JP2781698B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
係わり、特に排気するガスの排気系を有する半導体装置
の製造装置に関する。
係わり、特に排気するガスの排気系を有する半導体装置
の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造装置の排気系統
は、排気するガスの種類に応じて切り換えるようになっ
ていないものが多く、例えばＬＰＣＶＤ装置でポリシリ
コンを成長する場合は、排気系統は一つでＳｉＨ4 （モ
ノシラン）の除害装置を通して排気していた。又、同シ
ステムで反応室のクリーニングのためにＣｌＦ3 ガスを
流す仕様のものについては、直列にＣｌＦ3 除害装置と
ＳｉＨ4 除害装置をつなぎ、両方を通して排気してい
た。又、別の手法としてＳｉＨ4 を流す場合はＳｉＨ4
除害装置、ＣｌＦ3 を流す場合はＣｌＦ3 除害装置と手
動でバルブを切り換えて流す方法も取られていた。
は、排気するガスの種類に応じて切り換えるようになっ
ていないものが多く、例えばＬＰＣＶＤ装置でポリシリ
コンを成長する場合は、排気系統は一つでＳｉＨ4 （モ
ノシラン）の除害装置を通して排気していた。又、同シ
ステムで反応室のクリーニングのためにＣｌＦ3 ガスを
流す仕様のものについては、直列にＣｌＦ3 除害装置と
ＳｉＨ4 除害装置をつなぎ、両方を通して排気してい
た。又、別の手法としてＳｉＨ4 を流す場合はＳｉＨ4
除害装置、ＣｌＦ3 を流す場合はＣｌＦ3 除害装置と手
動でバルブを切り換えて流す方法も取られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のポリシリ成
長を行なうＬＰＣＶＤ装置を例にとり、同システムで反
応室のクリーニングのためにＣｌＦ3 ガスを流す場合、
直列にＣｌＦ3 除害装置とＳｉＨ4 除害装置がつなが
る。ここでＳｉＨ4 ガスを流すと、ＣｌＦ3 除害装置を
通ってＳｉＨ4 ガスが除害されるため、除害方法の違う
ＣｌＦ3 除害装置がＳｉＨ4 ガスのために詰まり、予期
する寿命よりかなり短かくなってしまう。又ＳｉＨ4 ガ
スの除害装置の後ＣｌＦ3 ガス除害装置を流す構成とす
ると、ＣｌＦ3 ガスを流した場合にＳｉＨ4 ガス除害装
置内でＨＣｌが発生してＳｉＨ4 除害装置が腐食しやは
り寿命を短かめていた。又、並列にＣｌＦ3 除害装置と
ＳｉＨ4 除害装置を配し手動でＣｌＦ3 ガスを流す場合
はＣｌＦ3 除害装置への排気、ＳｉＨ4 ガスを流す場合
はＳｉＨ4 除害装置への排気と切り換えるのは、工数が
掛かり、作業ミスを起こしやすいという問題があった。
長を行なうＬＰＣＶＤ装置を例にとり、同システムで反
応室のクリーニングのためにＣｌＦ3 ガスを流す場合、
直列にＣｌＦ3 除害装置とＳｉＨ4 除害装置がつなが
る。ここでＳｉＨ4 ガスを流すと、ＣｌＦ3 除害装置を
通ってＳｉＨ4 ガスが除害されるため、除害方法の違う
ＣｌＦ3 除害装置がＳｉＨ4 ガスのために詰まり、予期
する寿命よりかなり短かくなってしまう。又ＳｉＨ4 ガ
スの除害装置の後ＣｌＦ3 ガス除害装置を流す構成とす
ると、ＣｌＦ3 ガスを流した場合にＳｉＨ4 ガス除害装
置内でＨＣｌが発生してＳｉＨ4 除害装置が腐食しやは
り寿命を短かめていた。又、並列にＣｌＦ3 除害装置と
ＳｉＨ4 除害装置を配し手動でＣｌＦ3 ガスを流す場合
はＣｌＦ3 除害装置への排気、ＳｉＨ4 ガスを流す場合
はＳｉＨ4 除害装置への排気と切り換えるのは、工数が
掛かり、作業ミスを起こしやすいという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置の排気系は、複数の排気系を並列に有し、かつ排
気ガスの種類濃度を色別するセンサーを備え、そのセン
サーからの情報によりそれに対応した排気系に自動的に
切り換える事が出来る機能を有している。
造装置の排気系は、複数の排気系を並列に有し、かつ排
気ガスの種類濃度を色別するセンサーを備え、そのセン
サーからの情報によりそれに対応した排気系に自動的に
切り換える事が出来る機能を有している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の第１の実施例の半導体装置
の製造装置を示す概略図である。この例はＬＰＣＶＤ装
置であるが、半導体装置の製造装置に取り付ける排気系
であれば仮に排気系が分離出来て排気系のみが別のユニ
ットとなっていてもよい。反応室１には半導体基板が入
れられガス導入口２よりＳｉＨ4 （モノシラン）ガスが
導入されて、減圧気相成長される。排気ガスはポンプ３
で引かれて排気されるが、その際、塩素ガス用のセンサ
ー４で塩素濃度を測定しある基準値以下の場合はＳｉＨ
4 除害装置５側のバルブ６が開くようにバルブコントロ
ールシステム７でコントロールされる。
の製造装置を示す概略図である。この例はＬＰＣＶＤ装
置であるが、半導体装置の製造装置に取り付ける排気系
であれば仮に排気系が分離出来て排気系のみが別のユニ
ットとなっていてもよい。反応室１には半導体基板が入
れられガス導入口２よりＳｉＨ4 （モノシラン）ガスが
導入されて、減圧気相成長される。排気ガスはポンプ３
で引かれて排気されるが、その際、塩素ガス用のセンサ
ー４で塩素濃度を測定しある基準値以下の場合はＳｉＨ
4 除害装置５側のバルブ６が開くようにバルブコントロ
ールシステム７でコントロールされる。
【０００７】一方、ＣｌＦ3 ガスにより反応室１をクリ
ーニングする場合は、排気ガス内の塩素濃度が次第に上
昇していきある閾値になるとバブルコントロールシステ
ム７の指令でＣｌＦ3 除害装置８側のバブル９が開き同
時にＳｉＨ4 除害装置５側のバブル６が閉じる。
ーニングする場合は、排気ガス内の塩素濃度が次第に上
昇していきある閾値になるとバブルコントロールシステ
ム７の指令でＣｌＦ3 除害装置８側のバブル９が開き同
時にＳｉＨ4 除害装置５側のバブル６が閉じる。
【０００８】従来はＣｌＦ3 除害装置８は約１ヵ月でＳ
ｉＨ4 ガスが流れるために詰まっていたのが、この実施
例を実施した結果約３ヵ月間詰まることなく正常に稼働
した。
ｉＨ4 ガスが流れるために詰まっていたのが、この実施
例を実施した結果約３ヵ月間詰まることなく正常に稼働
した。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例を示す概略図
である。先の第１の実施例では並列にＳｉＨ4 除害装置
５とＣｌＦ3 除害装置８を配置したが、この第２の実施
例では、ＳｉＨ4 除害装置５とＣｌＦ3 除害装置８を直
列に配置している。又センサー４により、塩素ガスの濃
