JP6756689B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Description
(a)基板に対して原料を供給し第1層を形成する工程と、
(b)前記基板に対して反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
(a)では、
(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する工程と、
(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する工程と、
をこの順に行う技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1〜図5を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に膜を形成する基板処理シーケンス例、すなわち、成膜シーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対して原料としてHCDSガスを供給するステップA(図中Aで示す)と、
ウエハ200に対して反応体としてNH3ガスを供給するステップB(図中Bで示す)と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、ウエハ200上に、膜として、SiおよびNを含む膜であるシリコン窒化膜(SiN膜)を形成する。
ウエハ200に対して、第1供給部としてのノズル249aから第1流量で不活性ガスとしてN2ガスを供給しつつHCDSガスを供給すると共に、ノズル249aに隣接して設けられた第2供給部としてのノズル249b,249cから第2流量でN2ガスを供給するステップA1(図中A1で示す)と、
ウエハ200に対して、ノズル249aから第1流量および第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量でN2ガスを供給しつつHCDSガスを供給するか、ノズル249aからのN2ガスの供給を停止しつつノズル249aからHCDSガスを供給すると共に、ノズル249b,249cから第4流量でN2ガスを供給するステップA2(図中A2で示す)と、
をこの順に行うことで、ウエハ200上に形成されるSiN膜のウエハ面内膜厚分布(以下、単に面内膜厚分布ともいう)を制御する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の成膜温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップA,Bを順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給する。具体的には、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へHCDSガスを流す。HCDSガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気口231aより排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給される。ステップAにおいては、ノズル249a〜249cを介して処理室201内へN2ガスを供給するステップA1,A2を行うが、その詳細については後述する。
HCDSガス供給流量:0.001〜2slm、好ましくは0.01〜1slm
HCDSガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
処理温度:250〜800℃、好ましくは400〜700℃
処理圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
第1流量(ノズル249a):3〜20slm、好ましくは、5〜10slm
第2流量(ノズル249b,249c合計):3〜20slm、好ましくは、5〜10slm
ステップA1の実施時間:ステップAにおけるHCDSガス供給時間の1/10〜1/4
が例示される。他の処理条件は、上述のステップAにおける処理条件と同様である。
第3流量(ノズル249a):0〜0.8slm、好ましくは、0〜0.2slm
第4流量(ノズル249b,249c合計):3〜20slm、好ましくは、5〜10slm
ステップA2の実施時間:ステップAにおけるHCDSガス供給時間の3/4〜9/10
が例示される。他の処理条件は、上述のステップAにおける処理条件と同様である。
ステップAが終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1層に対してNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243bを開き、ガス供給管243b内へNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気口231aより排気される。このとき、ウエハ200に対してNH3ガスが供給される。なお、このとき、バルブ243c〜243eのうち少なくともいずれかを開き、ノズル249c〜249aのうち少なくともいずれかを介して処理室201内へN2ガスを流すようにしてもよい。図4は、ノズル249bからのN2ガスの供給を不実施とし、ノズル249a,249cからのN2ガスの供給を実施する場合を示している。
NH3ガス供給流量:1〜10slm
NH3ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):0〜2slm
処理圧力:1〜4000Pa、好ましくは1〜3000Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様な処理条件とする。
上述したステップA,Bを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、上述のサイクルを1回行う際に形成される第2層の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、第2層を積層することで形成されるSiN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
成膜ステップが終了した後、ノズル249a〜249cのそれぞれからパージガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aから排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態における成膜ステップは、図4に示す態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。また、これらの変形例は任意に組み合わせることができる。なお、特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の基板処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とする。
図4に示す成膜シーケンスでは、ステップA1において、ノズル249aからのN2ガスの供給を、HCDSガスの供給よりも先行して開始する例について説明したが、ノズル249aからのN2ガスの供給を、HCDSガスの供給と同時に開始するようにしてもよい。この場合、図4に示す成膜シーケンスよりも、1サイクルあたりの処理時間を短縮させ、成膜処理の生産性を向上させることが可能となる。
図4に示す成膜シーケンスでは、ステップA2において、第4流量を第2流量と等しくする例(第4流量=第2流量)について説明したが、第4流量を第2流量よりも小さくしてもよい(第4流量<第2流量)。また、第4流量をゼロとし、ノズル249b,249cからのN2ガスの供給を停止してもよい。もしくは、第4流量を第2流量よりも大きくしてもよい(第4流量>第2流量)。
図4に示す成膜シーケンスでは、ステップA2において、ノズル249aからのN2ガスの供給を停止する例について説明したが、上述したように、ノズル249aから、第1流量および第2流量のそれぞれよりも小さくゼロより大きい第3流量でN2ガスを供給しつつ、HCDSガスを供給するようにしてもよい。このようにすることで、ウエハ200上に形成されるSiN膜の面内膜厚分布を、例えば、中央凸分布の度合いを強める方向に微調整することが可能となる。
原料として、例えば、1,1,2,2−テトラクロロ−1,2−ジメチルジシラン((CH3)2Si2Cl4、略称:TCDMDS)ガスのようなアルキルハロシラン原料ガスや、トリスジメチルアミノシラン(Si[N(CH3)2]3H、略称:3DMAS)ガスやビスジエチルアミノシラン(SiH2[N(C2H5)2]2、略称:BDEAS)ガスのようなアミノシラン原料ガスを用いてもよい。
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOC(N)
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
(HCDS→O2+H2)×n ⇒ SiO
(3DMAS→O3)×n ⇒ SiO
(BDEAS→O2 *)×n ⇒ SiO
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
(TiCl4→TMA→NH3)×n ⇒ TiAlCN
(TiCl4→TMA)×n ⇒ TiAlC
(TiCl4→TEA)×n ⇒ TiCN
(TiCl4→H2O)×n ⇒ TiO
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
(a)基板に対して原料を供給し第1層を形成する工程と、
(b)前記基板に対して反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
(a)では、
(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する工程と、
(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する工程と、
