JPH11197440A - ガス除害装置 - Google Patents

ガス除害装置

Info

Publication number
JPH11197440A
JPH11197440A JP10003284A JP328498A JPH11197440A JP H11197440 A JPH11197440 A JP H11197440A JP 10003284 A JP10003284 A JP 10003284A JP 328498 A JP328498 A JP 328498A JP H11197440 A JPH11197440 A JP H11197440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
abatement
combustion
dry
detoxification device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10003284A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoto Nakamura
直人 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP10003284A priority Critical patent/JPH11197440A/ja
Publication of JPH11197440A publication Critical patent/JPH11197440A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Fire-Extinguishing Compositions (AREA)
  • Incineration Of Waste (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ランニングコストを低く維持でき、かつ安定
した運転ができ、安全性に優れたガス除害装置を得る。 【解決手段】 乾式ガス除害装置4と燃焼式ガス除害装
置3を併設し、燃焼式ガス除害装置3に異常が検出され
ない通常時は、この燃焼式ガス除害装置3により除害対
象ガスの除害を行う一方、燃焼式ガス除害装置3に異常
が検出された場合は、乾式ガス除害装置4により除害対
象ガスの除害を行うようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、特殊材料ガス等
のガス除害装置に関し、特に、半導体製造に使用され、
そのまま大気に排出すると環境汚染の恐れがあるガス、
人体に危害を及ぼす恐れのあるガスの除害措置を行うガ
ス除害装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、プロセスガスを用いてウェハに
成膜処理を行う半導体製造装置におけるCVD装置で
は、使用したプロセスガスを無害なものとするべく除害
処理を行い、しかる後に大気中に排出するようにしてい
る。かかる除害処理を行うガス除害装置の例として、乾
式ガス除害装置や燃焼式ガス除害装置が知られている。
【0003】図3、図4は、従来より、シラン(SiH
4 )やホスフィン(PH3 )のプロセスガスの下、CV
D装置を用いてポリシリコンの成膜を行う場合におけ
る、これらのガス除害装置の用い方を示した概略構成図
である。図3は燃焼式ガス除害装置を用いた場合の構成
図であり、1はCVD装置、2はCVD装置1に設けら
れ、CVD装置で使用されたガスを吸引するための真空
ポンプ、3は真空ポンプ2により吸引されたガスを除害
して排気する燃焼式ガス除害装置である。
【0004】この燃焼式ガス除害装置は、水素、プロパ
ン等の可燃性ガスを燃焼させ、その炎や熱により、除害
対象ガスを化学反応させて除害するようにした除害装置
であり、除害効率が高く、ランニングコストが低いとい
う利点がある。
【0005】図4は、乾式ガス除害装置を用いた場合の
構成図であり、1はCVD装置、2は真空ポンプ、そし
て、4は真空ポンプ2により吸引されたガスを除外して
排気する乾式ガス除害装置である。
【0006】この乾式ガス除害装置は、乾式除害薬剤に
より、常温で吸着や化学反応により除害対象ガスを除害
するようにした除害装置であり、薬剤が残存している限
り、燃焼式ガス除害装置に比べ低温(室温)でも除害が
行えるという利点がある。
【0007】なお、ガス除害装置の使用形態として、図
5に示されるように、乾式ガス除害装置4、及び燃焼式
ガス除害装置3をシリーズに設け、乾式ガス除害装置4
によるガスの除害後に、そのガスを更に燃焼式ガス除害
装置3で除害するようにしたものが知られるが、この使
用形態は、乾式ガス除害装置のみでは除害できないガ
ス、及び燃焼式ガス除害装置のみでは除害できないガス
の双方を使用して排出する場合に、それぞれ除害できな
いガスについて他方のガス除害装置を使用するようにし
たものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図3に示した燃焼式ガ
ス除害装置は、上述したように、通常運転時には、高効
率でランニングコストが低いという利点があるものの、
一方では、燃料供給が停止されたような場合や、過加熱
されたような場合は、燃焼を停止させる必要があり、こ
のような場合に、安定した除害装置として使用すること
ができない。これに対して、図4に示した乾式ガス除害
装置は、薬剤を使い切るまでは、低温度で安定した運転
ができるという利点があるものの、一方では、薬剤交換
に要する費用が高く、ランニングコストが高くなるとい
う欠点を有する。
【0009】そこで、この発明は、燃焼式、或いは乾式
のいずれの方式でも除害できる除害対象ガスに対して、
上述した双方の装置を併設して使用することにより、こ
れら装置の互いの欠点を補足しあうような使用形態がと
