のノズルから前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する請求項14に記載のプログラム。
- 前記反応ガスを供給する手順では、前記基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給する前記ガスの流量が多い前記第3のノズルおよび前記処理室内に前記基板積載方向に沿って設けられ、前記基板積載方向の上部から供給する前記ガスの流量よりも下部から供給する前記ガスの流量が多い第4のノズルから前記複数の基板に対して前記反応ガスを供給する請求項16に記載のプログラム。
- 前記反応ガスを供給する手順では、前記基板積載方向の下部から上部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第3のノズルの前記複数の供給孔および前記基板積載方向の上部から下部へ向かって広くなる開口面積を有する複数の供給口を備える前記第4のノズルの前記複数の供給孔から、前記反応ガスの分圧バランスを前記基板積載方向に沿って所定の分圧バランスとなるように調整しつつ前記反応ガスを供給する請求項17に記載のプログラム。
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