をこの順に行う半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)の実施時間を、(a−2)の実施時間よりも短くする。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)における前記原料の分圧を、(a−2)における前記原料の分圧よりも小さくする。
付記1〜3のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)を、前記原料に含まれる前記膜を構成する主元素の(下地への)吸着状態が擬似不飽和状態である期間に行う。また、(a−2)を、前記原料に含まれる前記膜を構成する主元素の(下地への)吸着状態が擬似飽和状態である期間に行う。なお、前記原料に含まれる前記膜を構成する主元素の(下地への)吸着状態が擬似不飽和状態である期間には、(a−2)を不実施とする。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)を、前記第1層の形成レートが第1レートから前記第1レートよりも小さい第2レートへ変化するまでの期間に行う。また、(a−2)を、前記第1層の形成レートが第1レートから前記第1レートよりも小さい第2レートへ変化した後の期間に行う。なお、前記第1層の形成レートが第1レートから前記第1レートよりも小さい第2レートへ変化するまでの期間には、(a−2)を不実施とする。
付記1〜5のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)での前記原料の前記基板の中央部への到達量を、(a−2)での前記原料の前記基板の中央部への到達量よりも多くする。
付記1〜6のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)では、前記原料の前記基板の中央部への到達量を、前記原料の前記基板の外周部(周縁部)への到達量よりも多くする。
付記1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)での前記基板の中央部における前記原料の濃度を、(a−2)での前記基板の中央部における前記原料の濃度よりも高くする。
付記1〜8のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)では、前記基板の中央部における前記原料の濃度を、前記基板の外周部(周縁部)における前記原料の濃度よりも高くする。
付記1〜9のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記第4流量を前記第2流量と等しくする。もしくは、前記第4流量を前記第2流量よりも小さくする。もしくは、前記第4流量を前記第2流量よりも大きくする。このように、前記第4流量を調整することで、前記基板上に形成される前記膜の前記基板の面内における膜厚分布を微調整する。
付記1〜10のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−1)では、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を、前記原料の供給よりも先行して開始する。
付記1〜11のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2供給部は複数の供給部を有し、それらは、前記第1供給部を挟んでその両側に配置される。
付記1〜12のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1流量および前記第2流量のそれぞれを、(a−1)における前記原料の供給流量よりも大きくする。
付記1〜13のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記第4流量を、(a−2)における前記原料の供給流量よりも大きくする。
付記1〜14のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記第3流量を、(a−2)における前記原料の供給流量よりも小さくする。
付記1〜15のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a−2)では、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止する。すなわち、前記第3流量をゼロとする。
本発明の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内において、(a)基板に対して前記原料を供給し第1層を形成する処理と、(b)前記基板に対して前記反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、(a)では、(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する処理と、(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する処理と、をこの順に行わせるように、前記原料供給系、前記反応体供給系、および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
(a)基板に対して原料を供給し第1層を形成する手順と、
(b)前記基板に対して反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する手順と、
(a)において、
(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する手順と、
(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する手順と、
をこの順に行わせる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
249a ノズル(第1供給部)
249b ノズル(第2供給部)
249c ノズル(第2供給部)
Claims (10)
- (a)基板に対して原料を供給し第1層を形成する工程と、
(b)前記基板に対して反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
(a)では、
(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する工程と、
(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する工程と、
をこの順に行い、
(a−1)における前記原料の分圧を、(a−2)における前記原料の分圧よりも小さくする半導体装置の製造方法。 - (a−1)の実施時間を、(a−2)の実施時間よりも短くする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2供給部は複数の供給部を有し、それらは、前記第1供給部を挟んでその両側に配置される請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1流量および前記第2流量のそれぞれを、(a−1)における前記原料の供給流量よりも大きくする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第4流量を、(a−2)における前記原料の供給流量よりも大きくする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3流量を、(a−2)における前記原料の供給流量よりも小さくする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a−2)では、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止し、前記第3流量をゼロとする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a−1)では、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を、前記原料の供給よりも先行して開始する請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内において、(a)基板に対して前記原料を供給し第1層を形成する処理と、(b)前記基板に対して前記反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、(a)では、(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する処理と、(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する処理と、をこの順に行わせ、(a−1)における前記原料の分圧を、(a−2)における前記原料の分圧よりも小さくするように、前記原料供給系、前記反応体供給系、および前記不活性ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)基板に対して原料を供給し第1層を形成する手順と、
(b)前記基板に対して反応体を供給し前記第1層を改質させて第2層を形成する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する手順と、
(a)において、
(a−1)前記基板に対して、第1供給部から第1流量で不活性ガスを供給しつつ前記
原料を供給すると共に、前記第1供給部に隣接して設けられた第2供給部から第2流量で不活性ガスを供給する手順と、
(a−2)前記基板に対して、前記第1供給部から前記第1流量および前記第2流量のそれぞれよりも小さい第3流量で不活性ガスを供給しつつ前記原料を供給するか、前記第1供給部からの不活性ガスの供給を停止しつつ前記第1供給部から前記原料を供給すると共に、前記第2供給部から第4流量で不活性ガスを供給する手順と、
をこの順に行わせる手順と、
(a−1)における前記原料の分圧を、(a−2)における前記原料の分圧よりも小さくする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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