れ、もって、ランニングコストを低く維持でき、かつ安
定した運転ができ、安全性に優れたガス除害装置を得る
ことを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、水素、プロパン等の可燃性ガスを燃
焼させ、その炎や熱により除害対象ガスを化学反応させ
て除害するようにした燃焼式ガス除害装置と、乾式除害
薬剤により、常温で吸着や化学反応により除害対象ガス
を除害するようにした乾式ガス除害装置と、通常時は前
記燃焼式ガス除害装置を運転状態とする一方、該燃焼式
ガス除害装置の異常を検出した場合は、前記乾式除害装
置を運転状態とし、前記燃焼式ガス除害装置から前記乾
式ガス除害装置へ除害対象ガスの供給を切り替えるよう
にしたコントローラとを備えたものである。
【0011】このような構成によれば、燃焼式ガス除害
装置に異常が検出されない通常時は、この燃焼式ガス除
害装置により除害対象ガスの除害を行うことにより、ラ
ンニングコストを低く抑えることができる。一方、燃焼
式ガス除害装置に異常が検出された場合は、乾式ガス除
害装置により除害対象ガスの除害を行うことができるの
で、安定した除害運転ができることとなり、安全性にも
優れたものとすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。この実施の形態は、除害対象ガス
であるSiH4 やPH3 のプロセスガスを用いてポリシ
リコン成膜を行うCVD装置におけるガス除害装置に例
をとって説明する。
【0013】図1は実施の形態を示す全体構成図であ
る。図1において、1はCVD装置、2は真空ポンプ、
3は燃焼式ガス除害装置、4は乾式ガス除害装置であ
る。
【0014】燃焼式ガス除害装置3は、除害対象ガス導
入用の配管8を介して真空ポンプ2の排気側に接続され
ている。また、乾式ガス除害装置4は、除害対象ガス導
入用の配管9を介して真空ポンプ2の排気側に接続され
ている。配管8には、この配管8を開閉するバルブ10
が設けられ、配管9には、この配管9を開閉するバルブ
11が設けられている。燃焼式ガス除害装置3及び乾式
ガス除害装置4は排気管14に接続されている。
【0015】また、図1において、5はコントローラで
あり、このコントローラ5は燃焼式ガス除害装置3、乾
式ガス除害装置4、バルブ10、11とそれぞれ信号線
6、7、12、13で接続されている。
【0016】以下、実施の形態におけるコントローラ5
の制御動作について説明する。まず、ステップS1にお
いてバルブ10を開くと共に、バルブ11を閉じ、ステ
ップS2において燃焼式ガス除害装置3を運転を開始す
る。燃焼式ガス除害装置3の運転が始まると、ステップ
S3において、各種状態信号が検出される。
【0017】ステップS3における状態信号の検出は、
燃焼式ガス除害装置3の異常を検出するためのもので、
コントローラ5に入力される、図示しない圧力計や流量
計の検出値に基づく燃料供給の停止、除害対象ガスのガ
ス漏れを検知するガス検知器の検出信号に基づくガス漏
れ、温度計の検出温度に基づく燃焼式ガス除害装置3の
過加熱、あるいは燃焼停止などが検出された場合に、燃
焼式ガス除害装置が異常状態にあると判断される。
【0018】そして、ステップS4において、上述した
異常があると判断された場合は、ステップS5に進み、
バルブ10を閉じて、燃焼式ガス除害装置3への除害対
象ガスの供給を停止すると共に、バルブ11を開いて、
乾式ガス除害装置4への除害対象ガスの供給を開始す
る。そして、ステップS6において、乾式ガス除害装置
4の運転を開始すると共に、燃焼式ガス除害装置の運転
を停止する。なお、室温で動作する乾式ガス除害装置は
停電でも除害することができる。
【0019】上述した実施の形態によれば、ガス除害装
置を燃焼式と乾式の2系統併設し、通常は燃焼式ガス除
害装置を用い、万一燃焼式ガス除害装置が有害ガスを除
害できなくなったときに、乾式ガス除害装置に排気系統
が自動切替することができるので、双方の欠点を互いに
補うことができて、ランニングコストを低く維持でき、
かつ安定した運転ができ、安全性に優れたガス除害装置
を得ることができる。
【0020】なお、以上は、燃焼式でも乾式でも除害を
行うことができる除害対象ガスとしてSiH4 やPH3
を例にとり、ポリシリコン成膜を行うCVD装置に適用
されるガス除害装置に例をとって説明したが、この発明
は、かかる除害対象ガスに限定されることはなく、例え
ば、ポリシリコン成膜の場合には更にB26 やSiH
6 、また、ゲルマニウム成膜の場合にはGeH4、窒化
膜成膜の場合にはNH3 ,SiH2Cl2にも適用できる。
【0021】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明によれば、燃焼式および乾式の双方のガス除害装置を
併設することにより、これら装置の互いの欠点を補足し
あうような使用形態をとるようにしたので、ランニング
コストを低く維持でき、かつ安定した運転ができ、安全
性に優れたガス除害装置を得ることができるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態を示す全体構成図であ
る。
【図2】この発明の実施の形態の制御動作を示すフロー
チャートである。
【図3】従来の燃焼式ガス除害装置の使用形態を示す図
である。
【図4】従来の乾式ガス除害装置の使用形態を示す図で
ある。
【図5】従来の乾式・燃焼式ガス除害装置の使用形態を
示す図である。
【符号の説明】
1 CVD装置 2 真空ポンプ 3 燃焼式ガス除害装置 4 乾式ガス除害装置 5 コントローラ 10、11 バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G09F 7/16 G09F 7/16 D H01L 21/205 H01L 21/205

