JP4927147B2 - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
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Description
さらに、そのような成膜方法を実行するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
図1は本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す縦断面図、図2は図1の成膜装置を示す横断面図、図3は本発明の成膜方法の一例におけるガスの供給のタイミングを示すタイミングチャートである。なお、図2においては、加熱装置を省略している。
図4に、上記TDMAH、TEMAH、TDEAHの蒸気圧曲線を示す。この図に示すように、TDMAHが最も蒸気圧が高く気化しやすく、常温で液体のTEMAH、TDEAHはTDMAHに比較して蒸気圧が低く気化しにくいことがわかる。
ここは、HfソースとしてTDMAHに5質量%のTEMAHを混合したものを用いた実施例の場合と、TEMAHのみを用いた比較例の場合とについて、HfO2膜の成膜試験を行った。
5;ウエハボート(供給手段)
14;酸素含有ガス供給機構
15;Hfソースガス供給機構
16;パージガス供給機構
19;酸素含有ガス分散ノズル
24;Hfソースガス分散ノズル
40;加熱機構
100;成膜装置
W;半導体ウエハ(被処理体)
Claims (11)
- 真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、HfまたはZrを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを前記処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にHfO2膜またはZrO2膜を形成する成膜方法であって、
前記有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第1有機金属化合物に、常温で液体の第2有機金属化合物を混合してなり、常温で液体であり、
形成する膜がHfO2膜である場合には、前記第1有機金属化合物がテトラキスジメチルアミノハフニウム(TDMAH)、前記第2有機金属化合物がテトラキスエチルメチルアミノハフニウム(TEMAH)またはテトラキスジエチルアミノハフニウム(TDEAH)であり、形成する膜がZrO2膜である場合には、前記第1有機金属化合物がテトラキスジメチルアミノジルコニウム(TDMAZ)、前記第2有機金属化合物がテトラキスエチルメチルアミノジルコニウム(TEMAZ)またはテトラキスジエチルアミノジルコニウム(TDEAZ)であり、
前記第2有機金属化合物の有機金属化合物全体に対する割合が55質量%以下であることを特徴とする成膜方法。 - 前記第2有機金属化合物の有機金属化合物全体に対する割合が10質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記第2有機金属化合物の有機金属化合物全体に対する割合が5〜10質量%であることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 前記成膜原料と前記酸化剤とを交互的に前記処理容器内に供給することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記成膜原料を前記処理容器内へ供給する工程と、前記酸化剤を前記処理容器内へ供給する工程との間に、前記処理容器内に残留しているガスを除去する工程を挿入することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記処理容器内に残留しているガスを除去する工程は、前記処理容器内を真空引きしながら前記処理容器内にパージガスを導入することを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 被処理体に対してHfO2膜またはZrO2膜を成膜する成膜装置であって、
真空保持可能な縦型で筒体状をなす処理容器と、
前記被処理体を複数段に保持した状態で前記処理容器内に保持する保持部材と、
前記処理容器の外周に設けられた加熱装置と、
常温で固体でありかつ高蒸気圧である第1有機金属化合物に、常温で液体の第2有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である、HfまたはZrを含むアミン系の有機金属化合物であって、形成する膜がHfO2膜である場合には、前記第1有機金属化合物がテトラキスジメチルアミノハフニウム(TDMAH)、前記第2有機金属化合物がテトラキスエチルメチルアミノハフニウム(TEMAH)またはテトラキスジエチルアミノハフニウム(TDEAH)であり、形成する膜がZrO2膜である場合には、前記第1有機金属化合物がテトラキスジメチルアミノジルコニウム(TDMAZ)、前記第2有機金属化合物がテトラキスエチルメチルアミノジルコニウム(TEMAZ)またはテトラキスジエチルアミノジルコニウム(TDEAZ)であり、前記第2有機金属化合物の有機金属化合物全体に対する割合が55質量%以下である有機金属化合物からなる成膜原料を前記処理容器内に供給する成膜原料供給機構と、
前記処理容器内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給機構と、
前記成膜原料と酸素含有ガスの供給を制御する制御機構と
を具備することを特徴とする成膜装置。 - 前記制御機構は、前記成膜原料と前記酸素含有ガスとを交互的に前記処理容器内に供給するように前記成膜原料供給機構と前記酸素含有ガス供給機構を制御することを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
- 前記制御機構は、前記成膜原料を前記処理容器内へ供給する工程と、前記酸素含有ガスを前記処理容器内へ供給する工程との間に、前記処理容器内に残留しているガスを除去する工程を挿入するように制御することを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記処理容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構をさらに具備し、前記制御機構は、前記ガスを除去する工程の際に、前記処理容器内にパージガスを供給させることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
- コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項6のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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