度がある基準値を超えるとＳｉＨ4 除害装置側バルブ６
が閉じてＣｌＦ3 除害装置側バルブ９が開き、ＳｉＨ4
除害装置５をバイパスしてＣｌＦ3 除害装置８にダイレ
クトに排気される構造となっている。
である。先の第１の実施例では並列にＳｉＨ4 除害装置
５とＣｌＦ3 除害装置８を配置したが、この第２の実施
例では、ＳｉＨ4 除害装置５とＣｌＦ3 除害装置８を直
列に配置している。又センサー４により、塩素ガスの濃
度がある基準値を超えるとＳｉＨ4 除害装置側バルブ６
が閉じてＣｌＦ3 除害装置側バルブ９が開き、ＳｉＨ4
除害装置５をバイパスしてＣｌＦ3 除害装置８にダイレ
クトに排気される構造となっている。
【００１０】この第２の実施例はセンサー４が不良にな
った場合にＳｉＨ4 除害装置５とＣｌＦ3 除害装置８の
両方を通して排気させることが出来るためにより安全で
ある。
った場合にＳｉＨ4 除害装置５とＣｌＦ3 除害装置８の
両方を通して排気させることが出来るためにより安全で
ある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、排気ガス
の種類や濃度等を色別するセンサーを有し、それに対応
した排気系統に自動的に切り換える機能を有するので、
今まで複数のガスを一系統で流すために生じていた除害
装置の寿命の低下を防ぐ事が出来る。又複数の排気系統
をもたせた場合、手動で切り換えていたが本発明は自動
的に切り換える事が出来るので、作業工数を減らす事が
出来て作業ミスも無くなる。さらにこのセンサーで種類
のみでなく濃度を測定してある閾値を超えたらバルブを
切り換えるシステムを構成すると、さらに最適なバルブ
開閉のタイミングを得ることが出来る。
の種類や濃度等を色別するセンサーを有し、それに対応
した排気系統に自動的に切り換える機能を有するので、
今まで複数のガスを一系統で流すために生じていた除害
装置の寿命の低下を防ぐ事が出来る。又複数の排気系統
をもたせた場合、手動で切り換えていたが本発明は自動
的に切り換える事が出来るので、作業工数を減らす事が
出来て作業ミスも無くなる。さらにこのセンサーで種類
のみでなく濃度を測定してある閾値を超えたらバルブを
切り換えるシステムを構成すると、さらに最適なバルブ
開閉のタイミングを得ることが出来る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概略図である。
１ 反応室 ２ ガス導入口 ３ ポンプ ４ センサー ５ ＳｉＨ4 除害装置 ６ バルブ（ＳｉＨ4 除害装置導入用） ７ バルブコントロールシステム ８ ＣｌＦ3 除害装置 ９ バルブ（ＣｌＦ3 除害装置導入用）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 C30B 25/14 H01L 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】 排気系を有し、排気するガスの種類・濃
度に応じて排気系を切り換える必要のある半導体装置の
製造装置において、排気ガスの種類・濃度等を識別する
センサーを備え、該センサーからの情報によりそれに対
応した排気系統に自動的に切り換える事を特徴とする半
導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058689A JP2781698B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4058689A JP2781698B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267181A JPH05267181A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2781698B2 true JP2781698B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=13091521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4058689A Expired - Fee Related JP2781698B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781698B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7080545B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-07-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems |
| JP5195227B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこの使用方法 |
| DE102014105294A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung an einem CVD-Reaktor |
| JP2017200667A (ja) * | 2014-09-17 | 2017-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気処理装置、基板処理システム、及び、排気を処理する方法 |
| KR102083591B1 (ko) * | 2018-07-11 | 2020-05-21 | (주)하나이엔지 | 미연탄소 농도센서의 센싱에러를 검지하는 석탄화력보일러 시스템 |
| KR102083592B1 (ko) * | 2018-07-11 | 2020-03-02 | (주)하나이엔지 | 복수의 미연탄소 농도센서를 사용하는 석탄화력보일러 시스템 |
| GB2579788B (en) * | 2018-12-13 | 2021-06-30 | Edwards Ltd | Abatement apparatus |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4058689A patent/JP2781698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267181A (ja) | 1993-10-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980414 |
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