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水素、プロパン等の可燃性ガスを燃焼さ
    せ、その炎や熱により除害対象ガスを化学反応させて除
    害するようにした燃焼式ガス除害装置と、 乾式除害薬剤により、常温で吸着や化学反応により除害
    対象ガスを除害するようにした乾式ガス除害装置と、 通常時は前記燃焼式ガス除害装置を運転状態とする一
    方、該燃焼式ガス除害装置の異常を検出した場合は、前
    記乾式除害装置を運転状態とし、前記燃焼式ガス除害装
    置から前記乾式ガス除害装置へ除害対象ガスの供給を切
    り替えるようにしたコントローラとを備えてなるガス除
    害装置。
JP10003284A 1998-01-09 1998-01-09 ガス除害装置 Withdrawn JPH11197440A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10003284A JPH11197440A (ja) 1998-01-09 1998-01-09 ガス除害装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10003284A JPH11197440A (ja) 1998-01-09 1998-01-09 ガス除害装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11197440A true JPH11197440A (ja) 1999-07-27

Family

ID=11553116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10003284A Withdrawn JPH11197440A (ja) 1998-01-09 1998-01-09 ガス除害装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11197440A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530821A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 軽減システムの改善された操作方法及び装置
JP2010528476A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 除害システムの効率的な運転のための方法及び装置
JP2015052420A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 大陽日酸株式会社 排気ガス処理システム
JP2016176095A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 大陽日酸株式会社 排ガス処理方法
KR20200116971A (ko) 2018-03-26 2020-10-13 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP2022512245A (ja) * 2018-12-13 2022-02-02 エドワーズ リミテッド 除害方法及び装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530821A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 軽減システムの改善された操作方法及び装置
JP2010528476A (ja) * 2007-05-25 2010-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 除害システムの効率的な運転のための方法及び装置
JP2015052420A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 大陽日酸株式会社 排気ガス処理システム
JP2016176095A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 大陽日酸株式会社 排ガス処理方法
KR20200116971A (ko) 2018-03-26 2020-10-13 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US11827982B2 (en) 2018-03-26 2023-11-28 Kokusai Electric Corporation Processing apparatus
JP2022512245A (ja) * 2018-12-13 2022-02-02 エドワーズ リミテッド 除害方法及び装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW350879B (en) Substrate processing apparatus
JPH11197440A (ja) ガス除害装置
CN115899720A (zh) 一种外延安全管控的方法
JP2781698B2 (ja) 半導体装置の製造装置
EP0112490B1 (en) Alarm and control system for semiconductor manufacturing plants
JP2511363B2 (ja) 真空処理装置
JPH01293120A (ja) 廃ガス処理方法
JPS5998293A (ja) 半導体工場などにおける警報および制御装置
JP6685204B2 (ja) 安全装置、安全システム及び燃焼除害装置の安全化方法
JP2009154091A (ja) 排ガス処理装置および排ガス処理方法、ならびに薄膜形成装置
US7172731B2 (en) Apparatus for releasing pressure in a vacuum exhaust system of semiconductor equipment
JPH02106927A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005216911A (ja) エピタキシャル成長装置の排ガス処理システム
JP2001214888A (ja) 真空排気装置及び方法
JP3594235B2 (ja) ガス漏れ防止機能を有する熱処理炉
KR100532810B1 (ko) 펌프파워 상승시스템
JPH0237103Y2 (ja)
JP2001345270A (ja) 半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法
JPS62222630A (ja) 気相反応処理装置
JPH0729626Y2 (ja) 減圧気相処理装置
US4683463A (en) Gas and fire alarm and control system for semiconductor factories or the like
JPH0897207A (ja) 酸化装置の排気装置
JP2001351910A (ja) 基板処理装置
JPH0413756Y2 (ja)
KR100270754B1 (ko) 배기라인의 자동 세정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050405