JP5221089B2 - 成膜方法、成膜装置および記憶媒体 - Google Patents
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Description
さらに、そのような成膜方法を実行するプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを目的とする。
図1は本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図、図2は図1の成膜装置を示す横断面図、図3は本発明の成膜方法の一例におけるガスの供給のタイミングを示すタイミングチャートである。なお、図2においては、加熱装置を省略している。
10〜100Paが例示される。
ここでは、ZrソースとしてTEMAZを用い、酸化剤としてO3を用いて、図3のタイミングチャートおよび図4のタイムスケジュールで工程S1−工程S3−工程S2−工程S3を1サイクルとし、これを70サイクル繰り返して12nmの膜厚で成膜したZrO2膜(実施例)と、比較のため、図5のタイムスケジュールに示すように、工程S2の酸化剤供給工程を途中に真空引きを行わずに180sec行った以外はほぼ同様に成膜したZrO2膜(比較例)について、誘電体特性を測定した。
5;ウエハボート(供給手段)
14;酸化剤供給機構
15;Zrソースガス供給機構
16;パージガス供給機構
17;酸化剤供給源
19;酸化剤分散ノズル
24;Zrソースガス分散ノズル
40;加熱機構
100;成膜装置
W;半導体ウエハ(被処理体)
Claims (15)
- 真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、前記処理容器内を真空に保持した状態として、その中に成膜原料を供給する工程と、その中に酸化剤を供給する工程とを複数回繰り返し、基板上に酸化膜を形成する成膜方法であって、
(1) 前記処理容器内に、前記成膜原料を供給する工程と、
(2) 前記成膜原料が供給された前記処理容器内に残留するガスを、前記処理容器内の真空引きと、前記処理容器内へのパージガスの供給とを行って除去する工程と、
(3) 前記処理容器内に、前記処理容器内の真空引きを挟んで酸化剤の供給を複数回繰り返す工程と、
(4) 前記酸化剤が供給された前記処理容器内に残留するガスを、前記処理容器内の真空引きと、前記処理容器内へのパージガスの供給とを行って除去する工程と、
を備え、
前記(2)工程の時間を、前記(4)工程の時間よりも長くすることを特徴とする成膜方法。 - 前記(3)工程の最後が前記処理容器内の真空引きであったとき、
前記(4)の工程は、前記処理容器内へのパージガスの供給を行ってから、前記処理容器内の真空引きと、前記処理容器内へのパージガスの供給とを行うことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。 - 前記(2)工程および(4)工程は、前記処理容器内の真空引きと、前記処理容器内へのパージガスの供給とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
- 前記(3)工程における前記酸化剤の供給の繰り返し回数が2〜10回であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記(3)工程における前記酸化剤のトータルの供給時間は、前記(1)工程における前記成膜原料の供給時間より長いことを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記酸化剤は、O3ガス、H2Oガス、O2ガス、NO2ガス、NOガス、N2Oガス、O2ガスとH2ガスのラジカルから選択された少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記成膜原料は、有機金属化合物であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記有機金属化合物は、この有機金属化合物の有機基と前記酸化剤とが反応してガスを発生させるものであることを特徴とする請求項7に記載の成膜方法。
- 前記酸化膜は、ZrO2膜であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記真空引きは、前記処理容器内にガスを供給せずに前記処理容器内からガス成分を排出する引ききり状態であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記(2)工程における前記真空引きの時間は、前記(4)工程における前記真空引きの時間よりも長く、
前記(2)工程における前記パージガスの供給の時間は、前記(4)工程における前記パージガスの供給の時間よりも長いことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 前記(1)工程、前記(2)工程、前記(3)工程、および前記(4)工程を1サイクルとし、この1サイクルを複数回繰り返して前記基板上に前記酸化膜を形成することを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記基板はホールを有し、前記酸化膜は前記ホールを有した基板上に形成されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 被処理体に対して金属酸化膜を成膜する成膜装置であって、
真空保持可能な縦型で筒体状をなす処理容器と、
前記被処理体を複数段に保持した状態で前記処理容器内に保持する保持部材と、
前記処理容器の外周に設けられた加熱装置と、
成膜原料を前記処理容器内に供給する成膜原料供給機構と、
前記処理容器内へ酸化剤を供給する酸化剤供給機構と、
前記処理容器内へパージガスを供給するパージガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記成膜原料供給機構、前記酸化剤供給機構、前記パージガス供給機構、および前記排気機構を制御する制御機構と
を具備し、
前記制御機構は、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の成膜方法が行われるように、前記成膜原料供給機構、前記酸化剤供給機構、前記パージガス供給機構、および前記排気機構を制御することを特徴とする成膜装置。 - コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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KR100716652B1 (ko) * | 2005-04-30 | 2007-05-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 나노컴포지트 유전막을 갖는 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
JP2007142155A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Sony Corp | 酸化処理方法および半導体装置の製造方法 |
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JP4228008B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2009-02-25 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (2)
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